TWI316885B - Solid wire - Google Patents

Description

1316885 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於電弧熔接所使用之實心線材，詳而言2 ，係關於適用於薄板的電弧熔接之碳鋼實心線材。 【先前技術】 近年來，基於環保問題之觀點，關於改善汽車燃料、消 耗率的要求越來越嚴格。爲了因應這種要求，係嘗試將& 往之抗張強度 300MPa以下的軟鋼板替換成抗張強度 4 0 0MPa以上的高強度鋼板，以減低板厚，並謀求輕量化 〇 當板厚減少時，在點熔接法的情形雖幾乎不會發生問 題’但在電弧熔接法的情形，電弧熱會使鋼板熔融而形成 穿孔，亦即容易發生所謂熔穿（burn through)。 又關於鋼板之高強度化’ 一般是藉由控制壓延時之冷 卻、將鋼板中之添加元素增量來達成。將鋼板中之添加元 素增量時，電弧熔接時熔池之黏性會昇高，造成熔合性變 差而在熔接止端部的厚度方向形成缺口，亦即容易發生所 謂過熔低陷（undercut)。 此外，在熔接操作方面，爲了提昇熔接效率而加大熔 接速度時，電弧會作用於熔池之前方，亦即電弧容易直接 作用於熔融面而發生熔穿。就算還沒到熔穿的程度，連待 熔接之板材背側都產生熔融時（所謂裏波）時，非常容易 發生高溫裂痕。 -5- (2) 1316885 例如，日本特開200 1 -963 92號公報所記載的技術， 係使用既定電阻率之0.9mm以下的細徑線材以減少單位 熔敷量之熱輸入，藉此抑制熔穿產生（亦即，提昇耐熔穿 性）。 又例如，日本特許2 922 8 1 4號公報記載之技術，係限 定線材之Si + Mn、Six(Si + Mn)，進一步在Ar中含有極 少量（3〜7%)之氧氣，藉此來提昇耐熔穿性。該技術， 係藉由適度提高線材之電阻率以減少單位熔敷量之熱輸入 ，並藉由提高保護氣體之Ar比例以減少熔接滲透深度（ weld penetration)，且使前述兩作用產生相乘效果。 又例如在日本特開平9-94667號公報與日本特許 3 345 8 8 3號公報中，係使用在前端裝設有陶瓷之特殊的熔 接通電頭。其藉由提高溶接通電頭的前端之通電點與電弧 產生點間所產生之電阻發熱，以減少單位熔敷量之熱輸入 ，而提昇耐熔穿性，並藉由減少電流以減低電弧力而抑制 過熔低陷的發生（亦即提昇耐過熔低陷性）。 又例如在日本特開2005 -2542 84號公報記載的技術， 係使用Ar與C02作爲保護氣體，藉由混入多量（5.5〜 1 5% )的02以改變熔池之對流方向，藉此提昇耐過熔低 陷性。 根據以往的經驗得知，藉由進行向下垂直熔接能提昇 耐熔穿性與耐過熔低陷性，但這時不僅熔接姿勢受到限制 ，且當向下前進的角度過大時會發生熔接道（bead)之垂 落與大量的熔濺物，因此存在著難以控制之問題。 (3) 1316885 【發明內容】 然而’日本特開200 1 -96392號公報所記載之細徑線 材’由於直徑太細’不僅容易發生挫曲，且線材之進給安 定性不佳’因此熔接作業性不佳。此外，該細徑線材，由 於成本變高’同時會發生熔接成本變高的問題。 此外’日本特許29228 1 4號公報記載之線材單體，並 無法解決耐熔穿性差之問題。又當保護氣體中Ar比例昇 高時’保護氣體之成本變高，而會發生溶接成本變高的問 題。 另一方面，在日本特開平9-94667號公報與日本特許 3345883號公報，由於使用特殊的熔接通電頭，其成本會 變高’而造成熔接作業的成本變高。 此外’日本特開2005 -254284號所記載之電弧熔接方 法’由於使用特殊的保護氣體，保護氣體的成本變高，而 有熔接成本上昇的問題，此外，由於氧含量多，而會產生 大量的熔渣與熔濺物。當發生熔渣與熔濺物時，會使熔接 部之塗覆性變差。伴隨著熔接金屬之含氧量的大幅增加， 夾雜物會增多，而容易發生高溫裂痕（亦即，耐裂痕性變 差）。 另外，除前述問題以外，爲了廣泛適用於一般的薄板 熔接’所要求具備的特性包括：與母材同等級以上的熔接 金屬硬度、不易產生脆弱破壞、爲了順利進行熔接之良好 進給安定性。 (4) Ϊ316885 本發明係有鑑於前述課題而構成者，其目的係提供一 種實心線材，其能將熔接成本降到最低，具有優異的線材 之進給安定性、耐熔穿性、耐過熔低陷性、耐裂痕性，不 容易發生熔渣及熔濺物，且具有與母材同等級以上的熔接 金屬硬度，不易產生脆弱破壞。 可解決前述課題之本發明的實心線材，係用來進行電 弧熔接之實心線材，係含有C : 0.0 0 5〜0 · 0 6 0質量％、S i :0.60 〜1.00 質量 ％、Μη: 1.10 〜1_65 質量％、S: 0.045 〜0.090質量％、Ο: 0.0015〜0.0100質量％，且前述C與 前述S之合計含量在0.125質量％以下，Ρ含量0.017質 量％以下，剩餘成分由Fe及雜質所構成；在前述雜質中 ，含有Ti : 0.1 5質量％以下、B : 0·0050質量％以下、N : 0.00 75 質量 ％以下，且將 Cr、Ni、Al、Nb、V、Zr、La 及 Ce分別限制爲0.20質量％以下。 本發明之實心線材，藉由將C、Si、Μη、S、Ο之含 量限定於特定的範圍，可大幅降低熔池之黏性與表面張力 ，而在進行電弧熔接時形成較深的熔池。藉此，能獲得緩 和電弧力的障壁作用，能降低熔接滲透深度，而能提昇耐 熔穿性。 本發明之實心線材，由於能大幅降低熔池之黏性與表 面張力，即使在發生過熔低陷的情形，在溶池形成熔融狀 之熔接金屬，受重力作用會流向該過熔低陷部分，當熔接 部位凝固時可塡滿過熔低陷（亦即，可提昇耐過熔低陷性 -8 - (5) 1316885 本發明之實心線材，藉由將S含量與Ο含量最佳化 ，不易發生熔渣及熔濺物，又藉由將c含量、s含量、C 與s之合計含量、Ρ含量、C與S之合計含量等最佳化， 能提昇耐裂痕性。 本發明之實心線材，藉由將特定種類雜質含量限定於 特定範圍，可進一步防止熔池之黏性與表面張力昇高，因 此在進行電弧熔接時能更進一步防止熔池變淺。因此，能 Φ 更確實地獲得緩和電弧力的障壁作用，能降低熔接滲透深 度，而能提昇耐熔穿性與耐過熔低陷性，因此更不容易發 生熔渣與熔濺物。特別是，藉由將Β限制在特定含量以下 ，能更加提昇耐裂痕性，藉由將Ν限制在特定含量以下 ，能防止熔接金屬的脆化，因此能謀求熔接部之完整性。 本發明之實心線材，較佳爲，將前述〇與前述Ν的 合計含量限制爲〇.〇1 10質量％以下。本發明之實心線材， 較佳爲含有0.30質量％以下的Mo。 • 如此般，本發明之實心線材，藉由添加Mo可提昇熔 接金屬的強度，又藉由將Mo限定爲特定含量以下，可防 . 止熔池之黏性與表面張力變高，因此在進行電弧熔接時能 _ 防止熔池變淺。藉此，能確實地獲得緩和電弧力的障壁作 用，能降低熔接滲透深度，而能提昇耐熔穿性與耐過熔低 陷性，因此不容易發生熔濺物。 本發明之實心線材較佳爲，在前述實心線材表面，相 對於前述實心線材全體，具有合計含量爲0.5〜30PPm之 K、L i、N a、C a。 -9- (6) 1316885 本發明之實心線材，藉由在表面塗布或附著選自特定 群中之至少1種元素，且設定在前述特定範圍’故電子容 易釋出，在使用Ar與氧化性氣體（〇2、C〇2等）進行熔 接時，能產生電弧安定劑的作用。因此，能抑制電弧的長 度改變，而能更加提昇耐熔穿性。 本發明之實心線材較佳爲’在前述實心線材表面，前 述實心線材每l〇kg含有0.01〜l.OOg之MoS2。 Φ 本發明之實心線材，藉由在其表面塗布或附著Μ 〇 S 2 ，且設定在前述特定範圍，能減少通電點之瞬間熔合而減 少阻力，因此能提昇實心線材之進給安定性。 本發明之實心線材的表面能用鍍銅披覆。 藉由將本發明之實心線材用鍍銅披覆，能提昇防鏽性 、通電頭之耐磨耗性、在生產線材時之伸線性（生產性） ，因此能謀求低成本化。 依據本發明之實心線材，能將熔接成本降到最低，具 ® 有優異的線材之進給安定性、耐熔穿性、耐過熔低陷性、 耐裂痕性，不容易發生熔渣及熔濺物，且具有與母材同等 . 級以上的熔接金屬硬度，又不易產生脆弱破壞。 【實施方式】 接著，詳細說明本發明的實心線材之最佳實施形態。 本案發明人等，著眼於前述向下垂直熔接時熔池及熔 接金屬之舉動而想到，不拘水平熔接、向下熔接、橫向熔 接、向上熔接、向上垂直熔接等之姿勢，只要熔池與熔接 -10- (7) 1316885 金屬都能獲得與前述相同的舉動，應可進行更良好的電弧 熔接，而進行深入硏究。 首先。參照第1圖說明本發明之實心線材之原理。第 1圖係電弧熔接之示意圖’ （a )係使用習知實心線材進 行電弧熔接之示意圖’ （b )係使用本發明的實心線材進 行電弧熔接之示意圖。 如第1 ( a )圖所示，使用習知的實心線材3 1進行電 弧熔接時，熔池6之黏性、表面張力大。因此，電弧力與 表面張力所產生之熔池6的上推力Pi會大於重力p2，熔 池6本身之重力P2所造成的下降作用變小。亦即，電弧 正下方之熔池6的深度L!變小，熔接滲透深度l2變大。 此外’從通電頭2/實心線材31的通電點（主要爲 通電頭2的前端）至電弧5產生點、所謂突出部分a及 形成於前端之熔滴4本身的電阻發熱變低。 於是，本案發明人等發現，如第1 ( b )圖所示，在 進行向下垂直熔接時，重力會使熔池從電弧後方朝向電弧 正下方移動，亦即能在電弧正下方持續形成深的熔池而產 生緩和電弧力之障壁作用，藉此抑制熔穿（提昇耐熔穿性 )。此外，即使在瞬間產生過熔低陷，基於重力造成之熔 池下降作用，溶池之熔接金屬會流向該過熔低陷部位，在 凝固時會塡滿過熔低陷（提昇耐過熔低陷性）。 藉由減低從電弧5正下方至電弧5後方所形成之熔池 6的黏性、表面張力，使P 2大於P1 ’即可將熔池6推向 電弧5正下方。藉此，電弧5正下方之熔池6深度變 -11 - (8) 1316885 大’可抑制電弧力的作用’而減少熔接滲透深度L 2。 本案發明人’經深入硏究的結果發現，藉由提高實心 線材本身的電阻’以增加突出部分及熔滴本身的電阻發熱 而使溫度上昇’可減低電弧熱產生之熔融作用而減少溶接 之熱輸入’又藉由將實心線材的成分組成最佳化能大幅降 低熔池之黏性與表面張力，而使作用於熔池之重力作用充 分發揮’如此般即使在向下垂直熔接以外的姿勢，仍能實 現上述機制。 又在硏究的階段發現’若採用習知手段，例如氣體成 分之高含氧化、減少實心線材成分之Si、Μη等的強脫氧 成分含量等來進行高含氧化，以減低熔池之黏性與表面張 力，會產生：熔渣之大量產生、氣孔、熔接道形狀變差、 熔濺物增加等的各種問題。 本案發明人進一步發現到，作爲改善此問題之手段， 藉由將S與0的含量最佳化，能抑制熔渣與熔濺物之產 生，能在維持良好的熔接道形狀下大幅降低熔池之黏性與 表面張力。 此外，已知當S濃度高時容易發生高溫裂痕。本案發 明人同時發現到，藉由將C含量、Ρ含量、S含量、C與 S之合計含量等既定元素的含量做適當的限制，特別是如 第2圖所示，即使在含有高濃度S的情形，藉由適當地限 制C含量，即可抑制高溫裂痕（提昇耐裂痕性）。第2圖 係用來說明本發明之實心線材之C與S含量之適當範圍 -12- (9) 1316885 本案發明人基於上述認知，而完成適用於進行電弧熔 接之本發明的實心線材。 本發明之實心線材’係含有C : 〇 . 〇 〇 5〜〇 · 〇 6 0質量％ 、Sl· 0.60 〜i.00 質量％、Μη: 1.10 〜165 質量％、S: 0.045〜0.090質量％、〇: 〇.0〇15〜〇〇1〇〇質量％，且前述 c與則述S之合計含量在0.125質量％以下，Ρ含量0.017 質量％以下’剩餘成分由Fe及雜質所構成。 ® 以下說明本發明之實心線材中實施上述數値限定的理 由。 (C: 0.005 〜0.060 質量 ％ ) C具有脫氧作用，具有提高熔接金屬強度之效果。在 薄板熔接的情形，由於不須進行多層熔接，不須考慮再加 熱所造成之強度降低，即使添加量不高，在一般使用之 3 00MPa以下的軟鋼至590MPa級的高張力鋼板之範圍， 仍能獲得與母材同等級以上的強度。 ® 然而，當C含量未達0.005質量％時，其強度僅適用 於軟鋼而缺乏泛用性。因此，C含量必須爲0.005質量％ . 以上。 . 另一方面當C含量變高’如前述般耐裂痕性會顯著變 差。又在電弧附近CO會發生爆炸’不僅熔擺物產生量變 多’微粒（fume )之產生也會變多。又由於過度脫氧造成 熔池之含氧量變少，而使熔池之黏性及表面張力變高。因 此，考慮到耐裂痕性，c含量必須爲〇·060質量％以下， 較佳爲0.0 5 0質量％以下。此外，如後述般，依S含量之 -13- (10) 1316885 多寡，也能進一步降低C的上限値。 (Si: 0.60 〜1.00 質量 ％ ) S i乃確保強度之必要兀素’且具有提局實心線材電 阻的作用。含量未達0.6 0質量％時，強度會降低，除軟鋼 以外無法適用於其他鋼材。又由於實心線材之電阻變得過 小’單位進給量之電流値上昇。結果，熱輸入量變多，容 易使耐熔穿性與耐過熔低陷性變差。因此，Si含量必須 爲0.6 0質量％以上。 另一方面，當Si含量超過1.00質量％時，會形成過 度脫氧，造成熔池之含氧量變少而使熔池之黏性及表面張 力變高。因此，緩和電弧力之障壁作用會減低，耐熔穿性 與耐過熔低陷性容易變差。又當Si含量過多時，熔接金 屬會脆化，熔接部之硬度等可能會變差。因此，Si含量 必須爲1.0 0質量％以下。 (Mn : 1 . 1 0 〜1.65 質量 ％ ) Μη乃確保強度之必要元素，且具有提高實心線材電 阻的作用。Μη含量未達1 · 1 0質量％時，強度會降低，除 軟鋼以外無法適用於其他鋼材。又由於實心線材之電阻變 得過小，單位進給量之電流値上昇。結果，熱輸入量變多 ，容易使耐熔穿性與耐過熔低陷性變差。又當Μη過少時 熔接金屬會產生脆化，熔接部可能會喪失完整性。因此， Μη含量必須爲1 . 1 0質量％以上。 另一方面，當Μη含量超過1.65質量％時，會形成過 度脫氧，造成熔池之含氧量變少而使熔池之黏性及表面張 -14- (11) 1316885 力變高。因此，熔池之熔接金屬不容易流向電弧正下方， 緩和電弧力之障壁作用會減低，耐熔穿性與耐過熔低陷性 容易變差。又會大量產生熔渣而造成塗覆性變差。因此 Μη含量必須爲1.65質量％以下。 (S: 0.045 〜0.090 質量 ％ ) S乃本發明最重要的元素之一，具有降低熔池的黏性 與表面張力的作用。藉由含有適量的S，即使電弧位於熔 池前方的情形，仍容易藉由低黏性與低表面張力之熔池來 獲得緩和電弧力之障壁作用，因此能提昇耐熔穿性與耐過 熔低陷性。爲了獲得這種效果，S含量必須爲0.045質量 %以上。 另一方面，當S含量超過0.090質量％時，除熔池外 ，實心線材前端所形成之熔滴的表面張力也會大幅降低， 熔滴將難以保持球形。又與形成過厚之熔池相輔，即使將 電弧長度拉長仍會形成短路狀態，因此熔濺物變得非常多 。這時，就算調整其他的元素仍無法提昇耐裂痕性。當連 鋼板的背側都產生熔融時，非常容易發生高溫裂痕。又熔 池黏性變得過低，受重力作用熔接道容易垂落，在搭疊塡 角熔接之上板側難以形成熔接道，因此耐過熔低陷性會變 差。此外，熔接金屬會脆化，可能使熔接部喪失完整性。 因此，S含量必須爲0.090質量％以下。又基於提昇耐過 熔低陷性、韌性（防止熔接金屬的脆化）之觀點，S含量 更佳爲0.073質量％以下。 (0 : 0.0015 〜0.0100 質量 ％ ) -15- (12) 1316885 藉由同時添加適量之S與0，可適度降低熔池的黏性 與表面張力，因此能有效提昇耐熔穿性與耐過熔低陷性。 爲了達成該效果，〇含量必須爲0 · 0 0 1 5質量％以上。 另一方面，當實心線材之0含量超過0.0100質量％ 時，高含氧量造成之熔池的黏性與表面張力之降低作用過 強，而會產生：熔濺物增加、熔渣之大量發生、夾雜物增 加所導致之耐裂痕性變差等的問題。雖然耐熔穿性不會變 差，但由於熔池的黏性過低，受重力作用容易造成熔接道 垂落，在搭疊塡角熔接之上板側難以形成熔接道，因此耐 過熔低陷性會變差。此外，熔接金屬會脆化，可能使熔接 部喪失完整性。因此，0含量必須爲0.0100質量％以下。 又，依以下所說明之N含量的多寡，如後述般，Ο含量之 上限値可能限定成更低。 爲了在實心線材中含有前述含量之〇，可緩和熔製時 的脫氧處理條件，而使線材之〇含量增多。或是在實心 線材之伸線過程進行退火，而在表面附近產生氧化並使其 殘留，藉此使表面之0濃度增高。 (c與S之合計含量：0.125質量％以下） C與S都是會使耐裂痕性變差的元素，雖分別設有上 限値，但當其等的合計含量超過0.125質量％時，即使C 與S之個別含量在前述上限値以下，其耐裂痕性仍容易變 差。因此，爲了提昇耐裂痕性，C與S之合計含量必須爲 0.1 2 5質量％以下。 (P : 0.017質量％以下） -16- (13) 1316885 P，和C同樣地，會使耐裂痕性顯著變差，因此必須 儘量減少其含量。在 JIS Z3312，P含量之容許値雖爲 0.030質量％，但在本發明由於S含量高，爲了避免耐裂 痕性變差，必須壓低P含量。當P含量超過〇 · 〇 1 7質量％ 時，在連鋼板背側都產生熔融時，非常容易發生高溫裂痕 。因此，P含量必須爲0.0 1 7質量％以下。 (剩餘成分爲Fe及雜質） φ 本發明之實心線材之剩餘成分爲Fe及雜質。 雜質中，含有Ti: 0.15質量％以下、B: 0.0050質量 %以下、N : 0.0075質量％以下，且將Cr、Ni、Al、Nb、 V、Zr、La及Ce分別限制爲0.20質量％以下。 當含有 Cr、Ni、Al、Nb、V、Zr、La 及 Ce 時’熔池 的黏性與表面張力會變高。結果，熔池中之熔融金屬不容 易流向電弧正下方，緩和電弧力之障壁作用降低，不僅耐 熔穿性與耐過熔低陷性變差，且會發生大量的熔濺物。 Φ Ni以外的元素，由於會氧化而造成熔渣之大量產生 ，會使塗覆性變差。 . B含量超過0.0050質量％時’耐裂痕性會顯著變差。 N含量超過0.0075質量％時，熔接金屬發生脆化，熔接部 之硬度等可能會變差。 因此，前述雜質量越少越好’但只要在上述範圍內， 對本發明之實心線材而言都是可容許的。又更佳爲，Cr 及Ni爲0.05質量％以下，Ti爲〇·〇5質量％以下，Al、Nb 、V、Zr、La及Ce爲0.01質量％以下，B爲0.0030質量 -17- (14) 1316885 %以下。假使在此範圍內積極添加該等雜質，由於不會 響本發明之目的，故屬於本發明之範疇。 本發明之實心線材，較佳爲將〇與N之合計含量 制爲0.0110質量％以下，更佳爲將Mo含量限制爲〇· 質量％以下。 (0與N之合計含量：0.0110質量％以下） 0與N之合計含量超過0.0110質量％時，雖然耐熔 性不會產生問題，但由於熔池的黏性變得過低，受重力 用容易造成熔接道垂落，在搭疊塡角熔接之上板側難以 成熔接道，因此耐過熔低陷性會變差。因此，〇與N之 計含量必須爲0.01 10質量％以下。 (Mo : 0.30質量％以下）

Mo可提昇熔接金屬的強度。能有效發揮該效果的 限雖沒有特別的限定，藉由含有0.05質量％以上能使前 效果變顯著。 另一方面，當Mo含量超過0.30質量％時，熔池的 性與表面張力會變高。結果，由於熔池之熔接金屬不容 流向電弧正下方，緩和電弧力之障壁作用降低，耐熔穿 與耐過熔低陷性變差，且會發生大量的熔濺物。因此 Mo含量較佳爲0,30質量％以下。 本發明之實心線材較佳爲，在該實心線材表面，具 合計含量爲0.5〜30ppm之選自K、Li、Na、Ca中至少 種以上的元素。又，本發明之實心線材更佳爲，在該實 線材的表面含有0.01〜l.〇〇g/l〇kg之MoS2。 影 限 30 穿 作 形 合 下 述 黏 易 性 有 1 心 -18- (15) 1316885 (在該實心線材表面，相對於實心線材全體’具有合 計含量爲0.5〜30ppm之選自K、Li、Na、Ca中至少1種 元素。） 就算不含有K、Li、Na、Ca也不會有問題’但在使 用Ar與氧化性氣體（〇2、C02 )進行熔接中’這些元素 具有電弧安定劑的作用。當這些元素位於熔滴表面附近時 ，電子釋出變容易，有助於電弧的安定化。當電弧不安定 時，電弧長度會改變’電弧力也會產生變動。因此耐熔穿 性變差，故電弧越安定越好。藉由塗布或含有具電弧安定 性作用之前述元素中的至少1種以上，可達成電弧的安定 化。相對於實心線材全體，當該等元素之合計含量爲 0.5ppm以上時，可獲得顯著的效果。 對於實心線材全體，當該等元素之合計含量超過 30ppm以上時，不僅電弧之安定化效果變飽和，反而會影 響實心線材表面的潤滑性而造成進給安定性變差，因此基 於實用上的觀點，將上限設定爲此數値。 然而，要在熔製過程中添加該等元素會有困難。藉由 塗布於實心線材表面以含有該等元素之手段包括：（a ) 在伸線過程中，使用碳酸鉀、碳酸鋰、碳酸鈉、碳酸鈣等 的含K ' Li、Na、Ca之伸線潤滑劑，以使其等殘留於實 心線材表面；（b )在浸漬於含K、L i、N a、C a之溶液後 進行退火，而使其等擴散至實心線材表面之粒界或粒內； (c )使用氰化鉀、氰化鈉溶液來實施鍍銅；（d )在表面 附近塗布含有K、L i、N a、C a之油作爲進給潤滑劑。 -19- (16) 1316885 (在該實心線材的表面，每10kg實心線材含有0.01 〜l.OOg 之 M0S2) 若在實心線材的表面具有Mo S2，可減少通電點之瞬 間熔合而降低電阻，因此能提昇實心線材之進給安定性。 當實心線材之進給安定性不佳時，電弧長度會改變，電弧 力也會產生變動。因此耐熔穿性變差，故實心線材之進給 安定性越安定越好。藉由塗布Mo S2可提昇耐熔穿性。對 每10kg實心線材，在表面塗布0.01〜l.OOg之MoS2時， 能有效發揮前述效果。 另一方面，對每l〇kg實心線材，在表面塗布超過 l.OOg之MoS2時，MoS2容易堆積在進給導管與通電頭內 ，反而會影響潤滑性而造成進給安定性變差。因此，實心 線材表面所塗布（含有）之Mo S2含量，較佳爲1 .〇〇g以 下。 關於在實心線材上MoS2之塗布方法，可在伸線過程 將其混入抽拉潤滑劑中，而在最終口徑之線材內使其殘存 ;或使其混入潤滑油中，再塗布於精加工徑之線材。 (鍍銅） 本發明之實心線材也能用鍍銅披覆。 一般的實心線材’藉由在未披覆線的表面披覆鍍銅， 可提昇防鏽性，維持通電頭之耐磨耗性，提昇實心線材生 產時之伸線性而提昇生產性，並謀求低成本化等等。 又在未披覆線的表面披覆鍍銅時，通電部之電阻昇高 。這時的發熱效果’使得實心線材到達電弧產生部位時之 -20- (17) 1316885 溫度變高’實心線材成爲易熔狀態。由於熔接電源所供給 的電流足以讓實心線材熔融，成爲易熔狀態之實心線材能 謀求低電流化，形成一定熔融量所需之熱輸入可減少。因 此，能進一步減低熔接滲透深度，並減弱電弧力。藉此， 能提昇耐過熔低陷性。 〔實施例〕 φ 以下，將符合本發明要件之實施例與不符合本發明要 件之比較例進行對比，以詳細說明本發明之實心線材。 製作出具有表1〜表3所示的組成成分之直徑Φ1·2ηΐϊη 之實心線材，針對（1 )耐溶穿性、（2 )耐過熔低陷性、 (3 )熔接金屬之硬度、（4 )耐裂痕性、（5 )熔濺物產 生量、（6)進給安定性、（7)熔渣包覆率、（8)夏比 衝擊吸收能量等的各評價項目進行評價。（1)〜（8)評 價項目之評價方法如下所示。 -21 - (18)1316885 鍍銅 HP 摧 * 摧 s * 摧 埋 摧 * * 摧 璀 摧 MoS2 1 1 1 1 1 1 1 1 | 〇.1〇 | | o.io | 丨 0.10 1 o.io 1 | o.io | [0.10 0.10 0.10 1 1 1 1 1 1 t 1 0.10 1 0.10 0.10 0.10 0.10 0.10 0.10 K,Na,Li,Ca 1 1 1 1 ,K:5 K:5 K:5 Κ:5 1 1 1 1 1 K:5 I 1 K:5 1 1 K··5 1 1 K:5 1 1 1 1 1 K:5 K:5 1 VI ώ 1 1 1 1 K:5 K:5 ώ Mo 1 0.15 1 0.15 1 0.15 1 1 0.15 1 0.15 1 0.15 J 1 1 〇·151 1 1 0.15 1 1 LAllj 1 0.15 1 0.15 1 0.15 1 0.15 1 0.15 O+N 0.0118 0.0118 0.0080 0.0080 0.0118 0.0118 0.0080 ,0.0080 |〇.0118| |0.0118」 Ό.0080 0.0080 |〇.0118| |〇.0118| 0.0080 10.00801 |〇_0118| |〇.0118| [0.0080 [0.0080j |〇.0118| 0.01181 0.0080 丨0.0080 0.01181 0.0118 0.0080 0.0080 0.0118 0.0118 0.0080 〇 0.0045 〇 d S 〇 o 0.⑻ 55 0.0045 0.00451 10.0055 |0.0055| 0.00451 0.0045] S 〇 〇 0.00551 0.0045] |0.0045| |0.0055] 0 0 |0.0045| |0.0045| \n »0 〇 d |〇.0055l |0.0045| |〇.0045] 0.0055: 0.0055 0.0045! 0.0045 0.0055 0.0055 0.0045 0.0045 0.0055 0.0073 0.0073 0.0025 0.0025 0.0073 0.0073 0.0025 |0.0025 |0.0073| 0.00731 0.0025 0.0025 |0.0073| |0.0073| |0.0025| |0.0025| |0.0073| |0.0073| |0.0025| 10.0025 |0.0073| 0 0 0.0025 0.0025 0.0073 0.0073 0.0025 0.0025 0.0073 0.0073 0.0025 CQ 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 * 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 N 1 1 1 1 i 1 1 1 1 1 I i 1 1 1 > i 1 1 1 1 1 1 • 1 1 1 1 1 1 1 1 Xi Z 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 p 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 < < 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 I 1 1 1 1 1 1 1 • 1 1 1 1 1 1 1 c+s 0.095 0.095 0.095 0.095 0.095 0.095 0.095 0.095 0.095 0.095 10.095 [0.095 I I0.0951 1 0.095 I 0.095 I 1 0.095 I 0.095 I I 0.095 I 0.095 0.095 ! 0.095 0.095 0.095 0.095 0.095 0.095 0.095 0.095 0.095 0.095 0.095 Xfl 0.060 0.060 0.060 0.060 0.060 1 I 0.060 1 1 0.060 1 | 0.060 | | 0.060 | | 0.060 | | 0.060 | 1 0.060 1 1 0.060 I 10.060J I 0.060 I 0.060 I I 0.060 I 1 0.060 1 0.060 ' 0.060 丨 0.060 ' 0.060 0.060 0.060 0.060 0.060 0.060 0.060 0.060 0.060 0.060 a- 0.010 0.010 0.010 0.010 10.010 1 S 0.010 | 1 o.oio 1 | o.oio | | 0.010 ! | 0.010 ] | 0.010 | io.oio 1 10.010 Io.oio Io.oio Io.oio Io.oio 1 0.010 0.010 0.010 0.010 0.010 0.010 0.010 0.010 0.010 0.010 0.010 0.010 0.010 0.010 a s o 1.40 1.40 1.40 1.40 1.40 1.40 1.40 Lm〇J 1 1.40 1.40 Li^〇J 1.40」 1.40 1.40 1.40 1.40 1.40 1.40 1.40 1.40 1.40 1.40 1.40 1.40 1.40 1.40 1.40 1.40 0.80 0.80 0.80 0.80 j 0.80 ! 0.80 1 0.80 1 | 0.80 I 「0,80 1 | 0.80 I | 0.80 | | 0.80 I 0.80 I 0.80 1 0.80 1 1 0.80 1 1 0.80 1 0.80 0.80 ' 0.80 1 0.80 0.80 0.80 0.80 0.80 0.80 0.80 0.80 0.80 0.80 0.80 u 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 | 0.035 I 0.035 1 0.035 i 0.035 | 0.035 I 1 0.035 1 1 0.035 1 0.035 0.035 0.035 ! 0,035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 d — (N m 对 卜 〇〇 Os 〇 CN 'St r- 〇〇 0 m fS a -22- (19)1316885

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0.060 i 1 0.060 1 0.060 0.060 0.060 0.060 0.060 0.060 0.060 0.060 0.047 0.018 0.002 P-. 0.008 0.012 0.018 0.019 0.010 10.010 1 1 0.012 1 | 0.012 | 10.006 I | o.oio | IO.OIOJ 0.010 1 0.010 1 o.oio I 0.010 1 0.010 | o.oio I 1 o.oio 1 0.010 ί I o.oio! 0.010 0.010 0.010 0.010 0.010 0.010 0.010 0.010 0.015 0.022 0.010 c 2 5〇 1.80 1.40 1.35 ο ο o ,1.40 0 1.40 1.40 1.40 〇 1 1.40 ! 1.40 1.40 1.40 1.40 1.40 1.40 1.40 1.40 0 1.40 1.40 m 1.25 1.85 0.90 0.95 0.80 0.85 0.80 0.80 s ；0.80 0.80 0.65 1 0.90 1 0.80 I 0.80 1 0.80 I 0.80 0.80 0.80 0.80 0.80 | 1 0.80 0.80 0.80 0.80 0.80 0.80 0.80 0.80 0.80 0.65 0.25 0.75 u 0.040 0.040 0.020 0.020 0.035 0.035 | 0.090 1 0.050 j 丨 0.040 1 | 0.060 | 0.060 1 I0.035 I 0.035 I [0.035 I 0.035 0.035 1 0.035 1 0.035 1 0.035 I 0.035 J 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.050 0.050 0.100 No. 2 xn ίο $ $ 〇 (N rn νΊ JO 00 § 00 00 S οο 〇〇 〇〇 m On -24- (21) 1316885 (η耐熔穿性 第3圖係用來說明搭疊塡角熔接試驗以及過熔低陷 度的定義之說明圖。 如第3圖所示，將板厚2.0mm、抗張強度520MPa 碳鋼板以根間隔（root gap) 〇.5mm、搭疊長4mm的方 上下搭疊成接頭，於水平姿勢、熔接速度80cm/min進 搭疊熔接。此時保護氣體之組成爲 Ar80% + C〇2 20%， 性是以母材爲負極，實心線材之突出長度爲1 5mm，以 的刻度來改變電流値，將不易產生熔穿之最大電流値下 實心線材進給速度定爲「極限進給速度（m/min )」， 用於耐熔穿性之評價。在此，未採用電流値來評價耐熔 性之理由在於，依實心線材成分組成之不同，電流値與 給速度之關係會改變。關於電壓値，係在每次改變電流 時進行調整，而取電弧最安定時之値（最佳判斷値）。 此般，當熔敷量一定時，由於極限進給速度越大熔接滲 深度越淺，故耐熔穿性越優異。 關於耐熔穿性，極限進給速度爲5.60m/min以上、 達6.5 0m/min的情形評價爲良好（〇），極限進給速度 6.5 0m/min以上的情形評價爲優良（◎)，極限進給速 未達5.60m/min的情形評價爲不良（X )。又將良好（ )及優良（◎)的情形判定爲合格，將不良（X )的情 判定爲不合格。 (2 )耐過熔低陷性 根據（1 )的試驗結果，設定電流値（極限進給速 深 之 式 行 極 5 A 之 使 穿 進 値 如 透 未 爲 度 〇 形 度 -25- (22) 1316885 的電流値-3 0 A )、電壓（最佳判斷値+2 V ) ’拍攝依此 條件進行熔接時之熔接道的截面微觀相片（倍率10倍） ’根據該截面微觀相片來測定熔接止端部之深度（表4〜 6中之「過熔低陷深度」）。如第3圖所示，測量上側板 與下側板雙方，以其最大値作爲評價値。 耐過熔低陷之評價，係將前述最大値〇 . 5 〇 m m以下超 過0.20mm的情形評價爲良好（〇），將最大値0.20mm 以下的情形評價爲優良（◎)，將最大値超過〇 · 5 Omm的 情形評價爲不良（X)。 又將良好（〇）及優良（◎)的情形判定爲合格，將 不良（X )的情形判定爲不合格。 (3 )熔接金屬之硬度 根據（1 )的試驗結果設定電流値（極限進給速度的 電流値-1 0A )，對於依此條件進行熔接而構成之搭疊接 頭之熔接金屬的截面中央部，取3點測定維氏硬度（負荷 lkgf ( 1N ))，以其平均値作爲熔接金屬的強度（HV ) 〇 關於熔接金屬之評價，基於必須與母材同等級以上之 一般見解’將維氏硬度1 60HV以上者評價爲良好（〇） ’將維氏硬度未達160HV者評價爲不良（x )。又將良好 (〇）的情形判定爲合格，將不良（X )的情形判定爲不 合格。 (4 )耐裂痕性 根據（1 )的試驗結果，在極限進給速度的電流値及 -26- (23) 1316885 極限進給速度下以熔接長度1 00mm進行1 〇次熔接，並進 行X射線透過試驗。在表4〜表6中以是否發生「裂痕」 來表示。 關於耐裂痕性之評價，根據X射線透過試驗的結果 ，將未發生裂痕的情形評價爲「無」（良好（〇）），將 發生裂痕的情形評價爲「有」（不良（X))。又將良好 (〇）的情形判定爲合格，將不良（X )的情形判定爲不 合格。 對所有發生裂痕的情形進行調査的結果，如第4圖所 示，裂痕之發生形態係在熔接道的大致中央部產生縱裂痕 。觀察其斷口的結果可知，高溫裂痕屬於凝固裂痕。第4 圖係用來說明在評價耐裂痕性時評價對象之裂痕。 (5 )熔濺物產生量 使用堆積熔接（bead on plate)，以電流200Α、設定 電壓（電弧附近之放大投影時電弧長度成爲2mm)進行 熔接’用捕集箱捕集所發生之熔濺物並測定其重量。 關於熔濺物產生量之評價，熔灑物產生量超過1.30 g/min、l_50g/min以下的情形評價爲良好（〇），1.30 g/min以下的情形評價爲優良（◎)，熔濺物的產生量超 過1.50g/min的情形評價爲不良（X )。又將良好（〇） 及優良（◎)的情形判定爲合格，將不良（X )的情形判 定爲不合格。 (6 )進給安定性 使用堆積熔接，在實心線材進給速度6.00m/min、電 -27- (24) 1316885 弧長度2mm的電壓下進行1小時溶接，評價其安定性。 關於進給安定性之評價，進給速度完全未產生變動的 情形評價爲優良（◎)，進給速度有些許變動但實用上沒 有問題的情形評價爲良好（〇），進給速度之變動大、電 弧不安定、實用上有問題的情形評價爲不良（X)。又將 良好（〇）及優良（◎)的情形判定爲合格’將不良（X )的情形判定爲不合格。 (7 )熔渣之包覆率 在熔接後之電沉積塗覆中，爲了評價因熔渣剝離而發 生塗覆剝離之危險性，係測定熔接道上所產生之熔渣的面 積率。 關於溶渣之包覆率的評價，相對於熔接道之表面積， 將熔渣合計面積之比例4 · 0 %以下的情形評價爲優良（◎ )，將比例超過4.0 %、5.0 %以下的情形評價爲良好（〇 )，將比例超過5.0%的情形評價爲不良（X )。又將良好 (〇）及優良（◎)的情形判定爲合格’將不良（X )的 情形判定爲不合格。 (8 )夏比衝擊吸收能量 爲了簡單地評價溶接部之衝擊性能、亦即熔接部之溶 接金屬是否發生脆化，依JIS 23312「軟鋼及高張力鋼用 MAG熔接實心線材」之標準測定夏比衝擊吸收能量。試 驗溫度爲〇 t：，測定3根取其平均値進行評價。 關於夏比衝擊吸收能量之評價’將一般最常用的指標 之27J以上47J以下的情形評價爲良好（〇），將47J以 -28- (25) 1316885 上的情形評價爲優良（◎)，將夏比衝擊吸收能量未達 27J的情形，判斷其爲發生脆化之金屬而評價爲不良（X )。又將良好（〇）及優良（◎)的情形判定爲合格，將 不良（X )的情形判定爲不合格。 (1)〜（8)之評價項目的評結果顯示於表4〜6。

-29- 1316885 〔i〕 1 辑 W 5t 5： 5： St 5： %: 5： 5t 5; 5: 55 5; ：t 5； 5s 55 St 5； St 5： % a； ¢: 5S % 5¾ 極限進給速度 (m/min) 〇 〇 ◎ ◎ 〇 〇 ◎ ◎ 〇 〇 ◎ ◎ 〇 〇 ◎ ◎ 〇 〇 ◎ ◎ 〇 〇 ◎ ◎ 〇 〇 ◎ ◎ 〇 〇 ◎ 5S 5〇 in 00 in vb 00 •n § vS g 00 00 s wi »ri s s 卜; (N fN vd s K s g uS s wi m O s r4 rj SO iS s rj 2 VO '-Ο CN •n m to m Os 寸 雜 »6 § Μ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ © ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ § o s is 〇〇 g s g 00 ss s rn 00 s g; in § 〇 1·^ s JO 00 轿 駿 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ •η (N 卜 rj o cn fM rn V) <N Γ Η Ο ΓΛ Cv| CO »n CN 卜 (N o CO CN rn r4 Γ Η o rn <s cn Γ Η as (N fS rn cn Γ Η 〇\ (S ΓΊ rn 对 rn rs ON (N rn ΠΊ 卜 (N ON (N (Ν (^i #1 你 Μ 绷 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ 熔濺物產生量 (g/min) ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ g m 〇 CS g s s g ON s; o s o s 〇 00 o o 00 o *rt ON o s o o σ\ o s § 〇 S o s ο 蜮 酿 m 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 o 〇 〇 〇 〇 〇 〇 涯 摧 摧 « 摧 摧 m * 摧 摧 m 壊 m 摧 摧 埋 摧 « * 摧 埋 * 摧 摧 璀 m 摧 摧 璀 摧 璀 feS m > 領£ m m 〇 〇 O 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 3 <N *—< 1·« 00 (Ν (N 00 00 OS 00 cs *—H σ\ S3 ίΝ <N 1-H 00 ψ-m CN ON ψ-^ 00 m 塑？ 埋旦 筠 療 〇 〇 ◎ ◎ 〇 〇 ◎ ◎ 〇 〇 ◎ ◎ 〇 〇 ◎ ◎ 〇 〇 ◎ ◎ 〇 〇 ◎ ◎ 〇 〇 ◎ ◎ 〇 〇 ◎ o o >T) d «Λ c5 d xr> m O ο d Ο Ο ID d *n m d o o o o >T) d o V) m d s d o d W-i m d o d o d Vi d d •r» m d s d o d d U-) d s d o d {Q d ο ο d — ΓΛ U*5 卜 00 ON o (N »·Μ 卜 00 〇\ r3 s V〇 fS 00 iN a -30- 1316885 (2

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No.1〜56、88〜91，由於實心線材之組成成分符合本 發明的要件，極限進給速度（耐熔穿性）、耐過熔低陷性 、熔接金屬之硬度、耐裂痕性、熔濺物產生量、實心線材 之進給安定性、熔渣包覆率、夏比衝擊吸收能量（衝擊性 能）等的各評價項目，都獲得良好的評價結果（實施例， 參照表4、5、6之備考欄）。 另一方面，N 〇 . 5 7〜8 7 ' 9 2、9 3，由於實心線材之組 成成分不符合本發明的要件，前述各評價項目之任一者獲 得不良的評價結果（比較例，參照表5、6之備考欄）。 其具體內容如下所述。

No.57，由於C含量過少，熔接金屬之硬度不足。亦 即，熔接部之強度不足而缺乏泛用性。

No.58，由於C含量過多，造成過度脫氧，極限進給 速度變小，且過熔低陷深度變深。亦即，耐熔穿性、耐過 熔低陷性不佳。又熔濺物之產生量多，且發生凝固裂痕， 因此耐裂痕性不佳。

No.59，由於Si含量過少，熔接金屬之硬度不足。亦 即，熔接部之強度不足而缺乏泛用性。又由於實心線材之 電阻低，單位進給量之電流値變高。因此，熱輸入與電弧 力變大，容易發生熔穿與過熔低陷，耐熔穿性、耐過熔低 陷性不佳。

No.60，由於Si含量過多，造成過度脫氧，耐熔穿性 、耐過熔低陷性不佳。又夏比衝擊吸收能量之評價不佳， 溶接金屬產生脆化。 -33- (30) (30)1316885 Νο·61、62，由於Μη含量過少，熔接金屬之硬度不 足。亦即，熔接部之強度不足而缺乏泛用性。又由於實心 線材之電阻低，單位進給量之電流値變高。因此，熱輸入 與電弧力變大，容易發生熔穿與過熔低陷，耐熔穿性、耐 過熔低陷性不佳。且夏比衝擊吸收能量之評價不佳，熔接 金屬產生脆化。

No.63，由於Μη含量過多，造成過度脫氧，耐熔穿 性、耐過熔低陷性不佳。又由於產生多量的熔渣，熔渣包 覆率高。因此代表著塗覆性差。

No.64，Μη含量、C與S之合計含量、Ν含量都過多 。由於Μη含量過多，造成過度脫氧，耐熔穿性' 耐過熔 低陷性不佳。又由於產生多量的熔渣，熔渣包覆率高。因 此代表著塗覆性差。C與S個別的含量雖符合本發明的要 件，但C與S的合計含量超出上限値，因此發生凝固裂 痕。亦即耐裂痕性不佳。又由於Ν過多，夏比衝擊吸收 能量之評價不佳’熔接金屬產生脆化。

No.65，由於P含量過多，發生凝固裂痕。亦即耐裂 痕性不佳。又由於S含量過少，熔池的黏性與表面張力無 法降低至適當範圍，對於位於熔池前方之電弧’緩和其電 弧力之障壁作用無法產生。因此’耐熔穿性、耐過熔低陷 性不佳。

No.66，由於P含量過多，發生凝固裂痕。亦即耐裂 痕性不佳。又由於S含量過少，熔池的黏性與表面張力無 法降低至適當範圍，對於位於熔池前方之電弧’緩和其電 -34- (31) 1316885 弧力之障壁作用無法產生。因此’耐熔穿性、耐過熔低陷 性不佳。

No.67，由於S含量過少’熔池的黏性與表面張力無 法降低至適當範圍。因此’熔池無法獲得用來緩和電弧力 之障壁作用，結果耐熔穿性、耐過熔低陷性不佳。

No.68，由於S含量、C與S之合計含量都過多，產 生凝固裂痕。亦即耐裂痕性不佳’又由於熔滴的黏性與表 面張力過低，熔滴與熔池容易發生短路’熔濺物之產生量 非常多。又夏比衝擊吸收能量之評價不佳’熔接金屬產生 脆化。雖耐熔穿性良好，但熔池容易因重力造成垂落’上 板側容易發生過熔低陷，其耐過熔低陷性不佳。

No.69，C含量、Si含量、S含量、C與S之合計含 量全都過多。發生凝固裂痕故耐裂痕性不佳。耐熔穿性、 耐過熔低陷性不佳》又溶濺物之產生量多。此外，夏比衝 擊吸收能量之評價不佳，熔接金屬產生脆化。 Νο·70、71、72，C與S個別的含量雖符合本發明的 要件，但C與S的合計含量超出上限値，因此發生凝固 裂痕。亦即耐裂痕性不佳。 Νο·73，C與S個別的含量雖符合本發明的要件，但 C與S的合計含量超出上限値，且〇與Ν之合計含量超 出本發明規定之上限値，因此發生凝固裂痕。亦即耐裂痕 性不佳。

No· 74，由於Cr含量過多，熔池的黏性與表面張力過 高’耐熔穿性與耐過熔低陷性不佳。又由於產生多量的熔 -35- (32) 1316885 渣，熔渣包覆率很高。又熔濺物之產生量多。

No.75，由於Ni含量過多，熔池的黏性與表面張力過 高，耐熔穿性與耐過熔低陷性不佳。又熔濺物之產生量多 〇

No.76 > 77、78、79、80、81、82，分別由於 Al、Ti 、Nb、V、Zr、La、Ce之含量過多，熔池的黏性與表面 張力過高，耐熔穿性與耐過熔低陷性不佳。又由於產生多 量的熔渣，熔渣包覆率很高。且熔濺物之產生量多。

No.83，由於B含量過多，發生凝固裂痕，結果耐裂 痕性不佳。

No. 84，由於N含量過多，雖未產生氣孔缺陷，但熔 接金屬發生脆化。

No. 85，由於Ο含量過少，熔池的黏性與表面張力無 法降低至適當範圍。因此，熔池無法獲得用來緩和電弧力 之障壁作用，結果耐熔穿性、耐過熔低陷性不佳。 Νο·86，由於Ο含量過少、〇與N之合計含量過多， 夾雜物變多而發生裂痕。亦即，耐裂痕性不佳。此外，由 於熔池的黏性與表面張力過低而使熔滴與溶池間容易發生 短路，熔濺物之產生量非常多。又夏比衝擊吸收能量之評 價不佳’熔接金屬產生脆化。雖耐熔穿性良好，但熔池容 易因重力造成垂落，上板側容易發生過熔低陷，亦即耐過 熔低陷性不佳。又熔渣多，熔渣之包覆率高。亦即代表塗 覆性差。 Νο_87，由於Mo含量過多’熔池的黏性與表面張力 -36- (33) 1316885 過高，耐熔穿性、耐過熔低陷性不佳。且熔濺物之產生量 多。

No.92，屬流通於市面之一種實心線材，其Si含量與 S含量低於本發明的要件，P含量超出本發明的要件。由 於Si含量不足，熔接金屬之硬度不佳。因此熔接部之強 度不足，代表其缺乏泛用性。又由於實心線材之電阻低， 單位進給量之電流値變高。因此，熱輸入與電弧力變大。 又，由於S含量過低，熔池的黏性與表面張力無法降低至 適當範圍，熔池無法獲得用來緩和電弧力之障壁作用，故 容易發生熔穿與過熔低陷。亦即，耐熔穿性、耐過熔低陷 性不佳。此外，由於p含量過多’發生裂痕，結果耐裂痕 性不佳。

No.93，屬流通於市面之一種實心線材，其C、Μη、 B、Mo含量超出本發明的要件，S含量低於本發明的要件 。由於C含量與B含量過多，造成裏波熔接而發生裂痕 (耐裂痕性差）。又C、Μη、Mo之含量過多，S含量過 少，熔池的黏性與表面張力非常高，耐熔穿性與耐過熔低 陷性不佳。又熔濺物產生量變多。又由於Μη含量高，產 生多量的熔渣，熔渣包覆率高。亦即代表塗覆性不佳。 【圖式簡單說明】 第1 ( a )圖係使用習知實心線材進行電弧熔接時熔 池與熔接滲透深度之說明圖，第1(b)圖係使用本發明 的實心線材進行電弧熔接時熔池與熔接滲透深度之說明圖 -37- (34) 1316885 第2圖係用來說明本發明之實心線材之C與S含量 之適當範圍。 第3圖係用來說明搭疊塡角熔接試驗以及過熔低陷深 度的定義之說明圖。 第4圖係用來說明在評價耐裂痕性時評價對象之裂痕 〇 【主要元件符號說明】 2 :通電頭 4 :熔滴 5 :電弧 6 :熔池 3 1 :實心線材 A :突出部分

Li:電弧正下方之熔池溁度 L2 :熔接滲透深度 Pi :上推力 P2 :重力 -38-

Claims (1)

1316885 (1) 十、申請專利範圍 1. 一種用來進行電弧熔接之實心線材，係含有C: 0.005 〜0.060 質量％、Si: 0.60 〜1.00 質量％、Μη: 1.1〇 〜1.65 質量 ％、S: 0.045 〜0.090 質量％、0: 0.0015 〜 0.0100質量％，且前述C與前述S之合計含量在0.125質 量％以下’ Ρ含量0.017質量％以下，剩餘成分由Fe及雜 質所構成；在前述雜質中，含有Ti: 0.15質量％以下、B :0.0050質量％以下、N : 0.0075質量％以下，且將Cr、 Ni、Al、Nb、V、Zr、La及C e分別限制爲〇. 2 〇質量％以 下。 2 ·如申請專利範圍第1項之實心線材，其中’前述〇 與前述N之合計含量限制爲〇 . 〇 1 1 〇質量％以下。 3 .如申請專利範圍第1項之實心線材，其中含有Mo :0 · 3 0質量％以下。 4. 如申請專利範圍第1項之實心線材，其中，在前述 實心線材的表面，相對於前述實心線材全體，具有合計含 量爲 0_5 〜30ppm 之 K、Li、Na、Ca。 5. 如申請專利範圍第1項之實心線材，其中，在前述 實心線材的表面，前述實心線材每10kg含有〇.〇1〜1.00g 之 MoS2。 6 _如申請專利範圍第1至5項中任一項之實心線材， 其表面係用鍍銅披覆。 -39-