TWI323871B - Current mirror for oled - Google Patents

Description

1323871 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明提供一電流鏡，尤指一用於驅動有機發光二極 體面板之電流鏡。 【先前技術】 隨著科技的曰新月異，輕薄、省電、可攜帶式的智慧型 資訊產品已經充斥了我們的生活空間，而顯示器則在其間 扮演了相當重要的角色。不論是手機、個人數位助理或是 筆記型電腦，均需要顯示器作為人機溝通的介面。近年來 顯示器在高畫質、大畫面、低成本的需求下已有很大進步， 尤其是平面顯示器的開發，更進一步地提升了顯示影像的 品質。其中有機發光二極體（organic light-emitting diode， OLED)顯示器雖然起步較液晶顯示器（LCD)晚，但卻以具 備自發光、廣視角、回應速度快、低耗電量、對比強、亮 度高、厚度薄、可全彩化、結構簡單以及操作環境溫度範 圍大等優點，已逐漸在中、小尺寸攜帶式顯示器領域中受 到矚目；甚至有凌駕於液晶顯示器（liquid crystal display， LCD)之上的趨勢。特別是在經過業界以及學界鍥而不捨的 研發之後，一些之前所無法解決的問題，例如製程良率過 低、罩幕應用不良、封蓋（cap seal)作業不穩定等，目前已 經有了突破性的發展。 5 1323871 有機發光二極體本身係為一電流驅動元件，其發光亮 度乃根據通過電流的大小來決定，因此電流的穩定度非常 重要。以高解析度的被動式矩陣有機發光二極體（passive matrix OLED，PMOLED)或電流模式（current mode)的 主動式矩陣有機發光二極體（active matrix OLED， AMOLED)而言，所提供的電流間之一致性（uniformity) 尤其重要。 被動式矩陣有機發光二極體可採用脈衝寬度調變 (pulse width modulation，PWM)的方式來驅動，藉由改 變脈衝電壓之負載循環(duty cycle)來控制其發光亮度。在 目前的技術中，一般多採用電流鏡來驅動有機發光二極 體，而且因為整體電路無法避免採用高電壓電源，因此現 行用來驅動有機發光二極體的電流鏡電路多採用.高電壓式 金氧半導體（high voltage metal oxide semiconductor，HV MOS)。請參閱第1圖。第1圖所示係為習知使用脈衝寬 度調變來驅動有機發光二極體面板之電流鏡100之示意 圖。電流鏡100包含P0至Pn共n+1個高電壓式P型金氧 半電晶體(high voltage p-type metal oxide semiconductor > HV PMOS)(第1圖上只顯示P0、PI、P2與Pn)。電流鏡 1 〇〇接收高電壓電源Vcc_HV，在第1圖之例中，即各高電 壓式P型金氧半電晶體之源極皆耦接於高電壓電源 6 1323871

t I ^ Vcc_HV;且各高電壓式P型金氧半電晶體之基極亦皆耦接 於高電壓電源Vcc_HV。電流鏡100由各高電壓式P型金 氧半電晶體之汲極輸出電流II至In至有機發光二極體面 板之各點。然而，由於高電壓式P型金氧半電晶體的臨界 電壓（threshold voltage )變異很大，因此將造成電流11至 In之電流值間很大的變異；即無法達到高解析度顯示面板 對於電流穩定度的需求，影響了顯示影像的品質。 若改以採用疊接式（cascode)之電流鏡電路架構，則 仍然會遇到相同的問題。請參閱第2圖。第2圖所示係為 * 習知使用脈衝寬度調變方式來驅動有機發光二極體面板之 . 疊接式電流鏡200之示意圖。相較於第1圖之電路，疊接 式電流鏡200另包含PC0至PCn共n+1個高電壓式P型金 氧半電晶體（第2圖上只顯示PC0、PCI、PC2與PCn)， 分別串接於原本之高電壓式P型金氧半電晶體P0至Pn之 下。然而，由於P0至Pn係為高電壓式P型金氧半電晶體， 所以其汲極，也就是節點A0至An的電壓有可能非常高。 所以為了安全起見，習知之疊接式電流鏡200必須全採用 高電壓式P型金氧半電晶體。因此，在如第2圖所示之疊 接式電流鏡200中，仍然會因為高電壓式P型金氧半電晶 體PC1至PCn的臨界電壓之變異，而造成高電壓式P型金 « 氧半電晶體PC1至PCn所輸出至有機發光二極體面板之各 '電流Icl至Icn之間存在過大的變異，而無法符合高解析度 7 丄以3871 ' 顯示面板對於電流穩定度的需求。 % 被動式矩陣有機發光二極體亦可採用脈波振幅調變 (Pulse amplitude modulation，PAM)方式來驅動。請參閱第 3圖。第3圖所示係為一 Μ位元脈波振幅調變模組30之示 意圖。脈波振幅調變模組30包含開關SWl-SWm及Ν型金 氡半電晶體Nl-Nm ’流經每一 N型金氧半電晶體Nl-Nm •之電流分別由Idci-Idcih來表示，脈波振幅調變模組30可透 過開關SW1 -SWm來控制電流IDC1-IDCm之流通與否，進而 控制加總後電流IDC之大小。 * . 請參閱第4圖。第4圖所示係為習知使用脈波振幅調 變方式來驅動有機發光二極體面板之電流鏡400之示意 圖。電流鏡400包含一電流源IDC、一 N型金氡半電晶體 (n-type metal oxide semiconductor * LV NMOS ) NO » 2n 個高電壓式P型金氧半電晶體Pl-Pn與Pl，-Pn，，以及脈波 振幅調變模組PAMl-PAMn。電流鏡300接收高電壓電源 Vcc_HV’在第3圖中，各高電壓式P型余氧半電晶體之源 極與基極皆耦接於高電壓電源Vcc_HV，而高電壓式P型 金氧半電晶體Pl’-Pn’之汲極分別耦接至脈波振幅調變模 組PAMl-PAMn，脈波振幅調變模組PAMl-PAMn可為第3 ' 圖中所示之Μ位元脈波振幅調變模組30。高電壓式P型金 _ 氧半電晶體Ρ1 ’411’之汲極輸出電流II’-In’則耦接至有機發 1323871 光二極體面板之各點。電流鏡400透過脈波振幅調變模組 螫 PAMl-PAMn分別控制流經高電壓式P型金氧半電晶體 黴

Pl-Pn之電流Il-In大小，進而控制高電壓式P型金氧半電 晶體ΡΓ-Ρη’之汲極輸出電流Il’-In’之值，如此有機發光二 極體面板之各點可依據不同驅動電流來顯示不同像素的影 像。然而，由於高電壓式P型金氧半電晶體Pl-Pn與ΡΓ-Ρη’ 的臨界電壓變異很大，因此將造成電流ΙΓ至In’之電流值 φ 間很大的變異，無法達到高解析度顯示面板對於電流穩定 度的需求，影響了顯示影像的品質。 • 請參閱第5圖。第5圖所示係為習知使用脈波振幅調變 . 方式來驅動有機發光二極體面板之疊接式電流鏡500之示 意圖。相較於第4圖之電路，疊接式電流鏡500另包含2n 個高電壓式P型金氧半電晶體PCl-PCn及PCl’-PCn’，分 別串接於原本之高電壓式P型金氧半電晶體Pl-Pn與 ΡΓ-Ρη’之下。然而，由於Pl-Pn與ΡΓ-Ρη’係為高電壓式P 型金氧半電晶體，所以其汲極，也就是節點Α1至An的電 壓有可能非常高。所以為了安全起見，習知之疊接式電流 鏡500必須全採用高電壓式P型金氧半電晶體。因此，在 如第5圖所示之疊接式電流鏡500中，仍然會因為高電壓 式P型金氧半電晶體PCl-PCn及PCl’-PCn’的臨界電壓之 變異，而造成高電壓式P型金氧半電晶體PCl’-PCn’輸出 — 至有機發光二極體面板之各電流Il’-In’之間存在過大的變 9 1323871 ，異’而無法符合高解析度顯示面板對於電流穩定度的需 ,求，影響了顯示影像的品質。 請參閱第6圖。第6圖所示係為習知另一使用脈波振幅 調變來驅動有機發光二極體面板之疊接式電流鏡600之示 意圖。相較於第5圖之電路，在疊接式電流鏡600中，各 高電壓式P型金氧半電晶體PCl-PCn之汲極分別耦接至相 •對應高電壓式P型金氧半電晶體Pl-Pn之閘極，而各金氧 半電晶體PCl-PCn與Pci’-PCn’之基極耦接至一參考電壓 Vref °在如第6圖所示之疊接式電流鏡6〇〇中，仍然會因 為高電壓式P型金氧半電晶體PCl-PCn及PCl’-PCn’的臨 .界電壓之變異’而造成高電壓式P型金氧半電晶體 PCl’-PCn’所輸出至有機發光二極體面板之各電流ΙΓ·Ιη， 之間存在過大的變異，而無法符合高解析度顯示面板對於 電流穩定度的需求。 在主動式矩陣有機發光二極體顯示器中，每一發光二 極體分別由一薄膜電晶體(thin film transistor，TFT)開關來 控制。主動式矩陣有機發光二極體顯示器之資料驅動電路 (data driver)包含一多位元數位類比轉換器 (digital-to-analog converter，DAC)，可依據每一發光二極 ' 體欲顯示影像之像素產生相對應之驅動電流。依據驅動電 ' 流的流向’資料驅動電路可分為吸入模式（sink mode)和送 1323871 出模式（source mode)兩種。請參閱第7圖。第7圖所示係 曹 為習知使用吸入模式來驅動主動式有機發光二極體面板上 發光二極體之電流鏡700的示意圖。電流鏡700包含一電 流源Idc、n個向電壓式N型金乳半電晶體Ν0-Νη ’與開關 SWl-SWn。高電壓式N型金氧半電晶體N0之汲極耦接至 電流源Idc，南電壓式N型金乳半電晶體N1 -Nn.之沒極分 別透過開關SWl-SWn耦接面板上之發光二極體，電流鏡 _ 700藉由開關SWl-SWn控制驅動電流I之大小。然而，由 於高電壓式N型金氧半電晶體的臨界電壓變異亦很大，因 此通過高電壓式N型金氧半電晶體N卜Nn之電流值有可能 • 差異極大，使得驅動電流I偏離預定值，無法達到高解析 - 度顯示面板對於電流穩定度的需求，影響了顯示影像的品質。 請參閱第8圖。第8圖所示係為習知使用送出模式來驅 _ 動主動式有機發光二極體面板上發光二極體之電流鏡800 的示意圖。電流鏡800包含一電流源IDC、η個高電壓式P 型金氧半電晶體ΡΟ-Ρη，與開關SWl-SWn。高電壓式Ρ型 金氧半電晶體P0之汲極耦接至電流源Idc，高電壓式P型 金氧半電晶體Pl-Pn之汲極分別透過開關SWl-SWn耦接至 面板上之發光二極體，電流鏡800藉由開關SWl-SWn控 制驅動電流I之大小。然而，由於高電壓式P型金氧半電 晶體的臨界電壓變異亦很大，因此通過高電壓式P型金氧 " 半電晶體Pl-Pn之電流值有可能差異極大，使得驅動電流 1323871 i偏離預定值，無法達到高解析度顯示面板對於電流穩定度 的需求，影響了顯示影像的品質。 【發明内容】 因此本發明之目的之一在於提供一採用低電壓式金氧 半電晶體之電流鏡以用於驅動有機發光二極體面板，以克 服上述習知技術中的問題。 本發明係揭露一種用於驅動有機發光二極體面板之電 流鏡，其包含一第一低電壓式P型金氧半電晶體、一第二 低電壓式P型金氧半電晶體、一第一高電壓式元件，以及 一第二南電壓式元件。該第'一低電壓式P型金氧半電晶體 包含一源極，耦接於一第一參考電壓；一汲極；以及一閘 極，耦接於該汲極。該第二低電壓式P型金氧半電晶體包 含一源極，耦接於該第一參考電壓；一汲極；以及一閘極， 耦接於該第一低電壓式P型金氧半電晶體之閘極。該第一 高電壓式元件耦接於該第一低電壓式P型金氧半電晶體之 汲極，以及耦接於一第一電流源。該第二高電壓式元件粞 接於該第二低電壓式P型金氧半電晶體之汲極，以及耦接 於一有機發光二極體面板。 本發明另揭露一種有機發光二極體顯示裝置，其包含： 一有機發光二極體面板以及一電流鏡。該電流鏡用來驅動 12 1323871 , 該有機發光二極體面板，其包含一第一低電壓式p型金氧 半電晶體、一第二低電壓式P型金氧半電晶體、一第一高 魯 電壓式元件，以及一第二高電壓式元件。該第一低電壓式 P型金氧半電晶體包含一源極，耦接於一第一參考電壓； 一汲極；以及一閘極，耦接於該汲極。該第二低電壓式P •型金氧半電晶體包含一源極，耦接於該第一參考電壓；一 汲極；以及一閘極，耦接於該第一低電壓式P型金氧半電 • 晶體之閘極。該第一高電壓式元件耦接於該第一低電壓式 P型金氧半電晶體之汲極，以及耦接於一第一電流源。該 第二南電壓式元件柄接於該第二低電壓式P型金乳半電晶 • 體之汲極，以及耦接於該有機發光二極體面板。 本發明另揭露一種用於驅動被動式矩陣有機發光二極 體面板之電流鏡，其包含一電流源、一第一低電壓式P型 _ 金氧半電晶體、一第二低電壓式P型金氧半電晶體、一第 一高電壓式元件、一第二高電壓式元件、一脈波振幅調變 模組，以及一N型金氧半電晶體。該第一低電壓式P型金 氧半電晶體包含一源極，耦接於一第一參考電壓；一汲極； 以及一閘極，耦接於該汲極。該第二低電壓式P型金氧半 電晶體包含一源極，耦接於該第一參考電壓；一汲極；以 及一閘極，耦接於該第一低電壓式P型金氧半電晶體之汲 • 極。該第一高電壓式元件耦接於該第一低電壓式P型金氧 半電晶體之汲極。該第二高電壓式元件耦接於該第二低電 13 金二半電晶體之沒極，以及輕接於-有機發光二 U脈波振幅調變模組耦接於該第一 件。該N型金氧车雷曰^A *㈤電堡式兄 -评極.μ 賴’輕接於該電流源，· 極，以及1極，娜於該脈波振.幅調變模組。 包含一種被動式有機發光二極體顯示裝置，1 =來_有機發光二極體電流 第-低電壓式N型金氧半電晶體、1電…原、一 氧半電晶體、一第_高電壓式元件？壓式N:金 -脈波振幅調變模組，以及— 7 壓式讀、 低電壓式N型金氧半電曰體 “〃電晶體。該第— 考電壓一汲接:及電::極包含:源極一第-參 電壓式N型金氧半電晶體包於^極。該第二低 電壓；-沒極；以及一閘極接、’輕接於該第一參考 金氧半電晶體之沒極。該第一^ 一低電壓式Μ 低電壓式Ν型金氧半電晶體之:極壓:::件耦接於該第-輕接於該第二低電壓式㈣:二-帽式元件 接於-有機發光二極體面板。^電晶體之沒極，以及輕 該第-高電壓式元件。該Ν :脈波振幅調變模_接於 耦接於該電流源；一源極；以及：：電晶體包含-汲極， 幅調變模組❶ $極’耦接於該脈波振 1323871 . 本發明另揭露一種用於驅動主動式有機發光二極體面 % 板之電流鏡，其包含一電流源、一第一低電壓式N型金氧 半電晶體、一第二低電壓式N型金氧半電晶體、一第一高 電壓式元件、一第二高電壓式元件，以及一開關元件。該 第一低電壓式N型金氧半電晶體包含一源極；一汲極；以 及一閘極，耦接於該汲極。該第二低電壓式N型金氧半電 晶體包含一源極，耦接於第一低電壓式N型金氧半電晶體 • 之源極；一汲極；以及一閘極，耦接於該第一低電壓式N 型金氧半電晶體之閘極。該第一高電壓式元件耦接於該第 一低電壓式N型金氧半電晶體之汲極，以及耦接於該電流 • 源。該第二高電壓式元件耦接於該第二低電壓式N型金氧 ' 半電晶體之汲極。該一開關元件耦接於該第二高電壓式元 件和一有機發光二極體面板。 g 本發明另揭露一種主動式有機發光二極體顯示裝置，其 包含一主動式有機發光二極體面板以及一電流鏡。該電流 鏡用來驅動該主動式有機發光二極體面板，且包含一電流 源、一第一低電壓式N型金氧半電晶體、一第二低電壓式 N型金氧半電晶體、一第一高電壓式元件、一第二高電壓 式元件，以及一開關元件。該第一低電壓式N型金氧半電 晶體包含一源極；一汲極；以及一閘極，耦接於該汲極。 該第二低電壓式N型金氧半電晶體包含一源極，耦接於第 一低電壓式N型金氧半電晶體之源極；一汲極；以及一閘 15 1323871 極，耦接於該第一低電壓式N型金氧半電晶體之閘極。該 第一高電麼式元件耦接於該第一低電壓式N型金氧半電晶 體之汲極’以及耦接於該電流元。該第二高電壓式元件耦 接於該第二低電壓式N型金氧半電晶體之汲極。該開關元件 耦接於該第二高電壓式元件和一有機發光二極體面板之間。 本發明之電流鏡採用低電壓式金氧半電晶體以提供高 穩定度之電流’又佐以高電壓式元件以偏壓，使得本發明 之電流鏡能直接接受高電壓電源，符合現行有機發光二極 體面板之規格；進而增進了有機發光二極體面板的顯像品質。 【實施方式】 請參閱第9圖。第9圖所示係為本發明使用脈衝寬度 調變方式來驅動被動式有機發光二极體面板之電流鏡9〇〇 之示意圖。不同於習知技術，本發明之電流鏡9〇〇在主要 部份採用PLO-PLn共n+1個低電壓式p型金氧半電晶體 (low voltage PMOS ’ LV PMOS )而非高壓式元件（第 9 圖上只顯示PL0、PL1、PL2與PLn);但在各低電壓式p 型金氧半電晶體PLO-PLn下又再串接了高壓式元件9〇 9n 以做為偏壓元件。如第9圖所示，本發明之電流鏡9〇〇 一 樣接收有機發光二極體面板之高電饜電源Vcc HV，即各 低電壓式P型金氧半電晶體之源極皆耦接於高電壓電源 Vcc一HV;且各高電壓式P型金氧半電晶體之基極亦皆耦接 丄以3871 • 於高電壓電源Vcc一HV。由於低壓式p型金氧半電晶體的 4 臨界電壓較高壓式P型金氧半電晶體的臨界電壓來得穩 定’因此使得本發明之電流鏡900輸出至有機發光二極體 面板之電流Ihl至Ihn能足夠穩定而符合高解析度顯示面 板對於電流穩定度的需求。只要能根據低壓式p型金氧半 電晶體PLO-PLn的操作電壓極限’並且妥當設計各低壓式 P型金氧半電晶體PL〇-PLn之尺寸（W/L )，即能掌握需由 鲁巧壓式元件至9n於低壓式P型金氧半電晶體pL〇_PLn 之没極所提供的偏壓。因此本發明之電流鏡900輸出至有 機發光二極體面板之電流Ih卜Ihn能既穩定而符合高解析 度顯示面板對於電流穩定度的需求，電流鏡900之電路架 構又能接雙有機發光二極體面板之高電壓電源Vcc_HV » 請參閱第10圖。第10圖所示係為依據電流鏡900架 •構之本發明第一實施例1000之示意圖。第10圖所示之電 流鏡1000採用疊接式之電路架構，以n+1個高電壓式p 型金氧半電晶體PHO-PHn (第10圖上只顯示PH0、PH1、 PH2與PHn )分別偏壓低電壓式p型金氧半電晶體 PLO-PLn。如第1〇圖所示，高電壓式p型金氧半電晶體 PHO-PHn之閘極皆耦接於一參考電壓Vref，而高電壓式p , 型金氧半電晶體PHO-PHn之源極則分別耦接於低電壓式P 型金氧半電晶體PLO-PLn之沒極。 1323871 請參閱第11圖至第u圖。仿姑丄.. ^ b 很據本發明使用脈衝寬度 調變方式來驅動被動式有機發来_ Χ尤一極體面板之電流鏡900 的架構’第11圖至第13圖分別Α丄 刀另J為本發明第二至第四實施 例之示意圖。本發明第二至第四督 咕 ^ 貫知例皆如第10圖中所示 之第一實施例般，以高電壓式ρ别 ^ ^ 玄'金軋半電晶體PHO-PHn 做為偏壓電流鏡主要結構之高電题4 一 ^ 电壓式疋件。然而在第11圖 至第13圖之三個實施例中，高

墨式P型金氧半電晶體 酬她之閘極的連接方法各不相同。在第U圖中，電流 鏡1100所包含之高電壓式P型今 ϋ軋+電晶體PHO-PHn之 問極皆連接至高電壓式P型金氧半電日日日體剛之練。在 第12圖中，電流鏡蘭所包含之高電壓式P型金氧半電 晶體PH0之閘極輕接於-第—參考電壓Vrefi，而高電壓 式P型金氧半電晶體PH1-PHn之開極則連接至一第二參考 電壓Vref2。在第13圖中’電流鏡13〇〇所包含之高電壓式 P型金氧半電晶體ΡΗ0之閘極耦接於其汲極，而高電壓式 P型金氧半電晶體PHl-PHn之閘極則連接至一參考電壓 Vref。其中各參考電壓可依所需而設計相應之電路以提供 之，不在本發明所欲揲討之列。 凊參閱第14圖。第14圖所示係為本發明使用脈波振 ， 幅調變方式來驅動被動式有機發光二極體面板之電流鏡 • 1400之示意圖。不同於習知技術使用高壓式元件之電流鏡 400’本發明之電流鏡丨4〇〇在主要部份採用2ri個低電壓式 1323871 • P型金氧半電晶體PLl-PLn與PLl，-PLn’，在各低電壓式P . 型金氧半電晶體PLl-PLn與PLl，-PLn’下分別又再串接了 高壓式元件140-14n以做為偏壓元件。如第14圖所示，本 發明之電流鏡1400 —樣接收有機發光二極體面板之高電 壓電源Vcc_HV，即各低電壓式P型金氧半電晶體之源極 和基極皆耦接於高電壓電源Vcc_HV，而低電壓式P型金 氧半電晶體PLl-PLn之汲極分別透過高壓式元件140-14n • 耦接至脈波振幅調變模組PAMl-PAMn，脈波振幅調變模組 PAMl-PAMn可為第3圖中所示之Μ位元脈波振幅調變模 組30 ’通過脈波振幅調變模組PAMl-PAMn之電流分別由 Ihl-Ihn來表示。耦接至低電壓式p型金氧半電晶體 ' PLl’-PLn’之高壓式元件140-14n所產生之輸出電流 . . ·

Ihl’-Ihn’則耦接至有機發光二極體面板之各點。電流鏡 1400透過脈波振幅調變模組PAMl-PAMn分別控制流經低 φ 電壓式P型金氧半電晶體PLl-PLn之電流Ihl_Ihn大小， 進而控制輸出電流Ihl’-Ihn’之值，如此有機發光二極體面 板之各點可依據不同驅動電流來顯示不同像素的影像。由 於低壓式P型金氧半電晶體的臨界電壓較高壓式P型金氧 半電晶體的臨界電壓來得穩定，因此使得本發明之電流鏡 1400輸出至有機發光二極體面板之電流Ihl’_ihn，較為穩 , 定，能符合高解析度顯示面板對於電流穩定度的需求。只 要能根據低墨式P型金氧半電晶體的操作電壓極限，並且 妥當設計各低壓式P型金氧半電晶體之尺寸（W/L)，即能 1323871 、 掌握需由高壓式元件140至14η於各低壓式P型金氧半電 « 晶體PLO-PLn之汲極所提供的偏壓。因此本發明之電流鏡 H00輸出至有機發光二極體面板之電流Ihl，_Ihn’能既穩定 而符合高解析度顯示面板對於電流穩定度的需求，電流鏡 1400之電路架構又能接受有機發光二極體面板之高電壓電 源 Vcc HV。 _ 請參閱第15圖。第15圖所示係為依據電流鏡1400架 構之本發明第五實施例1500之示意圖。第15圖所示之電 々il鏡1500以2n個南電壓式P型金氧半電晶體pcHi_pCHn ^ 與pCHl’-PCHn’分別偏壓低電壓式p型金氧半電晶體 PLl-PLn與PLl’-PLn’。如第15圖所示，高電厘式p型金 氧半電晶體PHl-PHn之閘極皆耦接於一參考電壓Vref，而 高電壓式P型金氧半電晶體PCHl-PCHn與pCH1，_PCHn， •之源極則分別耦接於低電壓式P型金氧半電晶體PL1-PLn 與PLl’-PLn，之没極。由於低壓式p型金氧半電晶體的臨界 電壓較高壓式P型金氧半電晶體的臨界電壓來得穩定，本 發明之電流鏡1500輸出至有機發光二極體面板之電流

IhiMhn’較為穩定，亦能符合高解析度顯示面板對於電流 穩定度的需求。 \ 請㈣第16 ®至第18 據本發日綠雜波振幅 調變方式來驅動被動式有機發光二極體面板之電流鏡15〇〇 20 1323871 ,的架構，第丨6圖至第18圖分別為本發明第六至第八實施 •例之示意圖。本發明第六至第八實施例皆如第15圖中所示 之苐五實施例般’以高電壓式P型金氧半電晶體 PCHl-PCHn與PCHl’-PCHn’做為偏壓電流鏡主要結構之 咼電壓式元件。然而在第16圖至第18圖之本發明三實施 例中’高電壓式p型金氧半電晶體Pcm_PCHn與 PCHl’-PCHn’之閘極的連接方法各不相同。在第16圖中， #電流鏡1600所包含之高電壓式p型金氧半電晶體 PCHl-PCHn之閘極及汲極互相耦接，而高電壓式p型金氧 半電晶體PCHl’-PCHn’之閘極皆輕接於一參考電壓vref。 ' 在第17圖中，電流鏡1700所包含之高電壓式p型金氧半 電晶體PCH1-PCHn之閘極皆輕接於一第一參考電壓 VreH，而高電壓式P型金氧半電晶體PCHl’-PCHn，之開極 皆耦接於一第二參考電壓Vref2。在第18圖中，電流鏡18〇〇 • 所包含之高電壓式P型金氧半電晶體PCH l-PCHn之閘;^ & 汲極互相耦接。其中各參考電壓可依所需而設計相應之電 路以提供之，不在本發明所欲探討之列。 請參閱第19圖。第19圖所示係為本發明使用吸入模 式來驅動主動式有機發光二極體面板一發光二極體之電流 鏡1900的示意圖。電流鏡1900包含一電流源IDC、n個低 電壓式Ν型金氡半電晶體NLO-NLn(第19圖上只顯示 NL0、NL1、NL2與NLn)、高壓式元件190-19n(第19圖上 4 1323871 ’只顯示190、191、192與！9n)，與開關swi-SWn(第19圖 , 上只顯示SW1、SW2與SWn)。不同於習知技術使用高壓 式元件之電流鏡700，本發明之電流鏡1400在主要部份採 用η個低電壓式N型金氧半電晶體NL1_NLn，在各低電壓 式N型金氧半電晶體NL1 -NLn上分別又再串接了高屋式元 件190-1911以做為偏壓元件，高壓式元件19〇_19n可為高 電壓式N型金氧半電晶體。低電壓式n型金氧半電晶體 _ NL0之汲極透過高壓式元件19〇耦接至電流源Idc，低電壓 式N型金氧半電晶體NLl-NLn之汲極分別透過高壓式元件 191-19η和開關SW1-SWn搞接至面板上之發光二極體，電 流鏡1900藉由開關swi-SWn控制驅動電流I之大小。由 於低壓式P型金氧半電晶體的臨界電壓較高壓式P型金氧 半電晶體的臨界電壓來得穩定，通過低電壓式N型金氧半 電晶體NLO-NLn之電流值之間變異不大。因此，本發明之 φ 電流鏡1900輸出至有機發光二極體面板之電流I不易偏離 預定值，能符合高解析度顯示面板對於電流穩定度的需求。 請參閱第20圖。第20圖所示係為本發明使用送出模 式來駆動主動式有機發光二極體面板一發光二極體之電流 鏡2000的示意圖。電流鏡2000包含一電流源lDC、n個低 # 電壓式P型金氧半電晶體PLO-PLn(第20圖上只顯示PL〇、 # PL1、PL2與PLn)、高壓式元件200-20Π(第20圖上只顯示 200、201、202與2〇n)，與開關SWl-SWn(第20圖上只顯 22 1323871 •示SW卜SW2與SWu)。不同於習知技術使用高壓式元件 , 之電流鏡800，本發明之電流鏡2000在主要部份採用〇個 低電壓式P型金氧半電晶體PL 1 -PLn，在各低電壓式n型 金氧半電晶體PLl-PLn上分別又再串接了高壓式元件 200- 20n以做為偏壓元件，高壓式元件2〇〇_20n可為高電壓 式P型金氧半電晶體。低電壓式P型金氧半電晶體pL〇之 沒極透過ifj壓式元件200耗接至電流源，低電壓式p型 φ金氧半電晶體PL 1 -PLn之没極分別透過高壓式元件 201- 20n和開關SWl-SWn搞接至面板上之發光二極體，電 流鏡2000藉由開關SW1 -SWn控制驅動電流j之大小。由 於低壓式P型金氧半電晶體的臨界電壓較高壓式p型金氧 半電晶體的臨界電壓來得穩定，通過低電壓式P型金氧半 電晶體PLO-PLn之電流值之間變異不大。因此，本發明之 電流鏡2000輸出至有機發光二極體面板之電流〖不易偏離 φ 預定值’能符合高解析度顯示面板對於電流穩定度的需求。 請參閱第21圖至第24圖。依據本發明使用吸入模式 來驅動主動式有機發光二極體面板發光二極體之電流鏡 1900的架構，第21圖至第24圖分別為本發明第九至第十 二實施例之示意圖。本發明第九至第十二實施例皆以高電 .壓式金氧半電晶體NH0_NHn做為偏壓電流鏡主要結 •構之尚電壓式元件（第21圖至第24圖上只顯示NH0、 NH1、NH2與NHn)，然而在本發明第九至第十二實施例 23 1323871 • 中’向電壓式N型金氧半電晶體NHl-NHn之閘極的連接 ， 方法各不相同。在第21圖令，電流鏡2100所包含之高電 壓式N型金氧半電晶體NH0_NHn之閘極皆耦接於一參考 電壓Vref。在第22圖.中，電流鏡2200所包含之高電壓式 N型金氧半電晶體NHO之閘極與源極互相耦接。在第23 圖中’電流鏡2300所包含之高電壓式N型金氧半電晶體 NH0之閘極耦接於一第一參考電壓Vrefl，而高電壓式N 參型金氧半電晶體ΝίΠ-ΝΗη之閘極皆耦接於一第二參考電 壓Vref2。在第24圖中，電流鏡2400所包含之高電壓式Ν 型金氧半電晶體NHO之閘極及汲極互相耦接，而高電壓式 • Ν型金氧半電晶體NHl-NHn之閘極皆耦接於一參考電壓 Vref°其中各參考電壓可依所需而設計相應之電路以提供 之’不在本發明所欲探討之列。 _ 請參閱第25圖至第28圖。依據本發明使用送出模式 來驅動主動式有機發光二極體面板發光二極體之電流鏡 2000的架構，第25圖至第28圖分別為本發明第十三至第 十六實施例之示意圖。本發明第十三至第十六實施例皆以 高電壓式P型金氧半電晶體PHO-PHn做為偏壓電流鏡主要 結構之高電壓式元件（第25圖至第28圖上只顯示pho、 ,PHI、PH2與PHn)，然而在本發明第十三至第十六實施例 4 中，高電壓式P型金氧半電晶體PHl-PHn之閘極的連接方 法各不相同。在第25圖中，電流鏡2500所包含之高電壓 24 1323871 ， 式P型金氧半電晶體PHO-PHn之閘極皆轉接於一來考電塵 *. Vref。在第26圖中’電流鏡2600所包含之高電壓式p髮 金乳半電晶體PH0之閘極與源極互相輕接。在第27圖中， 電流鏡2700所包含之南電壓式P型金氧半電晶體pHo之 閘極輕接於一第一參考電壓Vrefl，而高電壓式p型金氧半 電晶體PHl-PHn之閘極皆耦接於一第二參考電壓Vref2。 在第28圖中，電流鏡2800所包含之高電壓式p型金氧半 Φ電晶體PH0之閘極與汲極互相耦接，而高電壓式p型金氧 半電晶體PH 1 -PHn之閘極皆搞接於一參考電壓Vref。其中 各參考電壓可依所需而設計相應之電路以提供之，不在本 發明所欲探討之列。 綜上所述，本發明提供了一採用低電壓式p型金氧半 電晶體來作為主要元件的電流鏡，以高電壓式元件搭配偏 鲁塵’使付本發明之電流鏡既能接收有機發光二極體面板的 高電壓電源’又能以低電壓式P型金氧半電晶體才能達到 的臨界電壓穩定度，提供穩定的電流，確保有機發光二極 體面板的顯像品質。本發明之設計已經由模擬與實驗證實 電流鏡所提供給有機發光二極體之電流穩定度較習知大鴨 增進。第9圖至第28圖所示係為本發明之不同實施例，而 ， 如採用其他不同的習知電路技巧以完成本發明之電流鏡中 高電壓式元件之偏壓功能，亦應屬本發明之專利範圍。 25 1323871 以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請 專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。 【圖式簡單說明】 第1圖所示係為習知使用脈衝寬度調變來驅動有機發光二 極體面板之一電流鏡之示意圖。 第2圖所示係為習知使用脈衝寬度調變來驅動有機發光二 極體面板之另一電流鏡之不意圖。 第3圖所示係為一 Μ位元脈波振幅調變模組之示意圖。 第4圖所示係為習知使用脈波振幅調變方式來驅動有機發 光二極體面板之一電鏡之示意圖。 第5圖所示係為習知另一使用脈波振幅調變方式來驅動有 機發光二極體面板之電流鏡之示意圖。 第6圖所示係為習知另一使用脈波振幅調變方式來驅動有 機發光二極體面板之疊接式電流鏡之示意圖。 第7圖所示係為習知使用吸入模式來驅動主動式有機發光 二極體面板上發光二極體之電流鏡的示意圖。 第8圖所示係為習知使用送出模式來驅動主動式有機發光 二極體面板上發光二極體之電流鏡的示意圖。 第9圖所示係為本發明使用脈衝寬度調變方式來驅動被動 式有機發光二極體面板之電流鏡之示意圖。 第10圖所示係為依據第9圖所示之電流鏡架構之本發明第 一實施例之示意圖。 26 1323871 ， 第11圖所示係為依據第9圖所示之電流鏡架構之本發明第 ^ 二實施例之示意圖。 第12圖所示係為依據第9圖所示之電流鏡架構之本發明第 三實施例之示意圖。 第13圖所示係為依據第9圖所示之電流鏡架構之本發明第 四實施例之示意圖。 第14圖所示係為本發明使用脈波振幅調變方式來驅動被 φ 動式有機發光二極體面板之電流鏡之示意圖。 第15圖所示係為依據第14圖所示之電流鏡架構之本發明 第五實施例之示意圖。 ' 第16圖所示係為依據第14圖所示之電流鏡架構之本發明 第六實施例之示意圖。 第17圖所示係為依據第14圖所示之電流鏡架構之本發明 第七實施例之示意圖。 | 第18圖所示係為依據第14圖所示之電流鏡架構之本發明 第八實施例之示意圖。 第19圖所示係為本發明使用吸入模式來驅動主動式有機 發光二極體面板一發光二極體之電流鏡之示意圖。 第20圖所示係為本發明使用送出模式來驅動主動式有機 發光二極體面板一發光二極體之電流鏡之示意圖。 第21圖所示係為依據第19圖所示之電流鏡架構之本發明 ψ 第九實施例之示意圖。 , 第22圖所示係為依據第19圖所示之電流鏡架構之本發明 27 1323871 ， 第十實施例之示意圖。 . 第23圖所示係為依據第19圖所示之電流鏡架構之本發明 第十一實施例之示意圖。 第24圖所示係為依據第19圖所示之電流鏡架構之本發明 第十二實施例之示意圖。 第25圖所示係為依據第20圖所示之電流鏡架構之本發明 第十三實施例之示意圖。 春第26圖所示係為依據第21圖所示之電流鏡架構之本發明 第十四實施例之示意圖。 第27圖所示係為依據第22圖所示之電流鏡架構之本發明 第十五實施例之示意圖。 第28圖所示係為依據第23圖所示之電流鏡架構之本發明 第十六實施例之示意圖。 _ 【主要元件符號說明】 100、200、400、500、600、700、800、900、1000、1100、 1200、1300、1400、1500、1600、1700、1800、1900、2000、2100、 2200、2300、2400、2500、2600、2700、2800 電流鏡 P0-P2、Pn、PI’、P2’、Pn，、PC0-PC2、PCn、PH0-PH2、 PHn高電壓式P型金氧半電晶體 PL0-PL2、PLn、PL1 ’、PL2’、PLn，低電壓式 P 型金氧半 ψ 電晶體 % N0-N2、Nm、NH0-NH2、NHn 高電壓式N型金氧半電晶體 28 1323871 NLO、NLl、NL2、NLn 低電壓式N型金氧半電晶體 90-92、9n、140-142、14η、190-192、19η、200-202、20η 鴦 開關 電流源 脈波振幅調變模組 vfj電壓式元件 SWl-SWm

Idc 30、PAMl-PAMn 29

Claims (1)

1323871 . 一曰叫 十、申請專利範圍： ^― ^ 1.—種用於驅動有機發光二極體(organic light-emitting ★ device’OLED)面板之電流鏡(current mirror)，其包含： 一第一低電壓式（low voltage，LV) P型金氧半電 晶體（P-type Metal Oxide Semiconductor， PMOS)，其包含：. 一源極，輕接於一第一參考電壓； _ 一汲極；以及 一閘極，搞接於該沒極； 一第二低電壓式P型金氧半電晶體，其包含： 一源極，輕接於該第一參考電壓； 一汲極；以及 一閘極，耦接於該第一低電壓式p型金氧半電晶 體之閘極； 魯 —第一高電壓式元件（high voltage device，HV device) ’耦接於該第一低電壓式P型金氧半電 晶體之汲極，以及耦接於一第一電流源；以及 一第二高電壓式元件，耦接於該第二低電壓式P型 金氧半電晶體之汲極，以及耦接於一有機發光二 - 極體面板。 2.如請求項1所述之電流鏡，其中： 該第一低電壓式P型金氧半電晶體另包含： 30 1323871 一基極，耦接於該第一參考電壓；以及 該第二低電壓式P型金氧半電晶體另包含： 一基極，耦接於該第一參考電壓。 3. 如請求項1所述之電流鏡，其中該第一高電壓式元件係 為一第一高壓式（high voltage，HV)P型金氧半電晶 體，以及該第二高電壓式元件係為一第二高壓式P型 金氧半電晶體； 該第一高壓式P型金氧半電晶體包含： 一源極，耦接於該第一低壓式P型金氧半電晶體之. 汲極； 一汲極，耦接於該第一電流源；以及 一閘極，耦接於一第二參考電壓；以及 該第二高壓式P型金氧半電晶體包含： 一源極，耦接於該第二低壓式P型金氧半電晶體之 汲極； 一汲極，耦接於該有機發光二極體面板；以及 一閘極，耦接於一第三參考電壓。 4. 如請求項3所述之電流鏡，其中該第一高壓式P型金氧 半電晶體之閘極係耦接於該第一高壓式P型金氧半電 晶體之汲極。 31 1323871 5. 如請求項3所述之電流鏡，其中該第二參考電壓與該第 三參考電壓為同一參考電壓。 6. 如請求項5所述之電流鏡，其中該第一高壓式P型金 氧半電晶體之閘極係耦接於該第一高壓式P型金氧半 電晶體之汲極，以及該第二高壓式P型金氧半電晶體 . - · · 之閘極係耦接於該第一高壓式P型金氧半電晶體之汲 極。 7.如請求項1所述之電流鏡，其另包含： 第一數量個低電壓式P型金氧半電晶體，其中每個低電 壓式P型金氧半電晶體各包含： 一源極，耦接於該第一參考電壓； 一汲極；以及 一閘極，耦接於該第一低電壓式P型金氧半電晶體 之閘極；以及 第一數量個高電壓式元件，其中每個高電壓式元件分別 耦接於該第一數量個低電壓式P型金氧半電晶體中 之一相對應低電壓式P型金氧半電晶體之汲極，以 及每個高電壓式元件分別耦接於該有機發光二極體 面板。 8.如請求項7所述之電流鏡，其中該第一數量個低電壓式

32 U23871 金氧半電晶體中之各低電壓^型金氧半電晶體另 一基極，輕接於該第一參考電壓。 9.如請求項7所述之電流鏡，其中： 該第一高電壓式元件係為一第一高壓式p型金氧半電 晶體，其包含： -源極，耦接於該第-低壓式p型金氧半電晶體 之汲極； 一汲極，耦接於該第一電流源；以及 〆閘極’輕接於一第二參考電壓； 該第一局電麼式元件係為一第二高壓式p型金氧半電 晶體’其包含： 一源極，耦接於該第二低壓式p型金氧半電晶體 之汲極； 一汲極，耦接該有機發光二極體面板；以及 一閘極，耗接於一第三參考電壓；以及 該第一數量個南電壓式元件中之每一高電壓式元件係 各為一高壓式P型金氧半電晶體，其各包含： /源極，耦接於該高電壓式元件所耦接之低壓式 P塑金氧半電晶體之汲極； /汲極，耦接於該有機發光二極體面板；以及 閘極，輕接於該第三參考電塵。 33 :月长項9所述之電流鏡，其中該第二參考電壓與該第 二參考電壓為同一參考電壓。 月求項10所述之電流鏡，其中各高廢式p型金氧半 電晶體之閘極皆耗接於該第_高壓式p型金氧半電晶 體之汲極。 如二求項9所述之電流鏡，其中該第一高壓式p型金 氧半電晶體之閘極係耦接於該第一高壓式p型金氧半 電晶體之汲極。 13.如請求項1所述之電流鏡，其係用於驅動被動式矩陣有 機發光二極體（passive matrix 〇LED，PMOLED)面板。 14·如請求項1所述之電流鏡，其係用於驅動電流模式 (current mode )的主動式矩陣有機發光二極體（active matrix 〇LED，AMOLED )面板。 15. —種有機發光二極體顯示裝置，其包含： 一有機發光二極體面板；以及 一電流鏡，用來驅動該有機發光二極體面板，該電 流鏡包含： 一第一低電壓式P型金氧半電晶體’其包含： 34 1323871 一源極，耦接於一第一參考電壓； v 一汲極；以及 一閘極，耦接於該汲極； 一第二低電壓式P型金氧半電晶體，其包含： 一源極，耦接於該第一參考電壓； 一汲極；以及 一閘極，耦接於該第一低電壓式P型金氧半電 鲁 晶體之.閘極， 一第一高電壓式元件，耦接於該第一低電壓式P 型金氧半電晶體之汲極，以及耦接於一第一電 流源；以及 一第二高電壓式元件，耦接於該第二低電壓式P 型金氧半電晶體之汲極，以及耦接於該有機發 光二極體面板。 16. 如請求項15所述之顯示裝置，其中 該第一低電壓式P型金氧半電晶體另包含： 一基極，耦接於該第一參考電壓；以及 該第一低電壓式P型金氧半電晶體另包含： 一基極，耦接於該第一參考電壓。 17. 如請求項15所述之顯示裝置，其中該第一高電壓式元 件係為一第一高壓式P型金氧半電晶體，以及該第二 35 1323871 高電壓式元件係為一第二高壓式p型金氧半電晶體； 該第一高壓式P型金氧半電晶體包含： ί 一源極，耦接於談第一低壓式Ρ型金氧半電晶體之 汲極； 一汲極，耦接於該第一電流源；以及 一閘極，耦接於一第二參考電壓；以及 該第二高壓式Ρ型金氧半電晶體包含： • 一源極，耦接於該第二低壓式Ρ型金氧半電晶體之 汲極； 一汲極，耦接於該有機發光二極體面板；以及 • 一閘極，耦接於一第三參考電壓。 18. 如請求項17所述之顯示裝置，其中該第二參考電壓與 該第三參考電壓為同一參考電壓。 19. 如請求項18所述之顯示裝置，其中該第一高壓式Ρ型 金氧半電晶體之閘極係耦接於該第一高壓式Ρ型金氧 半電晶體之汲·極*以及該第二南壓式Ρ型金氧半電晶 體之閘極係耦接於該第一高壓式Ρ型金氧半電晶體之 汲極。 ' 20.如請求項17所述之顯示裝置，其中該第一高壓式Ρ型 金氧半電晶體之閘極係耦接於該第一高壓式Ρ型金氧 36 1323871 半電晶體之沒極。 ? 21.如請求項15所述之顯示裝置，其中該電流鏡另包含： 第一數量個低電壓式P型金氧半電晶體，其中每個低電 壓式P型金氧半電晶體各包含： 一源極，耦接於該第一參考電壓； 一汲極；以及 • 一閘極，耦接於該第一低電壓式P型金氧半電晶體 之閘極；以及 第一數量個高電壓式元件，其中每個高電壓式元件分別 耦接於該第一數量個低電壓式P型金氧半電晶體中 之一相對應低電壓式P型金氧半電晶體之汲極，以 及每個高電壓式元件分別耦接於該有機發光二極體 面板。 22. 如請求項21所述之顯示裝置，其中該第一數量個低電 壓式P型金氧半電晶體中之各低電壓式P型金氧半電 晶體另包含： 一基極，耦接於該第一參考電壓。 23. 如請求項21所述之顯示裝置，其中： 該第一高電壓式元件係為一第一高壓式P型金氧半電 晶體，其包含： 37 1323871 一源極，耦接於該第一低壓式p型金氧半電晶體 ? 之汲極； ^ 一汲極，耦接於該第一電流源；以及 一閘極，耦接於一第二參考電壓； 該第二高電壓式元件係為一第二高壓式Ρ型金氧半電 晶體，其包含： 一源極，耦接於該第二低壓式Ρ型金氧半電晶體 • 之汲極； 一汲極，耦接該有機發光二極體面板；以及 一閘極，耦接於一第三參考電壓；以及 該第一數量個高電壓式元件中之每一高電壓式元件係 各為一高壓式Ρ型金氧半電晶體，其各包含： 一源極，耦接於該高電壓式元件所耦接之低壓式 Ρ型金氧半電晶體之汲極； Φ —汲極，耦接於該有機發光二極體面板；以及 一閘極，耦接於該第三參考電壓。 24. 如請求項23所述之顯示裝置，其中該第二參考電壓與 該第三參考電壓為同一參考電壓。 25. 如請求項24所述之顯示裝置，其中各高壓式Ρ型金氧 半電晶體之閘極皆耦接於該第一高壓式Ρ型金氧半電 晶體之〉及極。

38 1323871 • 26.如請求項23所述之顯示裝置，其中該第一高壓式P型 ^ 金氧半電晶體之閘極係耦接於該第一高壓式P型金氧· 半電晶體之汲極。 . ..· 27. 如請求項15所述之顯示裝置，其中該有機發光二極體 面板係為一被動式矩陣有機發光二極體面板。 28. 如請求項15所述之顯示裝置，其中該有機發光二極體 面板係為一電流模式的主動式矩陣有機發光二極體面 板。 29. —種用於驅動被動式矩陣有機發光二極體面板之電流 鏡，其包含： 一電流源； * 一第一低電壓式P型金氧半電晶體，其包含： 一源極，耦接於一第一參考電壓； 一汲極；以及 一閘極，耦接於該汲極； 一第二低電壓式P型金氧半電晶體，其包含： ' 一源極，耦接於該第一參考電壓； 一汲極；以及 一閘極，耦接於該第一低電壓式P型金氧半電晶 \\ 39 、\ 1323871 體之汲極； ' 一第一高電壓式元件’耦接於該第一低電壓式p型金氧 5 半電晶體之没極； 一第二高電壓式元件，耦接於該第二低電壓式P型金氧 半電晶體之汲極，以及耦接於一有機發光二極體 面板； 一脈波振幅調變（pulse amplitude modulation，PAM)模 鲁 組，耦接於該第一高電壓式元件；以及 一 N型金氧半電晶體（N-type Metal Oxide Semiconductor，NMOS)，其包含： 一汲極，耦接於該電流源； 一源極；以及. 一閘極，耦接於該脈波振幅調變模組。 φ 30·如請求項29所述之電流鏡，其中該第一與第二低電壓 式P型金氧半電晶體分別另包含一基極，耦接於該第 —參考電壓。 係:求項29所述之電流鏡，其中該第—高電壓式元件 …一第—高壓式P型金氧半電晶體，以及爷笛一古 電壓沬_ /*L M ^ —尚 該第一Γ係為一第二南壓式ρ型金氧半電晶體； —高壓式Ρ型金氧半電晶體係包含： 一源極，耦接於該第一低壓式ρ型金氣半電晶體之 40 1323871 汲極； k 一汲極，耦接於該脈波振幅調變模組；以及 ? 一閘極，耦接於一第二參考電壓；以及 該第二高壓式P型金氧半電晶體包含： 一源極，耦接於該第二低壓式P型金氧半電晶體之 汲極； 一汲極，耦接於該有機發光二極體面板；以及 • 一閘極，耦接於一第三參考電壓。 32. 如請求項31所述之電流鏡，其中該第一高壓式P型金 • 氧半電晶體之閘極係耦接於該第一高壓式P型金氧半 電晶體之〉及極。 33. 如請求項31所述之電流鏡，其中該第二參考電壓與該 第三參考電壓為同一參考電壓。 • . 34. 如請求項33所述之電流鏡，其中該第一高壓式P型金 氧半電晶體之閘極係耦接於該第一高壓式P型金氧半 電晶體之汲·極。 35.如請求項29所述之電流鏡，其中該N型金氧半電晶體 係為一尚壓式N型金氧半電晶體。 41 1323871 36.如請求項29所述之電流鏡，其中該脈波振幅調變模組 ^ 係包含： ： 複數個N型金氧半電晶體，該複數個N型金氧半電晶 體彼此並聯；以及 複數個開關，分別串接於該複數個N型金氧半電晶體中 一相對應之N.型金氧半電晶體。.. 鲁37.如請求項29所述之電流鏡，其另包含： 第一數量個第一低電壓式P型金氧半電晶體，其中每個 第一低電壓式P型金氧半電晶體各包含： 一源極，辆接於該第一參考電壓； 一汲極；以及 一閘極，耦接於該第一低電壓式P型金氧半電晶 體之汲極；以及 φ 第一數量個第二低電壓式P型金氧半電晶體，其中每個 第二低電壓式P型金氧半電晶體各包含： 一源極，耦接於該第一參考電壓； 一汲極；以及 一閘極，耦接於該第一數量個第二低電壓式P型 金氧半電晶體中一相對應第二低電壓式P 型金氧半電晶體之汲極；以及 第一數量個第一高電壓式元件，每個第一高電壓式元件 分別耦接於該第一數量個第一低電壓式P型金 42 1323871 氧半電晶體中之一相對應第一低電壓式P型金 乳半電晶體之沒極， 第一數量個第二高電壓式元件，每個第二高電壓式元件 分別耦接於該第一數量個第二低電壓式P型金 氧半電晶體中之一相對應第二低電壓式P型金 氧半電晶體之汲極，以及分別耦接於該有機發 光二極體面板；以及 第一數量個脈波振幅調變模組，其中每個脈波振幅調變 模組分別耦接於該第一數量個第一高電壓式元 件中之一相對應之第一高電壓式元件，以及分 別耦接於該N型金氧半電晶體之汲極。 38. 如請求項37所述之電流鏡，其中： 該第一數量個第一低電壓式P型金氧半電晶體中之各 第一低電壓式P型金氧半電晶體另包含一基極， 耦接於該第一參考電壓；且 該第一數量個第二低電壓式P型金氧半電晶體中之第 二各低電壓式P型金氧半電晶體另包含一基極， 耦接於該第一參考電壓。 39. 如請求項37所述之電流鏡，其中： 該第一數量個第一高電壓式元件之各第一高電壓式元 件係包含一第一高壓式P型金氧半電晶體，其包 43 1323871 含： 一源極，耦接於該第一數量個第一低壓式P型金氧 半電晶體中一相對應第一低壓式P型金氧半 電晶體之〉及極， 一汲極，耦接於該第一數量個脈波振幅調變模組中 一相對應之脈波振幅調變模組；以及 一閘極，耦接於一第二參考電壓；且 該第一數量個第二高電壓式元件之各第二高電壓式元 件係包含一第二高壓式P型金氧半電晶體，其包 含： 一源極，耦接於該第一數量個第二低壓式P型金氧. 半電晶體中一相對應第二低壓式P型金氧半電晶 體之汲極； 一汲極，耦接該有機發光二極體面板；以及 一閘極，耗接於一第三參考電壓。 40. 如請求項39所述之電流鏡，其中該第一數量個第一高 壓式P型金氧半電晶體中每一第一高壓式P型金氧半 電晶體之閘極係耦接於該.第一高壓式P型金氧半電晶 體之汲極。 41. 如請求項37所述之電流鏡，其中該第一數量個脈波振 幅調變模組中每一脈波振幅調變模組係包含： r.,二\ 44 1323871 複數個N型金氧半電晶體，該複數個N型金氧半電晶 體彼此並聯；以及 複數個開關，串接於該複數個N型金氧半電晶體中一相 對應之N型金氧半電晶體。 42. —種被動式有機發光二極體顯示裝置，其包含： 一被動式有機發光二極體面板；以及 一電流鏡，用來驅動該有機發光二極體面板，該電流鏡 包含： 一電流源； 一第一低電壓式N型金氧半電晶體，其包含： 一源極，耦接於一第一參考電壓； 一汲極；以及 一閘極，耦接於該汲極； 一第二低電壓式N型金氧半電晶體，其包含： 一源極，耦接於該第一參考電壓； 一汲極；以及 一閘極，耦接於該第一低電壓式N型金氧半電 晶體之》及極， 一第一高電壓式元件，耦接於該第一低電壓式N型 金氧半電晶體之〉及極， 一第二高電壓式元件，耦接於該第二低電壓式N型 金氧半電晶體之汲極，以及耦接於一有機發光 45 二極體面板； 一脈波振幅調變模組，輕接於該第一高電壓式元 件；以及 一 N型金氧半電晶體，其包含： 一汲極’耦接於該電流源； 一源極；以及 一閘極’耗接於該脈波振幅調變模組。 •如請求項42所述之顯示裝置，其t該第一與第二低電 壓式N型金氧半電晶體分別另包含一基極，耦接於該 第一參考電壓。 X •如請求項42所述之顯示裳置，其中該第—高電壓式 :係為-第一高壓式N型金氧半電晶體以 壓二件係為一第二高壓式_金氧半電晶體 該第一鬲壓式N型金氧半電晶體係包含： 一祕㈣第-低壓式N型錢半電晶心 一汲極，耦接於該脈波振幅調變模組·以及 閘極’耦接於一第二參考電壓;.以及 該第二高壓式N型金氧半電晶體包含： 一源極，耦接於該第二低壓 汲極； &金料電晶體之 1323871 一汲極，耦接於該有機發光二極體面板；以及 * 一.閘極，柄接於一第三參考電壓。 45.如請求項44所述之顯示裝置，其中該第一高壓式N型 金氧半電晶體之閘極係耦接於該第一高壓式N型金氧 半電晶體之汲·極。 籲46.如請求項44所述之顯示裝置，其中該第二參考電壓與 該第三參考電壓為同一參考電壓。 47. 如請求項46所述之顯示裝置，其中該第一高壓式N型 金氧半電晶體之閘極係耦接於該第一高壓式N型金氧 半電晶體之沒極。 48. 如請求項42所述之顯示裝置，其中該脈波振幅調變模 組係包含： 複數個N型金氧半電晶體，該複數個N型金氧半電晶 體彼此並聯；以及 複數個開關，分別串接於該複數個N型金氧半電晶體中 一相對應之N型金氧半電晶體。 49. 如請求項42所述之顯示裝置，其另包含： 第一數量個第一低電壓式N型金氡半電晶體，其中每個 47 1323871 第一低電壓式N型金氧半電晶體各包含： 一源極，耦接於該第一參考電壓； 一汲極；以及 一閘極，耦接於該第一低電壓式N型金氧半電晶 體之汲極；以及 第一數量個第二低電壓式N型金氧半電晶體，其中每個 第二低電壓式N型金氧半電晶體各包含： 一源極，耦接於該第一參考電壓； 一汲極；以及. 一閘極，耦接於該第一數量個第二低電壓式N型 金氧半電晶體中一相對應第二低電壓式N 型金氧半電晶體之汲極；以及 第一數量個第一高電壓式元件，每個第一高電壓式元件 分別耦接於該第一數量個第一低電壓式N型金 氧半電晶體中之一相對應第一低電壓式N型金 氧半電晶體之〉及極， 第一數量個第二高電壓式元件，每個第二高電壓式元件 分別耦接於該第一數量個第二低電壓式N型金 氧半電晶體中之一相對應第二低電壓式N型金 氧半電晶體之汲極，.以及分別耦接於該有機發 光二極體面板；以及 第一數量個脈波振幅調變模組，其中每個脈波振幅調變 模組分別耦接於該第一數量個第一高電壓式元 48 1323871 件中之一相對應之第一高電壓式元件，以及分 別耦接於該N型金氧半電晶體之汲極。 50. 如請求項49所述之顯示裝置，其中： 該第一數量個第一低電壓式N型金氧半電晶體中之各 第一低電壓式N型金氧半電晶體另包含一基極，耦 接於該第一參考電壓；以及 該第一數量個第二低電壓式N型金氧半電晶體中之各 第二低電壓式N型金氧半電晶體另包含一基極，耦 接於該第一參考電壓。 51. 如請求項49所述之顯示裝置，其中： 該第一數量個第一高電壓式元件之各第一高電壓式元 件係包含一第一高壓式N型金氧半電晶體，其包 含： 一源極，耦接於該第一數量個第一低壓式N型金 氧半電晶體中一相對應第一低壓式N型金氧 半電晶體之汲·極， 一汲極，耦接於該第一數量個脈波振幅調變模組 中一相對應之脈波振幅調變模組；以及 一閘極，耦接於一第二參考電壓；以及 該第一數量個第二高電壓式元件之各第二高電壓式元 件係包含一第二高壓式N型金氧半電晶體，其包 49 1323871 含： 一源極，耦接於該第一數量個第二低壓式N型金 : 氧半電晶體中一相對應第二低壓式N型金氧 半電晶體之汲·極， 一汲極，耦接該有機發光二極體面板；以及 一閘極，搞接於一第三參考電壓。 • 52.如請求項49所述之顯示裝置，其中該第一數量第一高 壓式N型金氧半電晶體中每一第一高壓式N型金氧半 電晶體之閘極係耦接於該第一高壓式N型金氧半電晶 體之汲極。 53. 如請求項42所述之顯示裝置，其中該第一數量個脈波 振幅調變模組中每一脈波振幅調變模組係包含： I 複數個N型金氧半電晶體，該複數個N型金氧半電晶 體彼此並聯；以及 複數個開關，串接於該複數個N型金氧半電晶體中一相 對應之N型金氧半電晶體。 54. —種用於驅動主動式有機發光二極體面板之電流鏡，其 包含： 一電流源； 一第一低電壓式N型金氧半電晶體，其包含： 50 1323871 一源極； .一汲極；以及 , 一閘極，耦接於該汲極； 一第二低電壓式N型金氧半電晶體，其包含： 一源極，耦接於第一低電壓式N型金氧半電晶體 之源極； 一汲極；以及 φ 一閘極，耦接於該第一低電壓式N型金氧半電晶 體之閘極； 一第一高電壓式元件，耦接於該第一低電壓式N型金氧 • 半電晶體之汲極，以及耦接於該電流源； 一第二高電壓式元件，耦接於該第二低電壓式N型金氧 半電晶體之沒極，以及 一開關元件，耦接於該第二高電壓式元件和一有機發光 I 二極體面板。 55.如請求項54所述之電流鏡，其中該第一低電壓式N型 金氧半電晶體之源極係耦接於接地電位。 56.如請求項54所述之電流鏡，其中該第一高電壓式元件 係為一第一高壓式N型金氧半電晶體，以及該第二高 電壓式元件係為一第二高壓式N型金氧半電晶體； 該第一高壓式N型金氧半電晶體係包含： 51 1323871 一源極，耦接於該第一低壓式N型金氧半電晶體之 ，汲極； _.一汲極，耦接於該電流源；以及 一閘極，耦接於一第一參考電壓；以及 該第二高壓式N型金氧半電晶體包含： 一源極，耦接於該第二低壓式N型金氧半電晶體之 汲極； • 一汲極，耦接於該開關元件；以及 一閘極，耦接於一第二參考電壓。 • 57.如請求項54所述之電流鏡，其中該第一高壓式N型金 氧半電晶體之閘極係耦接於該第一高壓式N型金氧半 電晶體之沒極。 I 58.如請求項54所述之電流鏡，其中該第一參考電壓與該 第二參考電壓為同一參考電壓。 59. 如請求項58所述之電流鏡，其中該第一高壓式N型金 氧半電晶體之閘極係耦接於該第一高壓式N型金氧半 電晶體之汲極。 60. 如請求項54所述之電流鏡，其另包含： 第一數量個第三低電壓式N型金氧半電晶體，其中每個

52 .:;y 1323871 第三低電壓式N型金氧半電晶體各包含： 一源極，耦接於該第一低電壓式N型金氧半電晶 ·* 體之》及極， 一汲極；以及 一閘極，耦接於該第一低電壓式N型金氧半電晶 體之閘極； 第一數量個第三南電壓式_元件*每個第二南電壓式元件 • 分別耦接於該第一數量個第三低電壓式N型金 氧半電晶體中之一相對應第三低電壓式N型金 氧半電晶體之沒極，以及 ' 第一數量個開關元件，每個開關元件分別耦接於相對應 之第三高電壓式元件和該有機發光二極體面板 之間。 61.如請求項60所述之電流鏡，其中： 該第一數量個第三高電壓式元件之各第三高電壓式元. 件係包含一第三高壓式N型金氧半電晶體，其包 含： 一源極，耦接於該第一數量個第三低壓式N型金氧 半電晶體中一相對應第三低壓式N型金氧半 電晶體之汲·極， 一汲極，耦接於該第一數量個開關中一相對應之開 關；以及 53 1323871 一閘極，耦接於該第二參考電壓。 辦 62. —種主動式有機發光二極體顯示裝置，其包含： 一主動式有機發光二極體面板；以及 一電流鏡，用來驅動該主動式有機發光二極體面板，該 電流鏡包含： 一電流源； • 一第一低電壓式N型金氧半電晶體，其包含： 源極； 一汲極；以及 • 一閘極，耦接於該汲極； 一第二低電壓式N型金氧半電晶體，其包含： 一源極，耦接於第一低電壓式N型金氧半電 晶體之源極； φ 一汲極；以及 一閘極，耦接於該第一低電壓式N型金氧半 電晶體之閘極； 一第一高電壓式元件，辆接於該第一低電壓式N 型金氧半電晶體之汲極，以及耦接於該電流 元； 一第二高電壓式元件，耦接於該第二低電壓式N 型金氧半電晶體之汲極；以及 一開關元件，耦接於該第二高電壓式元件和一有 54 1323871 機發光二極體面板之間。 63. 如請求項62所述之顯示裝置，其中該第一低電壓式N 型金氧半電晶體之源極係耦接於接地電位。 64. 如請求項62所述之顯示裝置，其中該第一高電壓式元-件係為一第一高壓式N型金氧半電晶體，以及該第二 南電壓式元件係為一第二南壓式N型金氧半電晶體； 該第一高壓式N型金氧半電晶體係包含： 一源極，耦接於該第一低壓式N型金氧半電晶體之 汲極； 一汲極，耦接於該電流源；以及 一閘極，耦接於一第一參考電壓；以及 該第二高壓式N型金氧半電晶體包含： 一源極，耦接於該第二低壓式N型金氧半電晶體之 汲極； 一汲極，耦接於該開關元件；以及 一閘極，耦接於一第二參考電壓。 65. 如請求項62所述之顯示裝置，其中該第一高壓式N型 金氧半電晶體之閘極係耦接於該第一高壓式N型金氧 半電晶體之汲極。 55 1323871 66. 如請求項62所述之顯示裝置，其中該第一參考電壓與 '該第二參考電壓為同一參考電壓。.. 67. 如請求項66所述之顯示裝置，其中該第一高壓式N型 金氧半電晶體之閘極係耦接於該第一高壓式N型金氧 半電晶體之汲·極。 | 68.如請求項62所述之顯示裝置，其另包含： 第一數量個第三低電壓式N型金氧半電晶體，其中每個 第三低電壓式N型金氧半電晶體各包含： • 一源極，耦接於該第一低電壓式N型金氧半電晶 - 體之源極； 一汲極；以及 一閘極，耦接於該第一低電壓式N型金氧半電晶 I 體之閘極； 第一數量個第三高電壓式元件，每個第三高電壓式元件 分別耦接於該第一數量個第三低電壓式N型金 氧半電晶體中之一相對應第三低電壓式N型金 氧半電晶體之〉及極，以及 第一數量個開關元件，每個開關元件分別耦接於相對應 之第三南電壓式元件和該有機發光二極體面板 之間。 56 1323871 69. 如請求項68所述之顯示裝置，其甲： •該第一數量個第三高電壓式元件之各第三高電壓式元 ，•件係包含一第三高壓式N型金氧半電晶體，其包 含： 一源極，耦接於該第一數量個第三低壓式N型金氧 半電晶體中一相對應第三低壓式P型金氧半 電晶體之〉及極， • 一汲極，耦接於該第一數量個開關中一相對應之開 關；以及 一閘極，耦接於該第二參考電壓。 70. —種用於驅動主動式有機發光二極體面板之電流鏡，其 包含： 一電流源； φ 一第一低電壓式P型金氧半電晶體，其包含： 一源極； 一汲極；以及 一閘極，耦接於該汲極； 一第二低電壓式P型金氧半電晶體，其包含： 一源極，耦接於第一低電壓式P型金氧半電晶體 之源極； 一汲極；以及 一閘極，耦接於該第一低電壓式P型金氧半電晶 57 1323871 體之閘極； ' 一第一高電壓式元件，耦接於該第一低電壓式P型金氧 -‘ 半電晶體之汲極，以及搞接於該電流源， 一第二高電壓式元件，耦接於該第二低電壓式P型金氧 半電晶體之汲極；以及 一開關元件，耦接於該第二高電壓式元件和一有機發光 二極體面板之間。 71. 如請求項70所述之電流鏡，其中該第一高電壓式元件 係為一第一高壓式P型金氧半電晶體，以及該第二高 電壓式元件係為一第二高壓式P型金氧半電晶體； 該第一高壓式P型金氧半電晶體係包含： 一源極，耦接於該第一低壓式P型佘氧半電晶體之 汲極； Φ 一汲極，耦接於該電流源；以及 一閘極，耦接於一第一參考電壓；以及 該第二高壓式P型金氧半電晶體包含： 一源極，耦接於該第二低壓式P型金氧半電晶體之汲 極； 一汲極，耦接於該開關元件；以及 一閘極，耦接於一第二參考電壓。 72. 如請求項71所述之電流鏡，其中該第一高壓式P型金 58 1323871 氧半電晶體之閘極係耦接於該第一高壓式P型金氧半 電晶體之汲極。 73.如請求項71所述之電流鏡，其中該第一參考電壓與該 第二參考電壓為同一參考電壓。 74. 如請求項73所述之電流鏡，其中該第一高壓式P型金 φ 氧半電晶體之閘極係耦接於該第一高壓式P型金氧半 電晶體之汲極。 75. 如請求項70所述之電流鏡，其另包含： 第一數量個第三低電壓式P型金氧半電晶體，其中每個 第三低電壓式P型金氧半電晶體各包含： 一源極，耦接於該第一低電壓式P型金氧半電晶 體之源極； 一汲極；以及 一閘極，耦接於該第一低電壓式P型金氧半電晶 體之閘極； 第一數量個第三局電壓式元件，每個第二南電壓式元件 分別耦接於該第一數量個第三低電壓式P型金 氧半電晶體.中之一相對應第.三低電壓式P型金 氧半電晶體之》及極，以及 第一數量個開關元件，每個開關元件分別耦接於相對應 59 1323871 之第三高電壓式元件和該有機發光二極體面板 - 之間。 76.如請求項75所述之電流鏡，其中： 該第一數量個第三高電壓式元件之各第三高電壓式元 件係包含一第三高壓式P型金氧半電晶體，其包 含： φ 一源極，耦接於該第一數量個第三低壓式P型金氧 半電晶體中一相對應第三低壓式P型金氧半 電晶體之汲極； • 一汲極，耦接於該第一數量個開關中一相對應之開 關；以及 一閘極，耦接於該第二參考電壓。 I 77. —種主動式有機發光二極體顯示裝置，其包含： 一主動式有機發光二極體面板；以及 一電流鏡，用來驅動該主動式有機發光二極體面板，該 電流鏡包含： 一電流源； 一第一低電壓式P型金氧半電晶體，其包含： 一源極； •一汲極；以及 一閘極，耦接於該汲極； 第〜低電壓式p型金氧半電晶體，其包含： 一源極，純於第—低電壓式P型金氧半電曰 體之源極； aa —汲極；以及 閘極’麵接於該第-低電壓式P型金氧丰雷 晶體之閘極； 第一馬電壓式元件，搞接於該第—低電壓式？型 金氧半電晶體线極，以及减於該電流源； 高電壓式元件，接㈣第二低電壓式P型 金氧半電晶體之汲極；以及 開關件，純於該第二高電壓式元件和一有機 發光二極體面板之間。 件=们7所述之顯示裝置，其中該第—高電壓式元 、為高壓式P型金氧半電 二元件係為—第二高壓式。型金氧半=7 該第一兩壓式P型金氧半電晶體係包含： 源極，耦接於該第-低壓式p型金氧半電晶體之 汲極； 一汲極，耦接於該電流源；以及 一閘極，耦接於一第一參考電壓；以及 該第二高壓式P型金氧半電晶體包含： -源極，減於該第mP型金氧半電晶體之 1323871 汲極； 一汲極，耦接於該開關元件；以及 一閘極，耦接於一第二參考電壓。 79. 如請求項78所述之顯示裝置，其中該第一高壓式P型 金氧半電晶體之閘極係耦接於該第一高壓式P型金氧 半電晶體之 >及極。 80. 如請求項78所述之顯示裝置，.其中該第一參考電壓與 該第二參考電壓為同一參考電壓。 81. 如請求項80所述之顯示裝置，其中該第一高壓式P型 金氧半電晶體之閘極係耦接於該第一高壓式P型金氧 半電晶體之汲·極。 82. 如請求項77所述之顯示裝置，其另包含： 第一數量個第三低電壓式P型金氧半電晶體，其中每個 第三低電壓式P型金氧半電晶體各包含： 一源極，耦接於該第一低電壓式P型金氧半電晶 體之源極； 一汲極；以及 一閘極，耦接於該第一低電壓式P型金氧半電晶 體之閘極； 62 1323871 第一數量個第三高電壓式元件，每個第三高電壓式元件 -分別耦接於該第一數量個第三低電壓式P型金 :氧半電晶體中之一相對應第三低電壓式P型金 氧半電晶體之汲極；以及 第一數量個開關元件，每個開關元件分別耦接於相對應 之第三高電壓式元件和該有機發光二極體面板 之間。 83.如請求項82所述之顯示裝置，其中： 該第一數量個第三高電壓式元件之各第三高電壓式元 • 件係包含一第三高壓式P型金氧半電晶體，其包 含： 一源極，耦接於該第一數量個第三低壓式P型金氧 半電晶體中一相對應第三低壓式P型金氧半 φ 電晶體之汲極； 一汲極，耦接於該第一數量個開關中一相對應之開 關；以及 一閘極，耦接於該第二參考電壓。 十一、圖式： 63