TWI314845B - Conductive metal plated polyimide substrate and process for manufacturing the same - Google Patents

Description

1314845 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及導電性金屬鍍敷聚醯亞胺基板以及其製造 方法。 【先前技術】 導電性金屬鍍敷聚醯亞胺基板作爲軟性印刷電路 (Flexible printed circuit:以下稱爲「FPC」）的核心材料 使用，比如，軟性敷銅箔的積層板（Flexible copper ciad laminate:以下稱爲「FCCL」）。 一般在FPC作爲絕緣膜層使用聚酯，聚醯亞胺，液晶 聚合物，氟樹脂薄板等，但是優先選擇耐熱性，尺寸穩定 性以及焊接性優秀的聚醯亞胺薄板。 此外，作爲導電性金屬之金屬材料，包括低電阻並導 電率優秀的金，銅等，主要使用價格優惠的銅。 此外，FCCL主要由聚醯亞胺層以及銅箔層構成，由層 合聚醯亞胺層和導電性金屬層之方法來看大體分爲兩種， 由聚醯亞胺層，黏合層以及導電性金屬層組成的三層 FCCL’以及由聚醯亞胺層，導電性金屬層組成的兩層FCCL 等。 但是，三層FCCL具有一些問題，例如難以形成微電路 圖案、低可撓性、及黏合層之低耐熱性等。此外，因黏合 層無法用於如焊接的高溫條件，而優先選擇兩層FCCL。 FCCL的製造方法大體分爲層合方法，鑄造方法以及鍍 敷方法。 1314845 層合方法是在聚醯亞胺薄膜上塗敷黏合劑以形成黏合 層，藉由在烘箱加熱固定聚醯亞胺薄膜上之黏合層，其後 在黏合層上敷銅薄膜之後壓縮加工，而製造積層的FCCL。 鑄造（casting)方法是銅薄膜層上塗敷液態聚醯亞胺， 鑄造加工之後製造積層的FCCL。 鍍敷方法是在鎪敷條件下，設置聚醯亞胺薄膜，在聚 醯亞胺薄膜上形成銅層，而製造積層的FCCL。 這些FCCL製造方法之中，層合方法以及鑄造方法僅可 使用某些種類的聚醯亞胺薄膜，以及使用的黏合劑存在一 些問題等，而鍍敷方法的優點爲不需要市售的銅薄膜，在 鑛敷過程中可藉由控制鍍敷條件來調節銅薄膜的厚度。 但是，以現在的鍍敷方法製造的FCCL之性質，例如剝 離強度比其他方法製造的FCCL降低，因此要求改善FCCL 之剝離強度等性質的導電性金屬鍍敷聚醯亞胺基板（尤其 是FCCL)之製造方法》 【發明內容】 本發明提供導電性金屬鍍敷聚醯亞胺基板以及其製造 方法。並且，本發明根據鍍敷方法提供兩層結構的FCCL 以及其製造方法。 爲了實現如上述目的，根據本發明的一態樣，提供一 種導電性金屬鍍敷聚醯亞胺基板，該導電性金屬鍍敷聚醯 亞胺基板包括表面的醯亞胺環被浸蝕並裂開的聚醯亞胺薄 膜層；以及含有第一導電性金屬薄膜及第二導電性金屬薄 膜的導電性金屬薄膜層。該第一導電性金屬薄膜係在上述 1314845 聚醯亞胺膜上以無電解鍍敷方式所形成，以及該第二導電 性金屬薄膜係在上述第一導電性金屬薄膜上以電鍍方式所 形成。 根據本發明的另一態樣係提供一種導電性金屬鍍敷聚 醯亞胺基板的製造方法，該導電性金屬鍍敷聚醯亞胺基板 的製造方法包括a)把聚醯亞胺膜的表面利用KOH、乙二 醇以及KOH混合溶液，或者利用三氧化鉻（無水）以及硫 酸混合溶液予以浸蝕；b )利用偶合劑使上述經浸蝕的聚醯 亞胺膜表面偶合；c)在上述聚醯亞胺膜上吸附催化劑；d) 不施加電流，在已吸附上述催化劑的聚醯亞胺膜上鑛敷第 一導電性金屬，以形成第一導電性金屬膜以及e )施加 電流，在該第一導電性金屬膜上形成第二導電性金屬膜。 【實施方式】 在以下詳細敘述中，僅描述較佳之具體實施例，簡單 地藉由發明人所預想的最佳模式進行本發明。應瞭解的 是，本發明能在不同之方面作各種變更，均未脫離本發明。 因此以下敘述實質上應視爲說明，而非侷限。 根據本發明實例的導電性金屬鍍敷聚醯亞胺基板係在 聚醯亞胺膜上鍍敷導電性金屬之後而得。因此，本發明實 例的導電性金屬鍍敷聚醯亞胺基板包括導電性金屬層以及 聚醯亞胺層。 在本發明使用的聚醯亞胺膜沒有限制，可包括多層聚 醯亞胺膜或者單層聚醯亞胺膜。 在本發明的實例，爲了便於理解，說明把銅薄膜利用 -7- 1314845 爲導電性金屬的FCCL —例。 根據本發明實例的FCCL包括聚醯亞胺薄膜以及銅鍍 敷層的兩層，該FCCL並不包括黏合層。 根據本發明實例的FCCL製造方法包括脫脂步驟，浸 蝕步驟，中和步驟，偶合步驟，附加催化劑步驟，活化反 應步驟，無電鍍敷步驟，及電鍍步驟。 以下，具體說明根據本發明實例的FCCL製造方法的 各步驟。並且，可在至少一個步驟施加超聲波。因聚醯亞 胺爲軟質材料，所以超聲波可引起活化反應。 1、 脫脂步驟 經由脫脂步驟去除製造聚醯亞胺或者處理過程中發生 的表面雜質（污染，油脂，指紋等）。上述雜質會降低FCCL 的剝落強度（Peel Strength，緊密黏合強度）。 在本發明實例並不限制脫脂步驟上使用的脫脂液成 分，通常使用鹼性護髮素或者洗髮液。 在本發明的實例脫脂步驟的溫度範圍約在20至28 °C， 脫脂步驟的維持時間是約5分鐘。 脫脂步驟的溫度範圍在2 0 °C以下時，因脫脂液的活性 低，得不到脫脂效果’脫脂步驟的溫度範圍在2 8 以上時’ 不能適當調整步驟處理時間。 2、 浸會虫步驟 在脫脂步驟得到的聚醯亞胺利用浸蝕溶液重整聚醯亞 胺表面。 在本步驟作爲浸蝕溶液最好使用KOH，乙二醇以及 1314845 KOH混合溶液’或者三氧化鉻（無水）以及硫酸混合溶液。 浸鈾步驟約在45至50。(：把聚醯亞胺膜在浸蝕溶液裡 約浸5〜7分鐘。 由本浸蝕步騾重整聚醯亞胺膜表面，以在之後的無電 鍍敷步·驟極大値化鏟敷層和聚醯亞胺層之間的緊密黏合， 並增進剝落強度。因如此的浸蝕步驟聚醯亞胺的醯亞胺環 被裂開並轉換爲醯胺基（-CONH)或者羧基（-COOH)，增 加反應性。 如此的浸蝕步驟溫度在4(TC以下時，浸蝕溶液的活性 低’得不到浸蝕效果，因長時間反應聚醯亞胺膜一部分會 受損，浸蝕步驟的溫度45 °C以上時，因急劇進行浸蝕，在 聚醯亞胺表面不能調整整體的均勻性以及連續性。 3、中和步驟 利用酸性中和溶液（上述浸蝕溶液爲鹼性時），或利 用鹼性中和溶液（上述浸蝕溶液爲酸性時），把在浸蝕步 驟得到的聚醯亞胺膜表面做中和處理。 在本步驟用酸性溶液的H+置換去除作用在上述浸蝕 步驟中得到的聚醯亞胺表面的醯胺基或者羧基並殘留的K + 離子或者Cr3+離子。 這些K +離子或者Cr3 +離子殘留在聚醯亞胺膜的表面 時，在以後的偶合步驟中，K +離子或者Cr3 +離子會與偶合 離子競爭，妨礙偶合離子和醯胺基或者羧基的反應。 中和步驟的溫度1 〇 °C以下時，反應液的活性低，得不 到預期的中和效果。而且’中和步驟的溫度3 0 °C以上時， 1314845 性 續 連 和 性 勻 均 的 體 整 膜 胺 亞 醯 聚 整 周 匕匕 會 不 應 反 劇 急 因 驟 步 合 09 0 驟 步 性 極 予 賦 聚 的 驟 步 和 中 自 得 在 液 溶 劑 合 侣 加 添 由 藉。 係行 驟進 步來 合膜 偶胺 亞 醯 ’ 亞高 合醯提 偶聚， 基因行 羧，進 或果地 基結利 胺。順 醯性更 的極驟 面予步 表賦敷 膜上鍍 胺膜電 亞胺無 醯亞使 聚醯可 與聚 ， 係在性 子子極 離離之 合合面 偶偶表 而膜 因胺 FCCL的剝落強度。 在本步驟作爲偶合劑可使用矽烷系偶合劑或者胺系偶 合劑。 作爲砂院系偶合劑可利用得自Shinetsu，Japan Energy 或者Dow corning之偶合劑等各種銷售產品。 胺系偶合劑可使用混合氫氧化鈉和單甲胺製造的鹼系 偶合劑或者混合乙（撐）二胺和鹽酸製造的酸系偶合劑。 本偶合步驟可根據偶合劑特性其反應條件不同予以控 制，使用矽烷系偶合劑時，偶合步驟係在約在2 5至3 0 °C 約浸5〜7分鐘。 5、酸洗步驟 利用酸性溶液在常溫浸漬在上述偶合步驟中得到的經 偶合的聚醯亞胺膜，並去除未結合在聚醯亞胺膜表面裂開 部位上的偶合離子。 當本酸洗步驟時間長，或使用酸性溶液的酸性過酸 時，會去除已經偶合的偶合離子或羧基，因此必須適當調 整反應條件，以避免移除與醯胺基或羧基偶合之偶合離子。 -10- 1314845 6、 附加催化劑步驟 在催化劑溶液浸漬上述黏合的聚醯亞胺膜，此時，催 化劑溶液中的鈀被吸附在聚醯亞胺膜表面上，且鈀係用來 做催化劑。 催化劑溶液是用鹽酸按1:1體積比率稀釋氯化鈀 (PdCl2)和二氯化錫（SnCl2)製造。 本步驟的反應時間過短時，聚醯亞胺表面上催化劑鈀 和錫的吸附率低，得不到催化效果，反應時間過長時，本 步驟溶液中的鹽酸會腐蝕聚醯亞胺表面，因此需適當調整 反應條件。 7、 無電鍍敷步驟 在無電鑛敷溶液裡浸漬上述附加催化劑的聚醯亞胺膜 並進行無電鑛敷。 無電鍍敷溶液包括硫酸銅無電鑛敷溶液及硫酸鎳無電 鍍敷溶液。硫酸銅無電鍍敷溶液係混合EDTA水溶液，苛 性鈉水溶液，甲醛溶液以及硫酸銅水'溶液而製造，硫酸鎳 無電鍍敷溶液係混合次磷酸鹽鈉，檸檬酸鈉，氨水以及六 水硫酸鎳水溶液而製造。 在此，無電鍍敷溶液爲了改良金屬物理性質可包括小 量光亮劑成分和穩定劑成分等。這些光亮劑和穩定劑再利 用無電鍍敷溶液以及保存長時間。 使用硫酸銅無電鍍敷溶液時，無電鍍敷步驟係不在硫 酸銅無電鍍敷溶液施加電流，把附加催化劑的聚醯亞胺膜 約在38至42°C溫度約浸漬25至30分鐘。像這樣，不加 -11- 1314845 電流形成鍍敷膜的方法叫無電鍍敷方式。 這時’在無電鍍敷步驟得到的無電鍍敷厚度可根據鍍 敷時間適當調整。 另一方面’無電鍍敷步驟的反應溫度約38°c以下時， 因鍍敷溶液的活性低，發生未鍍敷現象以及只有部分鍍 敷’而不能在聚醯亞胺膜上形成無電鍍敷層；無電鍍敷步 驟的溫度約42 °C以上時，因急劇鍍敷，而無電鍍敷膜上不 能滿足整體的均句性和緊密性。 使用硫酸鎳無電鍍敷溶液時，無電鍍敷步驟係把附加 催化劑的聚醯亞胺膜於硫酸鎳無電鍍敷溶液在約35至40 °C的溫度約浸漬2分鐘。 本步驟是爲以後的銨敷步驟之活性而必須進行，無電 鍍敷膜的厚度較佳約在Ο.ίμιη至〇.2μηι之間，較佳爲進行 至在該聚醯亞胺膜上找不到無鍍敷區域的程度。 8、鍍敷步驟 在鍍敷溶液裡浸漬無電鍍敷的聚醯亞胺膜，加電流進 行鍍敷步驟。 具體地說，在鍍敷溶液裡浸漬經無電鍍敷的聚醯亞胺 膜，約在40至45°C約30分鐘加2A/dm2電流並鑛敷，製 造含聚醯亞胺膜及形成於其上之銅鍍敷膜的兩層結構的 FCCL。在鍍敷反應過程中，攪拌鍍敷溶液，最小化鍍敷濃 度的不均勻。這些鍍敷條件根據銅鍍敷膜厚度適當調整。 在本實例鍍敷溶液可使用把硫酸銅水溶液 (CuS04-H20)，硫酸（HsSO4 )以及鹽酸（HC1 )混合溶液 -12- 1314845 用水（離子交換水）稀釋製造的鍍敷溶液。這些鍍敷溶液 可包括小量光亮劑以及添加劑。 在本實例鍍敷溶液可使用銷售中的鑛敷溶液（Enthone OMI，稀貴金屬，NMP等）。但是，並不使用銷售鍍敷溶液 的使用條件，而在更溫和的條件下經長時間進行鍍敷步驟。 長時間的鍍敷最大限度地抑制鍍敷膜內部的壓力而降 低硬度，可得到強度以及韌性優秀的鍍敷膜。 9、檢杳F C C L物理件質 根據本發明實例得到的FCCL鏟敷的連續性用肉眼觀 察並評價FCCL鍍敷程度。◎是FCCL整體樣品表面均勻地 鍍敷，〇是樣品表面鍍敷得均勻，△是存在未鍍敷的部分， X是指未鑛敷部分多。 根據JIS-647 1規格評價剝離強度（peel strength;樣 品平均値）以及耐彎曲性測試（R = 〇.38mm，5 00g，樣品平 均値）。 以下，爲了在本發明所屬的技術領域具有通常知識的 人容易利用通過實例詳細說明本發明。但是，本發明可以 各種不同的形態體現，並不限定於在此說明的實例裡。 在本發明實例使用的聚醯亞胺是寬度爲40mm，長度爲 200mm以及厚度爲25μιη的聚醯亞胺樣品（Aurum，三菱化 學），作爲製作FCCL的前處理在150°C乾燥約10分鐘， 去除聚醯亞胺內部的水分。下述實例是適合於上述聚醯亞 胺樣品的步驟，上述步驟根據聚醯亞胺樣品以及條件相關 -13- 1314845 行業者可適當變化。 眚例1_ 把聚醯亞胺樣品約在45至50°C溫度5M KOH裡約浸5 至7分鐘，以浸蝕聚醯亞胺樣品的表面。 將被浸蝕過的聚醯亞胺樣品用100ml/L HC1，在常溫 約浸5至7分鐘並中和處理表面。 其後，把含有胺基丙基三乙氧基矽烷的矽烷系偶合劑 稀釋到1.0〜1 · 5 %/L，把中和後的聚醯亞胺樣品浸入該經稀 釋的矽烷偶合劑約在2 5至3 0°C溫度浸漬5至7分鐘，約 在110 °C乾燥5分鐘左右。其後，用鹽酸水溶液洗滌。 其後，用氯化鈀（PdCl2，0.5/L)和二氯化錫（SnCl2, 2g/L )組成的溶液按1:1體積比率稀釋在鹽酸裡而製得催化 劑溶液，在室溫把經偶合處理的聚醯亞胺樣品在該催化劑 溶液中約浸漬5分鐘 其後，在由 EDTA水溶液（4.2g/L)，苛性鈉水溶液 (13.7g/L)，甲醛溶液（9.5g/L)組成的水溶液裡混合硫酸 銅水溶液（1 5.8 g/L )而製得硫酸銅無電鍍敷溶液，把催化 處理後的聚醯亞胺樣品不加電流在該硫酸銅無電鍍敷溶液 中約在40°C溫度浸漬25分鐘左右並進行無電鍍敷。其後， 把無電鍍敷的聚醯亞胺樣品約在110 °C乾燥10分鐘左右。

其後，用離子交換水稀釋硫酸銅水溶液（CuS04-H20)， 硫酸（H2S04)，鹽酸（HC1)的混合溶液而製得電鍍溶液， 把上述經無電鍍敷的聚醯亞胺樣品在該電鍍溶液中約在40 °C溫度浸漬5 0分鐘左右，加2 A / d m 2電流，並得到F C C L -14- 1314845 樣品。 實例2 在上述實例1，作爲浸蝕溶液除了使用把乙二醇 (2 0g/L )混合在5M KOH溶液裡並製造的浸飩溶液以外， 與上述實例1相同地進行，並得到FCCL。 實例3 在上述實例1，作爲浸蝕溶液除了使用三氧化鉻（無 水）以及硫酸混合溶液以外，與上述實例1相同地進行， 並得到F C C L。 根據本發明實例1至3測試FCCL的物理性質並圖示 在下述表1裡。 _【表1】 鍍敷程度. 銅膜/薄膜厚度娜 平均剝離強度 kg/cm . 耐彎曲性 實例1 ◎ 17.5/25 1.1 233 實例2 ◎ 18/25 1.2 ^ 245 實例3 Γ ◎ 18/25 1.2 241 實例4至實例6 在上述實例1至實例3，不是使用硫酸銅無電鍍敷溶 液，而是使用硫酸鎳無電鍍敷溶液以外，與上述實例1至 實例3相同地進行並得到FCCL樣品。 硫酸鎳無電鍍敷溶液係混合次磷酸鈉（40〜50 g/L)， 檸檬酸鈉（90〜160 g/L)’氨水（70~110 ml/L)，六水硫酸 鎳水溶液（30〜50 ml/L )而製造，無電鍍敷步驟是把催化 處理的聚醯亞胺樣品約在35至4〇°C的硫酸鎳無電鍍敷溶 液裡約浸提兩分鐘之後進行。 •15- 1314845 因此，在實例4作爲浸蝕溶液使用5M KOH水溶液， 在實例5作爲浸蝕溶液使用乙二醇和5M KOH混合溶液， 在實例6作爲浸蝕溶液使用三氧化鉻（無水）以及硫酸的 混合水溶液。 測試根據本發明的實例4至實例6得到的FCCL物理 性質之後表示在如下表2。 【表2】 鍍敷程度 鋼膜/薄膜厚度(/») 平均剝離強度(kg/cm) 耐彎曲性 實例4 ◎ 17.1/25 1.0 229 實例5 ◎ 17. 6/25 1.1 237 實例6 ◎ 17. 7/25 0.9 208 比較例子 1 在上述實例1，作爲浸蝕溶液除了使用氫氧化鈉（Na0H， 200g/L)水溶液之外，與上述實例1相同地進行步驟並得 到FCCL樣品。 測試根據本發明的比較例子1取得的FCCL物理性質 之後表示在如下表3。 【表3】 鍍敷程度 銅膜/薄膜厚度岬 平均剝離強度kg/cm 耐彎曲性 比較例子1 X - - - 比較例子 2 在上述實例3，作爲浸蝕溶液除了使用氟酸（HF 1 2 m 1 / L )以及硝酸（ΗΝ Ο 3 3 3 5 m 1 / L )混合製造的溶液之外， 與上述實例3相同地進行步驟，並得到F C C L樣品。 測試根據本發明的比較例子2取得的F C C L物理性質 之後表不在如下表4 。 -16- 1314845 【表4】 锻敷程度 銅膜/薄膜厚度挪 半均剝離強度kg/cm 耐腎曲性 比較例子2 X -* - - 像這樣’比較例子1使用氫氧化鈉（Na0H)代替在本發 明實例1使用的氫氧化鉀（K0H) ’如上述表3所不’比 較例子2的FCCL性質差，品質比實例1的FCCL明顯降低。 像這樣，比較例子2使用氟酸以及硝酸混合溶液代替 在本發明的實例3使用的三氧化鉻（無水）以及硫酸的混 合溶液，如上述表4所示，比較例子2的F C C L性質差’ 品質比實例3的FCCL明顯降低。 從這些比較例子1以及比較例子2結果可知道製造 FCCL時，根據重整聚醯亞胺膜表面並使用在浸蝕步驟的浸 蝕溶液的選擇，得到的FCCL品質大不相同。 根據本發明實例的導電性金屬鍍敷聚醯亞胺基板包括 表面的醯亞胺環被浸蝕並裂開的聚醯亞胺膜層，以及在聚 醯亞胺膜上以無電鎪敷方式形成的第一導電性金屬薄膜， 以及在第一導電性金屬薄膜上以電鑛方式形成的第二導電 性金屬薄膜的導電性金屬薄膜層。 浸蝕的聚醯亞胺層利用KOH、乙二醇以及KOH混合溶 液’或者利用三氧化鉻（無水）以及硫酸混合溶液'浸蝕並 形成。 第一導電性金屬薄膜包括金，鎳或者銅，使整個聚醯 亞胺膜不要產生未鍍敷部位，其形成鍍敷膜的厚度約爲 0 2 μιη 以下。 -17- 1314845 第二導電性金屬薄膜係由金或者銅所形成。第二導電 性金屬薄膜的厚度約在〇.5至30μιη之間’最好在約15至 2 0 μπι之間。 具體地說，根據本發明實例之金屬鏟敷聚醯亞胺基板 可爲通過本發明的實例1至實例3取得的FCCL。該FCCL 包括表面被浸蝕的聚醯亞胺膜，在上述聚醯亞胺膜上以無 電鑛敷方式形成的約〇.1至〇.2 μιη厚度的第一銅薄膜，以 及上述銅薄膜上以電鍍方式形成的第二銅薄膜。這時，包 括上述第一銅薄膜以及第二銅薄膜的銅薄膜總厚度是約17 至 1 9 μιη。 並且，通過本發明的實例4至實例6取得的FCCL包 括表面被浸蝕的聚醯亞胺膜，在上述聚醯亞胺膜上以無電 鍍敷方式形成約0.1至0.2 μιη厚度的鎳薄膜，以及在上述 鎳薄膜上以電鑛方式形成的銅薄膜。這時，包括上述鎳薄 膜以及銅薄膜的導電性金屬膜總厚度是約17至19μιη。 在上述說明了本發明的實例，但是本發明並不限定於 這些，在申請專利範圍和發明的詳細說明以及附圖範圍內 可不同地變形，當然這些也屬於本發明的範圍內。 工業應用性 本發明可製造可調節導電性鍍敷膜的厚度，並且剝離 強度以及彎曲性優秀的導電性金屬鍍敷聚醯亞胺基板。 並且，本發明的導電性金屬鍍敷聚醯亞胺基板因爲不 使用黏合層’所以耐熱性、耐藥品性、移動（migration) 特徵以及彎曲性優秀。 -18- 1314845 【圖式簡單說明】 無。 【元件符號說明】 無。

Claims (1)

1314845 第94145009號「導電性金屬鑛敷聚醯亞胺基板以及其製造 方法」專利案 (2009年4月修正） 十、申請專利範圍： 1、 一種導電性金屬鍍敷聚醯亞胺基板，包括 一聚醯亞胺膜層’具有裂開的醯亞胺環；以及 一導電性金屬薄膜層’位於上述聚醯亞胺膜層上，其 包括： 位於上述聚醯亞胺膜層上的第一導電性金屬薄膜，以 及 位於上述第一導電性金屬薄膜上的第二導電性金屬薄 膜， 其中上述導電性金屬薄膜層的厚度約爲O.hm至 3 Ο μιη > 上述第一導電性金屬薄膜係以無電鍍敷形成’及 上述第二導電性金屬薄膜係以電鍍形成。 2、 根據申請專利範圍第1項之導電性金屬鍍敷聚醯亞 胺基板，其中上述聚醯亞胺膜層的表面被ΚΟΗ，乙二醇以 及ΚΟΗ混合溶液’或者被三氧化絡（無水）以及硫酸混合 溶液浸蝕° 3、 根據申請專利範圍第1項之導電性金屬鍍敷聚酸亞 13安，其中上述第一導電性金屬包括選自金、鎳或者銅 之中的至少一者。 4、 f艮據申請專利範圍第1項之導電性金屬鍍敷聚醯亞 1314845 胺基板’其中上述第二導電性金屬包括在上述第一導電性 金屬薄膜上之金或者銅。 5、 根據申請專利範圍第1或3項之導電性金屬鍍敷聚 醯亞胺基板，其中上述第一導電性金屬薄膜形成在上述聚 醯亞胺膜整體上，其厚度約爲0.2 μιη以下。 6、 根據申請專利範圍第1項之導電性金屬鍍敷聚醯亞 胺基板’其中上述導電性金屬薄膜層的厚度約爲150„1至 2 0 μιη 〇 7、 一種導電性金屬鍍敷聚醯亞胺基板的製造方法，包 括下列步驟： a)把聚醯亞胺膜的表面利用ΚΟΗ，乙二醇以及ΚΟΗ 混合溶液，或者利用三氧化鉻（無水）以及硫酸混合溶液 浸蝕； b )利用偶合劑將上述浸蝕的聚醯亞胺膜表面予以偶 合； c )在上述聚醯亞胺膜上吸附催化劑； d )在經吸附催化劑的聚醯亞胺膜上並不供應電流鍍敷 第一導電性金屬，以形成第一導電性金屬薄膜；以及 e)在上述第一導電性金屬薄膜上供應電流鍍敷第二導 電性金屬，以形成第二導電性金屬膜。 8、 根據申請專利範圍第7項之導電性金屬鑛敷聚醯亞 胺基板的製造方法，其中上述a)〜e)之中的至少一個步驟 裡，係在聚醯亞胺膜上施加超聲波而進行。 9、 根據申請專利範圍第7項之導電性金屬鑛敷聚醯亞 -2- 1314845 胺基板的製造方法，其中步驟a)把上述聚醯亞胺膜在約45 °C至5 0°C的KOH、乙二醇以及KOH混合溶液，或者三氧化 鉻（無水）以及硫酸混合溶液裡約浸提5〜7分鐘。 1 0、根據申請專利範圍第7項之導電性金屬鍍敷聚醯 亞胺基板的製造方法，其中在上述步驟a)，上述聚醯亞 胺膜表面的醯亞胺基轉換爲醯胺基或者羧基。 11、根據申請專利範圍第7項之導電性金屬鍍敷聚醯 亞胺基板的製造方法，其中上述步驟d)所使用的鎪敷溶 液爲 混合乙二胺四乙酸（EDT A )水溶液，氫氧化鈉水溶液， 福馬林水溶液以及硫酸銅水溶液製造的硫酸銅鍍敷溶液， 或者 混合次磷酸鈉、檸檬酸鈉、氨水、六水硫酸鎳水溶液 製造的硫酸鎳鍍敷溶液。 1 2、根據申請專利範圍第1 1項之導電性金屬鍍敷聚醯 亞胺基板的製造方法，其中把該聚醯亞胺膜膜在約38 °C至 42°C溫度的硫酸銅鍍敷溶液裡約浸提25至30分鐘。 13、 根據申請專利範圍第11項之導電性金屬鍍敷聚醯 亞胺基板的製造方法，其中在把該聚醯亞胺膜在約3 5 °C至 4 0°C溫度的硫酸鎳鍍敷溶液裡約浸提兩分鐘。 14、 根據申請專利範圍第8項之導電性金屬鍍敷聚醯 亞胺基板的製造方法，其中上述第一導電性金屬包括選自 金，鎳或者銅之至少一者。 1 5、根據申請專利範圍第7項之導電性金屬鍍敷聚醯 1314845 亞胺基板的製 者銅。 1 6、根據 金屬鍍敷聚醯 金屬薄膜形成 金屬薄膜之厚 1 7、根據 金屬鍍敷聚酿 金屬薄膜與上 至 3 Ο μιη ° 1 8、根據 亞胺基板的製 述第二導電性 造方法，其中上述第二導電性金屬包括金或 申請專利範圍第7至1 5項中任一項之導電性 亞胺基板的製造方法，其中上述第一導電性 在上述聚醯亞胺膜整體上，且該第一導電性 度約爲0·2μιη以下。 申請專利範圍第7至15項中任一項之導電性 亞胺基板的製造方法，其中上述第一導電性 述弟—導電性金屬薄膜的總厚度約爲〇·5μιη 申請專利範圍第17項之導電性金屬鍍敷聚醯 造方法，其中上述第—導電性金屬薄膜與上 金屬薄膜的總厚度約爲15μπ1至2〇μιη。