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TWI331409B - - Google Patents

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TWI331409B
TWI331409B TW95141789A TW95141789A TWI331409B TW I331409 B TWI331409 B TW I331409B TW 95141789 A TW95141789 A TW 95141789A TW 95141789 A TW95141789 A TW 95141789A TW I331409 B TWI331409 B TW I331409B
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TW
Taiwan
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light
emitting diode
reflective
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TW95141789A
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TW200822393A (en
Inventor
Kazuhiro Miyashita
Original Assignee
Ace T Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Ace T Corp filed Critical Ace T Corp
Priority to TW95141789A priority Critical patent/TW200822393A/zh
Publication of TW200822393A publication Critical patent/TW200822393A/zh
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Description

1331409 、 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種發光二極體之光源體,尤指一種應用於發 光之半導體製品之發光元件上,其係為了將光導向更為集中且更 為以擬平行光的狀態產生,藉以減少光之損失與減少發光材料之 使用’令光可有效並充分的被利用到。 【先前技術】 發光二極體(Light Emitting Diode ; LE:D)為半導體元件之 種,由於具有體積小、壽命長、耗電量小等特性,已普遍應用 各種光電、日常生活領域。由於發光二極體是一種施予電壓,便 會發出光亮的半導體,而非藉著燈絲的加熱。 而在科技領域中,半導體和積體電路之發展中,用來發光之 半導體製品之「發光元件」和絲接絲之半導體製品之「受光 —牛」同樣的&達’刚者用來將電變換成光,後者將光變換成電. 從最初之作為轉·光元叙LED(秋二極 起 之發展目標-直追求如何「更亮」且「更多樣化」:: 很大r步;電—光—電之變換不僅是針對眼睛可看到== 達成傳送電氣信號的目的。 牛導體雷射等,利用光來 兩電咐,料發光體(1G)包括有兩電極,且 兩電極分為陽極(11)及陰極(12) I極且 裝設有-用來產生反射效果丢(12)上 碟盤(13),其碟盤(13)裝 5 I33H09 s 史有一發光一極體晶粒(14),其中碟盤(13)中亦裝設有 螢光粉,藉以由發光二極體晶粒(14)產生光後經由螢光反產 生不同之顏色,接著在發光二極體晶粒(i 4)與陽極(丄丄) 間裝設有一接線(1 5)供以兩者相互連接,在陽極(1 1 )與 陰極(12)下連結有一引出線(15)供以連接電源使其發光 體(10)發光,另外發光體(1〇)由透明樹脂所包覆,並其 上有一透鏡(16)來調整出光之範圍且亦可將光導向擬平行光 鲁射出而透鏡(16)可3又為各種形狀用來變化指向性,另外也 有很多是製作成凸形或方形,其常見之應用就是汽車煞車燈、紅 綠燈、手電筒等等。
另一先前技術如第二圖所示,發光體(2 〇)包括有二電極 陰極(2 2)與陽極(2 3),同樣的在陽極(2 3)上裝設有 -發光二極體晶粒(2 4),並且在陽極(2 3)與發光二極體 晶粒(2 4 )上皆有-絲(2 6 )供兩者相互連接,不同的是 在發光體(2 〇 )裝§曼-本體外殼(2 1 ),本體外殼(2 1)内 裝設有-拋物曲面(2 5 ) ’其射拋物曲面(2 5 )驗係正對發 光二極體晶粒(2 4)之發光面’藉以將發光二極體晶粒(2 4) 發射出之光狂為擬平行光射出使其光線射出。 “然而前述二種先前技術,其中第一圖所示之發光體⑴ ^將光能量加大财光更為集中,需將其透鏡(工6 )加 見加大’且要將發光二極體晶粒(工4)與透鏡(16)門的距 ㈣㈣嶋,吻嶋的材 6 而在第二圖中所示之發光體(2 Ο ),其為了減少光的損失 與將光導向更為集中,其亦必須將發光二極體晶粒(24)與抛 物曲面(2 5) Μ的距離拉大,如此拋物曲面(2 5)必需使用 較大的拋物面設計’故其所需祕的材料與成本亦相對的就會增 加’而其上兩者之設計皆無法配合導絲人光面狹小之設計,若 要將以上兩種習知之lED發光源構造應用在液晶螢幕之導光板上 將無法使液晶f幕輕便及美觀化,故其並無法完全符合現今 求。 又,如我國專利證號:233698「發光二極體燈及其製造方法」, 揭露一種發光二極體燈,係包括一燈芯及一反光罩,該燈芯上設 有發光二極體晶片,其位於該反光罩之反射曲面之焦點上,且該 發光二極體晶片之發光面係正對反光罩之反射曲面,且與反光罩 之縱向軸線成0到85度夾角,然而由於該先前技術對於光線之投 射仍然必須將發光二極體晶粒與拋物曲面間形成概約正面之對 應,且為因應對焦,發光二極體晶粒與透光罩間之軸向距離仍然 必須考篁相當之間距,因此對於輕薄短小需求,仍有空間型態上 無法滿足之缺憾。 綜合前開各種先前技術,共同之問題主要在於由於未能充分 利用之光線反射之特性以及空間佈局之效益性,因此無法達成令 發光二極體之發光體空間運用更為效率化,以致於無法達成輕薄 短小之目的。 1331409 « « 【發明内容】 本發明主要之目的在於設計一種發光二極體光源體,主要包 括一反光殼板,該反光殼板之斷面(二維狀態下之剖面或平面狀 態)係呈一由内向外凸弧(内側相對凹弧)之拋物線狀’且該拋 物線之一侧與一基座板之内側相鄰,且基座板外侧鄰接一罩殼, 該罩殼斷面至少形成一向反光殼板相對凸弧之反光段,以及與反 光殼板相連之透光段,該基座板設至少一發光二極體晶體,該發 Φ 光二極體晶體之正面發光面向,斷面狀態下延伸之假想線通過該 反光殼板,且基座板於斷面狀態下,其與罩殼鄰接點,與該假想 線平行之假想延伸線亦通過該反光殼板。 由於本發明之使得發光二極體晶體之正面發光面向,並非直 接面對罩殼,而是透過一種折射光線所透出,因此本發明中之發 光二極體晶體並無直接之必要,考量面對罩殼之距離以及考量焦 距問題;因此,自然無須形成直線距離與長度之限制;換言之, 本發明乃是利用空間型態之轉折而使得發光二極體晶體對於透光 籲之輝度不影響之情況下,卻能創造一種空間充分利用之效果。 【實施方式】 以下藉由圖式說明本發明之内容、特點以及實施例,俾使貴 審查委員對於本發明有更進一步之理解。 凊參閱第三圖與第四圖所示,本發明係關於一種發光二極體 光源體,該發光二極體之光源體(3)主要包括: 一反光殼板(3 1 )’該反光殼板(3 1)之斷面係呈一由内 8 I33H09 • 向外凸弧(内側相對凹弧)之拋物線狀,且該拋物線之一側與一 基座板(3 0)之内側相鄰,且基座板(3 〇)外側鄰接一罩殼 (3 2 ),該罩殼(3 2 )可以為透明樹脂或具有透明性質之材料 製,又,該透明樹脂含有螢光成份;且,該罩殼(3 2)斷面至 少形成一向反光殼板相對凸弧之反光段(3 2 A ),以及與反光殼 板相連之透光段(3 2 B ),該透光段(3 2 B )與反光段(3 2 A)形成一轉折緣(3 2 C)(在二維平面所呈現則為轉折點)。 _ 該基座板(3 〇)至少設一發光二極體晶體(3 3)(亦可為
二個、三個至更多而形成同一正面發光面向之並列),該發光二極 體晶體(3 3)之正面發光面向,斷面狀態下延伸之假想線(L 1 )通過該反光殼板(3 1);且基座板(3 〇 )於斷面狀態下, 其與罩殼(3 2 )鄰接點(P ) ’與該假想線(L i )平行之假想 延伸線(L 2)亦通過該反光殼板(31)。 又,本發明之反光殼板(31)係外部貼附反光薄膜(3工 A),或外部浸塗反光薄膜。 ® 請參閱第五圖所示,以二維平面之舉例說明,本發明之光源 體(3)之基座板(3 0)上之發光二極體晶體(3 3)之光線, 由於係「正面發光面向」(即光線主要之散發表面),斷面狀態下 延伸之假想線(L 1)通過該反光殼板(3 1 ),因此主要之光線 技射在反光殼板(3 1 ),而受到反射影響,該光線又循由反光段 (3 2 A)之反射後,由透光段(3 2 B)射出,形成各個平行 之面光源;因此形成發光二極體晶體(3 3)毋庸設於反光段(3 2 A )以及透光段(3 2 b )對應面(可以省略直線距離),卻可 9 1331409 以達到設在透光段(3 2 B)之狀態? 且由於罩殼(3 2)斷面形成一向反光殼板相對凸弧之反光 & ( 3 2 A)’基於凸面鏡之反光效果形成反射,再經反光殼板以 凹面鏡之聚光反射出罩殼,内側為散光之效果,經由分散光線亦 會反射回反光殼板),整個罩殼(3 2 )均可以形成光線之均勻、 平行之面光源。 惟以上所述者’僅為本發明之較佳實施例,並非因此而拘限 _本發明之專利範圍’舉凡運用本發明專利範圍中所述構造《等效 變化,均應包含於本發明之專利範圍中。 1331409 、 【圖式簡單說明】 第一圖係先前技術(一)之立體圖 第二圖係先前技術(二)之平面圖 第三圖係本發明之立體圖 第四圖係本發明之平面示意圖 第五圖係本發明之光線效果示意圖 【主要元件符號說明】 * ( 10):發光體 (11) :陽極 (12) :陰極 (1 3 ):碟盤 (14):發光二極體晶粒 (1 5):接線 (1 6 ):透鏡 • ( 2 0 ):發光體 (21):本體外殼 (2 2):陰極 (2 3):陽極 (24):發光二極體晶粒 (2 5 ):拋物曲面 (2 6) ·接線 (3 ):發光二極體 11 1331409 (3 0 ):基座板 (3 1 ):反光殼板 (3 2):罩殼 (3 2 A):反光段 (3 2 B ):透光段 (3 2 C ):轉折緣 (3 3 ):發光二極體晶體 (L 1 ):假想線 (L 2 ):假想延伸線 (P ):鄰接點 (3 1 A):反光薄膜
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Claims (1)

1331409 \ 十、申請專利範圍: 1、 一種發光二極體光源體,主要包括一反光殼板,該反光殼板 之斷面係呈一由内向外凸弧(内側相對凹弧)之拋物線狀係 呈一拋物線狀,且該拋物線之一侧與一基座板之内侧相鄰, 且基座板外側鄰接一罩殼,該罩殼斷面至少形成一向反光殼 板相對凸弧之反光段,以及與反光殼板相連之透光段,該基 座板設至少一發光二極體晶體,該發光二極體晶體之正面發 光面向,斷面狀態下延伸之>[鼠想線通過該反光殼板,且基座 板於斷面狀態下,其與罩殼鄰接點,與該假想線平行之假想 延伸線亦通過該反光殼板。 2、 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體光源體,其中該罩 殼為樹脂所製。 3、 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體光源體,其中發光 二極體晶粒數量可為單個或複數個並排排列。 4、 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體光源體,其中該反 光殼板係外部貼附反光薄膜。 5、 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體光源體,其中該反 光殼板為外部浸塗反光薄膜。 6、 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體光源體,其中該透 光段與反光段形成一轉折緣。 7、 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體光源體,其中該透 明樹脂含有螢光成份。 13
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