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TWI313771B - Liquid crystal display device, electro-optical device - Google Patents

Liquid crystal display device, electro-optical device Download PDF

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TWI313771B
TWI313771B TW092102005A TW92102005A TWI313771B TW I313771 B TWI313771 B TW I313771B TW 092102005 A TW092102005 A TW 092102005A TW 92102005 A TW92102005 A TW 92102005A TW I313771 B TWI313771 B TW I313771B
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TW
Taiwan
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liquid crystal
functional element
crystal display
display device
electrode
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Application number
TW092102005A
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TW200304569A (en
Inventor
Yasushi Yamazaki
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Description

1313771
(1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於液晶顯示裝置、光電裝置及其製造方法 、電子機器。 【先前技術】 液晶顯示裝置係由:使畫素電極與爲了控制該畫素電 極之TFT(Thin Film Transistor薄膜電晶體)等之開關元件 ,配置於相互交叉成矩陣狀之複數資料線及掃描線間,所 構成之元件基板;和形成有對向於畫素電極之對向電極的 對向基板;與塡充於此等兩基板間之液晶所形成之液晶顯 示面板(顯示部)所構成。該開關元件是電性連接於供給像 素訊號的該資料線,以及被依序施加有掃描訊號的該掃描 線。而且,在液晶顯示面板的週邊外側區域,配設有控制 該開關元件的開閉或液晶顯示的掃描線驅動電路以及資料 線驅動電路。 而且在液晶顯示裝置中,於該液晶顯示面板的週邊外 側區域不僅該掃描線驅動電路以及該資料線驅動電路,亦 外附安裝種種感測器等元件,或各種電路(1C)等各種功能 元件(例如專利文獻1)。 [專利文獻1] 日本特開平5-80314號公報(第6頁,圖1) (2) 1313771 【發明內容】 [發明槪要] 可是,以外裝於液晶顯示面板外部之形式,安裝各種 構件時,以基板來看,不助於觀察時之顯示週邊安裝領域 將會變大,對以特定所限制基板內之液晶顯示裝置之高功 能化有其限度,而用於外裝的液晶顯示裝置之整合化係較 爲困難。 而且,功能元件也僅能搭載像可搭載於液晶顯示面板 的週邊外側區域的種類的構件;例如像功能元件要做矩陣 配置,均勻地二組配置相同功能才較佳的構件的情形或佔 有面積寬的區域型的構件的情形等,則無法搭載其功能元 件,對於可搭載的功能有其限界。 再者,對於在前述液晶顯示面板以外附的形式安裝功 能元件的情形,爲了使液晶顯示面板與功能元件爲不同構 件,製造液晶顯示面板的製程與製造功能元件的製程需分 別進行,故招致製程數增加、製程變長、成本上升。 本發明係有鑑於上述事情而發明之,其目的爲於液晶 顯示面板之週邊外側領域,無需外裝功能元件,且可搭載 包含無法搭載於外側領域之種類之構件的功能元件,進而 可達成高整合化或高功能化,同時,提供可降低成本之液 晶顯示裝置、光電裝置和其製造方法、電子機器。 爲了達成上述目的,與本發明有關的第一液晶顯示裝 置,具有排列成矩陣狀的複數個像素與驅動此像素的驅動 元件,其特徵爲:在由複數個該像素構成的供於顯示的區 -6- (3) 1313771 域(所謂像素顯示區域)內配置具備與該驅動元件的功能不 同功能的功能元件。 如果依照上述本發明的第一液晶顯示裝置,在由構成 液晶顯示裝置的複數個像素構成的供於顯示的區域內部, 因可作成組裝功能元件的構成,故在供於顯示的區域內部 可內裝種種功能,可謀求高功能化、高積集化。
而且爲了達成上述目的,與本發明有關的第二液晶顯 示裝置’具有排列成矩陣狀的複數個像素,與由驅動此像 素的驅動元件以及驅動該像素用的訊號的配線層構成的供 於顯示的區域’其特徵爲:在該供於顯示的區域內,在對 該驅動元件或該配線層重疊的位置具備與該驅動元件的功 能不同功能的功能元件。
如果依照上述本發明的第二液晶顯示裝置,對配線層 或驅動元件而重疊的位置,係即使爲以透過模式的顯示、 或以反射模式的顯示中任一者也不影響進行顯示時的顯示 品質的位置,故藉由利用此位置藉由將功能元件形成於供 於顯不的區域內,則內建功能元件會達成高功能化,同時 也不會降低顯示品質。 而且爲了達成上述目的,本發明的第三液晶顯示裝置 ’具有各像素以預定的間隔排列成矩陣狀的複數個像素與 驅動此像素的驅動元件,其特徵爲:在與該排列成矩陣狀 的複數個像素同一面內配設複數個具有與該驅動元件的功 能不同功能的功能元件,並且使此複數個功能元件的相互 間的間隔與該排列成矩陣狀的像素的間隔不同。 (4) 1313771 如果依照上述本發明的第三液晶顯示裝置,形成複數 個像素與複數個功能元件於同一平面內,藉由使複數個各 功能元件的間隔與複數個各像素的間隔不同,可盡可能降 低複數個功能元件造成的光的透過的妨礙,且可組裝功能 元件’在同一製程內進行形成像素的製程與製造功能元件 的製程,且謀求高功能化也不使顯示品質下降。 在上述構成的液晶顯示裝置中,加寬上述功能元件的 間隔較佳。 如果依照此構成,像素顯示區域內的功能元件的配設 數會減少,可降低功能元件的平面的佔有區域,可寬廣地 形成有助於透過光的顯示的區域,使開口率的下降最小, 防止顯示品質的下降。 . ~ * 而且,對於功能元件的配置,配設功能元件於挾持有 液晶的一對基板之中’與形成有該驅動元件以及該配線層 的一方的基板面對的他方的基板也可以。此情形可在該他 方的基板設置配設於面對該驅動元件的位置的遮光層,使 該功能元件中介存在於該遮光層與該他方的基板之間而配 設。或者也能形成該功能元件於面向該遮光層的該液晶側 。或者也能形成該功能元件於與面向該他方的基板的該液 晶側相反側的面。而且,配設該功能元件於挾持有液晶的 一對基板之中形成有該驅動元件以及該配線層的一方的基 板也可以。 而且爲了達成上述目的,本發明的第四液晶顯示裝置 ’具有各像素以預定的間隔排列成矩陣狀的複數個像素與 (5) 1313771
驅動此像素的驅動元件,其特徵爲:在與該排列成矩陣狀 的複數個像素同一面內配設複數個具有與該驅動元件的功 能不同功能的複數個功能元件,並且使具有第一功能的複 數個功能元件的相互間的間隔與該排列成矩陣狀的像素的 間隔不同,且在不與具有該第一功能的複數個功能元件熏 疊的位置,使具有與該第一功能不同功能的複數個功能元 件的相互間的間隔與該排列成矩陣狀的像素的間隔不同。 如果依照上述本發明的第四液晶顯示裝置,可搭載具 有不同功能的至少兩種類的功能元件,同時藉由使這些功 能元件的配置間隔與像素間隔不同,可盡可能降低配設複 數個功能元件造成的光透過的妨礙且組裝功能元件。
而且爲了達成上述目的,本發明的第五液晶顯示裝虞 ,具有排列成矩陣狀的複數個像素與驅動此像素的驅動元 件,其特徵爲:在與該排列成矩陣狀的複數個像素同一面 內配設複數個具有與該驅動元件的功能不同功能的功能元 件’並且使該像素的面積與功能元件的面積不同。此情形 例如可加大該像素的面積。 如果依照本發明的第五液晶顯示裝置,因可依照功能 元件的功能或性能與像素的佔有面積獨立而設定面積’故 可提高設計的自由度。而且,加大像素的面積的情形可抑 制配設功能元件造成的顯示品質的下降。 在上述本發明的第二液晶顯示裝置中,該配線層構成 互相交叉的複數條資料線與複數條掃描線,在被該資料線 與該掃描線包圍的區域具有分別配設的液晶驅動用的像_ -9- 1313771 (6) 電極’並且以該功能元件具有一對電極,令該一對電極互 相平面地交叉而配設於挾持有液晶的一對基板的每一個的 構成也可以。此構成爲組合主動矩陣型的液晶顯示裝置與 被動矩陣型的功能元件的例子。 或者具有排列成矩陣狀的複數個像素,與液晶驅動用 的複數個掃描電極以及與該複數個掃描電極平面地交叉的 複數個資料電極的液晶顯示裝置,以在供於顯示的區域內 配置有具有電氣連接於互相交叉的複數條資料線以及複數 條掃描線的功能元件用電極的功能元件的構成也可以。此 構成爲組合被動矩陣型的液晶顯示裝置與主動矩陣型的功 能元件的例子。或者以在供於顯示的區域內配置有具有功 能元件用電極的功能元件,液晶驅動用電極兼具該功能元 件用電極的構成也可以。 而且,該功能元件包含複數種類的各功能構件也可以 〇 本發明的第一光電裝置,具有排列成矩陣狀的複數個 像素與驅動此像素的驅動元件,其特徵爲:在由該複數個 像素構成的供於顯示的區域內配置具備與該驅動元件的功 能不同功能的功能元件。 以上雖然本發明以液晶顯示裝置來說明,惟具備這種 功能元件者並未限定液晶顯示裝置,本發明也能適用於具 有像素驅動用元件的其他光電裝置。此情形也可得到與上 述液晶顯示裝置的情形同樣的功效。 本發明的第二光電裝置,具有排列成矩陣狀的複數個 -10- 1313771 (7) 像素,與由驅動此像素的驅動元件以及驅動該像素用的訊 號的配線層構成的供於顯示的區域,其特徵爲:在該供於 顯示的區域內,對該驅動元件或該配線層重疊的位置配置 具備與該驅動元件的功能不同功能的功能元件。
本發明的第三光電裝置,具有各像素以預定的間隔排 列成矩陣狀的複數個像素與驅動此像素的驅動元件,其特 徵爲:在與該排列成矩陣狀的複數個像素同一面內配設複 數個具有與該驅動元件的功能不同功能的功能元件,並且 使此複數個功能元件的相互間的間隔與該排列成矩陣狀的 像素的間隔不同。
本發明的第四光電顯示裝置,具有各像素以預定的間 隔排列成矩陣狀的複數個像素與驅動此像素的驅動元件, 其特徵爲:在與該排列成矩陣狀的複數個像素同一面內配 設複數個具有與該驅動元件的功能不同功能的複數個功能 元件,並且使具有第一功能的複數個功能元件的相互間的 間隔與該排列成矩陣狀的像素的間隔不同,且在不與具有 該第一功能的複數個功能元件重疊的位置,使具有與該第 一功能不同功能的複數個功能元件的相互間的間隔與該排 列成矩陣狀的像素的間隔不同。 本發明的第五種光電裝置,具有排列成矩陣狀的複數 個像素與驅動此像素的驅動元件,其特徵爲:在與該排列 成矩陣狀的複數個像素同一面內配設複數個具有與該驅動 元件的功能不同功能的功能元件,並且使該像素的面積與 功能元件的面積不同。 -11 - (8) 1313771 本發明的第一光電裝置的製造方法,具有排列成矩陣 狀的複數個像素與驅動此像素的驅動元件,其特徵爲:在 由該複數個像素構成的供於顯示的區域內形成具備與該驅 動元件的功能不同功能的功能元件。 本發明的第二光電裝置的製造方法,具有排列成矩陣 狀的複數個像素’與由驅動此像素的驅動元件以及驅動該 像素用的訊號的配線層構成的供於顯示的區域,其特徵爲
在該供於顯示的區域內,對該驅動元件或該配線層重 疊的位置形成具備與該驅動元件的功能不同功能的功能元 件。
本發明的第三光電裝置的製造方法,具有各像素以預 定的間隔排列成矩陣狀的複數個像素與驅動此像素的驅動 元件,其特徵爲:在與該排列成矩陣狀的複數個像素同一 面內形成複數個具有與該驅動元件的功能不同功能的功能 元件,並且使此複數個功能元件的相互間的間隔與該排列 成矩陣狀的像素的間隔不同。 本發明的第四光電裝置的製造方法,具有各像素以預 定的間隔排列成矩陣狀的複數個像素與驅動此像素的驅動 元件,其特徵爲:在與該排列成矩陣狀的複數個像素同一 面內形成複數個具有與該驅動元件的功能不同功能的複數 個功能元件,並且使具有第一功能的複數個功能元件的相 互間的間隔與該排列成矩陣狀的像素的間隔不同,且在不 與具有該第一功能的複數個功能元件重疊的位置,使具有 -12- 1313771 (9) 與該第一功能不同功能的複數個功能元件的相互間的間隔 與該排列成矩陣狀的像素的間隔不同。 本發明的第五光電裝置的製造方法,具有排列成矩陣 狀的複數個像素與驅動此像素的驅動元件,其特徵爲:在 與該排列成矩陣狀的複數個像素同一面內配設複數個具有 與該驅動元件的功能不同功能的功能元件,並且使該像素 的面積與功能元件的面積不同。 本發明的電子機器,其特徵爲具備上述本發明的光電 裝置。如果依照本發明,可實現顯示品味優良,具備利用 觸控鍵(Touch key)、溫度的顯示補正功能等多種功能的置 子機器。 【實施方式】 [較佳實施形態之詳細說明] 以下參照圖面具體地說明本發明的較佳實施形態的一 例。 % [第一實施形態] (液晶顯示裝置的全體構成) 首先,參照圖1以下說明關於本發明的第一實施形態 的液晶顯示裝置的全體槪略構成。圖1是顯示液晶顯示裝 置的全體的槪略構成的一例的槪略斜視圖。 本實施形態的液晶顯示裝置1如圖丨所示例如爲主動 矩陣型的液晶顯示面板,由在一面形成矩陣狀的開關元件 -13- (10) 1313771 (驅動元件)(在圖1不圖示但詳細於後述)以及形成有像素 電極1 1的元件基板20,與面對前述元件基板20配設的 對向基板30,與藉由在這些元件基板20以及對向基板30 間封入液晶而形成的液晶層40構成。此外’在對向基板 3 0的四邊的周緣元件基板2 0上形成沿著前述對向基板3 0 的周緣之未圖示的密封材,藉由此四邊的密封材可封入液 晶。
而且,在圖1的液晶顯示裝置1中,構成在對向基板 30的周邊的外側區域A ;與由複數個像素1 0構成供於顯 示的區域,由在對向基板30內大致相同的輪廓構成的像 素顯示可能的像素顯示區域B。在對向基板30的周邊的 外側區域A中,該開關元件的開閉或顯示控制用的資料線 驅動電路3以及掃描線驅動電路4係配設於元件基板20 上,資料線驅動電路3沿著元件基板20的一邊,掃描線 驅動電路4沿著接鄰此一邊的一邊而配設。
此外,此處構成該像素顯示區域B的形成矩陣狀的複 數個像素10之中,一個像素1〇包含全部使一個像素動作 用的構成要素也就是包含像素電極、選擇像素電極用的開 關元件、保持電容、給予像素電極電位用的掃描線以及資 料線(任一個在圖1都未圖示,詳細於後述)、液晶層40 等的空間性元件。而且,一個像素被稱爲平面地由掃描線 與資料線區分的矩形的區域。但是,對於具有包含後述的 R(紅)、G(綠)、B(藍)的不同顏色的色素層的彩色濾光片 (Color fUter)的液晶顯示裝置的情形,以上所稱的像素爲 -14- (11) 1313771 —個點(Dot),而以R、G、B的三點構成一個像素。 而且在本實施形態中,更於前述像素顯示區域B內的 &意空間內,配設任意個具有與該開關元件不同功能的功 能元件1 8。亦即使配設於外側區域A的構件等,配設於 像素顯示區域B的空間內。以下更詳細地說明關於液晶顯 示裝置的平面構造中的功能元件的配設位置、液晶顯示裝 ®的剖面構造中的功能元件的配設位置。
('液晶顯示裝置的平面構造) 首先針對液晶顯示裝置1的平面構造參照圖2來說明 °圖2是在本實施形態的液晶顯示裝置中於由形成矩陣狀 的複數個像素構成的像素顯示區域的一部分中,由對向基 板側(圖1的C1方向)看元件基板與於其上的各構成要素( 圖1的C2區域部分)的俯視圖;其顯示元件基板的相接鄰 的複數個像素群的各種元件、配線層、像素電極等。
在液晶顯示裝置1的元件基板20上如圖2所示,包 含排列成矩陣狀的複數個像素電極1 1,與用以對應前述 像素電極1 1,排列成矩陣狀對該像素電極1 1供給預定的 電位用的可開關(Switching)驅動的複數個開關元件12(在 本發明稱爲[驅動元件]),與選擇排列成矩陣狀的複數個前 述開關元件1 2用的配線層亦即複數條掃描線1 3 a,與經由 該掃描線1 3a的掃描訊號被令成斷開(Off)狀態的開關元件 1 2而對像素電極1 1通電的配線層亦即複數條資料線】4a ,與構成防止以液晶層40保持的預定的電壓的遺漏的儲 -15- (12) 1313771 存電容用的配線層亦即電容線1 3 b,與在應配設有像素電 極11的區域取代像素電極11而配設,具備與前述開關元 件1 2的功能不同功能的功能元件1 8而構成。 此處’功能元件1 8與像素電極1 1 一樣被配置於掃描 線1 3 a、電容線1 3 b、資料線1 4 a、1 4 b包圍的區域。即功 能元件1 8是藉由將像素電極1 1置換成功能元件1 8,而配 設形成有習知像素電極1 1的區域。而且,功能元件1 8是 任意取代複數個像素電極11之中任一個像素電極11而配 · 設。 此外’在本實施形態中用以使功能元件1 8動作的配 線’係將選擇前述開關元件12用的掃描線13a,兼用爲選 擇功能元件1 8用的[功能元件用的掃描線];另一方面與 選擇開關元件1 2用的資料線1 4a不同,配設功能元件用 的資料線1 4 b。前述掃描線1 3 a、前述資料線1 4 a、1 4 b分 別連接於前述圖1所示的掃描線驅動電路4、前述圖1所 示的資料線驅動電路3。 % 像素電極11例如由ITO(銦錫氧化物,Indium Tin Oxide)膜等的透明導電性薄膜形成,透過接觸孔(c〇ntact hole) 12c與成爲構成開關元件12的電晶體的通道區域的 半導體層12a電氣連接。 此外’在本實施形態中假設令像素電極1丨與掃描線 13a、資料線14a、資料線14b、電容線13b等的配線層在 俯視不重疊地’配置有前述像素電極1 1的情形;因此, 與有助於顯示的區域P與像素電極n的輪廓大致相等地 -16- (13) 1313771 構成。此外而且,不問形成配線層與像素電極於同層或不 同層。 開關元件12例如以TFT(Thin Film Transistor,薄膜 電晶體)等形成,在電晶體的通道區域的半導體層12a的 一部分之上構成。經由閘極膜與掃描線13a電氣連接,並 且經由資料線1 4a與接觸孔1 2b電氣連接。
而且,藉由構成開關元件12的半導體層12a經由接 觸孔12c與像素電極11電氣連接,使開關元件12與像素 電極1 1的導通爲可能。 掃描線13a爲脈衝地以預定的時序(Timing)由例如線 順序依次施加掃描訊號G 1、G2…用的配線層,電氣連接 於開關元件1 2,並且也電氣連接於功能元件1 8。
資料線14a爲例如線順序地供給圖像訊號SI、S2·.·用 的配線層,與開關元件12電氣連接。據此,藉由以掃描 訊號G 1、G2...僅接通開關元件1 2 —定期間,用以藉由預 定的時序寫入由資料線1 4供給的圖像訊號S 1、S 2…。 資料線14b爲供給或讀出訊號S1’...,與功能元件18 電氣連接。據此,藉由以掃描訊號Gl、G2...僅接通功能 元件18的開關一定期間,以由資料線14讀出功能元件 1 8的資訊或寫入。在本實施形態中,構成像素電極用的 資料線1 4a與功能元件用的資料線1 4b,而如訊號S 1、 Sr、S2...般地供給、讀出。 此處,取代像素電極11配設功能元件18的情形,[ 功能元件用的掃描線]與[功能元件用的資料線]的配線的做 -17- (14) 1313771 法,爲如以像素電極1 1的掃描線1 3 a與像素電極1 1的資 料線1 4 a,分別重複的方式來三維地配設的構成也可以; 但爲了不使製程長,僅功能元件1 8的資料線1 4b與像素 電極1 1的資料線1 4b獨立配設,而功能元件的掃描線1 3a 利用與選擇像素電極1 1的開關元件1 2的掃描線1 3a相同 者較佳。 電容線1 3 b爲在與半導體層1 2 a之間形成電容用的配 線,經由像素電極1 1被寫入液晶層40的預定位準(Level) 的圖像訊號S 1、S 2 ...被保持於一定期間,爲了防止被保持 的圖像訊號遺漏而構成儲存電容。 功能元件1 8若爲具有與開關元件1 2不同功能的各種 元件、各種構件、各種半導體電路的話,爲所有種燎的元 件都可以。例如可舉出檢測使用顯示用的電極保持的電位 的變化的觸控面板(T 〇 u c h p a n e 1)等的(二維配置的)感測器 (Sensor)、光電二極體(Photodiode)、像素的反饋電路、各 像素的可溫度補正的溫度補正電路、各種演算電路、各種 記憶體元件、各種攝影元件等。 此外,功能元件1 8的平面的佔有區域即使依照其種 類而改變,但例如關於如前述佔有區域增大的構件,以如 增加該構件的膜厚使平面的佔有區域最小限的構成也可以 〇 本實施形態的功能元件18例如以感測器等形成’包 含感測器用電極18a’與選擇前述感測器用電極18a用的 感測器用開關元件的通道區域的半導體層1 9a而構成。而 -18- (15) 1313771 且,在形成有感測器用電極1 8a的區域內,延伸形成有電 容線1 3 b。 感測器用電極1 8a經由接觸孔1 9c與構成感測器用開 關元件用的半導體層19a電氣連接。而且,構成感測器用 開關元件用的半導體層19a經由接觸孔19b與資料線14b 電氣連接。據此,資料線1 4b與感測器用電極1 8a經由構 成感測器用開關元件用的前述半導體層19a可導通。 在具有如上述構成的液晶顯示裝置1中,掃描線驅動 電路4經由掃描線13a對開關元件12施加掃描訊號G1、 G2…,使該開關元件12成爲導通狀態,藉由經由資料線 14a對前述像素電極11施加依照深淡程度的電壓的圖像訊 號SI、S2...,使該液晶層40被施加依照圖像訊號的電壓 的電場以進行顯示。 另一方面,功能元件18藉由掃描線驅動電路4以及 資料線驅動電路3的驅動控制,藉由掃描線1 3a、資料線 14b而動作。例如若功能元件1 8爲感測器的話,則變成 可檢測的狀態。 如此,在前述液晶顯示裝置的平面構造中如圖2所示 ,資料線14、掃描線1 3a、電容線1 3b等的配線層形成矩 陣狀’像素電極丨1或功能元件丨8分別位於由這些配線層 所產生的矩陣的間隙,使在阍像顯示區域內部功能元件 1 8的配設爲可能。 圖11是本實施形態的液晶顯示裝置的等價電路圖。 在有助於四個區域之中的顯示的三個區域P,配設有開關 -19- (16) 1313771 元件1 2以及像素電極1丨;在無助於顯示的區域 有包含感測器用電極1 8 a的功能元件丨8。掃描線 於掃描線驅動電路4,另一方面資料線1 4a連接 驅動電路3。而且,與功能元件1 8電氣連接的資 連接於檢測電路5 1,成爲功能元件1 8所產生的 變化透過資料線14b而讀出的構成。再者,配設 掃描線驅動電路4、資料線驅動電路3以及檢 的控制器52,由控制器52的作用功能元件1 8 資料的讀出,也進行資料的寫入。 (液晶顯示裝置的剖面構造) 其次,針對前述液晶顯示裝置的剖面構造使 、(B)來說明。圖4(A)爲圖2的D-D剖面圖,圖 2的E-E剖面圖。 在形成有前述液晶顯示裝置的開關元件1 2 剖面構造中’如圖4(A)所示包含構成有前述像舅 以及開關元件1 2以及掃描線1 2a以及資料線1 4 陣列基板的元件基板20,與形成有面對像素電極 向電極32的對向基板30,與塡充於這些元件基 及向基板30間的液晶層40而構成。 一對基板之中至少一方爲透明基板的構成, 20例如以玻璃基板或石英基板、si基板等形成 對向基板3 0例如以玻璃基板或石英基板等的透 成。在元件基板20上構成有配設於元件基板2〇 〇 ’配設 13a連接 於資料線 料線1 4 b 電荷等的 有連接於 丨!ί電路5 1 不僅進行 用圖4(A) 4 (Β)爲圖 的區域的 f電極11 等的TFT 1 1的對 板2 0以 元件基板 ,他方的 明構件形 上的半導 -20- (17) 1313771
體層12a,與包含絕緣掃描線13a與半導體層12a的閘絕 緣膜的絕緣膜1 6,與在前述絕緣膜1 6上分別分離而形成 的掃描線1 3a以及電容線1 3b,與用以覆蓋前述掃描線 13a、電容線13b、絕緣膜16、元件基板20而形成的第一 層間絕緣層(I n t e 1· 1 a y e r i n s u 1 a t i n g f i 1 m) 2 1,與配設於形成 有前述第一層間絕緣層21上的前述半導體層12a的區域 的資料線1 4a,與遍及覆蓋前述資料線1 4a以及第一層間 絕緣層2 1的區域而形成的第二層間絕緣層22,與形成於 前述第二層間絕緣層2 2上的像素電極1 1。 而且,形成有貫通第一層間絕緣層21以及絕緣膜16 的接觸孔1 2b,使資料線1 4a與半導體層1 2a的電氣連接 爲可能。而且’形成有貫通第二層間絕緣層22、第一層 間絕緣層2 1以及絕緣膜1 6的接觸孔1 2 c,使像素電極1 1 與半導體層12a的電氣連接爲可能。
對向電極32與元件基板20的像素電極11 一樣由 ITO膜等的透明導電性薄膜形成,在對向基板30中,於 前述對向基板30的液晶層40側的表面上,構成有面對元 件基板20上的資料線14、掃描線13a、開關元件12的形 成區域的區域’即在各像素的非顯示區域〇形成的遮光層 33’與用以覆蓋前述遮光層33而遍及全面形成的對向電 極32(共通電極)。 遮光層33具有對比的提高、色材的混色防止等的功 能,也就是作爲所謂的黑矩陣(Black matrix)的功能。再者 ,遮光層33是遮住來自對向基板3〇側的入射光,防止因 -21 - (18) 1313771 對元件基板20的半導體層1 2a的通道區域或低濃度源極 區域、低濃度汲極區域的光的入侵造成的誤動作。 此外,液晶顯示裝置1遍及兀件基板20以及對向基 板30的全面配設有未圖示的配向膜。 這些元件基板20與對向基板30是使像素電極1 1與 對向電極32面對而配置,在被這些基板包圍的空間封入 液晶,形成有液晶層4 0。 此處,圖4(A)爲圖2的D-D剖面圖,圖4(B)爲圖2 的E-E剖面圖,在此圖4(A)中於剖面形成有像素電極,惟 在圖4(B)中於剖面形成有功能元件。即形成有像素電極的 部分的剖面構造與形成有功能元件的部分的剖面構造不同 〇 功能元件1 8例如以感測器等形成,如圖4(B)所示配 設於元件基板20上。在配設有此功能元件1 8的區域中, 於元件基板20上構成有:用以形成配設於該元件基板20 上的感測器用的開關元件的電晶體的通道區域亦即半導體 層1 9a,與包含閘絕緣膜的絕緣膜1 9d,與延伸形成於前 述絕緣膜19d上的電容線13b,與用以覆蓋電容線13b、 絕緣膜1 6、元件基板20而形成的第一層間絕緣層21,與 遍及覆蓋前述第一層間絕緣層21的區域而形成的第二層 間絕緣層22,與形成於前述第二層間絕緣層22上的感測 器用電極1 8 a。 而且,形成有貫通第二層間絕緣層22、第一層間絕 緣層2 1以及絕緣膜1 9d的接觸孔]9c,使感測器用電極 -22- (19) 1313771 18a與半導體層〗9a的電氣連接爲可能。據此,藉由利用 用以形成構成功能元件用的開關元件的電晶體的通道區域 的半導體靥1 9a,選擇功能元件1 8的感測器用電極丨8a可 進行資訊的檢測。
此外’在形成有如圖4(A)所示的開關元件12或配線 層的區域〇中形成遮光層32,在與有助於像素電極n的 顯示的區域P中,以不形成遮光層32的構成爲基本;惟 如圖4(B)所示,在配設有功能元件18的區域p,中依照需 要用以形成遮光層32也無妨。
在由如上述的平面構造以及剖面構造構成的液晶顯示 裝置1中,如圖2以及圖4(A)所示,形成有有助於像素電 極U的顯示的區域p,與無助於利用掃描線13a、資料線 14a、資料線14b、電容線13b等的配線層以及電晶體元件 12的顯示的非顯示的區域0,犧牲構成有助於顯示的區域 P的像素電極1 1之中的任一個,而取代像素電極U來配 設功能元件1 8。 即在平面構造中,有助於利用像素電極11的顯示的 區域P,與無助於顯示的區域0如圖3所示地形成,利用 包含於無助於此顯示的區域0的區域P ’以配設功能元件 18 〇 此時,例如由對向基板3 2入射的光在區域P中透過 ’在區域0、P’中不透過。 而且,配設有功能元件1 8的區域P’也成爲無助於顯 示的區域,惟在圖像顯示區域全體看的情形,想定對藉由 -23- (20) 1313771 功能元件18的顯示的影響可忽視的情形。對於追種情形 與前述區域P、〇無關或不限於有規則性者’可任意地構 成功能元件1 8。 如此,可使配設於習知的週邊的外側區域的構件、或 無法配設的構件等的功能元件(例如顯示功能以外的電路 或感測器等的所有功能的功能兀件)’使用圖像顯不區域 之寬廣區域而附加顯示以外的功能;可謀求圖像顯示區域 、顯示空間的有效利用,也能追加新的種種功能’可謀求 多功能化’並且在積集於液晶顯示裝置上有利。 (關於製程) 其次,對於如上述構成中的液晶顯示裝置的製程參照 圖4(A)、(B)來說明。
首先,準備石英基板、硬玻璃基板、矽基板等的元件 基板20。此處,最好在惰性氣體環境下以高溫進行退火 (Anneal)處理,然後使在實施的高溫製程中的基板所生的 歪斜減少而進行前處理(熱處理)。 其次,在元件基板20上於較低溫環境中藉由減壓 CVD形成非晶砍(Amorphous silicon)膜,然後藉由對此非 晶矽膜在氮環境中實施退火處理,使多晶矽膜固相成長到 成爲特定厚度爲止。據此,進行開關元件12的半導體層 I 2a或功能元件18的半導體層19a的構成。 而且,藉由預定溫度熱氧化構成開關元件1 2的半導 體層12a,形成薄厚度的熱氧化矽膜,更藉由減壓CVD法 -24- (21) 1313771 等沉積較薄厚度的高溫氧化矽膜或氮化矽膜,形成具有多 層構造的絕緣膜1 6。此處’半導體層1 2a的形成方法使用 利用雷射退火的多晶矽形成方法也可以,且將單晶矽貼合 於基板而形成也可以。而且,對於絕緣膜1 6的形成使用 利用PECVD法等的可低溫形成的方法也可以。
接著’利用減壓CVD法等沉積多晶矽後,熱擴散磷 等’使多晶矽膜導電化。而且,將多晶矽膜圖案化,形成 如圖2所示的預定圖案的掃描線1 3 a與電容線1 3 b。此處 ’取代多晶矽膜,藉由濺鍍(Sputter)法等形成A丨、Mo、Ti 、Ta、Cr ' W以及這些合金,使用金屬閘極(Metal gate)也 可以。
接著,令開關兀件12爲具有LDD(Lightly Doped Drain,輕摻雜汲極)構造的η通道型的TFT的情形,爲了 在對半導體層1 2a形成低濃度源極區域以及低濃度汲極區 域,令成爲掃描線13a的一部分的閘電極爲擴散遮罩 (Mask) ’以低濃度摻雜雜質離子。據此,掃描線13a下的 半導體層12a變成通道區域。 接著,爲了形成構成開關元件12的高濃度源極區域 以及高濃度汲極區域,以寬度比掃描線1 3 a還寬的遮罩形 成光阻層於掃描線1 3a上後,以高濃度摻雜雜質離子。 而且’若重複這種各製程,以多晶矽膜形成構成開關 元件1 2的半導體層1 2 a的話’則在開關元件1 2的形成時 以大致同一製程,可形成功能元件或其他資料線驅動電路 以及掃描線驅動電路,在製造上有利。 -25- (22) 1313771 其次,覆蓋開關元件1 2中的掃描線1 3 a與電容線1 3b 地,例如藉由常壓或減壓CVD法等,形成由氧化矽膜等 構成的第一層間絕緣層2 1。 而且,爲了使高濃度源極區域以及高濃度汲極區域活 化,在進行退火處理後藉由蝕刻形成對半導體層1 2a的資 料線1 4的接觸孔。
而且,用以連接掃描線1 3a或電容線1 3b與配線層的 接觸孔也在第一層間絕緣層21開孔。此外,對功能元件 1 8的配線等所需的接觸孔也同樣地形成。 其次,在第一層間絕緣層21上藉由濺鍍等沉積遮光 性的 A1等的低電阻金屬或金屬矽化物(Silicide)等的金屬 膜,然後藉由微影(Photolithography)製程、蝕刻製程等將 金屬膜圖案化以形成資料線1 4。接著,以覆蓋資料線1 4 上的方式,例如藉由PEVCD法形成由氧化矽膜等構成的 第二層間絕緣層2 2。
其次,在開關元件1 2中藉由蝕刻形成電氣連接像素 電極1 1與高濃度汲極區域用的接觸孔1 2c。然後於第二層 間絕緣層22上藉由濺鍍等沉積ITO膜等的透明導電性薄 膜,將此透明導電性薄膜圖案化以形成像素電極1 1。 另一方面,針對對向基板3 0首先準備玻璃基板等, 在濺鍍例如金屬鉻後,經過微影製程、蝕刻製程形成遮光 層3 3。 然後,在對向基板3 2的全面藉由利用濺鍍等沉積 ITO等的透明導電性薄膜,形成對向電極32。以上的製造 -26- 1313771 (23) 方法只不過是一例,當然也能適用公知的低溫多晶矽TFT 製程或高溫多晶矽TFT製程、總體(Bulk)矽製程、SOI(絕 緣層上覆砂,Silicon On Insulator)製程等。 最後,如上述使形成有各層的元件基板2 0與對向電 極32交叉於預定的摩擦(Rubbing)方向而配置,以成爲預 定的胞(Cell)厚而貼合以製作空面板。封入液晶於面板內 以製作本實施形態的液晶顯示裝置。 如此,在本實施形態中如圖4(A)、(B)所示,因開關 元件12的半導體層12a與功能元件18的半導體層19a形 成於同一層,可以同一製程來形成,故無須像習知的功能 元件與液晶顯示裝置分別製造,可謀求功能元件內裝型的 液晶驛示裝置的製造時的成本降低。 如以上如果依照本實施形態,因不藉由如習知的外附 ,可作成在由構成液晶顯示裝置的複數個像素所構成的供 於顯示的圖像顯示區域內部,組裝具有與開關元件不同功 能的功能元件的構成,故可內裝種種功能,可謀求高功能 化、高積集化。 而且,因無需如習知分別進行液晶顯示裝置的製程與 各種功能元件的製程,包含有在液晶顯示裝置的製程內製 造前述功能元件的製程,特別是可用與基板製程相同製程 製造各種功能元件,故可謀求製程的簡略化、製造時的成 本降低。 此外,在圖2中顯示使用有助於顯示的四個區域P之 中的一個,來配置功能元件1 8的構成的例子。對於實現 -27- (24) 1313771 彩色顯示可能的液晶顯示裝置的情形,取代此構成以圖 1 2所示的構成較佳。 即令有助於顯示的區域P爲縱長的矩形狀,分配彩色 濾光片的R、G、B的不同色素層給接鄰的三個點。這些 三個點構成彩色顯示可能的一個像素。而且,在圖12中 的各點的下側配設面積比有助於顯示的區域P還小的無助 於顯示的區域〇,在各區域〇內配置功能元件1 8。此外 ,此情形配置複數個功能不同的功能元件也可以。 ® 如此,二次元地配置影像感測器等的功能元件1 8於 圖像顯示區域Β內的情形,改變有助於顯示的區域Ρ與無 助於顯示的區域0的面積比而設計較佳。據此,開口率的 降低被抑制,可抑制因配設功能元件1 8造成顯示品質的 下降。 或者不如圖12所示對應各點配設各一個的功能元件 18,而如圖13所示,以對R、G、B的三個點配設一個功 能元件1 8的構成也可以。 % [第二實施形態] 其次’根據圖5至圖7說明與本發明有關的第二實施 形態。此外’在以下關於與前述第一實施形態的實質同樣 的構成省略說明,以關於不同部分的事項爲主來敘述。圖 5是顯示本實施形態的液晶顯示裝置的俯視圖。 在上述第一實施形態中以犧牲形成有像素電極的區域 配設功能元件的構成,惟本實施形態揭示不犧牲像素電極 -28- 1313771 (25) ,利用配設有配線層或開關元件的區域,俯視該區域大槪 重疊來配置的情形。 具體上在液晶顯示裝置1 00的平面構造中,如圖5所 示掃描線1 1 3 a、電容線1 1 3b、資料線】1 4等的配線層形 成矩陣狀,藉由在這些掃描線1 13a、資料線1 14的各交叉 配設有像素電極111,使像素電極1 1 1分別構成矩陣狀。
而且,由平面看使這些資料線114以及掃描線113a 重疊,而形成有形成構成選擇像素電極1 1 1用的開關元件 112的電晶體用的半導體層112a;更於由平面看與資料線 114、掃描線113a等的配線層或前述開關元件112大致重 疊的位置,配設功能元件1 8。 此外,開關元件1 1 2是藉由利用半導體層11 2 a與資 料線114電氣連接,並且與像素電極in電氣連接。
對於具有如上述構成的液晶顯示裝置1 〇 〇,如圖5以 及圖6所示’形成有有助於利用像素電極π 1的顯示的區 域P ’與無助於利用掃描線1 13 a、資料線1 14、電容線 113b的顯示的非顯示的區域〇,而利用無助於圖6所示的 顯示的區域0來配設功能元件。此無助於顯示的區域〇 由於是本來光不透過的區域’故即使配設功能元件顯示品 質也不下降。 而且’在液晶顯示裝置1 00的剖面構造中如圖7所示 ,包含構成有前述像素電極111以及開關元件112以及掃 描線11 3 a以及資料線1 1 4等的元件基板1 2 〇,與形成有功 能元件118、絕緣層131、遮光層133、對向電極132的對 -29- (26) 1313771 向基板130,與塡充於這些元件基枝 I 3 0間的液晶層1 4 0而構成。 即功能元件1 1 8在圖5的平面構 面看與資料線Π 4、掃描線1 1 3 a等的 件1 1 2大致重疊的位置,惟對於圖7 述對向基板1 3 0的液晶層1 4 0側的表 述開關元件1 1 2的區域。 此外,絕緣層1 3 1,係覆蓋前述 向基板130而形成;遮光層133,形 件112的區域中絕緣層131的下層; 蓋前述遮光層133以及絕緣層131而 133位於對向基板130側的情形、位 及元件基板1 20側的情形、位於元件 任何情形都可以。此時,入射光由元 板1 30的任一個入射都可以,惟對於 自對向基板1 30側的光的情形,前述 向基板1 3 0側較佳。而且,關於功能 然省略但配設於對向基板1 3 0側較 Π8形成於相當於遮光層133與液晶 可以。 此時如圖7所示,形成有像素電 區域P雖受到在元件基板120上的 II 3a以及電容線1丨3b等的配線寬或 大小等所造成的限制,但可構成光可 乏120以及對向基板 成中雖然配設於由平 配線層或前述開關元 所示的剖面構成在前 面上,形成於對應前 功能元件1 1 8以及對 成於對應前述開關元 對向電極132,係覆 形成。再者,遮光層 於對向基板】30側以 基板120側的情形等 件基板120、對向基 以遮光層1 3 3遮住來 遮光層1 3 3配設於對 元件1 1 8的配線層雖 佳。此外,功能元件 層140之間的位置也 極1 1 1有助於顯示的 資料線114、掃描線 前述開關元件Π 2的 透過的開口區域。即 -30- 1313771 (27) 形成有前述像素電極1 1 1以外的各像素電極1 1 1間之非顯 示區域亦即無助於顯示的區域0。 而且在這種無助於顯示的區域0的任何位置配置本實 施形態的功能元件1 1 8。此外,重疊功能元件的位置只要 是與掃描線、電容線、資料線、開關元件之中至少任一個 全體或部分地重疊的構成即可。
此處在前述第一實施形態中,因在圖像顯示區域內的 任意空間使其配置功能元件,故考慮開口率的降低等的問 題,可預料開口率降低的份變暗。 相對於此,在本實施形態中因於無助於顯示的區域, 亦即在與配線層或開關元件重疊的位置配設功能元件,故 不發生因開口率的降低造成顯示品質的下降。據此,對於 在像作爲PDA或行動電話等的攜帶型資訊終端的顯示器 利用的液晶顯示裝置等的透過窗小的環境看顯示的情形有 利。
而且再者,功能元件因配設於與對向基板側的遮光層 重疊的區域,故可在不透光的區域構成。再者’因功能元 件配設於對向基板側,故與配設於元件基板側的情形比較 ,元件密度低,良率變佳。 而且,對於以例如溫度補正電路構成功能元件1 8的 情形,藉由配設幾個溫度補正電路於圖像顯示區域B內’ 可補正實際的圖像顯示區域B內的溫度。 如以上如果依照本實施形態,因不藉由如習知的外附 ,可作成以與構成液晶顯示裝置的配線或開關元件重疊的 -31 - (28) 1313771 形將功能元件組裝於內部的構成’故可謀求高積集化,此 時,功能元件因形成於與配線以及開關元件重疊的位置, 不妨礙有助於像素電極的顯示的區域(開口區域),故無顯 示品質的降低。 [第三實施形態] 其次,根據圖8(A)、(B)說明與本發明有關的第三實 施形態。圖8(A)、(B)是顯示與本發明有關的第三實施形 態的俯視圖。 在本實施形態揭示以對像素電極的數目少而構成形成 於圖像顯示區域的功能元件的數目的情形的例子。 具體上在本實施形態的液晶顯示裝置200的平面構造 中’如圖8 (A)所示掃描線2 1 3 a、電容線2 1 3 b、像素電極 用的資料線2 1 4 a、功能元件用的資料線2 1 4等的配線層形 成矩陣狀,藉由在這些掃描線2na、資料線2l4a、214b 的各交叉配設有像素電極2 1 1,使像素電極2 1 1分別構成 矩陣狀。 而且’以由平面看使這些資料線2 1 4a、2 1 4b、掃描線 213a、電容線213b重疊的方式形成有形成構成選擇像素 電極211用的開關元件212的電晶體用的半導體層212a。 更於資料線2 1 4 b與掃描線2 1 3 a以及電容線2 1 3 b交 叉的區域’互相接鄰的四個各像素電極2丨丨間配設有功能 元件2 1 8。 在本實施形態功能元件2 1 8因配設於與元件基板的像 -32- 1313771 (29) 素電極211同層 (同一平面),故以對應功能元件218的 形狀的方式,切出像素電極2 1 1的對應部分的構成。而且 ’在本實施形態中功能元件2 1 8是利用功能元件用的資料 線2 1 4 b與掃描線2 1 3 a交叉的無助於顯示的非顯示區域而 配設。 藉由如此構成,如圖8(B)所示令各功能元件218的相 互間的間隔d 1比各像素電極2 1 1相互間的間隔d2還寬而 構成,使密度差即對圖像顯示區域的功能元件2 1 8的密度 降低。 如此,藉由減少功能元件2 1 8的配設數以降低功能元 件2 1 8的平面的佔有區域,降低有助於像素電極2 1 1中的 顯示的區域的妨礙,可寬廣地形成有助於光透過的顯示的 區域,使開口率的下降最小,可防止顯示品質的降低。 而且,因功能元件與像素電極略形成於同層,故也能 以同一製程進行,可謀求製造中的產能(Throughput)的提 高以及成本降低。再者,因功能元件的數目少故良率也提 高。 此外在本實施形態中雖然以對4個像素電極配設一個 功能元件的情形爲例來說明,但是不均於此分配。例如以 對9個像素電極有一個功能元件的構成也可以。本實施形 態適合於配設功能不同的複數個功能元件時。即若使功能 不同的複數個功能元件偏移而一樣地配置的話,則可提供 多功能尚性能的液晶顯不裝置。 而且,雖然針對功能元件的數目比像素電極的數目還 -33- 1313771 (30) 少的情形來說明’惟像素電極的數目比功能元件的數目還 少的情形也可以’主要在於像素電極的間隔與功能元件的 間隔不同的話即可。 而且,變形例對於像形成有配線層與像素電極重疊一 部分的區域的情形,藉由以在掃描線的上層形成電容線的 構成,也能更提高開口率。 此外,與本發明有關的裝置與方法雖然依照其幾個特 定的實施形態來說明,惟熟習該項技術者在不脫離本發明 的主旨以及範圍,對本發明的本文所記述的實施形態種種 變形爲可能。 例如在前述第二實施形態顯示功能元件中介存在於遮 光層與對向基板之間的情形,惟並非限定於此,如圖9所 示在與面向對向基板1 3 0的液晶層1 4 0側相反側的面Μ形 成保護層134,在此保護層134內於與遮光層133以及遮 光層1 3 5重疊的位置配設功能元件13 6的構成也可以。此 外保護層1 34例如使用氮化膜或氧化膜等。 而且,用以疊層於元件基板上的開關元件以及配線層 的上層,以配設功能元件以及功能元件的配線層的方式而 構成也可以。 具體上如圖1 0所示,在液晶顯示裝置400的剖面構 造中,包含構成有開關元件412以及掃描線413a以及資 料線4 1 4以及像素電極4 1 1等的元件基板420,與形成有 對向電極432的對向基板430,與塡充於這些元件基板 420以及對向基板430間的液晶層440而構成。 -34- (31) 1313771 在元件基板420上包含:用以形成配設於該元件 420上的像素電極4 1 1選擇用的開關元件4 1 2的電晶 半導體層412a,與包含絕緣前述半導體層412a與掃 4 1 3 a用的閘絕緣膜的絕緣膜4 1 6,與分別分離形成於 絕緣膜4 1 6上的掃描線4 1 3a以及電容線4 1 3b,與用 蓋前述掃描線413a、電容線413b、絕緣膜416、元件 4 20而形成的第一層間絕緣層421,與遍及覆蓋前述 層間絕緣層4 2 1的區域而形成的第二層間絕緣層4 2 2 在形成有前述半導體層412a的區域中貫通前述第一 絕緣層421以及前述第二層間絕緣層422而配設的資 414,與前述第二層間絕緣層422上形成有前述半導 412a的區域0內,用以與資料線414接觸而形成的 元件452而構成。 此處,在功能元件45 2中構成有:用以形成構成 於前述第二層間絕緣層422以及資料線4 1 4上的功能 用的開關元件的電晶體的半導體層45 2a,與包含絕 述半導體層45 2a與功能元件用的掃描線45 3用的閘 膜的絕緣膜452b,與和前述功能元件用的半導體層 電氣連接的電極455。 而且,在元件基板420中構成有:形成於前述絕 45 2b上的功能元件用的掃描線45 3,與用以覆蓋前述 線45 3、絕緣膜452b、第二層間絕緣層422而形成的 層間絕緣層423,與配設於形成有前述第三層間絕 423上的前述半導體層452a的區域的功能元件用的資 基板 體的 描線 前述 以覆 基板 第一 , 與 層間 料線 體層 功能 形成 元件 緣前 絕緣 452a 緣膜 掃描 第三 緣層 料線 -35- (32) 1313771 454,與遍及覆蓋資料線454以及第三層間絕緣層 區域而形成,並且在電極45 5的形成區域中開口而 第四層間絕緣層424,與避免形成有前述半導體層 區域0而形成於前述第四層間絕緣層424上的像 411° 而且,形成有貫通第二層間絕緣層422、第一 緣層42 1、絕緣膜4 1 6的接觸孔,使資料線4 1 4與 層412a以及資料線414與半導體層452a的電氣連 能。而且,形成有貫通第四層間絕緣層424、第三 緣層423、第二層間絕緣層422、第一層間絕緣層 及絕緣膜412b的接觸孔,使像素電極41 1與半 4 12a的電氣連接爲可能。 再者,形成有貫通第三層間絕緣層42 3、絕緣丨 的接觸孔,使功能元件用的資料線454與功能元件 導體層45 2a的電氣連接爲可能。再者而且,形成 第三層間絕緣層423以及絕緣膜452b的接觸孔, 45 5與半導體層452a的電氣連接爲可能。即用以選 電極的像素電極用的資料線4 1 4與功能元件用的 414電氣連接,使輸入輸出端子共通化。此處,藉 氣連接資料線414與半導體層452a而形成,可獨 輸出用以選擇像素電極的開關元件與功能元件。 對向基板430與元件基板420的像素電極411 由ITO膜等的透明導電性薄膜形成,構成有遍及全 的對向電極432(共通電極)。 42 3的 形成的 412a 的 素電極 層間絕 半導體 接爲可 層間絕 421以 導體層 m 452b 用的半 有貫通 使電極 擇像素 資料線 由不電 立輸入 一樣, 面形成 -36- (33) 1313771 在這種構成的液晶顯示裝置400中’可完成與上述各 實施形態同樣的作用功效,同時可採用功能元件4 1 2的掃 描線413a以及資料線414,與功能元件452的掃描線453 以及資料線4 5 4各自獨立重疊而配置的構成。 此外,在上述各實施形態雖然是以配設一種類的功能 元件的情形爲主而構成的情形爲例來說明,但功能元件配 設複數種類的不同的功能構件的情形也可以。 而且,在上述各實施形態雖然以主動矩陣型的液晶而 構成,惟不爲主動矩陣型的液晶也可以。即如列(Column) 線位於一方的基板,行(R 〇 w)線位於他方的基板上的被動 矩陣型,像素電極如條狀像交叉在上下基板的情形,藉由 選擇彼此的列線以及行線分別施加電壓,在施加之間液晶 動作,爲像成爲選擇期間的構成也可以。此情形在圖像顯 示區域B內可當作配置具有電氣連接於互相交叉的複數條 資料線以及複數條掃描線的感測器用電極(功能元件用電 極)的功能元件的構成。此成爲組合被動矩陣型的液晶顯 示裝置與主動矩陣型的功能元件的構成。 另一方面如圖14、圖1 5所示’令液晶驅動側爲具有 互相交叉的複數條資料線14a與複數條掃描線1 3a,與分 別配設於被資料線1 4a與掃描線1 3 a包圍的區域的液晶驅 動用的像素電極1 1的構成。另一方面令功能元件丨8爲具 有由元件基板20側的感測器用電極1 8a與對向基板30側 的電極(未圖示)構成的一對電極的構成。而且,元件基板 2 0側以圖1 4所示的列選擇電路5 3選擇感測器用電極1 8 a -37- 1313771 (34) ,對向基板3 0側以連接於與圖1 5所示的列側直交的方向 的行選擇電路5 4的行線5 5選擇對向基板側的電極,在對 應雙方所選擇的電極的像素中,以藉由檢測電路51進行 資料的讀出的構成也可以。 藉由此構成可實現組合主動矩陣型的液晶顯示裝置與 被動矩陣型的功能元件的構成。即使是任何組合令單方爲 被動矩陣型的話,都可爲構成簡單低價格。 或者如圖1 6所示,以在有助於顯示的區域ρ內配置 有功能元件,電極5 6爲兼具液晶驅動用電極與功能元件 用電極,且開關元件5 7爲兼具對液晶驅動用電極施加電 壓用的開關元件,與對功能元件進行資料的寫入或讀出用 的開關元件的構成也可以。此情形對資料線驅動電路3需 要檢測電路5 1與控制此檢測電路5 1用的控制器5 2。 再者,在圖1的液晶顯示裝置的元件基板上,更於製 造途中或出貨時,取代設置該液晶顯示裝置的品質、缺陷 以及掃描線驅動電路於元件基板之上,而用經由配設於元 件基板的週邊部的非等向性(Anisotropic)導電薄膜,電氣 地以及機械地連接於安裝於例如T A B (捲帶自動接合, Tape Automated Bonding)基板上的驅動用LSI屯可以。 而且,在對向基板的投射光入射側以及元件基板的出 射光出射側分別例如依照T N (扭轉向列,T w i s t e d N e m a t i c) 模式等的動作模式或常白模式(Normally white mode) /常黑 模式(Normally black mode)的不同,在預定的方向配置有 偏光薄膜、相位差薄膜、偏光手段等也可以。 -38- 1313771 (35) 再者,不限於透過型的液晶顯示裝置,反射型的液晶 顯示裝置、兼備雙方的混合型液晶顯示裝置也可以。此時 ,實施形態中的液晶顯示裝置例如適用於攜帶型資訊終端 等的電子機器較佳。此情形可實現具備顯示品質優良,觸 控鍵等的多種功能的電子機器。 再者,在對向基板上以一個對應一個像素的方式形成 微透鏡(Microlens)也可以。據此,藉由提高入射光的集光 效率,可實現明亮的液晶顯示裝置。再者而且,藉由在對 向基板上沉積幾層屈折率不同的干涉層,利用光的干涉形 成製作RGB色的分色濾色器(Dichroic filter)也可以。如果 依照此附分色濾色器的對向基板,可實現更明亮的彩色液 晶顯示裝置。 而且,配設於各像素的開關元件對正交錯(Stagger)型 或共面(Coplanar)型的多晶矽TFT或逆交錯型的TFT或非 晶矽TFT或SOI-MOSFET等的其他形式的TFT或總體矽 Μ0SFET、雙載子電晶體等,各實施形態都有效。 再者,在上述實施形態包含有種種階段,藉由揭示的 複數構成要件中的適宜的組合,可抽出種種的發明。即當 然也包含上述各實施形態彼此或者它們的任一個與各變形 例的任一個的組合所產生的例子。而且,爲由實施形態所 示的全構成要件刪除幾個構成要件的構成也可以。例如對 於上述的說明,雖然光電裝置以液晶裝置來說明,惟本發 明並非限定於此,當然對電激發光(EL , Electroluminescence)、數位微鏡裝置(DMD,Digital Micro- -39- ^13771 (36) mirror Device)或利用使用藉由電漿發光或電子放出的螢光 等的各種光電元件的光電裝置,以及具備該光電裝置的電 子機器也能適用。 而且,到此爲止的記述僅揭示本發明的實施形態的一 例,在預定的範圍內適宜變形以及/或變更爲可能,而各 實施形態爲舉例證明者,並非限制者。 [發明的效果] 如以上所說明的如果依照本發明,因不藉由如習知的 外附,可作成在由構成液晶顯示裝置的複數個像素所構成 的供於顯示的區域內部,組裝具有與驅動元件不同功能的 功能元件的構成,故可內裝種種功能,可謀求高功能化、 高積集化。 而且,因無需如習知分別進行液晶顯示裝置的製程與 功能元件的製程,包含有在製造液晶顯示裝置的製程內製 造前述功能元件的製程,故可謀求製造時的成本降低。 【圖式簡單說明】 圖1是顯示與本發明的一實施形態有關的液晶顯示裝 置的全體的槪略構成的一例的槪略斜視圖。 圖2是顯示圖1的液晶顯示裝置的一部分的區域的俯 視圖。 圖3是用以說明圖2的液晶顯示裝置的平面構造之中 ,有助於顯示的區域與無助於顯示的非顯示的區域的說明 -40- (37) 1313771 圖。 圖4 (A)疋顯不圖2的液晶顯示裝置的d ·])剖面的Μ丨J 面圖,(B)是顯不圖2的液晶顯示裝置的剖面的剖面 圖。 圖5是顯示與本發明的其他實施形態有關的液晶顯示 裝置的構成的一例的俯視圖。 圖6是用以說明圖5的液晶顯示裝置的平面構造之中 ’有助於顯示的區域與無助於顯示的非顯示的區域的說明 圖。 圖7是顯示圖5的液晶顯示裝置的F-F剖面的剖面圖 〇 圖8(A)、(B)是顯示與本發明的其他實施形態有關的 液晶顯示裝置的構成的一例的俯視圖。 圖9是顯示與本發明的其他實施形態有關的液晶顯示 裝置的構成的一例的剖面圖。 圖1 0是顯示與本發明的其他實施形態有關的液晶顯 示裝置的構成的一例的剖面圖。 圖1 1是與本發明的第一實施形態有關的液晶顯示裝 置的等價電路圖。 圖1 2是顯示與本發明的實施形態有關的液晶顯示裝 置的功能元件的配置的變形例。 圖13是同其他變形例。。 圖1 4是顯示與本發明的其他實施形態有關的液晶顯 示裝置的一例的等價電路圖。 -41 - (38) 1313771 圖1 5是同液晶顯示裝置的槪略構成圖。 圖16是顯示與本發明的再其他實施形態有關的液晶 顯示裝置的一例的等價電路圖。 [符號說明] 1、100、200、400:液晶顯示裝置 3:資料線驅動電路 4 :掃描線驅動電路 1 0 :像素 1 1、1 1 1、4 1 1 :像素電極 1 2、1 1 2、4 1 2 :開關元件(驅動元件) 12a、1 12a、412a、452a:半導體層 12b、12c、19b、19c:接觸孔 13a、113a、213a、413a、453:掃描線 1 3 b、1 1 3 b、2 1 3 b、4 1 3 b:電容線 14a、14b、114、214、214a、214b、414、454:資料 線 1 6、19d、416、452b:絕緣膜 1 8、1 1 8、2 1 8、4 5 2 :功能元件 18a:感測器用電極 19a:半導體層 20、 420:元件基板 21、 421:第一層間絕緣層 2 2、4 2 2 :第二層間絕緣層 -42- (39) 1313771 3 Ο、1 3 Ο、4 3 Ο :對向基板 32、33、133:遮光層 4 〇、1 4 Ο、4 4 Ο :液晶層 5 1 :檢測電路 5 2 :控制器 5 3 :列選擇電路 1 3 0 :對向基板
1 3 1 :絕緣層 132、432:對向電極 134:保護層 4 2 3 :第二層間絕緣層 4 2 4 :第四層間絕緣層 4 5 5 :電極 Β :圖像顯不區域 d 1、d 2 :間隔
G 1、G 2 :掃描訊號圖像訊號 P:有助於顯示的區域 ◦:無助於顯示的區域 訊號 SI、S2...:圖像訊號 -43-

Claims (1)

1313771
第92 1 02005號專利申請案 拾、申請專利範圍 中文申請專利範圍修正本 民國97年7月3日修正 1 · 一種液晶顯示裝置,係具有具備配列成矩陣狀之畫 素電極之複數畫素,和驅動該畫素之驅動元件之液晶顯示 裝置;
其特徵係:於由前述複數畫素所形成之顯示的領域之 中’具備:給予選擇前述驅動元件之掃描信號之掃描線, 和藉由前述驅動元件,而導電前述畫素電極之第1資料 線’和具備不同於前述驅動元件的功能之功能元件,和前 述功能元件用之第2資料線;
前述功能元件之功能元件用電極,係被配置於前述第 2資料線,和構成前述掃描線及積蓄電容之配線層之電容 線’所交叉的領域,也就是配置於相互鄰接之4個前述畫 素電極間。 2 ·如申請專利範圍第〗項所記載之液晶顯示裝置,其 中’前述功能元件,係利用交叉於前述功能元件用第2資 料線,和前述掃描線之附近,亦即利用不助於顯示之非顯 示領域來配設。 3 ·如申請專利範圍第1項所記載之液晶顯示裝置’其 中,前述功能元件,係使用前述功能元件用電極而檢測保 持之電位變化之感測器。 4.如申請專利範圍第1項所記載之液晶顯示裝置’其 1313771 中,前述功能元件用電極爲感測用電極;前述功能元件係 包含前述感測用電極,和選擇前述感測用電極之開關元件 之通道領域之半導體層所構成之感測器。 5 .如申請專利範圍第4項所記載之液晶示顯裝置’其 中,前述感器係於供給於前述顯示領域內之中’爲2維配 置之影像感測器。
6 . —種液晶顯示裝置,係具有供給於由具備配列成矩 陣狀之畫素電極之複數畫素,和驅動該畫素之驅動元件’ 及驅動前述畫素信號之配線層所形成之顯示之領域之液晶 顯示裝置; 其特徵係具備:給予供選擇前述驅動元件之掃描信號 之掃描線,和供構成積蓄電容之配線層之電容線’和具備 不同於前述驅動元件的功能之功能元件,和功能元件用電 極;
前述功能元件,被配置於供前述顯示之區域內,且對 不助於藉由前述掃描線,前述信號之配線層,前述電容線 及前述驅動元件所產生之顯示之非顯示領域重疊位置。 7. 如申請專利範圍第6項所記載之液晶顯示裝置,其 中,前述功能元件,係配置於挾持液晶之一對基板中之前 述驅動元件,及對向於形成前述配線層之其中一方基板之 另一方基板。 8. 如申請專利範圍第6項所記載之液晶顯示裝置,其 中,前述功能元件,係配置於挾持液晶之一對基板中之前 述驅動元件,及形成前述配線層之其中一方基板。 -2- 1313771 9 ·如申請專利範圍第6項所記載之液晶顯示裝置,其 中,構成相互交叉之複數前述信號之配線層,和複數之前 述掃描線;於藉由前述信號之配線層和前述掃描線所包圍 之領域,各具有所設置之液晶驅動用之畫素電極,同時, 前述功能元件具有一對電極,前述一對電極爲了相互平面 交叉,設置於挾持液晶之一對各基板。 1 0 .如申請專利範圍第7項所記載之液晶顯示裝置, 其中,前述另一方基板,係具有配置於與前述驅動元件對 向位置之遮光層; 前述功能元件,係介於前述遮光層和前述另一方基板 之間。 1 1 ·如申請專利範圍第7項所記載之液晶顯示裝置, 其中,前述另一方基板,係具有配置於與前述驅動元件對 向位置之遮光層; 前述功能元件,係形成面對於前述遮光層之前述液晶
12.如申請專利範圍第7項所記載之液晶顯示裝置, 其中,前述功能元件,係形成面對前述另一方基板之前述 液晶側,和相反側之面。 1 3 . —種液晶顯示裝置,係具有具備配列成矩陣狀之 畫素電極之複數畫素’和驅動該畫素之驅動元件,液晶驅 動用之複數掃描電極及與前述複數掃描電極平面性交叉之 複數資料電極;具備挾持液晶之一對基板之液晶顯示裝 置; -3- 1313771 其特徵係具備:前述一對基板之其中一方之具備不同 於前述驅動元件的功能之功能元件之第1感測器用電極, 和具有選擇該第1感測器用電極之第丨選擇電路,對應於 前述一對基板之另一方之前述第1感測器用電極之第2測 器用電極’和選擇該第2感測器用電極之第2選擇電路, 和電氣性連接前述第1選擇電路與前述第2選擇電路之檢 測電路; 於前述第1選擇電路和前述第2選擇電路兩者,對應 所選擇處之畫素之中,係藉由前述檢測電路進行資料讀 取。 1 4 _如申請專利範圍第1、2、6至1 3項之任一項所記 載之液晶顯示裝置,其中,前述功能元件,係包含複數種 類之各功能構件。 15.—種光電裝置,係具備具有配列成矩陣狀之畫素 電極之複數畫素,和驅動該畫素驅動元件之液晶顯示裝
其特徵係於由前述複數畫素所形成之顯示的領域之 中’具備:給予選擇前述驅動元件之掃描信號之掃描線, 和藉由前述驅動元件,而導電前述畫素電極之第1資料 線’和具備感測器、光電二極體、像素之反饋電路、溫度 補正電路、演算電路、記憶體元件、以及攝影元件之任一 之功能元件’和前述功能元件用之第2資料線,和功能元 件用電極; 前述功能元件,係被配置於前述第2資料線,和構成 -4- 1313771 前述掃描線及積蓄電容之配線層之電容線,所交叉的領 域,亦即配置於相互鄰接之4個前述畫素電極間。 1 6 · —種光電裝置,係具有供給於由具備配列成矩陣 狀之畫素電極之複數畫素,和驅動該畫素之驅動元件,及 驅動前述畫素信號之配線層所形成之顯示之領域之光電裝 置;
其特徵係具備:給予選擇前述驅動元件之掃描信號之 掃描線,和構成積蓄電容之配線層之電容線,和具備感測 器、光電二極體、像素之反饋電路、溫度補正電路、演算 電路、記憶體元件、以及攝影元件之任一之功能元件,和 功能元件用電極; 前述功能元件,被配置於供前述顯示之區域內,且對 不助於藉由前述掃描線,前述信號之配線層,前述電容線 及前述驅動元件所產生之顯示之非顯示領域重疊位置。
1 7 .如申請專利範圍第1 5項所記載之光電裝置,其 中,前述功能元件,係利用交叉於前述功能元件用第2資 料線,和前述掃描線之附近,亦即利用不助於顯示之非顯 示領域來配設。 18.如申請專利範圍第15,16,17項之任一項所記載之 光電裝置,其中,前述功能元件用電極爲感測用電極;前 述功能元件係包含前述感測用電極,和選擇前述感測用電 極之開關元件之通道領域之半導體層所構成之感測器。 1 9 .如申請專利範圍第1 5 ,1 6,1 7項之任一項所記載之 光電裝置,其中,前述功能元件,係使用前述功能元件用 -5- 1313771 電極而檢測保持之電位變化之感測器。 20.如申請專利範圍第1 8項所記載之光電裝置,其 中,前述感測器係於供給於前述顯示領域內之中,爲2維 配置之影像感測器。
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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7649527B2 (en) * 2003-09-08 2010-01-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Image display system with light pen
KR20060065333A (ko) * 2004-12-10 2006-06-14 삼성전자주식회사 감지 소자를 내장한 표시판 및 표시 장치
KR100765399B1 (ko) * 2005-02-15 2007-10-11 세이코 엡슨 가부시키가이샤 이동체의 표시 모듈과, 이것에 사용되는 패널 유닛 및 화상제어 유닛
WO2006095734A1 (ja) * 2005-03-11 2006-09-14 Pioneer Corporation 表示制御装置、表示装置、表示制御方法、そのプログラム、および、そのプログラムを記録した記録媒体
GB0507384D0 (en) * 2005-04-12 2005-05-18 Green John M Display assembly
KR101230303B1 (ko) * 2005-08-29 2013-02-06 삼성디스플레이 주식회사 접촉 감지 기능이 있는 표시 장치
JP4791108B2 (ja) * 2005-08-31 2011-10-12 三菱電機株式会社 画像表示装置
KR100752658B1 (ko) * 2006-02-28 2007-08-29 삼성전자주식회사 폴리실리콘을 이용한 반사방지구조를 구비하는고체촬상소자 및 그 제조방법
JP5089159B2 (ja) * 2006-12-20 2012-12-05 セイコーインスツル株式会社 イメージセンサicの製造方法
JP5215090B2 (ja) * 2008-02-25 2013-06-19 三菱電機株式会社 画像表示装置及び画像表示装置用表示ユニット
US8587531B2 (en) * 2009-06-10 2013-11-19 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Touch input device
TWI395006B (zh) * 2009-09-09 2013-05-01 Au Optronics Corp 觸控顯示面板
KR101048974B1 (ko) * 2010-04-01 2011-07-12 삼성모바일디스플레이주식회사 터치 스크린 패널
KR101048931B1 (ko) * 2010-04-01 2011-07-12 삼성모바일디스플레이주식회사 터치 스크린 패널
KR101330757B1 (ko) * 2011-07-28 2013-11-18 엘지이노텍 주식회사 터치윈도우 및 이를 포함하는 액정표시장치
KR101210474B1 (ko) * 2011-10-21 2012-12-11 실리콘 디스플레이 (주) 정전기에 강한 센서어레이
CN103150073B (zh) * 2013-03-12 2015-10-14 合肥京东方光电科技有限公司 一种电容式内嵌触摸屏及显示装置
CN103728751B (zh) * 2013-12-27 2016-03-30 深圳市华星光电技术有限公司 切换显示二维和三维影像的液晶显示器
TWI572963B (zh) * 2014-02-12 2017-03-01 友達光電股份有限公司 顯示面板
CN106297679B (zh) * 2016-09-19 2017-09-15 京东方科技集团股份有限公司 显示装置以及控制显示装置亮度的方法
CN106815573B (zh) * 2017-01-06 2019-11-19 武汉华星光电技术有限公司 显示屏及电子装置
CN106847092B (zh) * 2017-03-10 2020-03-31 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置及其获取图像的方法
CN107452283A (zh) 2017-08-07 2017-12-08 京东方科技集团股份有限公司 显示组件及其制造方法、显示装置

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6320568B1 (en) * 1990-12-31 2001-11-20 Kopin Corporation Control system for display panels
JPH0580314A (ja) 1991-09-24 1993-04-02 Toshiba Corp 液晶表示パネル
JPH05121715A (ja) * 1991-10-25 1993-05-18 Hitachi Ltd 密着型2次元ホトセンサおよびその製造方法
JP2837578B2 (ja) * 1992-05-20 1998-12-16 シャープ株式会社 画像入出力装置および方法
JP3223383B2 (ja) * 1992-06-30 2001-10-29 カシオ計算機株式会社 液晶表示装置およびそれを用いた機器
JP3021282B2 (ja) * 1994-05-31 2000-03-15 シャープ株式会社 液晶ディスプレイ装置
KR100218498B1 (ko) * 1994-11-04 1999-09-01 윤종용 액정 디스플레이용 칼라 필터 기판 및 그 제조 방법
KR0145894B1 (ko) 1995-01-06 1998-09-15 김광호 태양전지가 내장된 액정디스플레이 패널 및 제조방법
KR970022424A (ko) 1995-10-12 1997-05-28 김광호 콘택 이미지 센서가 내장된 액정 표시 장치
JPH10104663A (ja) * 1996-09-27 1998-04-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電気光学装置およびその作製方法
JPH10170959A (ja) * 1996-12-16 1998-06-26 Casio Comput Co Ltd 液晶表示装置
JPH10246879A (ja) 1997-03-06 1998-09-14 Nec Corp 液晶表示装置およびその調整方法
EP0915367B1 (en) * 1997-04-22 2007-06-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Liquid crystal display with image reading function, image reading method and manufacturing method
JP3704889B2 (ja) * 1997-05-30 2005-10-12 カシオ計算機株式会社 表示装置
JP4027465B2 (ja) * 1997-07-01 2007-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型表示装置およびその製造方法
JPH1175101A (ja) 1997-08-29 1999-03-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電気光学装置及びその動作方法
JPH1197705A (ja) * 1997-09-23 1999-04-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体集積回路
JP3267218B2 (ja) * 1997-11-27 2002-03-18 松下電器産業株式会社 画像読み取り機能付き液晶表示装置
JP3556452B2 (ja) * 1997-12-17 2004-08-18 シャープ株式会社 情報読込装置
EP1717679B1 (en) * 1998-01-26 2016-09-21 Apple Inc. Method for integrating manual input
JPH11326954A (ja) * 1998-05-15 1999-11-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2000019983A (ja) * 1998-07-07 2000-01-21 Sharp Corp 画像表示装置
JP2000047259A (ja) * 1998-07-29 2000-02-18 Sharp Corp 液晶表示装置
KR100312753B1 (ko) * 1998-10-13 2002-04-06 윤종용 광시야각액정표시장치
JP2000259346A (ja) * 1999-03-12 2000-09-22 Casio Comput Co Ltd 情報処理装置、入出力装置及び入出力素子
US20020030768A1 (en) * 1999-03-15 2002-03-14 I-Wei Wu Integrated high resolution image sensor and display on an active matrix array with micro-lens
KR100290015B1 (ko) * 1999-05-13 2001-05-15 구본준, 론 위라하디락사 박막트랜지스터형 광 감지센서와 그 제조방법
JP2000338518A (ja) * 1999-06-01 2000-12-08 Nec Corp 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
JP4253826B2 (ja) * 1999-09-07 2009-04-15 カシオ計算機株式会社 画像読取装置
JP3763728B2 (ja) * 1999-09-30 2006-04-05 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びプロジェクタ
JP2001183648A (ja) * 1999-12-24 2001-07-06 Nec Corp カラー液晶表示装置及びその製造方法
TWI284240B (en) * 2000-09-27 2007-07-21 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Liquid crystal display device
JP3618687B2 (ja) * 2001-01-10 2005-02-09 シャープ株式会社 表示装置
JP4306142B2 (ja) * 2001-04-24 2009-07-29 株式会社日立製作所 画像表示装置及びその製造方法
KR100448448B1 (ko) * 2001-07-12 2004-09-13 주식회사 디알텍 X선 센서용 스위칭소자 및 그 제조방법
JP3959454B2 (ja) * 2001-10-22 2007-08-15 シャープ株式会社 入力装置および入出力装置
TW575849B (en) * 2002-01-18 2004-02-11 Chi Mei Optoelectronics Corp Thin film transistor liquid crystal display capable of adjusting its light source

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Publication number Publication date
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