TWI323009B

TWI323009B - Heating device, coating and developing apparatus, and heating method

Info

Publication number: TWI323009B
Application number: TW095116242A
Authority: TW
Inventors: Shinichi Hayashi; Hiroaki Inadomi
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2005-05-09
Filing date: 2006-05-08
Publication date: 2010-04-01
Also published as: KR20060116156A; US8814563B2; JP2006313863A; TW200707563A; US20100255204A1; CN100549839C; JP4410147B2; CN1862390A; KR101062579B1; US7780438B2; US20060252000A1

Description

1323009 (1) 九、發明說明【發明所屬之技術領域】本發明是關於具備有對塗有塗佈液的基板進行加熱處理的熱板和對加熱處理後的基板進行搬運的冷卻板之加熱處理裝置，又關於包含有該加熱裝置的塗佈、顯影裝置及加熱方法。【先前技術】對半導體（以下稱晶圓）或LCD (液晶顯示器）用的玻璃基板形成有抗蝕圖案的裝置，是使用可對晶圓塗佈抗餓劑’此外可對曝光後的晶圓進行顯影的塗佈、顯影裝置〇於該裝置內’組入有被稱爲烘烤裝置等的加熱裝置，例如對塗抹有抗蝕劑液的晶圓進行加熱的裝置，其功能是可使抗蝕劑液中的溶劑烘烤成乾燥。該加熱裝置的一例其構成如第20圖所示。第20圖中圖號10是表示機架，圖號l〇a是表示晶圓搬運口。此外 ’第20圖中圖號11是表示層板，圖號12是表示對在層扳1 1上可朝熱板1 2 a側移動的晶圓w進行冷卻的冷卻板。於層板11的內部空間設有可使銷13a、i4a昇降的驅動機構13' 14’構成爲由驅動機構13來昇降銷i3a，以在經由搬運口 10a進入到機架10內的晶圓搬運機構（未圖不）和冷卻板12之間進行晶圓w的交接，由驅動機構14 來昇降銷1 4 a以在熱板i 2 a和冷卻板1 2之間進行晶圓的 -4- (2) 1323009 ' 交接。圖中圖號15是表示可經由驅動機構15a驅動成昇 . 降的蓋狀蓋板。 ♦ ' 於該加熱裝置中’當晶圓被載置在熱板12a上時如第 21圖所示設置在基台11上的整流用的蓋板15會下降，蓋 • 板15的周緣和層板11的周緣會隔著〇環15b形成緊貼使晶圓的周圍成爲密閉空間。然後’從氣體供給部1 7a經由形成在晶圓全周圍的氣體供給口 17將氣體供給在上述空 ^ 間內的同時，由吸收機構18a從該蓋板15的中央部的排氣口進行吸引排氣，如此一來使該加熱裝置構成爲可一邊形成有圖中箭頭符號所示從晶圓的外圍朝中央流動之氣流的同時一邊進行加熱處理。然而，於上述的加熱裝置中需設有冷卻板的理由如下述。即，於塗佈、顯影裝置組入有加熱裝置的狀況時是由主臂以指定的時機對加熱裝置進行基板的交接，但在熱板的加熱處理結束後，若先將基板交接至冷卻板就能夠進行 φ 基板的初加熱去除，因此就能夠縮短基板被搬運至後段的高精度調溫用的冷卻板後的調溫時間，其結果是能夠減少該冷卻板的設置片數。 / 於設置在習知加熱裝置的冷卻板中，是以其內部或下面設有冷卻配管，在該冷卻配管內流通冷卻液來進行該冷卻板上所載置的晶圓的粗冷卻。但是成爲上述構成時恐怕要擔心冷卻液從冷卻配管洩漏，此外，在加熱裝置內配置有冷卻配管，冷卻配管會隨著冷卻板的移動而伸縮因此對於可使冷卻板移動之驅動機構的配置限制就大，導致設計 -5- (3) 1323009 ' 上產生困難的課題。再加上，冷卻板的構造若複雜化則該 . 冷卻板構成用的零件數量會變多，因此也會產生調整部位 * 增加的問題。根據上述問題和近年來實現加熱裝置全體構造的簡化 . 趨勢，於是檢討出將冷卻配管設置在冷卻板上取代成於冷卻板內設置傳熱管，透過該傳熱管來使冷卻板冷卻。例如於專利文獻1中所揭示的加熱裝置是具備有下述構成的冷 φ 卻機構，即，冷卻機構是形成於埋設有傳熱管的冷卻板的上下面設置散熱片，該散熱片和傳熱管的一端爲連接著的構成，於該冷卻機構中例如是從設置在冷卻板上方的冷卻風扇送出風來吹向上述散熱片藉此使傳熱管的表面全體冷卻，其冷氣會傳至冷卻板使該冷卻板上所載置的晶圓冷卻。此外，於專利文獻2中所記載的加熱裝置是具備有下述構成的冷卻機構。即，冷卻機構是形成於冷卻板內埋設有傳熱管，傳熱管的一端和流通冷卻媒體的熱交換部爲連接 φ 著的構成，於該冷卻機構中上述冷卻媒體的冷氣是透過傳熱管來使冷卻板冷卻。但是，於上述專利文獻1的冷卻機構中根據所設置的 ·" 散熱片的片數或設置面積，有時爲了對散熱片進行均勻送風來使晶圓均勻加熱是需考慮到複數設置冷卻風扇，或風扇的葉片需大型化。如此一來該冷卻風扇旋轉用所需要的空間就會變大，特別是當晶圓的尺寸變大時則加熱裝置就變大型化。另外，於專利文獻2的冷卻機構中爲了讓冷卻媒體流通於熱交換部是需要設有泵浦或排水機構等大規模 -6 - (4) 1323009 * 的設置，因此恐怕無法充分達到加熱裝置的簡化。 - 〔專利文獻1〕 * 日本特開200 1 -203 1 52號公報 < “ 〔專利文獻2〕 • 日本特開200卜2 3 0 1 72號公報【發明內容】 φ 〔發明欲解決之課題〕本發明是有鑑於上述事由而爲的發明，其目的是針對具備有熱板和加熱處理後的基板搬運用的冷卻板之加熱裝置，提供一種可實現加熱裝置的簡化及小型化的技術。此外，本發明的另一目的是提供一種將該加熱裝置納入使用的塗佈、顯影裝置。〔用以解決課題之手段〕 φ 本發明的加熱裝置，具備有：設置在處理容器內，對塗有塗佈液的基板進行加熱處理的熱板；及設置在上述處理容器內，利用驅動機構使其移動在於其與搬運機構之間 * · 進行基板交接的靜止位置和熱板上方位置之間，對熱板加熱後的基板進行冷卻的冷卻板之加熱裝置，其特徵爲，具備有··設置在上述冷卻板中傳熱管；利用上述驅動機構使其和上述冷卻板同時移動，可對上述傳熱管的一端側進行冷卻的空氣冷卻片部，·及設置成當上述冷卻板位於靜止位置時，空氣冷卻片部是接近於其吸引排氣口，以吸引排氣 (5) 1323009 • 來使該空氣冷卻片部冷卻的冷卻用吸引排氣管道。 • 上述加熱裝置，可構成爲’上述冷卻板的靜止位置是 ' 位在熱板的側方，處理容器’是具備有層板’該層板可區 ·· 隔出：基板的移動區域；及配置有上述冷卻板移動用驅動 . 機構及交接手段驅動用驅動機構的底部區域’冷卻用的吸引排氣管道，是配置在上述層板的下方側。此外也可構成，具備有：在熱板上方設置成與基板成相向的整流板；及 φ 吸引排氣成可使氣流沿著該整流板形成的氣流成形用吸引排氣管道，又上述冷卻用的吸引排氣管道的基端側，是合流於上述氣流成形用吸引排氣管道，或者也可以構成爲具備有：在熱板上方設置成與基板成相向的整流板；吸引排氣成可使氣流沿著該整流板形成的氣流成形用吸引排氣管道；合流於上述氣流成形用吸引排氣管道的裝置內排氣管道；及設置在該裝置內排氣管道，對上述底部區域範圍進行排氣用的吸引排氣管道，此外上述冷卻用的吸引排氣管 φ 道，是連接在比裝置內排氣管道的上述吸引排氣手段還上游側。另外，於上述冷卻板的周緣，也可形成有可使載置著 ·· 基板的外部搬運臂從該冷卻板的上方側通往下方側將基板 .交接在冷卻板上’其形狀爲對應於搬運臂形狀的缺口部。再加上’本發明的塗佈、顯影裝置，其具備有：搬入有收納著基板之載體的載體單元；包含有對從上述載體取出的基板之表面塗佈抗蝕劑的塗佈部，和可對塗有抗蝕劑的基板進行加熱的加熱裝置，和可對曝光後的基板進行顯 -8 · (6) 1323009 • 影的顯影處理部之處理單元；及在該處理單元和曝光裝置 • 之間進行基板交接的界面部，其特徵爲，上述加熱裝置是 ' 使用既述的本發明加熱裝置。本發明的加熱方法，其特徵爲，包括：在熱板上對塗 • 有抗蝕劑的基板進行加熱處理的步驟；可將加熱處理後的基板交接至已經移動到熱板上方的冷卻板之步驟；其次藉由冷卻板與空氣冷卻片部同時從熱板的上方位置離開移動 φ 至靜止位置，使該空氣冷卻片部的位置成爲接近冷卻用的吸引排氣管道的吸引排氣口之步驟；接著利用冷卻用的吸引排氣管道的吸引排氣使空氣冷卻片部的空氣冷卻，由該空氣冷卻作用使設置在冷卻板中的傳熱管的一端側冷卻以使冷卻板冷卻的步驟；及可將經由冷卻板冷卻的基板搬出至外部的步驟。該加熱方法，也可構成爲，對基板進行加熱處理的步驟，包括利用氣流成形用吸引排氣管道來進行吸引排氣使 φ 氣流可沿著在熱板上方設置成與基板成相向的整流板形成的步驟，冷卻用的吸引排氣管道內的排氣流是和氣流形成用吸引排氣管道內的排氣流形成合流，於該狀況時，也可 ^ 包括：利用裝置內排氣管道來對由層板使其與基板的移動區域形成區隔，配置有上述冷卻板移動用的驅動機構及交接手段驅動用的驅動機構之底部區域進行排氣的步驟；及上述冷卻用的吸引排氣管道的排氣流，是合流在比上述裝置內排氣管道的上述吸引排氣手段還上游側，再加上在比上述吸引排氣手段還下游側和氣流形成用吸收排氣管道內 -9- (7) 1323009 的排氣流形成合流的步驟。〔發明效果〕根據本發明時，因是對熱板加熱處理過的基板進行接 . 收的冷卻板中設有傳熱管’當冷卻板位於靜止位置時利用排氣管道的排氣來對空氣冷卻片部進行冷卻，透過傳熱管使冷卻板冷卻，所以就不需要冷卻液的配管設置，可使冷 φ 卻板的驅動機構等裝置內的零件平面配置自由度變大。接著，因是利用吸引排氣的吸引流來對空氣冷卻片部進行冷卻，所以能夠使空氣冷卻用的機構簡化，此外可比送風風扇的空氣冷卻還能夠小型化。另外，若構成爲在處理容器的層板下方側的驅動機構配置空間配置著冷卻用的吸引排氣管道時，就能夠抑制處理容器高度的增加。再加上，若是將冷卻用的吸引排氣管道直接或間接連接於沿著整流板吸引排氣以形成氣流的氣 φ 流成形用吸引排氣管道時，就不用另外設置圍繞在處理容器外面的排氣管道。【實施方式】〔發明之最佳實施形態〕以下，是使用第1圖、第2圖來說明可實施本發明相關加熱方法之加熱裝置的實施形態一例，該加熱裝置例如是可對表面塗有塗佈液爲抗鈾劑液的基板即半導體晶圓（以下簡稱晶圓）W進行加熱處理，使該晶圓表面形成有抗 -10- (8) 1323009 • 蝕膜的加熱裝置2。加熱裝置2具備有處理容器即機架20 • ，於機架20的側壁開口著晶圓搬運口 21。此外，於機架 * 20內設有可將機架20內區隔成上方區域（晶圓w移動區 •-1 域）和下方區域（底部區域）的層板22。另外，將面對著 • 搬運口 21的該側爲跟前側時，於該層板22設有下述冷卻機構3從跟前側朝裏頭側（圖中X方向）移動用的開口部 3 1 a，又於層板22的裏頭側鑿設有經由下述第1中間排氣 φ 管道2A來對層板22上方區域進行排氣用的例如由複數小孔形成的排氣口 22a。再加上參照第3圖及第4圖來對上述冷卻機構3進行說明時，冷卻機構3具有在下述熱板53和加熱裝置2外的搬運機構之間進行晶圓W交接的功能及晶圓W冷卻的功能，其是由：連結托架31'冷卻板33及空氣冷卻片部 35所構成。連結托架31，例如是由熱傳導性佳的銅或鋁所構成，設置成可移動於上述開口部31a內，例如於其下 φ 端連接著軌道托架27。連結托架31是構成爲可透過該軌道托架27使其沿著圖中X方向延伸的導軌23移動。此外，連結托架31的側部是連接於層板22下方區域所設置的 / 例如由滾珠絲桿機構或氣缸等形成的驅動機構37，該驅動機構37使連結托架31構成可沿著上述導軌23朝X軸方向移動自如。連結托架31的上部，例如是伸出朝向機架20的裏頭側形成延伸著，於其伸出部上連接著載置有晶圓W的冷卻板33，該當冷卻板33是形成可隨著上述連結托架31的 -11 - 1323009 Ο) • 移動使層板22上方區域往下述的熱板53側移動。冷 • 33例如是由鋁所構成，此外是形成例如具有4mm程 * 度的大致圓形板狀。另外，冷卻板33具有與加熱的 % W大致相同尺寸的直徑，於該冷卻板33周緣部的例 • 個位置設有朝向該冷卻板33中心部形成缺口的缺口音。另，第2圖中的圖號33a、33b，是表示下述支撐銷通過用的狹縫。此外，如第2圖所示，於冷卻板33 φ 有延伸成葉脈狀的傳熱管38，傳熱管38的一端是連連結托架3 1。於此，使用第5圖來對傳熱管3 8進行說明，該管3 8是利用蒸發、凝結形成的潛熱吸收、放出來進輸送的傳熱元件，例如是於鋁或不銹鋼、銅等形成的製管體301的內壁，貼設有多孔質體302來構成。上孔質體302是一種獲得下述毛細管現象用的質體，例金屬細線編織製成的金屬網或金屬氈等所形成。該 φ 3 0 1其兩端爲封閉著，內部成爲排氣狀態例如被設定空狀態，於管中例如封入有少量的由鈉或萘等形成的性液體（動作流體）。 / 形成爲上述構成的傳熱管38，當其另一端側（蒸 .·‘ 303 )被加熱時動作流體會蒸發（蒸發潛熱形成的熱 )，成爲蒸氣流只要稍微的壓力差就會往一端側的冷 3〇4(低溫部）高速移動於管體301的內部，於此上氣流是接觸管體301的壁面形成冷卻凝結。此時凝結會形成熱放出，因此熱會被輸送到冷凝部304。接著卻板度厚晶圓如4 15 34 26a 埋設接於傳熱行熱金屬述多如由管體成真揮發發部吸收凝部述蒸潛熱，冷 -12 - (10) 1323009 • 凝水會通過多孔質體302利用毛細管現象回流往蒸發部 • 303，重覆著再度蒸發—移動—凝結的循環，由於熱是形 ’ 成爲連續性輸送，因此傳熱管38的表面全體會由連結托 ^ 架31的冷氣冷卻成均勻。 . 不過於此先針對將晶圓W交接至冷卻板33上的晶圓 W搬運機構進行說明，該搬運機構，例如具有第6圖所示的水平馬蹄形狀搬運臂41和可對搬運臂41進行支撐的搬 φ 運基體42。搬運臂41的內圍尺寸是形成比冷卻板33的直徑還若干大些，於該內圍的下部設有朝內方突出的4個突出片44，如第6(b)圖所示晶圓W是被保持在這些突出片44上。搬運臂41是構成爲例如利用未圖示的驅動機構透過搬運基體42形成爲昇降自如並且進退自如，在要將晶圓W交接至冷卻機構3時保持著晶圓W的搬運臂41會經由上述搬運口 21進入機架20內。於此，冷卻板33外圍的缺口部34是分別設置在與搬運臂41的突出片44相 φ 對應的位置上，因此搬運臂41如第6(a)圖所示是下降成從上方覆蓋著冷卻板33，如此一來搬運臂41就會通過在冷卻板3 3的下方側，使搬運臂41上的晶圓W交接在〃冷卻板33上，晶圓W轉交後的搬運臂41，使其前方的缺 " 口部43可通過連結托架3 1地後退至跟前側然後從機架20 內退出。接著回到第1圖至第4圖來進行說明，於連結托架3 1 的下部連接有空氣冷卻片部35，該空氣冷卻片部35其構造是形成爲於角筒狀的殼體35a內例如設有由鋁構成的多 -13- (11) 1323009 • 數空氣冷卻片35b(參照第4圖），構成可隨著冷卻板的 • 移動使層板22的下方區域沿著導軌23移動。此外，於該 ' 層板22的下方區域，設有冷卻用的吸引排氣管道即局部 … 吸引排氣管道24，該局部吸引排氣管道24的開口部（吸 • 引排氣口）如以上所述是在冷卻板33和搬運機構之間進行晶圓W交接的位置（靜止位置）設置成接近空氣冷卻片部35。於此所謂「接近」是指兩者接近成透過局部吸引 φ 排氣管道24的吸引排氣可使氣體流入空氣冷卻片部35的殻體3 5 a內，得以運作空氣冷卻片部3 5的空氣冷卻作用程度。局部吸引排氣管道24的基端側是連接於下述的第1 中間排氣管道2A，當透過該第1中間排氣管道2A從局部吸引排氣管道24進行排氣時，移動至上述開口部接近位置上的空氣冷卻片部35的空氣冷卻片35b會被冷卻，空氣冷卻片35b的冷氣會經由連結托架31傳至傳熱管38的 φ 基端側，藉此使傳熱管38的表面全體冷卻，如此一來就能夠進行該冷卻板3 3上所載置的晶圓W的初加熱去除。另於此所謂的傳熱管並不一定就是限定於一般槪念所謂的管’也可以是在具備有寬廣空洞部的扁平板內封入動 —V 作液來形成的傳熱板。另，冷卻板33及連結托架31的形狀並不限定於圖示形狀，也可以是例如將構成爲大致圓形的冷卻板的基端側部份並非如第1圖般形成爲段部而是直接伸出至跟前側，將該延伸部連接於連結托架3〗的上端部來形成其構造。此外傳熱管38的基端也可以設置成從 -14- (12) 1323009 * 連結托架31更加伸長往空氣冷卻片部35，形成爲接觸 • 空氣冷卻片3 5b。即，只要是形成可使傳熱管38的基端 ' 由空氣冷卻片部35直接或間接冷卻的構成即可。如第1圖所示，於層板22在上述冷卻機構3的裏 . 側設有例如圓形狀的孔，於該孔內埋設有扁平圓筒狀的爲隔熱體的熱板支撐構件5，於該例中在上述孔的周圍和該熱板支撐構件5的側壁之間設有進行上方區域排氣 φ 的2mm程度的間隙。如第7圖所示，於熱板支撐構件的底壁部份的內部及側壁部份的內部是成爲設有真空區即真空層50的真空隔熱構造，例如於中央部將真空層設置成爲圓形狀，形成爲於其周圍避開例如下述的氣體給管5 7、通氣孔5 8及孔5 a地成同心圓狀設有真空層的構造。圖中圖號51是表示可將熱板支撐構件5支撐在機 20底面的支柱，圖號52是表示設置在熱板支撐構件5 φ 周圍的環狀支撐構件。支撐構件52，例如是透過由耐熱脂或陶瓷所構成的隔熱環52a來支撐著圓板狀的熱板53 熱板53具有足以覆蓋晶圓W表面全體的尺寸，此外被 / 置成收容在熱板支撐構件5中。將熱板53及熱板支撐 / 件5構成爲以上所述之構造的原因是在於抑制熱板53 散熱，藉此抑制熱板53加熱用的電力消費。於熱板5 3的下面，如第8圖所示，設有晶圓W加手段，即設有尺寸不同成同心圓狀的加熱器53a〜53e，於外側的加熱器5 3 d及5 3 e例如是於圓周方向成4分割到側頭成壁用 5 域 50 供 50 架內樹〇配構的熱位 -15- (15) (15)

1323009 板5 3的干涉，若上述間隔比該範圍還要大時則在晶圓的加熱時恐怕蓋板6的下面未受到充分的加熱。於熱板53的更裏頭側的層板22的下方區域，設窄如形成爲沿著圖中Y方向貫通機架20側壁的第1中障氣管道2A。接著，參照第9圖來進行說明，於該第1 間排氣管道2A的內部，形成有沿著該第1中間排氣售 2A延伸方向的排氣空間，此外，於該第1中間排氣f 2A，如以上所述連接有局部吸引排氣管道24。於第1 間排氣管道2A在其與該局部吸引排氣管道24的連接商下游側，設有面對著層板22下方區域的吸引口 2a，於吸引口 2a的下游側中間設有吸引排氣手段即風扇2b。加上，於該風扇2b的下游側在第1中間排氣管道2A違有第2中間排氣管道2B。第2中間排氣管道2B，於上述下方區域是設置成第1中間排氣管道2A平行排列貫通機架20側壁，於g 2中間排氣管道2B，如以上所述連接有排氣管道63 » ，中間排氣管道2A、2B於該例中是相當於「裝置內排管道」《接著，第2中間排氣管道2B的端部例如是連於工廠排氣管道，例如是形成利用工廠排氣用的升力，由局部吸引排氣管道24的開口部、吸引口 2a及蓋板6 吸引排氣口 62來進行機架20內的排氣。另，風扇2b，例如是由下述的控制部來控制其旋使其構成能夠將局部吸引排氣管道24及吸引口 2a的排氣量和來自於蓋板6的吸引排氣口 62的排氣量成 W 例排中道道中還該再接與第另氣接經的數引獨 -18- (16) 1323009 • 立控制，例如於該加熱裝置2中在進行晶圓W的加熱處 . 理時層板22的下方區域是比上方區域還要成爲負壓環境 * 氣，形成有如第1〇圖及第Π圖的箭頭符號所示的氣流。 •: 於此，簡單地對該氣流的流動進行說明，經由搬運口 2 1 . 進入到機架20內的氣體在層板的上方區域是朝向裏頭側，受到蓋板6和熱板53調節整流形成爲從晶圓W外圍朝向中央的氣流，經由吸引排氣口 62形成排氣或從開口部 0 3 1a、排氣口 22a及熱板支撐構件5和層板22之間形成的間隙流往層板22的下方區域。流入該下方區域的氣體是流入至局部排氣管道24內然後流往第1中間排氣管道2A ，或通過驅動機構37的周圍，接著通過熱板支撐構件5 的下方，又通過驅動機構26的周圍流入第1中間排氣管道2A內。流入第1中間排氣管道2A內的氣體是流入至第2中間排氣管道2B從機架20內去除。上述氣流的形成 ’於上方區域是可使從晶圓W周圍飛出的抗蝕劑液的溶 φ 劑蒸氣和抗蝕劑成份的一部份昇華所產生的昇華成份隨著朝下方區域流動的氣流被吸入第1中間排氣管道2A的吸引口 2a從機架20內去除，此外，於下方區域是可使驅動 •’ 機構26、37所產生的微粒隨著流動在該下方區域的氣流 .★ 被吸入第1中間排氣管道2A的吸引口 2a從機架20內去除。接著’是針對加熱裝置2所具備的控制部進行說明。該控制部’例如具有由電腦形成的程式容納部，於程式容納部容納有組入著指令可實施下述的加熱裝置2的作用即 -19- (17) 1323009 ‘ 晶圓W的處理、晶圓W的交接 '晶圓W的加熱及氣流 • 控制等的例如由軟體形成的程式。接著是藉由該程式在 ’ 制部的讀出使控制部控制下述的加熱裝置2的作用。另 … 該程式，例如是以收納在硬碟、CD、磁光碟、記億卡等 - 錄媒體內的狀態容納在程式容納部。其次，是針對加熱裝置2的作用進行說明。表面塗抗蝕劑液的晶圓W是利用上述的具有搬運臂4 1的晶圓 φ 搬運機構經由搬運口 21搬入機架20內。如上述，當晶 W被交接至冷卻板33上時搬運臂41會從機架20內退。另一方面，在冷卻機構3朝熱板53移動之前，熱板的表面是由加熱器53a〜53e先加熱成事先設定的溫度如1 3 0 °C，利用熱板5 3的熱輻射使蓋板6的下面加熱。當保持著晶圓W的冷卻板33移動至熱板53上時支撐銷26a會上昇支撐著冷卻板33上所載置的晶圓W 背面。接著，隨著冷卻機構3退回靜止位置（第1圖的 φ 端位置）的同時支撐銷26a會下降，使晶圓W交接在熱 53的突起部55上由熱板進行加熱。於該加熱時是根據求針對上述加熱器53a〜53e將設置在熱板53外圍側的 ^ 熱器的發熱量調整成比設置在內圍側的加熱器的發熱量 .、大。此外，於晶圓 W的加熱時，如以上所述因爲進行架20內的排氣所以外氣會從蓋板6和熱板53之間流入氣流會受到蓋板6和熱板53調節整流形成從晶圓W外朝中央流動的氣流。因此塗佈在晶圓 W上的抗蝕劑液的控，記有 W 圓出 53 例的左板需加埋機 5 圍是 -20- (18) 1323009 * 由熱板53的熱使溶劑蒸發的同時使抗蝕劑成份的一部份 . 昇華，這些溶劑蒸氣和昇華成份會隨著上述氣流被吸入吸引排氣口 62。另外，如上述因層板22的下方區域其和上 •: 方區域相比是成爲負壓環境氣所以會形有經由排氣口 22a . 從上方區域流入下方區域的氣流，從晶圓W周圍飛出的溶劑蒸氣和昇華成份會隨著該氣流流入下方區域而被吸入第1中間排氣管道2A的吸引口 2a。如此一來就能夠進行 φ 抗蝕劑液的乾燥，使晶圓W上形成抗蝕膜。例如以事先設定的時間進行了晶圓W的加熱後，支撐銷26a會上昇支撐著晶圓W。冷卻板33會從靜止位置再度往熱板53上移動，使晶圓W交接在冷卻板33上。晶圓W的熱回傳至冷卻板3 3，使冷卻板3 3蓄熱升溫，但回到靜止位置上時，如上述因局部排氣管道24的前端開口部和冷卻機構3下部側的空氣冷卻片部3 5是排成一列，利用局部排氣管道24的吸引排氣可使氣體流通於空氣 φ 冷卻片部35內使空氣冷卻片部35冷卻，因此連結托架31 也會冷卻，經由傳熱管38如在第5圖的詳細說明冷卻板 33會冷卻。接著’晶圓W搬運機構是如下述般依照搬運 • · 行程來取該晶圓，但在這之前是由冷卻板3 3來進行晶圓 .- W的初加熱去除。搬運機構的搬運臂41是從下方來拾取冷卻板33上的晶圓W以形成交接，將該晶圓w搬出機架2 0外。然後，由搬運機構將後續的晶圓W搬運至該加熱裝置2對於該後續的晶圓W也是進行同樣的加熱處理。 -21 - (19) (19)1323009 根據該加熱裝置2時，對熱板5 3加熱處理後的晶圓 W進行接收的冷卻板33中埋設有傳熱管38，當上述冷卻板33位於靜止位置時利用局部排氣管道24的排氣來對空氣冷卻片部35的空氣冷卻片35b進行冷卻，透過傳熱管 38使冷卻板33冷卻，因此就不需要爲了該冷卻板33的冷卻而配設冷卻液流通用的配管，可使冷卻板33的驅動機構37等該加熱裝置構成用的零件平面配置自由度變大。接著’因是利用局部排氣管道24的吸引流來對空氣冷卻片部3 5進行冷卻’所以能夠使空氣冷卻該空氣冷卻片部 35用的機構簡化，此外和設有送風風扇來進行空氣冷卻片部3 5空氣冷卻的狀況相比是較能夠達到加熱裝置2的小型化。此外，該加熱裝置2，因構成爲在機架20內的層板 22下方區域的驅動機構配置空間配置著上述局部排氣管道 24，所以能夠抑制機架20的高度。再加上，於該加熱裝置2中排氣管道63的基端部是連接於第2中間排氣管道 2B，局部排氣管道24的基端部是連接於上述第1中間排氣管道2A，此外，第1中間排氣管道2A是連接於第2中間排氣管道2B，構成爲從排氣管道63進行吸氣時氣流會沿著熱板53上方所設置的蓋板6形成的同時從局部排氣管道24，進行排氣’因此就能夠減少圍繞配置在機架20 外的排氣管道數量。另外，因是於進行機架20內的層板22下方區域排氣的第1中間排氣管道2A的上游側連接著局部排氣管道24 -22- (20) 1323009 • ，此外是於第1中間排氣管道2A的下游側所連接的第2 . 中間排氣管道2B連接著蓋板6的排氣管道63，所以由各排氣管道所構成的排氣系統能夠簡化的同時，能夠使局部 … 排氣管道24的排氣量大，其結果能夠獲得較大的空氣冷 - 卻片部3 5的空氣冷卻作用。此外’因於冷卻板33的周緣部，形成有對應於外部搬運臂41形狀的缺口部34’形成爲可使載置著晶圓w的 φ 搬運臂41從該冷卻板33的上方側通往下方側將基板w 交接在冷卻板33上’所以於加熱裝置2中是在冷卻板33 和搬運臂41之間進行晶圓W的交接，如此一來就不需要設置例如由支撐銷和可使上述支撐銷昇降的驅動機構所構成的交接手段’因此能夠降低該加熱裝置2的構成構件數量。不過於上述實施例中也可將機架20內要設置的局部排氣管道24取代成例如設置與給水機構和排水機構形成 φ 連接可使冷卻水流通在內部的流水單元，再加上也可於上述的冷卻機構3中將空氣冷卻片部35的設置取代成設置由熱傳導性高的例如銅或鋁等所構成的傳熱單元，當冷卻 ·' 板33移動至上述的靜止位置時流水單元和傳熱單元會接 •- 觸，由流通在流水單元的冷卻水的冷氣使傳熱單元冷卻，又加上傳達至該傳熱單元的冷氣會經由連結托架31傳至傳熱管38的基端側如上述使傳熱管38的表面全體冷卻進而使埋設有該傳熱管38的冷卻板33冷卻。另’本發明的加熱裝置並不限定於如上述實施形態所 -23- (21) 1323009 • 示的從蓋板的中央部來進行排氣的加熱裝置，例如也可以 - 形成爲如第12圖〜第14圖所不的構成《接著，針對這牲 ' 圖所示的加熱裝置7進行說明。該加熱裝置7，其對晶圓 … W進行加熱時的氣流的形成方法是與上述加熱裝置2大不 - 相同。圖中圖號7〇、71、72、73是分別表示機架、搬運口、層板、設置在層板上的開口部。圖中圖號74是表示冷卻機構，其與上述的冷卻機構3相同是由冷卻板75、連 φ 結托架76、具備有多數葉片的空氣冷卻片部77及傳熱管所構成，構成爲透過驅動機構78使其沿著未圖示的導軌在機架70內從跟前側移動自如至裏頭側。另，傳熱管雖未圖示但例如是和冷卻機構3的傳熱管3 8相同地埋設在冷卻板75及連結托架76中。此外，於層板72的下部設有局部排氣管道79。該局部排氣管道79的開口部（吸引排氣口）是和已述的加熱裝置2的局部排氣管道24相同是於冷卻機構74的冷卻板75從搬運機構接收晶圓W的 φ 位置（靜止位置）設置成接近空氣冷卻片部77，另外，其端部是連接於下述的排氣管80。另，圖中圖號75a是表示在熱板81和冷卻板75之間進行晶圓W交接的支撐銷， ·· 圖號75b是表示該支撐銷75a昇降用的驅動機構。不過該加熱裝置7的熱板81是構成和已述的熱板53 相同，此外該熱板81的側部及底部是由和上述熱板支撐構件5相同構成的熱板支撐構件82包圍著。圖中圖號81a 是表示設置在熱板81上載置著晶圓W的突起部’圖中圖號82a是表示設置在該熱板支撐構件82底壁部份的內部 -24 - (22) 1323009 * 及側壁部份的內部之成爲真空區域的真空層》圖中圖號83 • 是表示透過支撐部84固定在熱板81上，設置成與該熱板 * 81所載置的晶圓W成相向的整流用蓋板，於該蓋板83的內部，例如形成具有足以覆蓋熱板表面之尺寸的真空區域即真空層83a。此外，上述支撐部84也於內部具備有真空層84a，蓋板83及支撐部84是成爲真空隔熱構造。圖中圖號85是表示沿著寬度方向（圖中Y方向）形 φ 成設置的氣體噴出部，排氣部86是隔著熱板81設置成與該氣體噴出部85成相向。氣體噴出部85具備有可遍及晶圓W寬度地沿著寬度方向由多數小孔形成的可噴出乾淨的清除用氣體的氣體噴出口 85a，於排氣部86設有和氣體噴出口 85a成平行排列由多數小孔形成的排氣口 86a。此外，於排氣部86連接著排氣管80的一端，排氣管80的另一端是延伸往機架70外，其端部例如是連接於工廠的排氣管道。於排氣管80例如在途中設有吸引排氣手段即 φ 風扇87，將該風扇87以事先設定的轉數來進行旋轉就能夠經由排氣口 86a及局部排氣管道79的開口部來進行機架70內的排氣。在晶圓W被載置在熱板81的突起部81a 〃上來進行加熱時是從氣體噴出口 85a朝蓋板83的下面噴出清除用氣體的另一方面如已述是從排氣口 86a進行排氣，如第15圖中的箭頭符號所示，構成爲可遍及晶圓w的寬度，從晶圓W的一端側朝另一端側流動形成有也可稱爲單向流的氣流。接著，當冷卻機構74以保持著加熱處理結束後晶圓 W的狀態而移動至靜止位置上時，與已述 -25- (23) 1323009 * 的加熱裝置2同樣地由局部排氣管道79的排氣使空氣冷 . 卻片部77的葉片冷卻，冷氣會傳至傳熱管的基端側，藉 ’ 此使傳熱管的表面全體冷卻，以進行冷卻板75上所載置 … 的晶圓W的初加熱去除。 - 加熱裝置7若構成如上述時’可從晶圓W的一端側朝另一端側一邊形成有氣流的同時來進行加熱處理’因此能夠抑制氣體滯留在晶圓W的周圍，能夠抑制晶圓W表 φ 面的流速不均，所以能夠提高來自於抗蝕劑液的昇華物從晶圓W上方排出的效果，因此能夠降低晶圓W上微粒的附著，再加上，因晶圓W的蓋板8 3和晶圓W表面之間的溫度，與熱板84和晶圓W背面之間的溫度之差値擴大是受到抑制，所以能夠防止上述單向流成亂流，其結果是能夠進行面內均勻性高的加熱處理，此外於該加熱裝置7中同樣地當冷卻板75位於靜止位置上時是由局部排氣管79 的排氣使位於接近局部排氣管79的吸引排氣口位置的空 φ 氣冷卻片部77冷卻，其結果可透過埋設在連結托架76及冷卻板75中的傳熱管來使冷卻板75冷卻，因此能夠獲得和已述加熱裝置2相同的效果。 " 另’於該加熱裝置7中，也可不設有氣體噴出口 85a -· ’只要於蓋板83和熱板81之間的區域88形成有除了冷卻板7 5進入側以外其他3方是被包圍的風洞，從氣體排氣口 86a來進行排氣就能夠從冷卻板75的進入口吸入氣體形成單向流。接著’針對已述的加熱裝置2被應用在塗佈、顯影裝 -26- (24) 1323009 • 置時的一實施形態進行說明。第16圖是表示抗蝕劑圖案 - 形成裝置的平面圖，第17圖是第16圖的槪略透視圖，第 ' 18圖是第16圖的槪略側面圖，第19圖是表示設置在該抗蝕劑圖案形成裝置中的搬運用通道R1周邊的構造透視圖 - 。該裝置，具備有：成爲基板的晶圓W例如有13片密閉收納在內的載體90搬出入用的載體單元S1;將複數個例如5個單位單元B1〜B5縱向排列配置構成的處理單元S2 φ :及界面單元S3、曝光裝置S4。於上述載體單元S1，設有··上述載體90的載置台91 :設置在壁面上的開閉部92 ;及經由開閉部92從載體90 取出晶圓W用的傳送臂C。於上述載體單元S1的裏頭側，連接有由機架93包圍著周圍的處理單元S2。處理單元S2，於該例中，是從下方側開始分割成：下段側的2段爲進行顯影處理用的第1 及第2單位單元（DEV層）Bl、B2;進行被形成在抗蝕 φ 膜上層側的反射防止膜的形成處理用的第3單位單元（ TCT層）B3;進行抗蝕劑液的塗佈處理用的第4單位單元 (COT層）B4 ;及進行被形成在抗蝕膜下層側的反射防止膜的形成處理用的第4單位單元（BCT層）B5。這些單位單元B1〜B5，具備有：對晶圓W塗佈藥液用的液處理機組；進行以上述液處理機組執行處理的前處理及後處理用的各種加熱'冷卻系的處理機組；及成爲在這些裝置的加熱、冷卻系的處理機組之間進行晶圓W交接用之專用搬運手段的主搬運臂A1〜A5。 -27- (25) (25)1323009 各層B1〜B5是構成大致相同，於此是以第16圖所示的COT層B4爲例子來進行以下說明，於晶圓W的搬運區域R1的兩側，設有：具備複數個可對晶圓W進行抗蝕劑塗佈處理的塗佈部之塗佈機組94;及加熱、冷卻系的處理機組是形成多段化的4個棚架機組Ul、U2、U3、U4，各棚架機組的Ul、U2、U3、U4，是將可進行以塗佈機組執行處理的前處理及後處理用的各種機組層疊成複數段例如 2段來形成其構成。於上述的進行前處理及後處理用的各種機組的當中，包括例如：於抗蝕劑液塗佈前將晶圓W調整成指定溫度用的冷卻機組（COL );於抗蝕劑液塗佈後進行晶圓W加熱處理用的例如被稱爲預先烘烤機組等的加熱機組（CHP )9 5 ;選擇性地只對晶圓W的邊緣部進行曝光用的周緣曝光裝置（WEE )等。於該例中，在第1圖至第9圖已經說明的加熱裝置2是相當於該加熱機組9 5。此外，冷卻機組（C Ο L )或加熱機組（C Η P ) 9 5等各處理機組，是分別收納在處理容器96內，棚架機組U1〜U4是構成爲上述處理容器96爲2段層疊，在面對著各處理容器96的搬運區域R1的面形成有晶圓W搬出入用的搬運口 97。於該例中，加熱機組（CHP ) 95是以棚架機組U3來層疊，此外是被包括在棚架機組U4內。圖號Α4’是表示具備有可獨立驅動的2支手臂之主搬運臂’其構成爲可進退自如，可昇降自如，可繞著垂直軸旋轉自如’可移動自如在Υ軸方向。另，第19圖中圖 -28- (26) 1323009 號201、202是表示搬運手臂，圖號23是表示搬運基體 .圖號204是表示可使搬運基體203旋轉的旋轉機構，圖， 205是表示被構成爲可沿著Y軸軌道207移動自如並且 ·: 沿著昇降軌道208昇降自如的底座部。此外，圖號206 . 表示棚架機組U1〜U4的支撐底座。另外，和搬運區域R1的載體單元S1鄰接的區域，成爲第1晶圓交接區域R2，於該區域R2，如第16圖及 | 18圖所示，在傳送臂C和主搬運臂A4可拿取的位置上有棚架機組U5的同時，具備有可成爲對該棚架機組進行晶圓W交接用的第1基板交接手段之第1交接手 D1。上述棚架機組U5，如第18圖所示，於該例中各單單元B1〜B5，具備有1個以上例如具有2個第1交接台TRS1〜TRS5，以在各單位單元B1〜B5的主搬運臂〜A5之間進行晶圓W的交接。 B 再加上，和搬運區域R1的界面單元S3鄰接的區域是成爲第2晶圓交接區域R3，於該區域R3，如第16圖第18圖所示，在主搬運臂A4可拿取的位置上設有棚架 • 組U6的同時，具備有可成爲對該棚架機組U6進行晶 • W交接用的第2基板交接手段之第2交接手臂D2。上述棚架機組U6，如第18圖所示，具備有第2交平台TRS6〜TRS10，以在各單位單元B1〜B5的主搬運 A 1〜A 5之間進行晶圓W的交接。針對其他的單位單元B，DEV層Bl ' B2是構成相號可是是第設 U5 臂位平 A 1 及 jdik 機圓接臂同 -29- (27) 1323009 • ，設有顯影機組，該顯影機組具備有複數個對晶圓W進 • 行顯影處理用的顯影部，於棚架機組U1〜U4，具備有對曝光後的晶圓W進行加熱處理的被稱爲曝光後顯影前之 *· 烘烤機組的加熱機組（PEB )，或於該加熱機組（PEB ) . 處理後對晶圓W調整成指定溫度用的冷卻機組（COL )，及對顯影處後的晶圓W去除水份用而進行加熱處理的被稱爲事後烘烤機組的加熱機組（POS T )，除此之外其他 • 是和COT層B4構成相同。另，設置在DEV層B1、B2的這些加熱機組是和設置在C Ο T層B 4的加熱機組9 5例如具有相同的構成，只有處理溫度及處理時間是不相同。此外’ TCT層B3是設有於抗蝕劑液塗佈前對晶圓W 塗佈反射防止膜用藥液的反射防止膜形成機組。另一方面，於處理單元S2的棚架機組U6的裏頭側，隔著界面單元S3連接有曝光裝置S4。於界面單元S3，具備有對處理單元S2的棚架機組U6和曝光裝置S4進行晶 φ 圓W交接用的界面搬運臂B，構成爲可對第1〜第4單位單元B1〜B4的第2交接平台TRS6〜TRS9進行晶圓W的交接。 ^ 於此，針對該抗蝕劑圖案形成裝置的晶圓W的加工〃處理流程’是於抗蝕膜的上下分別形成有反射防止膜的狀況爲例來進行說明。首先，從外部將載體90搬入載體單元S1，利用傳送臂c經由開閉部92從該載體90內取出晶圓晶圓W是從傳送臂C，首先交接至第2單位單元 B2的棚架機組U5的第1交接平台TRS2，接著爲讓晶圓 -30- (28) 1323009 ' w交接至BCT層B5，晶圓W是利用第1交接手臂D1經

• 由第1交接部TRS5交接至BCT層B5的主搬運臂A5。然 ' 後’於BCT層B5是利用主搬運臂A5，以冷卻機組（COL … ）-"第1反射防止膜形成機組—加熱機組（CHP )—棚架 • 機組U6的第2交接平台TRS10的順序來搬運晶圓W，以在晶圓W上形成有第1反射防止膜。其次’爲讓晶圓W交接至COT層B4，第2交接平台 • TRS10上的晶圓W，是由第2交接手臂D2搬運至第2交接平台TRS9，接著交接至該COT層B4的主搬運臂A4。然後，於COT層B4是利用主搬運臂A4，以冷卻機組（ / COL)—塗佈機組94—加熱機組（CHP) 95 —第1交接平台TRS4的順序來搬運晶圓w，以在第1反射防止膜上形成有抗蝕膜。接著，爲讓晶圓W交接至TCT層B3，交接平台 TRS4上的晶圓W是由第1交接手臂D1搬運至第1交接 φ 平台TRS3 ’交接至該TCT層B3的主搬運臂A3。然後，於TCT層B3是利用主搬運臂A3，以冷卻機組（COL )〜第2反射防止膜形成機組—加熱機組（CHP)—周緣曝光 * 裝置（WEE )—棚架機組U6的第2交接平台TRS8的順 -- 序來搬運晶圓W，以在抗蝕膜上形成有第2反射防止膜。其次，第2交接平台TRS8上的晶圓W，是由界面搬運臂B搬運至曝光裝置S4，於此進行指定的曝光處理。曝光處理後的晶圓W是由界面搬運臂B搬運至棚架機組 U6的第2交接平台TRS6 ( TRS7 )，以讓晶圓W能夠交 -31 - (30) (30)1323009 第5圖爲設置在上述冷卻機構中的傳熱管構造圖。第6圖爲要將晶圓W交接至上述冷卻機構上的搬運機構說明圖。第7圖爲表示上述加熱裝置構成用的熱板及蓋板的周邊構造縱剖側面圖。第8圖爲表示上述熱板的構造說明圖。第9圖爲設置在上述加熱裝置中的排氣單元及排氣管道的透視圖。第1 0圖爲表示上述加熱裝置中的氣流流動說明圖。第11圖爲爲表示上述加熱裝置中的氣流流動說明圖〇第12圖爲表示本發明其他實施形態相關的加熱裝置其構成一例的縱剖側面圖。第13圖爲上述加熱裝置的橫剖平面圖。第14圖爲表示上述加熱裝置的熱板及蓋板的周邊構成的縱剖側面圖。第1 5圖爲表示上述加熱裝置加熱時形成氣流的流動說明圖。第1 6圖爲採用第1實施形態加熱裝置之塗佈、顯影裝置平面圖。第17圖爲表示上述塗佈、顯影裝置透視圖。第18圖爲表示上述塗佈、顯影裝置側部剖面圖。第19圖爲表示上述塗佈、顯影裝置的塗怖機組和棚架機組和搬運手段的透視圖。 -33- (31) (31)1323009 第20圖爲表示習知加熱裝置的一例圖。第21圖爲表示上述習知加熱裝置的熱板及蓋板之構造圖。【主要元件符號說明】 2、7 :力口熱裝置 3 :冷卻機構 31 :連結托架 3 3 :冷卻板 3 5 :空氣冷卻片部 3 5 b :空氣冷卻片 38 :傳熱管 5 :熱板支架構件 53 :熱板 6 :蓋板 50、65 :真空層 -34-

Claims

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十、申請專利範圍第95 1 1 6242號專利申請案中文申請專利範圍修正本民國98年2月6日修正 1·—種加熱裝置，具備有：設置在處理容器內，對塗有塗佈液的基板進行加熱處理的熱板；設置在上述處理 φ 容器內’利用驅動機構使其移動於其與外部的搬運機構之間進行基板交接的靜止位置和上述熱板上方位置之間，對熱板加熱後的基板進行冷卻的冷卻板；及在該冷卻板和熱板之間進行基板交接的交接手段所成的加熱裝置，其特徵爲，具備有：設置在上述冷卻板中的傳熱管；利用上述驅動機構使其和上述冷卻板同時移動，可對上述傳熱管的一端側進行冷卻的空氣冷卻片部；及

設置成當上述冷卻板位於靜止位置時，空氣冷卻片部是接近於其吸引排氣口，以吸引排氣來使該空氣冷卻片部冷卻的冷卻用之吸引排氣管道。 2.如申請專利範圍第1項所記載的加熱裝置，其中上述冷卻板的靜止位置是位在熱板的側方，處理容器，具備有層板，該層板可區隔出：基板的移動區域；及配置有上述冷卻板移動用驅動機構及交接手段驅動用之驅動機構的底部區域， 1323009 冷卻用的吸引排氣管道是配置在上述層板的下方側。 3. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載的加熱裝置，其中，具備：在熱板上方設置成與基板相向的整流板 ;及吸引排氣可使氣流沿著該整流板形成的氣流成形用吸引排氣管道，上述冷卻用的吸引排氣管道的基端側，是合流於上述氣流成形用之吸引排氣管道。

4. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載的加熱裝置，其中，具備：在熱板上方設置成與基板相向的整流板；吸引排氣成使氣流沿著該整流板形成的氣流成形用吸引排氣管道；合流於上述氣流成形用吸引排氣管道的裝置內排氣管道；及設置在該裝置內的排氣管道，對上述底部區域範圍進行排氣用的吸引排氣手段，上述冷卻用的吸引排氣管道，是連接在比裝置內排氣管道的上述吸引排氣手段的更上游側。 5-如申請專利範圍第1項或第2項所記載的加熱裝置，其中，於冷卻板的周緣，形成有可使載置著基板的外部搬運臂從該冷卻板的上方側通往下方側且將基板交接在冷卻板上，其形狀爲對應於搬運臂形狀的缺口部。 6. —種塗佈、顯影裝置，具備有：搬入有收納基板的載體之載體單元；包括有對從上述載體取出的基板之表面塗佈抗蝕劑的 -2- 1323009 塗佈部，和可對塗有抗蝕劑的基板進行加熱的加熱裝置，和可對曝光後的基板進行顯影的顯影處理部之處理單元：及在該處理單元和曝光裝置之間進行基板交接的界面部，其特徵爲：上述加熱裝置是使用申請專利範圍第1項至第5項任一項所記載的加熱裝置。

7. —種加熱方法，其特徵爲，包括：在熱板上對塗有塗佈液的基板進行加熱處理的步驟；將加熱處理後的基板交接至已經移動到熱板上方的冷卻板之步驟；其次藉由冷卻板，其與空氣冷卻片部同時從熱板的上方位置離開移動至靜止位置，使該空氣冷卻片部的位於形成接近冷卻用的吸引排氣管道的吸引排氣口之步驟；接著利用冷卻用的吸引排氣管道的吸引排氣使空氣冷 φ 卻片部空氣冷卻，由該空氣冷卻作用使設置在冷卻板中的傳熱管的一端側冷卻以使冷卻板冷卻的步驟；及可將經由冷卻板冷卻後的基板搬出至外部的步驟。 8.如申請專利範圍第7項所記載的加熱方法，其中，對基板進行加熱處理的步驟包括利用氣流成形用吸引排氣管道來進行吸引排氣使氣流可沿著在熱板上方設置成與基板成相向的整流板形成的步驟’ 冷卻用的吸引排氣管道內的排氣流是和氣流形成用吸引排氣管道內的排氣流形成合流。 -3- 1323009 9.如申請專利範圍第8項所記載的加熱方法，其中 ’包括：利用裝置內排氣管道來對由層板使其與基板的移動區域形成區隔，配置有上述冷卻板移動用的驅動機構及交接手段驅動用的驅動機構之底部區域進行排氣的步驟；及

上述冷卻用的吸引排氣管道的排氣流是合流於比上述裝置內排氣管道的上述吸引排氣手段的更上游側，再加上在比上述吸引排氣手段更下游側和氣流形成用之吸引排氣管道內的排氣流形成合流的步驟。