TWI313861B

TWI313861B -

Info

Publication number: TWI313861B
Application number: TW093122522A
Authority: TW
Inventors: Kariyada Eiji; Ohkubo Shuichi; Tanabe Hideki
Original assignee: Nec Corp
Priority date: 2003-09-05
Filing date: 2004-07-28
Publication date: 2009-08-21
Also published as: WO2005023553A1; TW200511301A; JPWO2005023553A1; US20070002695A1

Description

1313861 五 '發明說明（1) 【發明所屬之技術領域】本發明係有關於藉著照射雷射光記錄及播放資訊之光學資訊記錄媒體及對本光學資訊記錄媒體記錄資訊後播放之光學資訊記錄媒體。【先前技術】隨著CD-R〇M(Compact Disc Read Only Memory :唯讀小型碟片）及DVD-R0M(Digi1;al Versatile Disc-ROM :唯讀DVD)急速的普及’最近cD-R(c〇mpact Disc

Recordable)及DVD-R(Digital Versatile Disc

Re cor dab 1 e)等使用者只能記錄一次之可追錄型之光學資訊記錄媒體（以下也稱為光記錄媒體或只稱為媒體）也加速的普及。在上述之CD-R及DVD-R，利用旋轉塗抹或蒸鍍等在基板上形成作為記錄層之感光性之色素層。而，為了實現和CD-ROM同等之反射率’在色素層上形成由A1或杬等金屬材料構成之反射層。在資訊之記錄及播放使用之半導體雷射光之波長’在CD-R係約780，在DVD-R係約650nm。而’在色素材料使用對於這種波長之半導體雷射光可實現可記錄之程度之光吸收率之材料。而’最近’關於藍紫色半導體雷射光之研究開發急速的進展，因而，波長380至4 30nm之半導體雷射光接近實用化。光記錄媒體之記錄密度主要依據在資訊之錄放使用之光束之聚光點尺寸而定。因聚光點尺寸和光束光之波長成正比，在錄放用之雷射光上，藉著使用波長比現在實用化

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1313861 五、發明說明（3) 380至430nm之範圍之誌蛰A 士策从二開發中，未開發可耐實用材：田二t色素材料尚在 -度記錄資訊後，董;，在色素層形成記號而記錄之資訊就劣化。雷射光時，所板上塗抹色素材料後，必須^用i 1卜丄在記錄層使用色素層之媒體，因記錄層之透；；二此 2無法製作形成2層以上之記錄層之可記射车低’ 學資訊記錄媒體之問題點。增之先又，在記錄層上使用令由Au、Ag^u t屬：子離散的分布之島狀金屬極薄膜，利用夾住本島狀金屬極薄膜之光記錄媒體，在記錄層膜 ^銼具有由直徑約數nm至數十nm之金屬粒子成二次i 散的粒子構造。因而，金屬粒子之量極微；： :己錄時令光碟片高速轉動時，記錄用雷射光之功率不】難形成信號品質高之記錄記號。又，因具有金 t元分布之離散的粒子構造，在播放時雜訊變高i此^一為了形成島狀之金屬膜，必須將其膜厚限定於约10nm以；之極薄之範圍，膜厚之控制困難。此夕卜，因利用形成有機樹脂膜，製程變得繁雜。、抹此外，在藉著照射雷射光令薄膜及基板變形而記訊之光記錄媒體，在記錄時因基板變形，、、，到雜訊低之播放信號。尤其為了高密度化距變窄，或進行在基板之槽部及槽部間形成之平坦之^陸第7頁 2l43-6468-PF(N3).ptd 1313861 ---—------— 五、發明說明（4) " ------ (#邛雙方s己錄之著陸/溝槽（land/groove)記錄時，因 ^ ’基板之變形也影響相鄰之記錄區域，難實現高密度吕己録。本發明鑑於上述之問題點，其目的在於提供易製造、 ^放光上使用藍紫色半導體雷射光之情況播放信號之品質也高、可記錄複數層之光學資訊記錄媒體及對光學資訊記錄媒體記錄資訊後播放之光學資訊之錄放裝置。解決課題之手段 ,本發明之光學資訊記錄媒體，包括基板及在基板上所形成之記錄層’藉著對本記錄層照射光記錄及播放資訊，其特徵在於：該記錄層包括：母相，由電介質構成；及複數微結晶粒，由分散於該母相中之金屬或合金構成；藉著光照射於該記錄層’在光照射之部分之該微結晶粒之大小變化，記錄資訊。在本發明’藉著對記錄層照射光，在記錄層之照射部分之微結晶粒之大小變化，本照射部分之反射率變化。因而，在記錄層之照射部分形成記號’可記錄資訊。又，在製造本光學資訊記錄媒體時，因不必利用旋轉塗抹等裝置形成有機樹脂膜’容易製造。又，該微結晶粒利用自由Α§、Cu、In、Pd以及Te構成之群所選擇之一種或2種以上之金屬構成之合金形成較好。此外，該微結晶粒利用含有〇. 3至25質量％之？(1及〇. 3 至2 5質量％之㈧，而剩下的由“及無法避免之雜質構成之

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五、發明說明（5)

AgPdCu合金形成，或者’該微結晶粒利用含有38至55質量 % iTe而剩下的由Ag及無法避免之雜質構成之AgTe合金形成；或者’該微結晶粒利用含有4 0至9 5質量％之I n而剩下的由Cu及無法避免之雜質構成之Cii In合金形成更好。因而，可令良好之錄放特性及良好之耐蝕性兩立。此外’該s己錄層由複數層構成’在該複數層之層間形成將該複數層之層相分離之光學分離層也可。因而，可在複數層各自記錄資訊，光學資訊記錄媒體之記錄密度提向。此外’該光係波長380至430nm之雷射光較好。因而，可在記錄層上形成小的Sp〇t，可令記錄密度提高。本發明之光學資訊之錄放裝置，對該光學資訊記錄媒體照射光，藉著令在該記錄層之該光照射部分之該微結晶粒之大小變化，令該部分之反射率變化，記錄資訊；藉著偵測該記錄層之反射率之差異播放該資訊。【實施方式】以下’參知附加之圖面具體說明本發明之實施形態。首先’說明本發明之實施形態1。圖1係表示本發明之實施形^1之光學資訊記錄媒體之剖面圖。此外，圖面之縱向及橫向之刻度尺及縱橫比係任意。如圖1所示，在本實施形態之光記錄媒體，設置碟片狀之透明樹脂基板i。透明樹脂基板丨之直徑例如係 12 0mm，厚度例如係〇. 6mm，在表面形成導引槽或預坑

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(frepit)(圖上未示）。然後，在透明樹脂基板依次將第一電介質層2、記錄層3、第二電介質層4以及反射層5疊 ' 接著，在反射層5上經由紫外線硬化樹脂層（圖上未示）黏貼厚度0.6mm之虚擬用透明樹脂基板（圖上未示）。透明樹脂基板1及虛擬用透明樹脂基板例如係代基板。又，第一電介質層2及第二電介質層4例如利用。^^%形成^ 此外’反射層5例如利用AlTi合金形成。而，在記錄層3由金屬或合金構成之微結晶粒7分散於由電介質構成之母相β。形成母相6之電介質例如係氧化物，介質，例如係二氧化矽（Si%)。又，形成微結晶粒7之金屬或合金例如係自銀（Ag)、銅（Cu)、銦（In)、鈀（pd)以及碲（Te)構成之群所選擇之一種或2種以上之金屬構成之合金，例如係含有0.3至25質量％之？(1及〇.3至25質量％之。，剩下的由Ag及無法避免之雜質構成之AgPdCu合金。又，呓錄層3之厚度例如係5~25nm，或7~15nm ’記錄層3係多結晶膜。在記錄層3之微結晶粒7之含有率例如係3 〇 ~ 8 〇體積％。此外，微結晶粒7之粒徑係l〇nm以下較好，例如係3〜7nm。此外，形成母相6之電介質未限定為二氧化矽（Si〇2)，例如係氧化鋁（Al2〇3)或氧化鈕（Τ&2〇5)也可。或，形成母相 ^之電’I質係氮化物電介質也可，例如係氮化（s i Ν )、氮化 t 或氮化（TaN)也可。或，係2種以上之該氧化物及/或 si化物之混合物或化合物也可。形成微結晶粒7之金屬或合金未限定為AgPdCu合金，例如係含有38至55質量，剩下的由Ag及無法避免之 1313861 五、發明說明^— -—-- 有；及$，，Te合金也可。在這些情況，微結晶粒7之含千及叔杈也位於上述之範圍較好。节:JB °兒明在本發明之各構件之數值限定理由。。匕錄層之厚度：5〜25nm 高，5厚度未滿—時’在記錄層之光之透射率變記錄率降低’變成難記錄資訊。而，高，在ΐίΐ 晴’在記錄層之光之反射率變成過因此之光之吸收率還是降低，變成難記錄資訊。因此》田己錄層之厚度係5〜25nm較女子。係7〜i5nm更好。之入右θ gPdCU α金形成微結晶粒之情況之Pd及Cu之各自 < s有罝：〇· 3至25質量％ ^ t，“早體對於硫磺及氯成分之耐蝕性低。而，Pd H ^定之物質。因此，崎抓1规〇質成之合金，在高、、二Λ Λ间但是’在只由⑽構高、、田古、a f t冋二衣兄中之耐蝕性低，將媒體放置於 ::间濕裱境中時可能發生腐蝕之情況。可是，對紅以人之Γ二生至更3〇二質量%之範圍添加。後，在高溫高濕 t蝕性更k两。又，在該成分範圍，pd之含有量係〇 3 至2 5質量％、Cu之含有量係〇· 3至25質量％時，錄放特性別良好。因此，在AgPdCu合金之pd及。之含、 3至25質量％較好。合目係U· 利用AgTe合金形成微結晶粒之情況之Te之含至55質量％ ^ δ 如上述所示，A g單體對於硫確及氣成分之耐兹性低

1313861 五、發明說明（8) 但疋，著添加33質量％以上之Te，對於硫磺及氯成分之耐，性提高。而，令AgTe合金中之。含有量增加下去時，隨著AgTe合金之熔點降低下去。AgTe合金之熔點過高時，為 1圯錄資訊需要提高雷射功率；而，AgTe合金之熔點過低蛉，所記錄之資訊之保存安定性可能降低。在將AgTe合金用作形成上述之記錄層之微結晶粒之合金時，希望AgTe合金之熔點位於4 0 0至7 〇〇之範圍。和本熔點對應之τ e之添加量係38至55質量％。因此，希望在AgTe合金之。之含有量係38至55質量％。

利用cuin合金形成微結晶粒之情況之In之含有量：4〇至95質量％

士 Cu單體之熔點係約丨〇83它，只利用Cu形成微結晶粒 ~為了妝射雷射光而記錄資訊，需要極高之雷射功率。，此，對Cu添加熔點低之In，利用熔點比Cu單體低之CuIn 二金形成微結晶粒較好。如上述所示，形成微結晶粒之材點係約400至70(TC較好，但是設In之添加量為鮮、里X時，CuIη合金之熔點就位於本溫度範圍。又，利 =本成分範圍之Cuin合金形成微結晶粒時，播放特性也良因此，在Cuin合金之ln含有量係4〇至95質量％較好。其次，說明本實施形態之光記錄媒體之製造方法。在預:^成了導引雷射光之導^槽或預坑（prepU)(圖上未不）之透明樹脂基板1上，利用線上型之濺鍍裝置依次形成以下所Γ之各層。首先’利用職鍍將ZnS-Si02膜成族，因而开v成第-電介質層2。接著，例如同時使用由s丄〇2構成之

1313861 五、發明說明（9) 標的（target)和由AgPdCu合金構成之標的之2種 ί mirget)，進行共滅鍍。因而，形成*AgPdCu合金構，之U粒7分散於由叫構成之母材6中之記錄層3。接者，利用濺鍍法將ZnS —Si%膜成膜，形成第二電介質層4。 3著：利用滅鍍法將A1Tl合金膜成膜，形成反射層5、：接 p a Γ ί糸外線硬化樹脂層，在反射層5將虚擬用透明樹曰基=層後’藉著照射紫外線令紫外線硬化樹脂層硬，，將虛擬用透明樹脂基板黏在反射層5。因而，實施形態之光記錄媒體。 I* t ί ΐ明如上述所示構成之本實施形態之光記錄媒 ° ί對本光記錄媒體記錄資訊之情況，在記錄用 ^ 7自透明樹脂基板1侧射入波長例如係380至樹二導體雷射光。本記錄用雷射光透射透明 7曰土第一電介質層2後照射於記錄層3。又，透射二記=之雷射光透射第二電介質層4，被反射層心化，相鄰之微結晶粒熱4部；之微結… 的大。隨著本粒徑之變化，記錄層3 化，部分之例如折射率或消光係數之光學常數變之及射盎田恭低、M列如，在雷射光照射前係2〇%之記錄層3 射光照射而降至7%。因而，在記錄層3之照訊：刀形成光之反射率比周圍低之記號，記錄資

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1313861 五、發明說明（10) "而’在播放本資訊之情況，令強度比上述之記錄用雷射光低之播放用雷射光自透明樹脂基板1側射入。本播放用雷射光之波長係例如可和記錄用雷射光之波長相同。本播放用雷射光透射透明樹脂基板1及第一電介質層2後照射於記錄層3，被記錄層3反射，再透射第一電介質層2及透明樹脂基板1後，向光記錄媒體之外部輸出。又，透射了 S己錄層3之雷射光透射第二電介質層4後，被反射層5反射，再透射第二電介質層4、記錄層3、第一電介質層2以及透明樹脂基板：1後向外部輸出。&時，在記錄層3 ‘記號 5己錄部）和以外之部分（非記錄部）因光之反射率相昱，在外之：分光，回光量(反射光量)相異。藉著㈣里差’可項出在記錄層3所記錄之資訊。在本實施形態，如上述所示，因藉著照射雷射先令了曰a粒熔化•凝聚後改變粒徑而記錄資訊，在使用 ^導體雷射光之情況播放信號之品f也高。又層使用色素’記錄記號部不會劣4。此外，因射光照射部之PC基板不會變形，在 =田此外，在上述之專利文獻】及非專利文獻增加。體’利用透明樹脂層之氣泡形成產生粒子之分布：;[錄： f記號’但是本實施形態、，令微結晶粒熔化；後丄』大小及形狀改變而形成記號。因❿，在本疑二後上述之專利文獻1及非專利文獻〗記載之技術相=心，和在和非記錄部之反射率之差大，播放信號之品質广己錄部本實施形態之光記錄媒體也適合如著陸/溝：㈤。因而’ 第14頁 2143-6468-PF(N3).ptd 1313861 五、發明說明（11) (land/groove)記錄之高密度錄放。此外，利用濺鍍法可連續的形成自第一電介質層2至 f射ί5ΛΛα’因不必在途中利用旋轉塗抹法等形成樹脂曰私簡單，容易製造。又，因不必將極薄層成膜，製造條件之控制容易。此外，因利用使用合金標的（^= ΐΠ?的(target)之共濺鍍形成記錄層，可形成微結曰曰二母相内均勻的分散之多結晶膜。結果，可實現在雷射光上可使用藍紫色半導體雷射光、播放信及容易製造之光記錄媒體。負门以 ^ 丄說明本發明之實施形態2。圖2係表示本實施形二，先子貝訊記錄媒體之剖面圖。如圖2所示，在本實施形態之光記錄媒體，設置直徑例如係120mm、厚度例如係〇· 6miD之碟片狀之透明樹脂基板1。在透明樹脂基板；[上自基板1側依次將反射層5、第一電介質層2記錄層3以及第二電介質層4疊層。接著’在第二電介質層4上經由紫外線硬化樹知層（圖上未示）黏貼厚度1〇〇以透明之pc薄膜（圖上未示），成為PC蓋層。又，在記錄層3由金屬或合金構成之微結晶粒7分散於由電介質構成之母相6。形成母相6之電"質例如係氧化物電介質，例如係二氧化石夕（S i )。又，形成微結晶粒7之金屬或合金例如係自銀、銅 (Cu)、銦（ln)、鈀（Pd)以及碲（Te)構成之群所選擇之—種或2種以上之金屬構成之金屬或合金，例如係含有〇 3至25 質量％2Pd及0.3至25質量^之以，剩下的由紅及無法避免之雜質構成之AgPdCu合金。在本實施形態之上述以外之構 2143-646S-PF(N3).ptd 第15頁 1313861 五、發明說明（12) 造和上述之實施形態一樣。其次，說明本實施形態之光記錄媒體之製造方法。首先’例如利用濺鍍法在透明樹脂基板1上AlTi合金膜成膜，形成反射層5。接著，利用濺鍍法將ZnS-Si02膜成膜，形成第一電介質層2。接著，一樣利用濺鍍法，例如同時使用由Si02構成之標的（target)和由AgPdCu合金構成之標的（target)之2種標的（target)，進行共濺鍍。因而，形成由AgPdCu合金構成之微結晶粒7分散於由Si〇2構成之母材 6中之記錄層3。接著，利用濺鍍法將ZnS —Si〇2膜成膜，形成第二電介質層4。然後，經由紫外線硬化樹脂層，將作為光透射層之透明之PC薄膜黏在第二電介質層4，形成pC 蓋層。因而，製造本實施形態之光記錄媒體。在本實施形態之光記錄媒體’記錄用雷射光及播放用雷射光側射入。在本實施形態之動作及效果和上述之^ = 的一樣。 t其次丄說明本發明之實施形態3。圖3係表示本實施形態之光學資訊記錄媒體之剖面圖。如圖3所示，在形態之光記錄媒體，設置2層之記錄層。即，設护如係、厚度例如係0.6_碟片狀之透 ^ 1，在透明樹脂基板1上自基板1侧依次將第一電介質層 h n錄層3a '第二電介質層4a、光學分離層8 二電介質層2b、第二記錄層扑、第四電介仙板圖上未示)以及虛擬用透明樹脂基曰且層。第—記錄層3a之厚度例如係Ο·、，第二記錄層

2143-6468-PF(N3).ptd 第16頁 1313861 五、發明說明（13) "— 3b之厚度例如係1 2nm。又’在第—記錄層3a及第二記錄層 3b ’微結晶粒7分散於母相6中。此外，光學分離層8例如利用紫外線硬化樹脂層形成。在本實施形態之光記錄媒體’記錄用雷射光及播放用雷射光自pC薄膜側射入。在本實施形態之上述以外之構造、製造方法以及動作和上述之實施形態1的一樣。在本實施形態，因在記錄層未使用色素材料，可提高記錄層之透射率，可形成2層之記錄層。因而，和記錄層° 係1層之光記錄媒體相比，可將記錄密度設為2倍。在本實施形態之上述以外之效果和上述之實施形態1的一樣。其次，說明本發明之實施形態4。在本實施形態之光記錄媒體，在厚度例如係丨_ 2mm之透明樹脂基板上依次將反射層 '電介質層、第二記錄層、電介質層、光學分離層、電介$層、第一記錄層、電介質層、紫外線硬化樹脂層以及PC蓋層疊層。又，在本光記錄媒體，記錄用雷射光及播放用雷射光自PC蓋層側射入。在本實施形態之上述以外之構造、動作以及效果和上述之實施形態3的一樣。此外’在上述之實施形態3及4 ’表示記錄層係2層之情況’但是記錄層係3層以上也可。因而，可令記錄密度更增加。其次’說明本發明之實施形態5。本實施形態係對於上述之實施形態卜4之光記錄媒體錄放資訊之光學資訊之錄放裝置（以下也只稱為錄放裝置）。圖4係表示本實施形態之光學資訊之錄放裝置之方塊圖。如圖4所示，在本實

1313861 五、發明說明（14) 施形態之錄放裝置，設置支撐並令轉動係光記錄媒體之光碟片1 0 0之主轴馬達1 01，設置控制本主軸馬達1 01之轉動之轉動用控制電路1 0 2。此外，光碟片1 0 0係上述之實施形態1 ~4之其中之一之光記錄媒體。又’在本錄放裝置設置光讀取頭104 ’在光讀取頭設置以波長例如為380至43 Onm之藍紫色半導體雷射光為記錄用雷射光及播放用雷射光照射光碟片1 〇〇之雷射光源（圖上未示）及偵測來自光碟片1 〇 0之回光之光偵測器（圖上未示）。此外’設置進行光讀取頭1 〇 4之位置控制、焦點控制以及追蹤控制之伺服控制電路1 〇3。此外’設置錄放電路1 0 5，在記錄時驅動光讀取頭j 〇 4 内之雷射光源，將記錄用雷射光聚光於轉動之光碟片之既定之位置，記錄資訊；在播放時，令光讀取頭〗04内之雷射光源輸出播放用雷射光’而且令光讀取頭内之光偵測器偵測來自光碟片1 〇〇之回光後，依照本偵測結果播放所記錄之資訊。又，錄放電路1〇5依照測出信號…產生基於在光碟片10。所記錄之資二：資料信號以外，還產生表示光碟片上之照射位置之擺動 (W^bU)，號、表示焦點誤差之焦點伺服誤差信號以及表不追蹤誤差之追蹤伺服誤差信號等信號。又，5又置擺動（Wobble)偵測電路1〇6，依照自第二導電型半導體層15輸出之信號偵測擺動(w〇bb 位址偵測電路107，囍荽魃士抵知/u ^ r + ^ ^ a者將本擺動（Wobble)偵測電路106之輸出^虎解3周而解碼’偵測表示光碟片100上之光束之聚

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第18頁 I313861 五、發明說明（15) ^位置之位址資訊。此外，設置同步信號產生電路1〇9，依照擺動（Wobble)偵測電路106之輸出信號產生同步信唬，设置播放責料處理電路丨丨〇 ,依照來自本同步信號產 ^電路109之同步信號，將自錄放電路1〇5輸出之播放資料 g號解調後，進行播放資料信號之錯誤訂正，產生播放資此外’設置界面111，自播放資料處理電路11〇輸入播貝料後，向外部之主電腦（圓上未示）輸出本播放資料，且自主電腦輸入記錄資料及記錄/播放指示資料後，向 2資料處理電路108輸出記錄資料，向後述之控制器ιι2 輸出S己錄/播放指示資料。鉍咨ί:，設置記錄資料處理電路108，自界面111輸入記 2育枓後，對本記錄資料附加錯誤訂正碼，而且變換成適 ο，錄之格式後調變，向錄放電路丨05輸出。又，設置控 1斋11 2，自界面111輸入記錄/播放指示資料， 2 =路m輸人位址資訊’自飼服控制電路丨彳轉動用控制電讀、祠服控制電路m以及錄錚放ίΐ之明如上述所示構成之本實施形態之录放裝置之動作。首先’說明在光碟片100記料首ί ’自主電腦向界面111輸入記錄指“資料及〇己錄負料。界面1 1 1向控制琴 _ _ 、 y記錄資料處理電路108輸出記：資料V控；不^二動用控制電路102輸出控制信號後，轉動用第19頁 2143-6468-PF(N3).ptd 1313861 五、發明說明（16) 驅動主轴馬達ιοί，令光碟片1〇〇轉動。而’記錄資料處理電路丨〇8對自界面丨丨1所輸入之記錄 =貝料附加錯誤訂正碼’變換成適合記錄之格式後調變，向錄放^路1 05輸出。然後，錄放電路1 〇5依照本記錄資料驅動$讀取頭104内之雷射光源，本雷射光源將記錄用雷射光聚光於轉動之光碟片1〇〇之既定之位置。本記錄用雷射光係波長例如係380至430nm之藍紫色半導體雷射光。因而’依據在上述之實施形態1所說明之原理在光碟片1 〇〇之記錄層形成記號，記錄資訊。此¥，光讀取頭1 〇 4之光偵測器向錄放電路〗〇 5輸出偵測信號，錄放電路105依照本信號，產生擺動（w〇bble)信號、焦點伺服誤差信號以及追蹤伺服誤差信號後，向擺動 (Wobble)偵測電路106輸出。擺動（w〇bbleH|測電路依照錄放電路105之輸出信號偵測擺動（w〇bMe)信號後，盥焦點伺服誤差信號及追蹤伺服誤差信號一起向位址偵測電路107輸出，而且向同步信號產生電路1〇9輸出擺 (Wobble)信號。位址偵測電路107藉著將擺動（w〇bble)偵測電輸出信號解調而解碼，偵测表示光碟片1〇〇上之光之

2置之位址資，’與焦㈣服誤差信號及㈣之聚佗號一起向控制器112輸出。控制器丨丨2依照位址次—_ =、點飼服誤差信號以及追蹤词服誤差信號控制飼服焦 103，伺服控制電路103進行光讀取頭1〇4之位置控ζ制電路點控制以及追蹤控制。此時，伺服控制電路〗〇 3 ^、焦阿控制器

1313861 五 '發明說明（17) " __ 1J2輸出回授信號。χ ’同步信號產生電號後，向記錄資料處理電路1〇8輪出。產生同步信其次，說明播放在光碟片丨〇〇所記動作。首先，白古雷J心貝Α之情況之

自主電恥向界面111輸入播放指示資料^ I 面⑴向控制器112輸出本播放指示資料 H 2 ”控制電麵輸出控制信號後，轉動用二：上 16動主軸馬達101 ’令光碟片1〇〇轉動。又，控制 7 放電0路>105輸出控制信號，錄放電路105令驅動；讀取°頭雷射光先而讀Λ頭:04之雷射光源向光碟片100輸出播放用雷射先，而且光讀取頭1〇4之光偵測器偵測來自光碟片1〇〇之回光二此外，播放用雷射光係波長例如係380至/30_之藍紫色半導體雷射光。因而，依據在上述之實施形態J所 δ兒明之原理讀出在光碟片1 〇〇所記錄之資訊。然後’光讀取頭1 0 4之光偵測器之輸出信號輸入錄放電路1 0 5，錄放電路1 〇 5依照本信號，產生播放資料信號、擺動（Wobble)信號、焦點伺服誤差信號以及追蹤伺服誤差信號後’向播放資料處理電路11 〇輸出播放資料信號，而且向擺動（Wobble)偵測電路106輸出擺動（Wobble)信號、焦點伺服誤差信號以及追蹤伺服誤差信號。擺動（w〇bb丨e ) 偵測電路106向同步信號產生電路l〇9輸出擺動（Wobble)信號’同步信號產生電路109依照擺動（Wobble)信號產生同步信號後’向播放資料處理電路11 〇輸出。然後，播放資料處理電路11 0依照同步信號將播放資料信號解調，進行播放資料信號之錯誤訂正後，產生播放資料，向界面111

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五 '發明說明（18) 輪出。然後，界面1 1 1向外邱夕士 φ邮认，l 因而，播放右氺碟H1 ° 電鲕輸出本播放資料。播放在先碟片1 00所記錄之資訊。此外，此據和上述之資訊記錄時一檨叙每依行光讀取賴4之位置控制隹制電路1 03進 υ Λ實施形1^光學f訊之錄放裝置對於上述實施形態光s己錄媒體記錄資訊後，可播放本資訊。因而，在 2 用及播放用之雷射光上，因可使用藍紫色半導體雷射先’可令光記錄媒體之記錄密度提高。實施例1 夕- ？下二具體說明本發明之實施例。首先，⑧據在上述貫施形先、1及2所說明之方法’製造了成為評估對象之光碟媒體Q學資訊記錄媒體）。在光碟媒體上，製造了如在亡述之實施形態1所示之自透明樹脂基板侧射入雷射光之光記錄媒體（以下稱為基板射入媒體）及如在上述之實施形態2所示之自蓋層(PC薄膜）側射入雷射光之光記錄媒體 (以下稱為蓋層射入媒體）之2種媒體。即，在預先形成了導引槽或預坑（prepit)之透明樹脂基板上，利用線上型之濺鍍裝置依次形成各層。以下，表示各媒體之層構造。此外，在以下之說明，將自基板侧依次將「A層」、「b 層」、、「C層」疊層之構造記為（A/B/C)。基板射入媒體之層構造為（PC基板/第一電介質層/記錄層/第二電介質層 /AlTi反射膜/UV黏接層/虛擬PC基板）。又，蓋層射入媒體之層構造為（PC基板/ AlTi反射膜/第一電介質層/記錄層/

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第一電介質層/ UV黏接層/pc蓋層）。記錄層在濺鍍之標的（target)上使用由既合金構成之合金標的（target)和由電介質槿出刀 C rget)之2種禚的（target)，利用共濺鍍同時形成。記錄層中之母相及微社B牛成八、旦。斟夂掃AA,+ 怕汉倣、、、。阳粒之成/刀在各媒體間令相異對各裇的（hrget)各自獨立的投入電力，各膜時之電力，使得由合金構成曰物奶6 ^ 雪入# m + a 構成之斂、，、口日日拉均勻的分散於由電"質構成之母相中。又，將基板配置成相對於各 (target)平行的相向，而且令按照4〇rpm之轉速公轉'Γ。利用本公轉運動，因透明樹脂基板交互的通過合金桿的 (target)上及電介質標的（target)上，可令微結晶粒均句的分散於記錄層中。又，在電介質層上形成2nS_Si ，在反射層5上形成AlTi膜》、評估如上述所示製造之光碟媒體之錄放特性。關於錄放特性之評估，使用在上述之實施形態5所示之光學資訊之錄放裝參照圖4)，利用雜訊變成之記錄功率記錄週期為8T之信號，評估本信號之播放信號品質及播放光耐性。關於播放信號品質之評估，播放上述之8T信號後，量測其C/N比（Carrier to Noise Ratio :載波雜訊比）。若 C/N比係53Db以下可判斷播放信號品質良好。又，關於播放光财性之評估’利用比播放功率大0. 2mW之功率在同一軌道播放10萬轉’量測與8T信號之C/N比之起始值之變化量。又’對於部分光碟媒體，利用TEM(透射型電子顯微鏡）觀察在記錄層之記錄部及非記錄部，量測微結晶粒之

1313861 五、發明說明（20) 粒徑。在表1表示量測條件。又，在表2表示記錄層之微結晶粒及母相之成分、記錄功率、播放信號品質（8T信號之 C/N比）以及播放光耐性（8T信號之C/N比之變化量）。此外，在表2，例如「AggsPc^CUi」表示具有Ag98質量％、Pdl 質量％、Cul質量％之成分之AgPdCu合金。本表示方法在以下之實施例也一樣。又，在「層構造」之攔之「基板」表示基板射入媒體，「蓋」表示蓋層射入媒體。 [表1]

媒體種類基板射入媒體蓋層射入媒體雷射光之波長(λ) 405nm 405run 數値孔徑(ΝΑ) 0.65 0.85 線速(m/秒） 5.6 5.1 記錄頻率 55 MHz 66MHz 記錄功率 3^7.5 mW 播放功率 0.5 Mw 0.4 mW

2143-6468-PF(N3).ptd 第24頁 1313861 五、發明說明（21) [表2] 實施例餍構造記錄層記錄功率 8TC/N 播放光耐性 No. 微結晶粒母相 (mW) (dB) (dB) 1 基板 AggsPdiCui Si〇£ 10.5 56.3 0 2 基板 Ag3sPd1Cu1 Al^Oa 10.3 55.8 0 3 基板 AggsPdiCui Ta2〇5 10.8 55.6 0 4 基板 Ags.ePdj.Cu! SiN 10.7 56.2 0 5 基板 AgssPdiCui AIN 10.9 55.7 0 6 基板 AggePdiGuj. TaN 10.6 55.9 0 7 蓋 AggePdiCui Si〇2 6.3 55.8 0 8 蓋 Aggs^diCui Al^Oa 6.2 55.4 0 9 蓋 AggsPdxCui T a£〇5 6.6 55.6 0 10 蓋 Ag98PdiCui SiN 6.5 55.7 0 11 蓋 Agg8PdxCui AIN 6.6 54.8 0 12 蓋 AggePdiCui TaW 6.4 55.2 0 在表2所示之No. 1及No. 7之光碟媒體，在記錄層之微結晶粒之結晶粒徑在非記錄部係約3 ~ 7nm，在記錄部係約 30 ~ 80nm。因而，得知因照射雷射光，微結晶粒之粒徑變大。如表2所示，藉著共濺鍍利用(質量％)合金形成記錄層之微結晶粒 '利用氧化物電介質或氮化物電介質形成母相之光學資訊記錄媒體，顯示高的播放C/N比，播放光财性也良好。實施例2 利用和上述之實施例1 一樣之方法，製作利用AgTe合金形成了微結晶粒之光碟媒體，評估其特性。本光碟媒體

2143-6468-PF(N3).ptd 第25頁 1313861 五、發明說明（22) 之層構造设為和上述之實施形態1 —樣之基板射入媒體及和實施形態2 —樣之蓋層射入媒體 <=在表3表示記錄屠之微結晶粒及母相之成分、記錄功率、播放信號品質（8T信號之C/N比）以及播放光耐性（8T信號之C/N比之變化量）。此外，光碟媒體之製造方法、評估方法以及表3之記載方法和上述之實施例1的相同。此外，由Ag : 51質量％及了e · 49質量％構成之成分和由Ag : 55原子％ &Te : 45原子％構志之成分相等。〇成寳施例 No. 層構造記錄層記錄功率 (mW) 8TC/N (dB) 播放 (dB) 微結晶粒母相 13 基板 AgslTe49 Si〇£ 9.5 56.2 0 14 基板 AgjiTe4s Alg〇3 9.9 56.2 0 15 基板 Ag{1Te49 9.1 56.4 n 16 基板 Ag51Te49 SiN 9.6 55.8 —----- n 17 基板 AgsxTeqg AIN 9.7 55.3 ---- π 18 基板 Ag51Te4S TaN 9.7 55.9 ------- n 19 蓋 Ag51Te4S Si〇£ 5.2 55.9 ------ 〇 20 蓋 AgslTe49 AlgOg 5.8 56.1 21 蓋 Ag51Te4s Tag〇5 5.7 5S η u ---— 22 蓋 Ag51ITe4g 3iN 55.1 0 ’ 〇 23 蓋 AgiiTe4s AlN P ir -π 24 蓋 AgiiTe49 TaN 5.2 55.2 0 --—--- 0 [表3] 在表3所示之牝_16及Νο.22之光碟媒體，在微結晶粒之結晶粒徑在非記錄部係約3〜7⑽，在之约30~8〇nm。因而，得知因照射雷射光，曰二錄4係

2143-6468-PF(N3).ptd 1313861 五、發明說明（23) 變大。又，如表3所示，藉墓_μ·、也 ^ ^ ^^ ,a Λ\Aδ:^ 1 *%) ^ ^ 質形成母相之光學資訊記錚婵體二二：J化物電介 u邱烁體’顯不咼的播放C/N比，而且播放光耐性也良好。此外，微結晶粒由、了&合金 (質量％)，或Ag46Te54合金（質量％)構成，在包括母相由氧化物電介質或氮化物電介質構成之記錄層之光碟媒冑，也得到和表3所示之播放特性一樣之結果。實施例3 利用和上述之實施例1 一樣之方法，製作利用Cu〖n合金形成了微結晶粒之光碟媒體，評估其特性。本光碟媒體之層構造設為和上述之實施形態1一樣之基板射入媒體及和實施形態2—樣之蓋層射入媒體。在表4表示記錄層之微結晶粒及母相之成分、記錄功率、播放信號品質（8 T信號之C/N比）以及播放光耐性（8T信號之C/N比之變化量）。此外’光碟媒體之製造方法、評估方法以及表4之記載方法和實施例1的相同。

2143-6468-PF(N3).ptd 第27頁 1313861 五、發明說明（24) [表4] 實施例 No. 曆構造記錄層言己錄功率 (mur) 8TC/N (dB) 播放光耐性 (dB) 微結晶粒母柑 25 基板 CU50 工 nso sio2 56.4 0 26 基板 Cuso 工 nso AJ_£〇3 9.3 55.9 0 27 基板 CUso 工 ΪΧ50 Ta2Oj 9.6 55.6 0 28 基板 Cu^〇Tn$〇 SiN ς c. 9 η 29 基板 CU50 工 AIN ——^ 9-1 55.8 〇 30 基板 Cu5〇In5〇 TaN 9.5 55.2 0 31 蓋 Cu50In50 Si〇2 5.3 56.4 0 32 盖 Cu£0 工 n50 Al2〇3 5.1 ς c. 1 π 33 蓋 CU50 工 η·5〇 Ta205 . 5.7 55.2 0 34 蓋 CU5〇Xn.5〇 8iN 5.5 r c n 35 蓋 CU50II150 AlW 5.4 sJ ^ , t ς ς q υ π 36 蓋 Cu5〇Xn50 TaN —~-_ 5.7 55.1 υ 0 在表4所示之No. 26及No_ 32之光碟媒體，在記錄層之微結晶粒之結晶粒徑在非記錄部係約3〜7nm，在記錄部係約30〜80nm。因而，得知因照射雷射光，微結晶粒之粒徑又，如表所不，藉著共濺鍍利用Cujnj質量％)合金形成記錄層之微釔晶粒、利用氧化物電介質或氮化物電介質形成母相之光學資訊記錄媒體，顯示高的播放C/N比，而且播放光耐性也^好。此外，微結晶粒由Cu6qI〜（質量 %)或Cu5In95合金（質量％)構成，在勹紅 4 5 95 ^ mm,在包括母相由圖3所示之《：化物電介質或氣化物電介質構成乳得到和表4所示之播放特性一樣之結果。〜未琛體也

2143-6468-PF(N3).ptd 第28頁 1313861 五、發明說明（25) 此外，在上述之實施例卜3，將記錄用雷射光及播放用雷射光之波長設為40 5nm，但是確認了只要係波長380至 4 3 0 n m之範圍之雷射光’可得到和上述之結果一樣之效果。在上述之實施例卜3 ’雷射光之波長比3 8〇nm短時，因在PC基板之雷射光之吸收急速的增加’無法良好的記錄及播放。又’雷射光之波長變成44〇nm以上時，因在記錄層之吸收率降低’在記錄時需要更高之記錄功率，難高速的記錄資訊。自以上得知’在資訊之記錄及播放使用之波長位於380至430nm之範圍較好。

實施例4

其次’調查了線速對播放特性之影響。圖5係在橫軸取在記錄時及播放時光碟媒體之線速，在縱軸取8T信號之 C/N比，表示線速對播放信號品質之影響之圖形。在本實施例4，在光碟媒體上使用如在上述之實施形態所示之基板射入媒體，利用共濺鍍形成記錄層，利用s i 〇2形成母相.’利用A^Pd/u!合金、Ag51Te49合金或Cu5Qln5Q合金形成了微結晶粒。對於這種光碟媒體，令線速在3.〇至11〇]11/秒之範圍變化，記錄週期為8T之信號後播放，量測了對於各線速之C/N比。關於上述以外之光碟媒體之製造方法及量測方法_和上述之實施例丨的一樣。在圖5表示量測結果。如圖5所不，上述之光碟媒體在上述之線速範圍顯示良好之 C/N比之值，得知也可應用於高速記錄。此_外，在形成記錄層之微結晶粒之合金上使用實施例 1 3所示之各成分之合金，在包括將這些合金和上述之各

1313861 五、發明說明（26) 電介質共濺鍍所形成之記錄層之光碟媒體，得到和圖5所示之結果相同之效果。又，在上述之貫施例1 ~ 4，如上述所示，說明了使用合金標的（target)及電介質標的（target)，進行共难鍍而形成記錄層之情況，但是令將上述之合金材料及電介質材料燒結或熔化後作為一種標的（target)，利用使用這種標的（target)之濺鍍法形成記錄層也可。在此情況，也得和圖5所示之結果相同之效果。實施例5 其次，評估包括了2層記錄層之光碟媒體之播放特性。本光碟媒體之層構造和上述之實施形態丨所示之基板射入媒體及實施形態4所示之蓋層射入媒體相同。即，基板射入媒體之層構造為（PC基板/電介質層/第—記錄声/土離層/電介質層，第二記錄層/電介質層〉反 ⑼基板/反射層/電介質層，第二記錄層/電介質m 離層/電介質層/第一記錄層/電介f層/ uv黏接:刀層）。又，利用Ag98PdlCUl合金、Ag5iTe49合金以及^ ^孤人 Πΐίΐίί微結晶•’利用叫形成母相。：外5，°i 弟3己錄層之厚度設為7nm，將第二記錄層之 1 2 n in。關於這也b朵雄拔柄夕p 又 ”、、上述之實施例γ的Λ媒體之上〇外之構造及製造方法和評估照這樣所製造之光碟媒體之播和上述之實施例1-樣。在表5表示第—記錄層J =

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1313861 五、發明說明（27) 性，即在第一記錄層之微結晶粒及母相之成分、記錄功率、播放信號品質（8T信號之C/N比）以及播放光耐性（8T信號之C/N比之變化量）。又，在表6表示第二記錄層之播放特性，即在第二記錄層之微結晶粒及母相之成分、記錄功率、播放信號品質（8T信號之C/N比）以及播放光耐性（8T信號之C / N比之變化量）。 [表5] 實施例層構造記錄層記錄功率 8TC/N 播放光耐性 Wo, 微結晶粒母相 (mW) (dB) (dB) 37 基板 Agse^diCui Si〇2 9-1 56.1 0 38 基板 Ag5iTe4g Si〇£ 10.2 55.7 0 39 基板 CU50 工 Hso Si〇£ 9.4 56.0 0 40 蓋 AgssPdiCui SiOj 5.3 55.6 0 41 蓋 AgslTe43 Si〇£ 5.5 56.2 0 42 蓋 CU50 工 Si〇£ 5-9 55.3 0 [表6] 寶施例層構造記錄層 i己錄功率 8TC/N 播放光耐性 No. 微結晶粒母相 (mW) (dB) (dB) 43 基板 AggsPdiCu! Si〇2 9. 9 55.6 0 44 基板 Ag5iTe4s Si〇£ 10.7 55.8 0 45 基板 Cu5〇Xn5〇 Si〇2 10,2 55,4 0 46 蓋 AgssPdiCui Si〇2 5.8 55.1 0 47 蓋 AgjiTe4g Si〇2 6.1 55.7 0 48 蓋 Cu50 工 nJ0 Si02 6.3 55.1 0 如表5及表6所示，得知在用光學分離層分離了記錄層之2層記錄媒體，第一記錄層及第二記錄層之播放C/N比得

2143-6468-PF(N3).ptd 第31頁 1313861 五、發明說明（28) - 到和記錄層為1層之記錄媒體一樣之高值，而且在播放光耐性上也在實用上無特別的問題。產業上之可應用性本發明可適合應用於藉著照射藍紫色半導體雷射光記錄及播放資訊之CD-R及DVD-R等光學資訊記錄媒體。發明之效果 ’令S己錄層之微結晶粒之在記錄及播放用之光上使現播放信號之品質高、胃若依據本發明，藉著照射光大小變化，可記錄資訊。因而，用藍紫色半導體雷射光，也可實製造之光學資訊記錄媒體。

2143-6468-PF(N3).ptd 第32買 1313861 圖式簡單說明【圖示簡單說明】

圖1係表示本發明之實施形態1之光學資訊剖面圖。 ° f己錄媒體之圖2係表示本發明之實施形態2之光學剖面圖。資訊記錄媒體之圖3係表示本發明之實施形態3之光學剖面圖。資訊記錄媒體之圖4係表示本發明之實施形態5之光學資之方塊圖。、訊之錄放裝

圖5係在橫軸取在記錄時及播放時光碟媒體 =縱：取8T信號之C/N比’表示線速對播放響之圖形。筲之影【主要元件符號說明】 1透明樹脂基板 2b第三電介質層 3 a第一記錄層 4、4a第二電介質層 5反射層 7微結晶粗 9虛擬用透明樹脂基板 101主轴馬達 1 0 3伺服控制電路 10 5錄放電路 2、2a第一電介質層 3記錄層 3b第二記錄層

6母相 8光學分離層 100 102 104 106 光碟轉動用控制電略光讀取頭擺動（Wobble) # 測電路

第33頁 1313861 圖式簡單說明 1 0 7位址偵測電路 1 0 9同步信號產生電路 111界面 I Ο 8 記錄資料處理電路 II 0 播放資料處理電路 11 2控制器

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Claims

Μ% 曰修正本六、申請專利範圍 1. 一種光學資訊記錄媒體，包括基板及在基板上所形成之§己錄層，藉著對本記錄層照射光S己錄及播放資訊，其特徵在於：該記錄層包括：母相’由電介質構成；及複數微結晶粒，由分散於該#相中之金屬或合金構成，藉著光照射於該記錄層，在光照射之部分之該微結晶粒之大小變化，記錄資訊。 2. 如申請專利範圍第1項之光學資訊記錄媒體，其中’該微結晶粒利用自由Ag、Cu、In、Pd以及Te構成之群所選擇之一種或2種以上之金屬構成之合金形成。 3. 如申請專利範圍第2項之光學資訊記錄媒體，其中，該微結晶粒利用含有〇. 3至2 5質量％之卩(1及0. 3至2 5質量％之〜，而剩下的由Ag及無法避免之雜質構成之AgPdCu 合金形成。 4. 如申請專利範圍第2項之光學資訊記錄媒體，其中’該微結晶粒利用含有38至55質量％ iTe而剩下的由Ag 及無法避免之雜質構成之AgTe合金形成。 5. 如申請專利範圍第2項之光學資訊記錄媒體，其中’該微結晶粒利用含有4 〇至9 5質量!％之I η而剩下的由Cu 及無法避免之雜質構成之Cu In合金形成。 6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之光學資訊記錄媒體’其中，該電介質係氧化物電介質。

2143-6468-PF2(N3).ptc 第35頁 13138^4— "] Γ 931£2522|_年月曰修正_ 7. 如申請專利範圍第6項之光學資訊記錄媒體，其中，該氧化物電介質係自由二氧化矽、氧化鋁以及氧化钽構成之群所選擇之一種或2種以上之氧化物。 8. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之光學資訊記錄媒體，其中，該電介質係氮化物電介質。 9. 如申請專利範圍第8項之光學資訊記錄媒體，其中，該氮化物電介質係自由氮化矽、氮化鋁以及氮化钽構成之群所選擇之一種或2種以上之氮化物。

1 0 .如申請專利範圍第1至5項中任一項之光學資訊記錄媒體，其中，該基板係透明基板，包括：第一電介質層，在本基板和該記錄層之間形成；第二電介質層，在該記錄層上形成；以及反射層，在本第二電介質層上形成；令該光自該基板側向該記錄層射入。 11.如申請專利範圍第1至5項中任一項之光學資訊記錄媒體，其中，包括：反射層，在該基板和該記錄層之間形成；

第一電介質層，在本反射層和該記錄層之間形成；第二電介質層，在該記錄層上形成；以及光透射層，在本第二電介質層上形成；令該光自該光透射層側向該記錄層射入。 1 2 .如申請專利範圍第1至5項中任一項之光學資訊記錄媒體，其中，該記錄層由複數層構成，在該複數層之層間形成將該複數層之層相分離之光學分離層。

2143-6468-PF2(N3).ptc 第36頁 mem __案號 93122522_年月曰修正_ 六、申請專利範圍 1 3.如申請專利範圍第1至5項中任一項之光學資訊記錄媒體，其中，該光係波長380至43 Onm之雷射光。 1 4. 一種光學資訊之錄放裝置，其特徵在於：對申請專利範圍第1至1 3項中任一項之光學資訊記錄媒體照射光，藉著令在該記錄層之該光照射部分之該微結晶粒之大小變化，令該部分之反射率變化，記錄資訊；藉著偵測該記錄層之反射率之差異播放該資訊。

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