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TWI329777B - Active device array substrate, liquid crystal display panel, electro-optical device, and methods of manufacturing and driving the same - Google Patents

Active device array substrate, liquid crystal display panel, electro-optical device, and methods of manufacturing and driving the same Download PDF

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TWI329777B
TWI329777B TW097114888A TW97114888A TWI329777B TW I329777 B TWI329777 B TW I329777B TW 097114888 A TW097114888 A TW 097114888A TW 97114888 A TW97114888 A TW 97114888A TW I329777 B TWI329777 B TW I329777B
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TW
Taiwan
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active
substrate
display panel
line
liquid crystal
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Application number
TW097114888A
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English (en)
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TW200944905A (en
Inventor
Lee Hsun Chang
yu wen Lin
Chih Yu Peng
Original Assignee
Au Optronics Corp
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Publication date
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Priority to US12/170,445 priority patent/US7719625B2/en
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Description

AU0705008 25209twf.doc/p 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有_-種液晶顯示面板及其驅動方法， „於-種主動元件陣列基板及其 【先前技術】 隨著顯示科技的日益進步，人們藉著顯示器 可使生活更加便利’為求顯示器輕、薄之特性，促使平 面顯示器（Flat Pand Display，咖）成為目前的主流。在 广多平面顯：器中，液晶顯示器（叫㈣网㈣㈣ CD)具有高空間利用效率、低雜功率、無輕射以及 低電磁干擾等優越雜，因此，液晶顯示器深受消 歡迎。 ' 目前的液晶顯示器是採韓持模式（Hold Type)之 顯示方式，亦即在下—筆影像㈣尚未寫人此畫素單元 之前’則此晝素單元便_顯示目前這筆影像資料。因 此，以运樣的維持模式來顯示動態畫面時，則會導致顯 示晝，產生影像模糊（ImageBlu〇的現象。為解決液晶 顯不器在顯示晝面時可能產生影像模糊的問題，不少習 2技術提出解決方法以進行改善。一般而言，可用插黑 晝面（Black Insertion)的技術，以降低影像模糊的情形。 愈插黑晝面主要可分採資料插黑（data bl〇ck丨咖出⑽） 與動態背光（Dynamic Backlight，DBL )兩種技術。其中， 動悲背光的插黑技術需利用背光模組的硬體架構來達成 $黑晝面的效果，因此會提高背光模組的成本另外還 马付生出a光模組奇命減少的問題。而資料插黑技術則 1329777 AU0705008 25209twf.doc/p 是以影像資料畫面及黑畫面交替顯示的方式來達成，然 而’液晶顯示面板中之畫素的充電時間與插黑畫面的時 間無法同時兼顧，所以容易發生充電率不足的情形；換 言之’插黑晝面會讓晝素的充電時間減少。此外，由於 Ϊ料插黑技術需利用源極驅動器將黑晝面的影像資料透 過資料線傳送至液晶顯示面板中。因此，也會提高源極 驅動器的製造與設計複雜度》 【發明内容】
本發明提供一種主動元件陣列基板，其晝素單元具 有二主動元件，以分別負責影像資料的寫入以及插黑晝 面（black insertion)。 本發明另提供一種液晶顯示面板，其具有上述之主 動元件陣列基板。 本發明又提供一種驅動方法，其適於驅動上述之液 晶顯示面板。
明丹杈供一種主動元件陣列基板的製作方法， 其用於製造上述之主動元件陣列基板。 本發明更提供—種—種光電裝置，其具有上述之液 晶顯示面板。 本么月又再提供一種光電裝置之驅動方法，其具 上述之驅動方法。 、 j明更再提供—種光電I置之製作方法，其具有 上迷主動兀件陣列基板的製作方法。 提板其=元件陣 6 1329777 AU0705008 25209twf.doc/p 基，，且各畫素單元包括-第-主動元件、 描線、一第二主動元件、一第二掃描線、：： 線、-共猶錢-晝素電極。 貝枓 =掃描線、第二主動元件、第二掃:匕 具有-第-閘極、-第—源極及 j骑 ，連接第-主動元件之第1極〜1 第-掃 閘極、-第二源極及-第二及極，且第有 連接第二主動元件之第_ 一掃描線 連接第二主動元件之第3 兀件之第二汲極連接。當第一 ：〜主動 :晝^極透過第—主動S件彼厶二J料 件彼此電性連接。〃補與畫素電極透過第二主動元 本發明另提出一種液 :括=動元件陣列基板、一對上:以 板與野向基板之間的液晶層。主動Γ主 =單元包括1 一主動元件元’ 及一金辛雷搞 弟一知描線、一資料線、一共通線以 通線電性連接至厂有-共通電極。其中，共 連接至-第二妓通命/、 oml，共通電極電性 質上可大於—;、〇，V:〇m2，且I V_b V_2 I實 人階（最低灰階）所對應到的電壓差。 7 AU0705008 25209twf.doc/p =發明又提出-種㈣方法，此轉綠適於驅 ti述之液岐。其中卿方法包括：循序開啟 if ：掃描線所控制的第—主動耕，並透過資料線將 掃描線所控制的第::=。然後’循序開啟各第二 畫素電極的電壓為第4=壓：：議2元中的各 查去留-士，、逋電壓Vcoml。其中，在同一 ^點可^相同。—主動元件與第二主動耕被開啟的時 此製出^:陣，製作方法， 層’此第一圖案化導電層土包开:u _案化導電 二掃描線以及多條1条第—掃描線、多條第 緣層，用以覆蓋第二匕二^ 上形成多個位於第一掃。接者，於閘絕緣層 第二掃描線上的第二通2的弟—通道層與多個位於 一第二圖案化之後，於閘絕緣層上形成 -汲極、多個第：m案化導電層包括多個第 性連接之笛一、一/ 、夕條資料線、多個與資料線電 極。其巾，I祕以及多個與共通線紐連接之第二源 分區i，且裳―源極與第—没極覆蓋住第—通道層之部 分區试。$源極與第二汲極覆蓋住第二通道層之部 第二圖荦化^^閘絕緣層上形成—保護層，用以覆蓋 極，且電層。而後，於保護層上形❹個晝素電 忠素电極與第一汲極以及第二汲極電性連接。 中，由之主動元⑽聽板以錢晶顯示面板 ;衫像資料的寫人以及插黑晝面（blaek insertion) 1329777 AU0705008 25209twf.doc/p 是分別透過不同的主動元件來進行，因此，液晶顯示面 板所顯示的晝面可以獲得進一步的改盖。 為了讓本發明之上述特徵和優點能更賴易懂，下 文特舉本發明之實施例，並配合所附圖式，作詳細說明 . 如下。 • 【實施方式】 圖1A繪示本發明之一實施例之液晶顯示面板的剖 面圖。明參照圖1A，本實施例之液晶顯示面板100包括 主動元件陣列基板11G-對向基板12G以及—液晶層 Go。其中，主動元件陣列基板110包括一基板112以及 夕個晝素單元（未繪示）。對向基板12G具有一共通電 極122 ’而液晶層13〇配置於主動元件陣列基板盥對 向基板120之間。 〃 圖1B繪示本發明之—實施例之主動元件陣列基板的 局部不意圖。請參照圖1B，本實施例之主動元件陣列基 板110包括一基板112以及多個晝素單元114 (圖 • 紛示-個為例）。其中，晝素單元114配置於基板ιΐ2 上。此外’各畫素單元114包括一第一主動元件U4a、 —第一掃描線114b、一第二主動元件114c、—第二掃描 • 線114d、—資料線114e、一共通線114f以及一晝素電極 . 如圖1B所示，本實施例中之第一掃描線U4b與第 主動元件114a位於共通線U4f的一側，而第二掃描線 114d與第二主動元件U4c位於共通線U4f的另一側為 例，但不限於此。於其它實施例中，設計者可因應設計 1329777 AU0705008 25209twf.doc/p 之需求，將第一掃描線114b、第一主動元件114a、第二 掃描線114d及第二主動元件i14c配置在相對於並 i i4f的同-側’本發明並不限定上述佈局（㈣⑽)關係^ *上述之第一主動元件114a或第二主動元件丨丨牝例如 是薄膜電晶體（Thin Film Transistor，TFT )。接下來，以 底閘極薄膜電晶體（Bottom Gate TFT)為例，並搭配圖 1C及圖1D來加以說明，但本發明並不限於閘極薄膜電 晶體之結構。因此，在其它實施例中，第一主動元件 或第二主動元件114c可採用頂閘型薄膜電晶體或其它合 適的型態。再者，第-主動元件114&或第二主動元件^ 之型態於此實施例皆以二者同型態的薄膜電晶體為例， 但不限於此。於其它實施例中，第一主動元件丨丨乜或第 二主動元件114c亦可採用二者皆為不同的薄膜電晶體。 圖1C繪示圖1B中沿剖面線C1_C1，之剖面示S圖。 請同時參照圖1B及圖1C，本實施例之第一主動元件n4a 配置於基板112上，其中第一主動元件ll4a具有一第一 閘極G卜一第一源極S1以及一第一汲極叫。此外，第 一閘極G1連接至第一掃描線u4b，第一源極si連接至 資料線114g，第一汲極Di連接至晝素電極2l4g。 圖1D繪示圖1B中沿剖面線C2_C2’之剖面示意圖。 請同時參照圖1B及圖1D’本實施例之第二主動元件n4c 配置於基板112上，且第二主動元件ii4c具有一第二閘 極G2、一第二源極S2以及一第二汲極D2。其中，第二 閘極G2連接至第二掃描線U4d，第二汲極〇2連接至晝 素電極214g。 一 10 < 5 1329777 AU0705008 25209twf.doc/p 值得一提的是，共通線114f可具有至少一個與第二 源極D2連接的分支114Γ。以晝素單元114為範例，共 通線ll4f具有兩個分支Ii4f ’而第二源極S2可藉由其 中一個分支lHf與共通線U4f連接。然而，為提高畫素 單元114之開口率（Aperture Ration，AR),或為降低共 通線114f之分支114f與其他導電層（例如資料線U4e) 的電容效應，或基於其他設計考量，設計者可視需求而 改變分支H4f的數目或形態。 由於資料線114e與第一源極S1相互連接，因此， 當第一主動元件114a被開啟時，資料線ii4e與晝素電極 114g可透過第一主動元件U4a彼此電性連接，使資料線 114e上的影像資料寫入晝素電極U4g中。此時，晝素電 極114g與共通電極122 (繪示於圖1A)之間的電堡差可 決定液晶層130之液晶分子的排列方式，使液晶顯示面 板100顯示相對應的灰階晝面。必需說明的是，存在於 旦素電極114g與共通電極丨22(繪示於圖ία)之間的電 壓差’而影響液晶分子排列，則亦可稱為液晶電容clc。 另一方面’因為共通線114f與第二源極S2電性連 接，所以當第二主動元件114c被開啟時，共通線U4f 與晝素電極114g可透過第二主動元件ii4c彼此電性連 接°因此’晝素電極114g的電壓會與共通線i14f的電壓 約略王同準位的狀態。較特別的是，本實施例之共通線 114f會電性連接至一第一共通電壓Vc〇ml，並使畫素電 極U4g與共通電極122 (繪示於圖1A)之間的電嚴差可 控制在實質上大於L0灰階（最低灰階）所對應到的電壓 11 1329777 AU0705008 25209twf.doc/p 差AV。必需說明的是，若將亮度從暗至亮分割為225 階’則L0灰階代表為最暗的亮度下所呈現的灰階，其所 對應的電壓差。 將上述之主動元件陣列基板110應用於液晶顯示面 • 板100中，則此液晶顯示面板100之電路圖如圖1E所示。 . 圖1E繪示本發明之一實施例之液晶顯示面板的局部電路 圖。請同時參照圖1A、圖1B、圖1D及圖1E，本實施 例之主動元件陣列基板11〇包括由多數個晝素單元（圖 • 1B中僅繪示一個晝素單元114)所構成的陣列。以晝素 單元114為例，晝素單元114具有第一主動元件114&及 第二主動元件114c。其中，第二主動元件114(；之第二源 極S2與共通線i14f連接，且共通線U4f電性連接至第 一共通電壓Vcoml。此外，第一主動元件U4a及第二主 動元件114c位於共通線114f之不同侧為範例，但不限於 此。於其它實施例中，第一主動元件114a及第二主動元 件114c可位於共通線U4f之同一側。 • 另一方面’對向基板120之共通電極122電性連接 至一弟一共通電壓Vcom2。其中，共通電極122與書素 電極114g之間的電場用以改變液晶層13〇之液晶分子的 排列方式，進而使液晶顯示面板1〇〇顯示不同的灰階畫 面。 • 圖2繪示本發明之一實施例之液晶顯示面板的驅動 波形時序圖。請同時參照圖1B、圖1E及圖2，主動元件 陣列基板110包括由多個晝素單元（圖1B及圖1E中僅 、·會示一個晝素單元114)所構成的陣列。如圖2所示，以 12 AU0705008 25209twf.doc/p ::曰面板100為，主動元件陣列基板“Ο具有Μ 其ϊ Π :二1!!「掃描線以及η+ι條第二掃描線。 ^別以SG “弟n矣條第—掃插線所傳遞的掃描訊號 刀別以SG丨广SG丨，n+丨表示，第 線所傳遞的掃描訊號分別以SG '、弟11+1條弟-姊 ^ 〇2,丨〜SG2n+1表示。 弟1條〜第n+1條第一掃 * 依序寫人第1排〜第n+1排的^作，使影像訊號 晝素單元114為例，告蚩专^二、^兀中。砰細而吕，以 S‘時，第--掃描訊號 而第二掃描訊號SG2，n使第二主動元件i二關^ = 1過/料線U4e可將影像資料寫人畫素單元114中。另 L線U4f被施以第—共通電壓，因此， ;素:=與共通線⑽可構成一儲存電容⑶。其 子電谷Cst可維持影像資料的電位。 個方面’第1條〜第n+1條第二掃描線亦會在一 =圖内域傳送掃描訊號SG21〜SG2，⑷的動 描.二早主'11-4 ί例，當晝素單元114接收第二掃 JU 2,〇時’第一掃描訊號S〇2,n使第二主動元件ll4e =而第-掃描訊號i使第-主動元件?二閉: 素電極U4g可透過第二主動元件他與共通線 114f電性連接。 冰 承上述，由於共通線114f的電壓為第一共通電壓 VC〇ml ’所以畫素電極114g與共通線114f電性連接後亦 變為第—共通電壓Vcoml。換句話說，此時晝素電極U4g 13 1329777 AU0705008 25209twf.doc/p 與共通電極122之間的電壓差即為I Vc〇rnl _ vcom2 I。 貝務上，可將I Vcoml _ Vcom2 I設定為實質上大於l〇 灰1¾所對應到的電壓差AV，使液晶顯示面板1〇〇顯示實 質上大於L0灰階的畫面，也就是顯示黑色晝面。 、值得一提的是，掃描訊號SG1>n與掃描訊號SG2n傳 • 送的至畫素單元114的時間點不同，因此，第一主動元 件114a及第二主動元件114c被開啟的時間點不相同。 洋細地忒，於第一主動元件l14a開啟期間，液晶顯 • 示面板100的顯示畫面為資料線114e所提供。然而，於 第二主動元件114c開啟期間，液晶顯示面板1〇〇則可藉 由實質上大於L0灰階所對應到的電壓差Δν來顯示黑色 晝面。也就是說，在同一排畫素單元中，第一主動元件 進行充電用以元成衫像資料的寫入動作，而第二主動元 件猶如放電使衫像負料的顯不晝面轉變為一專色佥面。 因此，在下一個圖框時間Τ前，每個晝素單元有:插入 一個黑色畫面。 • 圖3繪示本發明之一實施例之驅動方法流程圖。此 驅動方法適於驅動液晶顯示面板；[〇〇 (繪示於圖1Α)。請 參照圖3，此驅動方法包括以下兩個步驟：首先，在步驟 S302中，循序開啟各第一掃描線所控制的第一主動元 件，並透過資料線將影像資料記錄於各畫素單元中。接 • $，在步驟讓中’循序開啟各第二掃描線所控制的第 二主動it件，以使各晝素單元巾的各晝素電極的電壓為 第一共通電壓Vcoml。其中，在同一晝素 主動元件與第二主動元件被開啟的時間點不相同。至於 1329777 AU0705008 25209twf.doc/p 本驅動方法之其餘細節已包含在上述實施例令，故在此 不加贅述。 圖4繪示本發明之一實施例之主動元件陣列基板的 製作方法。此製作方法可適於製作圖1B、圖lc及圖id 中的主動元件陣列基板n 〇。本實施例以底閘型薄臈電晶 體為範例，但不限於此。另請同時參照圖1B、圖ic、圖 1D及圖4 ’此製作方法至少包括：首先，在步驟s4〇2中， 於一基板112上形成一第一圖案化導電層μ。其中，第 :圖案化導電層！>1包括多條第—掃描線U4b、多、條第二 知描線114d以及多條共通線U4f (ffi[ m 會示一條第 一掃描線、一條第二掃描線及一條共通線為例）。， 再者’在步驟S404 t，於基板112上形成一間絕緣 曰GI’以覆蓋第一圖案化導電層卩卜其中閘絕緣層⑺ 具有多個第一接觸開口（未緣示），用以將共通線114f ^部分區域暴露’而第二源極S2透過第一接觸開口（未 、·曰不）與共通線114f電性連接。 之後，在步驟S406中，於閘絕緣層GI上形成多個 位於第-掃描線⑽上的第一通道層cm與多個位於第 ^掃描線114d上的第二通道層CH2 (圖1(：僅繪示一個 弟通，層、圖1D僅緣示一個第二通道層為例）。 -在步驟繼中’於閉絕緣層GI上形成一第 : 電層P2。其中，第二圖案化導電層Μ包括多 彻極Dl、多個第二沒極D2、多條資料線114、多 :與㈣線114電性連接之第-源極S1以及多個斑共通 線114f電性連接之第— 夕一’、 设<弟一原極S2。此外，第一源極si與 15 1329777 AU0705008 25209twf.doc/p 第一汲極D1覆蓋住第一通道層CH1的部分區域，且第 二源極S2與第二汲極D2覆蓋住第二通道層CH2的部分 區域（圖1A僅繪示一條資料線、圖1(：僅繪示一個第一 源極及一個第一汲極、圖1D僅繪示一個第二源極及一個 第二及極為例）。第一通道層CH1與第二通道層CH2可 為單層結構或多層結構，且其材質包含多晶石夕、非晶石夕、 單晶矽、微晶矽、奈米晶矽、或上述晶格具有摻雜物之 矽化合物、或上述晶格之含鍺矽化合物、或上述晶系之 有機半導體、或其它合適材料、或上述之組合。 然後，在步驟S410中，於閘絕緣層GI上形成一保 護層PV’以覆蓋第二圖案化導電層p2。其中，保護層 PV具有多個第二接觸開口（未繪示）以及多個第三接觸 開口（未繪示）。而晝素電極114g透過第二接觸開口（未 繪示）與第一汲極D1電性連接，且晝素電極114g透過 第三接觸開口（未繪示）與第二汲極D2電性連接。 而後，在步驟S412中，於保護層PV上形成多個晝 素電極114g (圖1B僅繪示一個晝素電極為例），其中晝 素電極114g與第一汲極D1以及第二汲極D2電性連接。 在完成步驟 S402、S404、S406、S408、S410 及 S412 之後’便可從圖1B、圖1C及圖1D中之主動元件陣列基 板110更進一步了解上述之結構。 於其它實施例中’若第一主動元件U4a及第二主動 元件114c其中之一為頂閘型薄膜電晶體’則上述實施例 製造方法’就有少許變動之。此時，就會以步驟S406之 方式，先形成第一通道層CH1及第二通道層CH2基板 16 1329777 AU〇7〇5〇〇8 25209twf.doc/p 112上，再以步驟S404之方式，在基板112上形成一閘 絕緣層GI，且覆蓋第一通道層CH1及第二通道層CH2。 然後，以步驟S402之方式，於閘絕緣層GI上形成第一 圖案化導電層P1，其包含第一掃描線114b、第二掃描線 114d、共通線114f。以步驟S408、步驟S410及步驟412 來形成後續所需的晝素電極114g、保護層pv、資料線 ll4e、第一源極S1/第二源極S2及第一汲極D1/第二汲極 D2。必需說明的是，需於步驟408及步驟402之間增加 一道覆蓋一圖案介電層（未繪示）於基板上，來藉此防 止掃描線（114b及114d)與資料線（U4e)產生短線現 象。 另外’本發明上述實施例所述之通道層CH1及CH2 依其主動元件114a及114c而有不同的堆疊結構。若以主 動元件114a及114c其中至少一者為底閘型薄膜電晶體為 範例，則通道層CH1及CH2其中至少一者包含垂直排列 結構或水平排列結構。以垂直排列結構為例，則通道層 CH1及CH2其中至少一者包含摻雜矽層及位於摻雜矽層 下方的非摻雜矽層。以水平排列結構為例，則則通道層 CH1及CH2其中至少一者僅包含一矽層，此矽層同時具 有掺雜矽區及非摻雜矽區。相反的，若以主動元件114a 及114c其中至少一者為頂閘型薄膜電晶體為範例，則通 道層CH1及CH2其中至少一者包含水平排列結構，而其 結構如上所述。 再者，本發明上述實施例所述之主動元件陣基板 11〇，可應用於下列所述之液晶顯示面板，例如：穿透型 17 AU0705008 25209twf.doc/p 顯示面板、半穿透型顯示面板、反射型顯示面板、彩色 慮光片於主動層上（color filter on array)之顯示面板、 主動層於彩色遽光片上（array on color filter)之顯示面 板、垂直配向型（VA)顯示面板、水平切換型（IPS)顯 示面板、多域垂直配向型（MVA)顯示面板、扭曲向列 型（TN )顯示面板、超扭曲向列型（STN )顯示面板、 圖案垂直配向型（PVA)顯示面板、超級圖案垂直配向 型（S-PVA)顯示面板、先進大視角型（ASV)顯示面 板、邊緣電場切換型（FFS)顯示面板、連續焰火狀排 列型（CPA)顯示面板、軸對稱排列微胞型（ASM)顯 示面板、光學補償彎曲排列型（OCB)顯示面板、超級 水平切換型（S-IPS)顯示面板、先進超級水平切換型 (AS-IPS)顯示面板、極端邊緣電場切換型（UFFS)顯 不面板、高分子穩定配向型顯示面板、雙視角型 (dual-view)顯示面板、三視角型（triple_view)顯示 面板、二維顯示面板（three-dimensional)或其它型面板、 或上述之組合。又，上述之顯示面板及其製造/驅動方法 亦可運用光電裝置及其製造/驅動方法上。如圖5所示， 圖5繪示本發明之一實施例之光電裝置的示意圖。由包 含本發明上述實施例之主動元件陣列基板11〇的顯示面 板400可以跟電子元件42〇組合成一光電裝置5〇〇。在 此’電子元件420包括如：控制元件、操作元件、處理 兀件、輸人元件、記憶元件、驅動元件、發光元件、保 護元件、感測元件、彳貞測元件、或其它功能元件、或前 述之組合。而光钱置之類魏括可攜式產品（如手機、 1329777 AU0705008 25209twf.doc/p 攝影機、照相機、筆記型電腦、遊戲機、手錶、音 放器、電子信件收發器、地圖導航器、數位相片、= =產品）、影音產品（如影音放映器或類似之產品）、 |幕、電視、交易系統之螢幕、看板、投影機内之面板 ，上所述’本發明所提出㈣晶顯示面板及光電事 斛金^動讀陣列基板中的共通線及第二主動元件^ •旦素電極進行插黑晝面的動作H麵晶顯示 ^利用第二主動元件顯示黑晝面時，並不會影響第」 間。也就是說，本發明之液晶顯示面板 及…私動方顿提出的顧晝面技術不會衍生充 此外，本發明無需額外利用源極驅動器將ΐ 二的衫像貝料經由資料線寫入液晶顯示面板中 ^本發明無須提高源極驅動ϋ之製造成本與設計複雜 雖然本發明已錢佳實施_露如上， 明’任何所屬技術領域中具有通常忒:用 、、二脫：本發明之精神和範圍内’當可作些許之更動鱼 i界定者=發明之保護額當視後附之申請專利範圍 【圖式簡單說明】 面圖圖1A繪示本發明之—實補之液晶顯示面板的剖 局部林發實關之线元件_基板的 1329777 AU0705008 25209twf.doc/p 圖1C繪示圖IB中沿剖面線Cl-Cl’之剖面示意圖。 圖1D繪示圖1B中沿剖面線C2-C2’之剖面示意圖。 圖1E繪示本發明之一實施例之液晶顯示面板的局部 電路圖。 圖2繪示本發明之一實施例之液晶顯示面板的驅動 波形時序圖。 圖3繪示本發明之一實施例之驅動方法流程圖。 圖4繪示本發明之一實施例之主動元件陣列基板的 製作方法。 圖5繪示本發明之一實施例之光電裝置的示意圖。 【主要元件符號說明】 100 液晶顯不面板 110 :主動元件陣列基板 112 :基板 114 :晝素單元 114a :第一主動元件 114b :第一掃描線 114c :第二主動元件 114d :第二掃描線 114e :資料線 114f:共通線 114Γ :分支 114g :晝素電極 120 :對向基板 122 :共通電極 1329777 AU0705008 25209twf.doc/p 130 :液晶層_
CHI :第一通道層 CH2 :第二通道層 Clc .液晶電容 Cst :儲存電容 D1 :第一汲極 D2 :第二汲極 G1 :第一閘極G1 G2 :第二閘極 GI :閘絕緣層 P1 :第一圖案化導電層 P2 :第二圖案化導電層 PV :保護層 51 :第一源極 52 :第二源極
SG〗，,〜SG〗,n+1 :第一掃描訊號 SG2,丨〜SG2，n+1 :第二掃描訊號 T : 一個圖框時間 Vcoml :第一共通電壓 Vcom2 :第二共通電壓 △V :實質上大於L0灰階所對應到的電壓差 S302、S304、S402、S404、S406、S408、S410、S412 : 步驟 400 :顯示面板 420 :電子元件 21 1329777 AU0705008 25209twf.doc/p 500 :光電裝置

Claims (1)

1329777 AU0705008 25209twf.doc/p 十、申請專利範圍： 1.一種主動元件陣列基板，包括： 一基板； 多個晝素單元，配置於該基板上，且各該晝素單元 包括：
^ 一第一主動元件，配置於該基板上，且其具有 第一閘極、一第一源極及一第一汲極；
第知也線，配置於該基板上，且連接該第 一主動元件之該第一閘極； ^ 一第二主動元件，配置於該基板上，且其具有 一第二閘極、一第二源極及一第二汲極； 一 一第二掃描線，配置於該基板上，且連接該第 一主動元件之該第二閘極；
一育料線，配置於該基板上，且連接該第一主 動元件之該第一源極； ―-共通線’配置於該基板上’且連接該第二主 動兀件之該第二源極；以及 旦素電極，配置於該基板上，並與該第一主 動元件之該第-祕以及該第二主動元件之該第二 2=士當該第一主動元件被開啟時，該資料線 ，该:素電極透過該第—主動元件彼此電性連接， 當該第二主動元件被開啟時，該共通線與該晝素電 極透過该第二主動元件彼此電性連接。 板 =申„月專利！&圍第〗項所述之主動元件陣列基 ”中各該畫素單元⑽該第—主動元件包括薄膜電 23 1329777 AU0705008 25209twf.doc/p 晶體。 3.如申請專利範圍第1項所述之主動元件陣列基 板，其中各該晝素單元内的該第二主動元件包括薄膜電 晶體。 、电 4_如申請專利範圍第1項所述之主動元件陣列基 板，其中各S亥畫素單元内的該苐一知插線與該第一主動 元件位於5亥共通線的一側，而該第二掃描線與該第二主 動元件位於該共通線的另一側。 5. 如申請專利範圍第丨項所述之主動元件陣列基 板，其中各該晝素單元内的該共通線具有至少—分支， 且該分支與該第二主動元件之該第二源極連接。 6. —種液晶顯示面板，包括： 一申請專利範圍第1項所述之主動元件陣列基板， 其中5亥共通線電性連接至一第一共通電壓Vc〇rn 1 ; 一對向基板，具有一共通電極’其中該共通電極電 性連接至—第二共通電壓Vcom2,且| Vcoml - Vcom2 | 實質上大於一 L〇灰階所對應到的電壓差；以及 一液晶層，配置於該主動元件陣列基板與該對向基 板之間。 7. 如申請專利範圍第6項所述之液晶顯示面板，其中 各該晝素單元内的該第一主動元件包括薄膜電晶體。 8. 如申請專利範圍第6項所述之液晶顯示面板’其中 各該晝素單元内的該第二主動元件包括薄膜電晶體。 9·如申請專利範圍第6項所述之液晶顯示面板’其中 各該晝素單元内的該第一掃描線與該第一主動元件位於 24 AU0705008 25209twf.doc/p 該共通線n岐帛二掃财無帛 於該共通線的另一側。 切凡什祖 瓜如申5專利範圍第6項所述之液晶顯示面板，其 中各該畫素皁7L内的該共通線具有至少―，且該八 支與該第二主動元件之該第二源極電性連接。 述之驅法，適於驅射請專·㈣6項所 江之液日日‘.，、員不面板，該驅動方法包括： 循序開啟各該第-掃描線所控制的該些第—主 :·，並透職錄财將影像㈣記錄於各輕素單元 T，以及 循序開啟各該第二掃描線所控制 :通;Τν嶋單元中的各該晝素電極的= 兴通電壓Vcoml，在同一查各gg - a,, 叙兮笼畫素早兀中的該第一主動元件 /、μ弟—主動兀件被開啟的時間點不相同。 12.—種主動元件陣列基板的製作方法，包括： 於基板上升》成—第一圖案化導電層，爷第一同崇 包括多條第—掃福線、多條第二掃“以;多' 導電^該基板上形成緣層，以覆蓋該第—圖案化 於該閘絕緣層上形❹條於該第—掃描線上的第 一通道層與辣位於該第二掃猶上的第二通道層； 於該閘絕緣層上形成―第二圖案化導電層，該第二 圖案化導電層包括多個第一汲極、多個第二汲極、多條 貝枓線、多個與該些資料線電性連接之第—源極以及多 25
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