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TWI329775B - Pixel structure and manufacturinf method thereof - Google Patents

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TWI329775B
TWI329775B TW096127759A TW96127759A TWI329775B TW I329775 B TWI329775 B TW I329775B TW 096127759 A TW096127759 A TW 096127759A TW 96127759 A TW96127759 A TW 96127759A TW I329775 B TWI329775 B TW I329775B
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Hsiang Lin Lin
Sung Kao Liu
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Au Optronics Corp
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Priority to US11/863,283 priority patent/US7687289B2/en
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Priority to US12/704,537 priority patent/US7951629B2/en
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Description

1329775 AU070l〇6q 23647-ltwf.doc/n 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種晝素結構及其製造方法，且特別 疋有關於一種具有高開口率(aperture ratio)的畫素結構及 其製造方法。 【先前技術】
在3C時代的生活當中’市面上有許多琳螂滿目的資 訊設備，例如行動電話、數位相機、數位攝影機、筆記型 電腦以及桌上型電腦等數位化工具，無不朝向更便利、多 功能且美觀的方向發展。在大部分的資訊設備中，都是以 平面顯示器作為主要的溝通介面，透過平面顯示器的顯示 功能，使得使用者在產品的操作上更為便利。其中，液晶 顯示器因具有省電、高晝質、空間利用效率佳、低消耗= 率、無輻射等優越特性，已成為市場之主流。
一般而言，液晶顯示器之晝素結構包括掃描線、資料 線、主動元件與畫素電極。在畫素結構令，資料線與晝素 電極之間的雜散電容(Capacitance between pixei and data lme ’ Cpd)是影響開口率的因素之一。詳言之，當資料線與 畫素電極的距離縮短時，資料線與畫素電極之間的雜散電 容(Cpd)會隨之增加，為了避免資料線與晝素電極之間^雜 政電谷(Cpd)所導致之串音效應(cross talk)，設計者通常合 讓資料線與晝素電極保持一定的距離，以降低垂直的串^ 效2~如^丨〇:仍^化）’然而，資料線與晝素電極的距^ 越遠，造成晝素開口率的下降亦越多。 1329775 AU0701068-1 23647-ltwf.doc/n 兩降低上返旦京結構之串音效應，同時使晝素結構的 開口率維持在一定程度，已有許多晝素結構相繼被提出。 舉例而言’可以在晝素電極與資料線之間配置較厚的絕緣 層以降低雜散電容的效應。然而，常見的絕緣層材料為有 機^料:例如是丙缚酸樹脂，除了具有容易吸收水氣造成 附者力變差的缺點’在製程中還有因為材料本身無法完全 ，色（bleaeh)而使得晝素結構整體的穿透度下降的缺點。 【發明内容】 本發明提供-種晝素結構的製造方法，以降低晝素電 極與資料線過於接近時，所產生之串音效應。一 ，明另提供-種晝素結構，其具有較高的開口率。 上彤忐^月種晝素結構的製造方法。首先，於基板 第—圖案化導體層，其包括閘極以及資料線。接著， 於絕緣層’以覆蓋第一圖案化導體層’並 Η紗^ 絕緣層上形成半導體通道層。狹後，於 二包導體通道層上形成第二圖案化導體層： 極電4二通==極與，掃描線與閘 臭柏且源極電性連接資騎。隨之，於 ^ ^成保濩層，以覆蓋第二圖荦化導體@ ； 保護層上形成晝素電極，且書辛==，然後，於 線部分重電軸共通電極 在本發明之-實施财，上述之形成半導體通道層的 1329775 AU0701068-1 23647-ltwf. doc/n 方法包括以下步驟。首先，於閘極絕緣層上形成半導體材 料層，並進行沉積或摻雜製程，以於半導體材料層之上表 面形成歐姆接觸層。然後，圖案化半導體材料層，以 半導體通道層。 在本發明之一實施例中，上述之形成閘極絕緣層的方 法例如是先於基板上形成第—介電層，並接著於第一介带 層中形成第-接觸窗以及第二接觸窗，以分別暴露出開= 以及貧料線之部分區域。 在本發明之-實施财，上述之掃描線藉由第一 由與閘極電性連接。 心狀—實_巾，上述之祕藉由第二接觸窗 與育料線電性連接。 饮’固 在本發明之-實施例中，上 :先:著基= 第二介電層，並覆 之部分區域。|層$域第二接觸窗，以暴露出没極 在本發明之一實施例中， 觸窗與及極電性連接。 34之晝素電減由第三接 在本發明之一實施你丨Φ， 更包括於形成第-圖宰化導體^之晝素結構的製造方法 案=層==rr層後以及形成第二圖 中，以暴露出部分連接声^以借^四接觸窗於閘極絕緣層 後，沒極藉由第四_ “連===導體層形成之 1329775 AU0701068-1 23647-ltwf.doc/n 在本發明之一實施例中 ° J ' 心、量京結構的製造方法 更包括於形成保護層後以及形成晝素電極之前’形成—第 五接觸窗於髓層以及_絕緣層中，以暴露出部分連接 層’並且使晝素電極形成之後，晝素電極藉由第五接觸窗 電性連接連接層。 依據上述實施例之畫素結構的製造方法，本發明另提 ^ 一種晝素結構，錢於配置於基板上。此畫素結構包括 =案化導體層、閘極絕緣層、半導體通道層、第二圖 賴層以及晝素電極。第—_化導體層包 ⑽閘極上方之閑極絕緣層上，2 配置於問極絕緣層以及半導體通道層上。 枉Hi層包括掃描線、共通電極線以及源極盘汲 ί方ΙΐΓ'ί與閘極電性連接，共通電極線位於資料線 4料於半導體通道層上，且源極電性連 電極配置於賴層上，且案化導體層，而晝素 在本發明之-者施^與沒極電性連接。 面更包括-_接=彳种，上叙半導體通道層之上表 -接實=:，上述之閘極絕緣層具有-第 *。同時，婦描=:接=_^^^^^ 極藉由第二接觸窗與資料線接錄連接，而源 在本發明之一實施例中，上述之保護層具有位於沒極 1329775 AU0701068-1 23647-ltwf.doc/n 第三接觸窗’且畫素電極藉由第三接觸窗與沒極電 在本發明之一實施例中，上述之 包括—連接層，位於祕以及晝素電極下方:^肢層更 絕緣層例如具有第四接㈣，以使汲極藉由第四接觸^ ^連接層。另外，保護層以及閘極絕緣層例如且：： 五接觸窗，以使晝素電極藉由第五_窗電_接連有弟 本發明再提出-種晝素結構，適於配置於—-。 ^素結構包括第-圖案化_層、閘極絕、缘層二體 通道層、第二_化導體層、賴層以及 午， 2案化導體層配置於基板上，且第體 括閘極以及連接層。閘極絕緣層覆蓋第—_化^ ^ 半導體通道層配置於上方之閘極絕緣U二= 化導體層配置關減緣層錢轉體通道層上，ϋ =化導體層至少包括源極歧極。第_圖“導體 ^體通道層與第二圖案化導體層共同構成薄膜電晶 ^溥膜電晶體電性連接之資料線以及掃描線。 第二圖案化導體層。晝素電極則配置於保護層上曰^ 電極藉由連接層與汲極電性連接。 旦素 在本發明之-實施例中，上述之資料線包括—第 =及—第—線段’ '第—線段由部分第—圖案化導體層 2ΐ性:Γ線段由第二圖案化導體層所構成並與第-線 本發明更提出-種液晶顯示面板，其包括第—基板、 1329775 AU0701068,1 23647-1 twf.doc/n 第二基板以及液晶層。第—基板包括如上述實施例中任一 項所述之晝素結構，而第二基板，與第—餘對向設置。 同枯，液晶層設置於第一基板以及第二基板之間。 本發明之晝素結構及其製造方法中，將共通電極線配 置於畫素電極以及資料線之間，有助於降低雜散電容的效 應並提高畫素結構的開口率。此外，本發明於形成第一圖 案化導體層的同時’形成—連接層以使晝素電極與沒極藉
由連接層電性連接。如此—來，晝素電極該極間不會^ 的情形發生，而且本發明之晝素結構應用於液晶顯示 器4 /、通電極線位於連接層上方也有助於辅助液晶分子 的傾倒方向。 ▲為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如 下。 【實施方式】
^圖1A到圖1F繪示本發明之一實施例之晝素結構的製 造方法之上視示意圖’而圖2A到圖2F各別為圖1A到圖 1F中沿剖線AA，、剖線BB，以及剖線CC，所繪示之剖面 圖。本實施例之晝素結構的製造方法包括以下所述各步 驟。首先，請先參照圖1A與圖2A，於基板1〇〇上形成第 —圖案化導體層11〇，其中第一圖案化導體層110包括閘 極112以及資料線114。形成第一圖案化導體層U〇的方 式包括先於基板100上形成第一導體層（未繪示），並將第 —導體層（未繪示）圖案化。 11 "S > 1329775 AU070I068-1 23647-ltwf.doc/n 在本實施例中，基板100例如是玻璃基板或塑膠基板 荨透先基板，而弟一導體層的材質可以是本發明所屬技術 領域之中應用於閘極U2製作以及資料線114製作的任一 ，或是多種材質。舉例而言，第一圖案化導體層110的材 質例如是鋁(A1)、銅(CU)、鉬(Mo)、銀(Ag)、金(Au)，或是 這些金屬所構成之合金、多層金屬層或複合金屬層。 接著請參照圖1B以及圖2B，於基板1〇〇上形成第一 w电層120a以覆蓋第一圖案化導體層11()，並於閘極112 j方之第一介電層12〇a上形成半導體通道層13〇。在本實 轭例申’形成第一介電層12〇a的方式例如是化學氣相沉積 ，。舉例來說，第一介電層12〇a的材質例如是二氧化矽、 氮化矽或是氮氧化矽等介電材料。 ,另外，形成半導體通道層13〇的方法包括以下步驟。 =先，於閘極絕緣層12〇上形成非晶矽等半導體材料層（未 =不亚進行摻雜製程，以於半導體材料層（未繪示)之上 成摻雜半導體材料層（未繪示），如N型掺雜半導體 材料層（N+doped semiconductor layer)。缺後，圖荦化丰導 =材料層(未繪示），⑽成位於· 112上方之料體= s 30及其上表面之圖案化摻雜半導體材料層U2a。 接著請參照圖le與圖2c，於第一介電層12〇a中形 爲，接觸1^丨22以及第二接觸窗124，以形成閘極絕緣 日20。由圖lc與圖％可知，第一接觸窗⑵會暴露出 =的部分區域’❿第二接觸冑124會暴露出資料線 之邻为區域。在本實施例中，第一介電層12〇a中的第 12 1329775 AU0701068-1 23647-ltwf.doc/n m以及第二接觸t 124例如妓由微佩刻製 粒戶/Γ形成。 然後’請參照ffl 1D與圖2D，於閘極絕緣層12〇 導體通道和〇以及_⑽料導體材料層⑽上形成 弟二圖案料縣刚。具體而言，職第二圖案化導體 層140的方式例如是於閘極絕緣層12〇以及半導體通道層 13〇上形成第二導體層(未繪示），並將第二導體層⑷會示）
圖案化以形成弟—圖案化導體層14Q。值得注意的是， 在第=導體層（树示)進行®案化的同時，部分的圖案化 摻雜半導體材料層132a會一併地被移除。詳言之，在第二 導體層（未緣示)被圖案化之後，會形成掃描線142、共通電 極線144、源極146與汲極148 ’而未被源極146以及汲極 H8所覆蓋住的圖案化摻雜半導體材料層132&會被移除以 形成歐姆接觸| m’直到部分的半導體通道層13〇被 露出來為止。 ”
由，1D與2D可知，掃描線142與閘極112藉由第 接觸_ 122電性連接’而共通電極線144位於資料線 上方。此外，源極146藉由第二接觸窗124電性連接資 線 114。 然後，清參照圖1E與圖2E，於閘極絕緣層120上形 成保濩層150，以覆蓋第二圖案化導體層14〇。形成保護層 150之^方法包括先於基板1〇〇上形成覆蓋於閘極絕緣層 ΐί及ί二圖案化導體層14G上之第二介電層(未緣示），接 著於第二介電層（未繪示）中形成第三接觸窗152,以暴露出 13 1329775 AU070I068-1 23647-ltwf.doc/n 汲極j48之部分區域。在本實施例中，保護層l5〇的材質 包括氧化石夕、氮化石夕或是氮氧化石夕。 . 隨之，請參照圖1F與圖2F，於保護層15〇上形成畫 素電極160，以使晝素電極160是藉由第三接觸窗152與 祕雜連接。晝素電極16()的職方式可以是於保 濩層150上形成銦錫氧化物、銦鋅氧化物或是其他材質的 透明導電層(未％示），並將透明導電層（未繪示)圖案化以形 # 成旦素電極15G。此外，共通電極線144例如是與晝素電 極160部分重疊而構成一儲存電容cst。 一’、 由圖1F與圖2F可知，畫素結構17〇是配置於基板1〇〇 上，其包括第-_化導體層UG、·絕緣層12()、半導 體通道層m、第二圖案化導體層14〇、保護層15〇以及晝 素電極160。具體來說，閘極絕緣層12〇覆蓋第一圖案化 導體層110。半導體通道㉟130配置於閘極絕緣層12〇上， 而第二圖案化導體層M0配置於閘極絕緣層12〇以及半導 it層130上。此外，保護層150覆蓋第二圖案化導體 層140，而晝素電極160配置於保護層15〇上。 詳言之’第一圖案化導體層11〇包括閘極m以及資 枓線114,而第二圖案化導體層14〇包括掃描線142、丘通 .=極線144以及源極146與没極148。同時，半導體通道 .€ 130位於閘極112上方’共通電極線144位於資料線m 上方，而源極146與汲極148位於半導體通道層⑽上。 另外，閘極絕緣層12〇例如具有位於閘極112上 接觸窗122以及位於資料、緣114上方之第二接觸窗124且 1329775 AU0701068-1 23647-ltvvf.doc/n 掃描線142藉由第一接觸窗122與閘極112電性連接，而 源極146藉由第二接觸窗124電性連接資料線114。此外， . 保護層I50例如具有第三接觸窗152，以使汲極148鱼畫 刷電性連接。整體而言，第一圖案化導體層⑽、 層130與第二圖案化導體層140共同構成薄膜 之資料線114 • 一般來說’資料線114與晝素電極160的距離越近， 其間的雜散電雜應獻，⑽晝素紐易 =貧料線U4所傳輸的不同電壓影響，進而發生明顯的 114曰避免串音效應的影響，通常會縮減資料線 二與畫素電極16。之間的重疊面積，但此舉卻使得開口 率文到限制。在本實施例的晝素結構17〇中，由^配置於 極160之間的共通電極線144能夠遮 極160間所產生的雜散電容效應， •書:置不會因而受限，而可有效地提高 旦京、、、口構170的開口率。更逸—牛难々、 ，一所構成之續=;第=; .=叫發生斷線的情形，而有助於提 在本實施例令，共通電極線144與書^> μ :分重疊而構成一储存電容Cst。同時::二=，間 共通電極線M4例如是配置 ’ 並圍繞晝素電極_的邊緣(如圖-所電 f s > 15 1329775 AU0701068-1 23647-1 twf.doc/n 極線144的配置不會使晝素結構170的開口率大幅度地下 滑。當圍繞晝素電極邊緣的共通電極線144具有一斗 通電壓時’有助於形成由晝素結構170邊緣向晝素結構17〇 中心變化的變形電場。因此，晝素結構170應用於液晶顯 示面板中可使液晶分子具有較快的反應速率，且液晶分子 可朝向正球的方向傾倒。當然，本發明之晝素結構並 不限定將共通電極線144圍繞晝素電極16〇周圍。換言之， 共通電極線114也可以呈現線性或其他方式分布。 當然，第一圖案化導體層110、半導體通道層13〇與 第二圖案化導體層140可以藉由其他不同的連接方式連 接，以構成薄膜電晶體180以及與薄膜電晶體“Ο電性連 接之資料線114以及掃描線M2。圖3A繪示為本發明之另 一實施例之晝素結構的上視示意圖，而圖3B為沿圖3八之 剖線D-D’所繪不之剖面圖。請先參照圖3A，晝素結構3〇〇 與畫素結構170的組成元件大致相同，其差異之處如下所 述。晝素結構300中，第一圖案化導體層11〇更包括一連 接層116，位於汲極148以及晝素電極160下方。同時， 請參照圖3A與圖3B ’晝素結構3〇〇巾，閘極絕緣層12〇 :例如具有第四接觸窗126，以使沒極148透過第四接觸 窗126與連接層116電性連接。另外，保護層150以及閘 極絕緣層120巾例如具有第五接觸冑154，以使畫素電極 160透過第^接觸窗154電性連接連接層ιΐ6。此時，、没極 148例如疋藉由連接層116與畫素電極160電性連接的。 詳、·'而β本λ施例中使汲極148與晝素電極160電 16 AU0701068-1 23647-ltwf.doc/n 括以下步驟。首先，於形成第-圖案化導 二，，例如可形成位於閘極112之-側之連接 ;基板刚t外連實施例中會直接形成 ^ Ά層120中以在第二圖案化導體層140形成之 =，使及極148透過第四接觸f 126與連接層U6電性連
=。另外’於形成保護層150後以及形成晝素電極16〇之 Ϊ 成第五接觸窗154於保護層150以及閘極絕緣 ^ 120 + ’並且使晝素電極⑽形成之後，晝 透過第五_窗154·連接連接層116。
、』田形成第四接觸窗126與第五接觸窗154時，可能因 為製程上對準的誤差而使接觸窗⑽或⑽的範圍超出連 接層116的範圍外而暴露出連接層116周圍之部分基板 =〇。在形成没極148或是晝素電極16〇後，汲極148或是 晝素電極160的部份區域會直接形成於基板1〇〇上。此時， 汲極148與晝素電極16〇之一部分會由連接層116之上表 ，延伸至連接層116之一側而仍為一連續沉積的膜層。換 言之’即使形成接觸窗（126或154)的製程有些微誤差，晝 素電極160與連接層116以及連接層116與汲極146間的 連接情形仍相當良好。亦即，本實施例之晝素結構300具 有高的製程良率。 另外’本實施例之連接層116位於環狀的共通電極線 144下方’因此晝素電極160周圍區域例如會受到共通電 17 1329775 AU0701068-1 23647-ltwf.doc/n 極線144之共通電壓的影響。此時，晝素結構3〇〇應用於 液晶顯示面板時’共通電極線144所具有的共通電壓有助 於辅助液晶分子的朝特定方向排列。進一步而言，當具有 晝素結構300的液晶顯示面板受到單點施壓(例如以手指 按壓液晶顯示面板)時，由於共通電極線144的配置而使液 日曰分子可以快速地恢復其正讀的排列方向。也就是說，查 素結構300的设s十有助於提南液晶顯示面板的品質。 除此之外，本發明之晝素結構尚可有其他種類的設 計。舉例而言’圖4為本發明之又一實施例之畫素結構的 上視示意圖。請參照圖4，晝素結構4〇〇與晝素結構3〇〇 大致相似，其差異在於：畫素結構4〇〇的資料線可分 為兩個線段，其中第一線段414A可以是由第一圖案化導 體層構成而第二線段414B由第二圖案化導體層構成。換 5之，畫素結構400的資料線並非僅由一層導體層製作而 成。 第一線段414A與第二線段414B例如是藉由第六接觸 窗416彼此電性連接’且汲極446例如是與第二線段4mb 直接連接。也就是說，没極446與第二線段414B例如皆 由第二圖案化金屬層製作。此外’畫素結構働中掃描線 418與閘極112例如皆是由第—圖案化導體層所構成。同 時，第二線段414B跨於掃描線142上方 -線段碰。其中，汲請也是藉由一連二= 素電極160電性連接的。畫素結構4〇〇的共通電極線144 也可以避免資料線414傳輸訊號時所產生的串音現象，而 18 1329775 AU0701068-1 23647-ltwf.doc/n 有助於使液晶顯示面板具有良好的品質。 圖5為本發明之一實施例之一種液晶顯示面板。請參 照圖5 ’液晶顯示面板500包括第一基板51〇、第二基板 520以及液晶層530。第一基板510包括多個畫素結構 540 ’而第二基板52〇與第一基板51〇對向設置。第二基板 520舉例可為彩色濾光片。同時，液晶層530設置於第一 基板510以及第二基板520之間。晝素結構54〇為以上所 述實施例中任一種晝素結構，其共通電極線的設計可以降 低晝素電極與資料線之間的雜散電容，而可避免串音效應 的發生。晝素結構540中可以採用同一導體層形成資料^ 線，以使資料線的接觸阻抗降低，因此資料傳輸的品質相 當良好，亦即具有此晝素結構54〇之液晶顯示面板5〇〇具 有良好的品質。同時，晝素結構54〇中可由一連接層使汲 極與晝素電極之間電性連接，以避免汲極與晝素電極之間 發生斷線的情形’而有助於提高液晶顯示面板鄕的製程 ^率。進―步而言’本發明之晝素結構中，共通電極線配 置=晝素電極周圍，其共通電壓有助於辅助液晶層53〇的 j曰a分子排列。特別是，共通電極線之共通電壓可使位於 薄膜電晶體旁的液晶分子傾向正確的制方向，而使液晶 顯不面板500維持良好的顯示品質。 士议雖然本發明已以實關揭露如上，財並翻以限定 2明’任何所屬技觸域巾具有通常知識者，在不脫離 2明之精神和範_，當可作些許之更動與潤飾因此 發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為 19 1329775 AU0701068-1 23647-ltwf.doc/n 準。 【圖式簡單說明】 - 圖1Α到圖IF繪示本發明之一實施例之晝素結構的製 造方法之上視示意圖。 • 圖2A到圖2F各別為圖1A到圖1F中沿剖線AA’、剖 線BB’、剖線CC’所繪示之剖面圖。 圖3A為本發明之另一實施例之晝素結構的上視示意 圖。 ® 圖3B為沿圖3A之剖線D-D’所繪示之剖面圖。 圖4為本發明之又一實施例之晝素結構的上視示意 圖。 圖5為本發明之一實施例之一種液晶顯示面板。 【主要元件符號說明】 100 :基板 110 :第一圖案化導體層 112 :閘極 • 114、414 :資料線 116 :連接層 120 :閘極絕緣層 . 120a :第一介電層 122 :第一接觸窗 • 124:第二接觸窗 126 :第四接觸窗 130 :半導體通道層 20 1329775 AU0701068-1 23647-ltwf.doc/n 132 :歐姆接觸層 132a:圖案化摻雜半導體材料層 - 140 :第二圖案化導體層 142、418 :掃描線 • 144 :共通電極線 146 :源極 148、446 :汲極 150 :保護層 * 152 :第三接觸窗 154 :第五接觸窗 160 :晝素電極 170、300、400、540 :晝素結構 180 :薄膜電晶體 414A :第一線段 414B :第二線段 416 :第六接觸窗 籲 500 ·液晶顯不面板 510 :第一基板 520 :第二基板 . 530 :液晶層
Cst :儲存電容 21

Claims (1)

1329775 AU0701068-1 23647-ltwf.doc/n 十、申請專利範圍： 1.一種畫素結構的製造方法，包括： 形成一第一圖案化導體層於一基板上，該第一圖案化 導體層包括一閘極以及一資料線； ’' 形成一閘極絕緣層於該基板上，以覆蓋該第一圖案化 導體層； .形成-半導體通道層於該閘極上方之該閘極絕緣層 形成一第二圖案化導體層於該閘極絕緣層以及該车 導體通道層上’該第二圖案化導體層包括―掃描、線、—此 線以及—源極與—汲極，其中該掃描線與該間極i 接，該純電轉位於該資縣上方，哺源極與該 /位於該半導贿道層上，且簡極電性連接該資料線； 層；保護層於該基板上，以覆蓋該第二圖案化導體 極電=接晝素電極韻賴層上，域畫錢極與該淡 法，m利範圍第1項所述之晝素結構的製造方 儲存電ί 與該共通電極線部分重疊，以構成〆 法，圍第1項所述之晝素結構的製造方 ^中$成該半導體通道層的方法包括： =成一半導體材料層於該閘極絕緣上； 進行一摻雜製程，以於該半導體材料層之上表面形成 22 1329775 ΑΌ0701068-1 23647-ltwf.d〇c/j 一歐姆接觸層；以及 圖案化該半導體材料層，以形成該半導體通道層。 、4’如申晴專利範圍第1項所述之晝素結構的製造方 法’其中形成該閘極絕緣層的方法包括： 形成一第一介電層於該基板上；以及 形成一第一接觸窗以及一第二接觸窗於該第一介電 層中，以分別暴露出該閘極以及該資料線之部分區域。 法 5·如申請專利範圍第4項所述之晝素結構的製造方 其中該掃描線藉由該第一接觸窗與該閘極電性連接。 法 ^如申請專利範圍第4項所述之晝素結構的製造方 '〜源極藉由該弟一接觸窗與該資料線電性連接。 法 範圍第1項所述之畫素結構的製造方 /、中形成該保護層之方法包括： 導體介電層於該基板上，並覆蓋該第二圖案化 極之窗於該第二介電層中，以暴露出雜 法，項職^储料製造方 一 ’、電極错由该弟二接觸窗盘 9. 如申請專利範圍第！ 之金=電性連接。 法，更包括於形成該第 化 ^素j的製造方 閘極之-側之連接層。、匕導體層時’形成-位於該 10. 如申請專利範圍第9項 法’更包括於形成該半導體通道層後“的=: 23 1329775 AU0701068-1 23647-Itwf.doc/n =j ’形成—第四接觸窗於該閛極絕緣層中，以 ，路出部分該連接層，以使該第二圖案化導體層:成之 後，該錄#由該第四接觸窗與該連接層電性 ^如申料利範㈣9項所述之晝素結構的製造方 Ϊ成保護層後以及形成該畫素電極之前， 五接觸_於該保護層以及該閘極絕緣層中，以暴 電極藉由該第五接觸窗電===成之後，該畫素 包括1:2.-種晝素結構’適於配置於—基板上，該畫素結構 一第一圖案化導體層，配置於該 化導體層包括一閘極以及一資料線； 该弟-圖- —閘極絕緣層，覆蓋該第一圖案化導體層； 上；—半導體通道層，配置於該閘極上方之^極絕緣層 第^圖案化導體層，配置於該閘極絕緣層以及該半 、一共 接’該共通電極線位於該資料線上方，而該 導靜诵省屁u θ、成⑺拽粑緣層以及該 ¥體通道層上’該第二圖案化導體層包括—掃 一丘 通電極線以及一源極與一汲極，其中該掃描線與該 ^ 及極位於該半導體通道層上，且該源極電性連接該資料線. —保護層，覆蓋該第二圖案化導體層；以及、、… me晝素電極，配置於該保護層上，且該晝素電極盘# 汲極電性連接。 电蚀興该 13·如申請專利範圍第12項所述之晝素結構，其中該 24 1329775 AU0701068-1 23647-ltwf.doc/n 畫素電極無共通電極線部分重疊，轉成—儲存〜 ^如中請專利範圍第12項所述之晝素結構，=。 +導體通道層之上表面更包括—歐姆接觸層。〜中錄 15. 如申請專利範圍第12項 閑極絕緣層具有—第—接觸窗 該 於該閘極以及該資料線上方。弟一接觸南’分別位 16. 如申請專利範圍第15項所述之晝素結豆 描線藉由該第一接觸窗與該間極電性連接〜 其中1 其中^ 其中言 其中負 1/.如申請專利範圍第15項所述之晝素結 〜5糟由該第二接觸窗與該資料線電性連接。 保護有第12項所述之晝素結構 曰八有弟—接觸窗，位於該汲極上方。 書争第18項所述之晝素結構： Hi 三接觸窗與奴極電性連接。 20.如申請專利範圍第口項所述之 ΐ電：:導題層更包括-連接層，位：：及： 閉極絕緣層申具"有專—H2!項所述之畫素結構’其令 觸窗電性連接該連接層。 以使該祕藉由該第四- 22.如申請專利範圚第2〇 讀保護層以及該_絕緣層、—=β結構’其中』 素電極藉由該第五接觸窗i性J接窗，以使該1 25
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101245991B1 (ko) * 2006-06-23 2013-03-20 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조 방법
CN101887892B (zh) * 2010-06-07 2012-02-01 友达光电股份有限公司 像素结构及具有此种像素结构的显示面板
TWI426334B (zh) 2010-12-27 2014-02-11 Au Optronics Corp 薄膜電晶體陣列基板及其製作方法
TWI441122B (zh) * 2011-12-30 2014-06-11 Au Optronics Corp 顯示面板之陣列基板結構及其製作方法
TWM432061U (en) * 2012-01-05 2012-06-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd Pixel array substrate
TWI495111B (zh) * 2013-03-22 2015-08-01 Au Optronics Corp 顯示面板及其製作方法
CN103178119B (zh) * 2013-03-25 2015-07-29 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、阵列基板制备方法以及显示装置
TWI497180B (zh) * 2013-04-12 2015-08-21 Au Optronics Corp 畫素結構

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW409194B (en) 1995-11-28 2000-10-21 Sharp Kk Active matrix substrate and liquid crystal display apparatus and method for producing the same
US7167217B2 (en) 2002-08-23 2007-01-23 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
TWI289360B (en) * 2005-10-24 2007-11-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof
US7338846B2 (en) * 2006-01-12 2008-03-04 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Fabricating method of pixel structure
US7688392B2 (en) * 2006-04-06 2010-03-30 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Pixel structure including a gate having an opening and an extension line between the data line and the source
TWI329232B (en) * 2006-11-10 2010-08-21 Au Optronics Corp Pixel structure and fabrication method thereof

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