TWI330061B - - Google Patents

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1330061 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種利用凸塊進行層間連接的新傳 送纜線。 【先前技術】 在各種網路系統等之中，透過傳送纜線（網路纜線）進 行資料等等的傳送，但是近年來開發了配線管理容易的扁 平型傳送纜線。扁平型傳送纜線使用與被稱為可撓式配線 基板相同的方法，將訊號線圖案化而形成者，其具備在地 板材料等的下面、任意場所配線時不會形成高低落差的優 點。 因此，在寬頻時代，需要高速且大容量傳送，傳送纜 線也希望可以改善。例如，在只是單純形成訊號線的傳送 纜線中，雜訊所造成的錯誤動作與訊號間彼此干涉等等是 很大的問題。 由此狀況來看，提出一種傳送纜線，其結構為在訊號 線間配置接地線，且將訊號線電性連接到通過絕緣層所形 成的遮蔽層（例如，參考專利文件1與專利文件2)。具體 地來說，專利文件1揭示一種扁平型纜線，其在遮蔽圖案 與遮蔽層間，以導電性樹脂膠所形成的導電性凸塊進行電 性連接。此外，專利文件2揭示一種可撓式纜線，其在將 片狀的片導體與片狀的絕緣體堆疊而成的片狀可撓式纜 線中，絕緣體中平行設置的多數條導線中，遮蔽接地線是 接遮蔽導體。此外，印刷電路板也可 冋的構造(例如參考專利文件3)。 專利文件1 :特開平11·162267號公報 專利文件2 :特開2〇〇2_117726號公報 文件3 :特開平7-99397號公報 的問Ϊ = ^ =傳魏線中，有導電膠的電阻抗非常高 的問題與構成接地線的銅羯的連接阻抗也很高 法使接地雙線中，此電阻抗與連接阻抗高的話，無 障礙門的干涉。這對於訊號傳送的高速化等等是非常大的 塊的约用導電膝形成導電性凸塊，使通過壓入此凸 層的方法時’會導致製造成本增加的問題。例 (stam、太二文件1所記載的技術中，導電凸塊是以壓印 式形成’其在不鑛鋼板的預定位置上，對容置在 随成物（導電膠)加壓，從罩幕__孔 & , °在此情形’需要有壓印裝置等專用的裝置； 丹者，在相同的位置反覆地進行印刷、乾燥處理上，也需 要進行加熱硬化處理等。故在工程步驟上變得十分繁複。 【發明内容】 本發明有鑑於上述的問題，本發明提供一種高可靠性 的傳送緵線，其目的為可沿用—般的配線基板的製造流 程，容易地形成高可靠度的連接用凸塊，可以達到製造流 TW3324PA/ 5023-023TW 7 層與製造成本的降低，並且可以抑制接地線與遮蔽 連接阻抗的增加，可以充分抑制雜訊與 歲線間的干涉，且可高速傳送與大量傳送。 緯络ί 了達成上述目的，本發明提供—種傳n線，在一 i m的單侧形成多數條訊號線，並在該些訊號線間形成 線。其中接地線電性連接到遮蔽層，該遮蔽層是通過 入=絕緣層中而形成的金屬凸塊，形成在該絕緣層的背 °别述訊號線為差動訊號線。 為了達成本發明上述目的一種傳送纜線，其在絕緣層 续單侧形成多數條訊號線，並在該些訊號線間形成一接地 ::其中接地線電性連接到遮蔽層，該遮蔽層是通過埋入 忒、、、巴緣層中而形成的金屬凸塊，形成在該絕緣層的背面。 金屬凸塊的間距比流過該訊號線的傳送訊號的波長短。 如為了達成本發明上述目的—種傳送纜線，其在絕緣層 的單侧形成多數條訊號線，並在該些訊號線間形成接地 線。其中接地線電性連接到遮蔽層，該遮蔽層是通過埋入 絕緣層中而形成的金屬凸塊，形成在絕緣層的背面。絕緣 層為聚亞胺與液晶聚合物所構成。 為了達成本發明上述目的一種傳送纜線，其在絕緣層 的單侧形成多數條訊號線，並在該些訊號線間形成接地 線。其中接地線電性連接到遮蔽層，遮蔽層是通過埋入絕 緣層中而形成的金屬凸塊，形成在絕緣層的背面。金屬凸 塊疋利用金屬耦接’連無到遮蔽層，以及/或訊號線與接地 線。

TW3324PA/ 5023-023TW 8 在本發明的傳送繅線中，連接接地線與遮蔽層之間的 金屬凸塊是讀刻銅料㈣成的金屬凸塊。因此，在本 發明的傳送欖線中，因為金屬凸塊本身是以金屬形成，電 性阻抗低。另外，在本發明的傳麵線中，此金屬凸塊與 接地線’或者是金屬凸塊與遮蔽層是金屬彼此間的接觸。 因此，彼此間的接觸阻抗也可以抑制到低的值。 如上述，在本發明的傳送境線中，因為層間連接的凸 塊本身的電性阻抗，以及接地線與遮蔽層和凸塊間的連接 阻抗被抑制到很低，所以接地線有效地做為遮蔽的功能， 並確實地抑制訊號線間的干涉與雜訊的侵入。 另一方面，在本發明的傳送纜線中，考慮其製造時’ 金屬凸塊是以銅箔等的独刻而形成。在配線圖案化等，蚀 刻是一般的技術。藉由沿用這種技術，可以很容易地形成 金屬凸塊。另外，蝕刻裝置可以直接使用配線基板的製造 中所使用的裝置，例如印壓裝置等，而不需要凸塊形成用 的特別裝置。另外，在本發明的傳送纜線中，因為遮蔽層 是由鋼箔等所構成，使用銅箔等做為遮蔽層是可以沿用很 多一般的配線基板的製造流程。因此，在本發明的傳送纜 線中，可以沿用既存的製造流程’容易形成高可靠度的食 屬凸塊，進而達到製造流程的簡化與製造成本的降低。 因此，在本發明的傳送纜線中’藉由以訊號線做為差 動訊號線，除了上述的優點外，與單端訊號線相比，尚事 有對雜訊的耐性較優異、對訊說衰減的邊際也較大、可以 在低電壓動作以及優於電磁干擾的降低等的多數優點。

TW3324PA/ 5023-023TW U30061 另外，在本發明的傳送纜線中，雜& 的間距設定成比流過前述訊號線的傳' 將則述金屬凸塊 了上述的優點外，尚享有可以充分地的波長短’除 以及提高遮蔽效果等的優點。 1訊號線間的干涉 ，藉由使用以聚亞胺或 絕緣層，除了 w 除了上述的優 連接時所使用的黏著劑 再者’在本發明的傳送纜線中 夜晶聚合物所構成的物質做為上述 點外’尚可享有不需要使用與金屬 等的優點。 再者，在本發明的傳送纜線中，藉由利 金屬凸塊連接到遮蔽以及/或訊號線與該接地線屬耦接將 的優點.外，尚可享有以極低的阻抗達 ·，了上述 點。 ’貝的導通的優 此外，在本發明的傳送纜線中，因為與—

板有相_結構’故在絕緣層的單側或兩側=配線基 戴區域，用以搭載實現預定功能的—個或以上^踅零件搭 且I成從該零件搭載區域延伸出的配線，敦 i。 並 傳送功能外，還可㈣構成做為多舰傳了資料的 所搭载零件的魏。 ―、錢’以實現 另外，為了達成本發明上述目的一種傳送 形成多數條訊號線，並在該些訊號線間；成 接地線。接地線電性連接到遮蔽層與雜訊抑制層，其中 :::通過埋入該絕緣層而形成的金屬凸塊，；成;絕緣 層的月面側，而雜訊抑制層具有比遮蔽層高的電性阻抗 值。雜訊抑制層具有抑制多於輻射及/或雜訊的功能，並且

TW3324PA / 5023-023TW 10 1330061 、、具有在形成金屬凸塊的步驟中做為蝕刻終止之蝕刻阻障 層的功能。 在本發明的傳送纜線中，連接接地線與遮蔽層之間的 金屬凸塊是以蝕刻銅箔等而形成的金屬凸塊。因此，在本 發明的傳送纜線中，因為金屬凸塊本身是以金屬形成，電 性阻抗低。另外，在本發明的傳送纜線中，此金屬凸塊與 接地線，或者是金屬凸塊與遮蔽層是金屬彼此間的接觸。 ^ 因此，彼此間的接觸阻抗也可以抑制到低的值。 如上述，在本發明的傳送纜線中，因為層間連接的凸 塊本身的電性阻抗，以及接地線與遮蔽層和凸塊間的連接 阻抗被抑制到很低，所以接地線有效地做為遮蔽的功能， 並確實地抑制訊號線間的干涉與雜訊的侵入。特別是在本 發明的傳送纜線中利用設置雜訊抑制層，可以抑制多餘的 • 輻射與雜訊，並可以確實地抑制訊號線間的互相干涉與雜 訊的侵入。 另一方面，在本發明的傳送纜線中，考慮其製造時， 金屬凸塊是以銅箔等的蝕刻而形成。在配線圖案化等，蝕 刻是一般的技術。藉由沿用這種技術，可以很容易地形成 金屬凸塊。另外，蝕刻裝置可以直接使用配線基板的製造 中所使用的裝置，例如印壓裝置等，而不需要凸塊形成用 11 1330061 的特別裝置。另外，在本發明的傳送纜線中，因為遮蔽層，/ 是由銅箔等所構成，使用銅箔等做為遮蔽層是可以沿用很 多一般的配線基板的製造流程。因此，在本發明的傳送鏡 線中，可以沿用既存的製造流程，容易形成高可靠度的金 屬凸塊，進而達到製造流程的簡化與製造成本的降低。再 者，在本發明的傳送纜線中，並非使用大量的高價材料做 為遮蔽層，而是使用銅箔等的便宜材料來形成遮蔽層。再 者，藉由設置雜訊抑制層，可以極低的成本，在多餘輻射 與雜訊可以獲的很高的抑制效果。 在此，前述雜訊抑制層可以在前述絕緣層的背面側與 前述遮蔽層之間，接觸該絕緣層與該遮蔽層而形成。另 外，較佳是以含有Ni的層做為前述雜訊抑制層。這是因 為可以使用含有Ni的層，做為在製造本發明傳送纜線時 所使用的蝕刻阻障層。 再者，在本發明的傳送纜線中，可以訊號線做為差動 訊號線。藉此，本發明的傳送纜線與單端訊號線相比，享 有對雜訊的耐性較優異、對訊號衰減的邊際也較大、可以 在低電壓動作以及優於電磁干擾的降低等的多數優點。 另外，在本發明的傳送纜線中，前述金屬凸塊的間距 較佳為設定成比流過前述訊號線的傳送訊號的波長短。藉 12 以充分地抑制訊號線間的干涉以及 此，本發明傳送纜線可以 提高遮蔽效果。

到墟眘i在本發明的傳送I線中，應謀求以極低阻抗達 到二#通，較佳是藉由金屬耦接，來將金屬凸塊連接 述蔽層和前述雜訊抑制層，以及/或前述訊號線和前 藉由使用以聚亞胺或 做為上述絕緣層。藉此，可享有 所使用的黏著劑等的優點。 卜在本發明的傳送境線中，因為與一般的配線基 2相同的結構，故在絕緣層的單側或兩侧上形成零件搭 區域，用以搭載實現預定功能的一個或以上的零件，並 且形成2該零件搭載區域延伸出的配線’藉此除了資料的 傳运功能外，還可以架構成做為多功能傳賴線，以實現 所搭載零件的功能。 Α 此外，在本發明的傳送纜線中，在夾住前述訊號線和 月'J述接地線兩側形成前述絕緣層和前述遮蔽層以及前述 雜訊抑制層。前述接地線層也可以在其兩面通過前述金屬 凸塊分別電性連接到前述遮蔽層以及前述雜訊抑制層。藉 此’本發明的傳送纜線為將訊號線周圍完全遮蔽的完全遮 蔽型構造，所以可以做為超高頻傳送纜線來利用。 根據本發明的話，因為可以抑制接地線與遮蔽層間的 電性阻抗與連接阻抗的增加，故可以充分地抑制雜訊以及 訊號線_干涉。因此’可以提供可高速傳送、大容量傳 4 13 1330061 送的高可靠度傳送纜線。另外，根據本發明的話，沿用一 般的配線基板的製程，形成可靠度高的連接用凸塊，故可 以達到製造程序的簡化以及製造成本的降低。 為讓本發明之上述内容能更明顯易懂，下文特舉一較 佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下： 【實施方式】 接著，參照圖面詳細說明應用本發明的具體實施例。 本實施例是在各種網路系統等之中，用於資料傳送等 的傳送纜線。特別是，此傳送纜線可以謀求沿用一般配線 基板的製造流程的簡化以及製造成本的降低，並且充分地 抑制雜訊與訊號線間的干涉，而且在高速傳送與大量傳送 可以具有高可靠度。 第1圖繪示本發明實施例的傳送纜線的結構圖。此傳 送纜線中，做為基板的絕緣層1的其中一面，在此為在上 面形成訊號線2，並且形成接地線3。訊號線2是用於資 料的傳送等以及各種訊號的傳送，其構成此傳送纜線的中 心部份。 在傳送纜線中，因雜訊侵入而產生錯誤動作等將會是 一大問題，另外在如本實施例中形成多數條（2條）訊號線2 的情形，信號線2間的互相干涉也成為問題。因此，在此 傳送纜線中，將接地線3設置在這些訊號線2之間，以消 除相互干涉。 但是，即使單獨配設接地線3，其效果也很薄弱，有 1330.061 .、必要利用任何手段來進行接地。因此，在此傳送纜線中， 絕緣層1的背面形成由銅箔等等構成的遮蔽層（shield layer)4，並且貫通絕緣層1，埋入金屬凸塊5。透過此金屬 凸塊5，將接地線電性連接到遮蔽層4。遮蔽層4大致形 成在整個絕緣層1的背面，以達成任何一個地方均接地。 因此，在傳送纜線中，透過金屬凸塊5，將接地線3與遮 蔽層4電性連接，而使接地線3接地。 此外，在傳送纜線中設置雜訊抑制層6，並且通過金 ® 屬凸塊5將接地線3電性連接到遮蔽層4以及雜訊抑制層 6，這樣是較好的。雜訊抑制層6例如是以Ni等或含有 Ni的材料所構成，並且具有比遮蔽層4更高的電性阻抗 值。雜訊抑制層6形成於絕緣層1的背面與遮蔽層4之間， 並且與該絕緣層1與該遮蔽層4接觸。 一般傳送纜線若是將訊號線周圍完全地遮蔽的完全 遮蔽型構造，亦或無限長的同軸纜線等的話，理論上是不 會受到多餘輻射與雜訊的影響。但是，現實的傳送纜線的 * 長度是有限的，故因為受到在終端的訊號反射等影響，而 產生的多餘輻射與雜訊的影響是無法完全避免的。 因此，為了解決此問題，本實施例所示的傳送纜線設 置雜訊抑制層6，其具有抑制多餘輻射及/或雜訊的功能。 只要是具有比遮蔽層4還高的電性阻抗值的話，便可以做 為此雜訊抑制層6。亦即，在傳送纜線中，藉由設置電性 阻抗值高於遮蔽層4的雜訊抑制層6，即使在使用由銅箔 等低電性阻抗值材料所構成的遮蔽層4的情形下，不會有 15 l33〇〇61 任何損及該遮蔽層4所產生的電磁遮蔽功能，也可以有效· 地抑制多餘輻射與雜訊，更可確實地抑制訊號線2間的相 互干涉以及雜訊的侵入。此外，此雜訊抑制層6具有抑制 多餘輻射與雜訊的功能，並且如同後述，也具有做為蝕刻 阻障層的功能，其係做為在形成金屬凸塊5的步驟中的蝕 刻終止層。 在此，金屬凸塊5例如以蝕刻銅箔的方式形成，因為 整體是由金屬材料所構成，所以相較於例如在樹脂中分散 導電粒子的導電膠等，電性阻抗是更低的。另外，接地線 3與金屬凸塊5的連接，以及遮蔽層4與雜訊抑制層6、 金屬凸塊5的連接，任何—個都是金屬間的接觸而產生的 連接’所以彼此間的連接阻抗也很低。 因此，根據第1圖結構的傳送纜線，接地線3有效地 做為訊號線2_趋功能，可叫實地抑制訊號線：間 的相互干涉與雜訊的侵人，而且可以做為適合高速傳送與 大谷I：傳送的高頻傳送纜線。 這種傳送鐵線是以下面的一連串製程所製造的。 首先，在傳送纜線的製造上，如第2A圖所示，在旁 應遮蔽層4的銅猪u上準備包覆(clad)材料，其為堆射 刻阻障層12與形成金屬凸塊5的凸塊用銅们3。在此， 是由Ni等或含Ni材料所構成， 選擇性，在凸塊用鋼落13的钱則 終止層。此外’關阻障層12並沒有移除，而 疋殘留做為上述的雜訊抑制層6。 ’、 1330061 .、 接著，蝕刻凸塊形成用銅箔13，形成金屬凸塊15。 此凸塊形成用銅箔13的蝕刻最好是利用酸性蝕刻液的蝕 刻以及利用鹼性蝕刻液的蝕刻的組合。亦即，在傳送纜線 的製造上，如第2B圖所示，在凸塊形成用銅箔13上形成 做為罩幕的光阻膜14後，喷灑例如氯化亞銅等的酸性蝕 刻液。藉此，凸塊形成用銅箔13被蝕刻，此酸性蝕刻液 產生的蝕刻深度是以比凸塊形成用銅箔13的厚度淺，而 不露出蝕刻阻障層12的範圍内進行。 ® 接著，在傳送纜線的製造上，水洗之後，例如以氫氧 化銨等的鹼性蝕刻液，蝕刻剩下的凸塊形成用銅箔13。鹼 性蝕刻液幾乎不會侵蝕構成蝕刻阻障層12的Ni。因此，蝕 刻阻障層12可以發揮此驗性姓刻液之姓刻的終止層。此 外，此時鹼性蝕刻液的pH值最好是8. 0或以下。在傳送纜 線的製造上，因為鹼性蝕刻液的pH值為8.0或以下，不會 • 侵蝕蝕刻阻障層12，凸塊形成用銅箔13可以較快速地被蝕 刻。藉由上述方式，如第2C圖所示，形成了金屬凸塊15。 接著，在傳送纜線的製造上，在金屬凸塊15的形成之 後，如第2D圖所示，去除殘留在金屬凸塊15上的光阻膜 14。如第2E圖所示，在金屬凸塊15間埋入絕緣層，再如第 2F圖所示，重疊配線形成用銅箔17，使與金屬凸塊15的前 端面相接。 17 1330061 絕緣層16可以藉由填充例如聚亞胺與液晶聚合物之, 熱可塑性樹脂等來形成，並且為了確實地達到金屬凸塊15 與配線形成用銅箔17的接觸，最好是從金屬凸塊15的高 度稍微退後一些的方式形成。另外，在傳送纜線中，因為 藉由使用液晶聚合物做為絕緣層16,在與金屬連接時不需 要使用黏著劑且吸濕性低，故可以實現優異的尺寸穩定 性。另外，因為液晶聚合物的介電常數低，所以可以降低 傳送耗損。 另外，對於傳送纜線的製造，使與配線形成用銅箔17 重疊一體化在此時例如是夾持在不鏽鋼板之間，以擠壓機 施加預定的壓力來進行加壓，使彼此押壓住。藉此，金屬 凸塊15的前端面成為稍微崩潰的形狀，與配線形成用銅 箔17確實地接觸，達到導通。此外，在達成金屬凸塊15 與配線形成用銅箔17之間的電性導通，也可以在金屬凸 塊15與配線形成用銅箔17之間置入非等向導電性黏著 劑。另外，在傳送纜線的製造上，使與配線形成用銅箔17 重疊一體化時，可以藉由熱壓著，以金屬耦接來連接金屬 凸塊15以及由訊號線和接地線所構成配線形成用銅箔 17，可以達到確實的導通。同樣地，在製造傳送纜線上， 也可以藉由熱壓著，將金屬凸塊15以及遮蔽層4與雜訊 抑制層6之各自的銅箔11和蝕刻阻障層12，以金屬耦接 來連接，而可以達到確實的導通。 接著，在傳送纜線的製造上，蝕刻配線形成用銅箔 17，形成配線圖案，具體的來說是訊號線與接地線。 1330061 在形成配線圖案時，首先如第2G圖所示，對應訊號 線與接地線的圖案，形成光阻層18。此光阻層18可以一 般的微影餘刻技術形成，例如在全面地形成光阻材料後， 進行曝光、顯影，留下預定圖案的光阻層18。 接著，在傳送纜線的製造上，以此光阻層18做為蝕 刻罩幕進行蝕刻，如第2H圖所示，對訊號線19與接地線 20進行圖案化。在此的蝕刻步驟與一般配線基板之製造流 程中形成配線圖案的蝕刻流程相同。最後，在傳送纜線的 製造上，如第21圖所示，去除在訊號線19與接地線20 上殘留的光阻層18。藉此，完成先前第1圖所示的傳送纜 線。 在此種製造方法中，金屬凸塊15是利用凸塊形成用 銅箔13的蝕刻所形成的。蝕刻是配線圖案化等時所廣泛 使用的技術，例如，沿用既有的蝕刻槽的製造裝置以及微 影技術，不需要使用特殊的裝置與技術，便可以容易地形 成金屬凸塊15。另外，因為金屬凸塊15是堆積在做為包 覆材料的銅箔11上，故做為遮蔽層的銅箔11以及做為雜 訊抑制層6的蝕刻阻障層12間的電性連接是非常良好 外，又因為是對配線形成用銅箔17進行押壓，所以可以 給予接地線20良好的連接狀態。 19 1330061 此外，在形成多數個金屬凸塊15的情形時，該金屬 凸塊15間的間隔（pitch)希望可以比流過數式（1)所表示之 訊號線的傳送訊號的波長λ短。此外，在下面數式（1)中，c 是光速(3xl08m)，為後述的絕緣層16的介電常數，f為 傳送頻率。例如在傳送由50GHz之傳送頻率構成的訊號 時，金屬凸塊15的間距較佳可以是0.5mm或以下。如此， 在傳送纜線中，藉由金屬凸塊15的間距比傳送訊號的波 長λ短，可以充分地抑制訊號線間的干涉5並提南遮敝效 果。 如以上的說明，在本發明實施例所示的傳送纜線中， 藉由設置含Ni材料所構成的雜訊抑制層6,就算是在使用 銅箔等所構成的遮蔽層4的情形，也可以不損及該遮蔽層 4所產生的電磁遮蔽功能，抑制多於輻射與雜訊，並且確 實地抑制訊號線2間的相互干涉與雜訊的侵入。特別是， 在傳送纜線中，因為遮蔽層4是由銅箔等所構成，所以使 用銅箔等做為遮蔽層可以沿用很多一般配線基板的製造 流程。因此，傳送纜線沿用既存的製造流程，容易地形成 高可靠度的金屬凸塊5，可以達到簡化製造流程以及降低 製造成本的目的。另外，在傳送纜線中，因為可以抑制接 地線3與遮蔽層4間的電性阻抗與連接阻抗的增加，故可 以充分地抑制雜訊與訊號線間的干涉，而可以實現高可靠 20 度、高速傳送與大容量傳送。再者，在傳送纜線中，並沒 有大量使用Ni等的高價材料，而是使用銅箔等便宜的材 料來形成遮蔽層4,再者藉由設置雜訊抑制層6,可以極 低的成本，得到很高的轄射與雜訊的抑制效果。 此外，本發明並不侷限於上述實施例。例如，在上述 實施例中，說明了在做為基板的絕緣層1的其中一面上形 成訊號線2與接地線3，但是本發明也可以在絕緣層1的 兩面上設置遮蔽層，而完全地遮蔽各訊號線的周圍。 具體而言，此傳送纜線例如是由第3圖所示的結構。 亦即，在傳送纜線中，從訊號線2與接地線3以下的構造 與先前第1圖所示的例子相同，在絕緣層1的上面形成訊 號線2與接地線3，同時在絕緣層1的背面（下面）設置遮 蔽層4與雜訊抑制層6，這裡的遮蔽層4以及雜訊抑制層 6、接地線3為利用金屬凸塊進行電性連接的結構。 在第3圖所示的例子中，與此相同的構造也形成在訊 號線2以及接地線3之上。亦即，在傳送纜線中，形成第 二絕緣層7以覆蓋訊號線2以及接地線3，其上更形成第 二遮蔽層8以及第二雜訊抑制層9。第二遮蔽層8與第二 雜訊抑制層9是利用與之前金屬凸塊5同樣的金屬凸塊10 來進行電性連接。 在製造第3圖所示的傳送纜線上，除了先前第2A〜21 圖所示的製程外，也可以追加將形成金屬凸塊的包覆材料 重疊在訊號線2與接地線3所形成的面上的步驟。亦即， 在傳送纜線的製造上，將形成如第2E圖所示之絕緣層的 1330061 包覆材料上下反轉配置以使金屬凸塊15在下面，並使其 前端突出壓住接地線3。藉此，訊號線2以及接地線3被 上下的遮蔽層4、8以及雜訊抑制層6、9所夾住，形成各 遮蔽層4、8以及雜訊抑制層6、9、接地層3是以金屬凸 塊5、10所連接之構造的傳送纜線。此傳送纜線因為具有 三層構造並且是訊號線2周圍完全被遮蔽的完全遮蔽型構 造，所以可以被利用做為超高頻傳送纜線。此外，利用相 同的手法，也可以做成更多層的構造，藉此能夠實現可超 高速且大容量傳送的傳送纜線。 另外，在上述的實施例中，雖然以在接地線3之間設 置一條訊號線2的情形做說明，但是本發明也可以適用於 經由兩條訊號線傳送差動訊號的情形。亦即，做為傳送纜 線，以第1圖所示的結構做為差動訊號線時，例如第4圖 所示一般，可以在接地線3設置兩條訊號線2a、2b，另外。 在以第3圖所示的結構做為差動訊號線的情形時，例如第 5圖所示一般，可以在接地線3間設置兩條訊號線2a、2b。 如此，在傳送纜線中，相較於單端訊號線，藉由使用差動 訊號線，可以享有對雜訊的耐性較優、對於訊號衰減的邊 界也較大、可以在低電壓動作、以及對於EMI (electromagnetic interference)的降低也較優異等等的優 點。 再者，在上述的實施例中，雖然幾乎以資料傳送做為 目的來說明傳送纜線，但是該傳送纜線因為具有與普通的 配線基板相同的結構，所以與一般的配線基板相同，實現 22 1330.061 ,.預定功能的一個或以上的晶片狀零件或者配線也可以被 搭載於其上。亦即，雖然圖未繪示，傳送纜線在絕緣層1、 7的單側或兩側可以形成實現預定功能的一個或以上的零 件的零件搭載區域，並且可以形成由此零件搭載區域所延 伸出的配線。特別是，這種傳送纜線的形狀是平型的，所 以冀望搭載於要求小型化的行動電話機等的電子機器内 部中，例如可以搭載液晶顯示螢幕的電源模組等的零件。 如此，傳送纜線因為與一般的配線基板有相同的結構，所 • 以也可以做為多功能傳送纜線的結構，其除了資料傳送功 能外，還能做為實現所搭載零件的功能。而且，也可以對 該傳送纜線所搭載的電子機器的小型化給予大的貢獻。 另外，與所謂的貫穿孔基板相比，此種傳送纜線可以 更縮小配線寬度。亦即，在貫穿孔基板中，在基板上穿出 貫穿孔後，再鍍上上銅箔等，但是不只是貫穿孔内側，配 線用的銅箔上也要進行電鍍，所以會產生整體的厚度會變 大、在厚度上也容易產生不平均、需要把配線寬度變粗及 ^ 無法形成細的圖案等的問題。相對於此，在傳送纜線中， 因為形成由厚度預先決定之銅箔等所構成的遮蔽層4,貫 通絕緣層1而埋入金屬凸塊5，所以不會發生不需要的厚 度變大以及在厚度產生不平均等的問題，配線寬度容易控 制，可以容易地形成細的圖案。因此，對於傳送纜線，僅 以資料傳送為目的用途自然是不必多說的，在上述之搭載 實現預定功能的一個或以上的零件，以做為多功能傳送纜 線而使用的情形，也是極為有效的。 23 1330061 如上所述，本發明在不脫離其旨趣的範圍内，可以做，. 適當的變更。 綜上所述，雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上， 然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通 常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍内，當可作各種 之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請 專利範圍所界定者為準。

24 ，.【圖式簡單說明】 實施例所示的傳送纜線例的主要 第1圖繪示本發明 部分的剖面圖。 流程二實施例所示的傳送纜線製造 第2B圖綠示光阻膜形驟第2:=繪:f覆材料; 步驟；第2D圖洽干圖緣不金屬凸塊形成 形成步驟；第2;…广：步驟；第2E圖繪示絕緣層 %圖繪示配二^ 配線案成光阻的形成步驟；第2H圖繪示 配線圖案化步驟；第21圖繪示去除光阻層。 第3圖繪示本發明實施例完全遮蔽型傳送纜線的主 要部分剖面示意圖。 第4圖繪示本發明實施例之傳送纜線例的主要部分 剖面圖，為將差動訊號線應用在第1圖的傳送纜線構造中。 第5圖繪示本發明實施例完全遮蔽型傳送纜線的主 要部分剖面示意圖，為將差動訊號線應用在第3圖的傳送 纜線構造中。 【主要元件符號說明】 1、7 ··絕緣層 2 ' 2a、2b :訊號線 3 :接地線 4、 8 :遮蔽層 5、 10 :金屬凸塊 25 1330061 6、9 :雜訊抑制層 11 ： 銅羯 12 ： 蝕刻阻障層 13 ： 凸塊形成用銅箔 14 ： 光阻膜 15 ： 金屬凸塊 16 ： 絕緣層 17 ： 配線形成用銅箔 18 ： 光阻層 19 ： 訊號線 20 ： 接地線

Claims (1)

1330.061 ，.十、申請專利範圍： 1. 一種傳送纜線，其特徵在於：在一絕緣層的單側形 成多數條訊號線，並在該些訊號線間形成一接地線， 其中該接地線電性連接到一遮蔽層，該遮蔽層是通過 埋入該絕緣層中而形成的金屬凸塊，形成在該絕緣層的背 面；以及 該訊號線為一差動訊號線。 2. 如申請專利範圍第1項所述之傳送纜線，其中該 • 絕緣層為聚亞胺與液晶聚合物所構成。 3. —種傳送纜線，其特徵在於：在一絕緣層的單側形 成多數條訊號線，並在該些訊號線間形成一接地線， 其中該接地線電性連接到一遮蔽層，該遮蔽層是通過 埋入該絕緣層中而形成的金屬凸塊，形成在該絕緣層的背 面；以及 該金屬凸塊的間距比流過該訊號線的傳送訊號的波 長短。 * 4.如申請專利範圍第3項所述之傳送纜線，其中該金 屬凸塊的間距為0.5mm或以下。 5.—種傳送纜線，其特徵在於：在一絕緣層的單側形 成多數條訊號線，並在該些訊號線間形成一接地線， 其中該接地線電性連接到一遮蔽層，該遮蔽層是通過 埋入該絕緣層中而形成的金屬凸塊，形成在該絕緣層的背 面；以及 該金屬凸塊是利用金屬耦接，連接到該遮蔽層，以及 27 1330061 該訊號線與該接地線。 6. 如申請專利範圍第5項所述之傳送纜線，其中更在 該絕緣層的單側或兩側上形成一零件搭載區域，用以搭載 實現一預定功能的一個或以上的零件，並且形成從該零件 搭載區域延伸出的配線。 7. 如申請專利範圍第1項至第6項任何一項所述之傳 送纜線，其中在夾住該訊號線與該接地線的兩側上形成該 絕緣層與該遮蔽層，以及 該接地線在其兩面通過該金屬凸塊，分別電性連接到 該遮蔽層。 8. —種傳送纜線，其特徵在於：在一絕緣層的單側形 成多數條訊號線，並在該些訊號線間形成一接地線， 該接地線電性連接到一遮蔽層與一雜訊抑制層，其中 該遮蔽層是通過埋入該絕緣層而形成的一金屬凸塊，形成 於該絕緣層的背面側，而該雜訊抑制層具有比該遮蔽層高 的電性阻抗值， 該雜訊抑制層具有抑制多於輕射及/或雜訊的功能， 並且具有在形成該金屬凸塊的步驟中做為蝕刻終止之蝕 刻阻障層的功能。 9. 如申請專利範圍第8項所述之傳送纜線，其中該 雜訊抑制層是在該絕緣層的背面側與該遮蔽層之間，接觸 該絕緣層與該遮蔽層而形成。 10. 如申請專利範圍第8項所述之傳送纜線，其中該 雜訊抑制層為含有鎳（Ni)的層。 28 1330.061 11. 如申請專利範圍第8項所述之傳送纜線，其中該 訊號線為一差動訊號線。 12. 如申請專利範圍第8項所述之傳送纜線，其中該 該金屬凸塊的間距比流過該訊號線的傳送訊號的波長短。 13. 如申請專利範圍第12項所述之傳送纜線，其中該 金屬凸塊的間距為〇.5mm或以下。 14. 如申請專利範圍第8項所述之傳送纜線，其中該 ' 絕緣層為聚亞胺或液晶聚合物所構成。 • 15.如申請專利範圍第8項所述之傳送纜線，其中該 該金屬凸塊是利用金屬耦接，連接到該遮蔽層與該雜訊抑 制層，以及/或該訊號線與該接地線。 16. 如申請專利範圍第8項至第15項的任何一項所述 [之傳送纜線，其中更在該絕緣層的單側或兩侧上形成一零 •件搭載區域，用以搭載實現一預定功能的一個或以上的零 件，並且形成從該零件搭載區域延伸出的配線。 17. 如申請專利範圍第16項所述之傳送纜線，其中在 • 夾住該訊號線與該接地線的兩側上形成該絕緣層，以及該 遮蔽層與該雜訊抑制層，以及 該接地線在其兩面通過該金屬凸塊，分別電性連接到 該遮蔽層與該雜訊抑制層。 29 1330061 _一 M年5月4日修(更)正替換頁f s t *电 -----Hi 、、七、指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：第（1 )圖 (二） 本代表圖之元件符號簡單說明： 1 :絕緣層 2 :訊號線 3 :接地線 4 :遮蔽層 5 :金屬凸塊 • 6:雜訊抑制層 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵 的化學式：