TWI323032B - A circuit for compensating resistance variation and a method for tuning frequency thereof - Google Patents

Description

九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種電阻值偏移補償電路之裝置及方 法’且特別是有關於一種應用於記憶體控制器之電阻值偏 移補償電路的裝置及方法。 【先前技術】 在積體電路的製造過程中’可能因製程的影響而無法 得到其原本設計的電阻值，這種現象被稱為電阻值的偏 移。偏移的電阻值會使積體電路操作時的電流值變得不準 轉’而讓其無法達成預期的效能。舉例來說’若振盪器之 電阻值在製造過程中產生偏移，則會導致振盪器的振盪頻 率不準確。為了改善此問題，在傳統的積體電路中通常會 加入一些補償電阻以及焊墊（Trimming Pad)，可供在電阻值 產生偏移時可對其進行補償。 第1圖係繪示一傳統積體電路，例如一振盪器1〇〇。如 第1.圖所示，電壓源產生裝置101係提供電壓源至運算放 大器103。運算放大器103之輸出端連接一原始電阻1〇5, 而電阻值偏移補償電路115則用以補償此原始電阻1〇5。更 詳細地說，此原始電阻1 〇5與補償電阻丨07a、丨〇7b、丨〇7c 相互串接，金屬導線111 a、丨丨丨b、丨丨丨c則分別跨接於相應 之補償電阻 107a、107b、107c 上，且焊墊 i〇9a、l〇9b、109c 則分別位於相應之金屬導線llu' mb、mc上。 當原始電阻105之電阻值產生偏移，並非是振盪器1〇〇 所需之電阻值時，可使用焊墊1〇9a、1〇9b、1〇9c來選擇連 1^23032 接之補償電阻H)7a、1()7b、_來補償原始電阻ι〇5 阻值。舉例來說，在㈣器剛製作完錢，可料 —電阻值賴㈣，來決定其所f的補償電阻。當決定選 擇補償電阻難作為補償電阻時，可切斷焊塾職並保 留焊塾職、職’使得振蘯器此時的總電阻值為原始電 阻1〇5製程後之電阻值加上補償電阻職製程後之電阻 值。

但是，此種電阻值偏移補償電路115，由於其焊墊 l〇9a、l〇9b、109C需要較大面積（約為術4(W)，因此在 I面積的要求下無法加入足夠數量的補償電阻造成無法 精破地進行電阻值的補償。此外，—旦焊塾被切斷後丁就 j法再次改變此振盪器100的工作頻率。此種傳統的振盪 器100因此無法通用於不同工作頻率之多種記憶體。 因此需要一個新的電阻值偏移補償電路以及工作頻率 調變方法’月b夠減小其積體電路所需面積並使電阻值的 補償更為精確；能夠調變積體電路之工作頻率或是時脈頻 率，來配合各種不同工作頻率之記憶體，以提升積體電路 以及記憶體的效能。 【發明内容】 因此本發明之一方面在提供一種電阻值偏移補償電 路’能夠減小積體電路所需面積並增加電阻值補償之精確 度。 本發明之另一方面在提供一種電阻值偏移補償電路， 使得一積體電路具有不同之工作頻率，能夠配合各種不同 6 1323032 工作頻率之記憶體，以提升記憶體之效能。 本發明之又—方面在提供一種電阻值補 補償產生偏移之電阻值，或是調變積體電路之工=頻=夠 根據本發明之-實施例，電阻值偏移補償電路 個電性串接之補償電阻、數個電晶體以及一暫存器。， 各個電晶體分別跨接於相應之一補償電阻兩端，暫存 電性連接於上述電晶體之閘極，用來控制、 啟與關閉。 “曰體的開 ，在此-實施例中’係依據所需之電阻值、原始電阻製 程後之電阻值以及補償電阻製程後之電阻值來決定—控制 2號’此控制信號係藉由暫存器來控制上述電晶體之㈣ 肩’以補償原始電阻產生偏移之電阻值至所需電阻 值；此外，更可依據記憶體之各種工作頻率來調整此控制 信號’使得積體電路能夠配合各種不同工作頻率之記憶體。 本發明之又-方面在提供一種記憶體裝置，能夠依昭 .需要來調變頻率信號之頻率，藉以提升具有頻率信號的積 體電路之效能。 ' 、根據本發明之又-實施例，記憶體裝置包括—記憶體 、及鎖相迴路電路’其巾，鎖相迴路電路係用以提供— 頻率信號，記憶體係儲存-第—控制信號以及一第二控制 信號。鎖相迴路電路包括—第—除頻器、—相位比較器、 一壓控震盪器以及一第二除頻器。 在鎖相沿路當中’第一除頻器係依據第一控制信號除 頻-輸入仏號以產生-參考信號；相位比較器係電性連接 於第一除頻器，用以比較參考信號之頻率以及一回授信號 之頻率，並產生一向上信號以及一向下信號；壓控震盪器 則電性連接於相位比較器，係依據向上信號或向下信號調 變頻率信號之頻率；第二除頻器則電性連接於壓控震盪器 與相位比較器之間，係依據第二控制信號除頻頻率信號以 產生回授信號’並提供回授信號于相位比較器。 由上述可知’本發明之實施例係使用電晶體來取代焊 墊，因此可減少積體電路之面積；亦藉由減小每一補償電 阻之電阻值，並且增加補償電阻之數目，使得等效電阻值 之精確度獲得提升。此外，由於積體電路之頻率信號之頻 率可以調變，因此積體電路可配合各種不同工作頻率之記 憶體’提升了記憶體或是積體電路之工作效能。 【實施方式】 本發明一實施例之電阻值偏移補償電路可減少積體電 路之面積’並增加等效電阻值之精確度；更可以調變積體 電路之工作頻率，以提升記憶體或是積體電路之工作效 能。以下將以圖示及詳細說明清楚說明本發明之精神，如 熟悉此技術之人員在瞭解本發明之較佳實施例後，當可由 本發明所教示之技術，加以改變及修飾，其並不脫離本發 明之精神與範圍。 實施例一 請參照第2圖，其係繪示本發明之一實施例之記憶卡 220之電路圖，此記憶卡220中係使用電阻值偏移補償電路 215。記憶卡220包括一記憶體控制器200以及一記憶體 1323032 202 ;記憶體202包括一控制信號儲存區213，用來儲存控 制6號，s己憶體控制器200則包含電阻值偏移補償電路 215、一電壓源產生裝置1〇1、一運算放大器1〇3、一原始 電阻105。其中，電阻值偏移補償電路215包含數個補償電 阻 207a、207b、207c、207d、數個電晶體 2〇9a、2〇9b、2〇9c、 209d以及一暫存器211。 電壓源產生裝置101係電性連接於運算放大器1〇3，用 來產生參考電壓予運算放大器103之正輸入端，電晶體 2〇9a、209b、2〇9c、209d則分別跨接於一相應之補償電阻 207a ' 207b ' 207c ' 207d兩端，暫存器211係電性連接於 上述電晶體之閘極，用來控制上述電晶體的開啟與關閉來 選擇補償電阻 207a、207b、207c、207d。 為了得知製程後之實際電阻值並補償產生偏移之電阻 值，當記憶體控制器200製作完成，可對其進行一電阻值 測試程序，量測原始電阻105製程後之電阻值以及補償電 阻207a' 207b、207c、207d製程後之電阻值’記憶卡22〇 則依據這些量測所得之製程後電阻值以及所需電阻值（電 路設計時原始電阻105所要求之電阻值）來決定一控制信 號，並將此控制信號寫入控制信號儲存區213。當記憶卡 220與主機端連接時，記憶體控制器2〇〇會讀取控制信號儲 存區213内的控制信號並將之寫入暫存器2U，此控制信號 則藉由暫存器211控制電晶體209a、209b、209c、209d之 開起或關閉來補償可能產生偏移之原始電阻丨之電阻值 至所需電阻值。 現將舉例來說明電阻值偏移補償電路215如何補償原 9 始電阻105製成後偏移之電阻值。若原始電阻1〇5之所需 電阻值為1000 Ω，量測後得知，原始電阻105製程後產生 偏移之電阻值為990 Ω，補償電阻207a、207b、207c、207d 製程後之電阻值則均為4Ω，此時僅需補償電阻207a、2〇7b 來補償原始電阻105,因此記憶卡寫入一控制信號至暫存器 - 211以關閉電晶體209a、209b，開啟電晶體209c、209d， 使得總電阻值為990Ω+4Ωχ2=998Ω，電阻值之精確度為 99.8% 〇 • 在此s己憶體控制器200中，更可藉著減少每一補償電 阻之電阻值以及增加補償電阻之數量來增加電阻值之精確 度。以上述例子來說，原本的電阻值精確度為98%，若將 原本4個4 Ω之補償電阻207a ' 2〇7b、2〇7c、2〇7d置換為 l〇個1Ω之補償電阻（未顯示於圖中），並寫入一控制信號至 暫存器211來關閉跨接於此i 〇個補償電阻上之^ 〇個電晶 體，使彳于總電阻值為990Ω+1Ωχΐ〇=1000Ω，則精確度可 達 100%。 • „ &夕卜’在本發明之此一較佳實施射，此記憶體控制 器200更可以適用於多種不同工作頻率之記憶體。舉例來 說，當記憶體控制器200連接至另一不同工作頻率之記憶 體2〇2時，需要改變此記憶體控制器200内原始電阻之電 阻值至一新的所需電阻值’來調變此記憶體控制器200之 工作頻率’此時僅需產生—新的控制信號，並依照上述電 阻值補償方法’使記憶體控制器200内經補償後之總電阻 值等於此新的所需電阻值’即可調整記憶體控制器綱之 作頻率以配仏己憶體2G2之卫作頻率使得記憶卡㈣ 的效能最佳化。 舉例來說’在上述例子中，原本記憶體控制器200内 原始電阻產生偏移後之電阻值為99〇Ω，為了配合不同之記 憶體202之工作頻率，需要改變此記憶體控制器2〇〇之工 作頻率，因此需要調整原始電阻產生偏移後之電阻值由原 本的990Ω至1006Ω，此時僅需要寫入一新的控制信號至 呑己憶體202 ’來關閉電晶體209a、209b、209c、209d即可 使等效電阻值為1006Ω。 貫施例二 請參照第3圖，其繪示依照本發明一實施例的一種記 憶卡320之電路圖，包括一記憶體控制器3〇〇以及一記憶 體202。記憶體控制器3〇〇包含一電壓源產生裝置} 〇丨、一 運舁放大器103、電阻值偏移補償電路315，其中電阻值偏 移補償電路315包含數個補償電阻3〇7a〜3〇7p(16個補償電 阻）、數個電晶體209a〜209p(16個電晶體）、一解碼器317 以及一暫存器211。其令電壓源產生裝置1〇1電性連接於運 算放大器103,用來產生參考電壓予運算放大器1〇3之正輸 入端；電晶體209a〜209p則分別跨接於相應之一補償電阻 307a〜307p之兩端；解碼器317則電性連接於電晶體 209a〜209p之閘極，用以控制電晶體2〇9a〜2〇9p的開啟與關 閉；暫存器211則電性連接於解碼器317;記憶體2〇2則包 括一控制信號儲存區213。 記憶體控制器300之工作原理大致與第2圖之記憶體 控制器200相同，不同之處僅在於第3圖的記憶體控制器 1323032 300增加了解瑪器317,此解碼器317係連結於暫存器211 與電晶體209a〜209p之間，藉以控制電晶體2〇9a〜2〇9p之 開啟與關閉。藉由此解碼器317,暫存器211之輸出埠與電 晶體209a〜209p之間不再受限於一對一之連結關係，使得 增加補償電阻之數目以及電晶體之數目更為容易，進而使 - 電阻值之精確度更易於提升。舉例來說，若暫存器川為 . 4位兀之暫存器，在未增加此解碼器Μ?之前，一個4 位兀之暫存器211僅能控制四個電晶體，因此僅能對四個 • 補償電阻做選擇；藉由此解瑪器317之連結，4位元之暫存 器211能夠對16個補償電阻選擇。 實施例三

請參照第4圖其係繪示依照本發明一實施例之一種記 憶體裝置，包括鎖相迴路400、暫存器413以及記憶體415, 暫存器413係電性連接於記憶體化與鎖相迴路働之間， 其中記憶體415以及暫存器413係用以儲存並提供第一控 制信號419以及第二控制信號极予鎖相迴路來抑 鎖相迴路卿輸出信號之頻率。換言之，當鎖相迴路彻 需要改變其輸出信號之頻率時，僅需改變記憶體415内所 儲存的第-控制信號419或第：控制信號435即可。 鎖相迴路働之内部電路依序為-第-除頻器401、_ 相位比較器403、-充電泵他一迴路遽波器術、—壓 控震盈器409，以及一第二啥艇哭_ 降頻器411，電性連接於壓控震 盪器409'相位比較器403盥暫在g ^丄 ”瞀存态413之間。在鎖相迴路 400當中，回授信號433是由第二除 f、頰盗4丨1將頻率信號 12 1323032 431除頻而得，頻率信號431則是由壓控震盪器409依據控 制電壓429震盪產生；至於控制電壓429則是迴路濾波器 4〇7之輸出電壓，係由充電泵405依據向上信號423以及向 下信號425使迴路濾波器407充電或放電而產生。

參考信號421係由第一除頻器401係依據第一控制信 號419除頻一輸入信號417而產生’並由第一除頻器401 提供此參考信號421予相位比較器403,也就是說，藉由調 變第一控制信號419，參考信號421的頻率會隨之改變。相 位比較器403則會比較參考信號421與回授信號433的相 位差，並依據比較結果使向上信號423以及向下信號425 具有應有的邏輯位準’進而使頻率信號431達到所需要的 頻率，因此，可以藉由調變第一控制信號419來改變頻率 信號43 1之頻率。

當參考信號421之相位超前回授信號433時，相位比 較益403會分別使向上信號423與向下信號425具有第一 邏輯位準與第二邏輯位準，使得充電泵4〇5 波器術充電，直至參考㈣421與_^4二= 停止。 反過來說，s參考彳§號421之相位落後回授信號々μ 時，相位比較胃403 t分別使向上錢423與向下信號425 具有第二賴位準與第_邏輯位準，因此充電泵4G5 續使迴路濾波器407放電，首$夂去产缺m Λ 433同步才停止。 直至參考化號421與回授信號 富鎖相迴路40〇豐#吝止r亡 時，可以選擇寫入不二ΐ ί 頻率信號431 寫不问的第-控制信號419或是第二控制 13 1323032 ^號435至記憶體415，然後初始 體化’此時第一除頻器 以及㈣ 二m號如除以不同之除數而生不同頻率 21或回授信號奶，進而”«㈣⑶ 電路由：=’由於本發明一實施例之電阻值偏移補償 =少體取代焊墊以選擇所需之補償電阻，故 面積；可增加補償電阻之數目以增加電 升積體電路之效能。變積體電路頻㈣之頻率來提 雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定 本發明，任何本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在 不脫離本發明之精神和範圍内，當可作各種之更動盘湖 飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界 定者為準。 【圖式簡單說明】 為讓本發明之上述和其他目的 他曰的、特徵、優點與實施例 能更明顯易懂，所附圖式之詳細說明如下： 第1圖係繪示傳統積體電路之電路圖。 第2圖係繪示依照本發明—實施例的一種記憶卡電路 圖0 路圖 第3圖係繪示依照本發明另—實施例的—種記憶卡電 〇 第4圖係繪示依照本發明另一总 为男、施例的一種記憶體裝

要元件符號說明】 wo :震盪器 101 ： 103 :運算放大器 105 ： W7a :補償電阻 107b 1〇7c :補償電阻 109a 109b :焊塾 109c 111 a :金屬導線 111b 111 c :金屬導線 200 ： 2〇2 :記憶體 207a 207b .補償電阻 207c 207d :補償電阻 209a 2〇9b :電晶體 209c 2〇9d :電晶體 209p 211 :暫存器 213 ： 215 :電阻值偏移補償電路 220 :記憶卡 300 ： 307a :補償電阻 307b 307c :補償電阻 307d 3〇7p :補償電阻 315 :電阻值偏移補償電路 317 :解碼器 320 :記憶卡 400 ： 401 :第一除頻器 403 ： 鎖相迴路 相位比較器 電壓源產生裝置 原始電阻 :補償電阻 :焊墊 :焊墊 :金屬導線 記憶體控制器 :補償電阻 :補償電阻 :電晶體 •电日a篮 :電晶體 控制信號儲存區 記憶體控制器 :補償電阻 :補償電阻 15 1323032 405 : 充電泵 407 ： 迴路濾波器 409 : 壓控震盪器 411 ： 第二除頻器 413 : 暫存器 415 ： 記憶體 417 : 輸入信號 419 ： 第一控制信號 421 ： 參考信號 423 ： 向上信號 425 ： 向下信號 429 ： 控制電壓 431 ： 頻率信號 433 ： 回授信號 435 : :第二控制信號 16

Claims (1)

1. ^23032

   、申請專利範圍： 1.一種電阻值偏移補償電路，包含 數個電阻電性串接； 數個電晶體， 端；以及 各個電晶體跨接於相應之一電阻之兩 暫存益，電性連接於該些電晶體之閘極，用以控制 ~些電晶體的開啟與關閉。 2. 如申明專利範圍第j項所述之電阻值偏移補償電 更匕3。己憶體’電性連接於該暫存器，用以儲存一 工制乜號’該控制信號係經由該暫存器控制該些電晶體的 開啟與關閉。 3. 如申明專利範圍第丨項所述之電阻值偏移補償電 路更包含一解碼器，電性連接於該些電晶體之間極以及 。亥暫存器之間’用以解碼該控制信號以控制該些電晶體的 開啟與關閉。 4. 種使用如申凊專利範圍第1項所述之電阻值偏移 補償電路之電阻值補償方法，包含以下步驟： 連接該些電阻於一電子元件； 量測該些電阻之電阻值； 依據該電子元件之特性以及該些電阻值以決定一控制 信號；以及 17 1323032 儲存該控制信號於該暫存器， ’、中D亥控制乜號係藉由該暫存器控制該些電晶體之開 啟與關閉以補償該電子元件所需之電阻值。 5. 如申明專利範圍第4項所述之電阻值補償方法，更包 3據-己隐體之工作頻率決定該控制信號，藉以使該電 子元件之工作頻率與該記憶體之工作頻率呈-正比關係。 6. 如申明專利圍第4項所述之電阻值補償方法，更包 3由該3己憶體儲存該控制信號’藉以使該暫存器由該記憶 體讀取該控制信號。 7. 一種S己憶體裝置，包含一記憶體以及一鎖相迴路電 路’該鎖相迴路係、電性連接於該記憶體，其中該鎖相迴路 電路係用以提供―頻率信號，其特徵在於： 該圯憶體係儲存一第一控制信號以及一第二控制信 號；以及 ° 該鎖相迴路電路包含： 一第一除頻器，係依據該第一控制信號除頻一輸 入信號以產生一參考信號； 一相位比較器，電性連接於該第一除頻器，係比 較該參考信號之頻率以及一回授信號之相位，藉以產 生一向上信號以及一向下信號； 一壓控震盪器，電性連接於該相位比較器，係依 據該向上信號或該向下信號調變該頻率信號之頻率； 18 1323032 以及 一第二除頻器’電性連接於該壓控震盪器與該相 位比較器之間，係依據該第二控制信號除頻該頻率信 號以產生該回授信號，並提供該回授信號于該相位比 較器。 8.如申請專利範圍第7項所述之記憶體裝置，該鎖相迴 路電路更包含： -充電泵，電性連接於該相位比較器；以及 -迴路滤波器，電性連接於該充電泵與該壓控震 蓋器之間，該充電泉係依據該向上信號以及該向下信 號控制該迴路渡波器之充放電時間之長短，藉以調變 一控制電壓以調變該頻率信號之頻率。

   請專利範圍第7項所述之記憶體裝置，更包含一 =存^電性連接於該第—除頻器、該第二除頻器以及該記憶 別傳遞該第—控㈣號以及該第二控制信號至該第- '、頻益以及該第二除頻器。 19