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TWI328709B - Liquid crystal display - Google Patents

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TWI328709B
TWI328709B TW095110813A TW95110813A TWI328709B TW I328709 B TWI328709 B TW I328709B TW 095110813 A TW095110813 A TW 095110813A TW 95110813 A TW95110813 A TW 95110813A TW I328709 B TWI328709 B TW I328709B
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TW
Taiwan
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electrode
data line
branch
halogen
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TW095110813A
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TW200736776A (en
Inventor
Hsiang Lin Lin
Original Assignee
Au Optronics Corp
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Publication date
Application filed by Au Optronics Corp filed Critical Au Optronics Corp
Priority to TW095110813A priority Critical patent/TWI328709B/zh
Priority to US11/382,059 priority patent/US7705950B2/en
Publication of TW200736776A publication Critical patent/TW200736776A/zh
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Description

1328709 九、發明說明: t ' 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種薄膜電晶體液晶顯示器元件結構與 製程,特別是指可以補償畫素電極與訊號線之間的寄生電 容之設計。 【先前技術】
一般而言,液晶面板容易因製程偏差造成資料線與晝 素電極重疊偏移,使得晝素電極與資料線過於接近,產生 如第1圖所示之寄生電容(Parasitic capacitance between pixel and data line, Cpd、Cpd’),而過大之寄生電容將導致 串音(cross talk)現象;或由於曝光接合處產生的差異,亦容 易造成重疊偏移而產生曝光接合不均(shot mura)等問題影 響畫質。這些都是影響畫素電極開口率大小設計的主要因 素之一。 因此,為減少寄生電容效應並達到高開口率之需求, 習知技術係利用不同的設計方式來加以解決,譬如用遮蔽 電容(shielding Cs),和在資料線與畫素電極間加一層聚合 物絕緣薄膜(P〇lymer insulatorfilm)。其中,多加一層聚合 物絕緣薄膜的設計’雖可以減少寄生電容效應,並能讓晝 素電極跨越資料線而達到高開口率,然而,影響聚合物絕 緣薄膜減少寄生電容效應之參數’主要取決於所選聚合物 1328709 絕緣薄膜的介電係數,以及聚合物絕緣薄膜的膜厚大小, 亦即晝素電極與資料線距¥的大小。可是受限於聚合物絕 緣薄膜材料開發,與其介電係數值和膜厚又可能受其他製 程步驟影響而改變,故仍會影響寄生電容被減少的能力。 因此,畫素電極與資料線重疊部分之大小差異,還是會造 成Cpd與Cpd’的不平衡,而產生串音或其他缺陷。
此外,為解決寄生電容所造成的效應,目前也有利用 點反轉(dot inversion)或直行反轉(column inversion)等方式 驅動之液晶面板,以使相鄰資料線同時間送出的訊號正負 極性相反,進而讓Cpd與Cpd’相抵消。而且,若同時讓畫 素電極跨越左右兩邊資料線上的面積固定,更可將ACpd 減到最小。 但是,雖然在光罩的佈局設計上,可以固定晝素電極 壩^ 與資料線的重疊面積,如第2圖所示,第2圖為原始光罩 之畫素電極與資料線重疊之示意圖。在原始之光罩設計 中,各畫素電極20與左右兩側資料線26、28重疊之面積 ; 相等。然而在實際生產製程上,原先的設計值卻可能因為 黃光製程而產生不同對位層的偏移,而發生如第3圖所繪 示之實際面板上畫素電極30與左右資料線36、38的重疊 面積變異之狀況,造成畫素電極30與左側資料線36的重 疊面積大於畫素電極30與右側資料線38的重疊面積,導 1328709 致寄生電容的不平衡。 » ' , 【發明内容】 . 本發明係提供一種可以補償畫素電極與訊號線之間的 寄生電容之薄膜電晶體液晶顯示器元件的結構與製程,以 解決習知寄生電容所造成的效應。 根據本發明之申請專利範圍,其係在原晝素電極兩側 各增加一補償分支電極,以補償晝素電極因製程偏移與資 料線所產生的寄生電容,使畫素電極與左右兩邊的資料線 的寄生電容平衡。因此,在使用點反轉驅動或直行反轉驅 動(相鄰資料線正負極性相反)的情形下,可以平衡Cpd與 Cpd’的效應,並同時減低串音或其他因曝光接合處產生的 不均Cpd、Cpd’不平衡所造成的均Cpd、Cpd’不平衡的現 象。 % 由於本發明具有補償晝素電極之設計,故可有效解決 因製程偏差使資料線與晝素電極重疊偏移,以及產生串音 - 或由於曝光接合處產生的不均等影響晝質之問題。此外, .. 本發明不限於直線型資料線之設計,其亦可應用於鋸齒狀 資料線之設計,及以三角型(delta)排列晝素設計之液晶顯 — C7t7 不态° 【實施方式】 1328709 本發明利用在晝素電極兩側各增加一補償分支電極,以 • 補償晝素電極因製程偏移與資料線所產生的寄生電容,使 - 畫素電極與左右兩邊的資料線的寄生電容得以補償平衡, 其較佳實施方式可概述如下: 實施例一:
請參考第4圖,第4圖為原始光罩之畫素電極與資料 線佈局設計的示意圖。如第4圖所示,晝素電極40剛好切 齊資料線46、48,亦即不與兩側之資料線46、48相重疊, 而補償用的第一分支電極42及第二分支電極44係分別配 置在晝素電極40相對於資料線46、48的另一側,且第一 分支電極42及第二分支電極44與晝素電極40相電連接在 一起。 請參考第5圖,第5圖為實際製程之面板上晝素電極 9^ 40與左右資料線46、48的重疊面積變異的補償示意圖。 如第5圖所示,當因黃光製程產生對位偏移等變異,而使 晝素電極40往左偏移時,會同時增加畫素電極40與其左 : 側之第一資料線46重疊的面積A (以下各圖中重疊部分皆 : 以斜線表示),以及第二分支電極44與其左側之第二資料 線48重疊的面積B,而且兩者增加的面積是一樣的,亦即 A = B。反之,當晝素電極40往右偏移時,則會同時增加 第一分支電極42與其右側之第一資料線46重疊的面積 © 1328709 A,以及畫素電極40與其右側之第二資料線48重疊的面積 t t - B,而且兩者增加的面積亦是一樣的,亦即A = B。因此補 - 償偏移重疊的面積相同。 實施例二:
請參考第6圖,第6圖為原始光罩之畫素電極與資料 線佈局設計的示意圖。如第6圖所示,晝素電極50、第一 分支電極52及第二分支電極54各與資料線56、58有重 疊,而且晝素電極50與第一資料線56重疊的面積為A’, 畫素電極50與第二資料線58重疊的面積為B,第一分支 電極52與第一資料線56重疊的面積為A,第二分支電極 54與第二資料線58重疊的面積為B’。 請參考第7圖,第7圖為實際製程之面板上晝素電極 50與左右資料線56、58的重疊面積變異的補償示意圖。 ^ 如第7圖所示,當因黃光製程產生對位偏移等變異,而使 畫素電極50往左偏移時,會增加晝素電極50與其左側之 第一資料線56重疊面積A’的大小,以及第二分支電極54 : 與其左側之第二資料線58重疊面積B’的大小,而且會同 : 時減少第一分支電極52與其右側之第一資料線56重疊面 積A的大小,以及畫素電極50與其右側之第二資料線58 重疊面積B的大小;反之,晝素電極50往右偏移時,則會 增加畫素電極50與其右側之第二資料線58重疊面積B的 1328709 大小,以及第一分支電極52與其右側之第一資料線56重 疊面積A的大小,而且會同時減少第二分支電極54與其左 側之第二資料線58重疊面積B’的大小,以及晝素電極50 與其左側之第一資料線56重疊面積A’的大小。
然而,不論晝素電極50因曝光對位製程向左或向右偏 移,在本實施例中,第一分支電極52與第一資料線56重 疊的面積加上晝素電極50與第一資料線56重疊的面積可 以等於晝素電極50與第二資料線58重疊的面積加上第二 分支電極54與第二資料線58重疊的面積,亦即A+A’面積 可以等於B+B’,以使△ Cpd減到最小。 實施例三: 請參考第8圖,第8圖為原始光罩之晝素電極與資料 線佈局設計的示意圖。如第8圖所示,晝素電極70切齊第 一資料線76之右側,而與畫素電極70電連接之第二分支 電極74則與第二資料線78之右側相切齊。其中,畫素電 極70與第二資料線78之重疊面積為C,而與畫素電極70 ' 電連接之第一分支電極72與第一資料線76之重疊面積為 : D,且晝素電極70與第二資料線78之重疊面積等於與晝素 電極70電連接之第一分支電極72與第一資料線76之重疊 面積,即C等於D。 1328709 請參考第9圖,第9圖為實際製程之面板上畫素電極 - 70與左右資料線76、78的重疊面積變異的補償示意圖。 - 如第9圖所示,當因黃光製程產生對位偏移等變異,而使 . 晝素電極70往左偏移時,會使晝素電極70與其左側之第 一資料線76形成一重疊面積D’,以及使第二分支電極74 與其左側之第二資料線78形成一重疊面積C’,而且會同 時減少第一分支電極72與其右側之第一資料線76重疊面 赢 積D的大小,以及減少晝素電極70與其右側之第二資料線 78重疊面積C的大小,但C+C’仍等於或接近D+D’;反之, 畫素電極70往右偏移時,則會增加畫素電極70與其右側 之第二資料線78重疊面積C的大小,以及第一分支電極 72與其右側之第一資料線76重疊面積D的大小,而且重 疊面積C的增加大小會等於重疊面積D的增加大小。 值得注意的是,本實施例之原始光罩所設計之重疊的 區域可同時位於第一資料線76及第二資料線78的左側, 如第8圖所示,或同時位於第一資料線76及第二資料線 78的右側,如第10圖所示。當畫素電極70向左或向右偏 : 移時,資料線76、78與各電極70、72、74於左右兩側之 • 總重疊面積都會相同。 實施例四: 請參考第11圖,第11圖為原始光罩之晝素電極與資 1328709
料線佈局設計的示意圖。如第11圖所示,晝素電極80同 時與第一資料線86左侧及第二資料線88右侧相切齊。其 中,與晝素電極80電連接之第一分支電極82與第一資料 線86之重疊面積為E,與晝素電極80電連接之第二分支 電極84與第二資料線88之重疊面積為F,且與晝素電極 80電連接之第一分支電極82與第一資料線86之重疊面積 等於與晝素電極80電連接之第二分支電極84與第二資料 線88之重疊面積,即E等於F。 同樣地,如第12圖所示,當因黃光製程產生對位偏移 等變異,而使晝素電極80向左或向右偏移時,資料線86、 88與各電極80、82、84於左右兩侧之總重疊面積都會相 同。 實施例五: 本發明之補償偏移所造成的Cpd設計,亦可以應用在 資料線的部份分段,而這些分段可以由分支資料線來達 到。如第13圖所示,第一分支資料線91及第二分支資料 線92電連接而成第一資料線97,第三分支資料線93及第 四分支資料線94電連接而成第二資料線98。而且畫素電 極90同時切齊分支資料線92及分支資料線93,第一分支 電極95切齊分支資料線92,第二分支電極96切齊分支資 料線93。當畫素電極90向左或向右偏移時,分支資料線 12 @ 1328709 92、93與各電極90、92、94於左右兩側之總重疊面積都 - 會相同。此外,其他分支資料線與晝素電極及分支電極之 - 重疊情況類似實施例一至四,在此不多加贅述。 不限於直線型資料線之設計,本發明補償偏移所造成 的Cpd設計,亦可應用於鋸齒狀(zigzag)資料線之設計, 實施方式有如下所述。
實施例六: 如第14圖所示,畫素電極100部份切齊第一鋸齒狀資 料線106及第二鋸齒狀資料線108,與晝素電極100電連 接之第一分支電極102切齊第一資料線106,而與晝素電 極100電連接之第二分支電極104切齊第二資料線108。 當因黃光製程產生對位偏移等變異,而使當晝素電極1〇〇 向左或向右偏移時,資料線106、108與各電極100、102、 104於左右兩側之總重疊面積都會相同。 實施例七: 第15圖所示為鋸齒狀資料線之另一補償偏移所造成 的Cpd設計。晝素電極110與第一鋸齒狀資料線116之重 疊面積為G’,畫素電極110與第二鋸齒狀資料線118之重 疊面積為Η,與畫素電極110電連接之第一分支電極112 與第一鋸齒狀資料線116之重疊面積為G,與晝素電極110 電連接之第二分支電極114與第二鋸齒狀資料線118之重 13 1328709 疊面積為Η’,且與晝素電極110電連接之第一分支電極112 - 與第一鋸齒狀資料線116之重疊面積加上畫素電極110與 - 第一鋸齒狀資料線116之重疊面積等於畫素電極110與第 二鋸齒狀資料線118之重疊面積加上與晝素電極110電連 接之第二分支電極114與第二鋸齒狀資料線118之重疊面 積,亦即G + G’等於Η + Η’。當因黃光製程產生對位偏移 等變異,而使當晝素電極110向左或向右偏移時,資料線 116、118與各電極110、112、114於左右兩側之總重疊面 積都會相同。 實施例八: 第16圖所示為鋸齒狀資料線之另一補償偏移所造成 的Cpd設計。晝素電極120與第一鋸齒狀資料線126切齊, 與晝素電極120電連接之第二分支電極124與第二鋸齒狀 資料線128切齊。其中,晝素電極120與第二鋸齒狀資料 ^ 線128之重疊面積為C’,與畫素電極120電連接之第一分 支電極122與第一鋸齒狀資料線126之重疊面積為D’,且 畫素電極120與第二鋸齒狀資料線128之重疊面積等於與 : 畫素電極120電連接之第一分支電極122與第一鋸齒狀資 - 料線126之重疊面積,即C’等於D’。此外,本實施例所設 計之重疊的區域亦可同時位於第一鋸齒狀資料線126及第 二鋸齒狀資料線128的左側,或同時位於第一鋸齒狀資料 .線126及第二鋸齒狀資料線128的右側。當因黃光製程產 14 1328709 生對位偏移等變異’而使當畫素電極120向左或向右偏移 時,資料線126、128與各電極120、122、124於左右兩側 - 之總重疊面積都會相同。 實施例九:
第17圖所示為鋸齒狀資料線之另一補償偏移所造成 的CPd設計。晝素電極130同時與第一鋸齒狀資料線136 及第二鋸齒狀資料線138部份切齊。其中,與晝素電極電 連接之第一分支電極132與第一鋸齒狀資料線136之重疊 面積為E,與晝素電極13〇電連接之第二分支電極134與 第二鋸齒狀資料線138之重疊面積為F,,且與晝素電極13〇 電連接之第刀支電極132與第一銀齒狀資料線ΐ3ό之重 疊面積等於與晝素電極13G電連接之第二分支電極134與 第二鋸齒狀資料線138之重疊面積,即E,等於F,。當因黃 光製私產生對位偏移等變異,而使當晝素電極13〇向左或 向右偏移時,資料線136、138與各電極130、132、134於 左右兩側之總重疊面積都會相同。 相較於上述應用於一般晝素排列設計之補償方式,本 發明補償偏移所造成的Cpd設計’亦可應用於以三角型排 列晝素之設計,而不限於一般陣列式晝素排列設計之補償 方式’實施方式有如下所述。 15 1328709 實施例十:
如第18圖所示。畫素電極140係由彼此電連接之第一 子晝素電極141及第二子畫素電極142組成。其中,第一 子晝素電極141與第一資料線146重疊之面積為Μ,第一 子晝素電極141與第二資料線148重疊之面積為Ν,第二 子晝素電極142與第二資料線148重疊之面積為Ο,第二 子晝素電極142與第三資料線143重疊之面積為Ρ,而且 第一子晝素電極141與第一資料線146重疊之面積加上第 二子晝素電極142與第三資料線143重疊之面積等於第一 子晝素電極141與第二資料線148重疊之面積加上第二子 畫素電極142與第二資料線148重疊之面積,即Μ + Ρ等 於Ν+0時可以使ACpd減到最小。當因黃光製程產生對 位偏移等變異,而使當畫素電極140向左或向右偏移時, 資料線146、148、143與各電極14卜142於左右兩側之總 重疊面積都會相同。 實施例十一: 第19圖所示為以三角型排列畫素之補償另一種方 式。畫素電極150係由彼此電連接之第一子晝素電極151 及第二子晝素電極152組成。其中,第一子畫素電極151 與第一資料線156重疊之面積為M’,第一子晝素電極151 與第二資料線158重疊之面積為Ν’,第二子晝素電極152 與第二資料線158重疊之面積為0’,第二子晝素電極152 16 1328709
與第三資料線153重疊之面積為p’,而且第一子晝素電極 151與第二資料線158重疊之面積加上第二子晝素電極⑸ 與第二資料線158重疊之面積等於晝素電極15〇與第二資 料線158重疊之面積且等於第—子晝素電極151與第一資 料線156重疊之面積加上第二子晝素電極152與第三資料 線153重疊之面積’ gpN’ + 〇,等於晝素電極15〇與第二 資料線158重疊之面積且等於M,+ p,時,可以使減 到最小。當晝素電極150向左或向右偏移,資料線156、 158、153與各電極⑸、152於左右兩侧之總重疊面積都 會相同。 以上所述皆為本發明利用補償分支電極之設計,以補 償晝素電極因製程偏移與資料線所產生的寄生電容,使晝 素電極與左右兩邊的資料線的寄生電容平衡。 以上所述僅為本發明之較佳實施例,凡依本發明申請 專利範圍所做之均等變化與修飾,皆應屬本發明之涵蓋範 圍。 【圖式簡單說明] 第1圖所繪示為液晶面板寄生電容示意圖。 第2圖所繪不為習知原始光罩之晝素電極與資料線重疊之 示意圖。 1328709 第3圖所繪示為習知實際面板之晝素電極與左右資料線的 重疊面積變異之示意圖。 第4圖所繪示為本發明晝素電極與資料線佈局設計的示意 圖。 第5圖所繪示為本發明晝素電極往左或右偏移時之補償示 意圖。 第6圖所繪示為本發明晝素電極與資料線佈局設計的示意
第 第 圖。 圖所繪示為本發明晝素電極往左或右偏移時之補償示 意圖。 圖所繪示為本發明畫素電極與資料線佈局設計的示意 圖。 第9圖所繪示為本發明晝素電極往左或右偏移時之補償示 意圖。
第10圖所繪示為本發明畫素電極與資料線佈局設計的示 意圖。 第11圖所繪示為本發明畫素電極與資料線佈局設計的示 意圖。 第12圖所繪示為本發明晝素電極往左或右偏移時之補償 示意圖。 第13圖所繪示為本發明畫素電極與資料線佈局設計的示 意圖。 第14〜17圖所繪示為本發明應用於鋸齒狀資料線與畫素 18 1328709 電極佈局設計的示意圖。 * 第18、19圖所繪示為本發明應用於三角型排列畫素之資料 - 線與晝素電極佈局設計的示意圖。 【主要元件符號說明】 20、30、40、50、70、80、90、100、110、120、130、140、 150 :晝素電極; 42、52、72、82、95、102、112、122、132 :第一分支電
44、54、74、84、96、104、114、124、134 :第二分支電 極; 26、36、46、56、76、86、97、146、156 :第一資料線; 28、38、48、58、78、88、98、148、158 :第二資料線; 91 :第一分支資料線; 92 :第二分支資料線; ^ 93:第三分支資料線; 94 :第四分支資料線; 106、116、126、136 :第一鋸齒狀資料線; : 108、118、128、138 :第二鋸齒狀資料線; : 141、151 :第一子晝素電極; 142、 152 :第二子晝素電極; 143、 153 :第三資料線; 19 ⑤

Claims (1)

  1. 年厶月f曰修正本 、申請專利範圍: 種液晶顯示器,包括 一基板; 複數個晝素電極,位於該 排列方式形成; 以一晝素矩陣陣列 料線及-第二資料線,形成於該基板上; 資料"線及3描線形成於該基板上,該些掃描線與該第一 、’ Μ弟一賢料線彼此交錯; 少许:/支電極’該第-分支電極與該第-資料線至 二重:且該第一分支電極電連接一晝素 以一=支電極及該晝素電極之間具有-第m及 少部份ΐ:分支電:,該第二分支電極與該第二資料線至 刀ι且該第一分支電極電連接該晝素電極,其中 =弟刀支電極及該第二分支電極位於該晝素電極之相對 側’以及該第二分支電極與該晝素電極之間 隙。 本一間 .如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示器,其中: 該晝素電極與該第一資料線之重疊面積為Α,; 該晝素電極與該第二資料線之重疊面積為Β; 與該晝素電極電連接之該第—分支電極與該第—資 線之重疊面積為A ;以及 、广 20 1328709 =素電極電連接之該第二分支電極與該第二資料 綠之重疊面積為B,,且A+A,等於B + B,。 3·如申請專利範圍第!項所述之液晶顯示器,其中· 該第一資料線及該第二資料線為鋸齒狀。/、. 4·如申請專利範圍第3項所述之液晶顯示器,其中. 該〃第一分支電極位於該晝素電極—側之上方、,以及 該第二分支電極位於該晝素電極相對側之下方。 5.如申請專利範圍第3項所述之液晶顯示器,其中: 該第-分支電極位於該晝素電極—側之上方,以及 該第二分支電極位於該晝素電極相對側之上方。 如申請專利範圍第i項所述之液晶顯示器,其中: 電連=資料線是由第一分支資料線及第二分支資料線 ㈣第-分支資料線介於該第-分支資料線 及δ亥旦素電極之間;以及 、 電遠料線是由第三分支資料線及第四分支資料線 而成’且該第三分支資料線介於該第四分支資料線 及該晝素電極之間。 、 7·如申請專利範圍第6項所述之液晶顯示器,其中: 21 1328709 . 該晝素電極與該第二分支f料線至少部份重疊;以及 該晝素電極與該第三分支資料線至少部份重疊。 ' 8.如申請專利範圍第6項所述之液晶顯示器,其中: . 該晝素電極與該第一分支資料線及該第二分支貪料線 至少部份重疊;以及 該晝素電極與該弟二分支貢料線及該第四分支資料線 ' 至少部份重疊。 9. 一種液晶顯示器,包括: 一基板; 複數個晝素電極,位於該基板上,以一晝素矩陣陣列 排列方式形成; 一第一資料線、一第二資料線及一第三資料線,分別 形成於該基板上,其中該第二資料線設於該第一資料線及 鲁該第三資料線之間;以及 複數條掃描線,形成於該基板上,該些掃描線與該第 一資料線、該第二資料線及該第三資料線彼此交錯; 其中至少一晝素電極,具有第一子晝素電極及第二子 ' 晝素電極,該第一子晝素電極及該第二子晝素電極彼此電 連接,該第一子晝素電極部分重疊該第一資料線及該第二 資料線,且該第二子晝素電極部分重疊該第二資料線及該 第三資料線。 22 10Z6/U^ 1〇·如专請專利範®第9項岐d日日顯示器,其中: 。玄子晝素電極與該第一資料線之重疊面積為Μ ; 該第子晝素電極與該第二資料線之重疊面積為Ν; 、°玄第—子晝素電極與該第二資料線之重疊面積為〇 : 戎第二子晝素電極與該 且Μ + Ρ等於Ν+ο。 第二資料線之重疊面積為ρ, y項所述之液晶顯示器,其中謂 間隙。 11 ·如申請專利範圍第 一子晝素電極及該第二 ,,•八口口剛小1 子畫素電極之間具有
    十一、圓式··
    23
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