TWI311200B - - Google Patents

Description

1311200 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係與測試用探針有關，特別是指 學反應製成之探針結 構 種利用電化 5 15 【先前技術】 隨著奈米時代的來臨，各種高 增，量測裝置亦同時需顧及接觸量^^的需求曰 低量測裝置的干擾誤差因素，以半導體度、，盡量降 於積體電路日趨微型化且多功能化=里測為例，由 ^但須有高密度的探針分佈，以快速St路的探針 二功能的測試，且探針的精密度 元件做 墊大小，準確並低誤差的探觸測試銲鲁寺^路的測試銲 體製程之高精密度探針結構陸續發展。，、、、，各種以積 如第-圖所示之即為習用堆疊式 ::圖Α參照’係於-基底1。上以半導體光^ = 牲層恤經圖案化露出錄個基底圖形ι〇 犧 層_上製成-導電層",根二4 二二械加工後形成特定態樣的多數個金⑽ 弟一圖c參照，再於各金屬針身Ua上層 光阻材料將局部圖案化以疊置特定高度的另一導電層=、、， 亚成形出一金屬針尖】2a，最後將 曰 阻材料去除即可於基底 私所使用之絕緣光 用《探二=…水，襟’各金屬奸… 4 20 1311200 然上述堆疊製成方式為利用絕 :進:圖索化，其電層—而==: $，而以絕緣光阻材料於金屬針 索仆 將光阻材料去除形成各 ^上圖案化，取後才 11a卜古土… 針因此難免於金屬針身 有核殘留的缺陷，使降低探針】 探針1結構為分段式堆疊金屬針尖^的製 ，’金屬針尖！2a與金屬針身lla的接合介面益法如一體 成形之金屬材質般有很好的金屬鍵結能力，因而容易在探 觸待測兀件時無法承受瞬間接觸的應力而損毁。 因此應用積體電路製程技術雖 度且多樣化的微接觸量測結構，但接觸=易=: ^力損二錢成形後崎㈣的㈣導 缺點’仍錢今量測裝置製造商所面臨的—大考驗。争_ 15 【發明内容】 之：二本要目的乃在於提供-種微接觸元件 元二並同料〜用於製成大量且高精密度的微接觸 凡件’亚同綠顧⑤耐线及導f度的特性。 作方=:步:發明所提供-種微接觸元件之製 互連接 備製-基板’於該基板上形成一第 =具有多數個内連接結構，相鄰各該=;結= 於該第-導電層上形成—第二導電層，該第二導電層可 20 1311200 與特定之電解液產生電解反應，該第二導電層具有多數個 針體結構，該些針體結構分別與對應之各該内連接結構電 性接觸； 於該第二導電層上形成一犧牲層，該犧牲層對應於各該 5 針體結構之局部係分別定義有一電極區； 去除該犧牲層之各該電極區，使該犧牲層形成有多數 個遮蓋結構； 提供一電壓供應器，該電壓供應器具有電荷極性相反 之一第一及一第二電極； 10 備製一電解槽，該電解槽係裝設上述電解液，將該第 一電極及上述步驟所製成之結構浸置於該電解液中，該第 一電極設置於該犧牲層上對應於該些電極區’該第二電極 電性連接該些内連接結構； 當對應於該電極區部位之各該針體結構發生電化學反 15 應使縱向縮減至特定之高度時，即移除該電解槽及該電壓 供應器； 去除該些遮蓋結構，該基板上即形成有多數個上述之微 接觸元件。 20【實施方式】 以下，茲配合圖示列舉若干較佳實施例，用以對本 發明之結構與功效作詳細說明，其中所用圖示之簡要說 明如下： 第二圖A至E係本發明所提供第一較佳實施例之製程結 6 1311200 構示意圖； 置示料—錄實麵丨所提供電辦反應之裝 產生職咖針體結構 结』：係上述第-較佳實施例所提供形成各該探針之 應用述第—較佳實施例所提供形成各該探針之 之製較佳實施例所提供形成另-探針結構 置之述第—較佳實施例所提供製賴臂式探針裝 15 針裝所卿成另，式探 圖第六圖係本發明所提供第二較佳實施例之製程結構示意 第七圖A係本發明所提供第三較佳實施例之製程 不意圖； 、再 第七圖Β係上述第三較佳實施例所提供對各該針 h電化學反紅裝置示意_ ; 第七圖c係上述第三較佳實施例所提供製成懸臂式 裝置之結構示意圖； 木針 第八圖Α至C係本發明所提供第四較佳實施例之製裎結 7 1311200 構示意圖；

產生，电亿竽反愿之裝置示意圖； 體結構

垂直式 立第九圖係本發明所提供第五較佳實施例之製程結構示 思圖。 凊麥閱如第二圖所示本發明所提供之第一較佳，扩 10例，、為了種以電化學反應配合半導體製程技術成形探= 方式，係具有以下步驟： L如第二圖A所示，備製一基板20，並於該基板2〇 上形成一第一犧牲層21。 2. 如第二圖b所示，藉由半導體黃光製程技術去除特 15 定圖案之該第一犧牲層21，並對圖案化區域之該基 板20進行蝕刻加工，形成有特定寬度與深度之多數 個元件圖案22，該些元件圖案22即為製作探針之 金屬基材的模版，該基板20可為一般半導體基板所 用之矽基板’以方便應用現有成熟之半導體製程技 20 術。 3. 如第二圖c所示，於該基板20及該第一犧牲層21 上衣作一第一導電層23’鋪設於各該元件圖案22 底部以及元件圖案22之間，為電化學反應所需與電 極相連接的金屬介面，因此對應於該些元件圖案22 8 1311200 即為多數個内連接結構230。 4. 如第二圖D所示，於該第一導電層23上形成一第二 導電層24，該第二導電層24與該第一導電層23同 樣為具有良好導電性的材料，以電鑄等材料沈積方 5 式填充於該些元件圖案22中，經研磨等機械加工後 使與該第一導電層23同高，因此於該些元件圖案 22中形成多數個針體結構24a，為製作探針之金屬 基材，並可與特定之電解液產生電解反應。 5. 如第二圖E所示，於該第二導電層24上以形成一第 ίο 二犧牲層25，該第二犧牲層25經黃光製程技術即 可於各該針體結構24a上開出一電極區25a，留存之 該第二犧牲層25並對應於各該針體結構24a上分別 形成有一遮蓋結構25b。 6. 如第二圖F所示，備製一電壓供應器30及一電解槽 15 40,該電壓供應器30具有極性相反之一第一及一第 二電極31、32，該第一電極31為相當於或大於該 些針體結構24a大小之陰極平板電極’該第二電極 32電性連接該第一導電層23，該電解槽40裝設可 與該第二導電層24產生電解反應之一電解液41， 20 將上述步驟5所形成之結構及該第一電極31浸置於 該電解液41中，該弟·-電極31位於該些電極區2 5 a 上。 7. 如第二圖G所示，各該針體結構24a表面之金屬原 子受到該第二電極32之氧化反應，即於該電解液 9 1311200

10 15 41中游離出金屬離子，並因受該二電極31、^之 間的電場作用’更加速對應於電極區仏之各該針 體結構24a的金屬游離現象，由於尚有該些遮蓋結 構25b覆蓋各該針體結構此之局部，因此當各該 針體結構24a；iPH亥電極區25a 了之高度縮減後鄰接 該遮蓋結構25b之邊緣才開始有側向的金屬游離作 用’且該遮蓋結構Mb下之金屬游離現象較之於電 極區者更鱗慢，當各料體結構⑽於該電 極區25a T方縮減至預定厚度之—針料2a，於遮 蓋結構25b下則形成錐狀之一針尖部沘。 如第二圖Η所示，移除該·供應器3〇及電解槽 40 ’並去除該些遮蓋結構25b、該第—犧牲層2 對應之部分該第-導電層23以及該第—犧牲層 2卜因此於該基板2〇及第一導電層23上則製成 一體成形之多數個探針2。

20 上述製作完成後即可移除該基板2〇及第一導電層幻 以取下該些探針2使用，亦可在取下各該探針2時連% 彼覆之該第—導電層23 一同取下，如第二圖！所示，因^ 藉由製作該第—導電層23即可提供最後成形之各該探針2 上更披覆有-支雜23卜形成高且抗耐磨之-探斜 2，當然以此結構成形之該探針2， 屬材質之該第一及第二衣^用相问金 、查h 電層23、24，使具有最佳的介面 =力’或者選用該第-導電層23為具有較高硬度的 材貝’使軸各聰針2，更抗耐叙躲；至於各該探= 10 1311200 所2 \為對應於該些遮蓋結構2 5 b之設置位置而有 夕夕:口此田如第三圖所示改變該第二犧牲層25所開設 =個電極區25c及存留之遮蓋結構W之位置，則可 二扣:用本發明之電化學製成原理形成多數個探針2”，各 ^木十2對應遮盘結構25(1製成之針尖部2e亦隨之改變。 =閱如第叫所示，#上述該些探針2製作完成後 = : 2〇及第-導電層23,保留對應設於各 妒# A 一# f 之部分該基板20及第一導電層23，故 ，i λ探針裝置3 ’保留後之該基板％及第一導 :層卩為各該探針2用以朗待測電子元件時的力臂支 人因此只要對應於—般探針卡電路板的電子電路， 15 織板2G上製成該些探針 直接設於電路板上，各該探針2再藉 由以弟導電層23對應電性連接至電路板的電

可有效並快速的積體製程該懸臂式探針裝置 P :之構裝，當然考量雌板20作為該些探針2之二:： ㈠，若用以做高精密度或低電流量測 】：構 好絕緣特性的材質，而不較以—般半=具有良 基板々；至㈣些探針2應用於該懸臂式探針^反=之石夕 亦可等效f施於上叙該魏針2， 原理 再者，將哕此俨斜9币以由， 故於此不再贅述。 針電性連接於電路板的電子^ 式除了以該第-導電層23於側向上作電性連接外子=路方 弟五圖所示之另一懸臂式探針裝置3,，可 亦可如 空間轉換電路結構的探針卡上，係於該基板：及;: 電 11 20 1311200 層23上對應於各該探針2之古@ ” μ 各·^金屬貫孔201 & 鸲ds又有一金屬貫孔2〇1， 各該五屬貝孔20 W性連接該探針2及基板 202，該些銲塾202 $對位於空間轉 t之一鲜墊 置，可達成該些探針2與空間轉換電路的電二=點= =快速的以該懸臂式探針裝置3’組装製成—： 卞此Ϊ = 式探針裝置3、3,係透過該基板20將 邊些探針2接狄於探針卡電路板上，因此 2〇的材^性’包括承受應力的強度以及維持相; 15 20 效果，部分^可能不適用於一般半 先罩衣程技術’因此可請參閱如第六圖所示本 發明所提供之第二較佳實施例，與上述第一較佳實施例之 差異在於更改步驟丨及步驟2中該基板2()的材質及該第— 犧牲層21的製作’而另外以高硬度且具良好絕緣特性的— 基板26及厚度較高的__第—犧牲層27所取代，該第—犧 牲層27可為適用於半導體光罩技術之光阻材質，故原本為 對該基板20及該第一犧牲層21以兩次侧後於該基板2〇 中形成該些元件圖案22,則改變為直接對該第一犧牲層27 圖案化並進行勤卜因此於該基板26上同樣形成有特定寬 $深度之該些元件圖案22，之後以同樣步驟設置該第一 V电層23、第二導電層24及第二犧牲層25，仍可形成相 同於上述第一較佳實施例之該些探針2、2,之結構，若進一 步欲形成懸臂式探針裝置則完全移除該苐一犧牲層27以上 之結構，而可於該基板26上設置該些探針2、2,，並與上 12 1311200 述s亥懸臂式探針裝置3、3’具有等效之功能應用。 請參閱如第七圖所示本發明所提供之第三較俨，扩 例，為以電化學反應配合半導體製程技術成形另二 構之製成方式，與上述第一較佳實施例所提供者之差異 5於： 〆、 如第七圖A所示，該基板20係為採用雙層之結構以 次光罩技術先後於該基板20上凹設有一凹部22a然後各今

10 凹部22a上形成該元件圖案22，之後才於該基板2〇及該第 一犧牲層21上製作多數個内連接結構28、針體結構29"及 該第二犧牲層25，各該内連接結構28係與上述第一較佳實 施例所提供者具有等效之功能結構，各該針體結構29 ^二 該凹部22a内形成一固定部29a ;如第七圖b所示，將上 15 述裝置同樣裝設有該電壓供應器30並置於該電解槽4〇 中，則可進行等同之電化學反應原理將各該針體結構29於 該電極區25a下方縮減至預定厚度之一針身部2%，於遮蓋

結構25b下則形成圓錐狀之一針尖部29C。 20 如第七圖C所示，最後去除該些遮蓋結構25b、該第 犧牲層21所對應之部分該内連接結構28、該第一犧牲層 21以及遠些固定部29a以上之基板2〇部位，故可製成一懸 I式探針裝置4，包含有一基座200以及多數個探針4〇 , 5亥基座200即為由該些固定部29a以下之該基板20所形 成’使各該採針4〇以該固定部29a接設於該基座200，且 该固定部29a、針身部29b及針尖部29c外亦同樣彼覆有由 各该内連接結構28所形成之一支撐材280，該懸臂式探針 13 1311200 =二==::探針4°用，測電 該些探針2, 狀m財_所製成之 1 t ,寺>文之功結構，該懸臂式探針穿署4卄 5 上 :與上糊物繼3、3，__料電^ 例，斤示本發明所提供之第四較佳實施 針結構之料以，健有^；；^技錢_垂直式探 :〒A所不’備製—基板5〇，並於該基板j。 上依序豐置-第-犧牲層5 一光阻層53。 弟V电層52及 2·=^Β所示，藉由半導縣罩技術去除特定圖 元件圖案54。 轉特疋見度與冰度之多數個 15 20 3. 2八圖C所示，於該第-導電層52上該些元 工後使與該光經研磨等機械加 曰53冋向，因此於該些元件圖安 H數個針體結構55a，織於 及=針體結構55a上疊置一第二犧牲層56，= «;生層56對應於各該針體結構55&上開」恭 極區56a且覆罢士·、— μ 黾 55同樣為具有良::、、’°構遍，3亥第-導電層 液^產生電解=讀的材料’可與上述該電解 士第八圖D所不’備製該電壓供應器3G及電解槽 14 1311200 4〇 ’將該第二電極32電性連接該第-導電層52， 將上述步驟3所形成之結構及該第-電極31浸置於 該電解液41中’該第—電極只位於該些電極區5以 因此同樣發生如上述實施例之電化學反應使各 j針體結構55a於該電極區加下方縮減至預定厚 二^針大。卩5a’於遮蓋結構5你下則形成一針身 5b 〇 5. 電壓供應器3G及電解槽4Q，並去除該些遮 ο a 53基板50、弟一犧牲層51 一—涂“層52 ’則可形成多數個如第八圖E所 I以，各該探針5之針尖则可 可用:=二：其針身部5b — 間的電化學反應“^ 與該第—導電層52之 於該針身部5b上，因·;1構56b之隔絕故幾乎不作用 電場僅作用於該針小’、控制加逮金屬游離作用的有效 20 ㈣軸直式探針 係將上述平板結構 八之弟五較佳實施例， 之多數個成型電極代為表面呈弧形態樣 後在該電解槽40令將該^=亥電層％之製作，然 結構私之邊緣設-各3y刀別鄰近各該針體 電場僅發生於與兮弧…用於各该針體結構55a之有效 、梅電㈣表面相垂直之空間，亦= 15 1311200 當於或大於上述各該電極區56a之範圍，因此針身部兌與 該電解液41之間的化學反應遠不及成形該針尖部兄之電 化學反應的速度，因此同樣可形成如第八圖£之各該垂直 式探針5之結構。 5 綜合上述各實施例可知，本發明以電化學反應之原 使對應於電極區的針縣構快速產生金屬游離現象， 亓後之針體結構厚度即可一體成型多數個微接觸 ，恶論是應用於懸臂式或垂直式之探針卡上，太 =所製成之各探針皆為具良好導電性與高應力耐受度: 故舉所述者，僅為本發明讀佳可行實施例而已， 變化，包 16 1311200 【圖式簡單說明】 第=圖係制懸臂式探針之製程結構示意圖； 構 示音^ .齡至£係本發明所提供第—較佳實施例之製程結 電化學反應之裝 第一圖F係上述第—較佳實施例所提供 置示意圖； 體結構 第圖G係上述第—較佳實施例所提供對各該針 產生電化學反應之裝置示意圖； 之 係上述第—較佳實施例所提供形成各該探針 應』增一較佳實施例所提供形成各該探針之 第三圖係上述第—較佳實施例所提供形成另 之製程結構示意圖； 卞、、'°構 15 第四圖係上述第-較佳實施例所提供製成懸臂式 置之結構示意圖； 裝 第五圖係上述帛-紐實關所提供製_ 針裝置之結構示意圖； 式楝 20 圖； 第六圖係本發明所提供第二較佳實施例之製程結構示音 意圖； 第七圖A係本發明所提供第三較佳實施例之製程結構 第七圖β係上述第三較佳實施例所提供對各該針體、纟士 產生電化學反應之裝置示意圖； … 17 1311200 第七圖c係上述第三較佳實施例所提供製成懸臂式探針 裝置之結構不意圖； 第八圖A至C係本發明所提供第四較佳實施例之製程結 構不意圖， 5 第八圖D係上述第四較佳實施例所提供對各該針體結構 產生電化學反應之裝置示意圖； 第八圖E係上述第四較佳實施例所提供形成各該垂直式 探針之結構示意圖； 第九圖係本發明所提供第五較佳實施例之製程結構示意 10 圖。 18 1311200 【主要元件符號說明】 2、 2,、2”、40 探針 2a、29b、5b 針身部 2b、2c、29c、5a 針尖部 2d、5c 末端 3、 3’、4、5懸臂式探針裝置

10 15 20、 26、50 基板 201金屬貫孔 21、 27、51第一犧牲層 22a凹部 230、28内連接結構 24、55第二導電層 29a固定部 25a、25c、56a 電極區 30電壓供應器 32第二電極 40電解槽 53光阻層 200基座 202銲墊 22、 54元件圖案 23、 52第一導電層 231、280支撐材 24a、29、55a針體結構 25、56第二犧牲層 25b、25d、56b遮蓋結構 31第一電極 33成型電極 41電解液

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Claims (1)

1311200 十、申請專利範圍： 1 -種顺觸 a.備製—“ 有Λ下歩驟： 第一導電層具有多數個於該基板上形成—第—導電層，該 並相互連接；連接結構’相鄰各該内連接結構 5 b.於該第〜遂带 t層可與特定之電=層上形成—第二導電層’該第二導 多數個針體結構 ^產生電解反應，該第二導電層具有 •、结構電性接觸；％針體結構分別與對應之各該内連接 c.於該第二導 於各該針體結構之，θ上形成一犧牲層，該犧牲層對應 d去、.局4係分別定義有一電極區； ％ u.戈除戎犧私思 多數個遮蓋結構；層之各該電極區，使該犧牲層形成有 相n 书壓供應器，該電壓供應器具有電^ 相反之一第-及—第二電極； ”有電何極性 1笛+備t電解槽’該電解槽係裝設上述電解液，將 迖乂私d所製成之結構浸置於該電解液 以 包極设置於該犧牲層上對應於該些電極區，該 ΐ二電極2性連接該些内連接結構； g. §對應於該電極區部位之各該針體結構發生電化 0子反應使縱向縮減至特定之高度時除該電解槽及該 電壓供應器； 、h·去除_遮i結構’該基板上即形成有多數個上 述之微接觸元件。 2·依據申請專利範圍第1項所述微接觸元件之製作 20 1311200 方法，步驟a中，該基板上形成有多數個元件圖案，步驟b 中，該些針體結構係分別對應設於各該元件圖案上，各該 針體結構之大小與該元件圖案相近似。 3·依據申請專利範圍第2項所述微接觸元件之製作 5方法，該些兀件圖案之形成方法係為於該基板上形成一第 —犧牲層，糾半導體黃域程技術將該第-犧牲層圖宰 化，並將圖案化部位之該第一犧牲層去除後，對圖案化區 ⑩賴對狀絲板進行㈣脉，形減較寬度與深度 之該些元件圖案。 10 4 .依據申請專利範圍第2項所述微接觸元件之製作 方法’該些=件圖案之形成方法係為於該基板上形成一第 犧牲層藉由半$體黃光製程技術將該第一犧牲層圖案 化，亚將圖案化部位之該第—犧牲層去除，形成有特定寬 度與深度之該些元件圖案。 15 5 .依據申請專利範SI第3或第4項所述微接觸元件 之衣作方法該第導電層係設於該第一犧牲層及該些元 w 件圖案上。 6 ·依據申凊專利範圍第2項所述微接觸元件之製作 方法’該些元件圖案之形成方法係為於該第一導電層上形 成-第-犧牲層’藉由半導體黃光製程技術將該第—犧牲 層圖案化，並將圖案化部位之該第一犧牲層去除，形成有 特定寬度與深度之該些元件圖案。 7.依據申請專利範圍第2項所述微接觸元件之製作 方法’各該元件賴具有n接設於該基板，各該針體 1311200 結構於該凹部内形成一固定部，步驟g中，各該針體結構 縱向縮減之高度係高於該固定部。 8 .依據申請專利範圍第i項所述微接觸元件之製作 方法，步驟g中，各該針體結構對應各該電極區形成為該微 接觸元件之針身部，對應各該遮蓋詰構對應形成為該微接 觸π件之針尖部，該針尖部為用以接觸電子元件。 9.依據申請專利範圍第i項所述微接觸元件之製作 方法，步驟g中，各該針體結構對應各該電極區形成為該微 接觸兀件之針尖部，對應各該遮蓋結構對應形成為該微接 觸元件之針身部，該針尖部為用以接觸電子元件。 1 0 . —種微接觸元件之製作方法，包括有以下步驟： a.備製一基板，於該基板上形成一導電層，該 層可與特定之電解液產生電解反應，該導電層具 15 20 =體結構，減各該針體結構相互電性連接，各 構之局部上係對應定義有一電極區； 體、、、。 相反之b_ 供應^ ’該電壓供應器具有電荷極性 相反之一第一及一第二電極； c·提供一電解槽’該電解槽係裝設上述 極及上述步驟&所製成之結構設置於該電解二 中’心二電極電性連接該些 夜 該針體結構難奴纽電極與各 d·當職於各該魏區之料聽 ’ 應使縱向職至特定之高度時， ^化孥反 供應器，該基板上即形成有多數個上収微壓 22 1311200 製作方i，申請專利範圍第1〇項所述微接觸元件之 些針體結構係/中’ a基板上形成有多數個元件圖案，該 構之大小料1對應設於各該元件圖案上，各該針體結 1 ^、°亥凡件圖案相近似。 製作方法，# + ”專$範圍第1 1項所述微接觸元件之 -第-犧牲;:成 =:=::5==:: 深度之該些元件圖案。心製&，形成有特定寬度與 势作i mr請專利範圍第11項所述微接觸元件之 =-犧牲層，藉由半導體黃光製程技術將該第 t 15 «^ 犧牲層去除，I 疋I度與深度之該些元件圖案。 成有特 14 .依據申請專利範圍第丄丄項所 製作方法，各該ϋ件圖案具有―凹部，接設件之 該針體結構於該凹部内形成一固定部，步^、μ土板，各 體結構縱向縮減之高度係高於該固定部。 中各5亥針 15 ·依射請專利範圍第1〇項 製作方法’步驟a中’該些電極區之形成係為之 構上形成有一遮蓋結構，該些遮蓋結構為具_ Λ、’十體結 的材質所製成，因此對應於各該針體結構^广、，緣特性 外之部位即為各該電極區。 及遮轰結構以 23 20 1 0 製作方法，3*^ Μ_範圍第1 5項所述微接觸元件之 該微接觸元^/d中’Α各該針體結構_應各該電極區形成為 微接觸元件針身邛，對應各該遮蓋結構對應形成為該 17 =，部’該針尖部為用以接觸電子元件。 製作方法，步㉟豕申。月專利轮圍第1 5項所述微接觸元件之 該微接觸元件^ 、’立各或針體結構對應各該電極區形成為 微接觸元件之對應各該遮蓋結構對應形成為該 U 針尖部為用以接觸電子元件。 >製作方法，步:t利la圍第1 5項所述微接觸元件之 些針體結構大^ ^供之該第一電極為相當於或大於該 各該電極d上。、反電極’ H巾，該第-電極設置於 製作上第1 〇娜 15 f上更形區之形成方法係為於該導電 歧結構之局部， ^去除邊犧牲層中對應於各該針 2 〇 之部位即為該些電極區。 20 製作方法，步1 9項所述微接觸元件之 些針體結構大小 二之該第-電極為相當於或大於該 該犧牲層上對應科此=：步驟c中’該第-電極設置於 2 ^ 、成些電極區之位置。 製作方法，=m範圍第1 〇項所述微接觸元件之 極’分別對應;^各^^供之該第—電極為多數個成型電 針體結構各該成型電極於各該 戰面大小係小於該電極區。 1311200 22 ·依據申請專利範圍第2 1項所述微接觸元件之 製作方法，步驟d中，各該針體結構對應各該電極區形成為 該微接觸元件之針尖部，該針尖部為用以接觸電子元件。 25