TWI324642B - - Google Patents

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1324642 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於-種用以防切融液因為塵埃從熱遮 蔽體落下至矽融液而遭受污染之單結晶石夕之拉弓丨裝置，石夕 融液之污染防止方法以及石夕融液之污染防止装置。、 【先前技術】 第1圖係單結晶石夕拉引裝置之示意圖。

於單結晶矽拉引裝置丨n夕、墙躲，Λ + A ^ iU之爐體1之内部係設有：斷熱 材2，係用以遮斷配置於爐體丨+ 媼體1之内壁面之内側之爐體内 外的熱傳導i坩堝3，係田, Λ 係用以保持如多結晶矽之矽材料且 將此石夕材料溶解後之矽融液 丁 Μ彌留，加熱Is 4，係以圍 繞掛堝3之方式配置且經由相_ i由坩堝3將矽材料予以加熱；以 及熱遮蔽體5，係以圍繞單社曰6 囷梵皁~0日矽8之拉引路徑之方式配 置於坩堝3之上方。 此外’亦有以圍繞單έ士 a功0 > i , 早、、.°日曰矽8之拉引路徑之方式而於 甜禍3之上方設置冷卻線圈6之情形。冷卻線圈6係由供 冷卻水流動的管路捲繞成螺旋狀而形成，其整體形狀為筒

狀。冷卻線圈6係以使妹a夕私2丨A 使、，°曰曰之拉引路徑位於螺旋之内側之 方式配置於坩堝3的上方。芒益丄人 J上万若藉由冷卻線圈6加速單結曰 石夕8的冷卻速度，則由於簞娃 日日 只j田於早結晶矽8所含空孔狀的缺 即所謂的COP的尺寸會變小

Tf變小，因此結晶品質獲得提昇。 外’由於單結晶矽8的劁洪3 旳氟坆周期加快，因此製造效率

提昇。另外亦有控制單έ士舻石々Q 刺早，.，。阳矽8之氧析出物之情形或改盖 7054-8176-PF；Ahddub 5 U24042 氧化膜耐f之情形’而於與冷卻線圈6之位置大致相同的 位置又置筒狀的加熱器或淨化管(purge tube)而非冷卻線 圈。 茲在此簡單說明使用單結晶矽拉引裝置丨〇之單結晶 矽製以處理之步驟。將矽材料投入於坩堝3並啟動加熱器 :疋夕材料即被加熱溶解而產生石夕融液。將石夕的種晶浸 潰；斤產生的石夕融液。將該種晶進行拉引時，即於種晶周 圍長成早結晶8。知之丨〇σ /丄β ^ n δ於拉引早結晶矽8之際調整拉引速度 及熱遮蔽體5的位置等n將冷卻水流通至冷卻線圈 6的管路，以強制性將單結晶矽8予以冷卻。 長成單結晶矽8之時，係從爐體1内的上方供給 Ar(argon氬）氣體。第5圖係顯示一般爐體内的氣體流之 圖第5圖（a)係顯不單結晶砂之長成初期的氣體流，而第 5圖(b)則係顯示單結晶矽之長成初期後之氣體流。 如第5圖（a)所示，單結晶矽8的長成初期，係使從爐 體内之上方供給的Ar氣體通過冷卻線圈6的内側而下降 到矽融液附近。更下降於坩肖3與加熱器4的間隙，而從 6又於爐體1之下部的氣體排出口 la流出至爐體】的外部。 此外從爐體1内之上方所供給之Ar氣體的一部分係於通 過冷卻線圈6之内側之後，通過冷卻線圈6之下端h與熱 遮蔽體5的間隙而於冷卻線圈6與熱遮蔽體5的間隙上 升，與從爐體1之上方所供給之Ar氣體合流。 如第5圖（b)所示，於單結晶矽8之長成初期之後，係 使從爐體1内之上方所供給之Ar氣體的一部分通過冷卻線 7054-8176-PF;Ahddub 6 1324642 圈6之内#卜亦即通過冷卻線圈6與單結_ 8之間隙而 下降至㈣液附近。又下降於_ 3與加熱器4的間隙， 而從設於爐體i之下部的氣體排出口 la流出至爐體）的外 部。此外’在從爐體i内之上方所供給之Ar氣體的一部分 係下降於冷卻線圈6與熱遮蔽體5的間隙，而通過冷卻線 圈6之下端6a與熱遮蔽體5的間隙’與通過冷卻線圈6之 内側的Ar氣體合流。 零 【發明内容】 (發明所欲解決的課題） 如第5圖（a)、（b)所示，於單結晶石夕8之長成初期及 該長成初期之後，流動於冷卻線圈6之下端6a與熱遮蔽體 5之間隙的紅氣體的行進方向會產生變化。此時若流速的 變化量較大，則附著於熱遮蔽體5的塵埃會有剝落的情 形。剝落的塵埃會沿著熱遮蔽體5掉落，而落下至發融液。 • :外亦有附著於爐體1之上部的塵埃落下的情形。塵 埃係落下至熱遮蔽體5,且沿著熱遮蔽體5掉落，而落下 至碎融液。 若塵埃落下至矽融液時，則矽融液會受到污染。尤其 是矽融液中的塵埃如被引入至所要長成的結晶時，則會阻 礙結晶的單結晶化，而會產生單結晶石夕品質降低的問題。 因此必須防止塵埃落下至碎融液。 本發明係有鑑於此實際情形而研創者，其目的在減低 塵埃落下至矽融液，以防止單結晶矽的品質降低。 7 7054-8176-PF；Ahddub 1324642 (用以解決課題的手段） 本發明之第1形能為_接σ # 1 I、為#早結晶矽之拉 内具備有用以圍繞單結晶矽 罝於熳 /二拉弓丨路徑的筒狀體以及 圍繞此请狀體的熱遮蔽體，一 面從爐内上方將氣體供給至 下方，一面對單結晶矽進行拉引， 其特徵在於： 速達:=Γ狀體之τ端與熱遮蔽體之間隙之氣體的流 速達㈣止塵埃落下至石夕融液程度之方式配置單結晶石夕之 拉引路徑、筒狀體及熱遮蔽體。 内且之第2形態為一種單結晶石夕之拉引裝置’於爐 内具備有用以圍繞單結晶石夕之拉引路徑的筒狀體以及用以 圍繞此筒狀㈣熱鞋體，—面從爐内上方 下方，一面對單結晶石夕進行拉引’ 供至 其特徵在於： 將由單結晶石夕之侧面與筒狀體之内壁面所形成之環狀 工間之中’與結晶之拉引軸正交之平面所包含之剖面部分 的面積設為S1，且將從筒狀體之下端朝下方延伸之筒狀= 間之中，位於筒狀體與熱遮蔽體之間之部分的側面之 設為S2時，S2/S1為1· 01以下。 兹說明第1、第2形態之發明。 尸從單結晶矽拉引裝置之爐體内上方供給Ar氣體時，計 風體係沿著單結晶石夕下降。於單結晶石夕之長成初期及該長 成初期之後，通過筒狀體之下端與熱遮蔽體之間隙的^ 7054-8176-PF;Ahddub 8 體之们進方向雖會產生變化，然而通過筒狀體之下端與熱 遮蔽體之間隙的Ar氣體只要是較小的流速，料使^氣 體的行進方向產生變化，Ar氣體的流速的變化量也會較 小。於是可防止塵埃導因於Ar氣體之行進方向產生變化而 從熱遮蔽體剝落。因此可防止塵埃落下至矽融液。 通過筒狀體之下端與熱遮蔽體之間隙的Ar氣體之流 速，會由於單結晶石夕之拉引路徑、筒狀體及熱遮蔽體的配 置而受到影響。因此，只要調整單結晶矽之拉引路徑、筒 狀體及熱遮蔽體之相對位置，即可控制通過筒狀體之下端 與熱遮蔽體之間隙之Ar氣體的流速。 具體而言，係於將由單結晶矽之側面與筒狀體之内壁 面所形成之環狀空間之中，與結晶之拉引軸正交之平面所 包含之剖面部分的面積設為S1，且將從筒狀體之下端朝下 方延伸之筒狀空間之中，位於筒狀體與熱遮蔽體之間之部 分的側面之面積設為S2時，使S2/S1成為1. 〇1以下之方 式，配置單結晶矽之拉引路徑、筒狀體及熱遮蔽體。 本發明之第3形態為一種石夕融液之污染防止方法，於 爐内具備有用以圍繞單結晶矽之拉引路徑的筒狀體以及用 以圍繞此筒狀體的熱遮蔽體的單結晶矽之拉引裝置，用以 防止塵埃因為從爐内上方下降的氣體而落下至矽融液， 其特徵在於： 以使通過筒狀體之下端與熱遮蔽體之間隙之氣體的流 速達到防止塵埃落下至矽融液程度之方式調整單結晶石夕之 拉引路徑、筒狀體及熱遮蔽體之相對位置。 9 7054-8176-PP；Ahddub 1324642 本發明之第4形態為一種單結晶矽之矽融液之污染防 止方法，於爐内具備有用以圍繞單結晶矽之拉引路徑的筒 狀體以及用以園繞此筒狀體的熱遮蔽體的單結晶矽之拉引 裝置’用以防止塵埃因為從爐内上方下降的氣體而落下至 碎融液， 其特徵在於： 將由單結晶矽之側面與筒狀體之内壁面所形成之環狀 二間之中’與結晶之拉引轴正交之平面所包含之剖面部分 的面積設為S1，且將從筒狀體之下端朝下方延伸之筒狀空 間之中’位於筒狀體與熱遮蔽體之間之部分的侧面之面積 設為S2時，以使S2/S1成為1.01以下之方式調整單結晶 石夕之拉引路徑、筒狀體及熱遮蔽體之相對位置。 第3形態之發明係將第丨形態之發明置換成方法之發 明者，而第4形態之發明係將第2形態之發明置換成方法 之發明者。 種矽融液之污染防止裝置，防 之拉引路徑之熱遮蔽體落下至 本發明之第5形態為一種 止塵埃從用以圍繞單結晶矽之 妙融液， 其特徵在於： 口大於下方開口，且具有於上方開

熱遮蔽體係上方開口大於 7054-8176-pp;Ahddub 10 1324642 遮蔽體本身的大型化，若過小則又無法發揮儲留塵埃的功 用因此以〇.5至10.Omm左右的凹凸為適當。 本發明之第6形態為一種單結晶矽之拉引裝置，於爐 内具有將供給溫度調整用介質之管路(Pipe)以單結晶矽之 拉引路徑為大致中心而捲繞為螺旋狀而成的溫度調整線圈 以及圍繞此溫度調整線圈之熱遮蔽體，且從爐内上方一面 將氣體供給至下方一面將單結晶石夕進行拉引， 其特徵在於： 具有線圈補充構件，該線圈補充構件係沿著前述溫度 調整線圈下端之整體或—部分安裝而與該溫度調整線圈一 起形成線圈體； 而别述線圈體下端之任一部份與前述熱遮蔽體之間隙 係為固定。 由螺旋狀管路構成之溫度調整線圈係於下端產生高低 差。因此溫度調整線圈之下端與用以圍繞溫度調整線圈周 圍之熱遮蔽體的間隙會因為場所而有所不同。為了防止此 種間隙的不均勾’係安裝有線圈補充構件，用以對於溫度 調整線圈之下端整體或-部分施以高低差的補充。線圈補 充構件與溫度調整線圈係成為一體而形成線圈體。線圈體 之下端與熱遮蔽體之間隙的任一部份均設為大致固定。如 此-來’在線㈣與熱遮蔽體的間隙即難以產生氣體流動 的不均勻。 (發明之效果） 11 7054-8176-PF；Ahddub 1324642 根據第1至第4形態之發明，可將通過冷卻線圈等筒 狀體之下端與熱遮蔽體之間隙的Ar氣體的流速減小，因而 減低塵埃導因於氣體流變化而從熱遮蔽體表面剝落。是 故，可減低塵埃落下至矽融液，而防止單結晶矽品質的降 低。 根據第5形態之發明，可將從爐體内上部落下至熱遮 蔽體之塵埃及熱遮蔽體上的塵埃儲留於熱遮蔽體。是故， 可減低塵埃從熱遮蔽體落下至矽融液，而防止單結晶矽品 •質的降低。 根據第6形態之發明’由於係將線圈補充構件安裝於 如冷卻線圈之溫度調整線圈之下端而形成線圈體，因此可 將線圈體之下端與熱遮蔽體之間隙，在所有的部份均保持 固定。因此在線圈體與熱遮蔽體的間隙將難以產生氣體流 動的不均勻化。是故，不會再有引起堆積於爐體内上部之 微小塵埃落下之情形’而可減低塵埃落下至矽融液，而防 0 止單結晶矽品質的降低。 【實施方式】 以下參照圊式說明本發明之實施例。 實施例1係有關於通過冷卻線圈之下端與熱遮蔽體之 間隙的氣體流的控制，而實施例2、3則係有關於熱遮蔽體 的形狀。 (實施例1) 本實施例之裝置構成雖係與第1圖所示之單結晶矽拉 7054-8176-PF;Ahddub 12 1324642 引裝置10相同，然而其不同點乃在於熱遮蔽體5、冷卻線 圈6與單結.晶矽8之拉引路徑的配置係以後述之面積si、 * S2為依據來決定。 . 熱遮蔽體5、冷卻線圈6及單結晶矽8之拉引路徑的 相對位置，係以使通過冷卻線圈6之下端6a與熱遮蔽體5 之間隙的氣體流速，不致使塵埃從熱遮蔽體5剝落之程度 之方式作調整。該相對位置係於例如單結晶石夕拉引裝置1 〇 的製造階段，依據各構成要素之尺寸、形狀而求出後述之 ® 面積比S2/S1來決定。 此外，亦可將冷卻線圈6與熱遮蔽體5中至少一方設 成可自由升降動作，而使冷卻線圈6與熱遮蔽體5之相對 位置適當變化。此時，冷卻線圈6與熱遮蔽體5之升降動 作係由未圖示之控制器所控制。此外在本實施例中，雖說 明圍繞單結晶矽8之拉引路徑的筒狀體作為冷卻線圈6， 然而本發明亦可適用於設置加熱器或淨化管而非冷卻線圈 φ 6之情形。 第2圖係顯示本實施例所使用面積S1、S2之圖。 在本實施例中係根據面積S^S2之要素來進行單結晶 -矽8之拉引路#、冷卻線圈6與熱遮蔽體5之相對位置的 調整》 . 於單結晶矽8之側面與冷卻線圈6之内壁面之間係 成f環狀空間2卜第2圖⑻係顯示在環狀空間21中與』 正父之平面所包含之剖面部分的剖面21a。茲以此剖面2] 的面積為S1。接著，假設冷料g 6朝下方延伸的情形 7〇54-8176-PF;Ahddub 13 1SZ4M2 又假設在此情形下於冷卻線圈6之下方設有筒狀空間22。 第2圖（c)係顯示在此筒狀空間22中形成於冷卻線圈6與 .熱遮蔽體5之間的部分22a。兹將此部分…的周面之面 , 積設為S2。 面積S1係依據要拉引之單結晶梦8的直徑與冷卻線圈 6的直位來決疋。而面積S2則係依據熱遮蔽體5的形狀與 冷部線圈6的直徑、以及熱遮蔽體5與冷卻線圈6的位置 來決定。在此重要的並非是面積W、S2的值，而是其比值 • S2/S1(或 S1/S2)。 '、 第1表係顯示本發明人有關於面積比S2/S1之實驗數 據。第1表係為拉引直徑200mm之結晶時的數據。 第1表 S2/S1 效果 1.15 X 1.01 〇 0.8 〇 石夕融液中的塵埃會影響單結晶石夕的品質。具體而士’ 塵埃會阻礙結晶的單結晶化。石夕融液中塵埃愈多則所：生 之結晶的單結晶化率愈低’反之，若塵埃愈少則所產生之 結晶的多結晶化率愈高。在將面積比S2/S1設為i.15時所 產生的結晶’由於單結晶化率低’無法容許作為產品。而 在將面積比S2/S1設為未達到丨15(1 〇1、〇 8)時所產生 之結晶，則單結晶化率較高。本發明人係認為在面精比 ⑽之……之間，具有要產生之結晶之= 晶化率是Η容許作為產品的臨限值H只要以使面 7054-8176-PF;Ahddub 1324042 積比S2/S1未達^5(理想為1〇1以下）之方式調整熱遮 蔽體5冷卻線圈6與單結晶♦ 8之拉引路徑之相對位置， 則可產生作為良好產品的結晶。 第1表雖係為直徑20〇mm之數據，然而其他直徑的結 晶亦可獲得相同結果。 第3圖係顯示本實施例之爐體内之氣體流之圖。第3 圖（a)係單結晶矽之長成初期之氣體流，而第3圖（1))係顯 不單結晶矽之長成初期後之氣體流。 從單結晶矽拉引裝置之爐體内上方供給紅氣體時，奸 氣體係沿著單結晶矽8之拉引路徑下降。如第3圖所示， 右面積比S2/S1為適當的值，則通過冷卻線圈6之下端 與熱遮蔽體5之間隙的氣體流速會變小。若通過冷卻線圈 6之下端6a與熱遮蔽體5之間隙的Ar氣體流速較小，則 即使Ar氣體之行進方向產生變化，流速的變化量亦較小。 因此，可抑制塵埃導因於Ar氣體之行進方向產生變化而從 熱遮蔽體5落下。 依據本實施例，可將通過冷卻線圈等筒狀體之下端與 熱遮蔽體之間隙的Ar氣體之流速减小。因此可降低塵埃導 因於氣體流之變化而從熱遮蔽體表面剝落。是故，可減低 塵埃落下至石夕融液’而防止單結晶砂的品質降低。 (實施例2 ) 第4圖係熱遮蔽體之剖面的示意圖。 在熱遮蔽體55中，單結晶矽58側之表面55a係為凹 凸狀。凹凸的高低差係為可儲留沿著熱遮蔽體55之表面 7054 - 8176-PP；Ahddub 15 1324642 553落下之塵埃的程度。具體而言係為〇 5至i〇 〇mm左右。 據本貫施例’可將從爐體内上部落下至熱遮蔽體之 塵埃及熱遮蔽體上之塵埃儲留於熱遮蔽體。因此，可減低 、從熱遮蔽體落下至石夕融液，而防止單結晶石夕的品質降 低。 (實施例3) 再者如第6圖所示，實際上的冷卻線圈6係具有以單 日曰夕8之拉引路徑為大致中心而捲繞成螺旋狀的冷卻管 路6b。在此冷卻管路6b的内部，係從未圖示之冷卻水供 給機構供給作為冷卻介質的冷卻水。以此方式將冷卻管路 6b設成螺旋狀而形成筒狀的冷卻線圈6時冷卻線圈6之 下端“不會平坦，而會產生最大相當於1支管路程度的高 低差L1-L2。因此，冷卻線圈6之下端&與熱遮蔽體5 之間隙將因為場所而有所不肖，產生氣體流較快的部位與 較慢的部位，而產生氣體流的不均勻化。如此，若在冷卻 線圈6之下端6a與熱遮蔽體5的間隙i生氣體流的不均句 化’則氣體流隨著單結晶矽8之拉引產生變化之際，會引 發堆積於爐體内上部之微小塵埃（碳等）的落下。 在本實施例中’如第7圖⑷所示，為了防止導因於此 種高低差所產生塵埃的落下，係沿著冷卻線圈6之下端^ 之一部分而安裝有線圈補充構件61。線圈補充構件Η係 具有與冷卻線圈6相同的曲率。冷卻線圈6與線圈補充構 件61係一體形成，在此茲將經一體形成之構造體稱為線圈 體60。線圈補充構件61係用以補充冷卻線圈6之下端h 7054-8176-PF;Ahddub 16 之咼低差，使線圈體60之下端形成大 件61之材料只要不會對單結晶石夕8 響’則任何材料均無妨。 取代如第7圖(a)所示將線圈補充構件61安裝於冷卻 線圈6之下端^的_部分，亦可如第7圖⑻所示，將線 圈補充構件62安裝於冷卻線圈6之下端6a的整體。

致平坦。線圈補充構 的形成或品質造成影 、，、此外在本實施例中，雖將線圈補充構件61設於筒狀的 冷P線圈6 ’惟不以此為限，亦可將線®補充構件61設於 將溫度調整介質流通於螺旋狀管路之筒狀的線圈。 依據本實施例，由於將線圈補充構件安裝於如冷卻線 圈之溫度調整線圈之下端而形成線圈體，因此可在所有的 部分使線圈體之下端與熱遮蔽體之間隙成為固定。因此在 線圈體與熱遮蔽體之間係不致產生氣體流的不均勻化。是 故，不會引發堆積於爐體内上部之微小塵埃落下，而可減 低塵埃落下至矽融液，防止單結晶矽的品質降低。 【圖式簡單說明】 第1圖係草結晶梦之拉引裝置之示意圖。 第2圖（a)、（ b )、（ c )係顯示第1實施例所使用之面積 S1/S2之圖。 第3圖（a)、（b)係第1實施例之爐體内的氣體流之圖。 第4圖係熱遮蔽體之剖面之示意圖。 第5圖（a)、（b)係一般爐體内之氣體流之圖。 第6圖係一般冷卻線圈之示意圖。 7054-8176-PF;Ahddub 17 丄似642 示意圖

【主要元件符號說明】 1〜爐體； 2〜斷熱材； 4〜加熱器； 6〜冷卻線圈； 8〜單結晶矽； 21~環狀空間； 55~熱遮蔽體； 60〜線圈體； 62〜線圈補充構件； 1 a ~氣體排出口； 3〜坩堝； 5〜熱遮蔽體； 6b~冷卻管路； 10〜單結晶砂拉弓丨裝置 22~筒狀空間； 5 8 ~單結晶妙； 61 ~線圈補充構件； S2、S1 ~面積； 6a〜下端（冷卻線圈6之下端 55a~表面（熱遮蔽體55之表面）；

2 2a~部分（冷卻線圈6與熱遮蔽體5之間的部分）. 21a〜剖面（在環狀空間21中與軸正交之平面所包含之 刮面部分的剖面）。 7054-8176-PP；Ahddub 18

Claims (1)

1. 十、申請專利範圍： OD 1 · 一種單結晶矽之拉引裝置，於爐内具備有用以圍繞 單結晶石夕之拉引路徑的筒狀體以及用以圍繞此筒狀體的Z 遮蔽體面從爐内上方將氣體供給至下方， 晶矽進行拉引， 其特徵在於： 、.以使通過筒狀體之下端與熱遮蔽體之間隙之氣體的流 速達到防止塵g落下至♦融液程度之方式配置單結晶石夕之 拉引路徑、筒狀體及熱遮蔽體。 时2.-種單結晶石夕之拉引裝s，於爐内具備有用以圍繞 早結晶碎之拉引路徑的筒狀體以及用以圍繞此筒狀體的熱 遮蔽體’-面從爐内上方將氣體供給至下方，-面對單: 晶石夕進行拉引， 其特徵在於： 將由單結晶石夕之側面與筒狀體之内壁面所形成之環狀 工間之中’與結晶之拉引軸正交之平面所包含之剖面部分 的面積設為S卜且將從筒狀體之下端朝下方延伸之筒狀允 間之中’位於筒狀體與熱遮蔽體之間之部分㈣面之面: 設為S2時’ S2/S1為1·〇ι以下。 、 3. —種梦融液之污染防+ 土 π〇 木防止方去，於爐内具備有用以圍 繞單結晶石夕之拉引路徑的筒社·钟，、，Q m Ml路仏的诗狀體以及用以圍繞此筒狀體的 熱遮蔽體的單結晶矽之拉引裝置， 1 用以防止塵埃因為從爐 内上方下降的氣體而落下至石夕融液， 其特徵在於： 19 7054-8176-PF；AhdHuh 1324642 以使通過筒狀體之下端與熱遮蔽體之間隙之氣體的流 2到防止塵埃落下至梦融液程度之方式調整單結… 租W路徑、筒狀體及熱遮蔽體之相對位置。 4. -種單結晶石夕之石夕融液之污染防止方法，於爐内且 =用以圍繞單結㈣之拉引路徑的筒狀體以及用以圍繞 玲狀體的熱遮蔽體的單結晶石夕之拉引裝置，用以防止塵 埃因為從爐内上方下降的氣體而落下至矽融液， 其特徵在於： *將由單結晶矽之側面與筒狀體之内壁面所形成之環狀 工間之中，與結晶之拉引軸正交之平面所包含之剖面部分 的面積設為S1’且將從筒狀體之下端朝下方延伸之筒狀空 間之中，位於筒狀體與熱遮蔽體之間之部分的側面之面： 設為S2時’以使謂成為以以下之方式調整單結晶 矽之拉引路徑、筒狀體及熱遮蔽體之相對位置。 5· 一種石夕融液之污染防止裝置，防止塵埃從用以圍繞 單結晶矽之拉引路徑之熱遮蔽體落下至矽融液， 其特徵在於： 熱遮蔽體係上方開口大於下方開口，且具有於上方開 口與下方開口之間朝向單結晶梦之拉引路徑側的斜面，且 於此斜面具有高低差為〇·5至1〇〇mm左右的凹凸。 6. —種單結晶矽之拉引裝置，於爐内具有將供給溫度 調整用介質之管路以單結晶矽之拉引路徑為大致中心而捲 繞為螺旋狀而成的溫度調整線圈以及圍繞此溫度調整線圈 之熱遮蔽體，且從爐内上方—面將氣體供給至下方一面將 20 7054-8176-PF；Ahddub 1324642 單結晶矽進行拉引， 其特徵在於： 具有線圈補充構件，該線圈補充構件係沿著前述溫度 調整線圈下端之整體或一部分安裝而與該溫度調整線圈一 起形成線圈體； 前述線圈體下端之任一部份與前述熱遮蔽體之間隙係 為固定。

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