TWI329231B - Electro-optical device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus - Google Patents

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1329231 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於例如液晶裝置等之光電裝置及其製造方 法，以及液晶投影機等之電子機器之技術分野。 【先前技術】 該種之光電裝置是在基板上具備畫素電極、用以執行 該畫素電極之選擇性驅動的掃描線、資料線及當作畫素開 關用元件之TFT(Thin Film Transistor)，構成能夠主動矩 陣驅動。再者，以高對比化等爲目的，則在TFT和畫素電 極之間設置有積蓄電容。以上之構成要素是以高密度組裝 在基板上，以謀求畫素開口率之提昇或裝置之小型化（例 如，參照專利文獻1 )。 如此一來，光電裝置則更要求顯示之高品質化或小型 化、高精細化，除上述之外，也採取各種對策。例如，當 光射入至TFT之半導體層時，由於發生光洩漏電流，顯示 品質下降，故在該半導體層之周圍設置遮光層。再者，積 蓄電容雖然是儘量以容量大者爲佳，但是另一方面，以設 計成不犧牲畫素開口率爲佳。並且，該些大多之電路要素 是以將裝置予以小型化，以高密度組裝於基板之情形爲佳 〇 另外，也提案出對該種光電裝置中之積蓄電容等之電 子元件之形狀或製造方法上發揮巧思，以提高裝置性能或 製造成品率之各種技術（例如，參照專利文獻2及3)。 1329231 〔專利文獻1〕日本特開2002_156652號公報 〔專利文獻2〕日本特開平6-3703號公報 〔專利文獻3〕日本特開平7-49508號公報 【發明內容】 〔發明所欲解決之課題〕 但是’若藉由上述以往之各種技術，隨著高功能化或 • 高性能化’使得基板上之疊層構造，基本上變成複雜高度 化。該又導致降低製造方法之複雜高度化、製造成品率等 。相反的’若使基板上之疊層構造或製程單純化，則有不 得不導致因畫素電極和位於該下層側之寄生電容所產生之 畫像訊號惡化等而造成降低顯示品質之技術性問題。 本發明是鑒於例如上述問題點所創作出者，其課題提 供適用於謀求疊層構造或製程之單純化，並且能夠執行高 品質之顯示之光電裝置及該製造方法以及具備如此之光電 •裝置而所構成之電子機器。 〔用以解決課題之手段〕 本發明之第1光電裝置是在基板上，具備有互相交叉 而延伸的資料線及掃描線：在上述基板上由俯視觀看是對 應於上述資料線及掃描線而被配置，並且被配置在較上述 資料線下層側之薄膜電晶體；被配置在較上述資料線上層 側，由下層側依序疊層畫素電位側電極、介電體膜及固定 電位側電極而所構成之積蓄電谷，在上述基板上，由俯視 -6- 1329231 觀看被配置在對應於上述資料線及掃描線而所規定之每個 畫素’且電性連接於上述畫素電位側電極及上述薄膜電晶 體之畫素電極；和被疊層於上述介電體膜之上層側的層間 絕緣膜；上述積蓄電容是具有在自開設於上述層間絕緣膜 之開口所露出的上述介電體膜上疊層上述固定電位側電極 的疊層構造。 若藉由本發明之第1光電裝置，於其動作時，薄膜電 晶體藉由自資料線對掃描線所選擇之畫素位置之畫素電極 施加資料訊號，則可執行主動矩陣驅動。此時，藉由積蓄 電容，可以提昇畫素電極中之電位保持特性，並使成爲顯 示之高對比化。 本發明之第1光電裝置中，尤其積蓄電容是從下層側 依序疊層而形成介電體膜及固定電位側電極，固定電位側 電極是成爲被疊層在自開設於層間絕緣膜之開口所露出之 介電體膜上之構造。因此，藉由在畫素之非開口區域內之 任意區域設置開口，則可以在所涉及之任意區域組裝積蓄 電容。在此，「非開口區域」是指除開口區域之外的區域 ，所謂「開口區域」是指例如在畫像顯示區域內中每個畫 素有助於顯示之光所射出之區域等，在有效區域內，實際 執行藉由光電元件或光電物質所產生之光電動作的區域。 因此，可謀求基板上之疊層構造之單純化，並且可執 行高品質之畫像顯示。並且，基板上之疊層構造之單純化 也聯繫著製程之單純化、成品率之提昇。 並且，本發明所涉及之薄膜電晶體雖然爲典型頂閘極 1329231 型，但是即使爲底閘極亦可。 本發明之第2光電裝置是爲了解決上述課題，在基板 上’具備有互相交叉而延伸的資料線及掃描線；在上述基 板上由俯視觀看是對應於上述資料線及掃描線而被配置， 並且被配置在較上述資料線下層側之薄膜電晶體；被配置 在較上述資料線上層側，由下層側依序疊層畫素電位側電 極、介電體膜及固定電位側電極而所構成之積蓄電容；在 • 上述基板上，由俯視觀看被配置於對應著上述資料線及掃 描線而所規定之每個畫素，且電性連接於上述畫素電位側 電極及上述薄膜電晶體之畫素電極；和被疊層於上述畫素 電位側電極之上層側的層間絕緣膜：上述積蓄電容是具有 在從開設於上述層間絕緣膜之開口所露出的上述畫素電位 側電極上疊層上述介電體膜及上述固定電位側電極的疊層 構造。 若藉由本發明之第2光電裝置，於其動作時，薄膜電 ^ 晶體是自資料線對被掃描線所選擇之畫素位置之畫素電極 施加資料訊號，依此可執行主動矩陣驅動。此時，可藉由 積蓄電容，提昇畫素電極中之電位保持特性，使顯示予以 高對比化。 於本發明之第2光電裝置中，尤其積蓄電容是由下層 側依序疊層畫素電位側電極、介電體膜及固定電位側電極 而所形成，介電體膜及固定電位側電極是成爲被疊層在自 開設於層間絕緣膜之開口所露出之畫素電位側電極上之構 造。因此，藉由在畫素之非開口區域內之任意區域設置開 -8- 1329231 口，依此可以在所涉及之任意區域組裝積蓄電容。 因此’可謀求基板上之疊層構造之單純化，並可執行 高品質之畫像顯示。並且，基板上之疊層構造之單純化也 關聯到製程之單純化，成品率之提昇。 並且’本發明所涉及之薄膜電晶體雖然爲典型頂閘極 型，但是即使爲底閘極型亦可。 本發明之第1及第2光電裝置之一態樣中，上述薄膜 電晶體在上述基板上由俯視觀看是被配置藉由上述資料線 至少部分覆蓋通道區域，上述積蓄電容在上述基板上由俯 視觀看是被配置在包含有與上述通道區域相向之區域的區 域，上述資料線包含有第1導電性遮光膜，上述固定電位 側電極及上述畫素電位側電極之至少一方式包含有第2導 電性遮光膜。 若依據該態樣，薄膜電晶體是藉由被配置在上層側之 資料線至少部分性覆蓋通道區域，資料線是包含第1導電 性遮光膜。因此，可以藉由能夠接近配置在通道區域之資 料線，對來自上層側之光，遮光薄膜電晶體之通道區域。 並且，被配置在較資料線上層側，並且被配置在包含相向 於通道區域之區域的區域上之積蓄電容，固定電位側電極 及畫素電位側電極之至少一方包含第2導電性遮光膜。因 此，依據經由層間絕緣膜而可接近配置在資料線上之積蓄 電容，則可以對來自上層側之入射光更加確實遮光薄膜電 晶體之通道區域。其結果，於上述般之動作時，薄膜電晶 體中之光洩漏電流被降低，可以提昇對比，並能夠執行高 -9- 1329231 品質之畫像顯示。 於包含上述第1及第2遮光膜之態樣中，上述掃描線 在上述基板上由俯視觀看是被配置在包含有與上述通道區 域相向之區域的區域，並且在上述基板上被配置在上述薄 膜電晶體之下層側，經由接觸孔連接於上述薄膜電晶體之 閘極，即使包含第3導電性遮光膜亦可。 於此時，在薄膜電晶體之下層側，以包含有相向於通 • 道區域之方式被配置之掃描線，是包含第3導電性遮光膜 。因此，即使針對由基板之背面的反射，或複板式之投影 機等其他光電裝置所發出穿過合成光學系之光等的返回光 ，亦可以藉由掃描線從下層側遮光通道區域。其結果，對 於來自上層側之入射光及來自下層側之返回光之雙方，可 以確實遮光薄膜電晶體之通道區域。 並且，掃描線是經由接觸孔被連接於薄膜電晶體之閘 極。在此，「接觸孔」是指爲了互相導通被形成於層間絕 ® 緣膜之上下之導電層，於厚度方向貫通層間絕緣膜之孔， 例如，包含有上側導電層落入至該內部之結果，與下側導 電層連接之時（即是，所謂的接觸孔之時），或在內部埋入 導電材料之時，使該一端接觸於上側之導電層，另一端接 觸於下側導電層之時（即是，以插件方式形成之時）。 於本發明之第1及第2光電裝置之其他態樣中，上述 介電體膜在上述基板上由俯視觀看是被形成於位在上述畫 素每畫素之開口區域之間隙的非開口區域。 若藉由該態樣，介電體膜是被形成於非開口區域，即 -10- 1329231 是可以幾乎或完全不形成開口區域。依此，介電體膜即使 假設爲不透明之膜，若不使開口區域之透過率下降即可。 因此’針對電容之介電體膜，不考慮透過率即可，可以利 用介電率高之氧化給（Hf02)膜、氧化鋁（Al2〇3)、氮化矽 (Si3N4)膜等。 因此，介電體膜又可以當作用以防止水分或溼氣之膜 而發揮功能，可提高耐水性、耐濕性。 本發明之第1及第2之光電裝置之其他態樣中，在與 上述資料線之上述通道區域相向之側，形成有比起構成上 述資料線之本體之導電膜，反射率爲低之導電膜。 若藉由此，可以防止資料線中與通道區域相向之面， 即是資料線之下層側之面，由基板之背面的反射，或複板 式之投影機等其他光電裝置所發出穿過合成光學系之光等 的返回光反射。依此，可以降低光對通道區域之影響。如 此之資料線即使在資料線相向於通道區域之側的面，即是 在資料線之下層側之面，即使形成例如反射率比構成資料 線本體之A丨膜等低之材質的金屬，或是形成阻障金屬亦 可。 於本發明之第1及第2光電裝置之其他態樣中，上述 畫素電位側電極是由與上述資料線同層之導電膜所形成。 若藉由該態樣，不會導致基板上疊層構造及製造工程 之複雜化。依此，可以提昇成品率。 本發明之第1及第2之光電裝置之其他態樣中，在上 述基板上’又具備有由與上述固定電位側電極同層之導電 -11 - 1329231 膜所形成，用以中繼連接上述畫素電位側電極和上述畫素 電極之中繼層。 若藉由該態樣，畫素電位側電極和畫素電極，是經由 中繼層被電性連接，即是中繼連接。畫素電位側電極和中 繼層，及中繼層和畫素電極是經由例如開孔於各個之間的 層間絕緣膜之接觸孔，而被連接。因此，可以迴避畫素電 位側電極及畫素電極間之層間距離長而要以一個接觸孔連 • 接兩者間有困難之事態。尤其，因固定電位側電極和中繼 層是由同層之導電膜所形成，故不會導致疊層構造及製造 工程之複雜化。但是，於固定電位側電極含有第2導電性 遮光膜之時，中繼層因同樣含有第2導電性遮光膜，故由 於中繼層之存在，幾乎不會降低遮光性能。 於具備上述中繼層之態樣中，上述中繼層即使經由上 述畫素電位側電極之延伸部，而電性被連接於上述汲極亦 可。 ^ 於此時，中繼層和汲極是中繼畫素電位側電極之延伸 部，電性被連接。即是，中繼層和延伸部，及延伸部和汲 極是經由例如開孔於各個之間的層間絕緣層上之接觸孔， 而被連接。因此，可以迴避畫素電位側電極及畫素電極間 之層間距離長而要以一個接觸孔連接兩者間有困難之事態 。而且不會導致疊層構造及製造工程之複雜化。並且，由 俯視觀看時，延伸部和中繼層之連接處，即是開設例如接 觸孔之處，由於不設置固定電位側電極，故可以容易構築 如此之連接。 -12- 1329231 本發明之電子機器是爲了解決上述課題，具有有上述 本發明之光電裝置（但是’也含有該各種態樣）。 本發明之電子機器因具備有上述本發明之光電裝置， 故可以實現能夠執行高品質之畫像顯示之投射型顯示裝置 、電視 '電子記事本、文字處理器、取景型或是螢幕直視 型之錄影機、工作台 '視訊電話、P 〇 s終端機、觸孔面板 等之各種機器。再者，作爲本發明之電子機器，亦可以實 現例如電子紙等之電泳裝置、電子放射裝置（Field φ

Emission Display 及 Conduction Electron-Emitter Display) 、該些電泳裝置、作爲使用電子放射裝置之DLP(Digital Light Processing)等。 本發明之第1光電裝置之製造方法是爲了解決上述課 題’屬於在基板上具備有互相交叉而延伸的資料線及掃描 線；被配置在較上述資料線下層側的薄膜電晶體：被配置 在較上述資料線上層側之積蓄電容；和被配置較上述積蓄 電容上層側之畫素電極的光電裝置之製造方法，其特徵爲 鲁 :包含有對上述基板上俯視觀視，在對應於上述資料線及 掃描線之交差之區域，形成上述薄膜電晶體之步驟；在較 上述薄膜電晶體上層側，形成上述資料線的步驟；以在較 上述資料線上層側，依序疊層畫素電位側電極、介電體膜 及固定電位側電極之方式，形成上述積蓄電容的步驟；和 在上述積蓄電容上，於上述基板上由俯視觀看對應於上述 資料線及掃描線而所規定之每個畫素，以電性連接於上述 薄膜電晶體及上述畫素電位側電極之方式，形成上述畫素 -13- 1329231 電極的步驟；形成上述積蓄電容的步驟是具有在上述介電 體膜之上層側形成層間絕緣膜之步驟；和在該層間絕緣膜 開設開口之步驟：和在自該開口所露出之上述介電體膜上 疊層上述固定電位側電極之步驟。 若依據本發明之第1光電裝置之製造方法，則可以製 造上述本發明之第1光電裝置。在此，尤其基板上之疊層 構造比較單純，故可以謀求製程之單純化，也可提升成品 鲁率。 本發明之第2光電裝置之製造方法，是一種光電裝置 之製造方法，屬於在基板上具備有互相交叉而延伸的資料 線及掃描線；被配置在較上述資料線下層側的薄膜電晶體 :被配置在較上述資料線上層側之積蓄電容；和被配置較 上述積蓄電容上層側之畫素電極的光電裝置之製造方法， 其特徵爲：包含有於上述基板上俯視觀視，在對應於上述 資料線及掃描線之交差之區域，形成上述薄膜電晶體之步 ® 驟：在較上述薄膜電晶體上層側，形成上述資料線的步驟 ;以在較上述資料線上層側，依序疊層畫素電位側電極、 介電體膜及固定電位側電極之方式，形成上述積蓄電容的 步驟；和在上述積蓄電容上，於上述基板上由俯視觀看對 應於上述資料線及掃描線而所規定之每個畫素，以電性連 接於上述薄膜電晶體及上述畫素電位側電極之方式，形成 上述畫素電極的步驟；形成上述積蓄電容的步驟是具有在 上述介電體膜之上層側形成層間絕緣膜之步驟：和在該層 間絕緣膜開設開口之步驟：和在自該開口所露出之上述畫 -14- 1329231 素電位側電極上疊層上述介電體膜及上述固定電位側電極 之步驟。 若藉由本發明之第2光電裝置之製造方法，則可以製 造上述本發明之第2光電裝置。在此尤其基板上之疊層構 造比較單純’故可以謀求製程之單純化，亦可提升成品率 〇 本發明之第1及第2光電裝置之製造方法之一態樣中 ’形成上述積蓄電容之步驟，是具有由與上述資料線同層 鲁 之導電膜形成上述畫素電位側電極之工程。 若藉由該態樣’比起以不同層形成畫素電位側電極和 資料線之時’基板上之疊層構造則更爲單純。依此，可以 謀求製程之單純化，亦可提升成品率。 本發明之作用及其他優點由下述說明之實施型態明顯 可知。 【實施方式】 φ 以下，參照圖式說明本發明之實施型態。於以下之實 施型態中，以本發明之光電裝置之一例之驅動電路內藏型 之TFT主動矩陣驅動方式之液晶裝置爲例。 [第1實施型態] 針對本發明之第1實施型態所涉及之液晶裝置，參照 第1圖至第12圖予以說明。 -15- 1329231 [光電裝置之全體構成] 首先，參照第1圖及第2圖，針對本實施型態所涉及 之液晶裝置之全體裝置，予以說明。在此，第1圖是表示 本實施型態所涉及之液晶裝置之構成的平面圖，第2圖爲 第1圖之H-H’線之剖面圖。 於第1圖及第2圖中，本實施型態所涉及之液晶裝置 中，TFT陣列基板10和對向基板20是相向被配置。於 # TFT陣列基板10和對向基板20之間封入有液晶層，TFT 陣列基板和對向基板20是藉由被設置在位於畫像顯示 區域1 0a之周圍之密封區域的密封材料52而互相黏著。 於第1圖中，與配置有密封材料52之密封區域之內 側並行，在對向基板20側設置有用以規定畫像顯示區域 l〇a之框緣區域的遮光性之框緣遮光膜53。於週邊區域中 ，在位於配置有密封材料5 2之密封區域之外側的區域上 ，沿著TFT陣列基板1 0之一邊，設置有資料線驅動電路 ® 101及外部電路連接端子102。於較沿著該一邊之密封區 域內側上，以被框緣遮光膜5 3覆蓋之方式設置有取樣電 路7。再者，在TFT陣列基板10上，於與對向基板20之 4個偶角之一部份相向之區域上，配置有用以上下導通材 1 07連接兩基板間之上下導通端子1 06。依此，可以在 TFT陣列基板1 0和對向基板20之間取得電性導通。 於TFT陣列基板10上，形成有用以連接外部電路連 接端子102、資料線驅動電路101、掃描線驅動電路104、 上下導通端子106等之引繞配線90。 -16- 1329231 於第2圖中，在TFT陣列基板10上，形成組裝驅動 兀件之畫素開關用之TFT(Thin Film Transistor)或掃描線 、資料線等之配線的疊層構造。於畫像顯示區域l〇a,在 畫素開關用TFT或掃描線、資料線等之配線之上層設置有 畫素電極9a。另外，在對向基板20之TFT陣列基板1〇 之對向面上，形成有遮光膜23。然後，在遮光膜23上， 與多數畫素電極9a相向形成有由IT0等之透明材料所構 成之對向電極2 1。 並且，於TFT陣列基板1 0上，除資料線驅動電路 1〇1、掃描線驅動電路104之外，即使形成用以檢查製造 途中或出貨時之該液晶裝置之品質、缺陷等之檢查電路、 檢查用圖案等亦可。 [畫像顯示區域之構成] 接著，針對本實施型態所涉及之液晶裝置之畫素部之 構成，參照第3圖至第7圖，予以說明。在此’第3圖是 構成液晶裝置之畫像顯示區域之被形成矩陣狀之多數畫素 之各種元件、配線等之等效電路圖。從第4圖至第6圖是 表示TFT陣列基板上之畫素部所涉及之部分構成。第4圖 及第5圖各相當於後述疊層構造中下層部分（第4圖）和上 層部分（第5圖）。第6圖是放大疊層構造之平面圖’爲重 疊第4圖及第5圖。第7圖是重疊第4圖及第5圖之時的 A-A，剖面圖。並且，於第7圖中’爲了各層、各構件在圖 面上成爲可辨識程度之大小，該各層、各構件縮尺有所不 -17- 1329231 同。 [畫素部之基本構成] 於第3圖中，在構成本發明型態所涉及之液晶裝置之 畫像顯示區域之被形成矩陣狀之多數畫素上，形成有畫素 電極9a和用以開關控制該畫素電極9a之TFT30，供給畫 像訊號之資料線6a是被電性連接於該TFT30之源極。寫 入於資料線6a之畫像訊號S 1、S2.....Sn即使依照該順 序予以供給亦可，即使對相鄰接之多數資料線6a彼此， 供給至每群亦可》 再者，掃描線1 la是電性被連接於TFT30之閘極，以 特定之時序，以將掃描訊號G1、G2.....Gm依照順序以 線順序脈衝性施加至掃描線1 1 a的方式予以構成。畫素電 極9a是被電性連接於TFT30之汲極，藉由將開關元件之 TFT3 0僅以一定期間關閉該開關，使在特定時序寫入資料 線6a被供給之畫像訊號SI、S2.....Sn。 經由畫素電極9a被寫入至當作光電物質之一例之液 晶的特定位準之畫像訊號SI、S2、…Sn，是在被形成於 對向基板之對向電極之間被保持一定期間。液晶藉由被施 加之電壓位準而變化分子集合之配向或秩序，依此使成爲 能夠調製光，並灰階顯示。若爲一般白色模態之時’因應 以各畫素之單位所施加之電壓，減少對入射光之透過率’ 並且若爲一般黑色模態之時，因應以各畫素單位所施加之 電壓而增加對入射光之透過率，就全體而言自液晶裝置射 -18- 1329231 出持有因應畫像訊號之對比的光。 在此，爲了防止所保持之畫像訊號洩漏，與被形成在 畫素電極9a和對向電極之間之液晶電容並聯附加積蓄電 容70。積蓄電容70之一方之電極是與畫素電極9a並聯而 被連接於TFT30之汲極，另一方之電極是以成爲定電位之 方式，被連接於對固定之電容配線400。 [畫素部之具體性構成] · 接著，針對實現上述動作之畫素部之具體性構成，參 照第4圖至第7圖予以說明。 從第4圖至第7圖中，上述畫素部之各電路要素被圖 案化，當作被疊層之導電膜構築在TFT陣列基板10上。 TFT陣列基板1 0是與由例如玻璃基板或石英基板所構成 之對向基板20相向。再者，各電路要素是由下依順序含 有掃描線11a之第1層、含有TFT30等之第2層、含有資 料線6a之第3層、含有固定電位側電極71之第4層、含 隹 有畫素電極9a等之第5層所構成。再者，於第1層-第2 層間間設有基底絕緣膜12 '於第2層-第3層間設有第1 層間絕緣膜41、於第3層-第4層間設有第2層間絕緣膜 42、於第4層-第5層間設有第3層間絕緣膜43，防止上 述各要素間短路。並且，其中，由第1層至第3層當作下 層部分表示於第4圖中，由第4層至第5層當作上層部分 表示於第5圖中。 -19 - 1329231 (第1層之構成-掃描線等-) 第1層是由掃描線Ua所構成。掃描線lla是被 製作成由沿著第4圖之X方向而延伸之本線部，和資 6a延伸於沿著第4圖之Y方向之突出部所構成之形 如此之掃描線Π a是當作本發明所涉及之「第3導電 光膜」之一例，例如由導電性多晶矽所構成，其他也 藉由含有鈦（Ti)、鉻（Cr)、鎢（W)、鉅（Ta)、鉬（Mo)等 ® 熔點金屬中之至少一個的金屬單體 '合金、金屬矽化 聚矽化物或是該些疊層體等所形成。 於本實施型態中，尤其掃描線11a是在TFT30之 側，以包含與通道區域1 a ’之區域的方式被配置，由 膜所構成。因此，即使針對於TFT陣列基板1 0之背 射，或將液晶裝置當作光閥使用而構築複板式之投影 ，由其他液晶裝置發出，穿過稜鏡等之合成光學系之 之返回光，也可以藉由掃描線1 1 a自下層側遮光通道 (第2層之構成-TFT等-) 第 2層是以 TFT30所構成。TFT30爲例如 (Lightly Doped Drain)構造，具備有聞極電極3a、半 層la、包含有絕緣閘極電極3a和半導體層la之閘極 膜的絕緣膜2。閘極電極3 a是由例如導電性多晶矽所 。半導體層1 a是由例如多晶矽所構成，由通道區域1 低濃度源極區域1 b及低濃度汲極區域1 C ’高濃度源 圖案 料線 狀。 性遮 可以 之高 物' 下層 導電 面反 機時 光等 區域 LDD 導體 絕緣 形成 a5 ' 極區 -20- 1329231 域Id以及高濃度汲極區域le所構成。並且，TFT30是具 有LDD構造爲佳，即使爲不對低濃度汲極區域1 c執行雜 質注入之補償構造亦可，即使爲將閘極電極3 a當作罩幕 高濃度注入雜質而形成高濃度源極區域及高濃度汲極區域 之自己整合型亦可。 TFT30之閘極電極3a是在其一部份3b中，經由被形 成在基底絕緣膜12之接觸孔12cv而電性連接於掃描線 1 1 a。基底絕緣膜1 2是由例如矽氧化膜等所構成，其第1 層和第2層之層間絕緣機能之外，藉由被形成在TFT陣列 基板10之全面，則具有防止因基板表面硏磨之粗糙或污 垢等所引起之TFT30之元件特性變化。 並且，本實施型態30所涉及之TFT30雖然爲頂閘極 型，但是即使爲底閘極型亦可》 (第3層之構成-資料線等-) 第3層是由資料線6a、畫素電位側電極300及介電體 膜75所構成。 資料線6a以本發明之「第1導電性遮光膜」而言， 從下方依順序形成鋁、氮化鈦 '氮化矽之3層膜。資料線 6a是以部分性覆蓋TFT30之通道區域la’之方式而被形成 。因此，藉由能夠接近配置於通道區域la’之資料線6a， 可以對來自上層側之入射光，遮光TFT30之通道區域la’ »再者，資料線6a是經由貫通第1層間絕緣膜4 1之接觸 孔81，與TFT30之高濃度源極區域id電性連接。 -21 - 1329231 作爲本實施型態之變形例’即使在資料線6a之通道 區域la’之側’形成相較於構成資料線6a之本體之A1膜 寺之導電膜’反射率爲低之導電膜亦可。若依據變形例， 在與資料線6a中之通道區域ia，相向之側之面，即是資料 線6 a之下層側之面，反射上述之返回光，由此可以防止 發生多重反射光或迷光等。依此，可以降低光對通道區域 la’之影響。如此之資料線6a是在與資料線6a之通道區域 1 a ’相向之側的面’即是在資料線6 a之下層側之面，形成 相較於資料線6a之本體之A1膜等，反射率爲低之材質的 金屬或是阻障金屬即可。並且，作爲相較於A1膜等反射 率爲低之材質的金屬或是阻障金屬，是可以使用鉻（Cr)、 鈦（Ti)、氮化鈦（TiN)、鎢（W)等。 畫素電位側電極3 00是被形成與資料線6a相同膜。 畫素電位側電極300和資料線6a是如第4圖所示般，以 各個分斷之方式被形成。再者，畫素電位側電極300是經 由貫通第1層間絕緣膜41之接觸孔83，電性與TFT3 0之 高濃度汲極區域1 e連接。畫素電位側電極3 0 0是經由介 電體膜7 5與後述之固定電位側電極7 1相向配置，介電體 膜75及固定電位側電極71同時構成積蓄電容70。 第1層間絕緣膜41是藉由例如NSG(無矽酸鹽玻璃） 所形成。其他，第1層間絕緣膜41可以使用PSG(磷矽玻 璃）' BSG(硼矽玻璃）、BPSG(硼磷矽玻璃）等之矽氧鹽玻璃 、氮化矽或氧化矽等。第1層間絕緣膜41之表面是被施 予化學性硏磨處理（Chemical Mechanical Polishing: CMP) -22- 1329231 或硏磨處理、旋轉塗層處理、掩埋凹部等之平坦化處理。 依此，除去下層側因該些因素所引起之凹凸，第1層間絕 緣層41之表面則被平坦化。因此，可以降低被挾持於 TFT陣列基板1 0和對向基板20之間之液晶層50之配向 狀態產生混亂之可能性，可執行高品味之顯示。並且，如 此之平坦化處理即使對其他層間絕緣膜之表面執行亦可。 介電體膜75是被疊層於畫素電位電極300上。介電 體膜75是如第4圖所示般，在TFT陣列基板1 0上俯視觀 看時被形成在位於每畫素之開口區域之間隙的非開口區域 上。即是，幾乎不形成在開口區域。依此，介電體膜75 即使爲不透明膜，若不使開口區域之透過率下降即可。因 此，介電體膜75是不考慮透過率，由介電率高之矽氮化 膜等所形成。因此，介電體膜75能夠當作用以防止水分 或溼氣之膜而發揮功能，也能夠提高耐水性、耐濕性。並 且，作爲介電體膜，除矽氮化膜之外，即使使用例如氧化 鈴（Hf02 )、氧化鋁（Al2〇3)、氧化鉅（Ta2〇5)、氧化锆 (Zr02)、氧化鑭（La2〇3)、氧化鈦（Ti〇2)、氧化鐯（Pr2〇3)等 之單層膜或式多層膜亦可。 (第4層之構成-固定電位側電極等-) 在第3層之全面上，形成第2層間絕緣膜42，並又在 該上方形成有固定電位側電極71以當作第4層。第2層 間絕緣膜42是例如藉由NSG所形成。其他，第2層間絕 緣膜42可以使用PSG、BSG、BPSG等之砂氧鹽玻璃、氣 1329231 化矽或是氧化矽等。第2層間絕緣膜42之表面是與第1 層間絕緣膜4 1相同施有CMP等之平坦化處理》 如第5圖及第7圖所示般，本實施型態中，尤其第2 層間絕緣膜42是以在下層側露出介電體膜75 ·之方式開設 開口 91。在自該開口 91所露出之介電體膜75上疊層固定 電位側電極7 1 ’形成有積蓄電容70，在此開口 9 1是能夠 設置使介電體膜75予以露出之任意區域，可以在該任意 ® 區域組裝積蓄電容70。 固定電位側電極7 1是如第7圖所示般，經由第2層 間絕緣膜42被延伸設置在資料線6a上，並且就以本發明 所涉及之「第2導電性遮光膜」之一例而言，是由例如包 含有Ti、Cr、W、Ta、Mo等之高熔點金屬中之至少一個 的金屬單體、合金、金屬矽化物、聚矽化物或是該些疊層 體者’或是最佳由鎢矽化物所構成。因此，經由層間絕緣 膜42而能夠接近配置在資料線6a上之固定電位側電極7 } ® ，藉此可以更確實對來自上層側之入射光，遮光TFT30之 通道區域la’ ^ (第5層之構成-畫素電極等-) 在第4層之全面上’形成第3層間絕緣膜43，並且在 該上方，形成有畫素電極9a以當作第5層。第3層間絕 緣膜43是藉由例如NSG而所形成。其他，第3層間絕緣 膜43可以使用PSG、BSG、BPSG等之矽氧鹽玻璃、氮化 矽或氧化矽等。第3層間絕緣膜43之表面是與第1層間 -24- 1329231 絕緣膜41及第2層間絕緣膜42相同被施予CMP等之平 坦化處理。 畫素電極9a(圖5中，以虛線9a’表示輪廓）是被配置 在被區劃配列成縱橫之畫素區域之各個上，在該境界以格 子狀配列之方式形成資料線6a及掃描線1 1 a(參照第4及 第5圖）。再者，畫素電極9a是由例如ITO(Indium Tin Oxide)等之透明導電膜所構成。 畫素電極9a是經由貫通第3層間絕緣膜43及第2層 φ 間絕緣膜42之接觸孔85，與畫素電位側電極300之延伸 部電性連接（參照第7圖）。並且，又如上述般，畫素電位 側電極300和TFT30之高濃度汲極區域le，是經由接觸 孔83而被電性連接。即是，畫素電極9a和TFT30之高濃 度汲極區域le是中繼畫素電位側電極300而被中繼連接 。因此，可以迴避畫素電極及汲極間之層間距離長而要以 一個接觸孔連接兩者間爲困難之事態。而且，不會導致疊 層構造及製造工程之複雜化。 · 在畫素電極9a之上側，設置有施有拋光處理等之特 定配向處理之配向膜16。 (各層及層間絕緣膜之膜厚） 表1是表示各層及層間絕緣膜之膜厚之範圍之例。在 此，表1是表示各層及層間絕緣膜之膜厚之範圍的例。於 本實施型態中，藉由組合表1所示之膜厚範圍1或是膜厚 範圍2之膜厚，疊層各層及層間絕緣膜。 -25- 1329231 以上，爲TFT陣列基板1 0側之畫素部之構成。 另外，在對向基板20上於與該對向面全面設置有對 向電極21，並且於該上方（第7圖中對向電極21之下側） 設置有配向膜22。對向電極21是與畫素電極9a相同，由 例如ITO膜等之透明導電性膜所構成。並且，於對向基板 2〇和對向基板21之間，爲了防止發生TFT30之光洩漏電 流，以至少覆蓋與TFT30正對之區域的方式，設置有遮光 籲膜23。 於如此所構成之TFT陣列基板1 0和對向基板20之間 ’設置有液晶層50。液晶層50是在藉由密封材料密封基 板10及20之周緣部而所形成之空間，封入液晶而所形成 。液晶層50是在化畫素電極9a和對向電極21之間不施 加電場之狀態下，藉由施有摩擦處理等之配向處理之配向 膜16及配向膜22，取得特定之配向狀態。 以上所說明之畫素部之構成’是如第4圖及第5圖所 ® 示般’各畫素部爲共同。於上述畫像顯示區域l〇a(參照第 1圖）’週期性形成有如此之畫素部。另外，在如此之液晶 裝置中’在位於畫像顯示區域10a之周圍之區域，參照第 1圖及桌2圖說明般’形成有掃描線驅動電路1〇4及資料 線驅動電路101等之驅動電路。 [第1實施型態之光電裝置之製造方法] 接著，針對如此之光電裝置之製造方法，參照第8圖 至第1 2圖予以說明。從第8圖至第丨2圖是以順著對應於 -26- 1329231 第7圖之剖面表不製程之各工程之光電裝置之疊層構造的 工程圖。並且，在此本實施型態之液晶裝置中，以說明主 要部分之掃描線、TFT、資料線、積蓄電容及畫素電極之 形成工程爲主。 首先’如第8圖所示般，在TFT陣列基板1〇上形成 從掃描線11a至第1層間絕緣膜41之各層構造，並予以 疊層。此時’ TFT30是被形成在掃描線iia及後述所形成 之資料線6a之交差的區域。並且，於各工程中，可以使 用通常之半導體積體化技術。再者，於第1層間絕緣膜41 形成之時’首先在TFT陣列基板1〇之全面，形成第1層 間絕緣膜41之前驅膜41a。在前驅膜41a之表面，因下層 側之TFT30等產生凹凸。在此’使前驅膜41a形成厚膜， 例如藉由CMP處理鑿取至圖中虛線之位置，藉由使表面 平坦化，取得第1層間絕緣膜41。 接著’於第9圖所示之工程中’對第丨層間絕緣膜4 ! 之表面之特定位置施予蝕刻’開孔深度到達高濃度源極區 域1 d的接觸孔8 1 ’及深度到達高濃度汲極區域1 e之接觸 孔83。接著’以特定圖案疊層導電性遮光膜，並形成資料 線6a及畫素電位側電極300。資料線6a是以部分性覆蓋 TFT30之通道區域la’之方向被形成，並且藉由接觸孔81 與高濃度源極區域1 d連接。並且，本實施型態之變形例 是於形成資料線6a之前，即使在與資料線6a中之通道區 域la’相向之側，形成相較於構成資料線6a之本體之A1 膜寺之導電膜，反射率爲低之導電膜亦可。畫素電位側電 -27- 1329231 極3 00是藉由接觸孔83而與高濃度汲極區域ie連接。接 著，在畫素電位側電極300上，以特定圖案疊層介電體膜 75。接著，在TFT陣列基板1〇之全面，形成第2層間絕 緣膜42之前驅膜42a。在前驅膜42a之表面，產生因下層 側之TFT30、資料線6a、畫素電位側電極300、接觸孔81 及83等所引起之凹凸。在此，使前驅膜42a形成厚膜， 並藉由例如CMP處理鑿取至圖中之虛線位置，並藉由使 φ 該表面平坦化，取得第2層間絕緣膜42。 接著，在第1〇圖所示之工程中，在第2層間絕緣膜 42之表面之規定位置，施予蝕刻，並以介電體膜75露出 之方式開設開口 91。在此，開口 91是可設置在畫素之非 開口區域內中之使介電體膜75予以露出之任意區域。 接著，於第11圖所示之工程中，在TFT陣列基板1〇 上之非開口區域疊層導電性遮光膜，並形成固定電位側電 極。此時，固定電位側電極71是疊層於自開口 91露出之 • 介電體膜75上’並形成積蓄電容70。再者，固定電位側 電極7 1是經由第2層間絕緣膜42而延伸設置在資料線6a 上。接著，在TFT陣列基板1 0之全面上，形成第3層間 絕緣膜43之前驅膜43a。在前驅膜43a之表面’生成因固 定電位側電極70等所產生之凹凸。在此’將前驅膜43a 形成厚膜，並藉由例如CMP處理鑿取至圖中虛線位置， 並使該表面平坦化，依此取得第3層間絕緣膜4 3。 接著，於第12圖所示之工程中，在第3層間絕緣層 43之表面之特定位置施予蝕刻’並貫通第3層間絕緣膜 -28- 1329231 43及第2層間絕緣膜42，並開孔深度到達畫素電位電極 3 00之延伸部之接觸孔85。接著，在第3層間絕緣膜43 之表面之特定位置形成畫素電極9a。此時，畫素電極9a 雖然也形成在接觸孔8 5內部，但是爲了使接觸孔8 5之孔 徑爲大，覆蓋爲良好。 若藉由以上說明之液晶裝置之製造方法，則可以製造 上述之本實施型態之液晶裝置。在此尤其因TFT陣列基板 10上之疊層構造比較單純，故可以謀求製程單純化’並可 提升成品率。 [第2實施型態] 接著，針對第2實施型態所涉及之光電裝置’參照第 1 3圖至第1 5圖予以說明。 於第2實施型態中，積蓄電容之構成與第1實施型態 不同。依此，僅針對與第1實施型態不同之點予以說明。 首先，參照第1 3圖針對第2實施型態所涉及之液晶 裝置之畫素部之具體構成予以說明。在此，第13圖是與 第2實施型態中之第7圖同主旨之剖面圖。並且，於第13 圖中，對於與第7圖所示之第1實施型態所涉及之構成要 素相同之構成要素賦予相同參照符號，適當省略該些說明 〇 如第13圖所示般，於第2實施型態中，尤其積蓄電 容70是由下層側依順序疊層畫素電位側電極300、介電體 膜75及固定電位側電極71而所形成，介電體膜75及固 -29- 1329231 定電位側電極71是被疊層在自被開設於第2層間絕 42之開口 91所露出之畫素電位側電極3〇〇上。因此 由在畫素之非開口區域內之任意區域設置開口，則可 所涉及之任意區域組裝積蓄電容。 因此’可以謀求基板上之疊層構造之單純化，並 夠執行局品質之畫像顯示。並且，基板上之疊層構造 純化也關聯到製程之單純化、提昇成品率。 [第2實施型態之光電裝置之製造方法] 接著’參照第14圖及第15圖說明第2實施型態 電裝置之製造方法。第14圖及第15圖是隨著對應於; 圖之剖面，表示製程中形成積蓄電容之工程的光電裝 疊層構造的工程圖。 於第2實施型態之光電裝置之製造方法中，積蓄 之製造方法是與第1實施型態之光電裝置之製造方法 ® 。依此，僅針對與第1實施型態之光電裝置之製造方 同之點予以說明。 於第14圖所示之工程中，在第2層間絕緣膜42 面之特定位置施予鈾刻，並以畫素電位側電極3 00露 方式開設開口 91。在此，開口 91是能夠設置在畫素 開口區域內，使畫素電位側電極3 00予以露出之任意 〇 接著，於第1 5圖所示之工程中，在從開口 91所 之畫素電位側電極300上疊層介電體75。接著，在 緣膜 ，藉 以在 且能 之單

之光 第13 置之 電容 不同 法不 之表 出之 之非 區域 露出 TFT -30- 1329231 陣列基板ίο上之非開口區域疊層導電性遮光膜，並形成 固定電位側電極71，依此形成積蓄電容70。再者，固定 電位側電極7 1是經由第2層間絕緣膜42而延伸設置在資 料線6a上。接著，在TFT陣列基板1〇之全面，形成第3 層間絕緣膜43之前驅膜43a。在前驅膜43a之表面，產生 固定電位側電極70等所引起之凹凸。在此，使前驅膜43a 形成厚膜，並且藉由例如CMP處理鏊取至圖中之虛線位 置，並藉由使該表面平坦化取得第3層間絕緣膜4 3。 [第3實施型態] 接著，針對第3實施型態所涉及之光電裝置，參照第 16圖至第18圖予以說明。 於第3實施型態中，又具有中繼層之點則與第1實施 型態有所不同。依此，僅針對與第1實施型態不同之點予 以說明。 參照第1 6圖至第1 8圖針對第3實施型態經裝置之畫 素部之具體構成予以說明。在此’第16圖是與第3實施 型態中之第5圖同主旨之平面圖。第17圖是與第3實施 型態中之6圖爲同主旨之平面圖，成爲重疊第4圖和第16 圖。第18圖是與第3實施型態中之第7圖爲同主旨之剖 面圖，爲重疊第4圖和第16圖之時的A-A’剖面圖。並且 ，於第16圖至第18圖中’對於與第4圖至第7圖所示之 第1實施型態所涉及之構成要素相同之構成要素賦予相同 參照符號，並適當省略該些說明。 -31 - 1329231 如第18圖所示般’在第3實施型態中，於第2層間 絕緣膜42上’中繼層610是被形成與固定電位側電極71 相同膜。中繼層610和資料線6a是如第16圖所示般，以 各個分斷之方式被形成。再者，中繼層610是經由貫通第 2層間絕緣膜42之接觸孔84，而電性被連接於畫素電位 側電極300之延伸部。並且，畫素電極9a是經由貫通第3 層間絕緣膜43之接觸孔86，而被電性連接於中繼層610 # 。即是，畫素電極9a和畫素電位側電極300之延伸部是 將中繼層610予以中繼而成中繼連接。因此，可以迴避畫 素電極9 a及畫素電位側電極3 0 0之間的層間距離長而要 以一個接觸孔連接兩者間有困難之事態。並且，不會導致 疊層構造及製造工程之複雜化。除此之外，中繼層610因 由與固定電位側電極71相同膜之導電性遮光膜所形成， 故由於中繼層610之存在，幾乎不會降低遮光性能。 並且，畫素電位側電極300之延伸部是經由接觸孔而 ^ 被電性連接於TFT30之高濃度汲極區域le。因此，中繼 層610和TFT30之高濃度汲極區域le汲極，是中繼畫素 電位側電極300之延伸部而被電性連接。因此，可以迴避 畫素電極9a及TFT30之高濃度汲極區域le之間的層間距 離長而要以一個接觸孔連接兩者間有困難之事態。並且， 不會導致疊層構造及製造工程之複雜化。 [第4實施型態] 接著，針對第4實施型態所涉及之光電裝置，參照第 -32- 1329231 19圖予以說明。在此，第19圖是與第4實施型態中之第 7圖爲同主旨之剖面圖。 於第4實施型態中，積蓄電容之構成與第1實施型態 不同》依此，僅針對與第1實施型態不同之點予以說明。 如第19圖所示般，積蓄電容70之構成是與第2實施 型態相同，由下層側依順序疊層畫素電位側電極3 00、介 電體膜75及固定電位側電極7 1而所形成，介電體膜75 及固定電位側電極7 1是被疊層在自被開設於第2層間絕 緣膜42之開口 9 1所露出之畫素電位側電極3 00上。因此 ，與第2實施型態相同，可以謀求基板上之疊層構造之單 純化，並且能夠執行高品質之畫像顯示。並且，基板上之 疊層構造之單純化也關聯到製程之單純化、提昇成品率。 並且，於第2層間絕緣膜42上，是與第3實施型態 相同，中繼層6 1 0是被形成與固定電位側電極7 1相同膜 。因此，與第3實施型態相同，可以迴避畫素電極9a及 畫素電位側電極3 00之間，或是畫素電極9a和TFT30之 高濃度汲極區域1 e間之層間距離長，而要以一個接觸孔 連接兩者間有困難之事態。並且，不會導致疊層構造及製 造工程之複雜化。 [電子機器] 接著，針對將上述光電裝置之液晶裝置適用於各種電 子機器之時予以說明。 首先，針對將該液晶裝置當作光閥使用之投影機予以 -33- 1329231

說明。第20圖是表示投影機之構成例的平面圖 圖所示般，在投影機Π00之內部設置有由鹵素 色光源所構成之光單元1102。自該燈單元1102 投射光，是藉由被設置在光導H 04內之4片鏡 片二色向鏡1108分離成RGB之3原色’並被射 對應於各原色之光閥之液晶面板1110R、1110B ο φ 液晶面板1 1 10R、1 1 10Β及1 1 10G之構成是 晶裝置同等，以自畫像訊號處理電路所供給之 之原色訊號各被驅動。再者’藉由該些液晶而被 ，是從3方向被射入二色向稜鏡1112。在該二 1112中，R及B之光折射成90度，另外，G之 。因此，合成各色之畫像之結果，經由投射透鏡 色畫像則被投射至螢幕等。 在此，當注目於各液晶面板1110R、H10B ® 之顯示像時，藉由液晶面板1 1 1 〇G之顯示像是必 液晶面板1 1 10R、11 10B之顯示像呈左右反轉。 並且，因藉由二色向鏡1108，在液晶面板 1 1 10B及1 1 10G射入對應於R、G、B之各原色 不需要設置彩色濾光片。

接著，針對將液晶裝置適用於攜帶型個人電 以說明。第21圖是表示該個人電腦之構成的斜 第21圖中，電腦1 200是由具備有鍵盤1202 1 204，液晶顯示單元1 206所構成。該液晶顯示J >如第2 0 燈等之白 所射出之 1 06及兩 入至當作 及 1 1 1 0G 與上述液 R、G、B 調製之光 色向稜鏡 光則前進 1 1 1 4，彩 及 1 1 1 0G 須相對於 1 1 1 0R、 之光，故 腦之例予 視圖。於 之本體部 i 元 1206 -34- 1329231 是藉由在先前所述之液晶裝置1005之背面附加背光而所 構成。 並且，針對將液晶裝置適用於行動電話之例予以說明 。第22圖是表示該型電話之構成的斜視圖。於第22圖中 ’行動電話1 300是具備有多數之操作按鈕1 302，和反射 型之液晶裝置1 005。該反射型液晶裝置1 005是因應所需 ’在該前面設置前光。 再者，除參照第20圖至第22圖所說明之電子機器之 暑 外’亦可舉出液晶電視、取景型 '螢幕直視型之錄影機、 汽車導航裝置、呼叫器、電子記事本、電子計算機、文字 處理機、工作台、視訊電話、POD終端機、具備有觸控面 板之裝置等。然後，當然可適用於該些之各種電子機器。 再者’本發明除上述實施型態所說明之液晶裝置之外 ’亦可適用於在矽基板上形成元件之反射型液晶裝置 (LCOS)、電漿顯示器（PDP)、電場放射型顯示器（FED、 SED)、有機EL顯示器等。 · 本發明並不限定於上述實施型態，只要不脫離申請專 利範圍及說明書中之發明要旨或思想，可做適當變更，隨 此變更之光電裝置、具備有該光電裝置之電子機器及該光 電裝置之製造方法也包含於本發明之技術性範圍。 【圖式簡單說明】 第1圖是表示本發明之第1實施型態所涉及之液晶裝 置之全體構成之平面圖。 -35- 1329231 第2圖爲第1圖之H-H’之剖面圖。 第3圖爲多數畫素中之各種元件、配線等之等效電路 圖。 第4圖爲第1實施型態所涉及之TFT陣列基板上之畫 素群之平面圖，僅表示下層部分（至第7圖中符號75 (介電 體膜）之下層部分）的構成。 第5圖爲第1實施型態所涉及之TFT陣列基板上之畫 # 素群之平面圖，僅表示上層部分（超過第7圖中符號75(介 電體膜）之上層部分）的構成。 第6圖爲重疊第4圖及第5圖之時的平面圖，放大一 部份之圖式。 第7圖爲疊層第4圖及第5圖之時的A-A’剖面圖。 第8圖是依順序表示第1實施型態所涉及之液晶裝置 之製造工程的剖面圖（其1)。 第9圖是依順序表示第1實施型態所涉及之液晶裝置 ® 之製造工程的剖面圖（其2)。 第1 0圖是依順序表示第1實施型態所涉及之液晶裝 置之製造工程的剖面圖（其3)。 第1 1圖是依順序表示第1實施型態所涉及之液晶裝 置之製造工程的剖面圖（其4)。 第1 2圖是依順序表示第1實施型態所涉及之液晶裝 置之製造工程的剖面圖（其5)。 第13圖是與第2實施型態中之第7圖同主旨之剖面 圖。 -36- 1329231 第1 4圖是依順序表示第2實施型態所涉及之液晶裝 置之製造工程的剖面圖（其1 )。 第1 5圖是依順序表示第2實施型態所涉及之液晶裝 置之製造工程的剖面圖（其2)。 第16圖是與第3實施型態中之第5圖同主旨之平面 圖。 第17圖是與第3實施型態中之第6圖同主旨之平面 圖。 第18圖是與第3實施型態中之第7圖同主旨之平面 第19圖是與第4實施型態中之第7圖同主旨之平面 圖。 第20圖是表示當作適用光電裝置之電子機器之一例 的投影機之構成的平面圖。 第21圖是表示當作適用光電裝置之電子機器之一例 的個人電腦之構成的斜視圖。 第22圖是表示當作適用光電裝置之電子機器之一例 的行動電話之構成的斜視圖。 【主要元件符號説明】 la :半導體層 la’ ：通道區域 3 a、3 b :閘極電極 6a :資料線 -37- 1329231 9a :畫素電極 10 : TFT陣列基板 1 〇 a :畫像顯示區域 1 1 a :掃描線 1 2 :基底絕緣膜 1 2 c v :接觸孔 1 6 :配向膜 # 2 0 :對向基板 2 1 :對向電極

2 2 :配向膜 23 :遮光膜 3〇 : TFT 4 1、4 2、4 3 :層間絕緣膜 5 〇 :液晶層 70 :積蓄電容 • 7 1 :固定電位側電極 75 :介電體膜 81、 83、 84、 85' 86:接觸孔 91 :開口 3 0 0 :畫素電位側電極 6 1 0 :中繼層 -38- 1329231 表1 單位甜(埃)

層名 膜厚範圍1 膜厚範圍2 第1層(掃描線11a) 1000-3000 .1500-^500 . -· · 基底絕緣膜12 2000-10000 3000^8000 第2層(半導體la) 300-600 400-500 第2層(閘極電極3a) 300-1500 500-1200 第1層間絕緣膜41 2000-10000 3000-8000 第3層(資料線6a等） 2000-8000 3000-7000 第3層(介電體膜25) 50-1000 爛_ 第2層間絕緣膜42 2000-10000 3000-8000 第4層(固定電位側電極71等） 2000-8000 3000-7000 第3層間絕緣膜43 2000-10000 3000-8000 第5層(畫素電極9a) 200-2000 500-1600

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Claims (1)

1329231 十、申請專利範圍 1.一種光電裝置，其特徵爲：在基板上，具備有 延伸於第1方向之資料線； 被電性連接於上述資料線，並且被配置在較上述資料 線下層側之薄膜電晶體； 以被上述資料線覆蓋之方式，延伸於上述第丨方向之 上述薄膜電晶體的半導體層； # 被配置在較上述資料線上層側，由下層側依序疊層畫 素電位側電極、介電體膜及固定電位側電極而所構成之積 蓄電容； 被電性連接於上述畫素電位側電極及上述薄膜電晶體 之畫素電極；和 被疊層於上述介電體膜之上層側的層間絕緣膜； 上述積蓄電容是具有在自開設於上述層間絕緣膜之開 口所露出的上述介電體膜上疊層上述固定電位側電極的疊 # 層構造， 上述固定電位側電極係以覆蓋上述資料線之方式延伸 於上述第1方向’並且具有突出於與上述第1方向交叉之 第2方向的突出部， 上述畫素電位側電極係一部份與上述固定電位側電極 之突出部重疊，並且具有以從上述突出部突出至上述第2 方向之方式延伸於相鄰之上述資料線間的延伸部， 在上述畫素電位側電極和上述固定電位側電極之突出 部重疊之區域形成有上述積蓄電容，上述畫素電位側電極 -40- 1329231 之延伸部和上述畫素電極經接觸孔電性連接。 2. —種光電裝置，其特徵爲：在基板上，具備有 互相交叉而延伸的資料線及掃描線； 在上述基板上由俯視觀看是對應於上述資料線及掃描 線而被配置，並且被配置在較上述資料線下層側之薄膜電 晶體； 被配置在較上述資料線上層側，由下層側依序疊層畫 素電位側電極 '介電體膜及固定電位側電極而所構成之積 蓄電容； 在上述基板上’由俯視觀看被配置於對應著上述資料 線及掃描線而所規定之每個畫素，且電性連接於上述畫素 電位側電極及上述薄膜電晶體之畫素電極；和 被疊層於上述畫素電位側電極之上層側的層間絕緣膜 f 上述積蓄電容是具有在從開設於上述層間絕緣膜之開 □所露出的上述畫素電位側電極上疊層上述介電體膜及上 述固定電位側電極的疊層構造。 3. 如申請專利範圍第丨項或第2項所記載之光電裝置 ’其中，上述薄膜電晶體在上述基板上由俯視觀看是被配 置成藉由上述資料線至少部分覆蓋通道區域， 上述積蓄電容在上述基板上由俯視觀看是被配置在包 含有與上述通道區域相向之區域的區域， 上述資料線包含有第1導電性遮光膜， 上述固定電位側電極及上述畫素電位側電極之至少一 •41 - 1329231 方式包含有第2導電性遮光膜。 4 .如申請專利範圍第3項所記載之光電裝置，其中， 上述掃描線在上述基板上由俯視觀看是被配置在包含有與 上述通道區域相向之區域的區域，並且在上述基板上被配 置在上述薄膜電晶體之下層側，經由接觸孔連接於上述薄 膜電晶體之閘極，包含第3導電性遮光膜而所構成。 5 ·如申請專利範圍第1項或第2項所記載之光電裝置 φ ’其中’上述介電體膜在上述基板上由俯視觀看是被形成 於位在上述畫素每畫素之開口區域之間隙的非開口區域。 6. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之光電裝置 ’其中’在與上述資料線之上述通道區域相向之側，形成 有比起構成上述資料線之本體之導電膜，反射率爲低之導 電膜。 7. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之光電裝置 ’其中’上述畫素電位側電極是由與上述資料線同層之導 # 電膜所形成。 8 ·如申請專利範圍第1項或第2項所記載之光電裝置 ’其中’在上述基板上，又具備有由與上述固定電位側電 極同層之導電膜所形成，用以中繼連接上述畫素電位側電 極和上述畫素電極之中繼層。 9 ·如申請專利範圍第8項所記載之光電裝置，其中， 上述中繼層是經由上述畫素電位側電極之延伸部，而被電 性連接於上述汲極。 10.—種電子機器，其特徵爲：具備有申請專利範圍 -42- 1329231 第1項至第9項中之任一項所記載之光電裝置。 11. 一種光電裝置之製造方法，屬於在基板上具備有 延伸於第1方向的資料線；被電性連接於上述資料線 膜電晶體；延伸於上述第1方向的上述薄膜電晶體之半導 體層；被配置在較上述資料線上層側之積蓄電容；和被配 置較上述積蓄電容上層側之畫素電極的光電裝置之製造方 法，其特徵爲：包含有 在較上述資料線下層側形成上述薄膜電晶體之步驟； 在較上述薄膜電晶體上層側形成上述資料線的步驟； 以被上述薄膜電晶體覆蓋之方式形成上述資料線的步 驟， 以在較上述資料線上層側’依序疊層畫素電位側電極 、介電體膜及固定電位側電極之方式，形成上述積蓄電容 的步驟；和 在上述積蓄電容上，以被電性連接於上述畫素電位側 電極及上述薄膜電晶體之方式，形成上述畫素電極的步驟 1 形成上述積畜電容的步驟是具有在上述介電體膜之上 層側形成層間絕緣膜之步驟；和在該層間絕緣膜開設開口 之步驟：和在自該開口所露出之上述介電體膜上疊層上述 固定電位側電極之步驟， 上述固定電位側電極係以覆蓋上述資料線之方式延伸 於上述第1方向’並且具有突出於與上述第1方向交叉之 第2方向的突出部， -43- 1329231 上述畫素電位側電極係一部份與上述固定電位側電極 之突出部重疊’並且具有以從上述突出部突出至上述第2 方向之方式延伸於相鄰之上述資料線間的延伸部， 在上述畫素電位側電極和上述固定電位側電極之突出 部重疊之區域形成有上述積蓄電容，上述畫素電位側電極 之延伸部和上述畫素電極經接觸孔電性連接。 12.—種光電裝置之製造方法，屬於在基板上具備有 # 互相交叉而延伸的資料線及掃描線；被配置在較上述資料 線下層側的薄膜電晶體：被配置在較上述資料線上層側之 積蓄電容；和被配置較上述積蓄電容上層側之畫素電極的 光電裝置之製造方法，其特徵爲：包含有 於上述基板上俯視觀視，在對應於上述資料線及掃描 線之交差之區域，形成上述薄膜電晶體之步驟； 在較上述薄膜電晶體上層側，形成上述資料線的步驟 I • 以在較上述資料線上層側，依序疊層畫素電位側電極 、介電體膜及固定電位側電極之方式，形成上述積蓄電容 的步驟；和 在上述積蓄電容上，於上述基板上由俯視觀看對應於 上述資料線及掃描線而所規定之每個畫素，以電性連接於 上述薄膜電晶體及上述畫素電位側電極之方式，形成上述 畫素電極的步驟； 形成上述積蓄電容的步驟是具有在上述介電體膜之上 層側形成層間絕緣膜之步驟；和在該層間絕緣膜開設開口 -44 - 1329231 之步驟：和在自該開口所露出之上述畫素電位側電極上疊 層上述介電體膜及上述固定電位側電極之步驟。 1 3 .如申請專利範圍第1 1項及第1 2項所記載之光電 裝置之製造方法，其中，形成上述積蓄電容之步驟是具有 由與上述資料線同層之導電膜形成上述畫素電位側電極之 步驟。 -45-