[go: up one dir, main page]

TWI321269B - Lithographic apparatus and device manufacturing method - Google Patents

Lithographic apparatus and device manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
TWI321269B
TWI321269B TW094142605A TW94142605A TWI321269B TW I321269 B TWI321269 B TW I321269B TW 094142605 A TW094142605 A TW 094142605A TW 94142605 A TW94142605 A TW 94142605A TW I321269 B TWI321269 B TW I321269B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
liquid
supply system
substrate
liquid supply
sealing surface
Prior art date
Application number
TW094142605A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200627083A (en
Inventor
Hans Jansen
Patricius Aloysius Jacobus Tinnemans
Der Toorn Jan-Gerard Cornelis Van
Original Assignee
Asml Netherlands Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asml Netherlands Bv filed Critical Asml Netherlands Bv
Publication of TW200627083A publication Critical patent/TW200627083A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI321269B publication Critical patent/TWI321269B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70341Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

1321269 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影裝置及器件製造方法,詳言之為 一種在一投影系統與待曝光之基板之間含有液體的沉浸微 影裝置及一種相關沉浸器件製造方法。 【先前技術】
微影裝置係一種將一所要圖案施加至基板上,通常施加 至基板之一目標區上之機器。例如,微影裝置可用於製造 積體電路(1C)。在該種狀況下,可使用或者被稱為光罩或主 光罩之圖案化器件以產生待形成於IC之一個別層上的電路 圖案。可將此圖案轉印至基板(例如,矽晶圓)上之一目標區 上(例如,包括一或若干個晶粒之部分”圖案之轉印通常係 .,·生由成像至基板上所提供之一輻射敏感材料層(抗蝕劑)上 而進打的。大體而言’ 一單個基板將包含一連續地經圖案 化之相鄰目標區的網路。已知微影裝置包括:所謂之步進 機,其中藉由-次曝光一整個圖案至目標區上而照射每一 目標區;及所謂之掃描器’其中藉由在一給定方向(”掃描” 方向)上經由—轄射束掃描圖案的同時在平行或反平行於 方向上同步掃描基板而照射每一目標區。亦可能藉由壓 印圖案至基板上,而將該圖案自圖案化器件轉印至基板上。 =提出將微影投影裝置中之基板沉浸在具有相對高折 射率之液體(例如,走、φ 、 以便填滿投影系統之最终元件盘 基板之間的空間。立要點 /、要點在於,因為曝光輻射將在該液體 波長,所以致能更小特徵之成像。(亦可認為 106021.doc 该液體之作用為增加系統之有效NA且亦增加聚焦深度。) 已經提出了其他沉浸液體,包括具有固體微粒(例如, 懸浮其中之水。 ' 一然而’將基板或基板與基板台浸沒於液體浴中(舉例而 言’見美國專利案购,5〇9,852,該案之全文以引用方式併 入本文中)意謂著在-掃描曝光期間必須加速大量液體。其 需要額外或更有力之馬達且在液體巾之滿流可導致不良且 不可預知之效果。 所提出之解決方案中之__者為:液體供應系統僅在基板 之一限定區域上且在投影系統之最終元件與該基板(該基 板一般具有大於該投影系統之最終元件的表面面積)之間 提供液體。SPCT專利申請案WO 99/49504中揭示了 一種已 提議為此做出配置之方法’肖案之全文以引用方式併入本 文中。如圖2及圖3中所說明,液體係較佳沿基板相對於最 終兀件之移動方向藉由至少一入口 IN供應至基板上,且在 液體已在投影系統下方流過後藉由至少一出口 〇υτ移除。 意即,當以-X方向在該元件下掃描基板時,在該元件之+χ 側供應液體且在-X側去除液體。圖2示意性展示經由入口工Ν 供應液體且在元件之另一侧上藉由連接至一低壓力源的出 口 OUT而去除液體的配置。在圖2之說明中沿著基板相對 於最終元件之移動方向供應液體,但並非一定如此。圍繞 最終元件而定位之入口及出口之多種定向及數量係可能 的,在圖3中說明一實例,其中圍繞最終元件以一規則圖案 k供一入口與兩側上之出口的四個組合。 106021.doc 【發明内容】 在基板曝光之間’使用—待曝光之基板交換-結束曝光 之基板為在/儿次微影裝置中達成此,在液體供應系統及 ’儿/X液下方定位之基板可由密封表面替代。舉例而言,密 封表面致旎,使用另一基板交換一基板而不必移除與該基 板相鄰之液體。密封表面可允許在液體供應系統中之液流 不間斷地得以維持且保持投影系統之最終光學元件的表面 持續濕湖。雖然密封表面可用來使用一基板交換另一基 板,但疋其亦可用於其他應用中,諸如基板臺上之維護, …液體之基板的;^測等等,其中將液體與基板及/或基板台 分開係理想的。 在a施例中’密封表面可使用真空在液體供應系統之 -液體限制結構的底部表面上與該液體供應系統耦接。其 方法及其他諸如機械方法之可用於純密封表面之方法的 一潛在問題在於:當密封表面衝擊液體供應系統時,微粒 可自密封表面或液體供應系統中去除且進入液體中。此等 微粒可污染液體供應系統及液體,且可污染投影系統之最 終光學7L件及/或基板’及/或該等微粒可部分地阻擋光從而 導致印刷缺陷。在最終光學元件上、基板上及/或液體中之 污染(於該等位置上,污染物可進入曝光投影射束之路徑中) 可降低基板曝光之準確性。此外,基板上污染物的沉積可 在曝光製程之後之其他諸如蝕刻、沉積等的製程中導致問 題。 因此例如,具有可降低沉浸液體及該等鄰近或接觸液 106021.doc 1321269 體之表面中的任何或所有表面的污染風險的密封表面定位 系統將係有利的。 根據本發明之一態樣,提供一種微影裝置,其包含: 一投影系統,其經組態以將一圖案化輻射束投影至一由 一基板台所支撐之基板上; 一液體供應系統,其經組態以向該投影系統與該基板之 間的一空間供應液體;
密封表面,其經組態替代該基板為該液體供應系統所 供應之液體提供一限制表面;及 一密封表面定位器件,其經組態以在使用該密封表面限 制該液體供應系統所供應之液體時產生且 供應系統與該密封表面之間的間隙。 液體 根據本發明之一態樣,提供一種器件製造方法,其包含: 使用-液體供應系統向一微影投影裝置之一投影系統與 基板之間的空間供應液體;
‘一密封表面替代一 液體時,產生且維持一 間的間隙;及 基板限制該液體供應系統所供應之 在該液體供應系統與該密封表面之 虽使用該基板作為一用於咳 λα pp * 、液體供應糸統所供應之液體 的限制表面時,穿過該液體 板± 圖案化輻射束投影至該基 【實施方式】 之—實施例之微影裝置。該裝 圖1示思性描繪根據本發明 置包含: 106021.doc 1321269 照明系統(照明器)IL,其經組態以調節一輻射束叫例 如,UV輻射或DUV輻射)。 支樓結構(例如,光罩台)Μτ,其經建構以支禮一圖案 化器件(例如,光罩)MA且連接至一第一定位器心該第一 定位器PM經組態以根據某些參數準確定位該圖案化器件; 一基板台(例如’晶圓臺)WT,其經建構以固持一基板(例 如,塗有抗触劑之晶圓)W且連接至一第二定位器帽,該第 二定位器PW經組態以根據某些參數準確定位該基板;及 一投影系統(例如,折射式;J/t·旦厂承#么 啊耵式杈衫透鏡糸統)PL,其經組態 以藉由圖案化器件财而將—賦予輻射束B之圖案投影至基 板W的一目標區C(例如,包含一或多個晶粒)上。 照明系統可包括各種類型之光學組件,例如折射、反射' 磁性、電磁、靜電或其它類型之光學組件,或其任何組合, 以用於引導、成形或控制輻射。 支撐結構以-視該圖案化器件之U、微影裝置之設計 其他條件(例如該圖案化器件是否固持於-真空環境中) 式㈣圖案化11件。切結構可❹機械、真空、 技術來固持圖案化器件,結構可為框 爐可譃仅国安儿。。丄 了移動的。支撐結 構了確保圖案心件(例如)相對於投影系統而處於所要位 置上。可料本文中術語"主光罩"或·•光罩"之 概括之術語"圖案化器件”係同義的。 ·Μ史用興更 本文中所使用之術語”圖案化器件,,應廣 何可用以在該輻射束之椹哉 釋為心代任 束之^面上將1案賦予該輕射束以 106021.doc 便在基板之目標區上建立圖案的器件。應注意,舉例而一 若圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵,則賦予該°, 之圖案可不精確地對應於基板之目標區中的所要圖案。大 體而言,賦予該輻射束之圖案將對應於一在目標區中建立 之器件中的一特定功能層,例如積體電路。 圖案化器件可為透射性的或反射性的。圖案化器件之 例包括光罩、可程式規劃鏡面陣列及可程式規劃面 板。光罩在微影中係熟知的’且包括諸如二元、交替式相 移型及衰減式相移型之光罩種類,以及各種混合光罩類 型。可程式規劃鏡面陣列之實例使用一小鏡面矩陣配置, 每一小鏡面可個別傾斜,以便在不同方向上反射一入射輕 射束。該等傾斜之鏡面賦予圖案至鏡面矩陣所反射之 束中。 本文中所使用之術語”投影系統"可廣《地解釋為包含適 於所使用之曝純射或料諸如制沉浸液體或使用真空 之其它因素的任何類型的投影系統,包括折射、反射、折 反射、磁性、電磁及靜電光學系統,或其任何組合。本文 中術语"投影透鏡"之任何使用可被認為與更概括之術語 "投影系統"同義。 如本文所描述,裝置係透射型(例如,使用一透射性光 罩)。或者,該裝置可為反射型(例如,使用如上文所提及之 一類型之可程式規劃鏡面陣列,或使用一反射性光罩)。 微影裝置可為具有兩個(雙平臺)或兩個以上基板台(及/ 或兩個或兩個以上支撐結構)的類型。在該等,,多平臺”機器 106021.doc ^21269 /可並行使用額外之載台,或可在使用一或多個載台進 仃曝光時’在4多個其他載臺上進行預備步驟。 參見圖1 ’照明器IL自輻射源so接收輻射束。例如當該源 係準分子雷射器時,該源與微影裝置可為獨立實體β在該 等狀況下,不認為該源形成該微影裝置之-部分,且輻射 束係在-包含(例如)適當的導向鏡及/或一射束放大器之射 束傳送系統BD之幫助下,自該源⑽傳遞至照明器江。。在 "狀况下命J如,當該源係一采燈時,該源可為微影裝 置之一組成部分。若需要,則可將該源SO及照明器江連同 射束傳送系統BD稱為輻射系統。 。。照明器IL可包含—用來調整輻射束之角強度分佈的調整 斋AD。大體而言’至少可調整該照明器之一瞳孔平面中之 強度分佈之外部及或内部的徑向範圍(通常分別稱為〜外 部及σ-内部)。另外’照明器IL可包含各種其他組件,諸如 一積光IIIN及-聚光器c〇。照明器可用以調節輻射束以在 該輻射束之橫截面中具有所要均—性及強度分佈。 輻射束B入射至固持於支樓結構(例如,光罩台财)上之 圖案化器件(例如’光罩MA)上,且由該圖案化器件圖案化。 在橫穿圖案化器件MA後’輻射束PB穿過投影系統孔,該 投影系統PL將該射束聚焦至基板w之一目標區c上。在第二 定位器PW及位置感應器IF(例Η涉量測器件、線性編: 器或電容感應器)之幫助下,可準確移動基板台wt,例如 以便在輻射束PB之路經中定位不同目標區c。類似地,例 如在自-光罩庫以機械方式取得後或在—掃描期間,可使 106021.doc .12· 用第一定位器PM及另一定位感應器(其未在圖i中明確描繪) 以相對於輻射束PB之路徑的方式準確定位光罩ma。大體而 5,在形成第一定位器PM之一部分的一長衝程模組(粗定位) 及一短衝程模組(精定位)的幫助下,可實現支撐結構MT之 移動。類似地’可使用形成第二定位器PW之一部分的長衝 程模組及一短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進機 (相對於掃描器)之狀況下,支撐結構ΜΊΓ可僅連接至一短衝 程致動器上,或可為固定的。可使用光罩對準標kM1、M2 及基板對準標記P1、P2而對準光罩MA及基板w。儘管將基 板對準標記說明為佔據專用目標區,但是其可位於目標區 之間之空間中(此等已知為切割道對準標記)。類似地,在於 圖案化器件MA上提供多個晶粒之情形中,光罩對準標記可 位於晶粒之間。 可於下列模式中之至少一者中使用所描繪之裝置: 1.在步進模式中,當將賦予輻射束之整個圖案一次性投 影至一目標區C上時,使支撐結構Μτ及基板台|丁實質上保 持靜止(意即,單次靜態曝光)。然後在χ及/或丫方向上位移 基板台WT,使得可曝光不同目標區c。在步進模式中,曝 光%之最大尺寸限制單次靜態曝光中成像之目標區c的尺 寸。 2·在掃描模式中:在將賦予輻射束之圖案投影至一目標 區域C上時,同步掃描支撐結構肘丁及基板台撕丁(意即,單 人動匕、曝光)。可藉由投影系統p s之放大(縮小)及成像反轉 特性而決定基板台貨丁相對於支撐結構河丁之速度與方向。 I06021.doc •13· $掃=模式中,曝光場之最大尺寸限制在—單次動態曝光 牦區之寬度(在非掃描方向上),且掃描運動之長度決定 目標區之高度(在掃描方向上)。 。j在另模式中,基本上使支撐結構河丁保持靜止固持一 :程:規劃圖案化器件,且在將賦予輻射束之圖案投影至 木目‘區C上時,移動或掃描基板台WT。在此模式下,通 2用—脈衝輻射源’且在基板台WT之每次移動後,或在 ~私期間之連續輻射脈衝之間,視需要更新可程式規劃 圖案化器件。該運作模式可容易地應用於利用可程式規劃 圖案化益件(諸如,如上文所提及之—類型之可程式規劃鏡 面陣列類型)的無光罩微影技術中。 亦可使用上文所描述之使用模式的組合及/或變化,或完 全不同之使用模式。 Μ在圖4中圖不一另外之具有一限域液體供應系統的沉浸 微衫裝置。液體係藉由在投影系統pL之兩側上的兩個凹槽 入口1N而供應’且藉由複數個相對於人口 IN徑向向外之離 放出OUT而移除。可在中心有—孔(經由該孔投影投影射 束)的板中配置IN及0UT。液體係藉由投影系統凡之—侧上 之凹槽入口 IN供應’且藉由在投影系統凡之另一侧上之複 數個離散出口贿而料’從而在投影系統PL與基板狀 間導致一薄膜液流。對使用哪-個入口 IN與出口 0UT之組 合的選擇可視基板貿之移動方向而定(入口 m與出口 〇υτ之 其他組合無效)。 已提出之另|有—限域液體供應系統解決方案的沉浸 I06021.doc L\jy 微影解決方案係:向液體供庫 世應糸統楗供一液體限制結構, 該液體限制結構沿著招·爭& & + ! , 者投影系統之最終元件與基板台之間之 空間的一邊界的至少一部分 刀延评在圖5中展示如此之一系 統。液體限制結構大體上在χγ ” 社入γ十面上相對於投影系統 止’但在Ζ方向上(在光麵方Θ 1尤軸方向上)可有一些相對移動。在液 體限制結構與基板之表面之間形成—㈣。在—實施例 中,㈣係一諸如氣體密封之非接觸式密封。在美國專利 申請案第US贈05,783號中揭示了如此之一具有一氣體密 封之系,统,該案之全文以引用方式併入本文中。 Τ 5描繪儲集器10之配置,該儲集器10圍繞投影系統之影 像場對基板形成-無接觸式密封,從而限㈣體以使其填 充基板表面與投影系統之最終元件之間的空間。定位在投 影系統PL之最終元件之下方且圍繞該最終元件的液體限制 結構12形成該儲集器。將液體引入在投影系統之下方且在 液體限制結構12之内的空間中。液體限制構造邮投影系 統之最終元件的上方少許延伸,且液面高度上升至高於該 最終兀件,從而提供液體緩衝。液體限制構造12具有一内 部周邊,其於上端緊密適合投影系統或投影系統之最終元 件之形狀,且可為(例如)圓形。在底部,内部周邊緊密適合 影像%之形狀,例如,矩形,但矩形在此狀況中並非為必 需0 藉由在液體限制結構12之底部與基板冒之表面之間的氣 體密封16而將液體限制於儲集器中。氣體密封係藉由在壓 力下經由入口 15而提供至液體限制結構12與基板之間的間 106021.doc 15
U212W 隙且經由第—出口丨4而提取的氣體(例如空氣、合成空氣、 N2或惰性氣體)來形成。氣體入口 15上之過壓、出口 14上之 真空級及間隙之幾何形狀係經配置,使得存在一限制液體 之向内高速氣流。熟習本項技術者應瞭解,可使用其他類 型之密封(諸如僅使用出口來移除液體及/或氣體)來容納液 ja^ 體0 亦可使用氣體密封以產生在液體供應系統與密封表面或 φ 基板台之間的間隙。 圖5展示一液體供應系統之一液體限制結構12,其中基板 W疋位於〉儿浸液體丨丨之下方。例如,當此基板與接下來將 : 曝光之另一基板交換時,藉由圖6中所展示之一密封板替代 : 該基板W。該密封板2〇不需要具有板狀形狀而僅需要提供 一可限制液體之表面。因此,密封板2〇亦可被稱為一密封 結構或密封表面。 圖6展示液體限制結構12及密封板2〇之定向。使用經由如 • 圖5及圖6所示之出口 14而提供的低壓來促使密封板2〇抵靠 液體限制結構12。當藉由出口 14而促使密封板2〇抵靠液體 限制結構12時,可發生沉浸液體u之微粒污染,因為自密 封板20之表面及/或液體限制結構12中釋放微粒,此主要由 於密封板20之表面與液體限制結構12之接觸而引起。儘管 存在一定量之液流13,但其不會使靠近密封板2〇之表面的 液體11循環且不太可能在密封板到位時洗去微粒。 圖7展示距液體限制結構i 2 一定距離維持密封板2 〇。以此 方式’存在至少兩個優點:第-為不太可能自密封板2〇及/ 10602].doc * 16 - ^^1269 或液體限制結構12之表面釋放微粒;及第二為可藉由液體 循環特別經由出口 14而移除所釋放的且存在於沉浸液體u 中之任何微粒。 存在密封板^位器件,藉由該等器件可距液體供應系統 (例如,液體限制結構)一定距離而固持該密封板。該器件的 首選係液體限制結構之出口 14與入口 15,如圖5中所示,其 可用來維持出口 14之低壓與經由入口 15所提供之氣流之間 • 的平衡狀態。此平衡不僅可用來容納沉浸液體n,且亦可 用來使密封板"漂浮"在液體限制結構之正下方。 圖8展示藉由一夾持器22之使用而距液體限制結構12一 ' 定距離維持密封板2G。夾持器可為任何維持密封板12之位 : 置達理想持續時間(例如,基板交換之持續時間)的機械器 件。在圖8中,夾持器22在一端連接至密封板2〇且在另一端 連接至液體限制結構12。夾持器22之另一端可連接至除液 體限制結構12以外之其他結構,諸如基板台WT或微影裝置 • 之忙架。一替代可為一包含一或多個將密封板推離其在 (例如)基板台WT上之靜止位置之定位銷的定位銷系統,或 其他任何機械器件。 圖9展示本發明之一替代實施例。詳言之,密封板20係藉 由磁體24之使用而得以維持距液體限制結構12 一定距離。 等磁體可與上述低壓/氣流平衡結合使用,或者該等磁體 可與或多個其他磁體保持平衡。例如,具有異極之磁體 可/、彼此面對之具有同極之磁體保持平衡以導致密封板 2〇"漂洋"。在一實施例中,可在液體供應系統及基板台中 106021.doc 1321269 之每一者上提供一磁體以便於維持密封板2〇距液體限制結 構12—段距離。應瞭解,存在固持密封板距液體供應系 、’先疋距離的其他類似方法,諸如靜電法等等。 在歐洲專利申請案第〇3257〇72 3號中揭示了一種複式 或雙式平臺沉浸微影裝置之思想。如此之一種裝置具有兩 個載台以用於支撐一基板。使用在第一位置上之基板台進 行調平量測而不使用沉浸液,且使用在存在沉浸液之第二 φ 位置上之基板台進行曝光。或者,該裝置僅具有一載台。 儘管本文中可特定參考微影裝置在製造1(:中之使用,但 是應瞭解,本文中所描述之微影裝置可具有其他應用,諸 如製造積體光學系統、用於磁_記憶體之圖案引導及偵 ; 測’平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。熟習 此項技術者應瞭解,在該等替代性應用情形中,可認為本 文中術語"晶圓"或"晶粒"之任何使用分別與更概括之術語 π基板"或”目標區"係同義的。本文中所指之基板可在曝光之 φ 前或之後’利用(例如)一執跡(通常將一抗蝕劑塗層覆於基 板上且使經曝光之抗蝕劑顯影的工具)、度量工具及/或檢測 工具加以處理。若適合,則可將本文之揭示内容應用於該 等或其它基板處理工具。此外,可不止一次地處理基板(例 如)以便產生多層1C ’使得本文所使用之術語,,基板,,亦可指 已含有多個經處理的層的基板。 本文中所使用之術語"輻射,,及"射束”包含所有類型的電 磁輻射’包括紫外線(UV)輻射(例如,具有一波長為或大約 為 365、248、193、157或 126 nm)。 106021.doc •18· 叫 1269 術語”透鏡”在内容允許之處’可指代任何一光學組件或 各種光學組件之組合,包括折射及反射光學組件。 雖然已經在上文中描述了本發明之特定實施例,但是應 瞭解,本發明之實施方法亦可不同於所描述之實施方=‘。 例如,本發明可為含有一或多個描述如上文所揭示之方法 的機器可讀指令之序列之電腦程式的形式,或為具有如此 之電腦程式儲存於其中之資料儲存媒介(例如 體、磁碟或光碟)的形式。 11心 ▲本發明之—或多個實施例可適用於任何沉浸微影褒置, 諸如彼等上文所提及之類型’且無論以浸浴形式抑或僅在 基板之限域表面區域上提供沉浸液體均適合。液體供應系 統是任何供應液體至投影系統與基板及/或基板台之二 空間的機構。其可包含—或多個結構、—或多個液體入口、 一或多個氣體入口、一或多個氣體出口及/或-或多個液體 出口之組合’該組合提供液體至該空間且限制液體於該空 間。在-實施例令,可該空間之一表面限制為基板及/或基 板台之一部分,或該空間之一表面可完全覆蓋基板及/或基 板台之—表面’或該空間可包封該基板及/或基板台。 上文之描述意欲為說明性的,而非限制性的。因此,孰 習此項技術者將易瞭解’可如描述而對本發明做出修改而 不偏離在下文中所陳述之申請專利範圍之範,。 【圖式簡單說明】 圖1描繪根據本發明之—實施例之一微影裝置; 圖2及圖3描緣一用於-微影投影裝置中之液體供應系 106021.doc 1321269 統; 圖4描繪用於—微影投影裝置中之另一液體供應系統; 圖5描繪用於一微影投影裝置中之一另外液體供給系統; 圖6描繪一具有一密封板之液體供應系統之液體限制結 構; 圖7描繪具有根據本發明之一實施例之定位有密封板之 圖2中所描繪的液體供應系統之液體限制結構; 圖8描繪根據本發明之一實施例之圖7之液體限制結構及 密封板定向;及 圖9描繪根據本發明之另一實施例之圖7之液體限制結構 及ίϊΓ封板定向。 【主要元件符號說明】 10 儲集器 11 液體 12 液體限制結構 13 液流 14 出π 15 入口 16 氣體密封 20 密封板 22 夾持器 24 磁體 Β 輻射束 BD 射束傳送系統 106021.doc 1321269
co c IF IL IN Ml M2 MA MT 聚光器 目標區 位置感應器 照明系統/照明器 積光器/入口 光罩對準標記 光罩對準標記 光罩 支撐結構 OUT 出口
P1 P2 PL PM PS PW SO 基板對準標記 基板對準標記 投影系統 第一定位器 投影系統 第二定位器 源 WT 基板台 W 基板 106021.doc •21 -

Claims (1)

  1. 第094142605號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(98年9月) _________ 十、申請專利範圍: 年1月认曰修正本 1. 一種微影裝置,其包含: 一投影系統,其經組態以將一圖案化輻射束投影至一 由一基板台支撐之基板上; 一液體供應系統,其經組態以向該投影系統與該基板 之間的一空間供應一液體; 山封表面,其經組態以替代該基板為該液體供應系 統所供應之液體提供一限制表面;及 〜、 一密封表面定位器件,其經組態以在使用該密封表面 限制該液體供應系統所供應之該液體時,產生且維持— 在4液體供應系統與該密封表面之間的間隙; 其中忒液體供應系統係配置使該液體經由該間隙被循環 苴出 以使得來自該密封表面及一液體限制結構的 其中之一或另一的任何微粒從該液體中被移除。 2. 士 °月求項1之裝置,其中該密封表面定位器件包含一入口 »玄入口及出口係經組態以在經由該入口所供應 之一液體所施加的力與該出口所提供之—低壓之間產生 一平衡狀態。 3.如請求項1之裝置 T该抵封表面係形成在一捃封相 且=中該密封表面定位器件包含一經組態以將該兹 封板夾緊在一面向而非朝向該液體供應系統中之該液谱 的面上的夾持器。 4·:明求項1之裝置’I中該密封表面定位器件包含一經细 〜、以自4基板台移置該密封表面的定位銷系統。 106021-980922.doc 月长項1之裝置,其中該密封表面定位器件包含一在今 液體供應系統及該密封表面令之每一者上的磁體。” 长項5之裝置,其中一在該液體供應系統及該密封表 面中之每_ ^ 、具有異極的磁體與一在該液體供應系 统及h封表面中之每—者上的具有同極的磁體保持平 长員1之裝置’其中該密封表面定位器件包含一在該 液體供應系統及該基板台中之每一者上的磁體。 8. —種器件製造方法,其包含: 使用-液體供應系統向一微影投影裝置之一投影系統 ,、基板之間的一空間供應一液體; ^达封表面替代一基板限制該液體供應系統所供應 :該液體時’產生且維持一在該液體供應系統與該密封 表面之間的間隙;及 田使用絲板作為—用於該液體供應系統所供應之該 、的限制表面時,穿過該液體將-圖案化輻射束投影 至該基板上; -X液體供應系統係配置使該液體經由該間隙被循環 苴 以使付來自該密封表面及一液體限制結構的 其中之—或兩者的任何微粒以該液體被移除。 求員8之方法,其中產生且維持該間隙包含在-氣流 所施加的力與一低壓之間產生一平衡狀態。 10.如請求項8^ 、 / ,/、中該密封表面係形成在一密封板 、中產生且維持該間隙包含將該密封板夾緊在一 106021-980922.doc 面=非朝向該液體供應系M之該㈣的面上。 位‘I,項8之方法’其中產生且維持該間隙包含使用-定 4自該基板臺上移置該密封表面。 〗2.:Π項8之方法’其中產生且維持該間隙包含使用-提 體供應系統及該密封表面中之每—者上的磁體 而磁力地維持該間隙。 1 3.如請求項】2 及㈣ 方法,其中使用一提供在該液體供應系統 “在封表面中之每—者上的磁體而維持該間隙包含: 使用=與—在該液體供應系統及該密封表面中之每一者 上之”有同極的磁體保持平衡的在該液體供應系統及該 密封表面中Q _ 母者上之具有異極的磁體而維持該間 隙。 14‘ ^求項8之方法’其中產生且維持該間隙包含:使用一 提供在4液體供應系統及該密封板中之每-者上的磁體 而磁力地維持該間隙。 參 106021-980922.doc
TW094142605A 2004-12-15 2005-12-02 Lithographic apparatus and device manufacturing method TWI321269B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/012,061 US7403261B2 (en) 2004-12-15 2004-12-15 Lithographic apparatus and device manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200627083A TW200627083A (en) 2006-08-01
TWI321269B true TWI321269B (en) 2010-03-01

Family

ID=35709067

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW094142605A TWI321269B (en) 2004-12-15 2005-12-02 Lithographic apparatus and device manufacturing method

Country Status (8)

Country Link
US (3) US7403261B2 (zh)
EP (1) EP1672432B1 (zh)
JP (3) JP4372095B2 (zh)
KR (1) KR100674224B1 (zh)
CN (1) CN1821881B (zh)
DE (1) DE602005020893D1 (zh)
SG (2) SG144150A1 (zh)
TW (1) TWI321269B (zh)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BR0307589A (pt) 2002-02-11 2005-02-01 Antares Pharma Inc Dispositivo de injeção intradérmica
EP3141953A3 (en) * 2003-04-11 2017-06-07 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
KR101686762B1 (ko) 2003-06-19 2016-12-28 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US7403261B2 (en) * 2004-12-15 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1681597B1 (en) * 2005-01-14 2010-03-10 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP3495009B2 (en) 2005-01-24 2025-01-15 Antares Pharma, Inc. An injector with prefilled syringe
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US9477158B2 (en) 2006-04-14 2016-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2007131025A1 (en) 2006-05-03 2007-11-15 Antares Pharma, Inc. Injector with adjustable dosing
US8251947B2 (en) 2006-05-03 2012-08-28 Antares Pharma, Inc. Two-stage reconstituting injector
US8040490B2 (en) * 2006-12-01 2011-10-18 Nikon Corporation Liquid immersion exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US20080222074A1 (en) * 2007-02-22 2008-09-11 Peter Lieberwirth Method or corresponding system employing templates for creating an organizational structure of knowledge
US8237911B2 (en) 2007-03-15 2012-08-07 Nikon Corporation Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine
US7561250B2 (en) * 2007-06-19 2009-07-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus having parts with a coated film adhered thereto
US8814834B2 (en) 2008-03-10 2014-08-26 Antares Pharma, Inc. Injector safety device
EP2128703A1 (en) 2008-05-28 2009-12-02 ASML Netherlands BV Lithographic Apparatus and a Method of Operating the Apparatus
WO2010017285A2 (en) 2008-08-05 2010-02-11 Antares Pharma, Inc. Multiple dosage injector
CN102612381B (zh) 2009-03-20 2015-09-09 安塔瑞斯制药公司 危险试剂注入系统
NL2005610A (en) 2009-12-02 2011-06-06 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and surface cleaning method.
NL2005655A (en) * 2009-12-09 2011-06-14 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus and a device manufacturing method.
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
US8496619B2 (en) 2011-07-15 2013-07-30 Antares Pharma, Inc. Injection device with cammed ram assembly
US9220660B2 (en) 2011-07-15 2015-12-29 Antares Pharma, Inc. Liquid-transfer adapter beveled spike
ES2970240T3 (es) 2012-03-06 2024-05-27 Antares Pharma Inc Jeringa precargada con característica de fuerza de ruptura
EP4186545A1 (en) 2012-04-06 2023-05-31 Antares Pharma, Inc. Needle assisted jet injection administration of testosterone compositions
US9364610B2 (en) 2012-05-07 2016-06-14 Antares Pharma, Inc. Injection device with cammed ram assembly
DK3659647T3 (da) 2013-02-11 2024-04-22 Antares Pharma Inc Nålestøttet jetinjektionsindretning med reduceret udløserkraft
EP3572108A1 (en) 2013-03-11 2019-11-27 Antares Pharma, Inc. Dosage injector with pinion system
WO2014165136A1 (en) 2013-03-12 2014-10-09 Antares Pharma, Inc. Constant volume prefilled syringes and kits thereof

Family Cites Families (127)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE221563C (zh)
DE206607C (zh)
DE242880C (zh)
DE224448C (zh)
GB1242527A (en) 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US3573975A (en) 1968-07-10 1971-04-06 Ibm Photochemical fabrication process
ATE1462T1 (de) 1979-07-27 1982-08-15 Werner W. Dr. Tabarelli Optisches lithographieverfahren und einrichtung zum kopieren eines musters auf eine halbleiterscheibe.
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
JPS5754317A (en) 1980-09-19 1982-03-31 Hitachi Ltd Method and device for forming pattern
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4509852A (en) 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4390273A (en) 1981-02-17 1983-06-28 Censor Patent-Und Versuchsanstalt Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
DD206607A1 (de) 1982-06-16 1984-02-01 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten
DD242880A1 (de) 1983-01-31 1987-02-11 Kuch Karl Heinz Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS62121417A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
US5040020A (en) 1988-03-31 1991-08-13 Cornell Research Foundation, Inc. Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography
JPH03209479A (ja) 1989-09-06 1991-09-12 Sanee Giken Kk 露光方法
US5121256A (en) 1991-03-14 1992-06-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Lithography system employing a solid immersion lens
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP2520833B2 (ja) 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 浸漬式の液処理装置
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
US6225012B1 (en) * 1994-02-22 2001-05-01 Nikon Corporation Method for positioning substrate
JPH08316124A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
WO1998009278A1 (en) 1996-08-26 1998-03-05 Digital Papyrus Technologies Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
US5900354A (en) 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
WO1999031717A1 (en) 1997-12-12 1999-06-24 Nikon Corporation Projection exposure method and projection aligner
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
TWI242111B (en) 1999-04-19 2005-10-21 Asml Netherlands Bv Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus
JP4504479B2 (ja) 1999-09-21 2010-07-14 オリンパス株式会社 顕微鏡用液浸対物レンズ
JP2001272604A (ja) 2000-03-27 2001-10-05 Olympus Optical Co Ltd 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置
TW591653B (en) 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
KR100866818B1 (ko) 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
WO2002091078A1 (en) 2001-05-07 2002-11-14 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus employing an index matching medium
US6600547B2 (en) 2001-09-24 2003-07-29 Nikon Corporation Sliding seal
KR20050044371A (ko) 2001-11-07 2005-05-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 광학 스폿 그리드 어레이 프린터
US6888620B2 (en) * 2001-11-29 2005-05-03 Nikon Corporation System and method for holding a device with minimal deformation
DE10229818A1 (de) 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
US6806346B2 (en) 2002-07-12 2004-10-19 E. I. Du Pont De Nemours And Company Copolymerization of cyclic ester oligomers
FR2842538B1 (fr) * 2002-07-16 2004-10-29 Staubli Sa Ets Ratiere rotative pour metier a tisser, et metier a tisser equipe d'une telle ratiere
EP1532489A2 (en) 2002-08-23 2005-05-25 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
US6788477B2 (en) 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
JP3977324B2 (ja) 2002-11-12 2007-09-19 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置
CN101349876B (zh) 2002-11-12 2010-12-01 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
SG121819A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1420300B1 (en) 2002-11-12 2015-07-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60335595D1 (de) * 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
SG131766A1 (en) 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60319658T2 (de) 2002-11-29 2009-04-02 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE10258718A1 (de) 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
AU2003289236A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing device
WO2004053959A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 光学素子及びその光学素子を用いた投影露光装置
SG152063A1 (en) 2002-12-10 2009-05-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
AU2003302831A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus and method for manufacturing device
WO2004053956A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
AU2003289272A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method
JP4362867B2 (ja) * 2002-12-10 2009-11-11 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US7242455B2 (en) 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
EP1571694A4 (en) 2002-12-10 2008-10-15 Nikon Corp EXPOSURE EQUIPMENT AND MANUFACTURING METHOD DAF R
US6992750B2 (en) 2002-12-10 2006-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
JP4645027B2 (ja) 2002-12-10 2011-03-09 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
EP1571696A4 (en) 2002-12-10 2008-03-26 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE
DE60326384D1 (de) 2002-12-13 2009-04-09 Koninkl Philips Electronics Nv Flüssigkeitsentfernung in einem verfahren und einer einrichtung zum bestrahlen von flecken auf einer schicht
ATE365962T1 (de) 2002-12-19 2007-07-15 Koninkl Philips Electronics Nv Verfahren und anordnung zum bestrahlen einer schicht mittels eines lichtpunkts
CN100385535C (zh) 2002-12-19 2008-04-30 皇家飞利浦电子股份有限公司 照射光敏层上斑点的方法和装置
US6781670B2 (en) 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
KR101177331B1 (ko) 2003-04-09 2012-08-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
EP2921905B1 (en) 2003-04-10 2017-12-27 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
KR101724117B1 (ko) 2003-04-10 2017-04-06 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템
KR101497289B1 (ko) 2003-04-10 2015-02-27 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
JP4656057B2 (ja) 2003-04-10 2011-03-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子
SG2013077797A (en) 2003-04-11 2017-02-27 Nippon Kogaku Kk Cleanup method for optics in immersion lithography
EP3141953A3 (en) * 2003-04-11 2017-06-07 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
JP4582089B2 (ja) 2003-04-11 2010-11-17 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム
WO2004095135A2 (en) 2003-04-17 2004-11-04 Nikon Corporation Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography
TWI295414B (en) * 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2270599A1 (en) * 2003-05-13 2011-01-05 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus
US7274472B2 (en) 2003-05-28 2007-09-25 Timbre Technologies, Inc. Resolution enhanced optical metrology
EP2261742A3 (en) 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP2005019616A (ja) 2003-06-25 2005-01-20 Canon Inc 液浸式露光装置
JP4343597B2 (ja) 2003-06-25 2009-10-14 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP1498778A1 (en) 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3862678B2 (ja) * 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP3179309A1 (en) 2003-07-08 2017-06-14 Nikon Corporation Wafer table for immersion lithography
SG109000A1 (en) 2003-07-16 2005-02-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7326522B2 (en) 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
US7070915B2 (en) 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
US6954256B2 (en) 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
EP2960702B1 (en) 2003-09-03 2017-02-22 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
JP4378136B2 (ja) 2003-09-04 2009-12-02 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP3870182B2 (ja) 2003-09-09 2007-01-17 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005159322A (ja) 2003-10-31 2005-06-16 Nikon Corp 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005175016A (ja) 2003-12-08 2005-06-30 Canon Inc 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
JP2005175034A (ja) 2003-12-09 2005-06-30 Canon Inc 露光装置
US7589818B2 (en) 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005191393A (ja) 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc 露光方法及び装置
JP2005191381A (ja) 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc 露光方法及び装置
JP4429023B2 (ja) 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP4018647B2 (ja) 2004-02-09 2007-12-05 キヤノン株式会社 投影露光装置およびデバイス製造方法
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4510494B2 (ja) 2004-03-29 2010-07-21 キヤノン株式会社 露光装置
JP2005286068A (ja) 2004-03-29 2005-10-13 Canon Inc 露光装置及び方法
JP4747545B2 (ja) 2004-09-30 2011-08-17 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置並びにデバイス製造方法
US7583357B2 (en) * 2004-11-12 2009-09-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7403261B2 (en) * 2004-12-15 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
US20060126037A1 (en) 2006-06-15
US20090115984A1 (en) 2009-05-07
JP2006173620A (ja) 2006-06-29
JP4372095B2 (ja) 2009-11-25
JP2012074745A (ja) 2012-04-12
US8233135B2 (en) 2012-07-31
US20080252866A1 (en) 2008-10-16
US7403261B2 (en) 2008-07-22
DE602005020893D1 (de) 2010-06-10
CN1821881A (zh) 2006-08-23
KR20060067866A (ko) 2006-06-20
JP2009094529A (ja) 2009-04-30
TW200627083A (en) 2006-08-01
EP1672432B1 (en) 2010-04-28
SG123687A1 (en) 2006-07-26
SG144150A1 (en) 2008-07-29
KR100674224B1 (ko) 2007-01-25
CN1821881B (zh) 2012-07-18
EP1672432A1 (en) 2006-06-21
US7751032B2 (en) 2010-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI321269B (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7251013B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20190258174A1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a liquid confinement structure
US8564760B2 (en) Lithographic apparatus, device manufacturing method and a control system
US20090086181A1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10495981B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10488759B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI410745B (zh) 微影裝置及元件製造方法
JP5412399B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
CN100504611C (zh) 光刻设备与装置制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees