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TWI333110B - Multi-domain vertically alignment liquid crystal display panel - Google Patents

Multi-domain vertically alignment liquid crystal display panel Download PDF

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TWI333110B
TWI333110B TW095138051A TW95138051A TWI333110B TW I333110 B TWI333110 B TW I333110B TW 095138051 A TW095138051 A TW 095138051A TW 95138051 A TW95138051 A TW 95138051A TW I333110 B TWI333110 B TW I333110B
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Description

1333110 • 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域] 本發明係關於一種液晶面板，尤指一種多區域垂直配向 液晶面板。 【先前技術】 液晶顯示器已被廣範地應用在各式電子產品，如手機、 • 個人數位助理（PDA)及筆記型電腦（notebook)等，且隨著大 尺寸平面顯示器市場的快速發展，具有輕薄短小特性的液 晶顯示器更是扮演著相當重要的角色，而逐漸取代陰極射 線管（CRT)顯示器成為市場主流。然而，由於傳統液晶顯示 器的視角不夠廣，故成為其發展上之限制條件，因此一種 可増加視角的多區域垂直配向（multi-domain vertical alignment，MVA)以及超多區域垂直配向（premium φ multi-domain vertical alignment，PMVA)液晶顯示面板便因 應而生。 請參照第1圖與第2圖’第1圖為習知超多區域垂直配 向液晶面板10之一晝素之平面示意圖，而第2圖係為第1 圖中沿著AA’線段之截面示意圖。如第1圖與第2圖中所 示’習知超多區域垂直配向液晶面板10包含有一上基板 • 12、一下基板14、一由負型液晶分子所構成的液晶層16 - 填充於上基板12與下基板14之間以及一第一畫素電極20 1333110 與第二畫素電極28設於液晶層16與下基板14之間。 其中，上基板I2表面設有一共同電極層18、複數個彩 色濾光單元（圖未示）設置於上基板12與共同電極層18之 間以及複數個配向突起物22對應第一畫素電極20與第二 晝素電極28。下基板14上則設有一儲存電容32並相對配 向突起物22。 其中，第一畫素電極20與第二畫素.電極28可為氧化銦 錫（indium tin oxide, ITO)或氧化銦鋅（indium zinc oxide， IZ〇)所構成的穿透電極或反射電極，且第一畫素電極20與 第一畫素電極28係由一主狹縫(main slit)26分隔並以單根 的矩形穿透電極作為連接第一畫素電極2〇與第二晝素電 極28的橋接電極24，以達到最佳化的液晶排列與反應速 度。 j匕外，儲存電容32係由一儲存電容上電極38、一儲存 ^合:電極34以及位於兩者之間的介電層36所構成。-般而° _用並聯的方式來形成-儲存電容並增加電容 量’以保持電荷不流失並達到維持電壓的目的。 、第1圖所不，習知儲存電容係設置於相對配向突起物 的位置’ W改善配向突起物在暗態時會導致液晶排列不佳 Π33110 - 而造成暗態漏光的問題，進而提升液晶面板的對比。 【發明内容】 本發明係揭露一種液晶面板，其包含有一第一基板及一 第二基板、一晝素設置於該第二基板上、一儲存電容下電 極、一儲存電容上電極、一液晶層設置於該第一基板與該 第二基板之間以及複數個配向突起物(protrusion)設置於該 φ 第一基板上或該第二基板上。其中，該晝素具有一第一晝 素電極以及一第二晝素電極，且該第一晝素電極與該第二 晝素電極之間具有一主狹縫(main slit)。其次，儲存電容下 電極係設置於該第二基板上並與該該主狹縫至少部分重疊 (overlap)，而該儲存電容上電極則係設置於該第二基板上 並與諒儲存電容下電極形成一儲存電容。 本發明係將儲存電容設置於相對二晝素電極之間的主狹 縫位置。 【實施方式】 液晶排列的穩定性以及區域的均勻性可由液晶分子在 方位角±90°狀態存在的位置來判斷。當方位角±90°的位置 位於畫素正中間時，液晶分子可達到最穩定的排列。反之， 面板的顯示區域(domain)則可能會出現左右不均的現象。 由於液晶分子的方位角度係取決於電場的力量，亦即配向 1333110 • 突起物與主狹縫的貢獻，在習知設計中的單根矩型橋接電 極會造成左右力量的拉扯並影響液晶分子的平衡狀態，造 成90°方位角的位置並不一定會位於橋接電極的中間，進 而使液晶分子產生左右偏移，甚至往任何角度偏移的現象。 因此，如何提供一種多區域垂直配向液晶面板以有效改 善主狹縫暗態漏光的問題以及利用單根矩型橋接電極而導 • 致液晶分子產生左右偏移的現象即為現今一重要課題。 本發明之主要目的係提供一種多區域垂直配向液晶面， 板，以解決儲存電容因設置於配向突起物的相對位置而無. 法有效遮蔽主狹縫漏光的問題。 本發明係將儲存電容設置於相對二晝素電極之間的主 狹縫位置，並藉由儲存電容來有效降低主狹縫區域暗態漏 * 光的缺點，進而提高晝素使用率與達到高穿透率。此外， 本發明又可將儲存電容設置於相對主狹縫位置的同時搭配 一具有内縮圖案的橋接電極，並藉由其内縮的形狀來改善 習知利用矩形橋接電極而導致液晶排列不穩定的問題，進 而提高液晶面板的光學特性表面。 請參照第3圖至第5圖，第3圖為本發明較佳實施例之 多區域垂直配向液晶面板40之一晝素之平面示意圖，第4 1333110 - 次，第一畫素電極50與第二晝素電極52之間以及第二晝 素電極52與第三畫素電極53之間各具有一主狹縫60，且 橋接電極54係設置於主狭縫60内。 值得注意的是，本發明的儲存電容64係設置於下基板 44上並對應主狹縫60，且儲存電容64係由一儲存電容上 電極70、一儲存電容下電極66以及一位於兩者之間的介 φ 電層68所構成，以保持電荷不流失並達到維持電壓的目 的。其中，儲存電容上電極70係可連接到下基板44上之 薄膜電晶體（圖未示）的汲極，且儲存電容上電極70與/或儲 存電容下電極66則係與主狭縫60至少部分重疊。換句話 說，藉由將儲存電容64放置於相對主狹縫60的位置，本 發明可有效降低主狹縫區域暗態漏光的缺點，進而提高畫 素使用率與達到高穿透率。 * 請參照第6圖，第6圖為本發明另一實施例之多區域垂 直配向液晶面板之一畫素之平面示意圖。如第6圖所示， 本實施例包含有一第一晝素電極74、一第二畫素電極76、 一第三畫素電極86、一橋接電極72連接第一晝素電極74 與第二晝素電極76、一橋接電極88連接第二畫素電極76 與第三畫素電極86，以及複數個配向突起物84分別相對 於各畫素電極的中央位置。 1333110 其中，第一晝素電極74、第二畫素電極76與第三畫素 電極86同樣係為氧化銦錫（ITO)或氧化銦鋅（IZO)等透明導 電材料所構成的穿透電極或是反射金屬所構成之反射電 ‘極。其次，第一畫素電極74與第二晝素電極76之間具有 一第一主狹縫92，第二晝素電極76與第三畫素電極86之 間具有一第二主狹縫94，且第一主狹縫92具有一傾斜部 (slant)(未標示）位於中間部78及端點部80之間。此外，本 φ 實施例另包含一儲存電容90設置相對第一主狹縫92的位 置，且橋接電極72與橋接電極88係分別設於第一主狹縫 92與第二主狹縫94内。 有別於先前所述之矩形橋接電極，第一晝素電極74與 第二晝素電極76之間的橋接電極72具有一中間部78及二 端點部80，且二端點部80的寬度W係分別大於中間部78 的寬度w。橋接電極72或橋接電極88可與第一畫素電極 74與第二晝素電極76同時形成且/或是同一層。此外，橋 接電極72或橋接電極88之形狀、大小、厚度、寬度可視 需要而設計，並不侷限。 因此，本實施例除了可將儲存電容90配置於相對主狹 縫的位置，並藉由儲存電容來提高晝素使用率與穿透率 外，又可搭配具有内縮圖案的橋接電極72來改善習知因矩 形橋接電極而產生液晶分子排列不穩定的問題。 1333110 综上所述，本發明係將儲存電容設置於相對二晝素電極 之間的主狹縫位置，並藉由儲存電容來有效降低主狹縫區 域暗態漏光的缺點，進而提高畫素使料與達到高穿透 率。此外’本發明又可將儲存電容設置於相對主狹縫位置 的同時搭配-具有内賴㈣橋接電極，並藉由其内縮的 形狀來改善液晶排列不穩定的問題，進而提高液晶面板的 光學特性表面。 以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專 利範圍所做之均等變化與㈣，皆應屬本發明之涵蓋範圍。 【圖式簡單說明】· 第1圖為習知多區域垂直配向液晶面板之一晝素之平面示 意圖。 第2圖係為第1圖中沿著A A’線段之截面示意圖。 第3圆為本發明較佳實施例之多區域垂直配向液晶面板之 一晝素之平面示意圖。 第4圖係為第3圖中沿著BB’線段之截面示意圖。 第5圖係為第3圖中沿著CC，線段之截面示意圖。 第6圖為本發明另一實施例之多區域垂直配向液晶面板之 晝素之平面示意圖。 (§) 12 1333110
【主要元件符號說明】 10 多區域垂直配向液晶面板 12 上基板 14 下基板 16 液晶層 18 共同電極層 20 第一晝素電極 22 第一配向突起物 24 橋接電極 26 主狹縫 28 第二晝素電極 32 儲存電容 34 儲存電容下電極 36 介電層 38 儲存電容上電極 40 多區域垂直配向液晶面板 42 上基板 44 下基板 46 液晶層 48 共同電極層 50 第一晝素電極. 52 第二晝素電極 53 第三畫素電極 54 橋接電極 56 配向突起物 60 主狹縫 64 儲存電容 66 儲存電容下電極 68 介電層 70 儲存電容上電極 72 橋接電極 74 第一畫素電極 76 第二晝素電極 78 中間部 80 端點部 84 配向突起物 86 第三畫素電極 88 橋接電極 90 儲存電容 13 1333110 92 第一主狹縫 94 第二主狹縫 96 平坦層 98 透明導電層 W 寬度 W 寬度
Cs) 14

Claims (1)

1333110 ·» 十、申請專利範圍： • 1. 一種多區域垂直配向液晶面板，包含有： . 一第一基板及一第二基板； 一晝素，設置於該第二基板，該晝素具有一第一晝素電 極以及一第二晝素電極，且該第一晝素電極與該第二晝素 電極之間具有一主狹縫(main slit); 一橋接電極，設置於該第二基板上，該橋接電極係電性 連接該第一晝素電極及該第二晝素電極，其中該橋接電極 ® 具有一中間部及二端點部，且該等端點部之寬度係分別大 於該中間部之寬度； 一儲存電容下電極，設置於該第二基板上，且該儲存電 容下電極完全遮蔽該主狹縫； 一儲存電容上電極，設置於該.第二基板上並與該儲存電 容下電極形成一儲存電容； 一液晶層，設置於該第一基板與該第二基板之間；以及 Φ 複數個配向突起物（protrusion)，設置於該第一基板上。 2. 如申請專利範圍第1項所述之多區域垂直配向液晶面 / 板，其中該儲存電容上電極係與該主狹縫至少部分重疊。 3. 如申請專利範圍第1項所述之多區域垂直配向液晶面 板，其中該主狹縫具有一傾斜部（slant)。 15 如申。月專利範圍第1項所述之多區域垂直配向液晶面 板’更包含有-共同電極層’設置於該第一基板表面。 如申蜎專利範圍第4項所述之多區域垂直配向液晶面 板，更包含有複數個彩色濾光單元設置於該第一基板與 該共同電極層之間。 •如申巧專利範圍第1項所述之多區域垂直配向液晶面 板，其中該第一晝素電極與該第二晝素電極係為一穿透 電極或一反射電極。 7.如申清專利範圍第丨項所述之多區域垂直配向液晶面 板，其中該第一晝素電極與該第二晝素電極係為一氧化 锡（indium tin oxide，ITO)或氧化銦鋅（indium zinc oxide)晝素電極。 8·如申請專利範圍第1項所述之多區域垂直配向液晶面 板，更包含有複數個薄膜電晶體，分別設置於該第二基 板上。 9.如申請專利範圍第丨項所述之多區域垂直配向液晶面 板，其中該液晶層包含複數個負型液晶分子。 1〇.如申晴專利範圍第1項所述之多區域垂直配向液晶面 • 极’更包含有一第三晝素電極設置於該第二基板上並連 接該第二晝素電極。 u•如申請專利範圍第10項所述之多區域垂直配向液晶面 板’其中該第三晝素電極係為-穿透電極或一反射電極。 十一、圏式：
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