TWI323221B - Fluid ejection device with data signal latch circuitry - Google Patents

Description

九、發明說明：

C發明所>51之技術領域J 發明領域 本發明係有關於喷墨列印系統之具有資料信號閂鎖電 路的流體喷出裝置》 t先前技術2 發明背景 作為一流體喷出系統之實施例的喷墨列印系統可包括 一列印頭、提供流體墨水至列印頭之一墨水供應器及控制 列印頭之電子控制器。作為流體噴出裝置之實施例的列印 印頭，通過多個孔或噴嘴喷出墨滴。墨水朝向如一張紙之 列印媒體被投射以在列印媒體上列印影像^喷嘴典型上被 配置成-個或多個陣列’使得由嘴嘴之適當排序的喷出流 體&成字7L或其他影像在列印頭與列印媒體彼此相對運動 時被列印。 在典型之熱喷墨列印系統中，列印頭藉由迅速地加孰 位在蒸發室中小量的墨水透過嘴嘴噴出墨滴。墨水用小的 電加熱器被加熱’如在此處被稱為擊發電阻器之薄膜電阻 器。加熱墨水致使墨水擊發並逯過噴嘴被噴出。 為噴出墨滴，控制列印頭之電子控制器啟動在列印頭 外部之電力供應所來的電流1流被傳送通過被選用之一 擊發電阻器以加熱在對應的所選用之蒸氣室中加敎墨水並 透料應的喷嘴喷出墨水。習知之液滴產U包括4發 電阻益、對應的一蒸氣室與對應的噴嘴。 1323221 隨著喷墨列印頭已逐步形成，液滴產生器之個數已增 加以改善列印速度及/或品質。每一列印頭的液滴產生器之 個數增加已形成在一列印頭模要使被增加之擊發電阻器的 個數激能時在列印頭模上被要求之輸入填襯的個數增加結 5 果。在一型式之列印頭中，每一個擊發電阻器被耦合至對 應的輸入填襯以提供電力使擊發電阻器激能。每一個擊發 電阻器有一輸入填襯，此在隨著擊發電阻器之數目增加而 變成不務實的。

每一個輸入填襯之液滴產生器個數在其他列印頭具有 10 原始事物中顯著地增加。單一之電力導線提供電力至在一 原始事物中的所有擊發電阻器。每一個擊發電阻器以串聯 被耦合於電力導線及對應的場效應電晶體(FET)。在原始事 物中每一個FET之閘極被耦合至擊發電阻器多個原始事物 的共同之分離地可激能的位址導線。 15 製造者藉由經由減少輸入填襯之個數及/或增加在列 印頭模上的液滴產生器之個數而繼續增加每一個輸入填襯 的液滴產生器個數。具有較少輸入填襯之列印頭典型地比 具有較多輸入填襯成本較少。同時，具有較多液滴產生器 之列印頭典型地以較高品質及/或列印品質來列印。 20 就這些與其他理由，其對本發明有需求。 【發明内容:J 發明概要 本發明之一層面提供一種流體噴出裝置包括一第一擊 發線路、一第二擊發線路、資料線路、閂鎖電路、第一液 6 1323221

滴產生器與第二液滴產生器。該第一擊發線路被適應於以 指引包括有第一能量脈衝之一第一能量信號及該第二擊發 線路被適應於以指引包括有第二能量脈衝之一第二能量脈 衝。該等資料線路被適應於指引代表一影像之資料信號及 5 該閂鎖電路被組配以閂鎖該等資料信號來根據至少一時鐘 信號來提供閂鎖資料信號。該等第一液滴產生器被組配以 響應該第一能量信號而根據該等閂鎖資料信號來喷出流 體，及該等第二液滴產生器被組配以響應該第二能量信號 而根據該等閂鎖資料信號來噴出流體。 10 本發明之實施例以參照附圖較佳地被了解。該等圖之 元件未必為相對地彼此符合比例尺的。類似之元件編號對 應於類似部分。 圖式簡單說明 第1圖顯示一噴墨列印系統之實施例。 15 第2圖顯示一列印頭模之一實施例的一部分。 第3圖為顯示一列印頭模之實施例中位於沿著墨水饋 送槽的液滴產生器之佈置圖。 第4圖為一圖，顯示在一列印頭模之一實施例中被運用 的一擊發胞元之實施例。 20 第5圖為一示意圖，顯示一喷墨列印頭擊發胞元陣列之 一實施例。 第6圖為一示意圖，顯示一前置充填之擊發胞元的一實 施例。 第7圖為一示意圖，顯示一喷墨列印頭擊發胞元陣列的 7 1323221 一實施例。 第8圖為一時序圖，顯示一擊發胞元陣列之一實施例的 作業。 第9圖為一示意圖，顯示被組配以閂鎖資料之預先被充 5 填的擊發胞元之一實施例。 第10圖為一示意圖，顯示一個雙倍資料率之擊發胞元 電路。 第11圖為一時序圖，顯示一個雙倍資料率之擊發胞元 電路的作業。 10 第12圖為一示意圖，顯示一前置充填擊發胞元的一實 施例。 第13圖為一時序圖，顯示使用第12圖之前置充填擊發 胞元的一個雙倍資料率之擊發胞元電路的作業。 第14圖為一示意圖，顯示一個二通電晶體前置充填擊 15 發胞元的一實施例。

第15圖為一時序圖，顯示使用第12圖之前置充填擊發 胞元與第14圖之二通電晶體前置充填擊發胞元的一實施例 之作業。 施方式3 20 較佳實施例之詳細說明 下列之詳細的描述係參照附圖，此形成其一部分，且 其中以說明本發明在其中可被實作之特定實施例的方式被 顯示。就此點而言，方向性之用語，如「頂端」、「底部」、 「前方」、「後方」、「前導」與「拖尾」等以參照被描述之 8 圖的排向被使用。由於本發明之實施例的元件可在多個不 同排向被定位，該方向性之用語就說明的目的而非限制之 方式被使用。將被了解其他的實施例可被運用且邏輯改變 可以不偏離本發明之領域地被做成。所以下列之詳細描述 非依限制的意義被採用，且本發明之領域被所附的申請專 利範圍定義。 第1圖顯示喷墨列印系統20之一實施例。喷墨列印系統 20構成一喷墨列印系統之一實施例，其包括如噴墨列印頭 總成22之流體噴出裝置與如墨水供應總成24。喷墨列印系 統20亦包括一安裝總成26、一媒體運送總成28與一電子控 制器30。至少一電力供應32提供電力至喷墨列印系統2〇之 各種電氣元件。 在一實施例中’噴墨列印頭總成22包括至少一列印頭 或列印頭模40，其透過數個孔或喷嘴34朝一列印媒體36噴 出墨滴而在墨水傳送34而在列印媒體36上列印。列印頭4〇 為流體喷出裝置之一實施例。列印媒體可為如紙、卡片、 投影片、Mylar與布之類的任何型式之適合平板材料。典型 上’喷嘴34以一個或多個行或陣列被安排’使得由噴嘴34 之墨水的適當順序的噴出，使得在喷墨列印頭總成22與列 印媒體36彼此相對運動時，字元、符號及/或圖形或影像在 列印媒體36上列印。雖然下列描述指墨水由噴墨列印頭總 成22喷出，其將被了解包括清水之其他液體、流體或可流 動的材料可由喷墨列印頭總成22被喷出。 墨水供應總成24為提供墨水至第二總成22之一流體供 應總成的一實施例且包括一貯筒38用於儲存墨水。如此， 墨水由貯筒38流至喷墨列印頭總成22。墨水供應總成24與 噴墨列印頭總成22可形成單向墨水傳遞系統或循環墨水傳 遞系統。在單向墨水傳遞系統中，實質上被提供至噴墨列 5印頭總成22的所有墨水在列印之際被耗用。在循環墨水傳 遞系統中，只有部分的墨水在列印之際被耗用0如此，在 列印之際未被耗用的墨水被送回墨水供應總成24。 在一實施例中’噴墨列印頭總成22與墨水供應總成24 在噴墨卡匣或筆内被罩在一起。喷墨卡匣或筆為流體噴出 10裝置之一實施例。在另一實施例中，墨水供應總成24與喷 墨列印頭總成22分離且透過如供應管（未畫出）之介面提供 墨水至噴墨列印頭總成22。在或一實施例中，墨水供應總 成24之貯筒38可被卸除、替換、及/或重新裝填。在—實施 例中，於喷墨列印頭總成22與墨水供應總成24在喷墨卡匣 15被罩在一起的情形中，貯筒38位於卡匣内之一當地貯筒且 可包括一較大之貯筒被置於與該卡匣分離。如此，該分離 的較大之貯筒的作用為重新裝填該當地貯筒。因之，該分 離的較大之貯筒及/或該當地貯筒可被卸除、替換、及/或重 新裝填。 20 安裝總成2 6將噴墨列印頭總成2 2相對於媒體運送總成 28定位，及媒體運送總成28將列印總成36相對於媒體運送 總成28定位。因而，列印區與噴嘴34相鄰地在噴墨列印頭 總成22與列印媒體36間之區域被定義。在一實施例中，喷 墨列印頭總成22為掃描式列印頭總成。如此，安裝總成26 包括一卡匣（未晝出）用於將喷墨列印頭總成22相對於媒體 運送總成28移動以掃描列印媒體。在另一實施例令，噴墨 列印頭總成22為非掃描式列印頭總成。如此，安裝總成26 將喷墨列印頭總成22固定於相對於媒體運送總成28之一規 定的位置。因而’媒體運送總成28將列印媒體36相對於噴 墨列印頭總成22而定位。 電子控制器或列印控制器30典型地包括一處理器、韌 體與其他電子或其任何組合用於與噴墨列印頭總成22、安 裝總成26及媒體運送總成28通訊並控制之。電子控制器3〇 由如電腦的主機系統接收資料29，且通常包括記憶體用於 暫時儲存資料39。典型上資料39沿著電子、红外線、光學 或其他資訊傳送路徑被傳送至喷墨列印系統2〇。資料39例 如代表將被列印之文件及/或檔案。如此，資料39就噴墨列 印系統20形成一列印工作且包括一個或多個列印工作命令 及/或命令參數。 在一實施例中，電子控制器30控制喷墨列印頭總成22 用於由噴嘴34喷出墨滴。如此，電子控制器3〇定義形成列 印媒體36上之字元、符號及/或其他圖形或影像的被喷出之 墨滴的模型。該被喷出之墨滴的模型係由列印工作命令及/ 或命令參數被決定。 在一實施例中，喷墨列印頭總成22包括一列印頭40。 在另一實施例中，喷墨列印頭總成22為一寬陣列或多頭列 印頭總成。在寬陣列實施例中’噴墨列印頭總成22包括一 載具，其承載列印頭模4〇、提供列印頭模4〇與電子控制器 30間之电氣通Λ、及提供列印頭模4〇與墨水供應總成24間 之流體相通。 第2圖顯示列印頭模4〇之一實施例的一部分。列印頭模 4〇 I括陣列之列印或流體噴出元件42。噴出元件在其 5中具有-墨水饋送槽46被形成之—基㈣上被形成。如 此’墨水饋送槽46提供墨水對噴出元⑭之供應。墨水饋 送槽46為流體饋达源之一實施例。其他之流體饋送源實施 例包括對應的各別墨水饋送孔饋送對應之蒸發室與饋送對 應之流體喷出元件之多條較短的墨水饋送溝渠，但不限於 ⑺此。-薄膜結構48具有-墨水饋送通糾被設於其中，其 與在基體44中被形成之墨水饋送祕相通…孔層5〇具有 一前面5〇a與-噴嘴開口 34在前面服中㈣成。孔層別亦 在其中具有喷嘴至或洛發室56被形成，其與薄膜結構48之 喷嘴開口 34及墨水饋送通道54相通。一擊發電阻器52絲 Μ發室56内被定位及導線58電氣式地耗合擊發電阻器52至電 路，其控制透過被選用之擊發電阻器的電流施用。如此處 所指之-液滴產生器60包括擊發電阻㈣、喷嘴室或蒸發 室56與噴嘴開口 34。 在列印之際，墨水由墨水饋送槽46經由墨水饋送通道 54流至蒸發室56。噴嘴開口34係操作性地與擊發電阻器52 相關如’使得洛發至56内之墨滴在擊發電阻器”的激能上 透喷嘴開口 34被喷出（如實質上為對擊發電阻器52之法線 上)朝向列印媒體被喷出。 列印頭模40之實施例包括熱列印頭、壓電列印頭、靜 12 1323221 電列印頭、或可被集積成為多 他型式之流體喷出裝置。基體44例如_知=#的任何其 穩定之聚合物被形成，及薄膜結構鄉=、陶究或 多層之二氧化石夕、碳化發、氣化 ^括一層或 適合的材料。薄膜結構48亦包括至少破璃或其他 ㈣阻器52與導線58。該傳導層被做 鈕、鈕鋁或其他金屬或合金。在一

細被描述之擊發胞元電&例中，如在下面詳 與薄膜層上基物_結仙之基體

在-實施财，孔層包含可攝影成像之環氧樹醋，例 ^為麻州之Newton的Μ職_Chem公司上市之被稱為則環 氣樹_。用SU8或其㈣合物製作孔層5()之義性技術在美 國專利第6，162,589號中詳細地被描述，其在此處被納入作 為在—實_中。纟一實施例中’冑墨列印頭總成22由被 稱為一障壁層（如乾膜抗光障壁層）與在該障壁層上被形成 之金屬孔層（如錄、銅、鐵/錄合金、纪、金、或姥層）的二 分離層被形成。然而’其他適合之材料可被運用以形成孔 層50。 第3圖為顯示在列印頭模4〇之實施例中沿著墨水饋送 2〇槽46被定置之液滴產生器60。墨水饋送槽46包括相對向之 墨水饋送槽側46a與46b。總共有n個液滴產生器60沿著墨水 讀送槽46被定置，而以m個液滴產生器60沿著墨水饋送槽側 46a被定置及n-m個液滴產生器6〇沿著墨水饋送槽側46b被 定置在一實施例中，n等於2〇〇個液滴產生器60沿著墨水饋 13 1323221 送槽46被定置，及m等於100個液滴產生器6〇沿著墨水饋送 槽側46a被定置。在其他實施例中，任何適合個數之液滴產 生器60可沿著墨水饋送槽46被配置。 饋送槽46提供墨水至沿著饋送槽46被配置之η個液滴 5 產生器60的每一個。η個液滴產生器60的每一個包括一擊發 電阻器52、一蒸發室56與一喷嘴34。η個蒸發室56之每一個 透過至少一個墨水饋送通道54流體式地被耦合至饋送槽 46。液滴產生器60之擊發電阻器52以受控制的順序被激能 以由蒸發室56喷出流體及透過喷嘴34以在列印媒體36上喷 10 出一影像。 15 Φ 第4圖顯示在列印頭模40之一實施例中被運用的一擊 發胞元70之一實施例。擊發胞元70包括一擊發電阻器52、 一電阻器驅動開關72與一記憶體電路74。擊發電阻器52為 液滴產生器60之一部分。驅動開關72與記憶體74為控制透 過擊發電阻器52施用之電流的電路。擊發胞元70在薄膜結 構48中及在基體44上被形成。 20 在一實施例中，擊發電阻器52為一薄膜電阻器及驅動 開關72為一個場效應電晶體(FET)。擊發電阻器52電氣式地 被耦合於一擊發線路76與驅動開關72之汲極-源極路徑。開 關72之汲極-源極路徑亦電氣式地被耦合於一參考線路 78，其被耦合於如接地之一參考電壓。驅動開關72之閘極 電氣式地被耦合於記憶體電路74，其控制驅動開關72之狀 態。 記憶體電路74電氣式地被耗合於一資料線路80與賦能 14 5 線路82 1料線_接收代表部分之影 賦能_收賦能信號以控制記憶體電心= 儲!資料之-位元，此時其被該等賦：號賦 之時位凡的邏輯位準設定驅動_^之狀態 (或關、傳導衫傳導）。賦能信號可包括-個或多個選 擇信號與一個或多個位址信號。 10 .擊發線路76接收包含能量脈衝之一能量信號並提供能 里脈衝至擊發電阻时墨列印㈣。在—實施财，能量 脈衝被電子控制器3〇提供以具有定時之開始時間及定時期 間顧定時結束時間，以提供適當的能量以將液滴產生器 6〇之洛發室56中的流體加熱及蒸發。若驅動開關72為開（傳 導）’能量脈衝將擊發電阻器52加熱及由液滴產生器6〇喷出 流體。若驅動開關72為關（不傳導），能量脈衝不將擊發電阻 器52加熱及流體留在液滴產生器6〇中。 15 20 第5圖為一示意圖，顯示一墨水列印頭擊發胞元陣列 1〇〇之一實施例。擊發胞元陣列1〇〇包括多個擊發胞元7〇被 配置成為η個擊發群組102a-i02n。在一實施例令，擊發胞 元70被配置成為6個擊發群纟且i〇2a-102η。在其他實施例 中，擊發胞元70可被配置成為適當數目之擊發群組 102a-102n ’如四個或更多擊發群組如以⑽!！。 在陣列100中之擊發胞元7〇示意地被安排成為L列與m 行。L列之擊發胞元70電氣式地被耦合於賦能線路1〇4，其 接收賦此k说。在此處被稱為擊發胞元7〇之子群組或一列 子群組的每一列擊發胞元70電氣式地被耦合於 一組賦能線 15 1323221 路106a-106L之子群組。該子群組賦能線路1〇6a l〇6L接收 子群組賦能信號SGI，SG2，…’ SGL，其對應之擊發胞元 70的子群組賦能。 該等m行電氣式地被耦合於m條資料線路丨〇8a_丨〇8m， 5其分別接收資料信號D1，D2，…，Dm。m行之每一行包括 在η個擊發群組l〇2a-102n的每一個中之擊發胞元7〇，且在 此處被稱一資料線路群組或資料群組的每行之擊發胞元7〇 電氣式地被耦合於資料線路l〇8a-l〇8m。換言之，資料線路 108a-108m的每一條電氣式地被耦合於在每一行中之擊發 1〇胞元的每一個，包括在每一擊發群組i〇2a_1〇2n中之擊發 胞元70。例如，資料線路108a電氣式地被耦合於最左邊之 行中每一個擊發胞元70的每一個，包括在擊發群組 102a-102n之每一個中的擊發胞元7〇。資料線路1〇8b電氣式 地被耦合於相鄰之行t每一個擊發胞元70的每一個，餘此 15類推一直到包括電氣式地被耦合於在最右邊之行的擊發胞 元70之每一個、包括在擊發群組1〇2a l〇2n的每一個之擊發 胞元70為止。 在一實施例中，陣列100被安排成為六個擊發群組 l〇2a-l〇2n，且該等六個擊發群組1〇2a_1〇2n之每一個包括u 2〇個子群組與八個資料線路群組。在其他實施例中，陣列咖 可被安排成為任何適合數目之擊發群組1〇2a l〇2n與任何 適合數目之子群組及資料線路群組。在任何實施例中，擊 發群組102a-H)2n不限於具有相同數目的群組及資料線路 群組。代之的是，擊發群組1〇2a_1〇2n之每一個在與任何其 16 他擊發群組102a_102n比較時可具有不同數目的群組及 資料線路群組。此外，每—個子群組在與任何其他子群包 比較時可具有不同數目的擊發胞元70，且每一個資料線路 群組在與任何其他資料線路群組比較時可具有不同數目的 5 擊發胞元70。 在每一個擊發群組1〇2a_1〇2n之每一個中的擊發胞元 70電氣式地被耦合於擊發線路llOa-llOn之一。在擊發群組 l〇2a中，擊發胞元％之每—個電氣式地被耦合於接收擊發 k號或能量信號HR1的擊發線路u〇a。在擊發群組1〇孔 10中，擊發胞元7〇之每一個電氣式地被耦合於接收擊發信號 或能量信號HR2的擊發線路11〇b，餘此類推直包括在擊發 群組102η中，擊發胞元70之每一個電氣式地被耦合於接收 擊發彳s 5虎或此量k號!^^^的擊發線路11〇η。此外，在擊發 群組102a-102n之每一個中的每一個擊發胞元7〇電氣式地 15 被耦合於被綁至接地之一共同參考線路112。 在作業中，子群組賦能信號SG卜SG2，…，SGL在子 群組賦能線路106a-106L上被提供以使擊發胞元70之一子 群組賦能。被賦能之擊發胞元70儲存在資料線路l〇8a-l〇8m 被提供的資料信號Dl，D2，…，Dm。資料信號Dl，D2，...， 20 Dm被儲存於被賦能之擊發胞元70的記憶體電路74中。被儲 存之資料信號Dl，D2，…’ Dm的每一個設定在被賦能之 擊發胞元70的一個中之驅動開關72的狀態。驅動開關72根 據被儲存之資料信號值被設定為傳導或不傳導的。 在被選擇之驅動開關72被設定後，一能量信號HRE1- 17 FIREn在對應於包括有被選擇之子群組的擊發胞元70之擊 發群組102a-102n的擊發線路110c-110n上被提供。該能量信 號包括一能量脈衝。該能量脈衝在被選擇之擊發線路 ll〇a-110n上被提供以使具有傳導的驅動開關72中之擊發胞 5 元7〇的擊發電阻器52激能。該被激能之擊發電阻器52將墨 水加熱並喷出列印媒體上以列印資料信號D卜D2，...，Dm 所代表的影像。該等使擊發胞元70之子群組賦能、在被賦 能之子群組儲存資料信號Dl，D2，…，Dm、及提供一能 量信號HREl-FIREn以使被賦能之子群組中的擊發電阻器 10 52激能之過程持續至列印停止為止。 在一實施例中，當一能量信號FIRE 1 -FIREn被提供被選 擇之一擊發群組l〇2a-102n時’子群組賦能信號SG1， SG2，…，SGL改變以選擇及使在不同擊發群組1〇2&·1〇2η 中的另一子群組賦能。新近被賦能之子群組儲存在資料線 15路108a-l〇8m上被提供的資料信號Dl，D2，···，Dm及一能 量信號HRE1-FIREn在資料線路1 〇8a-108m之一上被提供， 以使在新近被賦能的擊發胞元70中之擊發電阻器52激能。 在任一時間，僅有擊發胞元70之一個子群組被子群組賦能 信號SG卜SG2 ’…，SGL賦能以儲存在資料線路1〇8a l〇8m 20上被提供之資料信號D1 ’ 〇2,…，Dm。在此層面中，於 資料線路108a-108m上之資料信號Dl，D2，...，Dm為時間 分割多工的資料信號。同樣地，只有被選擇之擊發群組 l〇2a-l〇2n中的一個子群組包括驅動開關72，其在一能量信 號FIREl-FIREn被提供至被選擇之擊發群組1〇2al〇2n時被 18 1323221 設定為傳導的。然而，被提供至不同擊發群組i〇2a i〇2n之 能量信號FIREl-FIREn可為不同的且相疊。 第6圖為顯示一預先充電擊發胞元12〇之一實施例的示 ㈣1動開關m電氣式地 5被轾合於-擊發電阻器52。在-實施例中，驅動開關172為 -FET，包括-沒極·源極路徑以1部電氣式地被耗合於 擊發電阻H52之-接頭及另-端部科合至—參考線路 122。參考線路122被綁至如接地之—參考電壓。擊發電阻 器之其他接頭電氣式地被輕合於一擊發線路124，其接收一 10擊發信號或一包括有能量脈衝之能量信號FIRE。若驅動開 關172為開（傳導的）’該等能量脈衝使擊發電阻器52激能。 驅動開關172之閘極形成一儲存節點電容126，其作用 成為一記憶體元件以儲存對預先充電電晶體128與一選擇 電晶體130之啟動的隨後資料。儲存節點電容126因其為部 15分之驅動開關172故以虛線顯示。或者，與驅動開關I”分 離之電容器可被使用作為記憶體元件。 預先充電電晶體128之及極-源極路徑與閘極電氣式地 被耗合於接收一預先充電#號之一預先充電線路132。驅動 開關172的閘極電氣式地被搞合於預先充電電晶體Kg之没 20 極-源極路徑與選擇電晶體130之汲極-源極路徑。選擇電晶 體13 0之閘極電氣式地被柄合於接收·_選擇信號的·-選擇 線路134。一預先充電信號為脈衝式充電控制信號之一種型 式β另一種型式脈衝式充電控制信號為在放電擊發胞元所 運用之一放電信號。 19 1323221 一資料電晶體136、一第一位址電晶體138與一第二位 址電晶體140包括以並聯電氣式地被耦合之汲極·源極路 徑。一資料電晶體136、一第一位址電晶體138與一第二位 址電晶體140之並聯組合在選擇電晶體13〇與參考線路122 5 間之汲極-源極路徑電氣式地被耦合。包括有選擇電晶體 130被搞合至一資料電晶體136、一第一位址電晶體138與一 第二位址電晶體140之並聯組合的序列電路通過驅動開關 172之節點電容126電氣式地被耦合。資料電晶體136電氣式 地被耦合於接收資料信號〜DATA之資料線路142。第一位址 10電晶體138之閘極電氣式地被耦合於接收位址信號 〜ADDRESS1，及第二位址電晶體140之閘極電氣式地被耗 合於接收位址信號〜ADDRESS2。該等資料信號〜DATA及位 址信號〜ADDRESS1與〜ADDRESS2在如該信號名稱開頭的 〜付號(tilde)所指不地為低的時係為有源的β該等節點電容 15 126、預先充電電晶體128、選擇電晶體130、資料電晶體136 與位址電晶體138及140形成一記憶體胞元。 在作業中，節點電容126藉由在一預先充電線路上提供 一高位準電壓脈衝而透過預先充電電晶體丨28被預先充 電。在一實施例中，電壓脈衝後，一資料信號〜DATA在資 20料線路142上被提供以設定資料電晶體136之狀態，及位址 信號〜ADDRESS 1與〜ADDRRESS2在位址線路M4與146上 被&供以设定第一位址電晶體138與第二位址電晶體140的 狀態。一高位準電壓脈衝在選擇線路丨34上被提供以接通選 擇電晶體130及節點電容126在資料電晶體136、第一位址電 20 1323221 晶體138及/或第二位址電晶體140若為接通時會放電。或 者’節點電容126在資料電晶體136、第一位址電晶體138及 /或第二位址電晶體14〇若均為切斷時可維持被充電。 若位址信號〜ADDRESS1與〜ADDRRESS2二者均為低 5的，預先充電擊發胞元120為被定位址之擊發胞元，及若資 料信號〜DATA為高的，節點電容126放電；抑或若資料信號 〜DATA為低的’其維持被充電的。位址信號〜address1 與〜ADDRRESS2至少一個為高的，預先充電擊發胞元12〇 不為被定位址之擊發胞元，及節點電容126不管資料信號 10〜DATA之電壓位準均會放電。該等第一與第二位址電晶體 136與138包含一位址解碼器，及若預先充電擊發胞元12〇被 定位址，資料電晶體136控制節點電容126上之電壓位準。 第7圖為一喷墨列印頭擊發胞元陣列2〇〇之一實施例的 示意圖。擊發胞元陣列2〇〇包括多個預先充電擊發胞元12〇 15被安排成為六個擊發群組202a-202f。在每一個擊發群組 202a-202f中之預先充電擊發胞元丨2〇示意性地被安排成為 13列及8行。陣列200中之擊發群組2〇2a-2〇2f與預先充電擊 發胞元120示意性地被安排成為78列及8行。 8行之預先充電擊發胞元120分別電氣式地被耦合於接 20收資料信號〜D1，〜D2，…，〜D8的8條資料線路208a-208h。 此處被稱為資料線路群組或資料群組的8行之每行包括在6 個擊發群組202a-202f之每一個中的預先充電擊發胞元 120。在預先充電擊發胞元120之每一行中的每一個預先充 電擊發胞元120電氣式地被耦合於資料線路2〇ga_2〇8h之 21 1323221 一。在資料線路群組中之所有的預先充電的擊發胞元120電 氣式地被福合於同—資料線路208a_208h，其電氣式地被耦 合於在該行中之預先充電的擊發胞元120中的資料電晶體 n6之閘極。在一實施例中，每一個資料信號〜D1，〜D2,…， 5〜D8代表一部分之影像。同樣在一實施例中，每一條資料線 路208a-208h經由對應之介面資料墊電氣式地被耦合於外 部控制電路。 資料線路208a電氣式地被耦合於在最左邊之行的每一 個預先充電的擊發胞元12〇，包括在每一個擊發群組 10 2〇2a-202f中之預先充電擊發胞元。資料線路2〇8b電氣式地 被搞合於在相鄰之行的每一個預先充電的擊發胞元12〇，餘 此類至包括資料線路2〇8h電氣式地被耦合於在最右邊之行 的每一個預先充電的擊發胞元丨2〇,包括在每一個擊發群組 202a-202f中之預先充電的擊發胞元120。 15 78列之預先充電的擊發胞元120分別電氣式地被耦合 於接收位址信號〜A卜〜A2，…，~A7之位址線路206a-206g。 在此處被稱為一列子群組或預先充電的擊發胞元120之子 群組的在一列預先充電的擊發胞元120的每一個預先充電 的擊發胞元120電氣式地被耦合於位址線路206a-206g。在 20 一列子群組中之所有的預先充電的擊發胞元120電氣式地 被耦合於相同之二位址線路206a-206g。 擊發群組202a-202f之子群組被定為在擊發群組 l(FGl)202a 中的子群組 SG1-1 至 SG1-13、擊發群組 202a-202f 之子群組被定為在擊發群組2(FG2)202b中的子群組SG2-1 22 1323221 至SG2-13、餘此類推至在擊發群組6(FG6)2〇2f中的子群組 SG6-1至SG6-13。在其他實施例中，每一個擊發群組 202a-202f可包括任何數目之子群組，如14個或更多子群組。 預先充電的擊發胞元120之每一個子群組電氣式地被 5 搞合於二位址線路206a-206g。對應於一子群組之二位址線 路206a-206g電氣式地被耦合於在該子群組之所有預先充 電的擊發胞元120中的第一與第二位址電晶體138與140。一 位址線路206a-206g電氣式地被耦合於第一與第二位址電 晶體138與140之一閘極，及另一位址線路206a-206g電氣式 10 地被耦合於第一與第二位址電晶體138與140之另一閘極。 位址線路206a-206g接收位址信號〜A1，〜A2，…，〜A7並提 供位址信號〜A卜〜A2，···，〜A7至如下列的陣列200之子群

列子群組位址信號 列子群組 〜A1，〜A2 SG1-1,SG2-1...SG6-1 〜A1，〜A3 SGl-2,SG2-2...SG6-2 ~A1 广 A4 SGl-3,SG2-3...SG6-3 〜A1，〜A5 SGl-4,SG2-4...SG6-4 〜A1，〜A6 SGl-5,SG2-5...SG6-5 〜A1，〜A7 SGl-6,SG2-6...SG6-6 〜A2,〜A3 SGl-7,SG2-7...SG6-7 〜A2,〜A4 SGl-8,SG2-8...SG6-8 〜A2,〜A5 SGl-9,SG2-9...SG6-9 〜A2广A6 SG1-10,SG2-10...SG6-10 〜A2,〜A7 SG1-11,SG2-11...SG6-11 〜A3,〜A4 SG1-12,SG2-12...SG6-12 〜A3 5〜A5 SG1-13,SG2-13...SG6-13 23 1323221 在其他實施例中，位址線路206a-206g以對子群組之位 址線路206a-206g任何適合的耦合電氣式地被耦合於陣列 200之子群組以提供列子群組位址信號對列子群組的任何 5 適合之映射。 預先充電的擊發胞元120之子群組藉由在位址線路 206a-206g上提供位址信號〜A1 ’〜A2 ’ 〜A7而被定位址。 在一實施例中，位址線路206a-206g電氣式地被耦合於在列 印頭模40上被提供之一個或多個位址產生器。在其他實施 10 例中’位址線路206a-206g用介面墊電氣式地被耗合於外部 控制電路。 預先充電線路210a-210f接收預先充電信號prei， PRE2 ’…，PRE6並提供預先充電信號PRE卜PRE2，...， PRE6至對應的擊發群組202a-202f。預先充電線路21〇a電氣 15式地被耦合於FG1 210a中之所有預先充電的擊發胞元 120、預先充電線路210b電氣式地被耦合於FG2 210b中之所 有預先充電的擊發胞元120、餘此類推至預先充電線路21〇f 電氣式地被耦合於FG6 210f中之所有預先充電的擊發胞元 120。每一條預先充電線路21〇a-21〇f電氣式地被耦合於在對 20應的擊發群組2〇2a-202f中之所有的預先充電電晶體128的 閘極與汲極-源極路徑，且在擊發群組2〇2a-202f中之所有的 預先充電的擊發胞元120電氣式地被耦合於只有一條預先 充電線路210a-210f。因而’在擊發群組2〇2a-202f中之所有 預先充電的擊發胞元120藉由提供對應的預先充電信號 24 1323221 PREl，PRE2，…，PRE6至對應的預先充電線路210a-210f 而被充電。在一實施例中，每一條預先充電線路210a-210f 經由對應的一介面墊電氣式地被耦合於外部控制電路。 選擇線路212a-212f接收選擇信號SEL1，SEL2，...， 5 SEL6並提供選擇信號SEL卜SEL2，…，SEL6並提供至對 應的擊發群組202a-202f。選擇線路212a電氣式地被耦合於 FG1 202a中之所有的預先充電的擊發胞元120。選擇線路 212b電氣式地被耗合於FG2 202b中之所有的預先充電的擊 發胞元120，餘此類推至選擇線路212f電氣式地被耦合於 10 FG6 202f中之所有的預先充電的擊發胞元120。每一條選擇 線路212a-212f電氣式地被耦合於對應的擊發群組 202a-202f中所有的選擇能量信號130之閘極，且擊發群組 202a-202f中之所有的預先充電的擊發胞元120電氣式地被 耦合於只有一條選擇線路212a-212f。在一實施例中，每一 15條選擇線路212a-212f經由對應的一介面墊電氣式地被耦合 於外部控制電路。同樣地在一實施例中，一些擊發群組 202a-202f與一些選擇線路212a-212f電氣式地被耦合在一 起以共用介面墊。 擊發線路214a-214f接收擊發信號或能量信號FIR1， 20 FIR2 ’ …’ FIR6，並提供能量信號nRj，FIR2，...，FIR6 至對應的擊發群組202a-202f。擊發線路214a電氣式地被耦 合於FG1 202a中所有的預先充電的擊發胞元12〇。擊發線路 214b電氣式地被耦合於FG2 202b中所有的預先充電的擊發 胞元120，餘此類推至擊發線路214f電氣式地被耦合mFG6 25 202f中所有的預先充電的擊發胞元12〇。每一條擊發線路 214a-214f電氣式地被耗合於對應的擊發群組2〇2a_2〇2f中 所有的擊發電阻器52，且擊發群組202a-202f中所有的預先 充電的擊發胞元120電氣式地被耦合於只有一條擊發線路 5 214a_214f。擊發線路214a-214f用適合之介面墊電氣式地被 耦合於外部供應電路。在陣列200中所有的預先充電的擊發 胞元120電氣式地被耦合於被綁至如接地之參考電壓的一 參考線路216。因而，在預先充電的擊發胞元12〇之一列子 群組中的預先充電的擊發胞元120電氣式地被輕合於相同 10 之位址線路206a-206g、預先充電線路210a-210f'選擇線路 212a-212f及擊發線路214a-214f。 在一實施例中，擊發群組202a-202f在作業中被選用以 連續地擊發。FG1 202a在FG2 202b前被選用、其在FG3前被 選用，餘此類推至FG6 202f。在FG6 202f後，擊發群組以 15 FG1 202a重頭開始。 位址信號〜A1，〜A2，…，~A7在重覆一列子群組位址 前在整個13列子群組位址循環。在位址線路206a-206g上被 提供之位址信號〜Al，-A2，…，〜A7於每一循環之際透過 擊發群組202a-202f被設定為一列子群組位址。位址信號 20〜A卜〜A2，...，〜A7在每一個擊發群組202a-202f中透過擊 發群組202a-202f為一循環選用一列子群組。就透過擊發群 組202a-202f之下一個循環而言’位址信號〜A卜〜A2 ’ ...， 〜A7被改變以在每一個擊發群組202a-202f中選用另一個列 子群組。此持續至位址信號〜A1，〜A2，A7預先充電 26 1323221 的擊發胞元120之最後一列子群組為止。在最後-列子群組 後位址k號〜A卜〜A2，··.，〜A7選用第一列子群組以再重 頭開始位址循環。 在作業之另-層面中，擊發群組2〇2a2〇2f之一藉由在 5擊發群組2〇23_2〇2£的預先充電線路210a-210f上提供預 先充電信號PRE1，PRE2，...，PRE6被操作。預先充電信 號PRm，PRE2，…，PRE6定義—預先充電時段或期間， 一擊發群組2〇2a-202f中之每—個驅動開關172的節點電容 12 6在此時被充電至高電壓位準以將該一擊發群組 10 202a-202f預先充電。 位址信號〜A卜〜A2，’〜A7在一位址線路2〇6a 2〇6g 上被提供以將在每一個擊發群組2〇2a 2〇2f之一列子群組 (包括預先充電的擊發群組2〇2a—2〇2f之一列子群組）定位 址。資料信號〜D1，〜D2，…，〜D8在資料線路2〇8a_2〇8h被 15提供以提供資料至所有的擊發群組202a-202f(包括在預先 充電的擊發群組202a-202f中被定位址之列子群組）。 接著，一選擇信號SEL1 ’ SEL2，…，SEL6在預先充電 的擊發群組202a-202f之一選擇線路212a-212f上被提供以 選擇該預先充電的擊發群組2〇2a-202f。選擇信號SEL1， 20 SEL2，…’ SEL6定義一放電時段用於使不在被選擇之擊發 群組202a-202f的被定位址之列子群組或被選擇之擊發群組 202a-202f中被定位址的預先充電的擊發胞元12〇中之每_ 個驅動開關172上的節點電容126放電及用於接收高位準之 資料信號〜D1，〜D2，...，〜D8。節點電容126不會使在被選 27 擇之擊發群組202a-202f中被定位址且接收低位準之資料信 咸〜m ’〜D2，…’〜D8的預先充電的擊發胞元12〇放電。在 節點電容126上之高電壓位準接通驅動開關172(為傳導的）。 在被選擇之擊發群組202a-202f的驅動開關172被設定 5為傳導或不傳導後，一能量脈衝或電壓脈衝在被選擇之擊 發群組202a-202f的擊發線路2l4a-214f上被提供。具有傳導 的驅動開關172之預先充電的擊發胞元12〇傳導電流通過擊 發電阻器52以將墨水加熱及由對應的液滴產生器6〇噴出墨 水。 10 在擊發群組2〇2a-202f連續操作下，一擊發群組 202a-202f之選擇信號SEL1，SEL2，…，SEL6被使用作為 下一個擊發群組202a-202f之預先充電信號prei， PRE2，…，PRE6—擊發群組202a-202f之預先充電信號 PREI ’ PRE2，…，PRE6為在一擊發群組202a-202f之選擇 15 信號SEU，SEL2 ’ …，SEL6及能量信號FIRE卜 HRE2，...， FIRE6之前行。在預先充電信號prei，PRE2，...，PRE6 後，資料信號〜D1，〜D2 ’…〜D8在時間上被多工且被儲 存於用選擇信號SEL1，SEL2，…’ SEL6被定位址的一擊發 群組202a-202f之列子群組。被選擇的擊發群組2〇2a-202f之 20 選擇信號SEL1 ’ SEL2，…，SEL6亦為下一個擊發群組 202a-202f之預先充電信號PRE卜PRE2，…，PRE6。在被 選擇的擊發群組202a-202f之選擇信號SEL1，SEL2，...， SEL6完成後’下一個擊發群組202a-202f之選擇信號SEL1， SEL2，…’ SEL6被提供。在被選擇的子群組中之預先充電 28 1323221 的擊發胞元120於能量信號FIRE卜i7IRE2， ，FIRE6(包括 一能量脈衝）被提供至被選擇的擊發群組2〇2a_2〇2f時根據 所儲存之資料信號〜D卜〜D2，…，〜D8來擊發或加熱墨水。 第8圖為顯示擊發胞元陣列200之一實施例的作業之時 5序圖。擊發群組202a-202f在300所示地連續地被選擇以根據 資料信號〜D1，〜D2，…，〜D8將預先充電的擊發胞元120 激能。在300之資料信號〜D卜〜D2，...，〜08於3〇2所示地 為每一個列子群組位址與擊發群組2〇2a-2〇2f組合如所須地 改變。位址信號〜A1，〜A2，…，〜A7在304於位址線路 10 206a-206g上被提供以將由每一個擊發群組2〇2a-202f來之 一列子群組定位址。在304之位址信號〜A卜〜A2，...，〜A7 於306所示地為整個擊發群組2〇2a-202f的一循環被設定為 一位址。在該循環完成後，在304之位址信號〜A1，〜A2,...， 〜A7於308被改變為來自每一個擊發群組2〇2a-202f的不同 15 之一列子群組定位址。在304之位址信號〜A1，〜A2，...， 〜A7於整個列子群組增量而由1至13及回到1循序地為列子 群組定位址。在其他實施例中，在304之位址信號〜A1， 〜A2，…’〜A7可以任何適合的順序被設定而為列子群組定 位址。 20 在整個擊發群組202a-202f之循環，選擇線路212f被耦 合至FG6 202f及預先充電線路2l〇a被耦合至FG1 202a而接 收包括在310之SEL6/PRE1信號脈衝之SEL6/PRE1信號 309。在一實施例中，選擇線路212f與預先充電線路210電 氣式地被輕合於一起以接收同一信號。在另一實施例中， 29 選擇線路212f與預先充電線路210不電氣式地被耦合於一 起’但接收類似之信號。 在預先充電線路210a上之SEL6/PRE1信號脈衝將FG1 202a上之所有擊發胞元210預先充電。在FG1 202a中之每一 5個預先充電的擊發胞元120的節點電容126被充電至高電壓 位準。在311所示之於一列子群組SG1-K中的預先充電的擊 發胞元120之節點電容126在312被預先充電至高電壓位 準。在306之列子群組位址選擇子群組SG1-K及在314被設 定之資料信號被包括有位址被選擇的列子群組SG1-K提供 10所有擊發群組202a-202f之所有預先充電的擊發胞元12〇中 的資料電晶體136。 FG1 202a之選擇線路212a與FG2 202b之預先充電線路 210。接收包括有SEL1/PRE2信號脈衝316的SEL1/PRE2信號 315。在選擇線路212a上之SEL1/PRE2信號脈衝316使FG1 15 202&中每一個預先充電的擊發胞元120的選擇電晶體130接 通。節點電容126在不於位址選擇子群組SG1-K内的FG1 202a中之所有預先充電的擊發胞元12〇被放電。在位址選擇 子群組SG1-K内資料於314被儲存（如在318所示）於列子群 組S G1 - K中之驅動開關17 2的節點電容12 6中以使該驅動開 20關172接通(傳導的）或切斷（不傳導的）。 在預先充電線路21〇1)上之8£1^1/^1^2信號脈衝316將 FG2 202b中所有的擊發胞元120預先充電。在FG2 202b中之 每一個預先充電的擊發胞元120的節點電容126被充電至高 電壓位準。在319所示之於一列子群組S(32-K中的預先充電 30 1323221 的擊發胞元120之節點電容126在320被預先充電至高電壓 位準。在306之列子群組位址選擇子群組SG2-K及在328被 設定之資料信號被包括有位址被選擇的列子群組S G 2 - K提 供所有擊發群組202a-202f之所有預先充電的擊發胞元120 5 中的資料電晶體136。 擊發線路214a在323所示地接收能量信號HRE1，包括 在322之能量脈衝以將具有在FG1 202a之傳導的驅動開關 172之預先充電的擊發胞元120的擊發電阻器52激能。在 5丑11/?11£2信號脈衝316為高時及在不傳導的驅動開關172 10 上之節點電容12 6有源地被拉低時，FI RE 1能量脈衝3 22如在 324脈衝於能量信號FIRE1 323上走高。在節點電容126有源 地被拉低時切換能量脈衝322為高會防止節點電容126因能 量脈衝322走高而透過驅動開關172不經意地被充電。 SEL1/PRE2信號315走低及能量脈衝322以一段預設時間被 15 提供至FG1 202a以透過對應於傳導的預先充電的擊發胞元 120之喷嘴34將墨水加熱及噴出墨水。 FG2 202b之選擇線路212b與FG3 202c之預先充電線路 210(；接收包括有3£1^2/?1^3信號脈衝326的5£1^/?1^3信號 325。在SEL1/PRE2信號脈衝316走低後及在能量脈衝322為 20 高時，在選擇線路212b上之SEL2/PRE3信號脈衝326接通在 FG2 202b的每一個預先充電的擊發胞元120中之選擇電晶 體130。節點電容126在不於位址選擇列子群組SG2-K中的 FG2 202b之所有的預先充電的擊發胞元120上被放電。為子 群組SG2-K資料信號集328在330所示地被儲存於子群組 31 1323221 SG2-K之預先充電的擊發胞元120中以接通驅動開關i72(傳 導的）或切斷（不傳導的）^在預先充電線路2i〇c上之 SEL2/PRE3信號脈衝將FG3 202c中所有的預先充電的擊發 胞元120預先充電。 5 擊發線路21扑在331所示地接收包括能量脈衝332之能 量信號FIRE2以將具有傳導的驅動開關172之FG2 202b的預 先充電的擊發胞元120中之擊發電阻器52激能。在 SEL2/PRE3信號脈衝326為高時，FIRE2能量脈衝332於334 所示地為高的。SEL2/PRE3信號脈衝326走低及FIRE2能量 10 脈衝332維持為高的以加熱由對應的液滴產生器6〇來之墨 水及喷出。 在SEL2/PRE3信號脈衝326走低後及在能量脈衝332為 高時’一SEL3/PRE4信號被提供以選擇FG3 202c及將FG4 202d預先充電。預先充電、選擇與提供包括有一能量脈衝 15 的一能量信號之過程持續至包括FG6 202f為止。 在預先充電線路210f上之SEL5/PRE6將FG6 202f中所 有的擊發胞元120預先充電。FG6 202f中之在一實施例中， 預先充電的擊發胞元120的節點電容126在341被充電為高 電壓位準。在339所示地於一列子群組之預先充電的擊發胞 20 元120的節點電容126在341被預先充電為高電壓位準。列子 群組位址在306選擇子群組SG6-K及資料信號集338被提供 至包括有位址選擇列子群組SG6-K之所有的擊發群組 202a-202f之所示地預先充電的擊發胞元120。 FG6 202f之選擇線路212f與FG1 202a之預先充電線路 32 1323221 210a在336接收一第二SEL6/PRE1信號脈衝。在選擇線路 212f上之第二SEL6/PRE1信號脈衝接通在FG6 202f之每一 個預先充電的擊發胞元120中的選擇電晶體13(^節點電容 126在不於位址選擇列子群組SG6-K中之FG6 202f的所有的 5 預先充電的擊發胞元120中被放電。於位址選擇列子群組 SG6-K中資料338在340被儲存於每一個驅動開關172之節 點電容126中以使驅動開關172接通或切斷。 在預先充電線路210a之SEL6/PRE1信號於342所示地 將包括有列子群組SG1-K中之擊發胞元120的FG1 202a中 10之所有的擊發胞元120之節點電容126預先充電為高電壓位 準。FG1 202a中之擊發胞元120在位址信號〜A卜〜A2，.， 〜A7 304選擇列SG1-K，SG2-K時被預先充電且接通一直到 列子群組SG6-K。 擊發線路214f在343所示地接收能量信號FIRE1，包括 15 在344之能量脈衝以將具有在FG6 202f之傳導的驅動開關 172之預先充電的擊發胞元120的擊發電阻器52激能。在 SEL6/PRE1信號脈衝336為高時及在不傳導的驅動開關丨72 上之郎點電谷126有源地被拉低時’能量脈衝344如在346脈 衝上走高。在節點電容126有源地被拉低時切換能量脈衝 20 344為高會防止節點電容126因脈衝344走高而透過驅動開 關172不經意地被充電。SEL6/PRE1信號336走低及能量脈 衝344以一段預設時間被維持為高低以透過對應於傳導的 預先充電的擊發胞元120之喷嘴34將墨水加熱及喷出墨水。 在SEL6/PRE1信號脈衝走低後及在能量脈衝344為高 33 1323221 時，位址信號〜A1，〜A2，…，〜A7在308被改變以選擇另— 組之子群組SG1-K+1，SG2-K+1，餘此類推至SG6-K+1為 止。FG1 202a之選擇線路212a與FG2 202b之預先充電線路 210b在348所示地接收一SEL1/PRE2信號脈衝。在選擇線路 5 212a上之SEL1/PRE2信號脈衝348接通FG1 202a中每一個 預先充電的擊發胞元120之選擇電晶體130。節點電容126在 不於位址選擇子群組SG1-K+1中之FG1 202a的所有的預先 充電的擊發胞元120。列子群組SG1-K+1之資料信號集35〇 被儲存於子群組SG1-K+1的預先充電的擊發胞元120中以 10 接通或切斷驅動開關172。在預先充電線路210b上之 SEL1/PRE2信號脈衝348將FG2 202b中所有的擊發胞元120 預先充電。 擊發線路214 a接收能量脈衝3 5 2以將擊發電阻器5 2與 具有傳導的驅動開關172之FG1 202a之預先充電的擊發胞 15 元120激能。能量脈衝352在348之SEL1/PRE2信號脈衝為高 時走兩。SEL1/PRE2信號脈衝走低及能量脈衝352維持為以 加熱及喷出來自對應的液滴產生器60之墨水。該過程持續 至列印完成為止。 第9圖為被組配以問鎖資料之一預先充電擊發胞元15〇 20的一實施例之示意圖。在一實施例中，預先充電擊發胞元 150為部分之現行擊發群組；其為部分之喷墨列印頭擊發胞 元陣列。該喷墨列印頭擊發胞元陣列包括多個擊發群組。 預先充電擊發胞元150類似於第6圖之預先充電的擊發 胞元120並包括預先充電的擊發胞元120之包括驅動開關 34

172、擊發電阻器52與記憶體胞元。符合預先充電的擊發胞 元120之元件的預先充電擊發胞元150之元件具有與預先充 電的擊發胞元120之元件相同的元件編碼且一起電氣式地 被耦合於如第6圖描述之信號資料，除外的是資料電晶體 5 136之閘極電氣式地被耦合於接收閂鎖資料信號〜LDATAIN 的閂鎖資料線路156而取代被耦合於接收資料信號〜DATA 之資料線路142。此外，符合預先充電的擊發胞元12〇之元 件的預先充電擊發胞元150之元件如第6圖描述地作用及操 作0 10 預先充電擊發胞元150包括一資料閂鎖電晶體152，其 包括一沒極·源極路徑電氣式地被耦合於資料線路154與閂 鎖資料線路156間。資料線路154接收資料信號〜DATAIN及 負料閃鎖電晶體152閃鎖資料至預先充電擊發胞元15〇内以 提供閂鎖資料信號〜LDATAIN。資料信號〜DATAIN與閂鎖 15資料信號〜ldatain在如該信號名稱開頭之(〜)所示地為低 時為有源的。資料閂鎖電晶體152之閘極電氣式地被麵合於 接收現行擊發群組的預先充電信號。 在另一實施例中’資料閂鎖電晶體152之閘極不電氣式 地被耦合於接收現行擊發群組的預先充電信號。代之的 20是，資料閂鎖電晶體M2之閘極電氣式地被耦合於提供一脈 衝信號的如另一擊發群組之—預先充電線路的不同信號線 路。 在一實施例中，資料閂鎖電晶體152為最小尺寸之電晶 體，以在預先充電信號由尚電壓位準轉移為低電壓位準時 35 1323221 使資料閂鎖電晶體152之閂鎖資料 體152之閘極對源極節點間的電荷共路⑼與資料閃鎖電晶 減少高電壓位準閃鎖資料。同樣在^^小化。此電荷共用 電晶體152之汲極決定在預先 實知例中，資料閂鎖 5

看到的電容及最小化尺寸==為低；《位準時被 資料閃鎖電晶體152經由—厂此電谷為低的。 由資料祕154傳送諸巧鎖ΓΓ錄準預先充電信號 存節點電細。嫩資料儲 ^準時’《料被關巧鎖該觀154與預先充= 擊U⑻20。預先充電的擊發胞元⑶由於為部分之資料 電晶體13“以虛線被顯示°或者’與資料電晶體⑶分離 之電容器可被使用以儲存閂鎖資料。

預先充電的擊發胞元⑽為夠大以在減充電信號由 高位準轉移為低位準時維持實質地之高位準。同樣地，預 15先充電的擊發胞元m為夠小以在—能量脈衝經由擊發信 號FIR E被提供及-高電壓脈衝在選擇信號中被提供時維持 實質地之低位準。此外，資料電晶體136為夠小以在驅動開 關172之閘極被放電時維持預先充電的擊發胞元12〇上之低 位準，且為夠大以在擊發信號FIRE中之能量脈衝開始使驅 20 動開關Π2的閘極完全放電。 在一實施例中，多個預先充電擊發胞元使用相同資料 並共用同一資料閂鎖電晶體152與在156之閂鎖資料信號 ~LDATAIN。在156之閂鎖資料信號〜LDATAIN被閂鎖一次 且被多預先充電擊發胞元使用。此提高任何各別閂鎖資料 36 線路156上之電容使切換問題較不可疑的及降低經由資料 線路154所驅動之總電容。 在作業中，資料信號〜DATAIN藉由在預先充電線路132 上提供高電壓位準經由資料閂鎖電晶體152被資料線路丨54 5接收及被傳送至閂鎖資料線路156與預先充電的擊發胞元 120。同樣地，儲存節點電容126透過預先充電電晶體128經 由在預先充電線路132之高電壓位準被預先充電。資料閂鎖 電晶體152被切斷以在預先充電線路132上之電壓脈衝由高 電壓位準轉移為低電壓位準時提供閂鎖資料信號 10〜LDATAIN。將被閂鎖至預先充電擊發胞元150内在預先充 電信號為高電壓位準時被提供且被維持至預先充電信號轉 移至低電壓位準為止。對照之下，將被閂鎖至第6圖之預先 充電的擊發胞元120内的資料在選擇信號為高電壓位準時 被提供。 15 在另一實施例中，資料閂鎖電晶體152之閘極未電氣式 地被耦合於目前的擊發群組之預先充電線路132。代之的 是，資料閂鎖電晶體152之閘極電氣式地被麵合於另一擊發 群組之預先充電線路132^資料信號〜DATAIN藉由在其他擊 發群組之預先充電線路上提供高電壓位準而經由資料閃鎖 20電晶體152被資料線路154接收及被傳送至閂鎖資料線路 156與預先充電的擊發胞元120。當其他擊發群組之預先充 電線路上的電壓脈衝由高電壓位準轉移為低電壓位準時， 資料閂鎖電晶體152被切斷以提供閂鎖資料信號 〜LDATAIN。預先充電的擊發胞元12〇透過預先充電電晶體 37 128經由魏充電線路132上之高電壓位準脈衝被預先充 電預先充電線路132上之咼電壓脈衝在其他擊發群組的預 先充電線路上之電壓脈衝由高電壓位準轉移到低電壓位準 後發生。 5 在實她例中，在目前之擊發群組的一第一預先充電 擊發胞元的如資料閂鎖電晶體152之一資料閂鎖電晶體的 閘極電氣式地被耦合於與目前之擊發群組不同的一第一擊 發群組之一第一預先充電線路。同樣地，在目前之擊發群 組的一第一預先充電擊發胞元的如資料閂鎖電晶體丨52之 10 一資料閃鎖電晶體的閘極電氣式地被耦合於與該第二擊發 群組及目前之擊發群組不同的一第一擊發群組之一第二預 先充電線路。資料線路154提供在該等第一與第二擊發群組 之預先充電信號的高電壓位準之際的資料。被閂鎖至該等 第一與第二預先充電擊發胞元之資料經由目前的擊發群組 之預先充電與選擇信號被使用。在一實施例中，資料線路 154未電氣式地被耦合於第二列印頭擊發胞元陣列中之每 一個擊發群組。 在預先充電擊發胞元150之一實施例中，於預先充電線 路132的高脈衝後，位址信號〜ADDRESS1與〜ADDRESS2在 20 位址線路144與146上被提供以設定第一位址電晶體138與 第二位址電晶體140之狀態。若資料電晶體136、第一位址 電晶體138與及/或第二位址電晶體140為接通的，一電壓位 準脈衝在選擇線路134上被提供以接通選擇電晶體130且儲 存節點電容126放電。或者，若資料電晶體136、第一位址 38 1323221 - 電晶體138與第二位址電晶體14〇均不為接通的，儲存節點 _ 電容126維持被充電的。 預先充電擊發胞元150在位址信號〜ADDRESS 1與 • 〜ADDRESS2二者若為低時為被定位址之擊發胞元，且儲存 • 5節點電容126在閂鎖資料信號〜LDATAIN若為高時被放電在 閂鎖資料信號〜LDATAIN若為低時維持被充電的。若在位址 信號〜ADDRESS1與〜ADDRESS2有至少一個為高時，預先 充電擊發胞元150不為被定位址之擊發胞元且儲存節點電 ® 容126不論閂鎖資料信號〜LDATAIN之電壓位準為何均會放 10電。該等第一與第二位址電晶體136與138包含一位址解碼 器，且若預先充電擊發胞元15〇為被位址的，資料電晶體136 控制儲存在節點電容126上之電壓位準。 第10圖為一示意圖，顯示一個雙倍資料率擊發胞元電 路400之一實施例。該雙倍資料率擊發胞元電路4〇〇閂鎖在 15來自預先充電信號中每一個高電壓脈衝之每一條資料線路 • 的二個資料位元中。因而，兩倍之擊發電阻器可不須增加 擊發次數或輸入墊個數地被激能《每一個輸入墊之液滴產 生器個數可例如藉由增加在一列印頭上的液滴產生器個數 及使用相同個數之輸入墊或使用在列印頭上相同個數之液 2〇滴產生器並減少輸入墊個數而被增加。具有較多液滴產生 器之列印頭典型上以較高品質及/或列印速度來列印。同樣 地，具有較少輸入墊之列印頭典型上比具有較少輸入墊之 列印頭的成本較低。 雙倍資料率擊發胞元電路400包括如擊發群組4〇2之多 39 1323221 個擊發胞元與一時鐘閂鎖電路404。擊發群組4〇2包括多個 預先充電擊發胞元150，其被組配以閂鎖資料，及包括如列 子群組406之列子群組。列子群組4〇6包括預先充電擊發胞 元 150a-150m。 5 擊發群組402中之每一個預先充電擊發胞元150電氣式 地被耗合於預先充電線路4〇8以接收預先充電信號 PRECHARGE、選擇線路41〇以接收選擇信號SELECT、及 擊發線路412以接收擊發信號FIRE在列子群組4〇6中之每一 個預先充電擊發胞元150a-150m電氣式地被耦合於第一位 10址線路414以接收第一位址信號〜ADDRESS丨與第二位址線 路416以接收第二位址信號〜ADDRESS2。預先充電擊發胞 元150如第9圖中之描述般地接收信號及操作。 時鐘閂鎖電路404包括時鐘閂鎖電晶體418a-418n。每 一個時鐘閂鎖電晶體418a-418η電氣式地被搞合於一時鐘 15線路42〇以接收資料時鐘信號DCLK。每一個時鐘閂鎖電晶 體418a-418n之汲極-源極路徑電氣式地被耦合於資料線路 422a-422n以接收在422所示地資料信號〜D1-〜Dn之一。每一 個信號時鐘閂鎖電晶體418a-418n之汲極-源極路徑的其他 側經由對應的時鐘資料線路424a-424n電氣式地被耦合於 20 擊發群組402中之預先充電擊發胞元150與雙倍資料率擊發 胞元電路400中所有的其他擊發群組。讓一資料線路群組中 之所有的預先充電擊發胞元150電氣式地被耦合於時鐘閂 鎖電晶體418a-418n確保在時鐘資料線路424a-424n上有足 夠的電容以確保被時鐘資料信號〜DCl-DCn共用之電荷夠 40 1323221 小’以在預先充電信號轉移到低電壓位準時及在42〇之資料 時鐘信號DCLK轉移到低電壓位準時，在被閂鎖至預先充電 擊發胞元150内的資料維持最小的高電壓位準。 在其他實施例中，每一個時鐘閂鎖電晶體418a_418n與 5對應的時鐘資料線路424a-424n可被分割為多電晶體與多 資料線路。在一實施例中，對應於時鐘閂鎖電晶體 418a-418n之一的多電晶體之一與對應於時鐘資料線路 424a-424n之一的多資料線路之一被耦合於在一流體通道 的一側上之擊發群組的喷嘴。同樣地在一實施例中，對應 10於時鐘閂鎖電晶體418a-418n之同一個的多電晶體之另一 個與對應於時鐘資料線路424a-424n之同一個的多資料線 路之另一個被耦合於在一流體通道的另一側上之擊發群組 的噴嘴。在一實施例中，每一個喷嘴可經由多資料線路之 分離的一條被耦合於多電晶體之分離的一個。 15 時鐘閂鎖電晶體4!8a包括以一端部電氣式地被耦合於 資料線路422a之一汲極-源極路徑以接收資料信號〜D1。時 鐘閂鎖電晶體418a之汲極-源極路徑的另一端部在424a電氣 式地被耦合於在同一行或資料線路群組中所有的預先充電 擊發胞元150作為預先充電擊發胞元15(^，包括在擊發群組 20 402與在雙倍資料率擊發胞元電路400之其他擊發群組中的 預先充電擊發胞元150。時鐘閂鎖電晶體418a之汲極-源極 路徑電氣式地被耦合於資料線路154與在對應的資料線路 群組中每一個預先充電擊發胞元150之資料預先充電電晶 體152的汲極-源極路徑。時鐘閂鎖電晶體418a接收在422a 41 之貝料h號〜D1並在424a提供時鐘資料信號〜⑽至包括有 預先充電擊發胞元15〇3資料線路群組。 貝料線路42h亦電氣式地被耗合於預先充電擊發胞元 150b與在同__行或純線路群組之所有的絲充電擊發胞 5疋15〇 ’作為在擊發群組4〇2與在雙倍資料率擊發胞元電路 4〇〇中包括有預先充電擊發胞元⑼之預先充電擊發胞元 150b = 貝料線路422a電氣式地被耦合於在對應的資料線路 群，·且中之預先充電擊發胞元15〇中的資料閂鎖電晶體152之 為料線路154與汲極·源極路徑。包括有預先充電擊發胞元 10 150b之資料線路群組在422a接收資料信號〜D1。 時鐘閂鎖電晶體418b包括以一端部電氣式地被耦合於 資料線路422b之一汲極-源極路徑以接收資料信號〜D2。時 鐘閂鎖電晶體418b之汲極·源極路徑的另一端部在424b電 氣式地被輕合於在同一行或資料線路群組中所有的預先充 15電擊發胞元150作為預先充電擊發胞元150c，包括在擊發群 組402與在雙倍資料率擊發胞元電路4〇〇之其他擊發群組中 的預先充電擊發胞元150。時鐘閂鎖電晶體41讣之汲極_源 極路控電氣式地被耦合於資料線路154與在對應的資料線 路群組中每一個預先充電擊發胞元150之資料預先充電電 20晶體152的汲極-源極路徑。時鐘閂鎖電晶體418b接收在 422b之資料信號〜D2並在424a提供時鐘資料信號〜DC2至包 括有預先充電擊發胞元l50c資料線路群組。 資料線路422b亦電氣式地被耦合於預先充電擊發胞元 150d與在同—行或資料線路群組之所有的預先充電擊發胞 42 1323221 元150，作為在擊發群組402與在雙倍資料率擊發胞元電路 400中包括有預先充電擊發胞元15〇其他的擊發群組之預先 充電擊發胞元150d。資料線路4221?電氣式地被耦合於在對 應的資料線路群組中之預先充電擊發胞元15〇中的資料閂 5鎖電晶體152之資料線路154與汲極-源極路徑。包括有預先 充電擊發胞元150b之資料線路群組在422b接收資料信號 〜D2 〇 時鐘閂鎖電路404之其餘的時鐘閂鎖電晶體418類似地 電氣式地被耦合於在雙倍資料率擊發胞元電路4〇〇中之預 1〇先充電擊發胞元150 ’ 一直至時鐘閂鎖電晶體418η包括以一 端部電氣式地被耦合於資料線路422η之一汲極-源極路徑 以接收資料信號〜Dn。時鐘閂鎖電晶體418η之汲極-源極路 杈的另一端部在424η電氣式地被耦合於在同一行或資料線 路群組中所有的預先充電擊發胞元150作為預先充電擊發 15胞7’包括在擊發群組402與在雙倍資料率擊發胞元 電路4〇〇之其他擊發群組中的預先充電擊發胞元15〇。時鐘 鎖電aa體418η之〉及極-源極路徑電氣式地被耗合於資料 、線路154與在對應的資料線路群組中每一個預先充電擊發 跑71:150之資料預先充電電晶體152的汲極-源極路徑。時鐘 閃鎖電晶體418η接收在422η之資料信號〜Dn並在424η提供 時鐘資料信號〜DCn至包括有預先充電擊發胞元150m-l資 料線路群組。 資料線路422η亦電氣式地被耦合於預先充電擊發胞元 l5〇m與在同一行或資料線路群組之所有的預先充電擊發胞 43 1323221 元150，作為在擊發群組402與在雙倍資料率擊發胞元 、 U %路 400中包括有預先充電擊發胞元15〇其他的擊發群組之預先 充電擊發胞元150m。資料線路42211電氣式地被耦合於在對 應的資料線路群組中之預先充電擊發胞元i 5 〇中的資料閂 5鎖電晶體丨52之資料線路I54與没極-源極路徑。包括有預先 充電擊發胞元150m之資料線路群組在422n接收資料作號 ~Dn。 每一條資料線路422a-422n經由接收高電壓位準預先 充電信號之擊發群組中的預先充電擊發胞元15〇中之資料 10閃鎖電晶體152充電向上至閃鎖資料線路節點。同樣地，每 一條資料線路422a-422n經由接收高電壓位準預先充電信 號之擊發群組中的預先充電擊發胞元150中之資料閃鎖電 晶體152充電向上在資料時鐘信號CLK之每一個高電壓脈 衝的時鐘資料線路424a-424n與所附之閂鎖資料線路節 15 點。經由資料線路422a-422n被充電之資料節點比非雙倍資 料率擊發胞元電路的閘極電容具有多少為稍微較高之電 容。 在此實施例中，實質上為一半之預先充電擊發胞元15〇 被耦合以接收時鐘資料信號〜DC1-〜DCn及實質上為一半之 20 預先充電擊發胞元150被耦合以接收資料信號〜D1·〜Dn。同 樣地，在列子群組中之群組預先充電的擊發胞元150電氣式 地被耦合於以接收時鐘資料信號〜DC1-〜DCn及其他的被耦 合以接收資料信號〜D1 -〜Dn。在其他實施例中，任何適合 百分比之預先充電的擊發胞元150可被耦合以接收時鐘資 44 料信號〜DC1-〜DCn。及任何適合百分比之預先充電的擊發 胞元150可被耦合以接收資料信號〜DC1-〜DCn。在其他實施 例中，預先充電的擊發胞元150可被耦合而以任何適合之順 序或模型或完全沒有順序地接收時鐘資料信號〜DC1-〜DCn 5 與資料信號〜D1 -〜Dn。 每一個資料信號〜D1 -〜Dn在預先充電信號PRECHARGE 之高電壓脈衝的第一半部之際包括一第一資料位元及在擊 發群組102a-102n高電壓脈衝的第二半部之際包括一第二 資料位元。同樣地，時鐘信號DCLK在預先充電信號 10 PRECHARGE的高電壓脈衝的第一半部之際包括一高電壓 脈衝。 在作業中，預先充電信號PRECHARGE與時鐘信號 DCLK轉移至高電壓位準每一個資料信號〜D丨-〜Dn包括一 第一資料位元，其在時鐘信號DCLK的高電壓脈衝之際被提 15 供至對應的時鐘閂鎖電晶體418a-418n。時鐘閂鎖電晶體 418a-418n傳送該等第一資料位元至預先充電擊發胞元 150a ’ 150c之對應的資料線路群組一直到i5〇m-l為止。隨 著在時鐘信號DCLK中之高電壓脈衝轉移至低電壓位準時 鐘閂鎖電晶體418a-418n閂鎖内之第一資料位元以提供時 20鐘資料信號〜DC1·〜DCn。該等第一資料位元亦被提供至預 先充電擊發胞元150b，150d之對應的資料線路群組一直到 150m為止。 接著，每一個資料信號〜DC1-〜DCn包括一第二資料位 元，其在預先充電信號PRECHARGE的第二半部之際被提 45 1323221 供至對應的時鐘閂鎖電晶體4l8a-418n與電擊發胞元 150b，150d之對應的資料線路群組一直到15〇〇1為止。時鐘 閂鎖電晶體418a-418n經由時鐘信號CLK之低電壓位準被切 斷，其防止該等第二資料位元被傳送到預先充電擊發胞元 5 15〇a，150c之對應的資料線路群組一直到丨別爪」為止。 時鐘資料信號〜DC1-〜DCn與在時鐘資料信號〜DC1-〜DCn中之第二資料位元被在雙倍資料率擊發胞元電路4〇〇 之對應的資料線路群組中對應的預先充電擊發胞元15〇接 收。在在群組402中時鐘資料信號〜DC丨一!)。與在時鐘資料 10信號〜DC1-〜DCn中之第二資料位元被預先充電擊發胞元 150中之資料線路154接收並經由資料閂鎖電晶體152與在 預先充電信號PRECHARGE中之高電壓脈衝被傳送至資料 閂鎖電晶體152與閂鎖資料儲存節點電容158 ^同樣地，在 群組402中，儲存節點電容126透過預先充電電晶體丨28經由 15在預先充電信號precharge中之高電壓脈衝被預先充 電。接著，在擊發群組402中，資料閂鎖電晶體152被切斷 以閂鎖在時鐘資料信號〜DC 1 -〜DCn中及資料信號~D 1 -〜Dn 中之第二資料位元，以隨著預先充電信號pRECHARGE轉 移為低位準電壓提供閂鎖資料信號〜LDATDIN。 20 在預先充電擊發胞元150之一實施例十，於預先充電擊 發胞元PRECHARGE中之高位準電壓脈衝轉移為低電壓位 準後’位址信號〜ADDRESS1與〜ADDRESS2被提供以選擇 列子群組406及一高電壓位準脈衝在選擇信號SELECT中被 提供以接通選擇電晶體13〇。在列子群組4〇6中，儲存節點 46 1323221 10 15 20 電容126在閂鎖資料信號〜LDATAIN為高時放電，抑或在閂 鎖資料信號〜LD ΑΤΑ IN為低時維持被充電。在未被定位址之 列子群組中’儲存節點電容126不論在閂鎖資料信號 〜LDATAIN的電壓位準為何均放電。一能量脈衝在擊發信號 5 fire中被提供以將被耦合於列子群組4〇6中之傳導的驅動 開關172之擊發電阻器52激能。 在-實施例中’於雙倍資料率擊發胞元電路侧中將擊 發電阻器52激能經由將另-擊發群組中第一資料位元與預 先充電擊發胞S15G定時鐘而持續。時鐘龍㈣與第二資 料位元經㈣先充電㈣之下降邊緣_鎖至預先充電擊 發胞7L1洲且位址信號被提供以選擇—列子群组。在一選 擇信號中之高電壓位準_與在—擊發信财之—能量脈 衝被提供以將其他擊發群組巾料的預先充f擊發胞元 150激能。此過程持續至噴出流體完成為止。 在其他實施例中，擊發胞元電路可包括任何適合個數 之如時鐘關電路姻的時鐘_電路以在預先充電信號 PRECHARGE之母"個高電壓脈衝_如3或4個以上資料 位元❹㈣位元。例如，擊發胞元電路可 包括-第一時鐘閃鎖電路，其隨著預先充電信號 嫩㈣廳之由高電壓財轉移錢電壓鱗而經由一 第一資料時鐘在一第=眘粗/a- ^ + 貝抖位疋定時鐘且該擊發胞元電路 閂鎖在該等第一、第二盥第 發胞元中，使得該擊發胞 凡電路成.個三倍資料铸發胞元電路。 第_為一時序圖，顯示第1〇圖之雙倍資料率擊發胞 47 電路4〇〇的-實施例之作業。雙倍資料率擊發胞元電路 400包括-第擊發群組FG卜-第二擊發群組FG2、-第 擊土群組FG3與其他擊發群組，—直至擊發群組雙 5倍貝料率擊發胞元電路400接收預先充電/選擇信號S0， Sl ’ S2與其他預先充電/選擇信號一直至Sn。預先充電/選擇 ^號SO — Sn被使用作為雙倍資料率擊發胞元電路4〇〇中之 預先充電信號及/或選擇信號。 第一擊發群組FG1在500接收信號S0作為一預先充電 仏號與在502接收S1作為一選擇信號。第二擊發群組FG2在 5〇2接收信號S1作為一預先充電信號與在5〇4接收S2作為一 選擇信號。第三擊發群組FG3在504接收信號S2作為一預先 充電信號與信號S3(未晝出）作為一選擇信號，餘此類推至擊 發群组FGn接收信號Sn-Ι(未畫出）作為一預先充電信號與 信號Sn(未畫出）作為一選擇信號。 15 時鐘閂鎖電路404在506接收資料時鐘信號DCLK及在 5〇8接收資料信號〜D1-〜Dn與在510接收時鐘資料信號 〜DC1-〜DCn。擊發群組FGl-FGn在508閂鎖於資料信號 〜D1-〜Dn中及在510閂鎖於時鐘資料信號〜DC1-〜DCn中以 提供閂鎖於時鐘資料信號及閂鎖於資料信號中，其被使用 2〇 以接通驅動開關172而將被選擇之擊發胞元52激能。每一個 擊發群組接收一擊發信號，其包括能量脈衝以將被選擇之 擊發胞元52激能。在一實施例中，一能量脈衝實質上朝向 該擊發群組之選擇信號的高電壓脈衝之端部或中間開始以 將被選擇之擊發胞元52激能。 48 1323221 第一擊發群組FG1閂鎖於508之資料信號〜D1_〜Dn與於 51 〇之㈠鐘:貝料信號~DC 1 -〜DCn中以在512提供閃鎖第一擊 發群組時鐘資料信號FG1C與在514之問鎖第-擊發群組資 料信號FG1D。第二擊發群&FG2閂鎖於5〇8之資料信號 5〜D1_〜Dn與於510之時鐘資料信號〜DC1-〜DCn中以在516提 供閂鎖第二擊發群組時鐘資料信號F G 2 C與在518之閂鎖第 三擊發群組資料信號FG3D。第三擊發群組FG3閂鎖於5〇8 之貢料信號〜D1-〜Dn與於510之時鐘資料信號〜DC1_〜DCn 中以在520提供閂鎖第三擊發群組時鐘資料信號FG3c與在 10 522之閂鎖第三擊發群組資料信號FG3D。其他的擊發群組 亦閂鎖於508之資料信號〜di_〜Dn與於510之時鐘資料信號 〜DC 1 -〜DCn中以類似FG1-FG3地提供閂鎖時鐘資料信號與 問鎖資料信號。 開始時，在500之信號S0於524提供第一擊發群組FG1 15的預先充電彳§號之南電壓脈衝，及在506之資料時鐘信號 DCLK於524之高擊發電阻器脈衝的第一半部之際提供在 526的高電壓脈衝。時鐘閂鎖電路4〇4在526接收高電壓脈衝 並在508傳送資料信號〜D1-〜Dn以提供時鐘資料信號 〜DC1—DCn 〇 2〇 在524之高電壓脈衝的第一半部之際，資料信號〜D1_ 〜Dn在508包括於528之第一擊發群組時鐘資料信號丨匸，其 被傳送通時鐘閂鎖電路404以在530提供第一擊發群組時鐘 資料信號1C及在510之時鐘資料信號〜DCi_〜DCn。同樣 地，在530之第一擊發群組時鐘資料信號1(：被傳送通過第一 49 1323221 擊發群組FG1之預先充電擊發胞元15〇中的第一擊發群組時 鐘資料信號1C以提供在512被閂鎖之第一群組時鐘資料信 號FG1C中的在532之第一擊發胞元群組時鐘資料信號lc。 在530之第一擊發胞元群組時鐘資料信號1C隨著高電壓脈 5衝526轉移至低邏輯位準而被閂鎖於其中成為在510之時鐘 資料信號〜DC1-〜DCn。在528之第一擊發胞元群組時鐘資料 k號1C必須被維持至高電壓脈衝526轉移低於電晶體臨界 值後。 在524之高電壓脈衝的第二半部之際，資料信號〜Dl· 10〜Dn在508包括於534之第一擊發群組時鐘資料信號ID，於 534之第一擊發群組時鐘資料信號1〇其被傳送通過第—擊 發群組FG1之被附掛於資料線路422的閂鎖電晶體152以提 供在514被閂鎖之第一群組時鐘資料信號1?(}1£)中的在532 之第一擊發胞元群組時鐘資料信號1De在532之第一擊發胞 15元群組時鐘資料信號1D隨著高電壓脈衝524轉移至低邏輯 位準而被閂鎖於第一擊發胞元群組FG1中之預先充電擊發 胞元150内。在534之第一擊發胞元群組時鐘資料信號1£)必 須被維持至高電壓脈衝524轉移低於電晶體臨界值後。 位址信號被提供以選擇一列子群組及s 1在5〇2提供第 20 一擊發群組FG1之選擇信號中的高電壓脈衝538與第二擊發 群組FG2之預先充電信號。高電壓脈衝538接通第一擊發群 組FG1之預先充電擊發胞元150中的選擇電晶體13〇<)在被定 位址之列子群組中，儲存節點電容126在若被閂鎖之第一擊 發群組資料佗號？〇10 512及？〇1〇514為高時放電，抑或在 50 1323221 若被閂鎖之第一擊發群組資料信號FG1C 512及FG1D 514 為低時維持被充電。在未被定位址之列子群組中，儲存節 點電容126不論在512之FG1C與在514之FG1D的被閂鎖之 第一擊發群組資料的電壓位準為何均放電。一能量脈衝被 5提供於該第一擊發群組擊發信號中以將被耦合於被定位址 之列子群組中傳導的驅動開關172之擊發電阻器52激能。 在506之資料時鐘信號DCLK於高電壓脈衝538的第一 半部之際提供在540的高電壓脈衝。時鐘問鎖電路4〇4接收 在540的高電壓脈衝並在508傳送資料信號〜d 1 _〜Dn以在 10 510提供時鐘資料信號〜DC1-〜DCn。 在538的高電壓脈衝的第一半部之際，於5〇8的資料信 號〜D1-〜Dn包括在542之第二擊發群組時鐘資料信號2C，其 被傳送通過時鐘閂鎖電路404以提供在5丨〇的時鐘資料信號 -DC1-〜DCn中之於544的第二擊發群組時鐘資料信號2c。 15同樣地’在544之第二擊發群組時鐘資料信號2C被傳送通過 第二擊發群組FG2之預先充電擊發胞元15〇中的資料閂鎖電 晶體152以提供在516之閂鎖第二擊發群組時鐘資料信號 FG2C中的第二擊發群組時鐘資料信號2C。在544之第二擊 發群組時鐘資料信號2C隨著高電壓脈衝54〇轉移為傾輯 20位準被問鎖成為時鐘資料信號〜DC 1 -〜DCn。在542之第二擊 發群組時鐘資料信號2C必須被維持至高電壓脈衝54〇轉移 到低於電晶體臨界值為止。 在538之高電壓脈衝的第二半部之際，於5_資料信 號〜Di-〜Dn包括在548之第二擊發群組資料信號2d。在州 51 1323221 之第二擊發群組資料信號2D被傳送通過第二擊發群組FG2 的預先充電擊發胞元150中之資料閂鎖電晶體152，其被附 掛於資料線路422以提供在548的閂鎖第二擊發群組資料信 號FG2D中在550之第二擊發群組資料信號2D。在546之第二 5擊發群組時鐘資料信號2C與在550之第二擊發群組資料信 號2D隨著高電壓脈衝538轉移為低邏輯位準而被閂鎖至第 二擊發群組FG2之預先充電擊發胞元15〇内。在548之第二擊 發群組資料信號2D必須被維持至高電壓脈衝538轉移到低 於電晶體臨界值為止。 10 位址信號被提供以選擇一列子群組及在504之信號S2 提供在第二擊發群組FG2的選擇信號中之於552的高電壓脈 衝與第三擊發群組FG3之預先充電信號。在552之高電壓脈 衝接通第二擊發群組FG2的預先充電擊發胞元15〇中之選擇 電晶體130。在被定位址之列子群組中儲存節點電容126在 15若516之FG2C與518之FG2D的閂鎖第二擊發群組資料為高 時放電，抑或在若516之FG2C與518之FG2D的問鎖第二擊 發群紐資料為低時維持被充電。在未被定位址之列子群組 中’儲存節點電容126不論516之FG2C與518之FG2D的閃鎖 第二擊發群組資料之電壓位準為何均會放電。一能量脈衝 在第二擊發群組擊發信號中被提供以將被耦合於被定位址 之列子群組的傳導之驅動開關172的擊發電阻器52激能。 在506之資料時鐘信號DCLK於高電壓脈衝552的第一 半。卩之際提供在554的高電壓脈衝。時鐘閂鎖電路404接收 在5〇8的高電壓脈衝並在508傳送資料信號〜D1〜Dn以在 52 1323221 510提供時鐘資料信號〜0<：1-〜0(：!1。 在552的高電壓脈衝的第一半部之際，於5〇8的資料作 號〜D1-〜Dn包括在556之第三擊發群組時鐘資料信號此，其 被傳送通過時鐘閂鎖電路404以提供在510的時鐘資料作號 5 ~DC1_〜DCn中之於558的第三擊發群組時鐘資料信號咒。 同樣地’在558之第三擊發群組時鐘資料信號3C被傳送通過 第三擊發群組FG3之預先充電擊發胞元150中的資料閂鎖電 晶體152以提供在560之閂鎖第三擊發群組時鐘資料作號 FG3C中的第三擊發群組時鐘資料信號3C。在556之第三擊 10發群組時鐘資料信號3C隨著高電壓脈衝554轉移為低邏輯 位準被閂鎖成為時鐘資料信號〜DC 1 -〜DCn。在556之第三擊 發群組時鐘資料信號3C必須被維持至高電壓脈衝554轉移 到低於電晶體臨界值為止。 在552之高電壓脈衝的第二半部之際，於5〇8的資料信 15號〜D1_〜Dn包括在562之第三擊發群組資料信號3D。在“之 之第二擊發群組資料信號3d被傳送通過第三擊發群組FG3 的預先充電擊發胞元150中之資料閂鎖電晶體152，其被附 掛於資料線路422以提供在564的閂鎖第三擊發群組資料信 號FG3D中在522之第三擊發群組資料信號3D。在560之第三 20擊發群組時鐘資料信號3C與在564之第三擊發群组資料信 號3D隨著高電壓脈衝538轉移為低邏輯位準而被閂鎖至第 二擊發群組FG3之預先充電擊發胞元150内。在562之第三擊 發群組資料信號3D必須被維持至高電壓脈衝552轉移到低 於電晶體臨界值為止。 53 此過程持續至擊發群組FGn，其接收信號Sn-1作為一預 先充電信號及信號Sn作為一選擇信號。然後該過程本身重 複而以第一擊發群組FG1開始至喷出流體完成為止。 第12圖為被組配以閂鎖資料之一預先充電擊發胞元 5 160的一實施例之示意圖。預先充電擊發胞元丨6〇係類似於 第6圖之預先充電的擊發胞元120並包括預先充電的擊發胞 元120之包括驅動開關172、擊發電阻器52與預先充電的擊 發胞元120之記憶體胞元。符合預先充電的擊發胞元120之 元件的預先充電擊發胞元160之元件具有與預先充電的擊 1〇 發胞元120之元件相同的元件編碼且一起電氣式地被耦合 於如第6圖描述之信號資料，除外的是資料電晶體136之閘 極電氣式地被耦合於接收閂鎖資料信號〜LDATAIN的閂鎖 資料線路15 6而取代被耦合於接收資料信號〜D AT A之資料 線路142。此外，符合預先充電的擊發胞元120之元件的預 15 先充電擊發胞元150之元件如第6圖描述地作用及操作。 預先充電擊發胞元160包括一資料問鎖電晶體162，其 包括一汲極-源極路徑電氣式地被耦合於資料線路164與閂 鎖資料線路166間。資料線路164接收資料信號〜DATAIN及 貢料閂鎖電晶體162閂鎖資料至預先充電擊發胞元160内以 20 提供閂鎖資料信號〜LDATAIN。資料信號〜DATAIN與閂鎖 貢料信號〜LDATAIN在如該信號名稱開頭之(〜)所示地為低 時為有源的。資料閂鎖電晶體162之閘極電氣式地被耦合於 接收一資料選擇信號DATASEL的資料選擇線路170。 在一實施例中，資料閃鎖電晶體162為隶小尺寸之電晶 54 1323221 體，以在預先充電信號由高電壓彳立準 使資料閂鎖電晶體162之閂鎖資料绐妨 &電聲位準時 貝竹線路166與資料門祝 體162之閘極對源極節點間的電荷技 鬥鎖電晶 、用最小化。此電 減少高電壓位準閂鎖資料。同樣在— 电何共用 貫施例中，备a 電晶體162之汲極決定在預先充雷 貝料閂鎖 电毡旒為低電壓仇 看到的電容及最小化尺寸之電晶體难 丰時被 資㈣鎖電晶想162經由容，的。

由資料線路164傳送資料至_資料線路二=: 存節點電容168。當預先充電信號由高電壓位準轉移為低^ 壓位準時’該資料被關邱„料線路164與_^= 存卽點電容168上。閂鎖資料儲存節點 分之資料電晶體136而以虛線被顯示 於為^ 欢考，與貧料雷曰栌 136分離之電容器可被使用以儲存閂鎖資料。 Μ 問鎖資料儲存節點電容168上為夠大以在預先充電俨 Μ號由高位準轉移為低位準時維持實質地之高位準。㈣

地’閃鎖資料儲存節點電容168上為夠小以在一能量脈衝經 由擊發信號FIRE在選擇信號SELECT中被提供及—高電壓 脈衝在預先充電信號PRECHARGE中被提供時維持實質地 之低位準。此外，資料電晶體136為夠小以在驅動開關172 20之閘極被放電時維持問鎖資料儲存節點電容168上之低位 準，且為夠大以在擊發信號FIRE中之能量脈衝開始使驅動 開關172的閘極完全放電。 在使用預先充電的擊發胞元16〇之雙資料擊發胞元率 電路的一實施例中’每一條資料選擇線路17〇電氣式地被耦 55 1323221 合於—預先充電線路，如一第一時鐘或一第二時鐘。在一 些擊發群組中，該第一時鐘電氣式地被耦合於在一些預先 充電的擊發胞元160中之資料選擇線路170及第一擊發群組 預先充電線路電氣式地被耦合於在其他預先充電的擊發胞 5 元160之資料選擇線路170。在其他擊發群組中，該第二時 鐘電氣式地被耦合於在一些預先充電的擊發胞元160中之 資料選擇線路170及第一擊發群組預先充電線路電氣式地 被搞合於在其他預先充電的擊發胞元160之資料選擇線路 170。該第一時鐘包括被耦合於該第一時鐘之擊發群組的預 10先充電信號之每一個高電壓脈衝的第一半部。該第二時鐘 包括被輕合於該第二時鐘之擊發群組的預先充電信號之每 個尚電壓脈衝的第一半部。因而在一些擊發群組中該 第一時鐘與預先充電信號於該預先充電信號的每一個高電 壓脈衝之際閂鎖在二資料位元中，及在其他擊發群組中， 15該第二時鐘與預先充電信號於該預先充電信號的每一個高 電壓脈衝之際閃鎖在二資料位元中。在其他使用預先充電 的擊發胞7L160之多倍資料率擊發胞元電路的實施例中，任 何適合個數之時鐘信號可被使用以在一預先充電信號的高 電壓脈衝之際閃鎖於如三個或以上的資料位元之多重資料 20 位元。 在使用預先充電的擊發胞元16〇之多倍資料率擊發胞 兀位址中，-些資料線路一次向上充電至在一擊發群組中 的閃鎖資料線路節點，此處每一個擊發群組接收在該擊發 群組預先充電信號中之高電壓位準。其他資料線路向上充 56 電至在多個擊發群組的閂鎖資料線路節點，此處多個擊發 群组接收在一時鐘信號中之高電壓脈衝。 在預先充電的擊發胞元160之作業中，資料信號 〜DATAIN藉由在資料選擇線路170上提供高電壓位準經由 5資料閂鎖電晶體162被資料線路164接收及被傳送至閂鎖資 料線路156與預先充電的擊發胞元丨2(^儲存節點電容126透 過預先充電電晶體128經由在預先充電線路132之高電壓位 準被預先充電。資料閂鎖電晶體162被切斷以在資料選擇線 路Π0上之電壓脈衝由高電壓位準轉移為低電壓位準時提 1〇供閂鎖資料信號〜LDATAIN。將被閂鎖至預先充電擊發胞元 160内在預先充電信號為高電壓位準時被提供且被維持至 預先充電信號轉移至低電壓位準為止。在資料選擇信號中 之向電壓脈衝在預先充電信號的高電壓脈衝抑或其為在該 預先充電信號中的該高電壓脈衝之際發生。對照之下，將 5被閂鎖至第6圖之預先充電的擊發胞元120内的資料在選擇 信號為高電壓位準時被提供。 在預先充電擊發胞元160之一實施例中，於資料選擇線 路170的高脈衝後，位址信號〜ADDRESS1與〜ADDRESS2在 位址線路144與146上被提供以設定第一位址電晶體138與 第二位址電晶體140之狀態。若資料電晶體136、第一位址 電晶體138與及/或第二位址電晶體14〇為接通的，一電壓位 準脈衝在選擇線路134上被提供以接通選擇電晶體130且儲 存節點電容126放電。或者，若資料電晶體130、第一位址 電晶體138與第二位址電晶體140均不為接通的，儲存節點 57 電容126維持被充電的。 預先充電擊發胞元160在位址信號〜ADDRESS 1與 〜ADDRESS2二者若為低時為被定位址之擊發胞元，且儲存 節點電容126在閂鎖資料信號〜LDATAIN若為高時被放電在 5閂鎖資料信號〜LDATAIN若為低時維持被充電的。若在位址 信號〜ADDRESS1與〜ADDRESS2有至少—個為高時，預先 充電擊發胞元160不為被定位址之擊發胞元且儲存節點電 容126不論閂鎖資料信號〜LDATAIN之電壓位準為何均會放 電。該等第一與第二位址電晶體136與138包含一位址解碼 10器，且若預先充電擊發胞元160為被定位址的，資料電晶體 136控制儲存在節點電容126上之電壓位準。 第13圖為一時序圖，顯示雙倍資料率擊發胞元電路16〇 的一實施例之作業。每一條資料選擇線路17〇電氣式地被耦 合於一預先充電線路，一第一時鐘或一第二時鐘。雙倍資 15料率擊發胞元電路包括一第一擊發群組FG1、一第二擊發群 組FG2、一第三擊發群組FG3與其他擊發群組，一直至擊發 群組FGn。雙倍資料率擊發胞元電路接收預先充電/選擇信 號SO，SI，S2與其他預先充電/選擇信號一直至如。預先充 電/選擇信號SO—Sn被使用作為雙倍資料率擊發胞元電路 2〇中之預先充電信號及/或選擇信號。 第一擊發群組FG1在600接收信號S0作為一預先充電 信號與在602接收S1作為一選擇信號。第二擊發群組1?(32在 602接收信號S1作為一預先充電信號與在6〇4接收S2作為一 選擇信號。第三擊發群組FG3在6〇4接收信號幻作為一預先 58 1323221 充電彳§號與k號S3(未晝出）作為一選擇信號，餘此類推至擊 發群組FGn接收信號％_1(未畫出）作為一預先充電信號與 信號Sn(未畫出）作為一選擇信號。 該雙倍資料率擊發胞元電路經由第一資料時鐘在6〇6 5接收一第一資料時鐘DCLK1及經由第二資料時鐘在608接 收一第二資料時鐘DCLK2。該第一資料時鐘電氣式地被耦 合於如第一擊發群組FG1與第三擊發群組FG3之奇數擊發 群組的實質上半部之預先充電的擊發胞元160的資料選擇 線路170。每一個擊發群組之預先充電線路電氣式地被耦合 10於該等奇數擊發群組中的實質上其他半部之資料選擇線路 170。該第二資料時鐘電氣式地被耦合於如第二擊發群組 FG2與第四擊發群組FG4之偶數擊發群組的實質上半部之 預先充電的擊發胞元160的資料選擇線路170。每一個擊發 群組之預先充電線路電氣式地被耦合於該等偶數擊發群組 15中的實質上其他半部之資料選擇線路170。 在606之第一資料時鐘信號DCLK1包括在被耦合於第 一資料信號的擊發群組之預先充電信號中每一個高電壓脈 衝的第一半部之一高電壓脈衝，及在6〇8之第二資料時鐘信 號DCLK2包括在被耦合於第二資料信號的擊發群組之預先 20充電仏號中母一個高電壓脈衝的第二半部之一高電壓脈 衝。資料線路提供在61〇之資料信號〜D1〜Dn，其中每一條 該等資料線路提供在610的資料信號〜D1〜Dn之一及在一 預先充電彳δ號的咼電壓脈衝的第—半部之際的一第一資料 位儿與在-預先充電信號的高電壓脈衝的第二半部之際的 59 1323221 一第二資料位元。每-條資料線路電氣式地被輕合於在所 有的擊發群組中之預先充電的擊發胞元WO。同樣地，每一 條貝料線路電氣式地被耦合於具有資料選擇線路ΐ7θ被耦 Ο於该等第-或第—資料時鐘之_擊發群組及具有資料選 5擇線路HO被耦合於該擊發群組的預先充電線路之該預先 充電的擊發胞元160。 在奇數之擊發群組中，於606的第一資料時鐘信號 DCLK1與一預先充電信號在預先充電信號的每一個高電壓 脈衝之際閃鎖於二資料位元中。在偶數之擊發群組中，於 H) 608的第二資料時鐘信號DCLK2與—預先充電信號在預先 充電信號的每一個高電壓脈衝之際閂鎖於二資料位元中。 在使用預先充電的擊發胞it 16G之多倍率擊發胞元電路的 其他實施例中，任何適合個數之資料時鐘信號可被用以在 一預先充電信號的高電壓脈衝之際閂鎖於如三個或更多資 15料位元的多資料位元中。 擊發群組FGl-FGn閂鎖於610之資料信號〜D1•〜Dn中以 提供被閂鎖在時鐘資料信號與被閂鎖在預先充電資料信號 中，其被用以接通驅動開關17 2以將被選擇的擊發電阻器5 2 激能。在-實施例中，-能量脈衝實質上朝向該擊發群組 2〇之選擇信號中的高電壓脈衝之中間或端部開始以將被選擇 的擊發電阻器52激能。 第-擊發群組FG1閂鎖於610之資料信號〜m_〜Dn以提 供在612之閃鎖第一擊發群組時鐘資料信號FG1C與在614 之閂鎖第—擊發群組預先充電資料信號FGip。第二擊發群 60 1323221 組FG2問鎖於610之資料信號〜D1_〜如以提供在6i6之問鎖 第二擊發群組時鐘資料信號FG2C與在618之問鎖第二擊發 群組預先充電資料信號脱卜第三擊發群組⑹問鎖於⑽ 之資料信號〜D1·〜Dn以独在620之鎖第三擊發群組時 5鐘資料信號FG3C與在622之閃鎖第三擊發群組預先充電資 料信號FG3P。其他擊發群組類似擊發群組阳彻地亦閃 鎖於610之資料信號〜D1_〜Dn以提供問鎖時鐘資料信號與 閂鎖預先充電資料信號。 開始時，在600之信號S0提供在第一擊發群組FG1之預 10先充電信號中於624的一高電壓脈衝。在624之高電壓脈衝 的第一半部之際，於606的第一資料時鐘信號DCLK1提供在 626之一高電壓脈衝。資料信號〜D1一Dn包括在628之第一 擊發群組時鐘資料信號1(：，其被傳送通過被耦合第一擊發 群組F G1中的第一資料時鐘之資料閂鎖電晶體16 2以提供在 15 612的閂鎖第一擊發群組時鐘資料信號FG1C中在63〇之第 一擊發群組時鐘資料信號丨C。在63〇之第一擊發群組時鐘資 料信號1C隨著高電壓脈衝628轉移為低邏輯位準而被閂 鎖。在62 8之第一擊發群組時鐘資料信號丨c必須被維持至高 電壓脈衝626轉移至低於電晶體臨界值後。 20 在624之高電壓脈衝的第二半部之際，於610的資料信 號〜D1-〜Dn包括在632之第一擊發群組預先充電資料信號 1P’在632之第一擊發群組預先充電資料信號lp被傳送通過 被耦合第一擊發群組FG1的預先充電資線路之資料閂鎖電 晶體162以提供在614的閂鎖第一擊發群組時鐘資料信號 61 FG1P中在630之第-擊發群組時鐘資料信號lp。在634之第 一擊發群組預先充電資料信號1?隨著高電壓脈衝624轉移 為低邏輯位準而被閃鎖。在632之第一擊發群組預先充電資 料信號1Ρ必須被維持至高電壓脈衝62 6轉移至低於電晶體 5 臨界值後。 位址彳5號被k供以選擇一列子群組及在602之信號s 1 提供在第-擊發群組FG1的選擇信號之一高電壓脈衝伽與 在第二擊發群組FG2的預先充電信號。在636之高電壓脈衝 接通在第一擊發群組FG1的預先充電的擊發胞元16〇中之選 10擇電晶體130。在被定位址之列子群組中，儲存節點電容126 在612之FG1C與在614之FG1P的閂鎖第一擊發群組資料若 為高時放電’抑或在612之FG1C與在614之FG1P的閂鎖第一 擊發群組資料若為低時維持被充電。在未被定位址之列子 群、’且中，儲存卽點電容126不論在612之FG1C與在ό 14之 15 FG1P的閂鎖第一擊發群組資料之電壓位準為何均會放 電。一能量脈衝在該第一擊發群組擊發信號中被提供以將 被耦合於該被定位址之子群組的傳導之驅動開關172激能。 在636之高電壓脈衝的第一半部之際，於6〇8的第二資 料時鐘信號DCLK2提供在638之一高電壓脈衝。在61〇之資 料^號〜D1-〜Dn包括在640之第二元擊發群組時鐘資料信 號2C，其被傳送通過被耦合第二擊發群組FG2中的第一資 料時鐘之資料閂鎖電晶體16 2以提供在642的閂鎖第二擊發 群組時鐘資料信號FG2C中在642之第二擊發群組時鐘資料 L號2C。在642之第二擊發群組時鐘資料信號2C隨著高電 62 1323221 壓脈衝638轉移為低邏輯位準而被閂鎖。在64〇之第二擊發 群組時鐘資料信號2C必須被維持至高電壓脈衝638轉移至 低於電晶體臨界值後。 在624之高電壓脈衝的第二半部之際，於61〇的資料信 5號〜〇卜〜Dn包括在644之第二擊發群組預先充電資料信號 2P，在644之第二擊發群組預先充電資料信號2p被傳送通過 被耦合第二擊發群組FG2的預先充電資線路之資料閂鎖電 晶體162以提供在646的閂鎖第二擊發群組預先充電資料信 號FG2P中在630之第二擊發群組預先充電資料信號2p。在 10 646之第二擊發群組時鐘資料信號2P隨著高電壓脈衝636轉 移為低邏輯位準而被閂鎖。在644之第二擊發群組預先充電 資料信號2 P必須被維持至高電壓脈衝63 6轉移至低於電晶 體臨界值後。 位址信號被提供以選擇一列子群組及在6〇4之信號S2 15 提供在第一擊發群組FG2的選擇信號之一高電壓脈衝636與 在第三擊發群組FG3的預先充電信號。在648之高電壓脈衝 接通在第二擊發群組FG2的預先充電的擊發胞元16〇中之選 擇電晶體130。在被定位址之列子群組中，儲存節點電容126 在616之FG2C與在618之FG2P的閂鎖第二擊發群組資料若 20 為高時放電，抑或在616之FG2C與在618之FG2P的閂鎖第— 擊發群組資料若為低時維持被充電。在未被定位址之列子 群組中，儲存節點電容126不論在616之FG2C與在618之 FG2P的閃鎖第二擊發群組資料之電壓位準為何均會放 電。一能量脈衝在該第二擊發群組擊發信號中被提供以將 63 被耦合於該被定位址之子群組的傳導之驅動開關172激能。 在648之高電壓脈衝的第一半部之際，於6〇6的第一資 料時鐘信號DCLK1提供在650之一高電壓脈衝。在61〇之資 料信號〜D1-〜Dn包括在652之第三元擊發群組時鐘資料信 5號3C，其被傳送通過被耦合第三擊發群組FG3中的第一資 料時鐘之資料閂鎖電晶體162以提供在620的閂鎖第三擊發 群組時鐘資料信號FG3 C中在654之第三擊發群組時鐘資料 仏號3(：。在654之第三擊發群組時鐘資料信號3c隨著高電 壓脈衝650轉移為低邏輯位準而被閂鎖。在652之第三擊發 10群組時鐘資料信號3C必須被維持至高電壓脈衝650轉移至 低於電晶體臨界值後。 在648之高電壓脈衝的第二半部之際，於61〇的資料信 號〜D1-〜Dn包括在656之第三擊發群組預先充電資料信號 3P’在656之第三擊發群組預先充電資料信號3p被傳送通過 15被耦合至第三擊發群組FG3的預先充電資線路之資料閂鎖 電晶體162以提供在622的閂鎖第三擊發群組預先充電資料 信號FG3P中在6〗8之第三擊發群組預先充電f料信號3p。 在658之第三擊發群組時鐘資料信號3p隨著高電壓脈衝6佔 轉移為低邏輯位準而被閂鎖。在656之第三擊發群組預先充 20電資料信號3P必須被維持至高電壓脈衝648轉移至低於電 晶體臨界值後。 此過程持至擊發群組FGn接收信號如—丨作為一預先充 電信號與信號Sn作為一選擇信號為止。然後該過程本身重 複而以第-擊發群組FG1開始直喷出流體完成為止。 64

第14圖為一示意圖，顯示一個二通電晶體預先充電的 擊發胞元180之一實施例。預先充電的擊發胞元180可用第 U圖之預先充電的擊發胞元160在多倍資料率擊發群組電 路中被使用。在只使用第12圖之預先充電的擊發胞元160的 5多倍資料率擊發群組電路之一實施例中，一些資料線路將 被耦合於接收在資料時鐘信號中的高電壓脈衝之閂鎖資料 線路節點（包括在接收該資料時鐘信號之對應的擊發群組 中的被閂鎖之資料節點）向上充電。在這些多倍資料率擊發 群組電路中，該二通電晶體預先充電的擊發胞元18〇可取代 10 接收資料時鐘信號之預先充電的擊發胞元160被使用。該二 通電晶體預先充電的擊發胞元180降低資料線路電容，使得 該等資料線路只將正在接收擊發群組之預先充電信號中的 尚電壓脈衝之一擊發群組中的資料線珞節點向上充電。 預先充電擊發胞元180類似於第6圖之預先充電的擊發 15 胞元120並包括預先充電的擊發胞元120之包括驅動開關 172、擊發電阻器52與記憶體胞元。符合預先充電的擊發胞 元120之元件的預先充電擊發胞元18〇之元件具有與預先充 電的擊發胞元120之元件相同的元件編碼且一起電氣式地 被耦合於如第6圖描述之信號資料，除外的是資料電晶體 20 136之閘極電氣式地被耦合於接收閂鎖資料信號〜LDATAIN 的閃鎖資料線路156而取代被耦合於接收資料信號〜DATA 之資料線路142。此外，符合預先充電的擊發胞元120之元 件的預先充電擊發胞元180之元件如第6圖描述地作用及操 作0 65 1323221 預先充電的擊發胞元丨8〇包括一時鐘資料閂鎖電晶體 184與一預先充電通過電晶體丨86。時鐘資料閂鎖電晶體184 包括一汲極-源極路徑電氣式地被耦合於預先充電通過電 曰曰體186之汲極-源極路徑間。預先充電通過電晶體186之汲 5極-源極路徑電氣式地被耦合於時鐘資料閂鎖電晶體184與 貝料線路188之汲極-源極路徑間。資料閂鎖電晶體184之閘 極電氣式地被耦合於接收一資料時鐘信號DCLK之資料時 鐘線路190及預先充電通過電晶體186之閘極電氣式地被耦 合於接收預先充電信號PRECHARGE的預先充電線路 10丨32。在19〇之資料時鐘信號DCLK包括在預先充電信號 PRECHARGE的南電壓脈衝之際的一高電壓脈衝。資料線 路188接收資料信號〜DATAIN及時鐘資料閂鎖電晶體丨84閂 鎖資料至預先充電的擊發胞元18〇内以提供閂鎖資料信號

〜LDATAIN。資料k號〜DATAIN與閂鎖資料信號〜LDATAIN 15在如該信號名稱開頭之〜符號所示地為低時為有源的。 資料線路188接收資料信號〜DATAIN，及預先充電通過 電晶體186經由在預先充電信號之一高電壓脈衝由資料線 路188傳送資料至時鐘閂鎖電晶體丨84。時鐘閂鎖電晶體丨84 經由在資料時鐘信號之一高電壓脈衝送資料至閂鎖資料線 20路182與一閂鎖資料儲存節點電容192。在資料時鐘信號中 之高電壓脈衝於預先充電信號的高電壓脈衝之際發生。 該資料隨著ΐ料時鐘信號由高電壓位準轉移為低電壓 位準而被閂鎖至閂鎖資料線路182與閂鎖資料儲存節點電 容192上。閂鎖資料儲存節點電容192由於其為部分之資料 66 1323221 電晶體136而以虛線被晝出。或者，與資料電晶體分離之一 電容器可被用以儲存被閂鎖的資料。

閂鎖資料儲存節點電容192上為夠大以在預先充電信 號由高位準轉移為低位準時維持實質地之高位準。同樣 5地，閃鎖資4儲存節點電容192上為夠小以在一能量脈衝經 由擊發信號FIRE在選擇信號SELECT中被提供及一高電壓 脈衝在預先充電信號PRECHARGE中被提供時維持實質地 之低位準。此外，資料電晶體136為夠小以在驅動開關172 之閘極被放電時維持閃鎖資料儲存節點電容192上之低位 10準，且為夠大以在擊發信號FIRE中之能量脈衝開始使驅動 開關172的閘極完全放電。 在使用預先充電的擊發胞元16〇與二通預先充電的擊 發胞7018G之雙倍資料率電路的—實施例中，每—個擊發群 •且實質上包括半個預先充電的擊發就_與實質上半個 20 节/手钱肥兀180。在一擊發群組之所有的預先充電 的擊發胞TClM之資料轉線路m電氣錢仙合於此擊 發群組的縣充電線路。同樣地，在—擊發群組之所有的 預先充電的擊發胞元180之預先充電過通過電晶體186電氣 式地被輕合於此擊發群_預先充電線路。在 一些擊發群 第時鐘電氣式地被耗合於預先充電的擊發胞元 7之所有的資料時鐘線路觸及在其他擊發群組中一第二 次鐘電氣式地被輕合於預先充電的擊發胞元⑽之所有的 :料時鐘線路19G〇該第—時鐘包括被輕合於該第一時鐘之 發群”且的預先充電信號之每-個高電壓脈衝的第一半 67 部。該第二時鐘包括被輕合於該第二時鐘之擊發群組的預 先充電信號之每一個高電壓脈衝的第一半部。因而在—此 擊發群組中，該第一時鐘與預先充電信號於該預先充電疒 號的每一個高電壓脈衝之際閂鎖在二資料位元中，及在其 他擊發群組中，該第二時鐘與預先充電信號於該預先充電 信號的每一個高電壓脈衝之際閂鎖在二資料位元 τ。在此 使用預先充電的擊發胞元160與二通電晶體預先充電的擊 發胞元180之多倍資料率擊發胞元電路中，資料線路使在接 收高電壓脈衝預先充電信號中之閂鎖資料線路節點向上充 電。 在預先充電的擊發胞元180之作業中，資料信號 〜DATAIN藉由提供在預先充電信號中的高電壓脈衝被資料 線路188接收及經由接收通過電晶體186被傳送至時鐘資料 閂鎖電晶體184。時鐘資料閂鎖電晶體184經由在資料時鐘 信號中之一高電壓脈衝傳送資料至閂鎖資料線路182與閂 鎖資料儲存節點電容192。在資料時鐘信號中之高電壓脈衝 於預先充電信號中的高電壓脈衝之際發生。 儲存節點電容126透過預先充電電晶體128經由預先充 電佗號中之局電壓脈衝被預先充電。時鐘資料閂鎖電晶體 184隨著貢料時鐘信號中之高電壓脈衝由高電壓位準轉移 為低電壓位準被切斷以提供閂鎖資料信號〜LDATAIN。被閂 鎖至預先充電的擊發胞元内之資料在資料時鐘信號為高電 壓位準時被提供且被維持至在預先充電信號中的高電壓脈 衝之際發生的資料時鐘信號轉移至低電壓位準後。對照之 下’將閂鎖至第6圖之預先充電的擊發胞元120的資料在該 選擇信號為高電壓位準時被提供。 在預先充電擊發胞元180之一實施例中，於資料時鐘信 號中之的高脈衝後’位址信號〜ADDRESS1與〜ADDRESS2 5在位址線路144與146上被提供以設定第一位址電晶體138 與第二位址電晶體140之狀態。若資料電晶體136、第一位 址電晶體138與及/或第二位址電晶體14〇為接通的，一電壓 位準脈衝在選擇線路134上被提供以接通選擇電晶體13〇且 儲存節點電容126放電。或者，若資料電晶體136、第一位 10址電晶體138與第二位址電晶體140均不為接通的，儲存節 點電容126維持被充電的。 預先充電擊發胞元180在位址信號〜ADDRESS1與 〜ADDRESS2*一者右為低時為被定位址之擊發胞元’且儲存 節點電容126在閂鎖資料信號〜LDATAIN若為高時被放電在 15閂鎖資料信號〜LDATAIN*為低時維持被充電的。若在位址 信號〜ADDRESS1與〜ADDRESS2有至少一個為高時，預先 充電擊發胞元180不為被定位址之擊發胞元且儲存節點電 容126不論閂鎖資料信號〜LDATAIN之電壓位準為何均會放 電。該等第一與第二位址電晶體136與138包含一位址解碼 20器’且若預先充電擊發胞元180為被定位址的，資料電晶體 136控制儲存在節點電容126上之電壓位準。 第15圖為使用預先充電的擊發胞元160與二通電晶體 預先充電的擊發胞元180之二倍資料率提供電路的—實施 例之時序圖。該二倍資料率擊發胞元包括多個擊發群組且 69 每個}發群組包括貫質上半個預先充電的擊發胞元⑽ /、實貝上半個一通電晶體預先充電的擊發胞元18〇。 雙倍-貝料率擊發胞元電路包括一第一擊發群組、 第一擊發群組FG2、一第三擊發群組17(}3與其他擊發群 組，-直至擊發群組FGn。雙倍資料率擊發胞元電路接收預 先充電/選擇信號S0，S2與其他預先充電/選擇信號一直 至Sn。預先充電/選擇信號如―Sn被使用作為雙倍資料率擊 發胞元電路中之預先充電信號及/或選擇信號。第一擊發群 、、且FG1在700接收信號s〇作為一預先充電信號與在7〇2接收 〇 S1作為—選擇信號。第二擊發群組FG2在702接收信號S1作 為一預先充電信號與在704接收S2作為一選擇信號。第三擊 發群組FG3在704接收信號S2作為一預先充電信號與信號 S3(未晝出）作為一選擇信號，餘此類推至擊發群接收 信號Sn-Ι(未畫出）作為一預先充電信號與信號Sn(未畫出） 15 作為一選擇信號。 該雙倍資料率擊發胞元電路經由第一資料時鐘在7〇6 接收一第一資料時鐘DCLK1及經由第二資料時鐘在708接 收一第二資料時鐘DCLK2。該第一資料時鐘電氣式地被耦 合於如第一擊發群組FG1與第三擊發群組FG3之奇數擊發 20群組的實質上半部之預先充電的擊發胞元180的資料選擇 線路190。每一個擊發群組之預先充電線路電氣式地被耦合 於該等奇數擊發群組中的實質上其他半部之資料選擇線路 190。該第二資料時鐘電氣式地被耦合於如第二擊發群組 FG2與第四擊發群組FG4之偶數擊發群組的實質上半部之 70 1323221 預先充電的擊發胞元180的資料選擇線路190。在一擊發群 組之所有的預先充電的擊發胞元160中的資料選擇線路170 電氣式地被輕合於此擊發群組之預先充電線路。同樣地， 在一擊發群組之所有的預先充電的擊發胞元丨8〇之預先充 5電通過電晶體186電氣式地被耦合於此擊發群組之預先充 電線路。

在706之第一資料時鐘信號DCLK1包括在被耦合於第 一資料信號的擊發群組之預先充電信號中每一個高電壓脈 衝的第一半部之一高電壓脈衝，及在7〇8之第二資料時鐘信 10號DCLK2包括在被耦合於第二資料信號的擊發群組之預先 充電信號中每一個高電壓脈衝的第二半部之一高電壓脈 衝。資料線路提供在710之資料信號〜D1-〜Dn，其中每一條 該等資料線路提供在710的資料信號〜Dl-~Dn之一及在一 預先充電信號的高電壓脈衝的第一半部之際的一第一資料 15位凡與在一預先充電信號的高電壓脈衝的第二半部之際的 一第一會料位元。每一條資料線路電氣式地被耦合於在每 個擊發群組F<31-FGn中之預先充電的擊發胞元16〇與二 通電明體預先充電的擊發胞元180。 在奇數之擊發群組中，於706的第一資料時鐘信號 20 DCLK1與〜預先充電信號在預先充電信號的每一個 脈衝之際問鎖於二資料位元中。在偶數之擊 · 7〇8的第二資料時鐘信號DCLK2與-預先充電信 於 充電仏逯的每—個高電壓脈衝之際閂鎖於二資料位元中先 在使用預先充電的擊發胞元16G與二通電晶體預先充電的 71 擊發胞7L180之多倍率擊發胞元電路的其他實施例中，任何 適口個數之貧料時鐘信號可被用以在—預先充電信號的高 電壓脈衝之際閃鎖於如三個或更多資料位元的多資料位元 中。 5 擊發群組FGl_FGn閃鎖於710之資料信號〜D1-〜Dn中以 提供被网鎖在時鐘資料信號與被閃鎖在預先充電資料信號 中’、被用以接通驅動開關172以將被選擇的擊發電阻器52 激能。在-實施例中，一能量脈衝實質上朝向該擊發群組 之選擇L號中的南電壓脈衝之中間或端部開始以將被選擇 10的擊發電阻器52激能。 第一擊發群組FG1閃鎖於71〇之資料信號〜⑴〜加以提 供在712之閂鎖第一擊發群組時鐘資料信號FGlc與在714 之閃鎖第-擊發群組預先充電資料信號FGlp。第二擊發群 組FG2閃鎖於710之資料信號〜D1-〜Dn以提供在716之閃鎖 15第二擊發群組時鐘資料信號FG2C與在718之閂鎖第二擊發 群組預先充電育料信號FG2p。第三擊發群組FG3閂鎖於7i〇 之資料信號〜D1 -〜D η以提供在7 2 〇之閂鎖第三擊發群組時 鐘資料信號FG3C與在722之閂鎖第三擊發群組預先充電資 料信號FG3P。其他擊發群組類似擊發群組FG1FG3地亦閂 20鎖於710之資料信號〜Dl_〜Dn以提供閂鎖時鐘資料信號與 閂鎖預先充電資料信號。 在700之信號s〇提供在第一擊發群組^^之預先充電 k號中於724的一高電壓脈衝。在724之高電壓脈衝的第一 半部之際，於706的第一資料時鐘信號DCLK1提供在726之 72 1323221 间電壓脈衝。在71G之下資料信號〜D1·〜Dn包括在628之 f 一擊發群㈣鐘:轉信號1C，其被傳魏過_合於第 擊1群組FG1之預先充電線路的預先充電通過電晶體⑽ 與被輕合於第-擊發群組則之第一資料信號的時鐘資料 5閃鎖電晶體m’以提供在爪的問鎖第一擊發群組時鐘資 料信號FG1C中在730之第一擊發群組時鐘資料信號1C。在 730之第一擊發群組時鐘資料信號1C隨著高電壓脈衝728轉 移為低邏輯位準而被閃鎖。在728之第—擊發群組時鐘資料 信號ic必須被維持至高電壓脈衝726轉移至低於電晶體臨 10 界值後。 在724之高電壓脈衝的第二半部之際，於m的資料信 唬〜D1-〜Dn包括在732之第一擊發群组預先充電資料信號 1P’在732之第-擊發群組預先充電資料信號ιρ被傳送通過 被耦合第-擊發群組FG1的預先充電資線路之資料問鎖電 15晶體16 2以提供在714的閂鎖第一擊發群組時鐘資料信號 FG1P中在730之第一擊發群組時鐘資料信號”。在734之第 一擊發群組預先充電資料信號…隨著高電壓脈衝724轉移 為低邏輯位準而被閂鎖。在732之第一擊發群組預先充電資 料信號1P必須被維持至高電壓脈衝726轉移至低於電晶體 20 臨界值後。 位址仏號被提供以選擇一列子群組及在7〇2之信號$ 1 提供在第一擊發群組FG1的選擇信號之一高電壓脈衝Mg與 在第二擊發群組FG2的預先充電信號。在736之高電壓脈衝 接通在第一擊發群組FG1的預先充電的擊發胞元18〇中之選 73 1323221 擇電晶體130。在被定位址之列子群組中，儲存節點電容126 在712之FG1C與在714之FG1P的閂鎖第一擊發群組資料若 為高時放電，抑或在712之FG1C與在714之FG1P的閃鎖第一 擊發群組資料若為低時維持被充電。在未被定位址之列子 5群組中’儲存節點電容126不論在712之FG1C與在714之 FG1P的閂鎖第一擊發群組資料之電壓位準為何均會放 電。一月b里脈衝在§玄第一擊發群組擊發信號中被提供以將 被耗合於該被定位址之子群組的傳導之驅動開關172激能。 在736之尚電壓脈衝的第一半部之際，於7〇8的第二資 1〇料時鐘信號DCLK2提供在738之一高電壓脈衝。在71〇之資 料信號〜Dl-〜Dn包括在740之第二元擊發群組時鐘資料信 號2C，其被傳送通過被耦合第二擊發群組F(}2中的預先充 電通過電晶體186以提供在742的閃鎖第二擊發群組時鐘資 料L號FG2C中在742之第二擊發群組時鐘資料信號2(：：。在 15 742之第二擊發群組時鐘資料信號沈隨著高電壓脈衝738轉 移為低邏輯位準而被閃鎖。在740之第二擊發群組時鐘資料 信號2C必㈣轉至高電壓脈衝738轉移至低於電晶體臨 界值後。 在736之咼電壓脈衝的第二半部之際，於71〇的資料信 20號〜D1-〜Dn包括在744之第二擊發群植預先充電資料信號 2P’在744之第二擊發群組預先充電資料信號2p被傳送通過 被耦合第二擊發群組FG2的預先充電資線路之資料閂鎖電 晶體162以提供在746關鎖第二擊發群組預先充電資料信 號FG2P中在730之第二擊發群組預先充電資料信號2p。在 74 1323221 746之第二擊發群組時鐘資料信號21>隨著高電壓脈衝736轉 移為低邏輯位準而被閂鎖。在744之第二擊發群組預先充電 資料信號2P必須被維持至高電壓脈衝736轉移至低於電晶 體臨界值後。 5 位址信號被提供以選擇一列子群組及在7〇4之信號S2 提供在第一擊發群組FG2的選擇信號之一高電壓脈衝748與 在第三擊發群組FG3的預先充電信號。在748之高電壓脈衝 接通在第二擊發群組FG2的預先充電的擊發胞元16〇中之選 擇電aa體130與在預先充電的擊發胞元之選擇電晶體 10 130。在被定位址之列子群組中，儲存節點電容126在716之 FG2C與在718之FG2P的閂鎖第二擊發群組資料若為高時放 電’抑或在716之FG2C與在718之FG2P的閃鎖第一擊發群組 資料若為低時維持被充電。在未被定位址之列子群組中， 儲存節點電容126不論在716之FG2C與在718之FG2P的閂鎖 15第二擊發群組資料之電壓位準為何均會放電。一能量脈衝 在該第二擊發群組擊發信號中被提供以將被耦合於該被定 位址之子群組的傳導之驅動開關172激能。 在748之高電壓脈衝的第一半部之際，於7〇6的第一資 料時鐘信號DCLK1提供在760之一高電壓脈衝。此接通在奇 2〇數擊發群組中的時鐘資料閂鎖電晶體184,包括有在第一擊 發群組FG1中之時鐘資料閂鎖電晶體184。隨著在第一擊發 群組FG1中之時鐘資料閂鎖電晶體184接通，在712之閂鎖第 —擊發群組時鐘資料信號FG1C中的資料於752中變成未決 定的。 75 在710之貧料信號〜D1〜Dn包括在754之第三擊發群組 時鐘資料信號3C，其被傳送通過被耦合於第三擊發群組 FG3的預先充電線路及被_合於第三擊發群組fg3中之第 -線路時鐘的時鐘資料閃鎖電晶體184，以提供在72〇之閃 鎖第三擊發群組時鐘資料信號FG3C中於756的第三擊發群 組時鐘資料信號3C。於756的第三擊發群㈣鐘資料信號 3C隨著高電壓崎75〇轉移為低賴位準。在第三擊發群組 時鐘資料信號3C必須被維持至高電壓脈衝—轉移舰於 電晶體臨界值後。 10 15 在648之高電壓脈衝的第二半部之際，於710的資料信 號〜D1·〜Dn包括在758之第三擊發群組預先充電資料信號 3P，在758之第三擊發群組預先充電資料信號3P被傳送通過 被糕合至第三擊發群組FG3的預先充電資線路之資料閃鎖 電晶體162以提供在722㈣鎖第三擊發群組預先充電資料 信號聊中在鳩之第三擊發群組預先充電資料信號3卜 在658之第三擊發群組時鐘資料信號料著高電壓脈衝州 轉移為低邏輯鱗而被_。在758之第三擊發群組預先充 電貢料信號3P&須被維持至高電壓脈衝州轉移至低於 晶體臨界值後。 、 2〇 在信號S3(未畫出）之一高電Μ脈衝的第-半部之際， 在708的第二資料時鐘信號DCLK2於762所示地接徂一 壓脈衝。此接通在偶數擊發群組中（包括在第二擊=組 FG2之時鐘資料閃鎖電晶體184)的時鐘資料閃 184。隨著在第二擊發群組中之時鐘資料⑽電晶體184接 76 通’在716之㈣第—擊發群組時鐘資料信號FG2C令的資 料於764變成未;衫的。此過轉至擊發群組FGn接收信號 Sn-1作為-預先充電信號與信號〜作為一選擇信號為止。 然後該過程本身重複而以第一擊發群組FG1開始直喷出流 5 體完成為止。 雖然特疋之貫施例已在此處被顯示及描述，一般熟習 本技者藝者將了解各種替選及/或等值的施作可不偏離本 發明之領域地取代所顯示及描述的特定實施例。此申請案 欲涵蓋此處所討論之特定實施例的任何修改或變化。所 10以，其被欲於本發明僅被申請專利範圍及其等值事項所限 制。 【圖式簡單說明】 第1圖顯示一喷墨列印系統之實施例。 第2圖顯示一列印頭模之一實施例的一部分。 15 第3圖為顯示一列印頭模之實施例中位於沿著墨水饋 送槽的液滴產生器之佈置圖。 第4圖為一圖，顯示在一列印頭模之一實施例中被運用 的一擊發胞元之實施例。 第5圖為一示意圖’顯示一喷墨列印頭擊發胞元陣列之 2〇 一實施例。 第ό圖為一示意圖，顯示一前置充填之擊發胞元的一實 施例。 第7圖為一示意圖，顯示一噴墨列印頭擊發胞元陣列的 一實施例。 77 1323221 第8圖為一時序圖，顯示一擊發胞元陣列之一實施例的 作業。 第9圖為一示意圖，顯示被組配以閂鎖資料之預先被充 填的擊發胞元之一實施例。 5 第10圖為一示意圖，顯示一個雙倍資料率之擊發胞元 電路。 第11圖為一時序圖，顯示一個雙倍資料率之擊發胞元 電路的作業。 第12圖為一示意圖，顯示一前置充填擊發胞元的一實 10 施例。 第13圖為一時序圖，顯示使用第12圖之前置充填擊發 胞元的一個雙倍資料率之擊發胞元電路的作業。 第14圖為一示意圖，顯示一個二通電晶體前置充填擊 發胞元的一實施例。 15 第15圖為一時序圖，顯示使用第12圖之前置充填擊發 胞元與第14圖之二通電晶體前置充填擊發胞元的一實施例 之作業。 【主要元件符號說明】 32…電力供應 34…孔或喷嘴 36…列印媒體 37…列印區 38…貯筒 39…資料 20…噴墨列印頭總成 22…噴墨列印頭總成 24…墨水供應總成 26…安裝總成 28…媒體運送總成 30…電子控制器 78

Ft323221 40…列印頭 104…賦能線路 42…列印元件 106a-106L..·賦能線路 44…基體 108a-108m…資料線路 46…墨水饋送槽 110a-110n…擊發線路 464461)…槽側 112…共同參考線路 48…薄膜結構 120…預先充電的擊發胞元 50…孔層 122…參考線路 52···前面 124…擊發線路 54…墨水饋送通道 126···儲存節點電容 56…蒸發室 128···預先充電的電晶體 58…導線 130…選擇電晶體 59…液滴產生器 132···預先充電線路 70···擊發胞元 134…選擇線路 72…電阻器驅動開關 136···資料電晶體 74···記憶體電路 138···位址電晶體 76…擊發線路 140···位址電晶體 78…參考線路 142…資料線路 80…資料線路 144···位址線路 82···賦能線路 146···位址線路 100…墨水列印頭擊發胞元陣列 150…預先充電擊發胞元 102a-102n.·.擊發群組 150a-150m預先充電擊發胞元 79 1323221 152···資料閂鎖電晶體 154…資料線路 156···閃鎖資料線路 158···閂鎖資料儲存節點電容 160···預先充電擊發胞元 162···資料閂鎖電晶體 164…閂鎖資料線路 166···問鎖資料線路 168···儲存節點電容 170…資料選擇線路 172…驅動開關 180…預先充電擊發胞元 182…閃鎖資料線路 184…時鐘資料閂鎖電晶體 186···預先充電通過電晶體 188…資料線路 190…資料時鐘線路 192…儲存節點電容 200…擊發胞元陣列 202a-202f...擊發群組 206a-206g···位址線路 208-298h…資料線路 210a-210f···預先充電線路 212a-212f"_選擇線路 214a-214f.·.擊發線路 216…參考線路 400…雙倍資料率擊發胞元電路 402…擊發群組 404…時鐘閂鎖電路 406···列子群組 408…預先充電線路 410…選擇線路 412…擊發線路 418a~418n…時鐘閂鎖電晶體 420”.B^# 線路 422a422n…資料線路 424a424n…時鐘資料線路 i 80

Claims (1)

1323221 第95136550號申請案申請專利範圍修正本 98. 11. 03.

1. 一種流體喷出裝置，其包含： 組配來傳導包括有第一能量脈衝之一第一能量信號 之一第一擊發線路； 組配來傳導包括有第二能量脈衝之一第二能量信 號之一第二擊發線路；

組配來傳導代表一影像之資料信號之資料線路； 組配以閂鎖該等資料信號來提供閂鎖資料信號之 閂鎖電路； 第一液滴產生器，其組配來根據該等閂鎖資料信號 以響應該第一能量信號來喷出流體；以及 第二液滴產生器，其組配來根據該等閂鎖資料信號 以響應該第二能量信號來喷出流體； 其中該閂鎖電路藉由一時鐘信號來閂鎖該等資料 信號，以及該閂鎖電路藉由脈衝充電控制信號來閂鎖該 等資料信號。 2. 如申請專利範圍第1項所述之流體噴出裝置，其中該等第 一能量脈衝之一包括一起動時間與一結束時間，及該等 第二能量脈衝之一在該起動時間與該結束時間之間被起 動。 3. 如申請專利範圍第1項所述之流體喷出裝置，其中該第 一擊發線路與第二擊發線路電氣式地隔離。 4. 如申請專利範圍第1項所述之流體噴出裝置，其中該等閂 鎖資料信號包括第一閂鎖資料信號、第二閂鎖資料信 81 1323221

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20 號、以及第三閂鎖資料信號，且該閂鎖電路包含： 組配來透過一第一時鐘信號來閂鎖該等資料信號， 以提供該等第一閂鎖資料信號之第一閂鎖器； 組配來透過一第二時鐘信號來閂鎖該等資料信號， 以提供該等第二閂鎖資料信號之第二閂鎖器；以及 組配來透過脈衝充電控制信號來閂鎖該等資料信 號，以提供該等第三閂鎖資料信號之第三閂鎖器。 5. 如申請專利範圍第4項所述之流體喷出裝置，其中該等第 一液滴產生器之一第一部份依照該等第一閂鎖資料信號 來噴出流體；以及該等第一液滴產生器一第二部份依照 該等第三閂鎖資料信號來喷出流體。 6. 如申請專利範圍第4項所述之流體喷出裝置，其中該等第 一液滴產生器之一部份依照該等第一閂鎖資料信號來喷 出流體；以及該等第二液滴產生器之一部份依照該等第 二閂鎖資料信號來喷出流體。 7. 如申請專利範圍第4項所述之流體喷出裝置，其包含組配 來依照該等脈衝充電控制信號，來通過該等資料信號至 該等第一閂鎖器及該等第二閂鎖器之第一通過開關。 8. 如申請專利範圍第4項所述之流體喷出裝置，其中該等閂 鎖資料信號包括第四閂鎖資料信號，且該流體噴出裝置 包含： 組配來透過一第三時鐘信號來閂鎖該等資料信號， 以提供該等第四閂鎖資料信號之第四閂鎖器。 9. 一種流體喷出裝置，其包含： 82 1323221 _ 卿/月3日修(复)正替換頁 ， 組配來傳導包括有第一能量脈衝之一第一能量信 ； 號之一第一擊發線路； - 組配來傳導包括有第二能量脈衝之一第二能量信 號之一第二擊發線路； 5 組配來傳導代表一影像之資料信號之資料線路； 組配來依照至少一時鐘信號以閂鎖該等資料信 號，來提供閂鎖資料信號之閂鎖電路；該閂鎖電路包括 組配來藉由一時鐘信號來閂鎖該等資料信號，以提供第 • 一時序資料信號之第一閂鎖器，該閂鎖電路也包括組配 10 來藉由脈衝充電控制信號來閂鎖該等資料信號及該等 第一時序資料信號，以提供該等閂鎖資料信號之第二閂 ， 鎖器； - 第一液滴產生器，其組配來根據該等閂鎖資料信號 以響應該第一能量信號來喷出流體；以及 15 第二液滴產生器，其組配來根據該等閂鎖資料信號 以響應該第二能量信號來喷出流體。 • 10.如申請專利範圍第9項所述之流體噴出裝置，其中該等第 一液滴產生器之一部份依照該等第一時序資料信號來喷 出流體。 20 11.如申請專利範圍第9項所述之流體喷出裝置，其中該閂鎖 電路包含： 組配來藉由一第二時鐘信號來閂鎖該等資料信 號，以提供第二時序資料信號之第三閂鎖器，其中該等 第二閂鎖器組配來藉由該等脈衝充電控制信號來閂鎖 83 1323221 __ _ //以日修(¾正替換頁 . 該等資料信號及該等第一時序資料信號及該等第二時 ； 序資料信號，以提供該等閂鎖資料信號。 - 12. —種流體噴出裝置，其包含： 用於傳導包括有第一能量脈衝之一第一能量信號 5 之構件； 用於傳導包括有第二能量脈衝之一第二能量信號 之構件； 用於傳導代表一影像之資料信號之構件； # 用以閂鎖該等資料信號來提供閂鎖資料信號之構 10 件； 用於根據該等閂鎖資料信號以響應該第一能量信 - 號來喷出流體之構件；以及 - 用於根據該等閂鎖資料信號以響應該第二能量信 號來噴出流體之構件，其中用於閂鎖之構件包括： 15 藉由一時鐘信號，用於閂鎖該等資料信號之構件； 以及 ® 藉由脈衝充電控制信號，用於閂鎖該等資料信號之 構件。 13. 如申請專利範圍第12項所述之流體喷出裝置，其中用於 20 傳導一第一能量信號之該等構件與用於傳導一第二能 量信號之該等構件電氣式地隔離。 14. 如申請專利範圍第12項所述之流體喷出裝置，其中該等 閂鎖資料信號包括第一閂鎖資料信號、第二閂鎖資料信 號、以及第三閂鎖資料信號，且用於閂鎖該等資料信號 84 1323221 ----- _ / /衫日修(g)正替換頁 -------—」 . 之構件包含： ' 用於透過一第一時鐘信號來閂鎖該等資料信號，以 - 提供該等第一閂鎖資料信號之構件； 用於透過一第二時鐘信號來閂鎖該等資料信號，以 5 提供該等第二閂鎖資料信號之構件； 用於透過脈衝充電控制信號來閂鎖該等資料信號， 以提供該等第三閂鎖資料信號之構件。 15. 如申請專利範圍第14項所述之流體喷出裝置，其包含： # 多個構件，其用以通過該等資料信號到用於藉由一 10 第一時鐘信號來閂鎖該等資料信號之該等構件，及根據 該等脈衝充電控制信號，藉由一第二時鐘信號來閂鎖該 - 等資料信號之該等構件。 16. —種流體喷出裝置，其包含： 用於傳導包括有第一能量脈衝之一第一能量信號 15 之構件； 用於傳導包括有第二能量脈衝之一第二能量信號 ⑩ 之構件； 用於傳導代表一影像之資料信號之構件； 用於依照至少一時鐘信號以閂鎖該等資料信號，來 20 提供閂鎖資料信號之構件；用於閂鎖該等資料信號之該 等構件包括用於藉由一第一時鐘信號來閂鎖該等資料 信號，以提供第一時序資料信號之構件，用於閂鎖該等 資料信號之該等構件也包括用於藉由脈衝充電控制信 號來閂鎖該等資料信號及該等第一時序資料信號，以提 85 1323221 ?無"月3日修(幻正替換頁 供該等閂鎖資料信號之構件； — 用於根據該等閂鎖資料信號以響應該第一能量信 號來噴出流體之構件；以及 用於根據該等閂鎖資料信號以響應該第二能量信 5 號來喷出流體之構件。

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