TWI331235B - Liquid crystal display device - Google Patents

Description

1331235 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種具有於同一像素區域内分割液晶配 向方向之配向控制部之液晶顯示裝置。 【先前技術】 液晶顯示裝置（以下本文巾稱LCD)_備薄型化及低 耗電$等特性，目前係廣泛應用於電腦$幕或攜帶式資訊 設備之螢幕。這些LCD係於兩片基板間封入液晶利用在 各自基板上所形成之電極，控制其間特^位置液晶的方 向，而進行顯示。 TN(Twisted Nematic，_向列）型液晶已知係為此類 LCD所使用的液晶。使用顶型液晶之lcd係將兩片基板 與液晶接觸之表面’先各自進行摩擦㈣bing)處理以形成 配向膜，在未施加電壓的狀態下，具有正介電異方性 液晶’其液晶分子之長軸係沿著配向膜摩擦方向而形成初 期配向。’准’此液晶之初期配向，並非完全沿著基板的平 面’=晶分子的長轴係沿著基板㈣面以事先定好的角度 站立著’即所謂預傾角（pre-tilt)。 其中一片基板上之配向膜摩擦的方向，和另一片對向 基板上配向膜摩擦的方向，係以偏差9〇度之扭轉方向交互 配置，一對（兩片）基板間液晶配向則因而隨之扭轉9〇度。 而且，以兩片基板之對向面侧各自形成之電極，對其間的 液晶施加電壓時，液晶分子的長軸會朝基板平面之法線方 向向上站立，因而解除扭轉配向的狀態。 317421修正本 5 1331235 在兩片基板上係设置有偏光轴彼此互相垂直之線性偏 光板，且配向膜之摩擦方向係設定成沿著所對應基板上偏 光板之偏光軸方向。由此’在未施加電壓之狀況下，當光 .·源之線性偏光’由配置於靠近光源端之基板的偏光板入射 .··液晶層時，其線性偏光之偏光軸會經由已被扭轉配向9〇 度之液晶層而改變為正好相差90度之線性偏光，配合另一 片基板上所配置僅能使與上述入射端之偏光板，偏光軸方 向相差90度之線性偏光通過之偏光板，由光源發出的光經 驅過LCD則呈現出「白」狀態。相對地，對電極間施加電壓 時’液晶之扭轉配向係完全解除，液晶分子係朝向基板平 面的法線方向’由光源端入射液晶層之線性偏光，不會在 經過液晶層時改變偏光方向而到達另一片基板上的上偏光 板’因而其線性偏光的偏光軸與出光端之上偏光板不一 致’故無法透過出光端之偏光板。因而，呈現出「黑」狀 態。而中間之灰階狀態係對該液晶施加令液晶層之扭轉配 |向不完全消除的電壓，而將入射液晶層的線性偏光中之一 部分線性偏光變成偏光軸逆轉90度之線性偏光而通過出 光端的上偏光板，因而呈現出可調整之光量。 另外’已知亦有使用垂直配向（Vertically Aligned)型液 ' BB (本文中以後稱VA液晶）之LCD。關於此VA液晶，液晶 -本身係帶有如負介電異方性’未施加電壓的液晶分子的長 軸方向係由垂直配向膜朝向垂直方向（基板平面的法線方 向）。使用此VA液晶之LCD係於一對基板上設置偏光轴 彼此相差90度的偏光板。於未施加電壓之狀態下，由配置 6 317421修正本 1331235 . 於光源端基板的偏光板入射液晶層之線性偏光，由於液晶 係垂直配向’不會於液晶層中產生雙折射（birefringence)， 因而係維持該偏光狀態至到達位於顯示面基板的偏光板， - 而因無法透過此顯示面基板上的偏光板，係呈現出「黑」 • 狀態。於電極間施加電壓’則VA液晶的分子長軸係朝向 基板平面方向傾倒。由於VA液晶係具有負光學異方性 (refringence anisotropy)，液晶分子的短軸方向會變成朝向 基板平面的法線方向，由光源端入射液晶層的線性偏光係 膠受到此液晶層雙折射，線性偏光進入液晶層後會變成橢圓 偏光、或甚至圓偏光、以及橢圓線性混合偏光（兩種偏光皆 具有與入射線性偏光相差90度的偏光軸因此，若所入 射之線性偏光’全部變成經由液晶層之雙折射而逆轉9〇 度的線性偏光，光線係可透過顯示面基板上的偏光板，而 呈現「白」（最大亮度）狀態。雙折射量係取決於液晶分子 的傾倒方向。因此，入射之線性偏光，係根據雙折射量， %變成相同偏光軸的橢圓偏光、圓偏光、或是偏光軸相差9〇 度的橢圓偏光，而出光端偏光板的透光率係根據此偏光狀 態而定’俾能呈現出中間灰階狀態。 如上所述之TN型LCD係可控制其液晶分子長軸方向 '由相對於基板平面方向預傾（pre-tilt)之角度站立至某角 •度，如第1A圖所示，TNlcD由圖中右上方觀察時，對觀 察者而言液晶分子的傾斜與由左上方觀察時之傾斜係有極 /、 因此’ TN液晶之視角依存性相當大，容易造成 色度或顯示反轉等。亦即，已知於正常顯示時，其可觀察 3Π421修正本 7 之視角係非常狹窄。 因此’為擴大視角，有 號公報鹿- 有幻如日本專利特開平第7-311383 制部形成於單一像素内，並4向換言之，將配向控 子長轴方向（液晶direct)之方位早—像素區域内分割液晶分 向』i〇::iVA液晶係” 1B圖所示，初期配向係朝 ==線方向’無論由圖之右上方向觀察，或由 差#丨,'、對該方向而言液晶分子的傾斜的角度 差很小。因此，與上述TN液曰μ 依存性較低m有廣起來，㈣上其視角 於施加電壓時，由於:法徵。然而，VA液晶 下夕士彳， 於…、法疋王決疋液晶分子由垂直方向倒 方位配向向量，ve咖）’會造成單—像素區域内配向 二不同區域的邊界(向錯線，disclination line)無法一定之

置2素而言’或是經過一段時間後，此向錯線的位 d %會產生表面粗糙的顯示’而導致降低顯示 σα 貝 〇 ;疋’對VA液晶而言，於上述專利文獻中亦提供於 I —像素内設置配向控制部，藉此達成以此配向分割部固 疋向錯線、更擴大視角、及提昇顯示品質之目的。 藉由上述配向控制部控制液晶分子初期配向的方向， '不僅防止向錯線於非特定位置產生，並能達成擴大視角的 目的，惟仍有更提昇顯示品質及提昇反應性的要求。 【發明内容】 本發明實現優異之配向控制部的技術。 31742〗修正本 8 1331235 本發明之第！態樣中，液晶顯示裝置係以具有 極^第1基板與具有第2電極之第2基板各自的電極形成 面液曰曰層於其間而對向配置，各像素區域為多邊形且具 備用以控制液晶的配向方位之配向控制部二 控制部而將像素區域分割成多數個配向區域、且 :配向=域中其端部與各像素區域的端部—致的配向區域 在則述像素區域的前述端部復設有附加配向控制部。 本發明的其他態樣中，前述附加配向控制料形成於

2少—個前述配向區域之前述像素區域的前的 大致中央處。 J 、此附加配向控制部係可設置於各像素區域之邊緣中最 長^的大致中央處。此附加配向控制部係可由各像素區域 之邊向像素區域之内侧突出而設置。 ^明㈣-態樣中，前述像純域為長方形，

迷配向控制部具有相對於前述像素區域之長邊方向平行延 =之直線部分、及由此直線部兩端往前述像素區域的角落 係讯f於义、十.你主 子邛刀，而别述附加配向控制部 係5又置於别述像素區域的長邊端。 附加配向控制部可藉由將對應於各像素區域形狀之形 、的電極之—部分切成缺口而構成。缺口之形狀係 如：三角形或梯形。 本發明之另-方面，為具有第】電極之第】基板與具 有第2電極之第2基板各自的雷炻拟士、 、 '土孜谷自的電極形成面夹液晶層於其間 …己、且於顯示部具有矩陣狀配置之像素之液晶顳 9 317421修正本 [S] 第941卿號專利申請案 不裝置，各像素中，^ ^ (99年7月22日) 優先配位方向rLir 個像素區域时割成具有 形成相對於各料Γ配向區域，前述第1電極個別 缝孫且士、述像素之夕邊形圖案，且該第1電極的邊 ;電極==控制部"分的功能，於前述第 制部所c=r附近，相對於由前述配向控 …二 域，形成有用以安定其中央附近 之配向的附加配向控制部。 除了將各像素區域分割為多數個配向區域之配向控制 /外’另可藉由附加配向控制部’以抑制向錯線於非特 疋位置發生，而達到提升顯示品質的目的。 【實施方式】 -以下，配合圖面說明本發明之實施形態。第i圖係顯 示本發明實施形HIXD之概略剖面構成。第丨圖係顯示所 謂半穿透型LCD的穿透區域的概略剖面，半穿透型lCD 係於-個像素中具有使_光穿透而進行顯示的穿透區 _域、以及使外部光反射而進行顯示的反射區域。 第2圖所顯示之LCD係於兩片透明（例如：玻璃基板 等）之第1基板100及第2基板300間封入液晶層4〇〇而形 成’各基板100、300之面向液晶層400的面上係各自形成 有由氧化銦錫（Indium Tin Oxide，ITO)、或氧化銦辞 (Indium Zinc Oxide, IZO)等透明導電金屬材料所構成之第 1電極200與第2電極320。此外，使光源光穿透而進行顯 示的穿透型LCD亦以與第2圖相同之剖面構造構成。 液晶層400係採用▼有負介電異方性之垂直配向型液 317421 (修正版) 10 ⑶ 1235 日日，而且在單一像素區域内，分別於第2基板300側及第 基板100側，各4有用以將像素區域分割成多數個配向 ，區域之配向控制部500(配向分割部)。此配向控制部5〇〇 '在第1基板100側係於第1電極200 0間隙形成無電極部 .3〇並且於基板全面地形成覆蓋此無電極部53〇與第i 電極200之以聚酿亞胺（pGlyimide)等材料所構成之配向膜 260 ° 第2基板3⑻侧之第2電極320上係形成朝向液晶層 400突出之突起部514。並且，全面地形成與第i基板1〇〇 侧相同之配向膜260以覆蓋此突起部514與第2電極320。 無論第1基板、第2基板側之配向膜260皆係垂直配向膜， 且可採用無摩擦方式（rubbing-less type)。 如上所述之結構中’在第1電極200與第2電極320 間完全未施加電壓的狀態下，第2基板3〇〇侧之配向控制 部510係以對著由剖面形狀為三角形的突起部514之斜面 %而形成之配向膜260之斜面成垂直的方向來配向液晶分子 長軸方向（LC directei〇410。 第1電極200與第2電極320間開始施加電壓後，第 2基板300側之配向控制部510附近，預先由於配向控制 : 而傾斜之液晶分子長轴方向會由基板平面之法線方向朝其 : 傾斜方向更加傾斜。因此，配向控制部510係藉由突起部 514的作用，將以此配向控制部510為境界將液晶配向方 位分割成至少彼此朝向不同的配向方位之多數個區域 (domain) ° 31742丨修正本 丄:^1235 而且’形成於第1基板端之第1電極200間隙之無電 極部530’其開始施加電壓時（施加之電場較弱時）之電力線 係如圖中之虛線所示。液晶分子長轴方向係朝與此電力線 正交方向傾斜，換言 線一致的方向傾斜。 直於第1基板100， 換言之’液晶分子短軸方向則朝與此電力 斜°此無電極部530的初期配向雖大致垂 〇〇 ’由於電力線傾斜的關係，係可控制液 晶的配向方位。以此無電極部53〇作為境界，將液晶配向 方位分割成彼此朝向不同的方向。 第3 A圖係關於本實施形態之半穿透型LCD的平面構 造說明圖，顯示設於第1基板1〇〇側之第1電極2〇〇與設 於第2基板300侧之配向控制部51〇之配置關係。此外， 第3B圖係顯不沿著第3A圖的A_A線的一個像素6㈨的

如第3A、3B圖所示之LCD係為所謂主動矩陣（AcUve Matrix)型LCD，顯示區域中呈矩陣狀配置之多數個像素係 |各自设有薄膜電晶體（Thin Film Transistor，TFT)等開關 (switch)元件，此開關元件（以下稱TF 丁）中，於每個像素個 別形成圖案之第1電極（像素電極）2〇〇係電性相連接。而 且，此第1電極200係如後所述形成具有部分缺口之長方 ： 形（矩形）圖案。 此主動矩陣型LCD的各像素600係形成於各像素個別 之第1電極200、以及與此第】電極2〇〇共夹液晶層4⑽ 且對向e又置之各像素共通之第2電極（共通電極）32〇於所 重疊的區域。因此，各像素6〇〇係大致形成與此第】電極 ^7421修正本 12 1331235 的形狀相似之長方形。此外，於第2基板側形成用以 防止相鄰像素間漏光而由遮光材料所構成之遮光層 .Matrix，BM)330,此遮光層33〇係以如第3a圖中一點鏈 -—·線（ ）所示之開口部，規範各像素區域之外緣。於全 ..彩顯示面板中，此像素區域600係各自顯示所對應之紅、 綠、藍、或甚至依狀況而異為白色中的一種顏色。各像素 區域600係設有使外光（觀察侧.的光）反射而進行顯示的反 射區域610和使面板後方所配置的光穿透而進行顯示的穿 透區域620。 上述TFT係形成於如由玻璃所構成之第i基板ι〇〇 上，此TFT之主動層（ActiveLayer)11(M系使㈣成為島狀 •且以雷射退火（Laser anneal)等方式獲得之低溫多晶矽（1〇w temperature P〇ly siliC0n，LTps)等結晶性矽層、或是非晶 矽層（amorphous Silic0n)。形成覆蓋此主動層11〇並以如 SiOVSiN的雙層結構所構成之閘絕緣層112，於閘絕緣層 • 112之上方對應於TFT主動層UG之通道形成區域處形成 採用Cr等高熔點金屬材料之閘電極114(且，第3a圖之例 中，設於各像素之TFT係採用防止洩漏電流具高功效之雙 閘極構造（將兩個相對於TFT的源極汲極間之載體通路之 ;通道區域串聯而連接之構造）。於基板全面地形成覆蓋閘電 :極114且以SiC^/SiN的多層結構所構成之層間絕緣層 116,於對應於TFT主動層ι10的源極汲極區域形成貫通 此層間絕緣層116與閘絕緣層112之接觸孔，並於主動層 110的源極區域和汲極區域各自以A1等形成連接之源電極 317421修正本 13 1331235 =和沒電極测。而且，没電極118d係連接至位於矩 -己置之像素内將資料信號供給至相對於行⑽職η)方 ^之像素时料線（—Μ，於此例+，資料線係兼 .乍及電極md之用途。此外，上述閘電極114係電性連接 .·至位於矩陣狀配置之像素内用以選擇列（row)方向排列之 像素的選擇線，於此例中，選擇線係兼作閘電極114之用 途。於基板全面地形成覆蓋源電極118s、汲電極118d且 以有機絕緣樹脂或無機絕緣樹脂所構成之平坦化絕緣層 120。’於此平坦化絕緣層12〇對應於各像素之反射區域 之區域選擇性地於如八丨等具優良反射性之反射層I” 形成圖案。形成覆盍此反射層130且每個像素圖案以ITO 等構成的第1電極200。於基板全面地形成覆蓋第J電極 200且以如第2圖所說明之聚醯亞胺等所構成之配向膜 26〇。而且，於源電極118s所對應區域之平坦化絕緣層12〇 形成接觸孔，上述第丨電極2〇〇係連接至源電極u8s，並 %藉由此源電極ll8s連接至TFT主動層的源極區域。此外， 如第3 B圖所示之例中，雖反射區域61 〇生成於平坦化絕 緣層120和第！電極2〇〇之間，惟形成於第】電極2〇〇和 配向膜260之間亦可。 - 構成於具有上述剖面結構之第1基板200侧與對向配 ：置之第2基板300之間的各像素區域600，其尺寸可採用 短邊（如水平掃描方向）與長邊（如垂直掃描方向）的比為3 至2. 1 ’具體而言，水平掃描方向（H方向）的尺寸&約為 46#m’垂直知插方向（v方向）的尺寸b(=bl+b2)約為124 317421修正本 14 1331235 此例之比則為2·7:丨。此外，反射區域6ι〇與穿透 =域620縱邊（V方向）的長度比，依所要求之反射性能而 .定，約為1:2至3。例如：反射區域61〇的¥方向長度為 • Μ，穿透區域62〇的v方向長度為b2，H和以約為p .·从m與87 # m ’則長度比為1 : 2.35。 如第3A圖所示之例中，配向控制部51〇係僅設置於 穿透區域620。其原因係反射區域的液晶層厚度比穿透區 域薄，因而很難再配置具有突起之配向控制部51〇。而且， 霉反射區域液晶層厚度較薄是為了使兩個區域液晶產生的位 向差能一致，而調整通過液晶層的光徑長度。亦即，反射 區域由於光係經入射、反射通過液晶層2次，因此使液晶 層的厚度降低以平衡光徑長度。然而，配向控制部亦可設 置於反射區域610。 配向控制部510係平行於像素600的長邊，包含沿著 像素600大致中央處設置之直線部分54〇、與連接直線部 %分540兩端並各自朝穿透區域62〇的角落部位延伸之兩個 V字部分550、552。V字之雙臂所夾之角θ，依像素6〇〇 之長見比而異，此例約為90度。藉由此配向控制部5】〇 之配向分割機能’以配向控制部510為界，將像素6〇〇(特 ：別是’穿透區域620)分割成四個優先配位方向不同的區 :域。亦即，以第1電極（像素電極）200的左右長邊與配向控 制部直線部分540與V字部分550、552所圍成之兩個配 向區域630 ’兩配向區域630係於左右夾住配向控制部 5 10 ,以第1電極200的下邊（短邊）與v字部分550所圍成 317421修正本 15 1331235 之配向區域640、以上邊（短邊）和反射區域61〇與穿透區域 620之邊界及左右的V字部分552所圍成之配向區域65〇。 以下，配向區域630係以左右的長邊配向區域表示，配向 :區域640係以下邊配向區域表示，配向區域65〇係以上邊 •配向區域表示。其中，如上所述，長邊配向區域030係以 第1電極200的長邊、對應之配向控制部51〇的上下v字 部分550與552之左右其中一方、及配向控制部51〇的直 線部分540作為各自的邊緣而整體形成約為梯形。 ™ 因長邊配向區域63〇的中央附近係呈垂直掃描方向之 細長形’與配向控制部510、550有一段距離，且因上下V 字部分550、552所控制之配向方位彼此不同，中央附近的 配向較不安定，中央附近的非特定位置容易發生向錯。於 本實施形態中，由於第1電極200的長邊部，更增加配向 控制機能，抑制長邊配向區域630垂直掃描方向的中央區 域於非特疋位置發生向錯。亦即，長邊配向區域Mo的邊 |緣中，以第1電極2〇〇的長邊所構成的長邊方向之大致中 央處’係設有附加配向控制部560。此附加配向控制部56〇 與上述弟2電極側的配向控制部510不同，完全不會分名j 該區域之像素600的配向。但是，對於長邊配向區域63〇 :中央附近的液晶配向方位不安定的部分，則可使其配向方 ：位安定。雖不如配向控制部510的直線部分540 —般左右 明確地分割液晶的優先配向方位，惟以下述方式，於與v 字部分550、552大致相同之方向，設置發揮配向控制機能 的電極邊緣，亦防止配向的紊亂。 317421修正本 16 ^31235 如第3A圖所示，附加配向控制部560可為形成於第1 電極9 ΓΪΛ 〇之三角形缺口之構成。此三角形可為等腰直角三 角开〆，甘 -、兩度亦即缺口深度係為3 # m。如上所述，當配向 控制部510的V字部分55〇、552的央角0設為9〇度時，

^於此缺口為等腰直角三角形，其中一邊可大致平行於V 之’而可集合其間所夹區域的液晶配向，可有 效抑制明顯的向錯線的發生以及抑制此向錯線於非特定位 § ”彳缺口的切入邊無法與上述配向控制部51〇 =V字部分550、552完全平行’越接近平行則發揮之效 越向。而且，即使效果變低，設置與形狀無關之缺口亦 2止向錯線於非特定位置發生。如此，第1電極200的 =邊之-形成缺口，係與無電極部53〇的原理相同，此邛 =可產生些微傾斜之初期配向而抑制向錯線於非特定位置 :生。其中，缺口量（切入之深度）若為5心雖亦有效果，

廷種情況下，電極面積會減少 預1减夕而降低開口率（穿透率），囡 缺口深度較期望係雖小但具效果之3心。而且，如= 二圖所示’實際上因第！電極2〇〇的邊係覆蓋 33〇 ’缺口深度3/ΖΙΠ時對開口率的影塑 ”、9 的附加配向控制部560時， 並非於弟1電極200圖案化之祛w 4 1 ^ 认墙 之後以追加的步驟形成，而β 於第1電極200圖案化時同時形成。 而疋 而且，附加配向控制部亦可採用代替 而於第2電極320上形成突起之構成。 之缺〇 素之配向控制部510之突起部分割像 J <万式形成。此外， 317421 i 17 1331235 反地’雖須要追加的步驟，亦可於第丄電極綱的長邊 部分形成突起。 • 第4圖係顯示像素（第1電極200)之其他形狀。於第4 •，中像素602即第！電極2〇〇的形狀與第3 a圖所示之 ·*第1電極200相比，具有較小長寬比2至1.5 : 1，較為粗 短亦即較接近正方形之長方形。於半穿透型為例， 於=像素設有與第3A、3B圖之LCD相同之反射區域612 及穿透區域622。長方形的短邊旧方向長度）a約為^ $以 m，長邊（V 方向長度）b(=bi+b2)約為 117(=31+86)// m，此 例之長寬比為1.79 : 1。分割像素6〇2的配向區域的配向 =制部512係包含直線部分57〇與v字部分58〇、582, v 字的爽角Θ係大於90度，例如12〇度。附加配向控制部 560係设置於穿透區域622長邊之中央附近，其形狀為頂 角约為60度的等腰三角形。此三角形的邊係大致平行於v 字部分的雙臂580、582。 % 關於第3 A圖與第4圖所示之像素6〇〇、6〇2，雖用來 分割配向區域之配向控制部51〇、51.2係設置於穿透區域 620、622 ’亦可設置於反射區域61〇、612。而且，無論第 1電極200側的顯示區域全部具有反射機能的反射型 :LCD、或全部具有穿透機能的穿透型LCD，第！電極 皆可採用上述第3A、3B圖與第4圖所示之形狀，藉配置 此構成中僅形成於穿透區域的配向控制部51〇，將第^電 極200的全部區域分割成多數個配向區域。例如，可延長 第3A圖等之直線部540。而且，為使沿著此直線部 317421修正本 屮 1235 _____ . 年月日修正替換頁第9414ι837號專利申請案 • , 、 99. -— (99年7 月 22 a) 形成的長邊配向區域的配向安定，述方式於第1電極 200的長邊的中央附近設置附加配向控制部56〇，亦可獲得 ，相同效果。而且，在反射型LCD的情形，可例如以A1等 ··反射性導電材料形成第1電極200，或由第2圖所示之透 -明導電材料所構成的第1電極200之下層設置反射層。 第5及6圖係顯示像素之其他形狀。第$圖之像素 6〇4(第1電極2〇〇)中，除附加配向控制部之形狀以外係 與第3A圖之像素600(第i電極2〇〇)相等。第5圖之例中， 附加配向控制部570係為梯形，其高度與三角形缺口相 同，可為3"111或5以m。另外，長度（下底的長度）係如37 Vm。為使梯形的斜邊具有與配向控制部Η。的v字部分 相同的角度，上底的長度係設定為比下底短。 於第6圖中，像素606(第1電極200)中附加配向控制 部之形狀以外部分的形狀係與第4圖之像素602(第i電極 2〇〇)相等。不同之處在於，附加配向控制部572係為梯形， 籲此梯形之高度係與三角形之缺口狀況相同，可為3^或5 以瓜另外，長度（下底的長度）係為27 " m。此外，於第ό 圖，情況，#形的_邊較佳係平行於相對之配向控制部的 子雙#的延伸方向。有此形狀之梯形，亦可防止向錯的 發生梯形之狀況，其優點在於梯形的上底略平行於配向 控制°卩的直線部分，其間液晶的配向較容易集合。但另一 方面’由於電極面積大量減少，開口率係變差。須考慮所 求之開口率與實際生成向錯的程度，以決定是否使用三 角形，或梯形，或其高度等尺寸的設定。 317421(修正版) 1331235 综上所述，上述各實施形態中，係增加分割像素區域 之配向控制部’將附加配向控制部配置於所分割區域邊緣 中與原像素區域的邊相鄰的邊緣之最長部分大約中央處。 此部分係由於距離各像素邊界所形成之配向控制部（無電 極部）及分割單一像素區域成多數個配向區域之配向控制 部（突起）最遠，不易藉由這些配向控制部集合配向方位， 因此較不安定。各實施形態皆係於此部分設置配向控制 部，以期能使配向安定而提昇晝質。此外，除提昇畫質外， 此附加配向控制部的存在，因可規範於長邊配向區域之中 央附近的配向方位，亦可提昇該長邊配向區域相關之液晶 響應性。 另外’上述各實施形態中雖僅顯示附加配向控制部設 置於長邊區域630，惟必要時亦可設置於下邊區域64〇與 上邊區域650。 【圖式簡單說明】 第1A、1B圖係說明液晶分子之配向狀態與視角間的 關係。 第2圖係為本發明實施形態液晶顯示裝置之概略剖面 圖。 第3A圖係說明本發明實施形態中液晶顯示裝置之其 中—個像素之平面構造。 '、 第3B圖係說明第3A圖中沿著A_A線之第i基板側 的剖面構造。 第4圖係說明本發明另一實施形態中液晶顯示裝置之 31742】修正本 20

以厶3D 其中一個像素之平面構造。 第5圖係說明本發明又另一實施形態中 之其中—個像素之平面構造。 ^裝置 第6圖係說明本發明又另一實施形態中液晶顯示裝置 之其中一個像素之平面構造。 【主要元件符號說明】 100 第1基板 112 閘絕緣層 116 層間絕緣層 118d 汲電極 130 反射層 260 配向膜 320 第2電極 400 液晶層 500 配向控制部 514 突起部 540、 570 直線部分 560 ' 572 附加配向控制部 600、 602 ' 604、606 像幸 620、 622 穿透區域 640 下邊配向區域

110 主動層 114 閘電極 118s 源電極 120 平坦化絕緣層 200 第1電極 300 第2基板 330 遮光層 410 液晶分子長轴方向 510、512配向控制部（突起部） 530 配向控制部（無電極部） 550、552、580、582 V 字部分 610、612 反射區域 630 長邊配向區域 650 上邊配向區域 21 317421修正本

Claims (1)

1. 申請專利範圍： 年月日丨4丨837號專利申請案 0(料7月22日) 有=:a顯示裝置，係以具有第/電Ϊ之第1基板與具 “極之第2基板各自的電極形成面夹液於盆 間而對向配置之液晶顯示裝置，其特徵在於.… 別圖：第〗電極係具有對應於該像素區域之各形狀的個 :: 象：區域為多邊形’且具有用以控制液晶的配向 配向區域； …向控制^而分割成多數個 該多㈣配向區域中’其端部與各像素區域的端部 -致的配向區域中的該像素區域的該端部上係設有附 加配向控制部； 該^配向㈣部係由形成於該第丨電極的外形邊 緣之該第1電極的缺口圖案所構成； 該缺口圖案係具有與該配向控制部之延伸方向平 行的邊； J附加配向控制部係由將第1電極的外周切成缺口 而獲得的第1電極的終端部所構成。 如申請專職圍第1項之液晶顯示1置，其中： 該附加配向控制部係形成於構成至少一個該配向區 域之該像素區域的該端部的大致中央位置。 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中： 該各像素區域係為長方形； 該配向控制部係具有相對於該像素區域之長邊方 i SI 317421(修正版) 22 1331235 , 第94141837號專利申請案 (99年7月22日） 向平行延伸之直線部分、及由此直線部分兩端往該像素 區域的角落方向或側邊方向延伸之v字部分； ' 該附加配向控制部係設置於該像素區域的長邊端。 4.如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中： 該第1電極係為對應於該各像素區域長方形形狀， 且於各像素區域具有個別的圖案； 該配向控制部係具有設置於該第2基板側之配 起。 5.如申請專利範圍第〗項之液晶顯示裝置，其中： 該第1電極係為具有對應於該各像素區域長方形形 狀的外形圖案。 6, 如申請專利範圍第5項之液晶顯示裝置，其令： 該附加配向控制部的缺口圖案係為三角形。 7, 如申請專利範圍第5項之液晶顯示裝置，其^ : 該附加配向控制部的缺口圖案係為梯形。 8, 如申請專利範圍帛1項之液晶顯示裝置，其中： 钱附加配 工奶邓你形成於經分割區域之邊 相鄰於各像素區域邊界之邊緣 9. 如申請專利範圍第丨項之液晶中· /該附加配向控制部係具有由該像素區域的長邊, 彺該像素區域的内侧突出的三角形的形狀 10. 如申請專利範圍第9項之液晶顯示裝置，其中· 該三角形的斜邊係平行於 之延伸方向。 了、该配向控制部的一告μ 317421(修正版) 23 1331235 乐號專利_請索 ("年7月22曰') IT 1 U.如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中： 該附加配向控制部係具有由該像素區域的 在該像素區域的内側突出的梯形的形狀。 細 2.如申清專利範圍第u項之液晶顯示袈置，其特徵在於： 該梯形的斜邊係平行於該配向' 延伸方向。 丨刀之

   13.:=顯示裝置，係以具有第1電極之第1基板與具 電極之第2基板各自的電極形成面夹液晶層於其 而對向配置，且於顯不部具有矩陣狀配置 晶顯示裝置，其特徵在於： 素之液 各像素中係設有配向控制部，用以將每一像素區域 内分割為與優先配位方向相異之多數個配向區域； 該第1電極個別形成相對於各前述像素之多邊形圖 案，且該第1電極的邊緣係具有作為該配向控制部的一 部分的功能； 於該第1電極至少於長邊方向的邊緣附近，相對於 該配向㈣料分狀特定配向區域，形翁用以安定 其中央附近之配向的附加配向控制部； 該附加配向控制部係由形成於該第！電極的外形邊 緣之該第1電極的缺口圖案所構成； 平 該缺口圖案係具有與該配向控制部之延伸方向 行的邊； 該附加配向控制部麵將第1€㈣外周切成缺口 而獲得的第1電極的終端部所構成。 31742】(修正版) 24 1331235 第94丨41837號專利申請案 1>| , , (99 年 7 月 22 曰） 如申請專利範圍第13項之液晶顯示裝置，其中： 該附加配向控制部係具有由該第丨電極的長邊方向 的邊緣往該像素區域的内側突出的三角形的形狀。 15. 如申請專利範圍第14項之液晶顯示裝置，其中： 該三角形的斜邊係平行於該配向控制部的一部分 之延伸方向。 16. 如申請專利範圍第13項之液晶顯示裝置，其中： 該附加配向控制部係具有由該第丨電極的長邊方向 的邊緣往該像素區域的内側突出的梯形的形狀。 17. 如申請專利範圍第16項之液晶顯示裝置，其中： 該梯形的斜邊係平行於該配向控制部的一 延伸方向。 18·如申請專利範圍第13項之液晶顯示裝置，其中： 該第1電極係電性連接至設於每個像素的開關元 件0 19·=液晶顯示裝置’係以具有第1電極之第！基板盘且 門極之第2基衫自的電極形成面夾液晶層於其 間而對向配置之液晶顯示裝置，其特徵在於·· 案；該第^電極係個別形成相對於各該像素之多邊形圖 各像素中係設有配向控制部，用以 内分割為與優先配位方向相異之多數個配向區i域 該配向控制部係具有相對於該第i電極的邊以 斜的第1部分、及相對於該第1電極的邊以與I )T 317421(修正版) 25 1331235 第94141837號專利申請案 第i部分呈線對稱的第2角度傾斜的第2部分⑼年7月22曰> 該第1電極的邊中係、具有由形成於該第^電極的外 形邊緣之缺口圖案所構成的附加配向控制部； 該附加配向控制部係具有平行於該第丨角度的部 分、及平行於該第2角度的部分； 該附加配向控制部係由將第〗電極的外周切成缺口 而獲得的第1電極的終端部所構成。 20.如申請專利範圍第19項之液晶顯示裝置，其中： 該附加配向控制部係位於該第1部分與該第2部分 之間。 2】.如申請專利範圍第19項之液晶顯示裝置，其中： 該附加配向控制部係位於該第1部分與該第2部分 之對稱轴上。

   26 317421(修正版)