TWI308170B - Thermally conductive phase change materials and methods for their preparation and use - Google Patents

Description

1308170 玫、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一熱導性相變化組合物（Pcc)及製備和使 用該PCC之方法。更具體言之，本發明係關於一種包含聚 石夕嗣-有機嵌段共聚物和熱導性填充劑之PCC。該PCC可用 作熱界面材料（TIM)。 【先前技術] 屯子組件諸如半導體、電晶體、積體電路（1C)、分立穿 置及其匕此項技藝中已知組件，均設計成可在正常運行溫 度下或在正常溫度範圍内運行。然而，電子元件之運行會 產生熱量。若未能消除足夠多之熱量，該f子元件將在_ 遠高於其正常運行溫度之溫度下運行。過高之溫度將” 子凡件之性能及與其相關之裝置之運行產生不良影響，二 對平均故障間隔時間產生負面影響。 s嚴 為避免此等問題，熱量可藉由熱傳導 ::熱片。此後，散熱片可藉由任一適宜之方法(舉=遞? 對流或輻射技術）進行冷卻。在熱傳導過程中，= 電子元件與散埶η鬥夕主…里·Γ糟由 、政熱片間之表面接觸’或藉由 片與TIM之接觸，白+工—▲ 几件及政熱 自€子凡件傳遞MW ^ 抗愈小，自電子开杜$』 貝之熱阻 — 子70件至散熱片之熱量流動愈大。 电子π件及政熱片之表面通常並非完全光严 面之間很難達成完令I π，口此，表 現於表面之間並增大埶 ：、為不良熱導體)出 八…丨且柷。此寻間隙 插入一 TIM予以填充。 错由在表面之間 84518 1308170 若干市售之TIM係有機聚合物或填充有熱導性填充劑之 彈性體。然而，彈性體具有下述之缺點：其難以在未固化 狀態下應用，且若在應用前固化，則其不能完全黏附至表 面或與表面嚙合。聚合物之缺點係會在施用後自間隙中流 出。右干5^合物亦具有缺乏足夠熱導性之缺點。

含有熱導性填充劑之聚矽酮潤滑脂亦曾被建議用作TIM 。然而，潤滑脂具有下述缺點，即施用時造成污穢，且在 施用後會自間隙流出。 曾建議使用PCC作為丁IMe PCC可較佳地解決上述問題， 因其可配t成在低溫下為@體，而在相變化溫度下可變形 。相變化溫度可等於或高於電子元件之正常運行溫度。 《pcc可包含有機材料諸如㉟，及熱導性填充劑。但有機 蠟具有下述之缺點’即施用I，會在電子元件運行過程中 自間隙中流出。有機蠟在室溫下亦變脆。 【發明内容】 本發明係關於-種相變化組合物(PCC)及該組合物之製 和使用方法。5亥pcc包含—基材及一熱導性填充劑。該 基材包含一聚矽__有機嵌段共聚體。 、 【實施方式】 除非另有說明，貝q 。以下為本文中所用 IL語之定義及u 所有數量、比例及百分比均以重量計 之疋義列表。 A"及"an”均指—個或多個 烷基"意指一飽和烴基。 84518 1308170 '组合”意指藉由任何方法結合之兩個或多個項目。 ”共聚物”意指由至少兩種不同單體構成之聚合物。共聚 物包括（但不限於）僅由兩種不同單體構成之聚合物。 ’’相變化溫度'’意指自固體、晶體或玻璃相轉化至半固體 相之溫度或溫度範圍，其特徵為具有分子間鏈轉動。 1矽_韻嵌段共聚物”意指一在其主鏈中具有至少 - Si-0-Si-R-Si鍵之材料’其中尺代表一有機基團。 "取代”意指一個或多個與碳原子結合之氫原子被另一個 取代基所置換。 ’’表面處理"意指填充劑粒子上之活性基團之全部或一部 分藉由任一合適之化學或非反應性方式而降低活性。

PCC 本發明係關於一種相變化组合物（p c c)。該p c c包含： A) —基質，包含聚矽酮-有機嵌段共聚物， B) —熱導性填充劑， 視需要’ C) 一處理劑，及 視需要’ D)—抗氧化劑。 3玄p c c配製成具有一相變化溫度。 基質 組分A)為一接合pec中組分之基質。組分A)包含一聚矽 酮-有機嵌段共聚物。該PCC可至少包含4%之組分A)，另一 選擇為至少包含5%之組分A)。該PCC最多可包含60%之組 分A)，另一選擇為最多包含5〇%，另一選擇為最多包含2〇% 之組分A)，再另一選擇為最多包含1 〇%之組分A)。聚矽酮-84518 1308170 有機嵌段共聚物在此項技藝中已為吾人所熟知且市面有 售。 合適之聚矽酮-有機嵌段共聚物包括聚矽酮丙烯酸醋嵌 段共聚物、聚碎酮-酿胺嵌段共聚物、聚石夕酮-環氧嵌段共 聚物、聚矽酮-醚嵌段共聚物、聚矽酮-醯亞胺嵌段共聚物 、聚矽酮-笨乙烯嵌段共聚物、聚矽酮-胺基甲酸酯嵌段共 聚物、聚矽酮-脲嵌段共聚物、聚矽酮-乙烯基醚嵌段共聚 物、上述共聚物之組合及其它共聚物。聚矽酮-有機嵌段共 聚物及其製備方法在此項技藝中已為吾人所熟知，請參閱 ’舉例而言’《聚合物材料百科全書》（Polymeric Materials Encyclopedia ’ CRC Press，Inc.，1996)中 Bogdan C. Simionescu，Valeria Harabagiu及 Cristofor I. Simionescu 等 人所著”含石夕氧炫之聚合物"（Siloxane-Containing Polymers) ;N.R. Legge，G. Holden，H.E. Schroeder所編寫《熱塑性 彈性體综述》(Thermoplastic Elastomers，A Comprehensive Review，Hanser Publishers，1 987)中 James E. McGrath所著 "熱塑性彈性體研究"（Research on Thermoplastic Elastomers) ; H.F.Mark，N.M. Bikales，C_G. Overberger， G. Menges，J.I. Kroschwitz，John Wiley & Sons所編寫 《聚合物科學與工程技術百科全書》(Encyclopedia of Polymer Science and Engineering，1989 , vol.15，page 243) 中 Bruce Hardman 及 Arnold. Torkelson 所著"聚石夕酮" (Silicones);及 I. Yilgor，J.S. Riffle，G.L. Wilkes 及 J.E. McGrath所編著"聚合物公報"（Polymer Bulletin，8 ’ 535-542 84518 1308170 (1982))。聚矽酮_有機嵌段共聚物及其製備方法亦出現於美 國專利1^_第33，14卜 4,5 5 8，11()、4,631，329及 4,793,555號中 。聚矽酮-胺基甲酸§旨嵌段共聚物和聚矽酮_醯胺嵌段共聚 物及其製備方法於美國專利4,5〇1，861、4,6〇4,442、 5,981，680及6,051，216中有所揭示。 聚矽剩-醒胺喪段共聚物之實例係包含具有化學式丨之單 元的共聚物： ， r I f f? Η Η 〇 f-Si-O-fjSi—X-C - Ν- χ

Jm R3 R4 該 、 /千、彡兀平几〈取含度平均名 平均值係為基於化學式请有單元之所有矽氧烷鏈段穿 平均值。個別n值可存在差異。下標η至少為i，另一遵 擇係至少為1 〇，另一選擇係 伴计主夕為12，另一選擇係至少為 5。下標π最大為70〇，另一選擇 最大為5。，另-選擇係最大為!為。，另一選擇係 另〜 擇係滅大為45，另一選擇係最大為30, 另—選擇係最大為1 8。 下軚m至少為1，另—選擇係至 為45,另-選擇係至少為55,…战 "擇係至少 最大可, 另一廷擇係至少為60。下標 為3〇〇,另一選擇係最大為2()() 12 5，s 一戒n 运擇係取大為 另一廷擇係敢大為8〇。在不 吾人認為婵大m佶叮描 又里确束縛之狀況下， 度，進==聚㈣韻嵌段共聚物之溶體黏 μ體黏度（PCC受熱超過㈣ 度）°m之上限可限於-值，該值可提供—溶體黏度 84518 •10· 1308170 ，該熔體黏度可允許pcc在運行溫度及壓力條件下貼附於 並潤濕擬施用該P c C之基材。 X係二價烴基。X可為支鏈狀或線性。χ可為飽和態。X 至少具有1個碳原子，另一選擇係至少具有3個碳原子。X 取多可具有30個碳原子，另一選擇係最多具有1〇個碳原子。 X1係二價有機基團β χι可為二價烴基。χ1之二價烴基可 為支鏈或線性。X1之二價烴基至少具有i個碳原子，另一選 擇係至少具有2個碳原子。χ1之二價烴基最多具有4〇個碳原 子，另一選擇係最多具有20個碳原子，另一選擇係最多具 有10個碳原子，另一選擇係最多具有6個碳原子。 X1之二價烴基可為未經取代或經取代。χ1之二價烴基可 例如由至少一個下列基團取代：⑴羥基；（u)具有3至8個碳 原子之環烷基；（iii)l至3個個別選自具有！至3個碳原子之 烷基、未經取代苯基、及經丨至3個基團（個別選自具有丨至3 個碳原子之烷基）取代之笨基之基團；（iv)具有丨至3個碳原 子之羥烷基；及（v)具有1至6個碳原子之烷胺基。 X之二價有機基團可包含一烴鏈，該烴鏈至少包含下列 之一 ：（1)1至3個醯胺鍵；（ii)具有5或6個碳原子之環狀、二 價、飽和烴基；及（iii)視情況由1至3個個別選自具有^至3 個碳原子之烷基的基團取代之伸苯基。 X可係具有通式R20T(R21)r22之基團，其中尺2〇及R22係具 有1至10個碳原子之二價烴基，係一具有丨至1〇個碳原子 之單價或二價烴基，此等基團彼此獨立，且丁係C(R)，其中 R可為氫、R、R、R、R4’或係三價N、p或Μ;應瞭解

-1N 84518 1308170 中 彳貝及二仏基團被認為可在特定狀況下適當地進 行分枝、交聯或其類反應。 R R、R及R4各選自甲基及乙基。另一選擇為 ^、^、以及^個別係為甲基乂基^基〜異丙基、 鹵：烷基諸如二氟丙基、包含矽氧烷之鏈(諸如，聚二甲基 夕氧烷或以矽氧烷為主之聚醯胺)及笨基，其中苯基可視情 況經1至3個個別選自甲基及乙基之基團取代。另-選擇為 R1 R: R及R4各係為甲基 對於每一聚石夕酮-酿胺敌段共聚物單元（其彳包括彼等化 學式1之任一 m單元間之單元）而言，X、X1、n、R1、R2、 R3及R4之值可相同或不同。化學幻之各#元中之χ基團 可存在或亦可不存在此等變化。單個χ1基團可屬於脂肪族 或芳香族或既屬於脂肪族亦屬於芳香族。 田依據化犖式I使用時且未另有說明，術語”石夕氧烧基團" 係指一具有矽氧烷單元之基團，例如： R3〇

I (-Si-O-),

I R31 其中，R30及R31均獨立選自有機基團’且r3〇及rS1均藉由— 碳-石夕鍵連接至石夕上。此外，在化學式j中，乂及^中之碳原 子數量並不包括任-選擇鏈段或取代基中之碳。並且，聚 石夕酉同-酸胺嵌段共聚物在其主鏈中具有一石夕氧炫部分，並視 情況在侧鏈或支鏈部分具有^夕氧院部分。 化學式I之可接受之變異包括：⑴n、x、xl、Rl、R2、 84518 •12· 1308170 R之夕個值均出現於一高分子中之聚矽酮-醯胺（其可 包括存在於化學式1之m單元間且甚至X基團内之差異），其 匕等單元之疋序可為交替、任意或嵌段；（2)聚矽酮-醯胺 甘入奴共聚物，其中有機三胺或高級胺諸如三（2·胺乙基）胺， P刀地取代有機二胺，而生成一支鏈或交聯分子；及（3)(1) 和（2)之任一物理摻合物或交替嵌段共聚物或其組合。 化學式I代表一交替嵌段共聚物或（AB)ms共聚物。根據 具有化學式I之共聚物端基保護之方法，化學式丨可代表 B(AB)m*八（3八、型共聚物。化學式之端基可經醯胺基、 經二取代之聚矽酮基團或為上述兩者所保護。 用於本發明之合適之聚矽酮-醯胺嵌段共聚物亦可包含 化學式II之單元：

UXL4-

ix-U

其中X、X1、R1、R2、r3、R4、认m係如上述通式J中之 定義。a/m之莫耳比至少為〇 _丨^下標a代表藉由醯胺鏈段縮 合化學所產生之鏈延伸程度的平均值。若下標3為〇，則化 學式II之結構回復為化學式卜下標a至少為i，另一選擇係 至少為2，另一選擇係至少為1〇。下標a最大為6〇，另—選 擇係最大為55。單個a值可發生變化。化學式u代表一交替 敗段共聚物或（AB)mS共聚物。根據化學式為π之共聚物端 基保護之方法，化學式丨丨可代表B(AB)m或A(BA)ms共聚物 。化學式II之端基可為醯胺基、經三取代之聚矽酮基團或 84518 ，13- 1308170 為上述兩者。 化學式II之聚矽酮-醯胺嵌段共聚物之製備方法係：首 先藉由利用如jp 6323078 1、WO 2001/68363及美國專利 4，2 8 2，3 4 6中所述之縮合反應修飾二醯胺；隨後實施美國專 利5,9 8 1,680及6,051，2 16所述之方法。化學式Π之聚矽酮-醯 胺嵌段共聚物之製備可在無需過多之實驗的狀況下，由一 熟諳此項技藝者使用下述示例7中所述之方法，且藉由變化 適宜之原料而達成。 吾人應瞭解，應將本文中所揭示之範圍理解為不僅揭示 範圍本身，且亦揭示其中包含之所有事項及端點。舉例而 言’應將所揭示之範圍1至1 〇理解為不僅揭示1至丨〇之範圍 ’且亦單獨揭示了 1、2、7、9及1〇，以及本範圍令之其他 數位。同樣，應將所揭示之包含丨至5個碳原子之碳氫化合 物之範圍理解為不僅揭示具有丨至5個碳原子之碳氫化合物 類，且亦個別揭示了具有丨個碳原子之碳氫化合物、具有2 個碳原子之碳氫化合物、具有3個碳原子之碳氫化合物、具 有4個碳原子之碳氫化合物及具有5個碳原子之碳氫化合物。 在不从叉理淪束缚之狀況下，吾人認為聚矽酮-有機嵌段 共聚物基本上形成"熱塑性凝膠"。此等有機（"硬質"）鏈段基 本上用作熱塑性（可逆）交聯部位’並決定聚矽酮_有機嵌段 共聚物之軟化點或相變化溫度，而聚矽酮（，,軟質”）鏈段則賦 予撓性及彈性。硬鏈段盥數M y .. ^ 您仅/、歌鍵段之比例應仔細斟酌選擇， 以使聚石夕嗣-有機盛與·丘分4心士 奴/、永物在室溫下較軟且其特性更像 凝膠（與傳統熱塑性彈性體妹日μ、 .. 啤庄歧相比）。聚矽酮-有機嵌段共聚物 84518 -14- 1308170 鏈之構造、硬質鏈段之化學特性和長度及軟質鏈段之長度 可影響相變化溫度、熔體黏度及室溫下之模量。當然，其 他硬質鏈段（例如’丙烯酸酯、環氧、酯、鍵及其它）亦可 與軟貝键^又 起使用以形成具有相似於"熱塑性凝膠”特性 之聚矽酮-有機嵌段共聚物。 填充劑 組分B)係一熱導性填充劑。組分B)分散於組分A)中。pcc 中組分B)之用量取決於各種因素，包括選作組分A)之材料 、選作組分B)之材料及PCC之所需相變化溫度。組分⑴之 用量可至少為該pcc之4〇〇/。’另一選擇係至少為該pcc之 5 0 /〇另每擇係至少為該P C C之8 5 %。組分b )之用量最高 可為該PCC之96%’另一選擇係最高可為該pcc之95%。若 組分B)之用量過低，則對於若干應用而言，該pcc之熱導 性可能不足。可用作組分B)之熱導性填充劑之確切數量將 取决於各種因包括所選用熱導性填充劑之密度及 ψ 0 組分B)可具有熱導性、電導性或兩者兼具。另—選擇為 組刀B)可具有熱導性及電絕緣性。可料組分B)之適宜 熱導性填充劑包括今凰4 栝金屬粒子、金屬氧化物粒子及其組合物

。舉例而言，可用作έΒ八DA „ ., 、.、刀B)之適宜之熱導性填充劑實例有 :化!3;她；欽酸鎖；氣化皱m剛石；石 ::知’金屬粒子(例如，銅、金、鎳或碳化 反化鶴；氧化辞；及其組合物，及其它。 熱導性填充劑已為熟諳此項技藝者所熟知且市面有售， 84518 -15- 1308170 請參閱，例如’美國專利6,1 69,142(第4攔，第7-33行）。舉 例而言’ CB-A20S及Al-43-Me係購自Showa-Denko而粒度不 同之氧化铭填充劑’而AA-04、AA-2及AA18係講自 Sumitomo Chemical Company之氧化鋁填充劑。 銀填充劑係購自 Metalor Technologies IHA· Cofp 〇f Attleboro ’ Massachusetts ’ U.S.A.。氮化硼填充劑係講自 Advanced Ceramics C〇rporati〇n，CleveIand，〇Μ〇，Usa。 填充劑粒子之形狀未有特殊限定，但是’在p C c中填充 劑用量較高時，圓形或球形粒子可防止黏度增加至一非吾 人所樂見之程度。 具有不同粒度及不同粒度分佈 又刀神疋·填充劑的組合物可用作 組分B)。舉例而言，較理相之愔 ^ 心之11形乃將第一種平均粒度較 大之氧化紹與第二種平均粒度較小 一 及杈卜之虱化鋁以一定比例混 s ’藉以滿足最緊密裝填理論 <刀佈曲線。此方法可改盖 裝填效率並降低黏度且增強熱傳遞。 填充劑之平均粒度取決於各種 Rm亩* 1Μ 裡u素’其中包括選作組分 )之真充劑之類型及添加至PC * ^ ^ ^ τ之確切用量，然而，填 充h彳之平均粒度至少為0.2微米， ' 。埴右硃丨夕工 一選擇係至少為2微米 填充劑之平均粒度最大為8〇微 微米。 另—選擇係最大為5 0 視情況，用作組分B)之填充劑可藉 進行表面處理。處理劑及處理方法已曰 热知’舉例而t灸胡μ m由 J。翏閱吴國專利第 42行至第5攔第2行）。 由組分C)(一處理劑） 為熟諳此項技藝者所 6^69,142號（第4欄第 84518 • 16- 1308170 該PCC至少可包含〇〇5〇/〇之組分c)。該PCC最多可包含50/〇 之組分C) ’另一選擇為最多包含〇.5〇/〇之組分c)。 處理劑可為具有化學式R5xSi(OR6)(4-x)之烷氧基矽烷’其 中X奋1、2或3，另一選擇為，χ為3。r3係一至少具有}個碳 原子之取代性或非取代性一價烴基，另一選擇為至少具有8 個碳原子。R3最多具有5〇個碳原子，另一選擇為最多具有 30個奴原子’另一選擇為最多具有18個碳原子。r5可為下 列烷基：舉如，己基、辛基、十二烷基、十四烷基、十六 烷基及十八烷基；及下列芳族基：舉如，苄基、苯基及苯 乙基。R可為飽和或不飽和、分鏈狀或非分鏈狀及非取代 性基團。R3可為飽和、不飽和及非取代性基團。 R係一至少具有i個碳原子之非取代性飽和烴基。最多 可具有4個石厌原子，另一選擇為最多具有2個碳原子。組分 C)貝例有己基二曱氧基碎院、辛基三曱氧基⑦炫、癸基三 甲氧基钱m甲氧基钱、十喊基三曱氧基 石夕烧、笨基三甲氧基石夕烧1乙基三甲氧基石夕烧、十八烧 基三曱氧基矽烷、十八烷基三乙氧基矽烷，及其組合，及 其它。 帶有烧氧官能基之寡聚秒氧烧亦可用作處理劑。帶有燒 氧基官能基之寡聚魏烧及其製備方法在此項技藝中已為 吾人所熟知，舉例而言，可灸„ c η _ j麥閱ΕΡ 1 101 167 Α2。舉例而 言，合適之帶有烷氧基官能基 之募聚聚矽酮包括彼等具有 化學式（R9〇)dSi(OSiR7，Rs)4d^。+ -)4-d：#。在此化學式中，d係1 ' 2 或3 ’另一選擇係d為3。R7各可猫— 合】獨立選自具有i至丨〇個碳原 84518 -17- 1308170 ° R8各可為至少具有u個碳原 。R9各可為烷基。 醇（諸如十八烷硫醇及其它）及 、鈦酸鹽、鈦酸鹽偶聯劑、錄 其他物質進行處理。 子之飽和或不飽和一價烴基 子之飽和或非飽和單價煙某 金屬填充劑可使用烷基硫 月曰肪酸（諸如油酸、硬脂酸） 酸鹽偶聯劑、及其組合、或 適用於氧化鋁或鈍化氮化鋁之處理劑可包括帶有烷氧基 曱〇石夕，官能i基之烧基甲基聚石夕氧烧（舉例而言， R bR leSl(ORl2)(4，b·。)之部分水解縮合物或共水解縮合物或 其混合物）、及其中可水解基團為矽氮烷、醯氧基或肟基 (〇xim。）之類似材料。在所有此等材料中，與〜相連接之基 =(例如，上述化學式中之Rl〇)係為長鏈不飽和單價烴基或 帶芳族基官能基之單價烴基。Rn係單價烴基，而Rn係具有 1至4個碳原子的單價烴基。在上述化學式中，^^為丨、2或3 ，c為0、1或2 ,但b + c須為i、2或3。熟諳此項技藝者可在 無需過多實驗之狀況下針對特定處理進行最佳化，藉以幫 助填充劑分散。 其他選擇性組分 視情況’熱導性填充劑組分B)可包含增強填充劑，藉以 補充熱導性填充劑或代替一部分熱導性填充劑。該增強填 充劑可為短切纖維，舉如，短切KEVLAR®纖維。在不欲受 理姻束缚之狀況下，吾人認為短切kevLAR®纖維可改善強 度及熱膨脹係數（CTE)。增強填充劑亦可使用組分c)予以處 理。 可選用之組分D)係抗氧化劑。在不欲受理論束缚之狀況 84518 -18- 1308170 下，吾人認為組分D)通常藉由清 有機與π止取 目由丞來防止聚矽酮 人τ又〆、也物之鏈斷裂。組分D)可句八 ^ „ 刀u)了包含任一塑膠中常用 抗乳化別。該PCC内組分D) 里少為〇·_%， 、擇係至少為0.05% ,最多為1%。 隹適宜:抗氧化劑在此項技藝中已為吾人所熟知且市面有 售。適宜之抗氧化劑包括酚系抗氧化劑及酚系抗氧化劑盥 穩定劑之組合劑。盼系抗氧化劑包括全空間位阻紛及局部 位阻紛。穩定劑包括：有機仙生物（例如，三價有機填化 合物、亞麟酸鹽、膦酸鹽’及其組合）；含硫協合劑（例如 有機硫化物，其包括硫化物、二烷基二硫代氨基〒酸酯、 二硫代二丙酸酯，及其組合）；及空間位阻胺（例如，四曱 基哌啶衍生物）。適宜之抗氧化劑及穩定劑在Zweifel，Hans 所著”加工中聚丙烯之穩定作用及其對熱應力下長期行為 之影響（Effect of Stabilization of Polypropylene During

Processing and Its Influence on Long-Term Behavior under

Thermal Stress，Po.l.ymer Durability，Ciba-Geigy AG， Additives Division’ CH-4002，Basel，Switzerland，American

Chemical Society，vol. 25，pp. 375-396，1996.)中已有揭 示。 適宜之盼系抗氧化劑包括維生素E及Ciba Specialty Chemicals’ U.S.A.生產之IRganOX® 1〇1〇。IRGANOX® 1010包含異戊四醇四（3-(3,5-二-特-丁基-4-羥基苯基）丙酸 酯）。 可選用組分E)為一觸媒抑制劑。組分E)可為一加成反應 -19- 84518 !3〇817〇 觸媒抑制劑。加成反應觸媒抑制劑在此項技藝中已為吾人 所熟知且市面有售，舉例而言， ° (外 』麥閱吳國專利5,929，164 (弟1攔第65行至第3襴第65行）。 組分E)可為膦、二膦 '胺、 ^ ^ —妝、二胺、有機硫化物、 T有知基g能基之化合物、帶有„其食处並〜 , 巾力厌丞g迠基之化合物、帶 有經基官能基之化合物，及直_袓人 ，、、見σ 或任一其他過度金屬 觸媒毒物。 適宜之膦包括三烷基膦及三芳基膦（例如，三苯基膦）。 k且之—膦包括四笨乙基二膦。適宜之胺包括正丁胺及三 乙醇胺。適宜之二胺包括四凸甲茸 亞甲基一fe。適宜之有機硫化 物包括乙基苯基硫化物。適宜之帶有稀基官能基之化合物 I為有機化合物、有機矽氧化合物或有機矽烷化合物。適 且之帶有烯基官能基之化合物包括乙烯基聚碎酮及乙稀基 矽烷。適宜之帶有炔基官能基之化合物可為有機化合物： 例如’乙炔、丙炔、丁炔]、戊炔“、4,4_二曱基戊炔]、 已炔-1、5 -甲基-已炔_ 1及癸炔_ i。 當該pcc用於一中央處理單元（cpu)裝置中時，其組分幻 之添加量應足以在至少7年内保持該pcc物理性質及化學 性質之穩定性。組分E)之用量至少應為〇.〇〇 1%。組分幻之 用量最高為1 %。 組分F)係一可選用之基質材料，其可補充組分A)或代替 一部分組分A)。組分F)可包含一聚矽酮樹脂。在不欲受理 論束缚之裝況下，吾人認為加入一聚矽酮樹脂可賦予該 pcc室溫下之膠黏性，進而更方便應用。組分F)可包含一 84518 -20· 1308170 ’有機官能基聚石夕酮壤 其在某種程度上與聚石夕 組分G)总—a… '-，. 視情況，

蠟，舉如， 嗣-有機嵌段共聚物相容。 例如， 一部分。 組分Η)係潤濕劑。 組分I)係消泡劑。 組分J)係顏料。 組分Κ)係阻燃劑。 組分L)係間隔劑。間隔劑可包含有機粒子、無機粒子， 或其組合。間隔劑可具有熱導性、電絕緣性或兩者兼具。 間隔劑之粒度至少為25微米，最大為25〇微米。間隔劑可包 含單分散性珠粒。組分L)之用量取決於各種因素，其中包 鍵接溫度及其它。該 括粒子分佈、鍵接期間施用之壓力、 PCC最多可包含15%之組分L(或最多可包含5%之組分L)， 藉以補充組分B)或代替一部分組分b )。 組分M)係低熔點金屬填充劑。該低熔點金屬填充劑可包 含In、Sn或其一合金。視情況，該低这點金屬填充劑可進 —步包含Ag、Bi、Cd、Cu、Ga、Pb、Sb、Zn或其一組合。 適宜之低熔點金屬填充劑之實例包括In_Bi_Sn合金、 Sn-In-Zn合金、Sn-In-Ag合金、Sn-Ag-Bi合金、Sn-Bi-Cu-Ag 合金、Sn-Ag-Cu-Sb 合金、Sn-Ag-Cu 合金、Sn-Ag 合金、

Sn-Ag-Cu-Zn合金，及其組合。該低熔點金屬填充劑之熔點 84518 •21 - 1308170 可高於基^之溶點。該賊點金屬填充劑之炫點最高為… c、，另了選擇為最高225。0。該低炫點金屬填充劑之溶點最 低為5 0 C ’另一選擇為最低丨5 〇。匸。哕 干勹取m i du u 〇亥低熔點金屬填充劑可 為低共炫合^、非低共炼合金或純金屬。低溶點金屬填充 劑在此項技蟄中已為吾人所熟知且市 — 、 另春。可加入組分 M)，藉以補充組分B)或代替組分B)之全部或—部分。該似 最多可包含96%之組分μ)。 PCC之製備方法 選用組分A)’以使該PCC在低於其相變化溫度時為固體 且在相變化溫度時或高於相變化溫度時可變形。相變化溫 度可依據各種因素（包括該PCC之應用）加以選擇。 舉例而言，該PCC可在一電子裝置中用作一τΐΜβ在該狀 況：，對於某些電子裝置，嫌匕溫度可等於或略低於其 正常運行溫度’例如，至少為40t，另一選擇係至少為45 °c，另一選擇係至少為5(rc ,另一選擇係至少為55勺，另 一選擇係至少為60t。正常運行溫度最高可為8(rc，另一 選擇係最咼為90T：，另一選擇係最高為i〇〇°c。另一選擇為 ’相變化溫度係電子裝置可耐受之最高溫度，舉例而言， 對於某些電子裝置而言’可耐受之最高溫度至少為15〇它， 最大為250°C。 遠PCC可調配為熱導率至少為1瓦特/公尺·開爾文（W/mK) ’另—選擇係至少為3 W/mK，另一選擇係至少為5 W/mK 。熱導率取決於各種因素，其中包括選擇用作組分B)之填 充劑之數量及類型。 S4518 -22- 1308170 該P C C可藉由任一適宜之方法製備’例如，在一高於相 變化溫度之溫度下將所有組分混合。舉例而言，相變化溫 度最高為90°c之PCC可藉由在loot溫度下混合所有組分 來製備。 當存在組分C)時’視情況，該PCC可藉由以下方法製備 .首先用組务C)處理組分B)之表面，此後在一高於相變化 /里度之溫度下混合該PCC。另一選擇為，組分c)可在一高 於相變化溫度之溫度下與其他組分之某些組分或全部組分 同時混合。 當存在組分G)時，該PCC可藉由在室溫下或在高於室溫 之溫度下混合所有組分而製備。 使用方法

-H- r U L： °J " π別，一徑热界面材料（TIM: 該界面材料可具有/(壬—搞古々碰 八,仕通且之構造，且一熟諳此項技藝 者可藉由恰當選用組分A)及复—化八“ 刀次其匕組分控制該構造。該Pcc 可調配成在室溫下具有稃定报扯 .a & 另I疋幵/狀。視情況，該pcc可調配 成在室溫下可自承重m該pec可製成—扁平構件 。例如反扁塊、片材或帶材β另—選擇為，該阶 可製成半球形塊體、凸狀禮杜

籌件、棱錐體或圓錐體。該PCC 可調配成一在室溫下星右炚和L 、 /、有膠4性或無膠黏性之固體。 視情況’ 5亥P C C之表面可1 必八

、 /、有可移除之脫模片。當該PCC 在至溫下具有膠黏性時可按 ^At± φ 了 Μ木用脫模片。脫模片可例如為表 面忐較低而塗覆有蠟戋窄々 由……矣 之紙或塑膠片。該pcc可藉 由白用方式施於表面材料、 飛材或其他脫模片上，諸如直 84518 -23- 1308170 接法’例如噴塗、刮t、滾塗、逢鑄、用滾筒塗布、浸塗 或類似製矛呈’或利用脫模片之間接轉移法。施用前，可在 該PCC中加入一溶劑、稀釋劑或其他媒劑， ’在脫模片上留下-黏著㈣膜、㈣或絲PCC “ 視情況，該PCC可塗敷在一基材上，舉例而言，若該pcc 處理期間之形狀缺乏足夠之穩定性°該基材可為熱導性材 料、電導性材料或兩者兼具。該基材可為，例h，金屬落 或多孔金屬箔（例如金、銀、銅或鋁箔）；聚醯亞胺；聚醯 ^ ； KAPTON®(^ ^ E.I.Du Pont de Nemours ^ Company, Inc. ’ of Wilmington，Delaware, U.S.A·);或聚對苯二甲酸乙 二醇酷（MYLAR®，來自 E,I. Du P〇nt de N_Urs及 Company ，Incof Wilmington，Delaware , U.S.A.)。可將該 pcc;余 敷於基材之一個或多個表面上。脫模片可用於已塗敷基材 之兩側。該界面材料係如圖1中所示。在圖1中，界面材料 100包含一基材101及形成於基材1〇1之對置兩側之上述 PCC層102。脫模襯料103係施加於PCC 102之外露表面上。 可製借各種包含上述PCC之界面材料。上述pcc可藉由各 種方法用於製備界面材料，其中包括彼等美國專利 4,299,7 1 5及5,904,796中所揭示之方法。 該PCC沿熱通道置於熱源與散熱器之間。該PCC可藉由任 一適宜之方法佈置，舉例而言，在有或無黏合劑或底漆之 狀況下，在熱源與散熱器之間施用形狀穩定之PCC或包含 PCC之界面材料；PCC之熱熔分配或PCC之溶劑洗鑄。 熱源可包含電子元件，例如，半導體、電晶體、積體電 84518 -24- 1308170 路或分立裝置。 散熱器可包含散熱片、導熱板 沖彡此 .、 風扇、循環冷 ^ 及其組合或其他元件。該P C C可帛；^ 1 子疋件及散埶片。兮prr可土斤认而 綱屯 片丄亦可先施於散熱片，後施於電子、政熱 =該PCC沿熱通道佈置期間或期後，可將該pcc加 相等或大於相變化、、田洚夕、θ存 …、主— PCC實施冷^度之"度。可施予心。此後可對該 本發明進一步係關於一產品，該產品包含 a) —電子元件， b) —界面材料，及 c) 一散熱片； 該熱通道自電子元件 其中該界面材料包含 其中3亥界面材料沿一熱通道佈置 之一表面延伸至一散熱片之一表面 上述PCC。 本發明進一步係關於一產品，該產品包含： a) —散熱器，及 b) 一散熱器之一表面上之界面材料， 其中該界面材料及該散熱器之構造包含電子元件輿散熱 片之間之導熱通道之一部分，且 該界面材料 ^ 3上述 圖2所示為本發明之一裝置2〇〇。裝置2〇〇包含一電子一 (圖示為一積體電路（1C)晶片）203，該電子元件203藉由—勹 含隔離填充劑2 11之模件附著黏合劑2〇9安裝到—基枒2⑽ 84518 -25· 1308170 上。基材204具有藉由墊板21〇附著其上之焊接球2〇5。第— 界面材料（TIM 1) 206佈置於IC晶片203與一金屬罩2〇7之間 。金屬罩207用作一散熱器。第二界面材料（TIM2) 2〇2佈置 於金屬罩207與一散熱片2〇1之間。當裝置運行時，熱量沿 箭頭208所指示之通道移動。 可製備包括上述PCC之產品及裝置。舉例而言，上述之 PCC 可在美國專利 5,912,805、5,930,893、5,950,066、 6,〇54，198及6,286,212所揭示之裝置中用作熱導性界面材 料’藉以補充或代替上述專利中所述之界面材料。 根據有機基團之化學性質及聚矽酮-有機嵌段共聚物鏈 之構造’聚矽酮·有機嵌段共聚物可使該PCC具有多個相變 化溫度。具有多個相變化溫度之Pcc具有下列優點：在其 用作一 TIM之電子裝置之運行溫度下，該pec不易流出。舉 例而言’可選擇一至少具有兩個相變化溫度之聚矽酮-有機 甘欠段共聚物’使電子元件（例如，積體電路）之運行溫度介 於5亥兩個相變化溫度之間。一如上所述之裝置可在一高於 車父南相變化溫度之溫度下組裝，屆時該PCC之黏度係最低 且服貼性最佳。在運行溫度下，該PCC因呈半固體狀而具 有—定程度之服貼性，藉此，該PCC不會斷裂、分層或將 壓力傳遞至積體電路，且該PCC仍具有抗擠出之穩定性。 貫例6所示為一具有多個相變化溫度之聚矽酮-有機嵌段共 聚物。

σ亥些貫例旨在向一熟諳此項技藝者說明本發明，但不應 84518 -26- 1308170 解釋為對申請專利範圍中列出本發明之範圍施以限制。 參考例 1 .Mathis HotdU f 冰 相k化材料熱導率之量測係藉由一 Mathis Hotdisk設備 達成。此方法之技術細節可在Mathis Instrument LTD之設備 說明手冊中找到。亦可在Craig Dixon，Michael Strong和S. Mark Zhang合著一出版物《熱趨勢》(Thermal Trend.，Vol. 7 ’ No. 5，第1頁）中找到該技術。 f施例1 -聚矽酮-有機嵌段共聚物合成 在180-210 °C下，藉由真空蒸镏對十一烯酸（Cashern Corporation)加以純化。在配備有溫度計、電動搜拌器、氮 氣吹掃及冷凝器的1000毫升（ml)圓底燒瓶中加入1 53 5克（g) 包含70。/。已二胺及30°/。水之溶液⑺丄Du P〇nt de Nemours and Company，Inc.，〇f Wilmington , Delaware , U‘S.A.)及 3 4 6.5克純十一稀酸。將燒瓶加熱至i 2 〇 並在此溫度下維 持約1小時。此後，將燒瓶加熱至1 6〇°c以生成醯胺，同時 生成反應副產物--水。允許反應在此溫度下持續1小時或直 至在冷凝器之分水器中檢測不到水分，此乃表明反應已完 成。此後，在真空條件下’將燒瓶加熱至22〇°c並保持i小 時，進一步加熱至240°C並保持2小時，同時施予低氮氣吹 知以去除雜免。然後，將反應混合物冷卻並收集在具有紹 箔内襯之盤中。 在配備有溫度計、電動攪拌器及冷凝器之5 〇 〇 〇毫升三頸 燒瓶中加入2978.4克—氧基環石夕氧垸、21.52克四氧基二氫 二矽氧烷及1.4克三氟曱磺酸。將燒瓶加熱至9{Γ(：並保持4 84518 -27- 1308170 小時。4小時後’加入7 0克礙酸氫納。停止加熱並將燒瓶内 之混合液冷卻至室溫並混合1 2小時。對反應混合液施以過 遽'並轉移至配備有溫度計、電動撲掉器及冷凝器之5 〇 〇 〇毫 升三頸燒瓶中。將該燒瓶加熱至丨5(TC並抽為真空。此後可 藉由紅外光譜法量測矽氧烷中官能基SiH之含量。所得產物 係250 DP末端經二甲基氫保護之聚二甲基矽氧烷。（Dp意指 聚合度。） 在配備有測溫探針、電動攪拌器及冷凝器之丨〇〇〇毫升三 頸圓底燒瓶中加入1 〇克如上所述形成之酿胺、3 〇 〇克二甲苯鲁 及〇.1〇7克在二曱基矽氧烷中之1，3_二乙烯基_1,1，3,3_四曱 基二矽氧烷鉑錯合物。將燒瓶加熱至丨丨rc，此後藉由一加 料漏斗滴入294.93克250 DP末端經二甲基經保護之聚二曱· 基矽氧烷。此後，將反應物混合1小時。後將燒瓶加熱至丨5〇 · C並抽成真空’以確保去除所有殘餘溶劑。 鞛由凝膝參透色譜法GPC(對照聚苯乙烯標樣校正），測得 所生成之共聚物之數量平均分子量（河。）為5〇98丨，重量平均 分子量队）為129900。藉由一講自Rhe〇metric sc^tific公 司之问級机.文性擴展系統⑽叫流變儀可量測作為溫度函 數之動態儲存模量（G,)、動態損耗模量（G”）及複合黏度 (Eta*)°在3吖時，該共聚物係一 G，及G，,分別為丨.〇5 χ 1〇6 二Χ厂―2之柔軟可撓性固體。該共聚物顯示 9 5 C之相轉變溫度，在 合物黏度為368PQisee W_2QC)下量測所得之複 84518 -28- 1308170 實施例2 -形成会右f例1之聚矽酮-有機嵌段共聚物夕p r r 藉由加熱共聚物及填充劑至1 00°C以上及離心混合，將實 例1之共聚物與Al2〇3填充劑（購自Showa-Denko K.K.之 CB-A20S與Al-43-Me氧化鋁填充劑之1 : 1混合物）相混合。 製備一填充劑用量為88.2%(以重量計）之PCC。該PCC在 一 ARE S流變儀上之量測值指示其軟化轉變溫度約為8 5 °C。 PCC藉由熱壓機在150°c下於2層脫模襯料薄膜間製作而 成’藉以生成一厚度約為1 50微米（6 mil)之可撓性黏附薄膜 。在100°C下’量測之黏合層厚度之變化值（其為2個矽晶圓 基材間壓力之一函數）。量測結果如下所示。量測結果顯示 ’在高於軟化轉變溫度之溫度下，該PCC可在低壓下流動。 表1 壓力（psi) 黏合層厚度（微米）

具有不同填充劑用量之per 按照實例2所述製備pcc，僅填充劑用量不同而已。根據 參考實例1之方法在Mathis Hot Disk設備上量測隨填充劑 里變化之熱導率。量測結果如下表2中所示。 84518 -29- 1308170 表2 溫度（°C )

6 〇體積％填穿南丨 ~ 一 ^ --65 體積。/〇填充劑 25 40 60 80 100 120 2.14 ~T-' 2.46 1.97 2.53 1.88 , 2.40 1.92 。 2.10 1.75 , 2.02 1.64 … --- 2.01 6 0與6 5體積〇/〇殖充劑用|合知丨m ”兀月丨用里刀别對應於85 6與881重量0/。填 充劑用量。 W/m0K指瓦特每米·開爾文。 f 列5 -翌，矽jg -有機嵌段共聚物—合成 在 180-210C 下，將十一烯酸（cashem Corporation)藉由真 空蒸镏純化。在配備有溫度計、電動攪拌器、氮氣吹掃及 冷凝器之500毫升（mi)圓底燒瓶中加入468克（§)2_甲基]$ 戊二胺（講自Aldrich之Dupont Dytec A胺）及150.1克純十一 烯酸。將燒瓶加熱至1 2(TC並維持約1小時《然後，將材料 加熱至1 8 0 C ’藉此生成酿胺，同時生成副產物-水。允呼 該反應在此溫度下持續1小時且直至冷凝器之分水器中檢 測不到水分，這表明反應已結束。此後，在真空條件下， 將燒瓶加熱至220°c並保持2小時，並進一步加熱至24〇〇c並 84518 -30 - 1308170 保持2小時，同時施以低氮氣吹掃以去除雜質。然後，將反 應混合物冷卻並收集在具有紹ϋ内觀之盤中。 在配備有測溫探針、電動攪拌器及冷凝器之5 〇 〇毫升三頸 圓底燒瓶中加入1 0克按上述方法形成之醯胺、2 〇 〇克曱苯及 0.2克在二曱基矽氧烷中之1，3_二乙烯基-1，1，3,3_四甲基二 矽氧烧翻錯合物。將燒瓶加熱至丨丨5〇c，然後藉由加料漏斗 滴入176.3克250 DP端基經二甲基氫保護之聚二曱基矽氧 烷（同實施例1)。此後’將反應物進一步混合1小時。後將 燒瓶加熱至1 5 0 C並抽成真空，以確保去除所有殘餘溶劑。 藉由凝膠滲透色譜法（GPC)之量測，所生成之共聚物之 Mn& 173 80，Mw* 56970。藉由ARES流變儀之動態溫度漸 變試驗表明：其相轉變溫度約為45t。在3〇t時，該共聚 物為一 G，與 G"分別為 3.23 X 1〇6 與 5.78 x 1〇5dynes/cm2 之可 撓性固體。在1 2 0 °C時其熔體黏度為丨9 p 〇丨s e。 复^_例6-聚矽酮-有機嵌段共赘铷合士: 在配備有一測溫探針、電動攪拌器及冷凝器之1〇〇〇毫升 、二頸圓底燒瓶中加入丨.26克如實例i中所述之醯胺及I% 克如實例5中所述之醯胺、1〇〇克甲苯及〇·24克在二曱基矽 氣烷中之1，3-二乙烯基-丨，^^四甲基二矽氧烷鉑錯合物 。將燒瓶加熱至U5t，然後藉由加料漏斗滴入88 28克25〇 DP端基經二甲基氫保護之聚二曱基矽氧烷（同實施例丨）。此 後’將反應物進-步混合i小時。後將燒瓶加熱至i机迷 柚成真空，以確保去除所有殘餘溶劑。藉由Gpc(對照聚笨 己烯標樣校正）測得所生成之聚合物之仏為2〇〇8〇、1^说為 84518 -31 - 1308170 51190° 藉由ARES流交儀之溫度_黏度範圍量測表明：該共聚物 具有4rC及src兩個相轉變溫度。在3〇。〇時，該共聚物為 可撓性固體，其測得G’與G”分別為3.93 x 1〇6及6 58 χ 1〇5 dynes/cm2。在高於相轉變溫度之12〇。〇時，其熔體黏度為 29 Poise。 貫和;..例7製.備化—.學.式II之聚石夕酮-酿胺嵌段共聚物 在180-210 C下，藉由真空蒸镏法純化十一烯酸（Cashem Corporation)。在配備有溫度計、電動攪拌器、氮氣吹掃及 冷凝器之500毫升（ml)圓底燒瓶中加入4〇克（§)2_曱基_丨，5戊 烷二胺（購自Aldrich之Dupont Dytec A胺）並用氮氣吹掃5分 鐘，以去除液面上之所有氧氣，在無攪拌之狀況下，加入 10.10克己二酸（〇叩〇]^，八(^11^〇^心）。此後，打開電動 攪拌器’混合液變為淡黃色。接下來，將丨0丨· 5 3克純化十 一烯酸缓慢加至該反應混合物中。將燒瓶加熱至丨35t並在 此溫度下保持約1小時。此後，將材料加熱至丨7(rc，生成 醯胺及副產物-水。隨後在真空下，將燒瓶加熱至22〇t並 保持2小時，並進一步加熱至24〇°c並保持2小時，同時施以 低氮氣吹掃以去除雜質。然後，將反應混合物冷卻並收集 在具有鋁箔内襯之盤中。 在配備有測溫探針、電動攪拌器及冷凝器之丨0⑽毫升三 頸圓底燒瓶中加入5·〇9克如上述形成之醯胺、100.75克甲苯 及〇·4克在二甲基矽氧烷中之丨，^二乙烯基-丨，〗。，3_四曱基 二石夕氧烷翻錯合物。將燒瓶加熱至n 5艽，然後藉由加料漏 84518 •32- 1308170 斗滴入96.46克250 DP端基經二甲基氫保護之聚二曱基聚 矽酮（同實施例1)。此後，將反應物混合1小時。後將燒瓶 加熱至1 5 0 °C並抽成真空’以確保去除所有殘餘溶劑。 藉由凝膠滲透色譜法（GPC)之量測，所生成之共聚物之 Mn為21270，Mw為64360。一藉由ARES流變儀之動態溫度 漸變試驗表明：其相轉變溫度約為67°C。在3〇°C時，該共 聚物為一 G'與 G”分別為 1.63 X 1〇6與 5,30 x l〇3dynes/cm2之 柔性固體。在120°C時，其熔體黏度為63 Poise。 【圖式簡單說明】 圖1係本發明之一界面材料。 圖2係本發明之一裝置。 【圖式代表符號說明】 1〇〇 界面材料 1〇1 基材 102 PCC 層 10j 脫膜襯料 2 0 0 裝置 202 203 204 第二界面材料（TIM2) 兒子組件（圖示為積體電路晶片） 基材 205 206 207 208 焊接球 第—界面材料（TIM 1) 用作散熱之金屬罩 箭頭表示之熱通道 84518 -33- 1308170 209 晶粒附著黏合劑 210 墊板 211 間隔劑 34- 84518

Claims (1)

1. 9, ·»^| 1308m： 07516號專利申請案

   年文申請專利範圍替換本(97年9月） 拾、申請專利範圍： 1. -種熱導性相變化組合物，其包含： A) —基質，包含一聚矽酮_有機嵌 B) —熱導性填充劑， 物， 視需要，C)一處理劑，及 視需要’ D) —抗氧化劑，其中 其中組分A)包含一選自由第一矽鲷- 共'聚物 第二梦嗣-有機嵌段共聚物所組成 …κ吻 段共聚物，該第一矽酮-有機嵌段共 ''有機嵌 Α奶具有下列彳卜輿_ 式之單元之共聚物： 匕干 ^ . .. .........

   'X~C-N-X~N-C-x- m 且第二矽酮-有機嵌段共聚物具有下列化學式之單元的 共聚物： R R2 OH HO 〇H Η 〇 -〒卜 〇士_—xUxLiii-fi1：-xHxl4 如&χ:_ R3 R4 & Jm 其中 η至少為1， η最大為700， m至少為1， m最大為3 00， a至少為1， 84518-970902.doc 1308170 a最大為60， X係二價烴基， X1係二價有機基團 R 2. 3. 4. 5. 6 · 、R2、R3及R4個別係為 基、乙基、丙基、異丙基、南 代烧基團、包含石夕氣、ρ + ^虱烷之鏈及苯基，其中該苯基可視情 況由個別選自甲某；5 7 曰T丞及乙基之丨至3個基團取代。 如申請專利範圍第1項 化溫度至少為4〇。(：。 如申請專利範圍第1項 化紹、氧化鋁、鈦酸鋇 墨、氧化鎂、金屬粒子 其組合。 之組合物，其中該組合物之相變 之組合物，其中組分B)係包含氮 、氧化鈹、氮化硼、金剛石、石 、碳化矽、碳化鎢、氧化鋅，或 如申請專利範圍第〗項之組合物，其中含有組分〇,且 組分c)包含一具有化學式R5xSi(〇R6)(4〜之烷氧基矽烷 ，其中 R5係至少具有i個碳原子且最多具有5〇個碳原子之經 取代或未經取代之單價烴基團， R6係個別為至少具有！個碳原子且最多具有4個碳原 子之未經取代飽和烴基，且 x係1、2或3。 如申請專利範圍第i項之組合物，其中含有組分D)且組 分D)包含酚系抗氧化劑或驗系抗氧化劑與一穩定劑之 組合物。 如申請專利範圍第i項之組合物，其尚包含選擇性組分 84518-970902.doc 1308170 ’該選擇性組分係包含E)觸媒抑制劑，增強填充劑；F) 聚石夕酮樹脂，聚妙_，或其組合物；g)媒劑；Η別濕 d ’ I)m ;)顏料；K)阻燃劑；L)隔離填充劑；M) 低熔點金屬填充劑，或其組合物。 7. -種熱導性相變化界面材料，其特徵在於： υ如申請專利範圍第1項之組合物，及 II)-基材’其中該組合物係覆蓋於該基材之—表面上。 •如申1專利犯HI第7項之界面材料’其中該基材包含金 屬落、多孔金屬箱、聚醯胺片、聚醯亞胺片或聚對苯二 甲酸乙二醇酯片。 9. ^中請專利範圍第8項之界面材料，其中該組合物係覆 蓋於該基材之兩側面。 10. 如申請專利範圍第7項之界面材料，其尚包含叫— 片’該脫模片覆蓋與該組合物與該基材相對之—表面: 11. 種政熱裝置，其特徵在於： a) —散熱器，及 b) —位在該散熱器表面上之界面材料， 其中該界面材料及該散熱器之構造包含-部分位於雷 子兀件與散熱片之間之導熱通道，且其中該界面材料係 包含申請專利範圍第丨或2項之組合物。 12_ 一種相變化共聚物’其包含具有下列化學式之單元： ri? ,·, m 84518-970902.doc 1308170 其中 η至少為1， η最大為700， m至少為1， m最大為300， a至少為1， a最大為60， X係二價烴基， X係一價有機基團，且 R R R及R個別係為甲基、乙基、丙基、異丙基、 鹵代烷基團、包含矽氡烷之鏈及苯基，其中該苯基可視 情況由個別選自甲基及乙基之⑴個基團取代。 1 3. —種散熱方法，其包括將一如申請專利範圍第7項之熱 導性相變化界面材料沿熱通道置於一熱源與一散熱器 間，其中 a) 該熱導性相變化界面材料具有第一相變化溫度及第 二相變化溫度，及 b) 該熱源之正常運行溫度低於該第一相變化溫度並高 於該第二相變化溫度。 14.如申請專利範圍第13項之方法，其中該熱源係包含一電 子裝置。 84518-970902.doc