TWI310470B - Liquid crystal display - Google Patents

Description

1310470 五、發明說明（1) 〈發明之範圍> 本發明是有關—箱液晶顯示器，特別是關於— 防因像'素中之離子所造成不正常之光漏’而具有捭衷错由預 品質之液晶顯示器。 9 之螢幕 〈先前技藝之描述〉 ，較於陰極射線管（之後以CRT稱呼），液晶 . (之彳交以L C D稱呼）一般而言具有輕重量、薄構进矛’、n 點，益因此，其在資訊設備之終端機和影;象低Λ量 方面代4 了 CRT。最近，具有薄膜電晶體（之後&TFT，置 呼），其作為在以矩陣形狀排列之每一像素中稱 :LCD實現了寬視角，從而預防彩色偏移並獲得高幵裝置’ Ϊ二Ϊ督LCD被廣泛地使用為膝上型和桌上型；Ϊ 以及作為電視螢幕。 土包恥， 杼播：般t說，[⑶包含一具有形成在像素中之τρτ和像去-私構造之陣列基板 '包含彩色濾波.象素笔 波基板，以β i千；V Α把Ρ弓+ T数电極之彩色滹 极Μ及插入基板間之液晶層。LCD根據加諸於愿 極和計數電極之電壓，藉由驅動液晶分子，析像素％ 之影像。 句解析出一預定 第1圖為表示了在習見LCD中之像素構造。Λ _ 數條閘極挑岣9 σ千古夕虹 ’、 如圖所示，多 =排線2主垂直多數條數據排線4之排列。 ： 層Ή乃插入前述二者之間，以達成 ：桎1彖 A FT 1 0在閘極排線2和數據排線4之交又處形成， ;像素之驅動。m i。包括一形成著桎：乂控 t成在㈣電極上之圖樣形狀《半導體層（圖

1310470 五、發明說明（2) ^^}，以及一形成來與半導體層之一部分重疊而形成之汲 極電極（drain electr〇des)4a 和 4b。源極電極（s〇urce elec 忖〇des)4a 呈島形，而汲極電極（drain electr(>des)4b 為從數據排線4延伸者。 一保護層（圖未示）在成品表面形成。一由透明金屬例 如氡化錫銦（Indium Tin Oxide)所製造之像素電極6，在藉 甴接觸源極電極（source electr〇des)4a之閘極排線2和數曰據 排線4所定義之像素區域中形成。像素電極6形成一矩形形 狀，從而藉由在整個像素區域中之相同電壓形成相同電^。 一彩色濾光板係與陣列基板相對排列，而位於其上 彩色濾光板包含分別形成對應陣列基板像素之红: 藍色濾光片（圖未示），而且在像素介面上，那：； 極排線2和數據排線4上部位之上，形成黑色矩陣12之^閉 以及包括彩色濾光片和黑色矩陣丨2之整個區域上丄 電極（圖来示）之像素。 八叹對向 夕數個液晶分子被填充在陣列基 雖然在圖上並未表示 板和彩色濾光板之間。 而，習見之LCD具有由於不正常光漏而降低柄 之問題，例如在LCD中之離子妨礙理想電壓之施加^ ，°σ貝 真信號電壓造成之殘像。 芝’由失 那即是’在量產程序期間，離子被添加到原先 子之LCD。並且，陣列基板之像素電極和彩色濾有邊 電極以矩形形狀形成，以致於在整個像素區域中，〈對^ 同ϋ不會有產生更密集電場之區域。 電壓相

1310470 五、發明說明（3) 在本習見例中，當數據信號電壓被施加時，在像 離子被直流成分之電壓（DC component voltage)均勺之 於像素中。因此’造成液晶不理想之動作，由此產^地吸= 的光漏，例如殘像等。 不正¥ (發明之總綸〉 因此，本發明乃在致力於解決習見技藝所發生 產生，並且本發明之目的之一，乃為了提供一 4蟪而 :象素中之離子所造成不正常之光漏，而增進營幕預 為了要達成此目帛，本發明包含： 多數條閘極排線和數據排線相互垂 、」；板，在其上 交叉處形成以及一像素電極在由排線所 ^在排線之 成；-和陣列基板相結合之彩色 j像素區域中形 區域相對應之彩色滹光#、 " 八上形成和像素 對向電極·，以及1 =片陣之整個表面上形成之 彩色濾光板間之液晶心，；固填充於陣列基板和 從而在其邊緣上形戍$ 像素电極具有矩形形狀，並 、 心成多數個銳角端。 1 銳1 ί%在鄰近數據排線和閘極 — 電極之邊緣上形成。 h泉之一或更多數個像素 角端被排列在黑色矩陣區域。 至於本發明之詳細構 次 照下列依附圆所作之說明即可；到作用與功效，則參 〈較佳具體實施例之詳细描述> 了解 1310470 五、發明說明（4) ~ ------ 本發明之較佳貫施例現作較詳細之描述，其時施例依附 圖說明二相同之參考標號貫穿使用於各圖和所提及之相同或 相似描述部分。 ，2圖^為根據本發明之LCD中之像素構造之頂視平面圖。 麥照第2圖，多數條閘極排線2 2和數據排線24相互垂直

排列。閘極絕緣層（圖未示）在閘極排線22和數據排線24間 形成’以由此電性絕緣Q 一TFT 30在閘極排線22和數據排線24之交叉處形成。 T F T 3 0包括形成一部分閘極排線之閘極電極、在閘極電極上 形成圖樣形狀之半導體層（圖未示）、以及和半導體層一邊 和其他邊之末纟而重登之源及極電極（source/drain electrodes)24a和24b。源極電極（source electrodes)24a 形成島狀形狀’並且没極電極（drain electrodes)24b形成 從數據排線2 4延伸之形狀。 保護層（圓未示）在生成之構造上肜成，以保護TFT 3 0。由透明金屬例如I TO所製造之像素電極26，在由和源極 電極（source e lectrodes) 24a相接觸之閘極排線22和數據排 線24所定義之像素區域中形成。 一彩色濾光板和陣列基板相對排列，由此在上部位之 上。彩色濾光板包含了形成和每一像素相對應之彩色濾光片 (圖未示）、在和像素介面相對應之閘極排線2 2和數據排線 24上部位形成之黑色矩陣32、以及在包括彩色濾光片和黑色 矩陣之整個區域上形成之對向電極（圓未示）。 包含多數個液晶分子之液晶層填充於陣列基板和彩色濾

第10頁 1310470 五、發明說明（5) 光板之間。 像素電極26 —般形成矩形形狀，並從而在邊緣上形成多 數個銳角端。銳角端2 6 a在黑色矩陣3 2區域中形成，那即 疋’在使用者從彩色遽、光板前方觀看L c D時，該區域被黑色 矩陣32保護。銳角端26a在鄰近閘極排線22或數據排線24之 一或更多區域上，令人滿意地形成。 在本像素 時，在端角構 呼）形成具有 避雷針性質而 成比在内部區 在本貧施 在像素中之離 集之電場，然 據信號電壓之 陣中之後，通 示，那即是， 因此，本 陣無法向使用 如上所述，本 之後，能預防 component vo 增進螢幕品質 並未見諸公開 號電壓 (之後 那即是 原理， 0 電壓被 成區域 端角構 角構成 壓之螢 陣保護 據信號 防由於 之離子 施加直 晶驅動 可以改 之規定 上形成一更密 從而產生 設置於黑色 對使用者顯 電壓失 離子之 被移到 流成分 電壓失 進習見 ，懇請 成區域和其他區域 不同電壓之電場。 形成更密集電場之 域上更密集之電場 例中’當數據信號 子被移動到端角構 後，離子被吸附在 失真。然而，在端 過失真數據信號電 在此區域由黑色矩 發明能藉由誘導數 者顯不之區域，預 發明之LCD在LCD中 經由長時間驅動和 ltage)所產生之液 ，而遠等功效確實 使用，合於專利法 被施加在像素電極 以『内部區域』稱 ，根據較小角度具有 在端角構成區域上形 施加到像素電極時 ，在其 成區域 區域被 幕不會 真造成黑色 不正常光漏 黑色矩陣内 之電壓（DC 真’並因此 者之弊，而 賜予專利，

1310470 五、發明說明（6) 為德便。 需陳明者5以上所述者乃是本發明較佳具體的 若依本發明之構想所作之改變，其產生之功能作用 出說明書與圖示所涵蓋之精神時，均應在本發明之 合予陳明。 施例’ 仍未超 圖内， 1310470 圖式簡單說明 第1圖為習見LCD中像素構造之頂視平面圖。 第2圖為根據本發明之LCD中像素構造之頂視平面圖。 照 對稱 名 與 f β件 元 中 示 圖 2 a 4 4 6

0 2 2 Ίχ IX 0/W a 4 4 2 2 6 6 0 2 2 2 3 3 a 泉泉彳δ等陣線線汲極端等陣 : 色極據^素 」'色 極據 素T d 銳 ㈣ w4bt-frF黑閘數 2 像# 極 電極 像

T F T

體 晶 電 膜 極 電極 體 晶 電 莫

頁 3 --i 第

Claims (1)

1310470 案號 91134419 年月曰 啪年丨翔Μ日修(更)正本 修正_ 六、申請專利範圍 1. 一種液 一陣列基 垂直排列、一 排線所定義之 和陣列 區域相 色矩陣 陣整個 液晶層 色濾光 中像素 端，而 2. 如申請 述銳角端在一 極之邊緣上形 和像素 成之黑 :色矩 板和彩 其 個銳角 晶顯示器，其包含： 板，在其上多數條閘極排線和數據排線相互 T F Τ乃在排線交叉處、而且一像素電極在由 像素區域中形成； 基板相結合之彩色濾光板，在其上形成一有 對應之彩色濾光片、一對應著像素介面而形 、且一對向電極乃形成在包含彩色濾光片和 表面上，以及 ，其包含多數個液晶分子而被填充於陣列基 板之間， 電極具有多邊形形狀，且在其邊緣形成多數 銳角端被排列在黑色矩陣區域中。 專利範圍第1項所述之液晶顯示器，其中所 或更多個鄰近數據排線或閘極排線之像素電 成。

第14頁