TWI309755B - Lithographic apparatus and device manufacturing method - Google Patents

Description

1309755 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影裝置及一種器件製造方法。 【先前技術】 i裝置係一種施加所要圖案至基板之 器。夹加& 一 知^上的機 么+例而s，可在積體電路（ic)、平板顯示器及涉及铲 :結構之其他器件的製造中使用微影裝置。在習知微心

中，圖案化構件（或者被稱為光罩或主光罩）可用來產 對應於1C(或其他器件）之一個別層的電路圖案，^ : 具有一層輕射敏感材料(例如，抗蝕劑)之基板(例 ，矽晶圓或玻璃板）上的目標區（例如，包括一 曰+ 〜X右干個 、：之4刀）上。®案化構件可包含產生電路圖案之個 可控元件之陣列以代替一光罩。 —般而言，一單-基板將包含經連續曝光之相鄰目標區 的網路。已知微影裝置包括：步進機，在步進機中藉：二 :曝光-整個圖案至目標區上而照射各目標區，·及掃描 :’在平行或逆平行於—給出方向（，’掃描”方向）同步掃描 基板時，#由以該給出方向經由光束掃描圖案而照射各目 某些微影系統包括具有-或多個光學柱(。ptical 一)(例如’光路)之掃描器。習知掃描器不能在一單— 掃描中曝光大面積基板。其原因之—為生產能夠曝光大目 標區之單-光學柱係因難的。例如，可需要能夠在具有沿 著各面板邊綠大約為2米之尺寸之面板上製造平板顯示号 105387.doc 1309755 (FPD)，但生產能夠曝光大體橫越如此之一圖案之整個寬 度而延伸的單一光學柱將係非常困難的。 解決該問題之-方式為使用—連串獨立光學柱曝光一面 板之全寬，排列該等獨立光學柱以使每一光學柱掃描在基 板上之一個別執道。在該種狀況下，相鄰軌道鄰接，從而 曝光面板之全寬。不幸地，其難以維持獨立光學柱處於相 對於彼此之適當位置，以避免在相鄰軌道之間出現一小間 隙或避免在相鄰軌道之間的一小重疊。該等欠對準可影響 所製造之器件的功能’且在FPD之狀況下，可導致顯示； 上面可見度譜線之出現。 因此’需要可㈣在-單—掃描中掃描—大面積基板之 —種微影系統及使用該微影系統的方法。 【發明内容】 根據本發明之-實施例，提供一微影裝置，其包含—昭 明系統、圖案化系統、投影系統及一移位系統。照明系: 供應輕射束。圖案化系統圖案化該等射束。投影系統將圖 ^匕射束投影至基板之目標區上。移位系統引起在基板與 ㈣糸統之間之相對移位’以使射束在—預定掃描方向上 横越基板被掃描。每—投影系統包含—經排列 列，以使在該陣列中之每一透鏡朝著基板引導個別射束= -個別部分。每-圖案化系統包含一經控制以將 圖案賦予該個別射束之個別可控元件陣列。投影 ::使=r著基板上之，軌道之-個心 知描軌道重疊以使每一軌道包含：_第一部分，其由僅 105387.doc l3〇9755 -射束掃描’·及至少一第二部分’其重疊一相鄰軌道且由 兩射束掃描。朝著-軌道之第—部分引導之每—射束之第 邙刀的最大強度大於朝者該執道之第二部分引導之該射 之第一部分的最大強度，以使該軌道之第一部分及第二 π分曝光於具有大體相同之最大強度之輻射下。 田藉由提供在相鄰受掃描軌道之間之重疊且調整投影至重 疊區域上之輻射的強度，與非重疊區域相比較，可避免在 個別軌道之邊緣區域之曝光強度的大的階梯狀改變。因 此，由不同光學引擎掃描之軌道可以一最小化在相鄰軌道 之相對位置之間未對準之不利影響的方式接合在一起。

八根據本發明之另一實施例，提供一器件製造方法，其包 含下列步驟。圖案化輻射束。將圖案化射束投影至支撐於 基板臺上之基板的目標區上。引起在基板與射束之間之相 對移位，以使射束在-預定掃描方向上橫越基板經掃描。 、.里由透鏡陣列朝著基板引導每一 & I。在該陣列中之每一 透鏡引導射束之一個別部分，以使圖案由個別可控元件陣 列賦予射束。沿著基板上—連串執道之—個別軌道掃描每 -射束。軌道重疊’以使每一軌道包含：一第一部分，其 由僅一射束掃描；及至少-第二部分，其重疊-相鄰軌道 且由兩射束掃描。朝著—軌道之第-部分引導之每—射束 之第一部分的t大強度大於朝著該軌道之第^分弓i導之 j射束之第二部分的最大強度，以使該軌道之第-部分及 第一。卩分曝光於具有大體相同之最大強度之輻射下。 在一實例中，可藉由在垂A於掃描方向之方向上横越基 105387.doc 1309755 板台分佈之光學柱陣列中之一個別光學柱產生每一射束。 相鄰光學柱可在掃描方向上偏移。或者，可經由在一共用 透鏡陣列中之相鄰透鏡行朝著基板引導至少兩重疊射束。 • 該等相鄰柱在一朝掃描方向傾斜之方向上延伸，且在一垂 * 直於掃描方向之方向上間隔開。使用個別可控元件陣列圖 案化射束。在一實例中，在基板之連續掃描期間可連續更 新賦予射束之圖案。 • 可藉由提供一衰減器件確定該個別射束之不同部分的最 大強度，其中射束穿過衰減器件透射。例如，吸收一比例 之射束的吸收器件。在本實例中，吸收器件之至少一周邊 部分可吸收一比例之射束且經定位以使穿過該周邊部分透 射之輻射朝著個別執道之一第二部分經投影。在各種實例 中，可在照明系統與圖案化系統之間或圖案化系統與基板 之間定位吸收器件。 在一實例中’由能夠傳遞射束之最小強度成份、最大強 • 度成份或至少一中間強度成份之個別可控元件陣列圖案化 每射束。在一實例中，使用一控制器件以控制該等元件 來降低朝著軌道之第二部分引導之射束之成份的強度。 在一實例中，經由一經排列以使該陣列之每一透鏡朝著 基板之個別區域引導一個別射束之個別部分的透鏡陣列將 每一射束傳遞至基板。朝著軌道之第二部分引導部分射束 之陣列的透鏡經排列以吸收或衰減（例如，由部分反射）比 朝絲道之第-部分引導部分射束之陣列的透鏡更多的射 束0 105387.doc 1309755 在一實例中，自該軌道之第二部分的與轨道之第一部分 相鄰之一邊緣至該軌道之第二部分的另一邊緣，可將射束 之第二部分的強度漸進地降低。因此，所傳遞之射束強度 朝著由該射束掃描之區域的邊緣逐漸縮減。 在下文中參看隨附圖式詳細描述本發明之進一步的實施 例、特徵及優勢，以及本發明之各種實施例之結構及運 作。 【實施方式】 概述及術語 儘管本文中可對微影裝置在積體電路（IC)製造中之使用 做出特別參考，但應瞭解，本文中所描述之微影裝置可具 有其他應用，諸如製造積體光學系統及為磁域記憶體、平 板顯示器、薄膜磁頭引導及偵測圖案等等。熟練技工將瞭 解在°亥荨替代性應用内容中，可認為本文中術語"晶圓” 或"晶粒"之任何使用係分別與更概括之術語"基板"或"目標 區’’同義。本文中涉及之基板可在曝光之前或之後於例如 y軌道（例如，一工具，其通常對一基板施加一層抗钱劑 並顯影經曝光的抗蝕劑）或一度量工具或一檢測工具中處 理。在適用之處，可應用本文之揭示内容於該等及其他基 ^處理工具。另外’例如為了產生多層ic，可處理基板一 '上故而本文中所用之術語基板可亦指一已含有多個 經處理之層之基板。 。此處所使用之術語"個別可控元件陣列”應廣泛解釋為指 可用來賦予一入射輻射束一圖案化橫截面從而可在基板之 I05387.doc 1309755 一目標區產生一所要之圖案的任何器件。在本内容中亦可 使用術語"光閥"及"空間光調變器”（sLM)。下文討論該等 圖案化器件之實例。 • 一可程式規劃鏡面陣列可包含一具有一黏彈性控制層 (V1SC0elastic contr〇l layer)及一反射表面之矩陣可定址表 面如此之裝置之基本原理為：例如，反射表面之經定 址區域將入射光反射為繞射光，而未經定址區域將入射光 φ 反射為非繞射光。藉由使用一適當之空間濾波器，可自經 反射的射束過濾出非繞射光，僅留下繞射光到達基板。在 此方式中該射束根據矩陣定址表面之定址圖案被圖案 化。 應瞭解’作為一替代’該濾波器可過濾出繞射光，留下 非繞射光到達基板。亦可以相應方式使用一繞射光學微機 電系統（MEMS)器件陣列。各繞射光學MEMS器件可包括 可相對於彼此變形以形成一光栅之複數個反射帶，該光柵 • 將入射光反射為繞射光。 另-替代性實施例可包括一使用微型鏡面之一矩陣排列 的可程式規^鏡面陣列，各鏡面可藉由施加一經合適定位 之電場或藉由採用壓電致動構件而圍繞—軸各自傾斜。 又’該等鏡面係矩陣可定址的，以使經定址之鏡面將在不 同的方向上反射一入射轄射束至未經定址之鏡面；以此方 式’根據矩陣可定址鏡面之定址圖案而圖案化該經反射之 射束°可使用合適之電子構件執行該需要之矩陣定址。 在上文描述之兩種情形下，個別可控元件陣列可包含一 105387.doc 1309755 或夕個可程式規劃之鏡面陣歹，卜可自例如美國專利 5,29M91及5,523，193及PCT專利中請案勒98/38597及則 98/33096中找到關於如此處涉及之鏡面陣列的更多資訊， 該等專利及專利申請案之全文以引用的方式併入本文中。 亦可使用可程式規劃之LCD陣列。該構造之一實例於美 國專利5,229,872中給出，該專利之全文以引料方式“ 本文中。 應瞭解，在使用特徵預偏壓、光學接近校正特徵、相位 變化技術及多次曝光技術之處，例如"顯示"於個別可控元 件陣列上之圖案可大體不同於最終轉移至基板之一層或基 板上的圖案。類似地，基板上最終產生之圖案可不對應於 在任何時刻形成於個別可控元件陣列上之圖案。此可為以 下配置中之狀況：形成於基板之各部分上之最終圖案經給 定時間段或給定數目之曝光建立，在此期間在個別可控元 件陣列上及/或基板相對位置上之圖案改變。 儘管在此文中可對微影裝置在積體電路（IC)製造中之使 用做出特別參考，但應瞭解，本文中所描述之微影裝置可 具有其他應用’諸如製造DNA晶片、MEMS、MOEMS、積 體光學系統，為磁域記憶體、平板顯示器、薄膜磁頭引導 及偵測圖案等等。熟練技工將瞭解，在該等替代性應用之 内容中’可認為本文中術語"晶圓"或”晶粒”之任何使用係 分別與更概括之術語"基板"或"目標區"同義。本文中所涉 及之基板可在曝光之前或之後於例如軌道（通常對基板施 加一層抗勒劑及顯影經曝光之抗蝕劑的工具）或度量工具 105387.doc -12- 1309755 或檢測工具中處理。在適用之處，本文中之揭示内容可應 用於該等及其他基板處m外，例如為了產生多層 ic’該基板可處理—次以上以使得本文中所用之術語基二 可亦指已含有多個經處理之層之基板。 本文中所使用之術語"輻射"及"射束，，包涵所有類型之電 磁輻射，包括紫外（uv)輻射（例如具有365、248、193、 157或126 nm之波長的輻射）及遠紫外（Euv)輻射（例如具有

在5-20 nm範圍内之波長）以及諸如離子束或電 束。 本文中所使用之術語，，投影系統，，可廣泛地解釋為包涵各 種類型之投影系統，正如例如適於所使用之曝光輕射，或 適於諸如浸潰流體之使用或真空之使用的其他因素，包括 折射式光學系統、反射式光學系統及折反射式光學系統。 可s忍為術語"透错·”太士 士 1 透在本文中之任何使用與更概括之術語 ”投影系統"同義。 照明系統亦可包含各種類型之光學組件，包括用於引 '^或控制輻射束之折射式、反射式及折反射式光學 組件，且該等組件亦可在下文統稱為或單一地稱為"透鏡"。 微影裝置可為具有兩個（例如雙平臺）或兩個以上基板台 (。及/或兩個或兩個以上光罩台）之類型。在該等”多平臺，，機 2 了並订使用額外台’或在使用一或多個其他台用於 曝光時可於―或多彳目臺上進行預備步驟。 =裝置亦可為以下類型，其中基板浸潰於具有相對高 折射率之液體（例如水）中以填充投影系統之最終元件愈 105387.doc 1309755 邊基板之間的空間。浸潰液體亦可施加至微影裝置中之其 他空間，例如施加於光罩與投影系統之第一元件之間。在 此項技術中熟知浸潰技術係用於增大投影系統之數值孔 徑。 另外，該裝置可具有一流體處理單元以允許流體與基板 之經照射部分之間的相互作用（例如，選擇性地附著化學 品至該基板或選擇性地修改該基板之表面結構）。 微影投影裝置 圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例之微影投影裝 置100。裝置100至少包括一輻射系統1〇2、一個別可控元 件陣列104、一載物台1 〇6(例如一基板台）及一投影系統 ("透鏡"）108。 輻射系統1〇2可用於供應一輻射束11〇(例如uv輻射），該 幸虽射糸統1 0 2在此特定狀況中亦包含一輕射源112。 一個別可控元件陣列1〇4(例如一可程式規劃鏡面陣列） 可用於施加一圖案至射束11 〇。通常，個別可控元件陣列 104之位置可相對於投影系統108固定。然而，在一替代性 配置中’個別可控元件陣列104可連接至用於將其相對於 投影系統108精確定位之定位器件（未圖示）。如此處所描 續·’個別可控元件104為反射類型（例如具有個別可控元件 之反射陣列）。 載物台106可具有一用於固持基板114(例如塗佈了抗姓 劑之矽晶圓或玻璃基板）之基板固持器（未具體圖示），且載 物台106可連接至用於相對於投影系統1〇8精確定位基板 105387.doc 14 1309755 114之定位器件116。 投影系統108(例如石英及/或CaF2透鏡系統或折反射式系 統’其包含由該等材料製成之透鏡元件；或鏡面系統）可 用於將自光束分光器118接收之圖案化射束投影至基板ι14 之目標區120(例如一或多個晶粒）上。投影系統ι〇8可將個 別可控元件陣列104之一影像投影至基板114上。或者，投 影系統108可投影第二源之影像，該個別可控元件陣列i〇4 之凡件對於該等第二源而言充當快門。投影系統1〇8亦可 包含微透鏡陣列（MLA)以形成第二源及投影微小光點至基 板114上。 源112(例如準分子雷射器）可產生一輻射束122。射束122 直接抑或在橫穿調節器件丨26(例如射束放大器）之後饋入一 照明系統（照明器）124中。照明器124可包含一調整器件

128，其用於設定射束122中之強度分佈的外部及/或内部 徑向範圍（通常分別稱為σ_外部及σ_内部ρ另外，照明 器=4將通常包括各種其他組件，諸如—積光器⑽及一聚 光器132。以此方式，照射於個別可控元件陣列上之射 束110在其橫截面上具有—所要的均_性及之強度分佈。 請注意’對於圖！ ’源112可在微影投影装置1〇〇之外殼 内(例如’當源U2係一汞燈時通常為該種狀況)。在替代實 施例中’源m可遠離微影投影裝置1〇〇。在該種狀況下， 可引導輕射束122至裝置1附（例如，在合適之導向鏡之 寶助下)。此後二情況通常為當源U2為準分子雷射器之狀 況。應瞭解’此專兩種情汉皆芸认士 r月況白/函盍於本發明之範疇内。 105387.doc -15- 1309755 射束110在使用分光器〗丨8被引導後，隨後與個別可控元 件陣列104相交。在經個別可控元件陣列1〇4反射後，射束 11 〇牙過投影系統1 〇8，該投影系統！08將射束j丨〇聚焦至基 板114之一目標區12〇上。 在疋位器件116(且視需要為底板136上之經由光束分光

器14〇接收干涉射束138的干涉量測器件134)之幫助下，基 板台6可精確地移動，以便將不同目標區12〇定位於射束 no之路徑中。在使用之處，用於個別可控元件陣列1〇4之 定位器件可用於（例如）在掃描期間相對於射束11〇之路徑精 確地校正個別可控元件陣列1〇4的位置。通常，在長衝程 模、、且（粗疋位）及短衝程模組（精定位）之幫助下實現載物台 | 〇6之移動，其在圖j中未明確描繪。亦可使用一類似系統 來定位個別可控元件陣列104。應瞭解，當載物台1〇6及/ 或個別可控元件陣列1()4可具有m置以提供所需要 之相對移動時，射束110可或者/額外地為可移動的。 在該實施例之一替代性組態中，可固定基板台1〇6，同 =基板114可在基板台1G6上移動。在完成此舉之處，基板 6在平坦之最尚表面上具有眾多開口，經由該等開 口 ：：氣體以提供能夠支擇基板114之氣塾。&習知地稱 為空乳軸承配置。使用一或多個致動器(未圖示)在基板台 ⑽上移動基板114，該或㈣致動器能夠相對於射束⑽ ,路徑精確地定位基板114。或者，藉由選㈣地開啟及 π止氣體透過開π之通道而在基板台1Q6上移動基板114。 儘管根據本發明之微影裳置1〇〇在本文中描述為用於曝 i05387.doc -16· 1309755 ，本發明並非限於此 化射束110以供無抗蝕 使 劑 光在基板上之抗蝕劑，但應瞭解 用，且裝置100可用於投影一圖案 微影術使用。 所騎之裝置100可以四種較佳模式使用： A h步進模式：將個別可控元件陣列104上之整個圖案一 =性（意即，單一，，閃光"）投影至目標區【20上。接著在,及/ 或y方向上移動基板台1G6至針對不同目標區⑶的不同位 置以被圖案化射束11 〇照射。 掃描模式：除了不在單一”閃光”中曝光給定目標區120 以外’其基本上與步進模式相同^ #代地，個別可控元件 陣列104可以速度乂在一給定方向（所謂的”掃描方向"，例如 y方向）上移動，以引起圖案化射束丨丨〇在個別可控元件陣 列1〇4上掃描。同時，基板台1〇6以速度V=Mv在相同或相 反方向上同時移動，其中M為投影系統108之放大率。以 方式可曝光相對較大之目標區120而不需於解析度方 面妥協。 3.衝模式：將個別可控元件陣列1〇4保持基本固定且使 用脈衝輻射系統102將整個圖案投影至基板114之目標區 上以基本恆疋之速度移動基板台1 〇6，以引起圖案 化射束110橫越基板106掃描一條線。在輻射系統1〇2之脈 衝之間按需要更新個別可控元件陣列104上之圖案，且將 該等脈衝定時以使連續目標區120在基板114上之所需位置 處曝光。因此，圖案化射束110可橫越基板114掃描，以曝 光基板114之一條帶的完整圖案。重複該過程直至逐條線 105387.doc 17 1309755 地曝光整個基板114。 4·連續掃描模式：除了使用大體恆定之輻射系統102且 在圖案化射束110橫越基板114掃描並曝光該基板ιΐ4的同 時更新個別可控元件冑列1〇4上之圖案以夕卜，其基本上與 脈衝模式相同。 亦可知用上文所描述之使用模式之組合及/或變化，或 完全不同之使用模式。 例示性投影系統 、圖2根據本發明之一實施例展示一包括一微透鏡陣列之 光學投影系統。在圖2中展示之裝置包含一具有一下表面 的對比器件1，該下表面支樓一個二維元件陣列2。可選擇 性地控制在元件陣列2中之每一元件的一角位。在對比器 ^ 1之下定位—光束分光器3。照明源4朝著光束分光器3引 導輻射束5。將輻射束5反射至對比器件丨之一下表面上。 對比器件1之兀件之一展示為經由光束分光器3與由透鏡 及8所界疋之投景> 光學部件向回反射輕射束$之一成 份。在此實例中，最低之透鏡8係像場透鏡（fieid ien〇，其 產生朝者一微透鏡陣列9引導之實質上的遠心射束 (teleCentric beam)。在一實例中，微透鏡陣列9包含一小透 鏡-維陣列。排列每—透鏡以將人射於其上之光聚焦於基 板10之一上表面上。 、土 在此實例中，由於作為一將光反射至微透鏡陣列9之鏡 面之對比益件i中之凡件2中的每一個，微透鏡陣列9中之 透鏡中的個別透鏡受到照明。藉由在微透鏡陣列9中之受 J05387.doc •18- 1309755 照明透鏡而投影一個別光點至基板丨0之上表面。應瞭解， 儘管在此排列中’對比器件！成像於基板1〇上，但其他排 列係可能的。例如，可將投影系統6、7及8之一光瞳成像 於基板10上。 圖3根據本發明之一實施例展示包括一可移位基板台之 圖2的光學投影系統。在圖3中展示基板1〇支撐於微透鏡陣 列9之下的基板台^上。由矩形12表示投影光學組件。在 投影光學組件12上方展示圖2之對比器件丨的三個對比元件 2。在所說明之排列中’基板台u在微透鏡陣列9之下箭頭 13之方向上以一線性方式移動。 圖4為技射至於圖3中根據本發明之一實施例所說明之系 統中之基板上的光點的取向之示意性表示。圖4展示在圖2 及圖3之微透鏡陣列9中之個別透鏡的部署與圖3之基板台 11的移位方向之間之關係。藉由箭頭13在圖4中表示移位 方向。該方向平行於向另一線15傾斜之線14，該線Η平行 於微透鏡陣列9中之透鏡之一行延伸。在相鄰行中之透鏡 對準以界定垂直於透鏡15延伸之列。每一透鏡將光投影至 光點矩形陣列中之-不同光點上，藉由數字Μ識別其中之 一光點。透鏡排列在規則二維陣列中，該陣列略微向基板 台移動方向U傾斜，以使可藉由對照明射束$之適當的巧 制而曝光基板1〇之整個表面，藉由對比器们之個別元件工 而傳遞該照明射束5至個別透鏡。 ^-實财’每—透鏡可有效地在基㈣之表面,,寫"一 連縯線。該等線充分靠在一起以重疊。 105387.doc -19- 1309755 在—實例中’為了曝光基板10之一選定一维^ / 透鏡陣列9之丁士 a k疋一維£域，在微 下方别移基板1 〇，且藉由對對比 聯元件之合適的s田野對比盗件1之相關 等個別透鏡·^ 個別透鏡，在任何一時間在該 下方疋位待曝光之區域。 L括光學枉之例示性投影系統 干根據本發明之一實施例之光學柱陣列之排列的 : 不。在此實例中，裝置運作於連續掃描模式中。 二：:7定位於基板台18上且可在箭頭19方向上橫越基板台 夕立二支撐例如六個光學柱21的橋部20定位於基板台U 之亡’母-光學柱包括多個組件，該等組件佔據由圓圏所 T之工間並傳遞具有由矩形22表示之佔據面積的射束。 在此實例中，基板17以箭頭19之方向橫越基板台18前 移，每一光學佔據面積22橫越基板17被掃描。可使用每一 光子柱21以曝光基板17之表面上之一個別軌道。軌道平行 於箭頭19指示之方向延伸，且具有對應於光學佔據面積^ 在垂直於箭頭19之方向上之尺寸的寬度。 在此實例中，將在圖5中展示之六個光學柱2丨排列於垂 直於前頭19所指示之方向的兩列中。雖然六個光學柱21分 佈於垂直於箭頭19所指示之方向上，但在垂直於箭頭19之 方向上相鄰的光學柱亦在箭頭19之方向上偏移。在此實例 中，此通常為必要的，因為組成每一光學柱2丨之設備須佔 據大於例如由矩形2 2表示之光學佔據面積的佔據面積。因 此’若在圖5中所展示之六個光學柱21曝光基板17上之一 垂直於箭頭19延伸的線，則將當基板17處於相對於橋部2〇 105387.doc •20_ 1309755 之-第-位置時由最左列之三個光學柱2 i曝光該線的三個 第一部分，且將在1板17之進一纟移位後由最右列之光學 柱21曝光該線之其他三個部分。 圖6根據本發明之一實施例，示意性地表示由圖$之光學 柱掃描之軌道23相對於基板的一位置。圖6表示可藉由圖5 之光學柱21在置放於基板台18上之基板17上曝光的軌道 23。每一軌道23具有由虛線表示之邊界。 圖7根據本發明之一實施例，示意性地表示在圖6中所示 之軌道23中之一者與兩條相鄰執道23之間的重疊。一中央 執道23在由線24與線25指示之邊緣之間延伸。相鄰軌道η 在一側延伸至一由線26所指示之位置且在另一側延伸至一 由線27所指示之位置。在相鄰軌道23之間存在由在一側之 陰影區28及在另一側之陰影區29所指示的重疊區域。 在實例中，負責曝光在線24與線25之間之區域（除重 疊區域28及重疊區域29之外）的射束強度係均一的。類似 地，相鄰軌道23(除區域28及區域29之外）強度均一。 在一實例中，調變用於曝光區域28之兩射束之強度，以 使到達該區域28之輻射的總強度實質上與到達重疊區域28 與重疊區域29之間之區域之輻射的強度相同。例如，若希 望所表不之所有三條軌道23在任何特定時間精確接收相同 、、月強度則所有該等區域，包括重疊區域28及29，將接 收貫質上相同之輻射強度。 在此實施例中，在圖5中所示之光學柱21之給定偏移在 箭頭19方向上’而於在光學柱21下方掃描基板17時，將由 105387.doc 21 · 1309755 早-光學柱21曝光每—軌道23之甲央部分，將在兩個連 續階段中曝光區域28及區域29。如圖5中所示，當基板】7 =相應部分經過光學柱21之左側列中之—者下方=生第 —步曝光。如圖5中所示，當基板17之相同部分經過光學 柱21之右側列下方時發生第二步。 例示性強度特性及用於產生該等強度特性之系統 圖从、圖犯及圖8C根據本發明之不同實施例，示音性 地表示當橫越兩條執道23之間之一重叠區域的寬度存:強 :上之連續變化時在相鄰執道23之重疊區域中射束的強 -。、例如’該等圖形表示傳遞至在圖7中表示之包括 區域28及重疊區域29之三條軌道23之射束的強度。 之—圖形展示傳遞至圖7中央所示之軌道23之 射束的強度，假設由該射束傳遞之所要圖案的強度 八有〇〇%的均一性。請注意，強度楔形橫越每—區域28 及29自1〇〇%降至零。當然’若射束經圖案化以致包括零 圖案區域及職強度之圖案區域，則圖^之_ 中斤表不之總圖案將不如所說明為均— 發明之目的’假定在下層之基 ' 解釋本 性。 土攸之所而要之曝光中之均一 在請中之圖形表示由曝光圖7中表示之 —兩射束傳遞之射束的強度。每—該等射束= 自區域28、29之-極端之刚％延伸至另—極端強 的逐漸縮減的強度。 +強度 在圖8C中之一圖形表千士田# ^ 不由用於圖7中所表示之三條軌道 105387.doc -22- 1309755 23之一束射束傳遞之強度總和。橫越區域冗及區域μ，強 度係匣定的。應瞭解，若用於圖7中之中央轨道U之曝光 之一束射束之間存在某些欠對準，例如1〇%之欠對準，則 ^強度刀佈可有某程度之變化，但最多變化標稱強 度值之_ίο%。因此，實質上降低了曝光執道η之間之欠 對準的顯著性。 圖9根據本發明之一實施例’表示橫越在兩條軌道”之 間之一-重疊區域的強度上之一替代性逐階變化。因此，圖 9表π·-圖8所表不之強度分佈之_替代性強度分佈。如圖9 中所π依傳遞的強度朝著任何特定軌道Μ之邊緣連續向 下逐漸縮小而定，心―逐階方式將強度降低。在圖9所 說月狀况中，每一個別臺階表示總標稱丨〇〇%強度之 20%。假定欠對準不大於該等五個臺階中之一者之寬度， 總強度劑量將不會自標稱值偏離超過±20%。 圖10根據本發明之一實施例’示意性地表示能夠產生在 圖8或圖9中所表示之強度變化之吸收器件30、31、32或33 的四個替代性位置。在—實例中，衰減式器件可為吸收玻 璃板’以使投影射束具有與圖8所示之強度分佈類似的強 度分怖<= 在一實例t，吸收器件可為具有—光亮的中央部分及經 表面處理之兩個邊緣部分的簡單玻璃板，以漸進地降低朝 者該等板之兩個相對邊緣透射穿過該板之射束的強度。 替代物可為具有部分反射邊緣之玻璃板。 對於任何上述實例，吸收裝置可定位在源4與光束分光 105387.doc -23- 1309755 …之間(如組件30所表示)、光束分光器墙 之間（如器件所表示）、光束分 讀2 所表示）或在光學柱中之任S面（如器件32 任何其他合適的位置，如位於像 下咖= ㈣陣列9之間之器件33所表示。在所有狀況 :’^件3()、31、32或33用於降低沿著平行於掃描方向延 伸之射束之邊緣的射束之部分的相光強度。 一在可控元件陣列中之元件的例示性運作 圖11及圖根據本發明之—實施例，示意性地表示一方 2，在該方式中❹_反射可控元件調整—射束之一部分 X在實例巾，可使用—鏡面陣列以傳遞最大強度 (例如，"白多丨丨、、具,3Α + , 曰色）、最小強度（例如，"黑色"）、及中間強度 W《色）。藉由定位—個別透鏡2(表示陣列2)以使 、平仃於對比器件i之平面延伸而由對比器件^傳遞最大強 度職透鏡陣列9中的—透鏡34。藉由鏡面2之如此部署， 一兄面2來反射之光的強度分佈（由曲線35表示）集中於孔 4里位置3 6中夕 -21 示 之—孔徑上。穿過孔徑之射束具有一由線37指 :之中心軸且由_由線38表示之透鏡聚焦，以形成一較小 一 〜光束由透鏡34聚焦於基板10上。由透鏡34傳遞之 射束關於由線39指示之軸對稱。假定由線35表示之強度分 佈關於孔径板36中之孔徑之中心對稱，則由鏡面2反射之 光的大部分（例如，"白色"）到達基板10，且該部分對應 最大強度。 右如此轉動鏡面2以使實質上沒有反射光到達孔徑板36 中 t孑L # ， ρι丨f # 、 、耳負上沒有（例如，”黑色”）光將到達透鏡 105387.doc •24· 1309755 34，且此將導致基板1 〇之最小強度的曝光。然而若旋轉鏡 面2經過一相對小之角度，則反射之射束將相對於孔徑板 36之孔徑移位’但某些反射光將穿過該孔徑。 在圖12中說明了該等情況，在圖12中可見，強度分佈35 相對於孔徑之中心偏移，但與該孔徑部分重疊。因此，雖 然某些光到達透鏡34 ’但傳遞至基板10之光之強度與在圖 11中說明之狀況相比較係降低了。

根據本發明之實施例，傳遞光至位於微透鏡陣列9中鄰 近微透鏡陣列9之邊緣的透鏡列《透鏡平行於自對比器件玉 接收之灰色強度射束的掃描方向延伸，從而能獲得重疊光 學柱之間的強度關係。 圖11及圖12描繪具有一單一鏡面2對應基板1〇上之一像 素的投影系統。藉由如此之配置，解析度將變為對比器件 1中之灰度值的一函數，該灰度值為鏡面2之傾角。 在-替代性配置中，ϋ由例如若干鏡面2之—叢集而形 成-繞射格栅1由如此之配置’解析度將不取決於灰度 值。 圖13根據本發明之-實施例，示意性地表示三個光學柱 之-排列（例如’光學佔據面積），每一光學柱包含一經定 位以曝光基板上之重疊軌道的微透鏡陣列。三個光學柱之 光學佔據面積依該等重疊之柱之光學佔據面積之部分的灰 明而定。在圖13中’由箭頭4〇表示掃描方向。一第— 光學柱具有-由矩形41表示之光學佔據面積。該光學佔據 面積延伸至—待曝光之基板之—區域之-邊緣，該邊緣由 105387.doc -25- 1309755 線42指示。光學佔據面積41亦重疊一界定於線43與線料之 間之區域，該區域亦由一相鄰光學柱之一由矩形45表示之 光學佔據面積的右側重疊。光學佔據面積45重疊一以線46 及線47為界之區域，該區域亦由一由矩形48表示之光學柱 之右側重疊。 由矩形41表示之微透鏡陣列之左側由自鏡面2接收光（例 如見圖11及圖12)之一連争透鏡列組成，鏡面2經定位以傳

遞灰1¾強度。當不存在與相鄰光學柱之重疊時，光學佔 據面積41之右側接收全強度輻射。然而在所有存在該重疊 之狀況下，傳遞強度降低之輻射束至光學佔據面積之重疊 部分。 圖14示意性地表示形成相鄰光學柱之部分之兩個微透j 陣列的邊緣部分，且其以圖13中說明之方式部分地重疊 換言之，圖14示意性地表示在經排列以曝光基板上之重， 執道之兩個微透鏡陣列中的個別透鏡之部署。在圖"中 重疊部分接收藉由鏡面陣列之合適控制而降低強度的· 射…：而纟圖14所說明之狀況中，處理用於光學佔據召 積之重疊部分的透鏡以吸收或改變-定比例之人射輻射, 因此’可維持橫越相鄰光學佔據面積之間之重疊區域的j 體恆定之照明水準（例如，如圖8所表示 在· 一實仓，丨Φ his 第一微透鏡陣列49之一角展示為含有d 圓圈50表示之请# β 透鏡之列與行。每一該等透鏡曝光一下方戈 基扳上的一夯f jt。, .^ ± ”错由—小圓圈51指示該光點之位置。德 透鏡陣列49係固定的..A/. U疋的，但在箭頭52之方向上相對於下方之 105387.doc -26- 1309755 基板移動。此可基於在微透鏡陣列49下方之基板的移位。 因此，微透鏡陣列49可表示為圖丨3中所說明之微透鏡陣列 4 5之—角。 • 在一實例中’展示一相鄰光學柱之微透鏡陣列53的一 角。如圖13中所表示，微透鏡陣列53可對應於光學佔據面 積41之左上角。又，由圓圈表示個別透鏡，且由圓圈η 表示個別照明光點。 φ 在微透鏡陣列49之頂部列及最右側行中之透鏡54照明一 由在兩條平行於掃描方向52延伸之兩條線之間之間隔乃表 不的軌道。在下一列中之相鄰透鏡照明間隔57，且在下一 列中之相鄰透鏡58照明軌道59。該等執道將略重疊，以便 若所有三個透鏡54、56及58接收一相同強度之輻射束，則 引起由軌道55、57及59重疊之區域之大體上均一的曝光。 在掃描方向上將透鏡54、56及58與微透鏡陣列之透鏡 60、61及62對準。因此，該等透鏡6〇、61及62中之每一透 φ 鏡能夠照明軌道55、57及59之一個別軌道。舉例而言，若 存在元美之對準，且在圖I4之兩個微透鏡陣列中展示之六 個透鏡54、56、58、60、61及62中的每一透鏡傳遞5〇%之 輻射束，則將存在由該等兩個微透鏡陣列曝光之所有軌道 之100%均一曝光。 在只例中，母一微透鏡陣列具有64列透鏡使其能夠曝 光64條重疊軌道。在列中之每一透鏡具有一表面處理，以 吸收一比例之任何所接收到之輻射束。舉例而言，可製造 透鏡60以吸收入射束之1/64，製造透鏡61以吸收2/64，製 105387.doc -27- 1309755 造透鏡62以吸收3/64，等等，透鏡Μ經配置以吸收63/64， 透鏡56經配置以吸收62/64，透鏡58經配置以吸收61/64， 等等。因此，在此實例中，若由兩個微透鏡陣列橫穿之軌 道最完美地對準，則每一執道可精確傳遞一入射束之 64/64。若由—軌道之寬度使微透鏡陣列欠對準，例如由 於重疊區域由一執道縮小，則橫越任何兩個光學柱之間之 邊界的最大強度變化可為橫越重疊區域之所要強度之1/64 的降低。 在圖14所示之實施例之一實例中，可作一假定，即：僅 處理每一微透鏡陣列中之一行透鏡以吸收一比例之入射 束。亦假定該等行至掃描方向52之傾斜角及透鏡5〇之間距 使得每一行允許64條執道之曝光，每一該等軌道之寬度係 該等透鏡間距之1/64。 應瞭解，僅為解釋之目的給出該實例，且或者用（例如） 一層輻射吸收材料處理與光學柱之邊界相鄰之許多行透鏡 以傳遞合適之輻射強度至下方基板處。 在一配置之一實例中，例如如在圖11及圖12中所說明 的，每一鏡面（舉例而言）為16平方微米級，其中每一鏡面 照明-微透鏡陣列中之—透鏡陣列中之—個別透鏡。每一 透鏡可傳遞直徑為125微米之光點至基板處。每一微透鏡 陣列可具有例如500個透鏡之列（例如，橫跨掃描方向），其 中該微透鏡陣列之深度（例如在掃描方向）容納例如2〇〇列透 鏡。在此實例中’ 200行透鏡之每—者可曝光_25〇微来寬 (200χ1·25微米）之執道9。 105387.doc -28- 1309755 二m多個各種實施例及/或實例之描述中，假 疋由-包括-透鏡陣列之個別光學柱產生每—乂 中該陣列之所有透鏡朝著該基板引導-單束光束之部分： -或多個上述實施例/或實例應用於兩個相 學佔據面積的重疊區域。缺 之九 …、向其他實例允許可在一單一 光學柱之-透鏡陣列内之相鄰透鏡行之間發生之成像誤差 的降低。在此實例中’使用在、 u卞/Γ土 Π < 一早—透鏡陳 列中之-個別透鏡行產生每―"射束,·。參看圖Η及圖⑽ 一步描述本發明之該額外應用。 圖15為根據本發明之—實施例之由不同光學柱產生之重 疊軌道之說明。該實施例與圖13及圖14中所示之實施例非 常類似’但含有兩個光學柱’各光學柱包括由四個透鏡行 d、、C3及C4構成之透鏡陣列63及64，每—行包括經排 列以界定十列透鏡ΠΗΟ之十個透鏡。掃描方向由箭祕 表示，以使陣列63之透鏡行詩—界定於線66之間之區域 且陣列64之透鏡行用於一界定於於線67之間之區域。因此 在陣列63之右側行之前四列（行心川至叫中的透鏡盘陣 列64之左側行之後四列（行。列17至^〇)中的透鏡之間存在 一重豐區域。由線68及線69表示該等兩個透鏡陣列之最大 照明強度。因此，可橫越兩個光學柱之光學佔據面積之間 的"接縫"達成均一的最大強度。 圖16為根據本發明之一實施例之由在一透鏡陣列中之相 鄰透鏡行產生之重疊軌道的表示。其說明一實施例，在該 實施例中，在一單一透鏡陣列中之不同行之間，而非如^ I05387.doc -29- 1309755 圖15中所展示之實施例中之在相鄰透鏡陣列之間，提供重 豐’接縫"。在圖1 6中表示一單一透鏡陣列7〇，該陣列具有 排列於十三列rl至rl3中之四個透鏡行“至以。 在圖16所展示之實施例中，藉由箭頭71表示掃描方向。 因此，將看到在相鄰行之間存在重疊，例如位於線72與線 73之間之區域。在每一重疊行内，由線74指示最大強度。 因此行cl、c2及c3之列^至!^及行c2、c3&c4之列rl〇至ri3 的最大強度降低。結果，橫越由所說明之光學柱掃描之基 板上之軌道之全寬的最大強度大體恆定。藉由將傳遞至相 鄰透鏡行之圖案化射束視為不同”射束"，將看到軌道（沿著 該軌道掃描相鄰射束）重疊且該等射束之重疊及非重疊部 分的最大強度使得將基板之所有目標表面曝光於具有大體 相同的最大強度的輻射中。 結論 雖然在上文中描述了本發明之各種實施例，但應理解其 僅以實例形式呈現，而並非限制。對於熟習相關技術者顯 而易見的是’可在不偏離本發明之精神與範疇之情形下對 本發明在形式上與細節上作出各種改變。因此，本發明之 廣度及範疇不應限制於任何上述例示性實施例中，而應僅 根據下文中之申請專利範圍與其等效意義而界定。 【圖式簡單說明】 圖1根據本發明之一實施例描繪一微影裝置。 圖2根據本發明之一實施例展示一包括一微透鏡陣列之 光學投影系統。 105387.doc -30- 1309755 可移位基板台之 圖3根據本發明之一實施例展示包括— 圖2的光學投影系統。 圖4為投射至於圖3中根據本發明之一實施例所說明之系 統中之基板上之光點之取向的示意性地表示。 圖5為根據本發明之—营痛你丨^^本 貫鉍例之先學柱陣列的排列之示 意性地表示。

圖6根據本發明之一實施例，示意性地表示由圖5之光學 柱掃描之軌道相對於一基板的一位置。 _圖7根據本發明之一實施例，示意性地表示在圖6中所展 不之軌道之一與兩條相鄰軌道之間的重疊。 圖8A、圖8B及圖8C根據本發明之不同實施例，示意性 地表示當橫越兩條軌道之間之—重疊區域的—寬度存在強 度之連續變化時’在相鄰軌道之重疊區域中射束的強度。 圖9根據本發明之—實施例，表示橫越兩條軌道之間之 一重疊區域的強度之一替代性逐階變化。 圖10根據本發明之—實施例，示意性地表示能夠產生圖 8或圖9中所表示之強度變化之吸收器件的四個替代性位 置。 圖11及圖12根據本發明之一實施例，示意性地表示一方 式，在該方式中使用一反射可控元件調整一射束之一部分 的強度。 圖13根據本發明之一實施例，示意性地表示三個光學柱 之排列，每一光學柱包含一經定位以曝光基板上之重疊執 道的微透鏡陣列。 麵31 - 105387.doc 1309755 圖14根據本發明之一實施例，示意性地表 衣不兩個微透鏡 陣列中之個別透鏡之部署，該等微透鏡陣列 4么徘列以曝光 基板上之重疊軌道。 圖15為根據本發明之一實施例之由不同光學柱產生之重 疊軌道的說明。 圖1 6為根據本發明之一實施例之由在—透鏡陣列中之相 鄰透鏡行產生之重疊軌道的表示。 將參看隨附圖式描述本發明。在圖式中，相同參考數字 可指示相同或功能相似之元件。 【主要元件符號說明】 1 對比器件 2 二維元件陣列 3 光束分光器 4 照明源 5 輻射束 6 透鏡 7 透鏡 8 透鏡 9 微透鏡陣列 10 基板 11 基板台 12 投影光學組件 13 移位方向 14 線 105387.doc •32· 1309755

15 線 16 光點 17 基板 18 基板台 19 方向 20 橋部 21 光學柱 22 光學佔據面積 23 軌道 24 線 25 線 26 線 27 線 28 區域 29 區域 30 吸收器件 31 吸收器件 32 吸收器件 33 吸收器件 34 透鏡 35 強度分佈 36 孔徑位置/孔徑板 37 中心軸 38 透鏡聚焦 105387.doc -33 1309755

39 轴 40 掃描方向 41 光學佔據面積 42 線 43 線 44 線 45 微透鏡陣列 46 線 47 線 48 光學柱 49 微透鏡陣列 50 透鏡 51 個別照明光點 52 掃描方向 53 微透鏡陣列 54 透鏡 55 軌道 56 透鏡 57 執道 58 透鏡 59 軌道 60 透鏡 61 透鏡 62 透鏡 105387.doc •34- 1309755 63 透鏡陣列 64 透鏡陣列 65 掃描方向 66 線 67 線 68 透鏡陣列 69 透鏡陣列 70 透鏡陣列

71 掃描方向 72 線 73 線 74 最大強度 100 微影投影裝置/微影裝置 102 輻射系統/脈衝輻射系統 104 個別可控元件陣列 106 載物台 108 基板台 110 圖案化射束 112 輻射源 114 基板 116 定位器件 118 光束分光器 120 目標區 122 輻射束 105387.doc -35 - 1309755

124 照明系統/照明器 126 調節器件 128 射束放大器 130 積光器 132 聚光器 134 干涉量測器件 136 底板 138 干涉射束 140 光束分光器 cl 行 c2 行 c3 行 c4 行 rl 列 r2 列 r3 列 r4 列 r5 列 r6 列 r7 列 r8 列 r9 列 rlO 列 rll 列 105387.doc -36 1309755

rl2 rl3 X Y

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Claims (1)

1309755 十、申請專利範圍： 一種微影裝置，其包含： 一照明系統，其供應輻射束； 圖案化系統包 圖案化系統，其圖案化該等射束，每 含一個別可控元件陣列； 至一基板之目標 ，以使在該陣列 化射束之_個別

投影系統，其投影該等圖案化之射束 區上，該等圖案化系統包含一透鏡陣列 中之每一透鏡朝著該基板引導該等圖案 圖案化射束之一個別部分，·及 位系統，其引起在該基板與該等投影系統之間之 ㈣移位’以使該等射束在-預韓描方向上橫越該基 板被掃描， ”中該等投影系統經定位以允許每—射束沿著該基板 上之一連串重疊軌道之一個別重疊軌道被掃描，以使每 一軌道包含： 一第一部分，其由該等圖案化射束之僅一圖案化射 束掃描，及 至少一第二部分，其重疊該執道之一相鄰軌道且由 該等圖案化射束之兩圖案化射束掃描。 2_如請求項1之裝置，其中朝著該等軌道之一個別軌道之 °玄第°卩分引導的該等圖案化射束之每一個別圖案化射 束之一第一部分的一最大強度大於朝著該軌道之該第二 p刀弓丨導之该射束之一第二部分的一最大強度，以使該 軌道之該第—部分及該等第二部分曝光於具有大體相同 105387.doc 1309755 之最大強度之輻射下。 3. 如請求項1之裝置，其中： 由一個別光 該等圖案化射束之每一個別圖案化射束係 學柱產生； 該等光學柱係在一 基板分佈；且 垂直於該掃描方向 之方向上橫越該

該等光學柱之相鄰光學柱在該掃描方向上偏移。 4.如請求項1之裝置，其中： 該等圖案化射束之至少兩重疊圖案化射束係由一透鏡 之共用陣列之個別透鏡行朝著該基板引導； 該等行係與該共用陣列相鄰； /等行在-相對於該掃描方向傾斜之方向上延伸；且 該等行在—垂直於該掃描方向之方向上間隔開。， 5.如咕求項1之裝置，其中每-投影系統包含： '減Θ件，該等圖案化射束之—個別圖案化射 由其透射； ^ 其中該衰減器件 別圖案化射束；且 之至少一周邊部分衰減一 比例之該個 其中5亥衷減器件經定位，以使經由該周邊部分而透射 之該個別圖幸# & a ± 射束朝著該等軌道之一個別執道之該蓉 第一部分的一個g 1U別第二部分投影。 6.如請求項5之梦 、 、置’其中該衰減器件定位於該照明系絲 與該圖案化系統之間。 、 7·如請求項5之奘¥ ^ 衣置’其中該衰減器件定位於該圖案化系 105387.doc 1309755 統與該基板之間。 8·如請求項1之裝置，其中： 該個別可控元件陣列經排列，以使該等個別元件經控 制以朝著該基板引導該等圖案化射束之一個別圖案化射 束之—最大強度成份、一最小強度成份或至少一中間強 度成分之至少一者。 9·如請求項8之裝置，其進一步包含： 一控制器件，其藉由朝著個別軌道之個別第二部分引 導該中間強度之成份並朝著該個別軌道之個別第一部分 引導該最大強度之成份，控制該個別可控元件陣列中之 每一該等元件，以與朝著該等軌道之該個別執道之該等 第，部分中之該個別第一部分引導的該圖案化射“成 伤相比較而言’降低朝著該等軌道之該個別軌道之該等 第上P 77之4個別第二部分引導的該圖案化射束之成份 之裝置，其中朝著該等軌道之一個別軌道 二.I—部分之一個別第二部分引導該圖案化射束之 等第—2之透鏡^列’以比朝著該個別軌道之 卩刀之個別第—部分引導該圖案化射束之部 的轉列之透鏡衰減更多的該圖案化射束。 11.如請求項〗之裝置，A 化射束之一第…、广相案化射束之-個別圖; 道之兮的該強度係自該等軌道之一個別4 部八一邛分之—個別第二部分的與該執道之該j 一 σ卩分相鄰的一邊錄L ’至§玄執道之該第二部分的另一 I05387.doc 1309755 邊緣漸進地降低。 12·—種器件製造方法，其包括： 藉由個別之個別可控元件陣列來圖案化輻射束. 投影該等圖案化射束至一基板之目標區上； 引起在該基板與該等圖案化射束之間的相對移位，r 使該等圖案化射纟在-預定掃描方向上橫越該基板經^ 描； 經由一透鏡陣列朝著該基板引導該等圖案化射束之每 個別圖案化射束，在該陣列中之每一透鏡引導該等圖 案化射束之一個別部分； 沿著該基板上之一連串軌道之一個別軌道掃描每—個 別圖案化射束；及 重疊該等軌道’以使每一該等執道包含：一第—邱 刀，其由該等圖案化射束之僅一射束掃描；及至少—第 一部分’其重疊該等軌道之一相鄰軌道且由該等圖案化 射束之兩圖案化射束掃描。 丄3·如請求項12之方法，其進一步包含： 朝著該等軌道之一軌道的一第一部分引導每一該等圖 案化射束之一第一部分的一最大強度，該最大強度大於 朝著該執道之一第二部分引導之該射束之—第二部分的 一最大強度’以將該軌道之該第一部分及該等第二部分 曝光於大體相同之最大強度之輻射中。 14·如請求項12之方法，其進—步包含： 使用在一垂直於該掃描方向之方向上橫越該基板分佈 105387.doc -4- 1309755 的個別光學柱產生該等圖案化射束，以使該等 相鄰光學柱在該掃描方向上偏移。 之 15. 如咕求項12之方法’其中由—共用透鏡陣列之透鏡 個別行朝著該基板引導該等圖案化射束之至少 =，該等行在該共用陣列中相鄰，在—向該;: 。斜之方向上延伸，且在一垂直於該掃描方向之方 向上間隔開。 之方 16. 如請求項12之方法，其進一步包含： 經由-衰減器件透射每一該等圖案化射束， 相^度地衰減該衰減器件之周邊部分，而在強度上 低母—該等圖案化射束之至少-周邊部分。 17. 如叫求項16之方法，其進—步包含將該衰減器件定位於 該照明系統與該圖案化系統之間。 、 18 = ^項16之方法’其進—步包含將該衰減器件定位於 6玄圖案化系統與該基板之間。 19·如請求項12之方法’其中該圖案化步驟包含： 控制該個別可控元件陣列中之個別元件，朝著該等軌 道中之-軌道之該等第一部分的—第一部分抑或該執道 之該等第二部分申夕—铕__ μ、 成份；及 弟―^ ’引導該圖案化射束之 控制該等個別元件，以使至多為一中間強度之成份朝 :該執道之該Μ二部分之該—第二部分經引導，且使 最大強度之成份朝著該執道之該等第—部分之該一第一 部分經引導。 105387.doc 1309755 2〇·如請求項12之方法’其中該引導步驟包含：藉由朝著兮 專軌道中之一轨道之該等第二部分之—第二部分引導』 圖案化射束之部分的該陣列之該等透 功鏡衣減比藉由朝著 邊執道之該等第一部分之一第一部分 1刀5丨導该圖案化射束 之部分的該陣列之透鏡更多的該圖案化射束。 21·如請求項12之方法，其進一步包含：

自該等軌道之一個別軌道之該等第二部分之一個別第 二部分的與該執道之該等第一部分之一個別第一部分相 鄰的一邊緣起，至該軌道之該等第二部分之一個別第二 部分的另一邊緣，漸進地降低該等圖案化射束之一個別 圖案化射束之一第二部分的一強度。

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