TWI321801B - Triode field emission pixel tube - Google Patents

Description

^21801 '九、發明說明： "【發明所屬之技術領域】 本發明涉及一種場發射元件，尤其涉及一種三極型場 發射像素管。 【先前技術】 場發射電子源以及利用該電子源發出的電子轟擊螢光 物質而發光之場發射發光技術已經在場發射平面顯示器領 _域中得到應用。這種場發射技術是於真空環境下，利用外 加電場作用將電子源尖端之電子激發出來。在傳統場發射 電子源中，一般採用微細錮金屬尖端、矽尖端作爲電子發 射端，隨著奈米技術之發展，最近還採用奈米碳管作電 子發射端。 理論上，由於奈米碳管具有非常小之直徑，很大之長 徑比’因此於外電場作用下其具有很大的場增強因數。惟， 在實際應用中，例如平面型場發射顯示器中，夺米碳管平 面薄膜之整體宏觀場發射增強因數並未能達到單個奈米碳 管的數值，導致發射電壓較高，場發射電流密度小，發光 亮度較低。 ㈣於此’提供—種發射電流密度大，發光亮度高的 場發射元件實爲必要。 【發明内容】 以下將以實施例說明一種場發射元件。 一種三極型場發射像素管，其包括：—個中^殼體， 7

Claims (1)

1321801 十、申請專利範圍 日修正替換頁I . 種三極型場發射像素管，包括：-個中^殼體，一個螢 .光物質層，一個陽極層，一個陰極發射體及一個閘極體， 該殼體具有一個出光部，該營光物質層和陽極層依次 的内壁上，該陰極發射體設置在中空殼體内部 極發射的該閘極體位於令空殼體内並靠近陰 ^ ^又良在於，該陰極發射體包括一奈米磁 官線，該奈米石发管線作爲電 在…、 極發射體設置。 &射源相極體壞繞該陰 2. 如申請專利範圍第 其中，該型場發射像素管， 工成體内。卩疋真空密封的。 3. 如申請專利範圍第i 其中，該閘極二 所通之三極型場發射像素管， η亥閘極體疋一個令空柱體， 面及至少-個從頂面延 柱體具有一頂 閘極體内，且該十处柱广，，該陰極發射體位於 工柱體的底面具有一彻 正對於陰極發射體的奈米碳管線。 # ，該開口 4·如申凊專利範園第 其，，該間極二項極型場發射像素管， 5.如申請專利範圍第3項戶圓形或多邊形。 還進-步包括-個_:二=象素管， Τι體電連接，—過 6.如申請專利範圍第i項 其令，還進—步包括一個陽型場發射像素管， 4%極電極與所述 1321801 月27日修正替換·員 %極層電連接，且該陽極電 外部。 牙過所述殼體延伸至殼體 7.如申請專利範圍第i項所述之三 其中，還進-步包括一個陰極電極，节象素管’ 陰極發射體電連接，且該極电極與所述 殼體外部。# 極电極穿過所述殼體延伸至 8·如申請專利範圍第1項 其中’該陰極發射體進二步包括:素管’ 極支撐柱由金屬絲製成。 個陰極支撐柱，該陰 9. 如^請專Γ範圍第1項所述之三極型場發射像素〜 其中’ 5亥陽極層爲銘膜。 10. 如申請專利範圍第1馆％、+、 管，其令，進一牛Λ貝所述之三極型場發射像素 體内壁上。括吸乳劑層，該吸氣劑層形成於殼 11. 如申請專利笳囹筮Ί = 管，立中，項所述之三極型場發射像素 二 該奈米碳管線之長度為。」毫米至Η): 12其之三極型場發射像素管， s綠之直偟為1微米至1毫米。 15