TWI313769B - A mask for sequential lateral solidification (sls) process and a method for crystallizing amorphous silicon by using the same - Google Patents

Description

1313769 九、發明說明： * 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種光罩，尤其是一種用於連續侧向長 晶（Sequential Lateral Solidification, SLS)製程之 光罩。 【先前技術】 近年來，液晶顯示器（Liquid Crystal Display, LCD) 挾其輕薄、省電、無幅射線之優點，而逐漸取代傳統映像 管（CRT)顯示器’廣泛應用於桌上型電腦、個人數位助理 器、筆記型電腦、數位相機與行動電話等電子產品中。 請參照第一圖所示，係一典型主動矩陣式液晶顯示面 板之示意圖。此液晶顯示面板10上具有複數個晝素元件 12呈矩陣排列。每一個晝素元件12係連接至一個薄膜電 晶體（Thin Film Transistor, TFT) 14作為開關以控制 晝素元件12之充放電。此薄膜電晶體14之源極係透過一 信號線16電連接至一源極驅動電路（未圖示），而其閘極 係透過一掃描線18電連接至一掃描驅動電路（未圖示）。 藉此，外界輸入之顯示信號可以轉換為源極驅動電壓Vs 與掃描驅動電壓Vg分別輸入各個薄臈電晶體14的源極與 閘極以產生晝面。 一般而言，受限於玻璃基板所能承受的溫度，直接製 作於液晶顯不面板10上之薄膜電晶體14，係採用非晶碎 (AmorphousSilicon)之設計。然而’非晶矽薄膜電晶體 (Amorphous Th i s F i 1 m Trans i stor, a-TFT )之開關速度、 5 1313769 =效果、以及可靠度’都不足以因應驅動電路所需之高 算速度。因此，驅動電路必須使用多晶矽薄膜電晶體作 為開關元件，轉致鷄電路必賴作树晶#上，並透 過排線連接至液晶齡面板丨〇啸織素元件丨2之顯示。 *然而，隨著液晶顯示面板之尺寸增大，傳统之非晶石夕 薄，電晶體所具有之開關速度已逐漸不敷使用。為了提升 液曰曰顯示面板之顯示效果，同時，使驅動電路得以製作於 顯不面板上來達到輕薄化之需求，必須設法在玻璃基板上 製作多騎薄膜電晶體。也因此，必須設法在玻璃基板上 製作高品質之多晶矽層。 睛參照第二騎示，係_典魏溫多祕製程之示意 圖。如圖中所示，一非晶石夕層120係形成於一基板⑽表 面’雷射光在非晶石夕層120之表面形成一溶融層122。此 ，融層122下方尚未熔融之非晶矽材料係作為結晶所需之 ，種（Seed)向上成長形成晶粒126。然而，此製程所能 提供之晶粒126尺寸係受限於熔轉122之厚度，而往往 不及一微米，因此’無法有效提升薄膜電晶體之電性效果。 為了提高晶粒之尺寸，請參照第三圖所示，在一典型 側向長日日（Lateral Solidification)製程中，雷射光係 透過光罩200熔融非晶石夕層12〇之特定區域A，同時，亦 在此炫融區域A t產生橫向之熱梯度。此熔融_ A側邊 尚未熔融之非晶矽材料係作為晶種，往熔融區域A之中央 成長以產生較大尺寸之晶粒128。 請參照第四圖所示，係一典型用於連續侧向長晶 (Sequential Lateral Solidification，SLS)製程之光 6 1313769 罩300的示意圖。如圖中所示，此光罩3〇〇具有複數個第 一橫向狹縫310成行排列於光罩3〇〇上。複數個第二橫向 狹縫320成行排列於光罩3〇〇上，並且，每一個第一橫向 狹縫310係對齊相鄰二第二橫向狹縫32〇間之不透光區。 »月參照、第五圖所示，係一典型連續侧向長晶製程之示 意圖。在第一次雷射熔融步驟中（如圖中虛線所示），雷射 光係透過光罩300上的第一橫向狹縫31〇與第二橫向狹縫 320熔融非晶矽層。同時請參照第六A圖，由於液態矽的 密度（2.53g/cm3)大於固態矽之密度（2 33 g/cm3)，因 此，熔融矽的表面a係落於未熔融矽表面b之下方。矽晶 粒係沿著熱梯度之方向由此炼融區域A1之兩侧向中間成 長。如第六B圖所示，由於液態矽的密度大於固態矽之密 度，因此’結晶後的矽會在熔融區域A1之中央處產生突起 部分c。 在第二次雷射照射步驟中，如第五圖所示，光罩3⑽ 係向右移動約略等同於橫向狹縫32〇長度之距離，使移動 後之第一橫向狹縫310，對準熔融區域A1之間尚未結晶之 部分。藉以使在第一次雷射照射步驟中，相對應於相鄰第 二狹縫320間而受到遮蔽之非晶矽層，在第二次雷射照射 步驟中係受到雷射光照射熔融。同時請參照第六c圖所 示，光罩移動之後，原先對準第二狹縫320而炼融之部分 非晶砍層120 (即第六A圖中之溶融區域A1)係受到光罩 300之遮蔽，而原先受到遮蔽之部分A2係受到雷射光照射 溶融。同樣的，如第六β圖所示，由於液態石夕的密度大於 固態矽之密度，因此’在熔融區域Α2之側邊處將形成凹谷 1313769 部分d ,而在熔融區域A2之中央處將產生突起部分c。 此形成於多晶矽表面之突起將影響後續絕緣層的覆蓋 效果’除了可能造成漏電流上料，甚至可料致絕緣層 之崩潰。為了降低此突起之高度，以避免後續製程之困難， 一典型之方法係利用雷射光全面熔融多晶矽層之表面，使 多晶矽層再流動（re-flow)以達到平坦化之目的。然而， 此方法也同時也會熔融凹谷部分’而容易造成聚塊作用 (agglomeration)導致多晶矽層之破洞。 爰是，本發明提供一種應用於連續侧向長晶之光罩， 可以有效降低突起之高度，並且避免聚塊作用之導致多晶 珍層之破洞。 【發明内容】 本發明之目的係在於降低連續側向長晶製程形成於多 晶矽層表面之突起，以改善後續製程之覆蓋效果。 本發明係提供一種用於連續侧向長晶製程之光罩，此 光罩包括至少一橫向延伸之第一狹縫、至少一橫向延伸之 第二狹縫、至少-橫向延伸之第三狹縫與至少一橫向延伸 之第四狹縫。其中，第二狹縫係位於第一狹縫之延伸方向， 並且’第一狹縫之寬度係大於第二狹縫之寬度。第四狹縫 係值於第二狹縫之紗方向’並且’第四狹縫之寬度係大 於第三狹縫之寬度。 在本發明之一實施例中，第三狹縫係沿著第一狹縫之 長邊’排列於第一狹縫之侧。 1313769 在本發明之一實施例中，第三狹縫係沿著第二狹縫之 * 長邊，排列於第二狹縫之側。 此外，本發明亦提供一種結晶非晶矽層之方法。此方 法至少包括下列步驟：（a)提供一基板。（b)製作一非晶矽 層於基板上。（c)將-光罩對準基板；此光罩具有複數^橫 向延伸之狹縫，包括一第一狹縫、一第二狹縫、一第三狹 縫與一第四狹縫；其中，第二狹縫係位於第一狹縫之延伸 方向上，第二狹縫係沿著第一狹縫之長邊並排於第一狹縫 之側；第四狹縫係位於第三狹縫之延伸方向上；並且，第 一狹縫之寬度係大於第二狹縫之寬度，第四狹縫之寬度係 大於第三狹縫之寬度。（d)透過此光罩熔融上述非晶矽層， 以在非晶矽層中產生複數個第一結晶區域，對應至光罩上 之第一狹縫與第四狹縫。（e)橫向移動光罩或基板，使第二 狹縫與第三狹縫對準上述第一結晶區域之中央突起部分。 (f)透過光罩熔融非晶石夕層，以降低第一結晶區域之中央突 起部分的尚度，並且在非晶矽層中產生複數個第二結晶區 卜域，對應至光罩上之第一狹縫與第四狹縫。 關於本發明之優點與精神可以藉由以下的發明詳述及 所附圖式得到進一步的瞭解。 【實施方式】 清參照第七A圖，係本發明用於連續側向長晶製程之 光罩400 —較佳實施例之俯視圖。如圖中所示，此光罩4〇〇 包括至少一橫向延伸之第一狹縫41〇、至少一橫向延伸之 第二狹縫420、至少一橫向延伸之第三狹縫43〇與至少一 9 1313769 橫向延伸之第四狹縫440。 各個第一狹縫410係縱向排列於光罩4〇〇上。各個第 二狹縫420係縱向排列於光罩4〇〇上，並且，分別位於第 狹縫410之延伸方向上。各個第三狹縫係縱向排列 於光罩棚上。各個第四狹縫物係縱向排列於光罩棚 上，並且，分別位於第三狹縫43〇之延伸方向。第三狹缝 430係石者第一狹縫41〇之長邊，排列於第一狹縫之 側。也就是，第三狹縫430係位於相鄰二第一狹縫41〇之 間。第二狹縫420係沿著第四狹縫440之長邊，排列於第 四狹縫440之側。也就是，第二狹縫42〇係位於相鄭二第 四狹縫440之間〇 睛參照第八A至C圖所示，係使用第七a圖之光罩， 進行連續侧向長晶製程之示意圖。首先，提供一基板1〇〇 並製作一非晶矽層120於此基板1〇〇上。隨後，如第八A 圖所示，將本發明之光罩4〇〇對準基板100，並且，透過 此光罩400以雷射光源熔融基板1〇〇上之非晶石夕層。 此熔融過程係在非晶矽層12〇中產生複數個第一結晶區域 A1，分別對應至光罩上之第一狹縫410與第四狹縫44〇(請 一併參照第七B圖之虛線部分）。 接下來，如第八B圖所示，橫向移動光罩4〇〇或基板 100，使光罩400上之第二狹縫420與第三狹縫43〇對準上 述第一結晶區域A1之中央突起部分c (請一併參照第七β 圖之實線部份）。然後，透過光罩4〇〇以雷射光源熔融非晶 矽層120。在此熔融過程中’雷射光係透過第二狹縫42〇 與第三狹縫430溶融第一結晶區域Α1之中央突起部分〇 ; 同時’雷射絲在轉祕層巾纽複數個第二結晶區域 A2對應至第-狹縫410與第四狹縫44〇。因此，如第八c 圖所示，，此職過程，可叫效且局降低中央突 ，部分之ifi度（如圖中B3所示）。同時請參照第七c圖所 不’經過連續橫向移動光罩4〇〇或基板1〇〇，即可在非晶 石夕層之表面全面形成一多晶矽層。 請參照第八8圖所示’為了控制雷射光之溶融範圍， 使之侷限於第-結晶區域A1之中央突姨分e，以避免對 第結晶區域A1之其他部分產生不利之影響。本發明之第 一狹縫410的寬度至少必須大於第二狹縫420之寬度，且 第四狹缝440之寬度至少必須大於第三狹縫43〇之寬度。 又’就本發明之一較佳實施例而言，第一狹縫41〇之寬度 至少達到第二狹缝420之寬度的5倍，且第四狹縫44〇之 寬度至少達到第三狹縫43〇之寬度的5倍。 其次，為了確保形成於非晶矽層之晶粒長度均勻，第 一狹縫410之尺寸與第四狹縫44〇之尺寸最好相同，而第 二狹縫420之尺寸與第三狹縫43〇之尺寸亦最好相同。同 時，第二狹縫420之中心線必須對準第一狹縫410之中心 線，而第三狹縫430之中心線必須對準第四狹縫44〇之中 心線，以確保光罩橫向移動後，第二狹縫42〇與第三狹缝 430可以對準第-結晶區域Ai之中央突起部分c。此外， 第四狹縫440之寬度必須大於相鄰二第一狹縫41〇之間 距，而第一狹縫410之寬度必須大於相鄰二第四狹縫44〇 之間距，以確保此非晶矽層之全部表面均受有雷射光之照 射’避免非晶♦區域殘留。 1313769 此外，為了避免雷射光源透過第二狹縫420與第三狹 縫430照射至非晶矽層之能量過高，而影響中央凸起部分 周圍之平坦區域B2，B1 (請同時參照第八c圖）。請參照第 十A圖所示，此第二狹縫42〇a可以由複數個透光區域422 橫向排列而構成。雷射光通過這些透光區域422後，藉由 繞射作用’使光能量之分佈範圍如同雷射光通過第七A圖 之第二狹缝420 —般，只是通過透光區域422之總光能量 較小。也因此，在同一道雷射熔融步驟中，雷射光通過此 實施例之第二狹縫420a照射至非晶石夕層之單位面積能 量，必然小於雷射光通過第一狹縫41〇照射至非晶矽層之 單位面積能量。又，請參照第十β圖所示，此第二狹縫e〇b 亦可以係由複數個狹長之透光區域424縱向排列而成，以 使雷射光通過此狹縫420b照射至非晶矽層之單位面積能 量小於雷射光通過第一狹縫410照射至非晶矽層之單位^ 積能量。並且，前述應用於第二狹縫42〇&，42〇]：)之設計， 亦可應用於第三狹縫430a，430b。 就此連續侧向長晶製程而言，光罩上之圖案通常係經 過一定之縮小比例X，方始投影於非晶矽層上。又，如第 八C圖所示，透過此連續側向長晶製程所形成之晶粒長 度，係略大於第一結晶區域A1寬度之一半。因此，光上 第-狹缝410之寬度，至少是所欲長成之晶粒長度l除以 光罩投影縮小比例x的2倍。而第四狹縫44〇之寬产 少是所欲長成之晶粒長度L除以光罩投影縮小比例= 倍。進-步來說，形成之晶粒長度係約略等於第 (或第四狹縫44G)寬度的-半與相鄰二第—狹縫：^ 12 1313769 相鄰二第四狹縫權）間距之和，再乘以光罩投影縮小比 例X。 請參照第九A圖所示，係本發明用於連續側向長晶製 程之光罩5G0 較佳實施例之俯視圖。她於第七a圖 之實施例，本實施例之第二狹縫52〇係位於第一狹縫51〇 之左側，第三狹縫530係位於第四狹縫54〇之左側。並且， 第三狹鏠530係沿著第二狹縫52〇之長邊，排列於第二狹 縫520之側。 請參照第九B與C圖所示’係使用第九a圖之光罩5〇〇 進行連續側向長晶製程中，光罩500之移動以及形成於非 晶碎層中之多晶梦、结構的示意w。相較於第八A至c圖之 連續侧向長晶製程，可區分為兩道熔融步驟重複進行（請 參照第七B圖之虛線部分與實線部分）;本實施例之製程係 區分為三翁融麵（分卿應於第九㈣之虛線部份、 實線部份與填滿區域部分）。在第一道熔融步驟中，雷射光 源係透過第一狹縫510與第四狹縫44〇形成複數個第一結 晶區域。在第二道熔融步驟中，雷射光源係透過第二狹縫 520 ’熔融對應至第一狹缝51〇之第一結晶區域的中央突 起部分。在第三道、熔融步驟中，雷射光源方能透過第三狹 縫530” ，熔融對應至第四狹縫54〇之第一結晶區域的中 央突起部分。 值得注意的是，雖然本實施例所使用之光罩5〇〇不同 於第七Α圖之光罩4〇0，但是’請參照第九c圖所示，透 過本實施例之光罩所形成之多晶矽結構，與第七c圖所 示，使用第七A圖之光罩所形成之多晶矽結構，並無明顯 13 1313769 差異。 透過傳統侧向長晶製程所製作之多晶矽層12〇，如 六D圖所示’無可聽的會在多晶销⑽的表面會 明顯突起c:。此突起C將影響後續絕緣層的覆蓋效果，/除 了可能造成漏賴上料，甚至可料致絕緣層之崩潰: 相較之下，如第八B與(:騎示，使用本發明之光罩4〇〇 所進行之侧向長晶製程，可以局部熔融多晶矽 之突起部分c ’來達到平坦化多晶销12〇之目的，以改 善後續絕緣層之覆蓋效果。 此外，傳統方法為了解決此問題，必須利用雷射光全 面溶融多晶碎層12G之表面，使多晶梦材料再流動 Onflow)以降低突起c之高度。然而’使用此種方法， 雷射光必然會同時照射到多晶梦層12〇表面之凹谷部分 d，而容易因聚塊作用之產生導致多晶妙層⑽產生破二。 相較之下’㈣本發明之光罩，可以局魏融彡晶石夕層⑽ ，面之突起部分c ’避免f射光照酬多晶销表面之凹 谷部分d’因而可以避免多晶賴12G產生破洞。 以上所述係利用較佳實施例詳細說明本發明，而非限 制本發明之細，而且熟知此類技藝人士皆_瞭，適去 而作些微的改變及調整，健不失本㈣之要義所在，； 不脫離本發明之精神和範圍。 【圖式簡單說明】 第-圖係-典型主動矩陣式液晶顯示面板之示意圖。 14 第二圖係一典型低溫多晶矽製程之示意圖。 第三圖在-典型側向長晶（Lateral solidification) 製程 第四圖係—典_於連續側向長晶（Sequential Lateral Solidification, Sls)製程之光罩的示意圖。 第五圖係-典觀向長晶製程之俯視示意圖。 第六A至D圖係-典型連續側向長晶製程之剖面示意 圖。 第七A圖係本發明用於連續侧向長晶製程之光罩一較 佳實施例之俯視圖。 第七B圖係使用第七A圖之光罩進行連續側向長晶製 程之俯視示意圖。 第七C圖係使用第七A圖之光罩形成於非晶㈣中之 多晶矽結構的示意圖。 第八八至(：圖係本發明連續侧向長晶製程之剖面示意 圖。 第九A圖係本發明用於連續侧向長晶製程之光罩另〆 較佳實施例之俯視圖。 第九^圖係第九之光罩進行連伽向長晶製 程之俯視不意圖。 第九C圖係使用第九A圖之光罩形成於非晶發層中之 多晶矽結構的示意圖。 第十A圖係本發明第二狹縫一較佳實施例之示意圖。 1313769 第十B圖係本發明第二狹縫另一較佳實施例之示意 • 圖0 【主要元件符號說明】 液晶顯示面板10

晝素元件12 薄膜電晶體14 信號線16 掃描線18 非晶矽層120 基板100 熔融層122 ，510, 510’，510” ，520, 520’，520”，420a，420b ，530,530’ ，530” ，430a，430b ，540, 540’，540” 晶粒 126,128 光罩 200, 300 第一狹縫310, 310’ 第二狹縫320, 320’ 光罩 400, 500 第一狹縫410,410’ 第二狹縫420, 420’ 第三狹縫430, 430’ 第四狹縫440, 440’ 中央突起部分c 1313769 第一結晶區域A1 第二結晶區域A2 透光區域 422, 424,432, 434 17

Claims (1)

1313769 f^**^**"*"··- •一 * ·· ^-'.‘---r -- r~~i·^ . L__ _ —丨丨 . &年9月/吨史更丨正f换.1 +.....—…. J 十、申請專利範園·· L 一種用於連續側向長晶（Sequential Lateral Solidification，SLS)製程之光罩，包括： 至少一橫向延伸之第一狹缝； 至少一橫向延伸之第二狹缝，位於該第一狹缝之延伸 方向’並且，該第一狹缝之寬度係大於該第二狹縫之寬度； 至少一橫向延伸之第三狹缝；以及 至夕杈向延伸之第四狹缝，位於該第三狹缝之延伸 方向，並且’該細賴之寬舰大_»三紐之寬度， 该第一狹缝之尺寸與該第四狹缝之尺寸相同。 μ ^如申凊專利範圍第j項之光罩，其中該第三狹缝 係沿著該第—狹缝之長邊，並排於該第—狹狀側。 ^ ^如申晴專利範圍第1項之光罩，其中該第三狹缝 係沿著該第二狭缝之長邊，並排於該第二狹缝之側。 / 4,如申請專利範圍第！項之光罩，其中該第三狭缝 係位於相鄰二該第一狹缝間。 …5, ^如申睛專利細第1項之光罩，其中該第四狹缝 之寬度係大於相鄰二該第一狹縫之間距。 如申請專利範圍第1項之光罩，其中該第一狭缝 之寬度係大於相鄰二該第四狹缝之間距。 7·如申請專利範圍第1項之光罩，其中該第-缝 之中心線係對準該第一狹縫之中心線。 一、 8.如申請專利範圍第1項之光罩，其中該第三狹縫 18 1313769 之中〜線鱗準該細狹縫之巾心線。 之尺ϋ中請專利範固第1項之光罩，其中該第二狹缝 之尺寸與鄕三峡之尺寸摘。 狹縫 之命nt請專利範圍第1項之光罩，其中該第-狹縫 見又夕是該第二狹缝之寬度的5倍。、、、 之實請專利範圍第1項之光罩，其中該第四狹縫 之免度至> 找第三_之寬度的5倍。 *12.如申請專利範圍第1項之光罩，其中該第-狹縫 之見度至少是所欲形成之晶粒長度除以該光罩投影縮小比 例的2倍。 』比 」3.如申請專利範圍第i項之光罩，其中該第四狹縫 之見度至少是所欲形紅晶粒長度除以該鮮投影縮小比 例的2倍。 ，I4.如申請專利範圍第1項之光罩，其中該第二狹縫 係由複數個透光區域橫向排列而成，以使雷射光通過該第 二狹缝之單位面積能量小於雷射光通過該第一狹缝之單位 面積能量。 15. 如申請專利範圍第1項之光罩’其中該第三狹缝 係由複數個狹長之透光區域縱向排列而成，以使雷射光通 過該第三狹缝之單位面積能量小於雷射光通過該第四狹缝 之單位面積能量。 16. —種用於側向長晶技術（Sequential Lateral Solidification，SLS)以將非晶層結晶形成多晶層之光 罩，包括： 19 1313769

複數個横向延伸之第—狹縫，縱向排列於該光罩上； 複數個&向延伸之第二狹縫，縱向排列於該光罩上， =別位於該第—狹缝之延伸方向，並且，該第—狹缝之寅 度係大於該第二狹缝之寬度； 複數個；^向延伸之第三狹縫，縱向排麟該光罩上， 分別位於相鄰二該第一狹縫間；以及 分別位於該第三狹缝之延伸方向 度係大於該第三狹縫之寬度，談 複數個;^向延伸之弟四狹縫，、縱向排列於言亥光罩上， t向，並且，該第四狹缝之寬 ’該第一狹缝之尺寸與該第四 狹縫之尺寸相同。 々17.如申請專利範圍第16項之光罩’其中該第四狹缝 之兔度係大於相鄰二該第一狹缝之間距。 18. 如申請專利範圍第16項之光罩，其中該第一狹缝 之寬度係大於相鄰二該第四狹缝之間距。 19. 如申請專利範圍第16項之光罩，其中該第二狹縫 之中心線係對準該第一狹缝之中心線Q 20. 如申請專利範圍第16項之光罩’其中該第三狹縫 之中心線係對準該第四狹缝之中心線。 21. 如申請專利範圍第項之光罩’其中該第二狹缝 之尺寸與該第三狹缝之尺寸相同。 22. 如申請專利範圍第16項之光罩，其中該第一狹縫 之寬度至少是該第二狹缝之寬度的5倍。 23. 如申請專利範圍第16項之光罩’其中該第四狹縫 20 1313769 !^·η r： [Vr：^^r-, ,：„ J ：________—..... "j 之寬度至少是該第三狹縫之寬度的5倍β 24. 如申請專利範圍第16項之光罩，其中該第一狹縫 之寬度至少是所欲形成之晶粒長度除以該光罩投影縮小比 例的2倍。 25. 如申請專利範圍第16項之光罩，其中該第四狹縫 之覓度至少是所欲形成之晶粒長度除以該光罩投影縮小比 例的2倍。 26. 如申請專利範圍第16項之光罩，其中該第二狹縫 係由複數個透光區域橫向排列而成，以使雷射光通過該第 一狹缝之單位面積能量小於雷射光通過該第一狹縫之單位 面積能量。 27. 如申請專利範圍第16項之光罩，其中該第三狹缝 係由複數個狹長之透光區域縱向排列而成，以使雷射光通 過該第二狹縫之單位面積能量小於雷射光通過該第四狹缝 之單位面積能量。 28. —種結晶非晶矽層之方法，至少包括下列步驟： 提供一基板； 製作一非晶矽層於該基板上； 將一光罩對準該基板，該光罩具有複數個橫向延伸之 狹缝’其中包括一第一狹缝、一第二狹缝、一第三狹缝與 第四狹缝，該第二狹缝係位於該第一狹缝之延伸方向 上，δ亥第二狹缝係沿著該第一狹缝之長邊，並排於該第一 狹缝之側，該第四狹缝係位於該第三狹缝之延伸方向上， 該第-狹缝之寬度係大於該第二狹缝之寬度，該第四狹縫 21 1313769 nrF-rj/j|i 生腎视铐I --- —,—_ 之寬度係大於該第三狹縫之寬度； 透過該光罩熔融該非晶矽層，以在該非晶矽層中產生 複數個第-結晶區域’對應至該第一狹缝與該第四狭缝，· 秘向移動該光罩或該基板，使該第二狹縫與該第三狭 缝對準該些第-結晶區域之中央突起部分；以及 透過該光罩編___層，以降低該第—結晶區域 =中央麵部分的高度，纽猶非晶韻巾產生複數個 弟二結晶區域’對應至該第—狹缝與該第四狹縫。 29.如申請專利細第28項之方法， ^係相於鮮-魏之長度，峨第：狹縫^ 第四狹縫對準該些第一結晶區域之中央突起部分。" 肌如申請專利範圍f 28項之方法，其 區域與該第二結晶區域係有部分重疊。η弟，晶 31·如申請專利範圍第28項之方法，其中該第二狹 之中心線係對準該第一狹缝之中心線。 、、、 32如申請專利範圍第28項之方法，其中該第三狹 之中心線係對準該第四狹缝之中心線。 狹縫 33如申請專利範圍第28項之方法，其中該第一 之尺寸與該第四狹縫之尺寸相同。 '、、 討.如申請專利範圍第28項之方法，Α 之尺寸與該第三狹缝之尺寸相同。^水亥弟—狹縫 35.如申請專利範圍第现項之方法，其中該第— 見度至少是該第二狹缝之寬度的5倍。 、、 22 1313769

36. 如申請專利範圍第28項之方法，其中該第四狹缝 之寬度至少是該第三狹缝之寬度的5倍。 37. 如申請專利範圍第28項之方法，其中該第二狹缝 係由複數個透光區域橫向排列而成，以使雷射光通過該第 二狹缝之單位面積能量小於雷射光通過該第一狹縫之單位 面積能量。 38. 如申請專利範圍第28項之方法，其中該第三狹缝 係由複數個狹長之透光區域縱向排列而成，以使雷射光通 過該第三狹缝之單位面積能量小於雷射光通過該第四狹缝 之單位面積能量。 39. 如申請專利範圍第28項之方法，其中該第一結晶 區，或該第二結晶區域之晶粒長度約略等於該第—狹缝或 該第四狹縫寬度的-半與相鄰二該第—狹缝或相鄰二該第 四狹缝間距之和除以光罩投影縮小比例。 23