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TWI305211B - Top anti-reflective coating polymer, its preparation method and top anti-reflective coating composition comprising the same - Google Patents

Top anti-reflective coating polymer, its preparation method and top anti-reflective coating composition comprising the same Download PDF

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TWI305211B
TWI305211B TW094120729A TW94120729A TWI305211B TW I305211 B TWI305211 B TW I305211B TW 094120729 A TW094120729 A TW 094120729A TW 94120729 A TW94120729 A TW 94120729A TW I305211 B TWI305211 B TW I305211B
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TW
Taiwan
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reflective coating
composition
polymer
top anti
monomer
Prior art date
Application number
TW094120729A
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English (en)
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TW200619243A (en
Inventor
Jae Chang Jung
Cheol Kyu Bok
Chang Moon Lim
Seung Chan Moon
Original Assignee
Hynix Semiconductor Inc
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Publication date
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Publication of TW200619243A publication Critical patent/TW200619243A/zh
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Description

1305211 ϊ 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本揭示係關於一種用於光微影術程序（其爲用於製造 半導體裝置之程序之一）之抗反射塗布聚合物，一種製備 此抗反射塗布聚合物之方法，及一種包括此抗反射塗布聚 合物之抗反射塗布組成物。更特定言之，本揭示係關於一 種適合用於浸漬微影術（其係用於製造小於5 0奈米半導體 裝置）之頂部抗反射塗布聚合物，一種製備此頂部抗反射 φ塗布聚合物之方法，及一種包括此頂部抗反射塗布聚合物 之頂部抗反射塗布組成物。 【先前技術】 光微影術爲一種用於將形成於光罩上之半導體電路圖 案轉移至晶圓之程序，而且爲在半導體裝置製造中決定電 路之精細度與整合密度之最重要程序之一。 近年來，隨著半導體裝置之整合密度增加，已發展適 用於半導體裝置製造所需之精細處理之新穎技術。現在對 鲁於微影術程序中之精細處理技術有增加之需求。隨著電路 線寬變成越來越細，必須使用短波長照明光源及高數値孔 徑透鏡。此短波長光源之非限制實例按偏好程度列出爲 EUV、F2、ArF、與KrF激生分子雷射。 現已進行許多發展小於5 0奈米裝置之硏究。近來之焦 點係關於伴隨使用F2與EUV作爲曝光光源之適當處理裝 置及材料之發展。使用EUV與F2雷射造成一些問題。使 用F22技術解決方案令人滿意到一個程度。然而，在短時 1305211 * * 間內難以工業規模製造高品質CaF2。亦由於軟膠片在對 1 5 7奈米之光曝光時易於變形，光源之壽命短。硬膠片導 致高製造成本，而且由於其光折射本性而難以商業規模製 造。EUV具有其本身之缺點。使用EUV雷射需要適當之光 源、曝光裝置及光罩，使其應用不切實際應用。因此，使 用適用於ArF激生分子雷射之光阻形成更精細高精確度光 阻圖案爲重要的。 乾燥微影術爲一種其中以空氣充塡於曝光透鏡與晶圓 φ間之曝光系統。與乾燥微影術相反，對應NA縮放技術之 浸漬微影術爲一種其中以水充塡於曝光透鏡與晶圓間之曝 光系統。由於在浸漬微影術中使用水（折射率（n)=l .4 )作 爲光源媒介，NA較乾燥微影術所使用之空氣（折射率 (n)= 1.0)大1.4倍。因此，浸漬微影術因其高解析度而有 利。 一個製造小於50奈米半導體裝置所遭遇之問題爲在 形成此超精細圖案之程序期間，不可避免地發生光阻圖案 φ之關鍵尺寸（CD)改變。這些改變係由於位於上方光阻上之 底層之光學性質及由於光阻厚度之變化造成之駐波、反射 性凹陷、及來自底層之繞射與反射光引起。爲了防止自底 層反射之光，將一種抗反射塗層引入光阻與底層之間。此 抗反射塗層係由吸收曝光光源所使用波長範圍之光之材料 組成。過去之處理係將此抗反射塗層至於底部上，夾在底 層與光阻之間。隨著近來光阻圖案精細度增加，亦已發展 一種頂部抗反射塗層（TARC)以防止光阻圖案因反射與繞 1305211 1 t 射光而瓦解。特別地，由於半導體裝置之縮微化使光阻圖 案極爲精細’僅使用底部抗反射塗層無法完全地防止圖案 因散射之反射而瓦解。因此，已引入頂部抗反射塗層以防 止圖案瓦解。 然而’由於用於乾燥微影術之習知頂部抗反射塗層爲 水溶性’其無法於浸漬微影術。換言之，由於在浸漬微影 術中使用水作爲光源媒介，其易於溶解習知頂部抗反射塗 層。因此’現有發展與浸漬微影術相容之浸漬微影術用頂 Φ部抗反射塗層之需求。此新穎頂部抗反射塗層必須滿足以 下之要求。頂部抗反射塗層必須對光源爲透明性，而且視 所使用之底部感光膜（即，光阻）之種類而定，折射率在 1 . 5至1 · 6 5間。在將頂部抗反射塗布組成物塗布於底部感 光膜上時’其必須不會溶解此感光膜。頂部抗反射塗層必 須在曝光時不會溶於水中，但是必須會溶於顯影溶液中。 最後’頂部抗反射塗層必須使垂直圖案得以形成以製造光 阻。 φ 上述之嚴厲要求使得發展用於浸漬微影術之適當頂部 抗反射塗層爲困難的。此困難之來源之一係由習知頂部抗 反射塗層無法形成所需光阻圖案所引起。因此，現有發展 一種用於浸漬微影術之頂部抗反射塗層之強烈需求，其爲 水不溶性且在形成半導體圖案時使垂直圖案得以形成。 【發明內容】 發明槪述 關於以上之問題，本發明揭示一種由於其不溶於水而 !3〇5211 適〇用於浸漬微影術之頂部抗反射塗布組成物，其在形成 光阻圖案時可防止光阻內部之多重光干涉’而且可抑制由 於光阻厚度變動造成之光阻圖案尺寸改變。 本發明亦揭不一種製備頂部抗反射塗布聚合物之方法 ’一種包括此頂部抗反射塗布聚合物之頂部抗反射塗布組 成物’及一種使用此頂部抗反射塗布組成物形成圖案之方 法。 一種揭示之頂部抗反射塗布聚合物係由下式1所表示 式1
其中R!與R2獨立地爲氫、甲基或氟甲基；R3與R4獨立地 •爲C! -! 〇烴、或其中氫原子全部地或部份地經氟原子取代之 Ci-io烴；及a、b、c、d和e表示各單體之莫耳分率且在約 0.0 5至約〇 · 9之範圍內，使得a、b、c、d和e之和等於1 〇 一種揭示之製備聚（丙烯酸第三丁酯-甲基丙烯酸-丙 烯酸2,2,3,4,4,4-六氟丁酯-1^-[(全氟烷磺醯基）氧基]-降 萡烯-2,3_二羧醯亞胺-順丁烯二酸酐）之方法包括： (1)將N-[(全氟烷磺醯基）氧基]-降萡稀_2,3·二殘醯亞胺 1305211 單體、順丁烯二酸酐單體、與一種聚合引發劑溶於有 機溶劑中，及使這些單體接受自由基聚合；及 (2) 將丙烯酸第三丁酯單體、甲基丙烯酸單體、與丙烯酸 2,2,3，4,4,4 -六氟丁酯單體於有機溶劑中之溶液加入在 步驟1得到之聚合產物，及使混合物接受自由基聚合 〇 一種揭示之頂部抗反射塗布組成物包括由下式1所表 示之頂部抗反射塗布聚合物：
(1) 其中1^1與R2獨立地爲氫、甲基或氟甲基；113與R4獨立地 爲C i . i 〇烴、或其中氫原子全部地或部份地經氟原子取代之 烴；及a、b、c、（1和e表示各單體之莫耳分率且在約 〇-〇5至約0.9之範圍內，使得a、b、c、d和e之和等於1 〇 —種揭示之形成半導體裝置之圖案之方法包括：（a) 將光阻施加至其上形成了特定底部結構之半導體基板；（b) 將頂部抗反射塗布組成物施加至光阻頂部，形成頂部抗反 射塗層；及（e)使光阻曝光，及（d)將光阻顯影而形成光阻圖 案。 目前較佳具體實施例之詳細敘述 1305211
I I 本揭示提供一種由下式1所表示之頂部抗反射塗布聚 合物：
其中Ri與R2獨立地爲氫、甲基或氟甲基；^與！^獨立地 爲C 1 〇烴、或其中氫原子全部地或部份地經氟原子取代之 Cl-ίο烴；及a、b、c、d和e表示各單體之莫耳分率且在約 0.05至約0.9之範圍內，使得a、b、c、d和e之和等於1 〇 式1之頂部抗反射塗布聚合物呈現高透光性，因此適 合用於頂部抗反射塗層之形成。此外，由於此頂部抗反射 塗布聚合物在曝光後高度溶於顯影溶液中，其對光阻圖案 之形成無影響。此外，由於此頂部抗反射塗布聚合物不溶 於水，其適合用於浸漬微影術。此外，由於此頂部抗反射 塗布聚合物可防止自光阻頂部散射之反射，其可有效地防 止光阻圖案因散射之反射而瓦解。 此外，依照本揭示之式1聚合物含可作爲光酸產生劑 之組成單體單元，即，N-[(全氟烷磺醯基）氧基]_降萡嫌 -2,3-二羧醯亞胺。將此作爲光酸產生劑之單體單元引入作 爲頂部抗反射塗布聚合物之聚合物中使之得以溶於浸漬溶 液中，如此防止透鏡污染。即，由於式1聚合物不溶於水 -10- 1305211
t I 且可扮演頂部抗反射塗布聚合物與光酸產生劑之角色，其 可用以製備用於浸漬微影術之頂部抗反射塗布組成物。此 外，在使用包括依照本揭示之式1聚合物之頂部抗反射塗 布組成物形成圖案時，其會溶解一部份存在於底下感光劑 頂部處之光酸產生劑，如此防止頂部形成厚部份。 考量欲塗布於光阻頂部上之抗反射塗層之物理性質， 其包括溶解度及反射率，本發明之頂部抗反射塗布聚合物 之重量平均分子量爲1,000至1,〇〇〇,〇〇〇,而且較佳爲1，000 馨至100，000。分子量太高造成顯影溶液溶解度降低。結果， 即使是在顯影後，一部份之頂部抗反射塗層仍殘留在光阻 圖案上，造成圖案污染。另一方面，分子量太低無法確保 抗反射塗層之最適反射率及光阻上有適當之「覆塗」。 用於本揭示之頂部抗反射塗布聚合物之實例包括具有 由式1所表示之結構之聚合物，但非限制之。這些聚合物 中，較佳爲由下式2所表示之聚（丙烯酸第三丁酯-甲基丙 烯酸-丙烯酸2,2,3，4,4,4-六氟丁酯-N-[(全氟烷磺醯基）氧 鲁基]-降萡烯-2,3-二羧醯亞胺-順丁烯二酸酐）： 式2
其中Ri爲甲基，R2爲氫，R3爲2,2,3,4,4,4-六氟丁基，R4 -11- 1305211 爲全氟烷，及a、b、c、d和e表示各單體之莫耳分率 約0.0 5至約〇 · 9之範圍內，使得a、b、c、d和e之和 1 ° 特佳爲聚（丙烯酸第三丁酯-甲基丙烯酸_丙 2,2,3,4,4,4-六氟丁酯-N-[(全氟辛磺醯基）氧基]_降 -2,3-二羧醯亞胺-順丁烯二酸酐）。 本揭示亦提供一種製備聚（丙烯酸第三丁酷_甲基 酸-丙嫌酸2,2,3,4,4,4_六氧丁酯-N-[(全氟院擴酸基） 書]-降萡烯-2,3-二羧醯亞胺-順丁烯二酸酐）之方法，其 以下之步驟：將N-[(全氟烷磺醯基）氧基]_降拒嫌 二羧醯亞胺單體、順丁烯二酸酐單體、與一種聚合引 溶於有機溶劑中’及使這些單體接受自由基聚合（步 );然後將丙烯酸第三丁酯單體、甲基丙烯酸單體、 烯酸2,2,3,4,4,4-六氟丁酯單體於有機溶劑中之溶 '液加 步驟1得到之聚合產物，及使混合物接受自由基聚合 驟2)。 Φ 聚合步驟1較佳爲在約5 7至約7 7 t進行約！ 〇至 分鐘，而步驟2較佳爲進行約2至約1 〇小時。 可用於步驟1及2之聚合之有機溶劑之實例包括 基聚合之常用有機溶劑。較佳爲，用於本揭示方法之 溶劑係選自丙酮、PGMEA、四氫呋喃、環己酮、二甲 醯胺、二甲基亞颯、二曙烷、甲乙酮、乙酸乙酯、苯 苯、與二甲苯。最佳爲丙酮。 此外，用於步驟1之聚合引發劑較佳爲選自2 2， 且在 等於 稀酸 萡烯 丙烯 氧基 包括 -2,3- 發劑 驟1 與丙 入在 (步 約50 自由 有機 基甲 、甲 偶氮 ^S2\i M鵠丁腈（AIBN)、過氧化苯甲醯基、過氧化乙醯基、過氧 化月桂基、過乙酸第三丁酯、氫過氧化第三丁基、與過氧 化=第三丁基。最佳爲使用2,2’-偶氮雙異丁腈（人181^)。 本揭示亦提供一種包括由下式1所表示之頂部抗反射 塗布聚合物之頂部抗反射塗布組成物：
⑴ 其中1^與R2獨立地爲氫、甲基或氟甲基；113與R4獨立地 爲C ! ^ 0烴、或其中氫原子全部地或部份地經氟原子取代之 Ci-IG烴；及a、b、c、d和e表示各單體之莫耳分率且在約 〇.〇5至約0.9之範圍內，使得a、b、c' d和e之和等於1 〇 可用於本揭示頂部抗反射塗布組成物之有機溶劑並未 特別地限制，只要其可溶解頂部抗反射塗布聚合物即可。 特佳爲一級醇，如正丁醇、正戊醇、正己醇、正庚醇、與 正辛醇’因爲其不會溶解大部份之底部感光劑，在將組成 物塗布於感光劑上時會防止頂部抗反射塗布組成物與底部 感光劑間之混合。可用於此頂部抗反射塗布組成物之特佳 一級醇爲正丁醇。 考量抗反射塗層之厚度，有機溶劑以頂部抗反射塗布 聚合物之重量計較佳爲以約1,000至約10,000重量％之量 1305211 使用。如果正丁醇之量在此範圍外，則無法將抗反射塗層 之厚度最適化。 本揭示之頂部抗反射塗布組成物可進一步包括一種酸 擴散抑制劑。此酸擴散抑制劑並未特別地限制，只要其可 抑制酸之擴散即可。特佳爲L-脯胺酸。本揭示之頂部抗反 射塗布組成物以頂部抗反射塗布聚合物之重量計可包括約 1至約20重量％之酸擴散抑制劑。包含於此頂部抗反射塗 布組成物內之酸擴散抑制劑係用以進一步抑制酸朝向未曝 •光區域擴散。 此頂部抗反射塗布組成物之最適反射率爲1 .4至約2.0 之。因此’在將此頂部抗反射塗布組成物面塗於光阻頂部 上時’可使反射最小因此可保護光阻圖案不因反射光而瓦 解。 本揭示亦提供一種形成半導體裝置圖案之方法，其包 括以下步驟：（a)將光阻施加至其上形成了特定底部結構 之半體體基板；（b)將頂部抗反射塗布組成物施加至光阻 書頂部，形成頂部抗反射塗層；（〇使光阻曝光；及（d)將光阻 顯影而形成光阻圖案。 依照此揭示之圖案形成方法特徵爲，光阻頂部上之抗 反射塗層係使用本揭示之頂部抗反射塗布組成物形成。由 ' 於如此形成之頂部抗反射塗層之反射率爲約1.4至約2.0， 可使光阻頂部處之反射達到最小。因此，藉本揭示方法形 成之光阻圖案會大大改良圖案均句性。 依照本揭示之圖案形成方法，烘烤可在曝光前及/或曝 -14- 1305211 * 4 光後進行。烘烤較佳爲在約70 °C至約200 °C進行。 本揭示之抗反射塗布組成物及圖案形成方法主要應用 於一種使用ArF光源（193奈米）形成超精細圖案之程序 。同樣地，其亦可應用於一種使用具有較短波長之光源（ 例如，F2或EUV )形成超精細圖案之程序，只要可使用水 作爲光源媒介即可。使用此光源之曝光較佳爲以約0.1至 約50毫焦耳/平方公分之曝光能量達成。 在本揭示之圖案形成方法中，顯影可使用鹼顯影溶液 φ進行。至於特佳之鹼顯影溶液，使用氫氧化四甲銨（TM A H) 於水中之約〇 · 〇 1至約5 % (w / w)溶液。 本揭示亦提供一種以頂部抗反射塗布組成物製造半導 體裝置之用途。由於本揭示之頂部抗反射塗布組成物可使 散射之反射最小，除了超精細圖案形成程序，其可應用於 各種製造半導體裝置之程序。 應了解，視程序之型式而定，本揭示之頂部抗反射塗 布組成物可以對熟悉此技藝者爲顯而易知之方式應用於各 籲種程序。 本揭示現在參考以下實施例而詳述。然而，這些實施 例僅爲描述之目的且不視爲限制本發明之範圍。 【實施方式】 實施例 實施例】）頂部抗反射塗布聚合物之製備：聚（丙烯酸第三 丁酯-甲基丙烯酸-丙烯酸2,2,3,4,4,4-六氟丁酯-1^-[(全氟 烷磺醯基）氧基]-降萡烯_2,3_二羧醯亞胺-順丁烯二酸酐） -15- 1305211 < 將0.5克之N-[(全氟辛磺醯基）氧基]-降萡烯-2,3-二羧醯亞胺、〇 _ 5克之順丁烯二酸酐、與0.4克之A1B N溶 於10克之丙酮中。將2.5克之丙烯酸第三丁酯、2.5克之 甲基丙烯酸、與5克之丙烯酸2,2,3,4,4，4 -六氟丁酯於40 克之丙酮中之溶液加入此聚合產物。將混合物在6 7 °C聚合 6小時。在聚合完成後，將聚合產物沈澱於水中’過濾’ 及真空乾燥而以6 8 %之產率得到聚（丙烯酸第三丁酯-甲基 丙烯酸-丙烯酸2,2,3,4,4,4-六氟丁酯-N-[(全氟烷磺醯基） φ 氧基]-降萡烯-2,3-二羧醯亞胺-順丁烯二酸酐）。將此聚合 物之結構以1H-NMR光譜術證驗（第1圖），而且此聚合 物之GPC數據及層析圖示於第2圖。 實施例2)頂部抗反射塗布組成物之製備及圖案形成 將1.0克之如實施例1所製備之聚（丙烯酸第三丁酯-甲基丙烯酸-丙烯酸2,2,3,4,4,4-六氟丁酯->1-[(全氟烷磺醯 基）氧基]-降萡烯-2,3-二羧醯亞胺-順丁烯二酸酐）溶於60 克之正丁醇中，而製造一種用於浸漬微影術之頂部抗反射 φ塗布組成物。 將感光劑（AR1221J，JSR)在晶圓上塗布成200奈米之 厚度，及在1 3 0 °C烘烤9 0秒。將此頂部抗反射塗布組成物 以3,000 rpm塗布於此經塗布感光劑上。爲了證實本揭示 之頂部抗反射塗布組成物是否在塗布後可作爲對抗水之保 護膜’將此晶圓浸於水中3分鐘。在使用ArF曝光裝置將 此晶圓曝光後，將此經曝光晶圓在1 3 0 °C烘烤9 0秒且顯影 而形成圖案。圖案照片示於第3圖。此照片顯示使用此頂 -16- 1305211 * 部抗反射塗層形成之圖案係非常垂直地形成。 由以上之說明明顯可知，由於本揭示之頂部 布聚合物呈現高透光性且爲水不溶性，其適合形 漬微影術之頂部抗反射塗層。 此外，由於此聚合物含可作爲光酸產生劑之 單元，即，N-[(全氟烷磺醯基）氧基]-降萡烯-2 亞胺’其不僅可扮演頂部抗反射塗布聚合物之角 扮演光酸產生劑之角色。因此，在使用包括本揭 φ 反射塗布聚合物之頂部抗反射塗布組成物形成圖 溶解一部份存在於底下感光劑頂部處之光酸產生 防止頂部形成厚部份。 此外，使用本揭示之抗反射塗布組成物形成 反射塗層滿足有效地用於浸漬微影術之需求。此 射塗層對光源爲透明性，因爲其具有96%以上之 其具有1.4至2.0間之折射率且不溶解底下感光？ 抗反射塗層在曝光時不溶於水中，但極溶於顯影 φ最後，此頂部抗反射塗層造成垂直圖案之形成。 於本揭示之頂部抗反射塗布組成物造成精細光阻 成，其促成以有效率之方式製造小於5 0奈米半_ 雖然已爲了描述目的而揭示本發明之較佳具 ，熟悉此技藝者應了解，不背離如所附申請專利 示之本發明範圍及精神之各種修改、添加及取代 〇 【圖式簡單說明】 抗反射塗 成用於浸 組成單體 ,3-二羧醯 色，亦可 示頂部抗 案時，其 劑，如此 之頂部抗 頂部抗反 透光度。 。此頂部 溶液中。 因此，由 圖案之形 :體裝置。 體實施例 範圍所揭 爲可行的 -17- 1305211 第1圖爲在本揭示之實施例1中製備之頂部抗反射塗 布聚合物之1H-NMR光譜； 第2圖顯不在本揭示之實施例1中製備之頂部抗反射 塗布聚合物之GPC資料及層析圖；及 第。圖爲使用在本揭示之實施例2中製備之頂部抗反 射塗布組成物形成之半導體圖案之80奈米-L/S照片。
-18-

Claims (1)

  1. 1. 一種由下式1所表示之頂部抗反射塗布聚合物：
    其中1與R2獨立地爲氫、甲基或氟甲基；R3與R4獨立 地爲C 0烴、或其中氫原子全部地或部份地經氟原子取 代之Cmo烴；及a、b、c、d和e表示各單體之莫耳分 率且在約〇. 〇 5至約0.9之範圍內，使得a、b、c、d和e 之和等於1。 2.如申請專利範圍第1項之聚合物，其中此聚合物之重量 平均分子量爲約1,000至約100,000。 3 .如申請專利範圍第1項之聚合物，其中此聚合物爲由下 式 2所表示之聚（丙烯酸第三丁酯-丙烯酸-丙烯酸 2,2,3,4,4,4-六氟丁酯-N-[(全氟烷磺醯基）氧基]-降萡烯 -2,3-二羧醯亞胺-順丁烯二酸酐）：
    -19- 1305211 其中1^爲甲基，112爲氫，113爲2,2,3,4,4,4-六氟丁基， R4爲全氟烷，及a、b、c、d和e表示各單體之莫耳分率 且在約〇. 〇 5至約0.9之範圍內，使得a、b、c、d和e之 和等於1。 4 .如申請專利範圍第1項之聚合物，其中此聚合物爲聚（ 丙烯酸第三丁酯-甲基丙烯酸-丙烯酸2,2,3,4,4,4-六氟丁 酯-N-[(全氟辛烷磺醯基）氧基]-降萡烯-2,3-二羧醯亞 胺-順丁烯二酸酐）。 φ 5 . —種製備如申請專利範圍第3項之頂部抗反射塗布聚合 物之方法，其包括： (1) 將N-[(全氟烷磺醯基）氧基]-降萡烯-2,3-二羧醯 亞胺單體、順丁烯二酸酐單體、與一種聚合引發劑 溶於有機溶劑中，及使這些單體接受自由基聚合； 及 (2) 將丙烯酸第三丁酯單體、甲基丙烯酸單體、與丙烯 酸2,2,3,4,4,4-六氟丁酯單體於有機溶劑中之溶液 φ 加入在步驟1得到之聚合產物，及使混合物接受自 由基聚合。 6.如申請專利範圍第5項之方法，其中步驟1之聚合係在 約5 7至約7 7 °C進行。 7 .如申請專利範圍第5項之方法，其中步驟1之聚合係進 行約1 〇至約5 0分鐘。 8 .如申請專利範圍第5項之方法，其中步驟2之聚合係進 行約2至約1 0小時。 -20 - 1305211 i m 9 ·如申請專利範圍第5項之方法，其中用於步驟1及2之 聚合之有機溶劑爲至少一種選自丙酮、PGMEA、四氫呋 喃、環己酮、二甲基甲醯胺、二甲基亞颯、二噚烷、甲 乙酮、乙酸乙酯、苯、甲苯、與二甲苯之溶劑。 1 〇 ·如申請專利範圍第5項之方法，其中用於步驟1之聚合 引發劑係選自2,2’-偶氮雙異丁腈（AIBN)、過氧化苯甲醯 基、過氧化乙醯基、過氧化月桂基、過乙酸第三丁酯、 氫過氧化第三丁基、與過氧化二第三丁基。 鲁1 1 .—種頂部抗反射塗布組成物，其包括： 一種由下式1所表示之頂部抗反射塗布聚合物：
    (1) 其中1^與R2獨立地爲氫、甲基或氟甲基；尺3與r4獨立 地爲Cub烴、或其中氫原子全部地或部份地經氟原子取 代之烴；及a、b、c、d和e表示各單體之莫耳分 率且在約0.05至約0.9之範圍內，使得a、b、c、d和e 之和等於1 ;及 一種有機溶劑。 1 2 ·如申請專利範圍第n項之組成物，其中有機溶劑爲一級 醇。 1 3 ·如申請專利範圍第丨2項之組成物，其中一級醇爲正丁醇 -21 - 1305211 1 4 ·如申請專利範圍第1 1項之組成物，其中此組成物係藉由 將以聚合物之重量計爲約1,〇〇〇至約1〇,〇〇〇重量％之頂 部抗反射塗布聚合物溶於有機溶劑而製備。 1 5 .如申請專利範圍第1 1項之組成物，其進一步包括一種酸 擴散抑制劑。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項之組成物，其中酸擴散抑制劑爲 L-脯胺酸。 φ 1 7 ·如申請專利範圍第丨5項之組成物，其中以頂部抗反射塗 布聚合物之重量計，此組成物包括約1至約2 0重量％之 酸擴散抑制劑。 1 8 .如申請專利範圍第丨丨項之組成物，其中此組成物之折射 率在約1 · 4至約2.0間。 1 9 ·如申請專利範圍第丨丨項之組成物，其中此組成物係用以 製造半導體裝置。 20. —種形成半導體裝置圖案之方法，其包括： • (a)將光阻施加至其上形成了特定底部結構之半體體基 板； (b) 將如申請專利範圍第丨〗項之頂部抗反射塗布組成物 施加至光阻頂部，形成頂部抗反射塗層； (c) 使光阻曝光；及 (d) 將光阻顯影而形成光阻圖案。 2 1 ·如申請專利範圍第2 0項之方法，其中烘烤係進一步在曝 光前及/或曝光後進行。 -22- 1305211 « * 22.如申請專利範圍第2 1項之方法，其中烘烤係在約70 °C 至約2 0 0 °C進行。 23 .如申請專利範圍第20項之方法，其中在曝光中使用水作 爲光源媒介。 24.如申請專利範圍第20項之方法，其中顯影係使用氫氧化 四甲銨（TMAH)於水中之約0.01至約5% (w/w)溶液作爲 顯影溶液而進行。
    -23 -
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