TWI322291B - Liquid crystal display device - Google Patents

Description

1322291 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關液晶顯示裝置，特別有關適於用在攜帶式 資訊終端裝置（例如：P D A)、行動電話、車用液晶顯:器工、 數位相機、個人電腦、娛樂機器、電視等之液晶顯示裝置。 【先前技術】 資訊基礎設備日益進步，行動電話、pDA、數位相機、 攝影機、車用導航器等機器深入滲透人們的生活，此大部 刀都採用液晶顯示裝置。伴隨本體所處裡之資訊量增加， 期望此等液晶顯示裝置顯示更多資訊，市場對於高對比、 廣視角、高亮度、多色 '高精細化之要求提高。 作為可實現高對比化及廣視角化之顯示模式，利用垂直 配向型液aB層之垂直配向模式係受到注目。垂直配向型液 晶層一般係採用垂直配向膜及負介電各向異性之液晶材料 所形成》 例如：於專利文獻1係揭示一種液晶顯示裝置，其係藉由 於設在像素電極之介由液晶層而對向之對向電極之開口部 周邊’產生斜向電場，以開口部内處於垂直配向狀態之液 晶分子為中心’使周圍之液晶分子傾斜配向，以便改善視 角特性者。 然而’於專利文獻1所記載之構成，難以在像素内之全區 域形成傾斜電場，其結果，於像素内產生液晶分子對於電 壓之應答延遲之區域，發生出現殘影現象的問題β. 為了解決此問題，於專利文獻2揭示一種液晶顯示裝置， 99670.doc 其·係藉由在像素電極或對向電極設置規則排列之複數開口 部’以便在像素内具有呈現軸對稱配向之複數液晶區者。 並且’於專利文獻3，揭示藉由在像素内規則地設置複數 凸部’以便使以凸部為中心而出現之傾斜狀放射配向之液 晶區之配向狀態安定之技術。又，於此專利文獻係揭示同 時利用凸部所造成之配向限制力及設於電極之開口部所造 成之斜向電場’限制液晶分子之配向，從而可改善顯示特 性。 又’專利文獻4係揭示一種垂直配向液晶顯示裝置（mva 型液晶顯示裝置）’其係設有平行於像素電極而延伸之複數 狹縫（開口部或缺口部）、突起（凸部）或凹陷（凹部）者。 另方面，近年來提案一種在屋外或屋内均可實現高品 質顯示之液晶顯示裝置（例如：專利文獻5及專利文獻6)。 此液晶顯示裝置稱為半透過型液晶顯示裝置，具有在像素 、反射模式進行顯示之反射區域及以透過模式進行顯示 之透過區域。 現在市售之半透過型液晶顯示裝置係利用ECB模式或 ▲、弋4 但於上述專利文獻3，不僅揭示適於透過型液 顯示裝置之構成，亦揭示適於半透過型液晶顯示装置之 構成。又，於專利文獻7，於垂直配向型液晶層之半透過型 液曰日^不裝置’揭示'種藉由形成於為了使透過區域之液 的層厚度成為反射區域之液晶層厚度之2倍所設之絕緣層 之凹部，以控制液晶配向（多軸配向）之技術。揭示一種凹 4形成例如.正八角形，於介由液晶層而與凹部對向之位 99670.doc 1322291 置形成突起（凸部）或狹縫（電極開口部）之構成（參考_ 專利文獻7之圖4及圖16)。 [專利文獻1]特開平6-301036號公報 [專利文獻2]特開2000-47217號公報 [專利文獻3]特開2003-167253號公報 [專利文獻4]特開平1 1-242225號公報 [專利文獻5]專利第2955277號公報 [專利文獻6]美國專利第6195 140號說明書 [專利文獻7]特開2002-350853號公報 【發明内容】 如專利文獻1至4所記載，若採用在像素内之電極設置開 口部及/或缺口部之構成，於藉由蝕刻形成開口部及缺口部 時，產生過度蝕刻或構成電極之導電膜之剝離等，其結果， 電極被分割’形成未供給電壓之區域。如此，若於像素内 形成未供給特定電塵之區域，將成為顯示缺陷（在常暗模式 之顯示為黑點）。 並且，如上述專利文獻1至7所記載，若作為配向限制構 造’於像素内之電極設置開口部或缺口部（電性配向限制構 造），或設置凸部或凹部（物理配向限制構造），由於此等配 向限制構造附近之液晶分子比其他區域之液晶分子大幅傾 斜（更接近水平）’因此於常暗顯示，比其他區域觀察起來 更亮。特別是利用凸部或凹部等之形狀效果之物理配向限 制構造，在電壓無施加時仍發揮配向限制力，因此於黑顯 示狀態亦發生光漏洩’成為對比率下降的原因。 99670.doc 1322291 本發明係有鏗於上述諸點所實 ,...^ ^ 汀貫現者’其主要目的在於防 止在像素内之電極設置開口部或缺口料，起因於電極分 割之顯示缺陷的發生。又，本發明之其他目的在於抑制起 因於設在像素内之配向限制構造所造成之光 降低。 平 八^且’本發明之其他目的在於提升於反射區域具備透明 ’丨電體層之半透過型液晶顯示裝置之顯示品質。 本發明之第-局面之液晶顯示裝置係具有：第一其板 以對向於前述第一基板之方式所設置之第二基板及:置於 刖述第-基板與前述第二基板之間之垂直配向型液晶層，· 具備複數像素，其係分別包含形成於前述第—基板上之第 -電極、形成於前述第二基板上之第二電極及設置於前述 第-電極與前述第二電極之間之前述液晶層者；前述第一 電極具有形成於像素内特定位置之至少丨個開口部或缺口 部；具有至少一遮光性導電層’其係設置於前述至少】個開 口 7或缺σ部之至少附近，電性連胁前述第—電極者； 於則述複數像素之各個’在前述液晶層至少施加特定電壓 時，形成液晶分子傾斜方位互異之複數區域。 於某實施型態，於前述複數像素之各個’在前述液晶層 至V鼽加特定電壓時，形成呈現軸對稱配向之至少1個液晶 (¾ 〇 於某實施型態，前述至少一遮光性導電層係包含包覆前 述至少1個開口部或缺口部之至少-部分之遮光性導電層。 於某實施型態，前述至少！個開口部或缺口部係包含以互 99670.doc 1322291 相對向之方式形成之2個缺口部；前述至少_遮光性導電層 係包含第-遮光性導電層，其係以包覆包含前述2個缺口 : 之對向2邊之區域之方式形成者。再者，前述至少一遮光性 導電層未必要以包覆包含前述2個缺口部之對向2邊之區域 之方式形成，亦可設於對向2邊之間。 於某實施型態，前述至少丄個開口部或缺口部係包含至少 2個開口部；前述至少一遮光性導電層係包含至少二第二遮 光性導電層，其係包覆前述至少2個開口部之各個者。一 ”、 於某實施型態’前述液晶層係於至少施加料電壓時， 形成分別呈現轴對稱配向之至少2個液晶區；前述至少2個 液晶區之各軸對稱配向之中心軸係形成於前述至少2個開 口部内或其附近。 於某實施型態，前述遮光性導電層係由金屬膜形成。 於某實施型態，前述金屬膜係含有選自A卜Ag、Ti、Ta、 Mo及W所組成之群之至少丨種金屬元素。 於某實施型態’於前述複數像素之間隙具有遮光區域， 於前述遮光區域之前述[基板上之前述液晶層側，具有 規則排列之壁構造體。 於某實施型態’前述第二電極係具有形成於像素内特定 位置之至少1個進一步之開口部;在於前述液晶層至少施加 特疋電壓時所％成之前述至少丄個&晶區之軸對稱配向之 中心軸係形成於前述至少一個進一步之開口部内或其附 近。 於某實施型態’具有至少一進一步之遞光性導電層，其 99670.doc • 11 - 1322291 係包覆前述至少i個進一步之開口部，電性連接於前述第二 電極者。 於某實施型態，前述第一電極係包含規定透過區域之透 明電極及規定反射區域之反射電極；前述透過區域内之前 述液晶層之厚度dt及前述反射區域内之前述液晶層之厚度 dr係符合0.3dt<dr<0.7dt之關係。 於某實施型態，前述第一電極係包含規定透過區域之透 明電極及規定反射區域之反射電極；前述至少1個液晶區係 包含形成於前述透過區域之液晶區；前述至少1個開口部或 缺口部係包含：對應於形成在前述透過區域之前述液晶區 之中心軸之開口部及以前述開口部為中心而配置成點對稱 之複數缺口部。 於某貫施型態’刚述反射電極及前述至少一遮光性導電 層係由相同金屬膜所形成。 於某實施型態，於則述第一基板之前述反射區域選擇性 地設置透明介電體層。 於某實施型態，具有1對偏光板，其係介由前述第一基板 及前述第二基板，以互相對向之方式配置者；並於前述第 一基板及/或前述第二基板與前述1對偏光板之間，進一步 具有至少一雙轴性光學各向異性媒體層。 於某實施型態’進-步具有m偏光板，其係介由前述第 一基板及前述第二基板，以互相對向之方式配置者；並於 前述第一基板及/或前述第二基板與前述丨對偏光板之間，' 進一步具有至少一單轴性光學各向異性媒體層。 99670.doc -12、 、本發明之第二局面之液晶顯示裝置係具有：第一基板、 '子向於别述第-基板之方式所設置之第二基板及設置於 前述第-基板與前述第二基板之間之垂直配向型液晶層； 具備複數像素’其❹別包含形成於前述第—基板上之第 電極％成於刚述第：基板上之第二電極及設置於前述 第-電極與前述第二電極之間之前述液晶層者；第一電極 係具有m過區域之透明電極及規定反射區域之反射 f極；及形成於前述透明電極與前述反射電極之間之缺口 邠，第一基板係於前述反射區域進一步具有透明介電體 層月·】述透過區域内之前述液晶層之厚度dt及前述反射區 域内之前述液晶層之厚度心係符合〇 3dt< & < 〇 之關 係引述透明；1電體層具有位於前述缺口部之寬度方向之 中^或比刖述中心接近反射電極侧之端面；在於前述液晶 層至〆施加特定電壓時，液晶層係於前述透過區域及前述 反射區域之各個’形成呈現軸對稱配向之至少丨個液晶區。 於某貫施型態，於前述液晶層施加白電壓時，前述缺口 ^之則述中心之電位係比前述液晶層之臨限值電壓低。 本發明之第二局面之液晶顯示裝置係與上述第一局面之 液晶顯示裝置組合。 [發明效果] 本發明之第一局面之液晶顯示裝置係於液晶層至少施加 特定電壓時’於像素内形成液晶分子傾斜方位互異之複數 、色因此於像素内之電極具有至少1個開口部或缺口部， 此開口部或缺口部之至少一部分是由遮光性導電層（例 99670.doc 13 如：金屬層）所包覆，遮光性邕雷s帝 r導電層電性連接於該電極。因 此’藉由蝕刻形成開口部或缺口卹吐 4缺口。卩時，即使發生過度蝕刻 或構成電極之導電膜剝離等，在偟去 — 寸隹像素内發生電極分割，仍 藉由遮光性導電層形成電性遠接，田4 T ^ ^•丨王埂褛，因此不致於像素内形成 未供給特定電壓之區域，直社要聪hΜ η '、、，.。果將抑制、防止顯示缺陷之 發生。又，措由使用遮光性導雷^^q+ l U丨土导电層，包覆以固定軸對稱配 向之中心軸之方式所設置之開邱 阀口。卩，可抑制、防止開口部 附近之光漏洩。 本發明之第二局面之液晶帛示裝置係於反射區域具備透 明介電體層之半透過型液晶顯示裝置，透明介電體層係以 具有位於缺口部之寬度方向中心或比中心位於反射電極側 之端面之方式配置，因此使形成於透過區域及反射區域之 轴對稱配向安定，顯示品質提升。當然，具備第一局面及 第二局面之液晶顯示裝置雙方之構成之液晶顯示裝置取得 雙方的效果。 【實施方式】 以下，一面參考圖式一面具體說明本發明之實施型態之 液晶顯示裝置之構成。 (透過型液晶顯示裝置） 首先，一面參考圖1 一面說明本發明之第一局面之實施型 態之透過型液晶顯示裝置i 00之構成。圖1係模式性地表示 透過型液晶顯示裝置1〇〇之1個像素之構成之圖，圖1(a)為 平面圖’圖1(b)為圖1(a)中之沿著13-13，線之剖面圖。 在此係表示將1像素進行2分割（N=2)之例，但可按照像 99670.doc 14 素間距，將分割數（=N)設定為3以上，於此情況，宜使設 於第二基板側之分割區域之大致中心部之開口部數目（=η) 亦與像素分割數（=Ν)相同。再者，若分割數（=ν)增多， 有效開口率傾向降低，因此適用於高精細之顯示面板時， 宜減少分割數（=ΝΡ又，於不分割像素（有時亦表現為Ν =1)之情況’亦可適用本發明。又’分割之區域有時亦稱 為"子像素"。典型上’於子像素形成1個液晶區。 液晶顯示裝置100具有：透明基板（例如：玻璃基 板）1 00a、設置成對向於透明基板丨〗0a之透明基板丨丨〇b及設 置於透明基板11 〇a與11 〇b之間之垂直配向型之液晶層 120。於基板ii〇a及ii〇b上之相接於液晶層ι2〇之面，設有 垂直配向膜（不圖示），於電壓無施加時，液晶層12〇之液晶 分子係對於垂直配向膜之表面大致垂直地配向。液晶層12〇 含有負介電各向異性之向列型液晶材料，並按照需要進一 步含有對掌劑。 液晶顯示裝置100具有：形成於透明基板l〇〇a上之像素電 極111 ’及形成在設置成對向於透明基板H 0a之透明基板 110b上之對向電極131，設於像素電極m及對向電極131 之間之液晶層12 0規定像素。在此，像素電極1 i丨及對向電 極131均以透明導電層（例如：ITO層）形成。再者，典型上， 於透明基板11 Ob之液晶層120側形成：對應於像素而設置之 彩色濾光片130(亦將複數彩色濾光片全體總稱為彩色濾光 片層130)，及鄰接於彩色濾光片130之間所設置之黑矩陣 (遮光層）132，於此專之上形成對向電極13 1，但於對向電 99670.doc 15 1322291 極13 1(液晶層120側）上形成彩色濾光片層π〇或黑矩陣ι32 亦可。 於分割數（=Ν)2之圖1所示之液晶顯示裝置1〇〇，後述之 壁構造體115形成於透明基板ll〇a上之像素電極I"周圍之 遮光區域上。像素電極111係於像素内特定位置具有按照分 割數之數目（於圖1 ’ n=2)之開口部114，於特定位置具有4 個缺口部113。並且，液晶顯示裝置1 〇 〇係具有設於像素内 特疋位置之遮光性導電層116。在此例示之遮光性導電層 Πό包含：以包覆像素電極ηι之開口部114之方式所設置之 遮光性導電層116b’及以包覆缺口部Π3之一部分之方式所 設置之遮光性導電層116a。包覆缺口部113之一部分之遮光 性導電層116a係以包覆包含互相對向而形成之2個缺口部 113之對向2邊之區域之方式形成。 若於此液晶層120施加特定電壓，則形成分別呈現軸對稱 配向之2個（與分割數N相同數目）之液晶區，此等液晶區之 各軸對稱配向之中心軸係形成於開口部u 4内（亦即對應於 開口部114而形成於遮光性導電層丨丨仏之表面之凹部内）或 此等附近。如後面所詳細說明，開口部丨14(遮光性導電層 116b之凹部）係以固定轴對稱配向區之中心軸位置之方式 起作用^ 設於像素電極111之缺口部113設於軸對稱配向區之邊界 附近，規定液晶分子由於電場而倒下之方向，以形成軸對 稱配向區之方式作用。於缺口部113之周邊，由於施加於像 素電極111及對向電極131之間之電壓而形成斜向電場，此 99670.doc •16· 斜向電場規定液晶分子之倒下方向。並且，壁構造體115 係利用其傾斜面效果，以規定液晶分子在電壓施加時（電場 產生時）所傾斜之方向之方式作用。壁構造體115之傾斜側 面所造成之配向限制力，於電場無施加時亦作用，以使液 晶分子傾斜。於電場施加時’以缺口部1丨3所造成之斜向電 場及由於壁構造體115而歪曲形成之於壁面之電場作用，規 定液晶分子之傾斜方向，結果形成如上述之軸對稱配向。 又，在此，缺口部113包含4個缺口部11 3，其係以對應於形 成在像素（在此全體為透過區域）之液晶區之中心軸之開口 部（在此為圖1中之右侧開口部）丨14為中心而配置成點對稱 者。藉由設置此類缺口部11 3，規定電壓施加時液晶分子所 倒下之方向，形成2個液晶區》缺口部丨13係以規定軸對稱 配向區内之液晶分子由於電場而倒下之方向之方式作用， 其形狀以對於鄰接之軸對稱配向大致發揮相等配向限制力 之方式設定，宜為例如：四角形。 再者’於圖1中，在像素電極ni左側未設置缺口部之理 由在於，由於藉由位於圖示之像素電極丨丨i左側之像素電極 (不圖示）之右端之缺口部可獲得相同效果，因此在像素電 極ill之左端係省略會降低像素之有效開口率之缺口部。在 此，藉由後述之壁構造體115亦獲得配向限制力，因此即使 於像素電極111左端未設置缺口部，由於形成與設有缺口部 時同樣安定之液晶區，因此獲得有效開口率提升之效果。 在此形成4個缺口部113，但缺口部只要在鄰接之液晶區 間至少設置1個即可，例如：在此是於像素中央部設置細長 99670.doc 缺口部，並省略其他亦可。 遮光性導電層1163係以包覆包含互相對向形成之2個缺 口部113之對向2邊之區域之方式所形成，在藉由蝕刻形成 缺口部113時，即使發生過度蝕刻或構成像素電極ln之導 電層（在此為ιτο層）剝離等，發生構成像素電極i η之導電 媒分割，仍藉由遮光性導電層丨16a形成電性連接，因此不 致於像素内形成未供給特定電壓之區域，因此抑制 '防止 起因於像素電極111之分割（斷線）之顯示缺陷發生。 再者，遮光性導電層ll6a未必要以包覆包含2個缺口部 113之對向2邊之區域之方式形成，設於對向2邊之間亦可。 例如：於餘刻工序’在導電膜形成連結上述2個缺口部113 之裂缝（crack)，其結果可能分割構成像素電極n丨之導電 膜，於像素電極内發生斷線故障。為了防止此類裂縫所造 成之像素電極内斷線，遮光性導電層丨16a無須與缺口部丨13 之一部分重疊，只要設於容易發生裂縫之處（在此為2個缺 口部113之對向2邊之間）即可。亦即，藉由在容易發生裂縫 之缺口部113(或開口部）之至少附近設置遮光性導電層可 防止如上述之斷線故障。 開口部114係為了固定軸對稱配向區之中心轴而設置。設 於像素電極111之開口部丨14係於包覆其而形成之遮光性導 電層116b表面形成凹部。藉由此凹部之形狀效果，限制液 晶分子傾斜方向，使軸對稱配向之中心軸固定、安定。用 以形成為了固定軸對稱配向區之中心轴之凹部之開口部 114之形狀’宜為例示之圓形，但不限於此。其中，為了發 99670.doc 1322291 揮全方位大致相等之配向限制力，宜為4角形以上之多角 形，正多角形為佳。 包覆開口部114之遮光性導電層116b係以抑制來自形成 於液晶區之中央附近之軸對稱配向之中心軸附近之光漏洩 之方式作用。如上述，配向限制構造附近之液晶分子比其 他區域之液晶分子大幅傾斜（更接近水平），因此於常暗顯 示’比其他區域觀察起來明亮。特別是物理配向限制構造 在電壓無施加時亦發揮配向限制力，因此即使於黑顯示狀 惑仍產生光漏 >矣’成為對比率降低的原因。藉由開口部1 1 4 所形成之遮光性導電層116b之表面凹部係藉由其形狀效果 規定液晶分子傾斜方向。而且，開口部！丨4係為了固定液晶 區之轴對稱配向之中心軸所設置，故配置於子像素之中央 附近。因此若於開口部114附近產生光漏洩，對比率將顯著 降低。藉由以包覆開口部114之方式設置遮光性導電層 116b，可抑制對比率降低。當然，以包覆缺口部113之一部 分之方式設置之遮光性導電層丨16b，亦同樣以抑制缺口部 113附近之光漏洩之方式作用。但為了充分發揮缺口部ιΐ3 所造成之斜向電場效果，不宜包覆缺口部113之廣泛區域， 如上述，為了防止像素電極1U之斷線，宜採取選擇性地包 覆缺口部113之-部分之方式設置遮光性導電層U6a。遮光 性導電層U6a及116b係由同—膜（例如：金屬膜）所形成。 開口部114之適當大小亦取決於子像素（液晶區）之大 小’但圓形時，直徑（多角形時為最長邊之長度）宜為MW 以下。又’若考慮到定位精度，包覆開口部114之遮光性導 99670.doc 電層116b之直徑（多角形時為最長邊之長度）宜比開口部 114之直徑大2〇%程度。若開口部114比此值大遮光性導 電層116b之面積增大，有效開口率降低，故不適宜。又， 為了充分獲得使軸對稱配向之中心軸固定、安定，形成在 對應於開口部114之表面之凹部之階差宜為〇1 μιη以上， 0.15 μηι以上較佳。 液晶顯示裝置100係於鄰接之像素間具有遮光區域，於此 遮光區域内之透明基板1103上具有壁構造體115。在此，所 謂遮光區域，其係由形成於透明基板110a上之像素電極ln 之周邊區域之例如：TFT或閘極信號配線、源極信號配線， 或形成於透明基板110b上之黑矩陣所遮光之區域，此區域 無助於顯示。因此，形成於遮光區域之壁構造體115不會對 於顯示造成不良影響。 在此例示之壁構造體1丨5係以包圍像素之方式，作為連續 之壁而設置，但不限於此，分割成複數壁亦可。此壁構造 體115係規定形成於液晶區之像素外延附近之邊界而作 用’因此宜具有某程度之長度。例如：以複數壁構成壁構 造體時，各個壁之長度宜比鄰接壁之間之長度長。 若於遮光區域（在此係由黑矩陣132所規定之區域）形成 用以規定液晶層120之厚度（亦稱胞間距）之支撐體133，不 會使顯示品質降低，因此較適宜。支撐體〗33形成於透明基 板110a或110b之任一方均可，如例示，不限於設在設於遮 光區域之壁構造體115上之情況。於壁構造體115上形成支 撐體133時，以壁構造體115之高度及支撐體133之高度和成 99670.doc -20- 為液晶層120之厚度之方式而設定。於未形成壁構造體115 之區域設置支樓體133時，以支撐體133之高度成為液晶層 120之厚度之方式設定。支撐體in可採用例如：感光性樹 脂，以光微影工序形成。 於此液晶顯示裝置100,若於像素電極U1及對向電極13 i 施加特定電壓（臨限值電壓以上之電壓），於2個開口部1】4 内（遮光性導電層116b之凹部内）或其附近，形成分別之中 心轴已安定化之2個軸對稱配向。設於像素電極u丨之長度 方向之中央部之1對缺口部U3係規定鄰接之2個液晶區内 之液晶分子由於電場所倒下之方向，設於壁構造體n 5及像 素電極111之角落部之缺口部U3係規定液晶區之像素外延 附近之液晶分子由於電場所倒下之方向。開口部n4及缺口 部113，進而壁構造體丨15所造成之配向限制力係協同地作 用，使液晶區之配向安定。 再者’於透明基板11 〇a之液晶層120側，設置例如：連接 於TFT等主動元件及連接於TFt之閘極配線和源極配線等 電路要素（均未圖示）。又，將透明基板n〇a、形成於透明 基板110a上之電路要素及上述像素電極η!、壁構造體 115、支撐體133及配向膜等總稱為主動矩陣型基板。另一 方面’將透明基板11 〇b及形成於透明基板u 〇b上之彩色遽 光片層130、黑矩陣132、對向電極131及配向膜等，總稱為 對向電極或彩色濾光片基板》 又’於圖1所示之液晶顯示裝置1〇〇，僅例示於透明基板 110a上設置缺口部113、開口部114及壁構造體π 5等配向限 99670.doc 21 1322291 制構造，但亦可於透明基板i 10b上設置配向限制構造，亦 可於雙方透明基板設置配向限制構造。當然，若採用於任 一方基板設置配向限制構造之構成，將獲得可簡化製程之 優點。另一方面，例如：若於雙方基板設置中心固定用開 口部’將更有效地使軸對稱配向之申心轴固定、安定，因 此可減低顯示偏差或縮短中間階度之應答時間。

再者，壁構造體1 1 5在無施加時亦發揮配向限制力，因此 即使於中間階度顯示狀態，仍具有使軸對稱配向安定之效 果高之優點，但依據液晶顯示裝置之用途等，亦可省略。 又，藉由設置開口部114，使軸對稱配向之中心軸固定、安 定，將獲得提升顯示均勻性之效果，但依據液晶顯示裝置 之用途等，亦可省略。 雖於上述說明省略，但液晶顯示裝置i 〇〇進一步具有】對 偏光板，其係介由透明基板11〇&及11〇]3而互相對向配置 者。典型上，1對偏光板係以透過軸互相正交之方式配置。

並且，如後述，亦可設置雙軸性光學各向異性媒體層或單 軸性光學各向異性媒體層。 (半透過型液晶顯示裝置） 其次，參考圖2說明本發明之第一局面之實施型態之半透 過型液晶顯示裝置200之構成。 圖2係模式性地表示本發明之實施型態之半透過型液曰 顯示裝置細之！個像素之構成之圖，圖2⑷為平面圓，-2(b)為圖2(a)中之沿著2B_2B，線之剖面圖。 透過區域為2分 在此係表示將1像素進行3分割（N = 3 99670.doc -22· 1322291 割，反射區域為1分割）之例，但可按照像素間距，將分割 數（=N)設定至少為2以上（透過區域最低1分割，反射區域 最低1分割）。再者，若分割數（=N)增多，有效開口率傾向 降低，因此適用於高精細之顯示面板時，宜減少分割數（= N)。 液晶顯示裝置2 0 0具有：透明基板（例如：玻璃基 板）210a、對向於透明基板210a而設置之透明基板21 Ob及設 置於透明基板210a與21 Ob之間之垂直配向型之液晶層 220。於雙方基板210a及210b上之相接於液晶層220之面， 設有垂直配向膜（不圖示），於電壓無施加時，液晶層220之 液晶分子係對於垂直配向膜之表面大致垂直地配向。液晶 層220含有負介電各向異性之扭轉型液晶材料，並按照需要 進一步含有對掌劑。 液晶顯示裝置200具有：形成於透明基板21〇a上之像素電 極211 ’及形成在透明基板21〇a之對向電極231，像素電極 2 11及設在其與對向電極23 1之間之液晶層220係規定像 素。於透明電極210a上形成如後述之TFT等電路要素。透 明電極210a及形成於其上之構成要素係總稱為主動矩陣型 基板21 〇a。 又’典型上，於透明基板210b之液晶層220側形成：對應 於像素而設置之彩色濾光片230(亦將複數彩色濾光片全體 總稱為彩色濾光片層230)，及鄰接於彩色濾光片230之間所 设置之黑矩陣（遮光層）232 ’於此等之上形成對向電極 231 ’但於對向電極23 1(液晶層22〇侧）上形成彩色濾光片層 99670.doc •23· 230或黑矩陣232亦可。透明基板21〇b及形成於此上之構成 要素係總稱為對向基板（彩色濾光片基板）基板2丨〇1^ 像素電極211具有：由透明導電層（例如：IT〇層）所形成 之透明電極21 la及由金屬層（例如：八丨層）所形成之反射電 極2Ub °其結果’像素係包含由透明電極211a所規定之透 過區域A，及由反射電極2ub所規定之反射區域B。透過區 域A係以透過模式進行顯示’反射區域b係以反射模式進行 顯示。 像素分割數（=N)3(透過區域為2分割，反射區域為1分割） 之圖2所不之液晶顯示裝置2〇〇，後述之壁構造體2丨5形成於 像素電極211周圍之遮光區域上。又，像素電極2ΐι係於像 素内特疋位置具有按照分割數之數目（於圖2，η = 3)之開口 郤214，於特定位置具有4個缺口部]。。並且，液晶顯示裝 置2〇0係具有設於像素内特定位置之遮光性導電層216。在 此例不之遮光性導電層216包含：以包覆像素電極211之開 口 °卩214之方式所設置之遮光性導電層216b，及以包覆缺口 4 213之°卩分之方式所設置之遮光性導電層216ae包覆缺 口。卩213之一部分之遮光性導電層2 1 6a係以包覆包含互相 對向而形成之2個缺口部213之對向2邊之區域之方式形成。 ;此液層施加特定電壓，將形成分別呈現轴對稱配 向之3個（與分割數_同數目）之液晶區，A等液晶區之各 轴對稱配向之φ^ 軸係形成於開口部214内（亦即對應於開 :°P214而形成於遮光性導電層216b之表面之凹部内)或此 等附近如後面所詳細說明，設於像素電極211之特定位置 99670.doc •24· 1322291 之開口部214(遮光性導電層216b之凹部）係以固定轴對稱 配向區之中心抽位置之方式作用。 設於像素電極211之缺口部213設於轴對稱配向區之邊界 附近’規定液晶分子由於電場而倒下之方向，以形成軸對 稱配向區之方式作用。於缺口部213之周邊，由於施加於像 素電極211及對向電極231之間之電壓而形成斜向電場，此 斜向電場規定液晶分子之倒下方向。並且，壁構造體215 係利用其傾斜面效果’以規定液晶分子在電壓施加時（電場 產生時）所傾斜之方向之方式作用。壁構造體215之傾斜側 面所造成之配向限制力’於電場無施加時亦作用，以使液 晶分子傾斜。於電場施加時，以缺口部213所造成之斜向電 場及由於壁構造體215而歪曲形成之於壁面之電場作用，規 定液晶分子之傾斜方向，結果形成如上述之軸對稱配向。 又，在此，缺口部213包含4個缺口部213，其係以對應於 形成在像素之透過區域之液晶區之中心軸之開口部（在此 為圖2(a)中之右側開口部μ 14a為中心而配置成點對稱者。 藉由設置此類缺口部213，規定電壓施加時液晶分子所倒下 之方向’形成3個液晶區❶關於壁構造體215、開口部214 或缺口 „卩213之配置及此等之較佳形狀，與上述透過型液晶 顯示裝置100之情況相同。於圖2係表示在透過區域a形成2 個液晶區，在反射區域B形成丨個液晶區之例，但不限定於 此再者’各個液晶區大致為正方形之形狀，從視角特性 及配向安定性之觀點來看較佳。 遮光丨生導電層216a係以包覆包含互相對向形成之2個缺 99670.doc •25· 口部213之對向2邊之區域之方式所形成，在藉由蝕刻形成 缺口部213時，即使發生過度蝕刻或構成像素電極211之導 電層（在此為ITO層）剝離等，發生構成像素 電極211之導電 膜分割，仍藉由遮光性導電層216a形成電性連接，因此不 致於像素内形成未供給特定電壓之區域，因此抑制、防止 起因於像素電極211之分割（斷線）之顯示缺陷發生。又，若 在形成反射電極2 lib之工序，從同一層一次形成遮光性導 電層216a(及遮光性導電層216b)，由於製造工序不會增 加，較為適宜。此時，作為形成反射電極2Ub及遮光性導 電層216a、216b之材料，宜使用不會與構成透明電極211& 之ITO層引起電餘之材料（例如：Ag、Ti、Ta、Mo、W或此 等之合金，或此等與A1之合金）、於下層具有不會引起電蝕 之材料之疊層構造（例如：於上述金屬層上層疊A1之構造） 或以IZO(InZnO)或ATO(SbSnO)等難以與A1引起電蝕之透 明導電材料所形成之透明電極。

Al、Ag、Ti、Ta、Mo、W及此等合金膜不僅能以半導體 或液晶顯示裝置等電子裝置之真空成膜工序，較容易地形 成成膜，亦適於採用光微影工序之圖案化，可適合採用。 並且，於半透過型液晶顯示裝置，能以相同於反射電極膜 之材料且以同一成膜工序形成設於缺口部或開口部之遮光 性導電層之後’以光微影工序進行期望之圖案化，並形成 於特定位置。於此情況，能與反射電極之成膜工序同時地 形成遮光性導電層，因此可謀求工序縮短及良率改善等製 造成本減低。 99670-doc • 26- 開口部214係為了固定軸對稱 配向區之中心轴而設置。設 於像素電極211之開口部214係於包覆其而形成之遮光性導 電層216b表面形成凹部。藉由此凹部之形狀效果，限制液 晶分子傾斜方向，使軸對稱配向之中心軸固定、安定。用 以形成為了固定軸對稱配向區之中心軸之凹部之開口部 214之形狀，宜為例示之橢圓形或圓形，但不限於此。其中’ 為了發揮全方位大致相等之配向限制力，宜為4角形以上之 多角形’正多角形為佳。 包覆開口部214之遮光性導電層21 6b係以抑制來自形成 於液晶區之中央附近之軸對稱配向之中心軸附近之光漏洩 之方式作用。如上述，配向限制構造附近之液晶分子比其 他區域之液晶分子大幅傾斜（更接近水平），因此於常暗顯 示，比其他區域觀察起來明亮❶特別是物理配向限制構造 在電壓無施加時亦發揮配向限制力，因此即使於黑顯示狀 態仍產生光漏洩，成為對比率降低的原因。藉由開口部2】4 所形成之遮光性導電層216b之表面凹部係藉由其形狀效果 規定液晶分子傾斜方向。而且，開口部2 14係為了固定液晶 區之轴對稱配向之中心軸所設置，故配置於子像素之中央 附近》因此若於開口部214附近產生光漏洩，對比率將顯著 降低。藉由以包覆開口部214之方式設置遮光性導電層 216b，可抑制對比率降低。當然，以包覆缺口部213之一部 分之方式設置之遮光性導電層216b’亦同樣以抑制缺口部 213附近之光漏洩之方式作用《但為了充分發揮缺口部213 所造成之斜向電場效果，不宜包覆缺口部213之廣泛區域， 99670.doc -27- 1322291 為了防止像素電極211之斷線，

谷易產生裂縫之處（在此是與2個缺口 口部213之對向2邊之間） 如上述，為了防j 覆缺口部213之一 設置遮光性導電層21 6a即可。 液晶顯示裝置200係於鄰接之像素間具有遮光區域，於此 • 遮光區域内之透明基板210a上具有壁構造體215。遮光區域 無助於顯示，因此形成於遮光區域之壁構造體215不會對於 顯示造成不良影響。在此例示之壁構造體215係以包圍像素 之方式’作為連續之壁而設置，但不限於此，分割成複數 壁亦可。此壁構造體215係規定形成於液晶區之像素外延附 近之邊界而作用，因此宜具有某程度之長度。例如：以複 數壁構成壁構造體215時’各個壁之長度宜比鄰接壁之間之 長度長。 • 若於遮光區域（在此係由黑矩陣232所規定之區域）形成 用以規定液晶層220之厚度（亦稱胞間距）之支撐體233，不 會使顯示品質降低，因此較適宜。支撑體233形成於透明基 板210a或210b之任一方均可，如例示’不限於設在設於遮 光區域之壁構造體215上之情況。於壁構造體215上形成支 撐體23 3時，以壁構造體215之高度及支撐體233之高度和成 為液晶層220之厚度之方式而設定。於未形成壁構造體215 之區域設置支撐體233時，以支撐體233之高度成為液晶層 220之厚度之方式設定。 99670.doc -28 1322291 於此液晶顯示裝置200,若於像素電極21丨及對向電極231 施加特定電壓（臨限值電壓以上之電壓），於3個開口部214 内或其附近，形成分別之中心軸已安定化之3個軸對稱配 向。設於像素電極211之4個缺口部213係規定鄰接之3個液 曰a £内之液晶分子由於電場所倒下之方向，壁構造趙215 使形成於液晶區之像素外延附近之邊界安定。 又’於圖2所示之液晶顯示裝置2〇〇，僅例示於透明基板 210a上設置缺口部213、開口部214及壁構造體215等配向限 制構造’但亦可於透明基板21 Ob上設置配向限制構造，亦 可於雙方透明基板設置配向限制構造。當然，若採用於任 一方基板設置配向限制構造之構成，將獲得可簡化製程之 優點。另一方面，例如：若於雙方基板設置中心固定用開 口部’將更有效地使轴對稱配向之中心轴固定、安定，因 此可減低顯示偏差或縮短中間階度之應答時間。 再者’壁構造體215在電場無施加時亦發揮配向限制力， 因此即使於中間階度顯示狀態’仍具有使軸對稱配向安定 之效果高之優點’但依據液晶顯示裝置之用途等，亦可省 略。又’藉由設置開口部214 ’使轴對稱配向之中心轴固定、 安定’將獲得提升顯示均勻性之效果，但依據液晶顯示裝 置之用途等，亦可省略。 其次’說明可進行透過模式之顯示及反射模式之顯示雙 方之半透過型液晶顯示裝置200所特有之較佳構成。 於透過模式之顯示，用於顯示之光僅1次通過液晶層 220，相對於此，於反射模式之顯示，用於顯示之光係2次 99670.doc •29- 1322291 通過液明層22G «»因此’如模式性地表示於圖⑽，宜將透 過區域A之液晶層220之厚度蚊定在反射區域B之液晶層 220之厚度dr之約2倍。藉由如此地設定，可使液晶層22〇 對於兩顯示模式之光所賦予之延遲大致相等。dr=〇他最 佳’但只要在〇.3dt<dr<〇.7dt之範圍内’可於雙方之顯示 模式實現良好顯示。當然、，依照用途，dt= dr亦可。 於液晶顯示裝置200’為了使反射區域b之液晶層22〇之 厚度比透過區域A之液晶層之厚度小’僅於玻璃基板21〇b 之反射區域B設置透明介電體層234。如例示，透明介電體 層234宜設於對向電極23丨之下側（與液晶層相反側）。若採 用此構成’無須於反射電極2Ub之下，使用絕緣膜等以設 置階差’因此獲得可簡化主動矩陣型基板21〇a之製造之優 點。並且’若於為了設置用以調整液晶層22〇之厚度之階差 之絕緣膜上’設置反射電極2iib，將發生用於透過顯示之 光由包覆絕緣膜之斜面（錐形部）之反射電極遮蔽，或以形 成在絕緣膜之斜面之反射電極所反射之光重複内部反射， 因此無法有效利用於反射顯示的問題，但若採用上述構 成’可抑制此等問題發生，改善光之利用效率。 並且’若此透明介電體層234具有光散亂機能（擴散反射 機能）’即使不賦予反射電極211b擴散反射機能，仍可實現 接近良好之紙白的白顯示。即使不賦予透明介電體層234 光擴散機能，藉由賦予反射電極211b之表面凹凸形狀，亦 可實現接近紙白之白顯示，但依照凹凸之形狀，軸對稱配 向之中心軸位置會有不安定的情況。相對於此，若使用具 99670.doc -30· 1322291 有光散亂機能之透明介電體層234及具有平坦表面之反射 電極211b ’將獲得藉由形成於反射電極21化之開口部 214(遮光性導電層216b之凹部），可使中心軸位置更確實地 女定之優點。再者，為了對於反射電極2ub賦予擴散反射 •機能，於其表面形成凹凸時，為了不產生干擾色，凹凸形 狀宜為連續波形，宜採用可使軸對稱配向之中心軸安定之 方式設定。 φ 又，於透過模式，用於顯示之光僅1次通過彩色濾光片層 230，相對地，於反射模式之顯示，用於顯示之光係2次通 過彩色濾光片層230。因此，作為彩色濾光片層23〇，若於 透過區域A及反射區域B使用相同光學濃度之彩色濾光片 層，反射模式之色純度及/或亮度會下降。為了抑制此問題 發生，且使反射區域之彩色濾光片層之光學濃度比透過區 域之彩色遽光片層小。再者，在此所謂光學濃度係賦予彩 色濾光片層特徵之特性值，若縮小彩色濾光片層之厚度， • 彳縮小光學濃度。或維持彩色滤光片層之厚度，使例如： 添加之色素濃度降低，亦可縮小光學濃度。 欠，參相3及圖4,㈣適於用纟半透過型液晶顯示 裝置之主動矩陣型基板之構造之一例。圖3為主動矩陣型基 板之部分放大目，圖4為沿著圖3中之χ·χ，線之剖自圖。圖3 及圖4所示之主動矩陣型基板與圖2所示之主動矩陣型基板 211 a之不同在於，具有在透過區域Α形成1個液晶區之構成 之點（亦即開口部214及缺口部213之數目少之點），但其他 構成相同亦可。 99670.doc 31 1322291 圖3及圖4所示之主動矩陣型基板具有例如：玻璃基板所 組成之透明基板1，於透明基板丨上，閘極信號線2及源極信 號線3係互相正交而設置。此等信號配線2及3之交又部附近 設有TFT4，TFT4之汲極電極5連接於像素電極6。 像素電極6具有：從ITO等透明導電層所形成之透明電極 7及A1等所形成之反射電極8，透明電極7規定透過區域a， 反射電極8規定反射區域Ββ於像素電極6之特定區域，如 上述，為了控制軸對稱配向區之配向而設置缺口部14及開 口。卩15。並且，以包覆互相對向而形成之2個缺口部μ之對 向之2邊之區域之方式，形成遮光性導電層遮光性導 電層216a係與反射電極8—體地形成。此遮光性導電層2心 係防止起因於在缺口部14附近之透明導電層之剝離等之顯 示缺陷。又，以包覆形成於透明電極7之開口部l5a之方式， 形成遮光性導電層216b。遮光性導電層216b係抑制、防止 起因於來自開口部…附近之光漏茂之對比率降低。再者於 此，由於未設置包覆形成於反射電極8之開口部15b之遮光 性導電層，因此除了凹的形狀效果，於電壓施加時亦產生 斜向電場，規定液晶分子傾斜之方向。因此，相較於設置 遮光性導電層之情況，使軸對稱配向之中心軸固定、安定 之效果高。再者，雖在開口部15b附近產生光漏浪，但於反 射區域，由於比透過區域對於對比率之影響少，因此可能 有省略遮光性導電層，獲得更強配向限制力較有利之情 况。當然，於重視對比率之情況，以包覆開口部i5b之方式 設置遮光性導電層亦可。 99670.doc •32- 1322291 面板50係於透明基板（主動矩陣型基板）丨與透明基板（對向 基板）17之間’具有垂直配向型液晶層2〇。作為液晶面板 50 ’在此係使用與圖2所示之液晶顯示裝置2〇〇相同構成。 以下簡單地說明圖7所示之液晶顯示裝置之顯示動作。 關於反射模式顯示，來自上側之入射光通過偏光板43， 成為直線偏光。此直線偏光若入射於使偏光板43之透過軸 及1/4波片44之滯後相轴所構成之角成為45。而配置之1/4 波片44，將成為圓偏光，透過形成於基板〗7上之彩色濾光 片層（不圖示）。再者’使用對於從法線方向所入射之光， 不賦予相位差之相位差板45。 於電壓無施加時’由於液晶層20中之液晶分子係對於基 板面大致垂直配向，因此入射光係以相位差大致為〇而透 過，並藉由形成於下侧基板1之反射電極所反射。反射之圓 偏光再度通過液晶層20中’並通過彩色濾光片層，再度以 圓偏光通過負光學各向異性之相位差板45，經過1/4波片 44,轉換成與最初入射並透過偏光板43時之偏光方向正交 之偏光方向之直線偏光’並到達偏光43，因此光無法透過 偏光板43，成為黑顯示。 另一方面，於電壓施加時，由於液晶層2〇中之液晶分子 係從垂直於基板面之方向往水平方向傾斜，因次入射之圓 偏光係由於液晶層20之複折射而成為橢圓偏光，由形成於 下側基板1之反射電極反射。由於在液晶層2〇,反射之光之 偏光狀態進一步變化，再度通過液晶層2〇中，並通過彩色 濾光片層，再度通過負光學各向異性之相位差板45，作為 99670.doc • 36 - 1322291 橢圓偏光入射於1/4波片44，因此到達偏光板43時，不會成 為與入射時之偏光方向正交之直線偏光，並透過偏光板 43 »總言之，調節施加電壓，控制液晶分子之傾斜程度， 調制可透過偏光板43之反射光量，實現階度顯示。 •又’關於透過模式，上下2片偏光板43及偏光板40分別以 其透過軸正交之方式配置’從光源出射之光係於偏光板4〇 成為直線偏光’此直線偏光若入射於使偏光板之透過轴 I 與1/4波片41之滞後相轴所構成之角成為45。而配置之ι/4 波片4 1 ’將成為圓偏光，經過負光學各向異性之相位差板 42而入射於下側基板1之透過區域a。再者，在此使用對於 從法線方向所入射之光’不賦予相位差之相位差板42。 於電壓無施加時，由於液晶層20中之液晶分子係對於基 板面大致垂直配向，因此入射光係以相位差大致為〇而透 過，以圓偏光狀態入射於下側基板丨，並以圓偏光狀態經過 液晶層20及上側基板17，透過上側之負光學各向異性之相 φ 位差板45，並到達1/4波片44。在此，使下側之1/4波片41 與上側之1 /4波片44之滞後相軸互相正交而配置，以便以上 ί側之1/4波片44取消透過來之偏光在下側之1/4波片41所產 生之相位差，回復到原先之直線偏光。透過上側之丨/4波片 44之偏光係成為與偏光板4〇之透過軸（偏光軸）平行之直線 偏光，以透過軸與偏光板40正交之偏光板43吸收，成為黑 顯示。 另一方面，於電壓施加時，由於液晶層2〇中之液晶分子 21係從垂直於基板面之方向往水平方向傾斜，因次入射之 99670.doc •37- 圓偏光係由於液晶層20之複折射而成為橢圓偏光，作為橢 圓偏光通過上側之CF基板17或上側之負光學各向異性之 相位差板45及1/4波片44而到達偏光板43,因此不會成為與 入射時之偏光成分正交之直線偏光，光經由偏光板43而透 過。總言之，調節施加電壓，控制液晶分子之傾斜程度， 調制可透過偏光板43之反射光量，實現階度顯示。 負光學各向異性之相位差板將變化液晶分子為垂直配向 狀態之視角時之相位差之變化量抑制在最小，抑制從廣視 角側觀察時之浮黑。又，用以取代負相位差板及1/4波片之 組合，亦可使用使負光學各向異性之相位差板及j /4波片一 體化之雙軸性相位差板。 如本發明以軸對稱配向區，在電壓無施加時進行黑顯 示，在電壓施加時進行成為白顯示之常暗模式時，藉由在 液晶顯示裝置（面板）上下設置丨對1/4波片，可消除起因於偏 光板之消光花紋，亦可改善明亮度β χ，將上下偏光板之 透過軸互相正交配置，以軸對稱配向區進行常暗模式時， 原理上可實現與正交偏光地配置之丨對偏光板相同程度之 黑顯示，因此可實現極高之對比率，同時可達成由全方位 配向所造成之廣視角特性。 又，關於本發明所規定之透過區域之液晶層厚七與反射 區域之液晶層厚dr之關係’如圖8所示之透過區域與反射區 域之電麼·反射率（透過率）之液晶厚之依存性，宜符合〇灿 <dr<〇.7dt之條件，更好符合〇4dt<dr<〇摘之範圍。在 比下限值低之反射區域之液晶層厚，成為最大反射率之5〇 99670.doc -38- 1322291 %以下’無法獲得充分之反射率。另一方面，反射區域之 液晶層厚dr比上限值大時，於電壓反射率特性，在與透過 顯示時不同之驅動電壓存在反射率最大之極大值，同時於 透過顯示之最佳白顯示電壓’相對反射率傾向大幅降低， 成為最大反射率之50%以下，因此無法獲得反射率。然而， 於反射區域B，液晶層之光路長為透過區域之2倍因此採 取與透過區域A相同設計時，液晶材料之光學複折射各向 異性（△ η)與面板之胞厚設計變得極重要。 於以下例示本發明之實施型態之半透過型液晶顯示裝置 之具體特性。 在此，製作具有圖7所示之構成之液晶顯示裝置。液晶胞 50係採用與圖2所示之液晶顯示裝置2〇〇相同構成之液晶 胞。其中，透明介電體層234使用不具有光散亂能者，於反 射電極211b之下層部，形成在表面已施加凹凸狀連續形狀 之樹脂層’調整反射顯示時之擴散反射特性。 於本實施例’作為液晶層之配向限制構造，於透過區域 與反射區域之邊界部附近設置1對缺口部，進行利用電場歪 曲之液晶分子之電場配向控制。又，於像素區域内之液晶 區域之大致中央部施加電極開口部，謀求軸對稱配向之中 心軸位置之固定及安定。並且，於像素區域外之遮光區域， 形成可從像素周邊限制液晶分子傾斜方向之構造物之壁構 造趙。再者，於本發明之第一局面，於〗對缺口部附近及包 覆像素之液晶區域之大致中央部之開口部之區域，以同一 真空成膜工序’將與反射部之反射電極膜相同之A1膜成 99670.doc -39· =次經過特定光微影工序，進行圖案化。藉此，可防 :在缺口部附近之像素電極膜剝離所造成之顯示缺陷，同 ’關於黑顯不時’像素中央部之開口部階差附近之配向紊 L所造成之對㈣低’亦可藉㈣用金料電膜之遮光效 果抑制。 於本貫施例之液晶顯示裝置，以f知之方法形成垂直配 向膜，且未進行摩擦處裡。作為液晶材料，使用負介電率 各向異性之液晶材料; 〇」、△ ε ; _4 5)。在此，透過 區域之液明層厚dt設為4 μηι，反射區域之液晶層厚dr設為 2.2 μιη((ΐΓ= 〇.55dt)。 本實施例之液晶顯示裝置之構成係從上依序為偏光板 (觀察側）、1/4波片（相位差板、負光學各向異性之相位差 板（相位差板2(NR板））、液晶層（上側；彩色濾光片基板、 下側，主動矩陣型基板）；負光學各向異性之相位差板（相 位差板3(NR板））、〗/4波片（相位差板4)、偏光板（背光側）之 疊層構造。再者’於液晶層上下之1/4波片（相位差板1及相 位差板4) ’使互相之滞後相轴正交，各個之相位差設為丨4〇 nm °負光學各向異性之相位差板（相位差板2及相位差板3) 係各個之相位差設為13 5 nm。又’於2片偏光板（觀察側、 背光側），使透過軸正交而配置。 於液晶顯示裝置施加驅動信號（於液晶層施加4V)，並評 估顯示特性》於液晶顯示裝置之全面亮燈之檢查，未確認 到伴隨像素之顯示缺陷之黑點等。 於圖9表示透過顯示之視角·對比之特性結果。在透過顯 99670.doc -40- 1322291 不之視角特性大致在全方位顯示出對稱特性，CR〉丨〇之區 域為±80°，良好；透過對比率在正面亦高達33〇 : 1以上。 另一方面’反射顯示之特性係以分光測色計 (MINOLTA(美能達）公司製(：]^2〇〇2)評估，以標準擴散板作 為基準，約為8.7% (開口率ι00%換算值），反射顯示之對比 率值為2 3，相較於以往之液晶顯示裝置，顯示出高對比率， 良好。 又’作為比較例，製作有形成與上述實施例相同之開口 部、缺口部及壁構造體，但未設置遮光性導電層之液晶顯 示裝置。若進行此液晶顯示裝置之全面亮燈，確認到起因 於像素電極（透明電極）剝離之黑點（顯示缺陷卜並且，若根 據顯微鏡觀察，於黑顯示狀態（電場無施加時），在對應於 開口部之凹部（階差部）附近觀察到光漏洩，並確認到起因 於此光漏洩之對比率降低。於此比較例，4 v電壓施加時之 透過顯示之對比率之值在正面為280 : !，比上述實施例之 情況稍低。 再者’於上述實施型態係例示形成有軸對稱配向之液晶 區之垂直配向型液晶顯示裝置，但亦可適用kMVA型液晶 顯示裝置。 [具備透明介電體層之半透過型液晶顯示裝置] 如上述，於半透過型液晶顯示裝置，透過區域之液晶層 厚度dt及反射區域内之前述液晶層厚度dr宜設定符人〇 3^ <dr<〇.7dt之關係。為了設定液晶層厚度，若採用於對向 基板（典型上為彩色遽光片基板）之液晶層側設有透明介電 99670.doc 1322291 體層（厚度為dt-dr)之構成，則無須於反射電極下使用絕緣 膜等以設置階差，因此獲得可簡化主動矩陣型基板2丨〇a之 製造等優點。 然而’由於藉由透明介電體層所形成之階差，像素内之 •液晶分子之配向紊亂’難以進行透過區域及反射區域分別 之轴對稱配向之形成，或轴對稱配向之中心位置之控制， 產生光漏洩、視角依存性、偏差感等顯示上之問題。 φ 於以下，說明本發明之第二局面之實施型態，其係可於 半透過型液晶顯示裝置，抑制起因於形成在液晶面板内之 階差之液晶配向之紊亂，使液晶分子充分安定，防止顯示 故障發生者。再者，本發明之第二局面之液晶顯示裝置適 合與上述第一局面之半透過型彩色濾光片層組合。 參考圖10及圖11，說明本發明之第二局面之實施型態之 半透過型液晶顯示裝置300之構成。 圖1 〇係模式性地表示本發明之第二局面之實施型態之半 • 透過型液晶顯示裝置300之1個像素之構成圖；（a)為平面 圖’（b)為沿著圖10(叻中之1〇Β·1〇Β，線之剖面圖。圖u為圖 10(b)之反射區域與透過區域之邊界部之放大圖。半透過型 液晶顯示裝置300與圖2所示之半透過型液晶顯示裝置2〇〇 之不同在於，透明介電體層3 34對於缺口部3 之配置係如 以下最佳化之點。又，半透過型液晶顯示裝置3〇〇未具有半 透過型液晶顯示裝置2〇〇之壁構造體21 5、開口部214及遮光 t導電膜216’但如上述，宜設置此等。又在此省略半透 匕5L液日日顯不裝置3〇〇及半透過型液晶顯示裝置之共同 99670.doc •42- 1322291 構成要素之說明之詳細。 半透過型液晶顯示裝置300具有：透明基板310a;與透明 基板31〇a對向設置之透明基板31〇b ;及設於透明基板31〇& 與3 10b之間之垂直配向型液晶層32〇。 液晶顯示裝置3 〇〇具有形成於透明基板31〇a上之像素電 極311及形成於透明基板31〇b上之對向電極mi ;像素電極 3 11與設在其與對向電極33丨之間之液晶層32〇係規定像 素。於透明電極310a上，形成TFT等電路要素。 又’典型上，於透明基板310b之液晶層320侧形成有：對 應於像素而設置之彩色濾光片33〇及設於鄰接彩色濾光片 3 3 0之間之黑矩陣（遮光層）3 3 2 ;進而形成有用以調整液晶 層厚度之透明介電體層334，於此等上形成對向電極331。 像素電極3 11具有：由透明導電層（例如：IT〇層）所形成 之透明電極311a ;及由金屬層（例如：八丨層、含有八丨之合金 層及包含此等之任一之疊層膜）所形成之反射電極3nb。其 結果’像素具有由透明電極3 11 a所規定之透過區域a及由 反射電極3 1 lb所規定之反射區域B。透過區域a係以透過模 式進行顯示，反射區域B係以反射模式進行顯示。 於透過模式之顯示，用於顯示之光僅丨次通過液晶層 320，相對地，於反射模式之顯示，用於顯示之光係2次通 過液晶層320。因此，如於圖1〇(b)模式性地表示，宜將透 過區域A之液晶層320之厚度射設定在反射區域B之液晶層 320之厚度dr之約2倍。藉由如此地設定，可使液晶層32〇 對於兩顯示模式之光所賦予之延遲大致相等。心=〇 5^最 99670.doc •43· 1322291 佳，但只要在0_3dt< dr< 〇 7以之範圍内，可於雙方之顯示 模式貫現良好顯示。 像素分割數（=N)為3(透過區域為2分割，反射區域為1分 割）之圖ίο所示之液晶顯示裝置300,於像素電極311之特定 位置具有4個缺口部313。此4個缺口部313之2個缺口部313a 係設於透明電極311a及反射電極311b之間。在此所例示之 構成’於鄰接於反射電極3iib之透明電極311a之部分，設 置缺口部313a。4個缺口部313中之其他2個缺口部313b係設 置於形成在透明電極311a之透過區域A之2個轴對稱配向 區之邊界附近（將透明電極311a在長度方向約2分割之位 置）。於形成有此等4個（2對）缺口部313之像素電極3 u之周 邊’形成斜向電場，藉其而在像素内形成3個轴對稱配向區。 在此’於對向基板310b之液晶層320側之表面，藉由設於 反射區域B之透明介電體層334而形成階差，以形成於透過 區域A與反射區域b之邊界附近之此階差附近（透明介電體 層334之端面附近）之液晶分子之配向，與形成於缺口部 313a附近之斜向電場所造成之液晶分子之配向整合之方 式’設定缺口部313a與透明介電體層334之配置關係。 參考圖11詳細說明此。 透明介電體層334係為了設定反射區域B之液晶層320之 厚度dr所設置，至少存在於與反射電極31 lb對向之區域， 一般係考慮斜向行進之光，形成稍大於反射電極311b。因 此’位於透過區域A與反射區域B之邊界附近之透明介電體 層334之端面（圖η中之輔助線el)係位於比反射電極311b 99670.doc • 44- 1322291 接近透明電極311a側。 於此情況，若透明介電體層334之端面（EL)位於比缺口部 313a之寬度W之中心（圖u中之輔助線CL)接近透明電極 311 a側，形成於反射區域B之液晶區與形成於透過區域A之 液晶區之邊界附近之液晶分子之配向會紊亂，形成於透過 區域及反射區域之軸對稱配向容易不安定。 於下述表1表示實驗例。

表1中之dL係從透明介電體層334之端面（EL)到缺口部 313a之寬度W之中心（CL)之距離，端面（EL)比中心（CL)位 於反射電極31 lb側（於圖u為右侧）時，設為「正」。 再者’在此作為液晶材料，使用負介電率各向異性之液 晶材料（△ η ; 0.1、△ ε ; _4 5)。又，透過區域之液晶層厚 度dt為4 μιη ’反射區域之液晶層厚度心為2 2 μιη(άΓ；= 0.55dt)。像素電極之短邊方向之長度（寬度）為5〇μιη，長邊

方向之長度為160 μηι，缺口部之深度（像素電極之短邊方向） 為 20 μιη 〇 表1中之〇係表示於透過區域Α形成2個，於反射區域Be 成1個，合計3個轴對稱配向區。χ表示未安定地形成前述3 個軸對稱配向。

99670.doc •45· 1322291 8 - - X X X X 〇 〇 〇 〇 〇 10 - X X X X X 〇 〇 〇 〇 〇 〇 12 X X X X X X 〇 () υ 〇 〇 Ο Ο 從表1之結果可知，為了安定地形成轴對稱配向，透明介 電體層334之端面（EL)宜一致於缺口部313a之寬度別之中 心（CL)(dL=0)或比中心（CL)位於反射電極3nbe此時之缺 口部之寬度W為7 μιη以上。 其次，說明檢討缺口部之寬度買對於液晶分子配向所給 予之影響之結果。 圖12(a)〜(f)係模式性地表示對於液晶層施加白電壓（在 此為4V)之後，經過200 m秒後之液晶分子（圖中之線分）Lc 及形成於液晶層内之電場之等電位線EQ之圖，其係根據模 擬。液晶層之厚度為4 μπι，液晶材料之折射率各向異性Δη 為0.1 ’介電率各向異性△ 6為_4·5。又，雖例示在對向電極 之液晶層侧’以30 μπι間隔設置壁（壁構造體或凸部）之構 成’但可忽視對於缺口部作用之影響。 圖l2(a)表示未設置缺口部之情況，圖i2(b)表示缺口部之 寬度W為3 μπι之情況’圖12(c)表示寬度w為6 μπι之情況， 圖12(d)表示寬度w為9 μπι之情況，圖12(e)表示寬度w為12 μηι之情況’圖12(f)表示寬度w為15 μιη之情況。從圖12可 知，若增大缺口部之寬度W，等電位線£()將被引入缺口 ，伴隨於其，在缺口部，液晶分子之配向方向會接近垂 直。 在此，考察從表1之結果所獲得之「缺口部之寬度1為7 Pm」之意義。 99670.doc • 46 - 用於在表1顯示結果之實驗之液晶顯示裝置係具有圖i 3 所示之電壓-透過率特性（V-T曲線），其液晶層之臨限值電 壓為1.6V。再者，臨限值電壓定義為飽和時之透過率設為 100%時之透過率成為3%之電壓值。 圖14係表示以計算求出缺口部之寬度賈與缺口部之中心 (W/2之位置）之電位之關係之結果之曲線圖。從圖14可知， 隨著缺口部之寬度W變大，缺口部之中心電位降低，成為 約7 μιη ’臨限值電壓為1.6V。 亦即，缺口部若具有比其中心之電位與臨限值電壓大致 相4之寬度w大之寬度w的話，藉由使透明介電體層334之 端面（EL)與缺口部313a之寬度W之中心（CL)一致（dL = 〇)或 比中心（CL)位於反射電極3丨lb側而構成，可安定地形成軸 對稱配向區。 如此’缺口部之寬度W宜為7 μιη以上，但為了抑制開口 率降低，缺口部之寬度贾宜小，考慮到製程之邊限，亦宜 以缺口部之寬度w成為7 μιη以上之方式設定最小中心值。 藉由上述構成，參考圖15(幻及（b)，說明安定地形成軸對 稱配向區之理由。 圖1 5(a)係模式性地表示形成於本實施型態之液晶顯示 裝置之缺口部313a附近之液晶層之電場之等電位線eq及 液晶分子LC之配向狀態之圖；（b)為形成於未設置缺口部之 液晶層之電場之等電位線EQ及液晶分子LC之配向狀態之 圖。對向電極（不圖示）係包覆透明介電體層而形成於全 體。兩者均為在電極間施加白電壓（在此為4 V)時之配向模 99670.doc •47· 1322291 擬之結果。 如圖15(a)所示，在透明介電體層334之端面與反射電極 + 3 lib之端部（透明電極31 ia側之端部）一致（亦即dL=w/2) 而配置之構成’透明介電體層334之透過區域側之側面附近 之液晶分子之配向方向與藉由缺口部313a所產生之斜向電 場所造成之液晶分子之配向方向係整合。其結果，於反射 區域及透過區域安定地形成軸對稱配向。 相對於此，在未設置缺口部之構成，從圖l5(b)可知，透 明介電體層之側面附近之液晶分子之配向方向及像素電極 附近之液晶分子之配向方向係對立，因此未安定地形成轴 對稱配向》 如圖15(a)所示’為了使缺口部313a所產生之斜向電場（配 向限制力）所造成之液晶分子之配向’不受到形成於透明介 電體層334之階差所紊亂，如參考表1所說明，宜使透明介 電體層334之端面（EL)與缺口部313a之寬度W之中心（CL) 一致（dL= 0)或比中心（CL)位於反射電極311b側而構成。 又，此時，於施加白電壓時，缺口部313a之寬度宜使其中 心之電位成為液晶層之臨限值電壓以下而設定。再者，此 關係在0.3dt< dr< 0.7dt之範圍大致成立。 【產業上之利用可能性】 如上述’本發明之液晶顯示裝置能以較簡單之構成實現 顯示品質優異之液晶顯示裝置。本發明適於適用在透過型 液晶顯示裝置及半透過型（透過•反射兩用）液晶顯示裝 置。半透過型液晶顯示裝置特別適於利用在行動電話等可 99670.doc •48 ‘ 攜式機器之顯示裝置。 【圖式簡單說明】 圖1係模式性地表示本發明之第一局面之實施型態之透 k型液晶顯示裝置100之1個像素之構成之圖；⑷為平面 圖’（b)為圖1⑷中之沿著1Β·1Β，線之剖面圖。 圖2係模式性地表示本發明之第一局面之實施型態之半 透過型液晶顯示裝置之1個像素之構成之圖；⑷為平面 圖，（b)為圖2(a)中之沿著2Β·2Β，線之刮面圖。 圖3係說明半透過型液晶顯示裝置200之主動矩陣型基板 2 1 0a之平面圖。 圖4係說明半透過型液晶顯示裝置2〇〇之主動矩陣型基板 2 10a之剖面圖。 圖5係說明本發明之實施型態之液晶顯示裝置之動作原 理之概略圖；（a)表示電壓無施加時，（b)表示電壓施加時。 圖6係說明本發明之實施型態之液晶顯示裝置之動作原 理之其他概略圖；（a)表示具有包覆開口部之遮光性導電層 之構成，（b)表示開口部之下層之絕緣層進一步具有凹部之 構成。 圖7係表示本發明之實施型態之液晶顯示裝置之構成一 例之模式圖。 圖8係表示本發明之實施型態之液晶顯示裝置之透過區 域及反射區域之電壓-反射率（透過率）之液晶層厚度依存 性之曲線圖。 圖9係表示本發明之實施型態之液晶顯示裝置之視角-對 99670.doc •49· 比率特性圖。 圖10係模式性地表示本發明之第二局面之實施型態之半 透過型液晶顯示裝置300之1個像素之構成圖；⑷為平面 圖（b)為著圖1〇(a)中之10B-10B·線之剖面圖。 圖11為圖lG(b)之反射區域與透過區域之邊界部之放大 圖。 圖12(a)〜(f)係模式性地表示對於液晶層施加白電壓之 後A過200m秒後之液晶分子Lc及形成於液晶層内之電場 之等電位線EQ之圖；⑽未設置缺口部之情況，（b)為缺 口口P之寬度W為3 μηι ’⑷為缺口部之寬度㈣6㈣⑷ 為缺口部之寬度W為9 μηι，⑷為缺口部之寬度㈣12㈣， (f)為缺口部之寬度霤為15 μπι之情況。 圖13係表示液晶顯示裝置之電壓·透過率特性之曲線圖。 圖14係表示以計算求出缺口部之寬度職缺口部之中心 (W/2之位置）之電位之關係之結果之曲線圖。 圖15⑷係模式性地表禾形成於本實施型態之液晶顯示 裝置之缺口部313a附近之液晶層之電場之等電位線£〇及 液晶分子LC之配向狀態之圖；（b)係模式性地表示形成於未 設置缺口部時之液晶層之電場之等電位線EQ及液晶分子 LC之配向狀態之圖。 【主要元件符號說明】 1 TFT(主動矩陣型）基板 2 閘極信號線 3 源極信號線 99670.doc •50· 1322291 4 TFT 5 汲極電極 6 像素電極 7 透明電極 8 反射電極 9 閘極絕緣膜 10 閘極電極 11 源極•汲極電極（n+-Si層） 12 半導體層 13 通道保護層 14 開口構造 15 開口部 16 絕緣膜 16a 絕緣膜之凹部 17 透明基板（對向（CF)基板） 18 彩色濾光片層 19 對向電極 20 液晶層 21 液晶分子 22、32 配向膜 50 液晶面板 40 ' 43 偏光板 41、44 1/4波片 42 ' 45 負光學各向異性之相位差 99670.doc •51 - 1322291 100 透過型液晶顯示裝置 110a 主動矩陣型基板 110b 對向基板（彩色濾光片基板） 111 像素電極 113 缺口部 114 開口部 115 壁構造體 116 遮光性導電層（金屬導電膜） 130 彩色濾光片層 131 對向電極 133 支撐體 200 半透過型液晶顯示裝置 210a 主動矩陣型基板 210b 對向基板（彩色濾光片基板） 211 像素電極 213 缺口部 214 開口部 215 壁構造體 216 遮光性導電層（金屬導電膜） 230 彩色濾光片層 23 1 對向電極 232 透明介電體層（反射部階差） 233 支撐體 99670.doc -52.

Claims (1)

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•第094104946號專利申請素 • 中文_請專利範圍替換本(95年8月） 十、申請專利範@·· 1. -種液晶顯示裝置，其係具有：第—基板、以對向於前 述第一基板之方式所設置之第二基板及設置於前述第一 基板與前述第二基板之間之垂直配向型液晶層； 具借複數像素，其係分別包含形成於前述第一基板上 之第一電極、形成於前述第二基板上之第二電極及設置 於刖述第-電極與前述第二電極之間之前述液晶層者； 前述第一電極具有形成於像素内特定位置之至少 開口部或缺口部； 具有至少1個遮光性導電層，其係設置於前述至少“固 開口部或缺口部之至少附近，電性連接於前述第—電極 者，該至少1個遮光性導電層係包含包覆前述至少丨個開 口部或缺口部之至少一部分之遮光性導電層； 於前述複數像素之各個，在前述液晶層至少施加特定 電壓時，形成液晶分子傾斜方位互異之複數區域。 2. 如請求項丨之液晶顯示裝置，其中於前述複數像素之各 個’在前述液晶層至少施加特定電壓日寺，形成呈現轴對 稱配向之至少1個液晶區。 3. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中前述至個開口部或 缺口部係包含以互相對向之方式形成之2個缺口部；前述 至少1個遮光性導電層係包含第一遮光性導電層，其係2 包覆包含前述2個缺口部之對向2邊之區域之方式形成 者。 4.如請求項丨之液晶顯示裝置，其中前述至少丨個開口部或 99o70-950831.doc 5. 缺口部係包含至少2個開口冑；前述至少i個遮光性導電 層係包含至少2個第二遮光性導電層，其係包覆前述至少 2個開口部之各個者。 如π求項4之液晶顯示裝置，其中前述液晶層係於至少施 加特=電壓時，形成分別呈現軸對稱配向之至少2個液晶 區^述至少2個液晶區之各轴對稱配向之中心軸係形成 於則述至少2個開口部内或其附近。 6. 如請求項1之液晶顯示裝置 金屬膜形成。 其中前述遮光性導電層係由

8. 如=求項6之液晶顯示裝置，其中前述金屬膜係、含有選自 包：Al、Ag、Ti、Ta、M〇aw之群之至少i種金屬元素。 如晴求項1之液晶顯示裝置，其中於前述複數像素之間隙 具有遮光區域’於前述遮光區域之前述第—基板上之前 述液晶層側具有規則排列之壁構造體。 9. 如凊求項1之液晶顯示裝置’其中前述第二電極係具有形 成於像素内特定位置之至少i個另外的開口部； 小在於前述液晶層至少施加特定電壓時所形成之前述至 二1個液晶區之軸對稱配向之中心轴係形成於前述至少 一個另外的開口部内或其附近。 10. 如請求項9之液晶顯示裝置，其中具有至Μ個另外的遮 光性導電層，其係包覆前述至少1個另外的開口部，電性 連接於前述第二電極者。 11. ::月求項1之液晶顯示裝置，其中前述第一電極係包含規 疋透過區域之透明電極及規^反射區域之反射電極；前 99670-950831.doc 1322291 述透過區域内之前述液晶層之厚度dt及前述反射區域内 之前述液晶層之厚度dr滿足〇 Jcit< dr< 0.7dt之關係。 12. 如請求項丨之液晶顯示裝置，其中前述第一電極係包含規 定透過區域之透明電極及規定反射區域之反射電極；前 述至少1個液晶區係包含形成於前述透過區域之液晶 區，前述至少1個開口部或缺口部係包含：對應於形成在 前述透過區域之前述液晶區之中心軸之開口部及以前述 開口部為中心而配置成點對稱之複數缺口部。 13. 如請求項丨丨或^之液晶顯示裝置，其中前述反射電極及 前述至少1個遮光性導電層係由相同金屬膜所形成。 14. 如明求項丨丨或12之液晶顯示裝置，其中於前述第二基板 之別述反射區域選擇性地設置透明介電體層。 15. 如請求項13之液晶顯示裝置，其中於前述第二基板之前 述反射區域選擇性地設置透明介電體層。 16. 如請求们之液晶顯示裝置，其中具有旧偏光板，其係 以經由前述第一基板及前述第二基板而互相對向之方式 配置者，並於前述第一基板及/或前述第二基板與前述丄 對偏光板之間，進一步具有至少Hg]雙軸性光學各向異性 •-未項1之液晶顯示裝置，其中進一步具有【對偏光 ’其係以經由前㈣—基板及前述k基板而互相對 血3式配置者；並於前述第一基板及/或前述第二基板 各」1對偏光板之間’進一步具有至少1個單軸性光學 各向異性媒體層。 99670-950831.doc 18.:種：晶顯示裝置，其係具有：第一基板、以對向於前 述第基板之方式所設置之第二基板及設置於前述第一 基板與則述第二基板之間之垂直配向型液晶層； 具備複數像素，其係分別包含形成於前述第一基板上 電極形成於前述第二基板上之第二電極及設置 於月J述第f極與前述第二電極之間之前述液晶層者； 第一電極具有：規定透過區域之透明電極及規定反射 區域之反射電極；及形成於前述透明電極與前述反射電 極之間之缺口部； 第二基板於前述反射區域進一步具有透明介電體層； 刖述透過區域内之前述液晶層之厚度心及前述反射區 域内之前述液晶層之厚度dr滿足〇 3dt <扣< 〇 7dt之關 係； 中 月J述透明；丨電體層具有位於前述缺口部之寬度方向之 心或比前述中心位於反射電極側之端面； 在於前述液晶層至少施加特定電壓時，液晶層於前述 透過區域及前述反射區域之各個，形成呈現轴對稱配向 之至少1個液晶區。 19. 白 之 如請求項18之液晶顯示裝置，其中於前述液晶層施加 電歷時，前述缺口部之前述中心之電位比前述液晶層 臨限電壓低。 99670-950831.doc