TWI304645B - A chip bonding process for flip-chip assembly - Google Patents

Description

1304645 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種封裝方法，特別是指一種將覆晶 晶粒銲黏於基板上的銲晶方法。 5 【先前技術】 隨著電子產品的發展走向是體積愈趨輕薄短小，功能 卻更須多樣複雜，覆晶封裝（flip-chip assembly)由於具 有大幅縮減覆晶晶粒封裝後的體積，以及可降低覆晶晶粒 與基板間的電子訊號傳輸距離的優點，已成為當前極為重 10 要的封裝技術之一。 參閱圖1、圖2,一般在進行覆晶封裝之銲晶過程（chip bonding )時，是進行步驟11，以銲晶機台之流道帶動待 銲晶的基板100移動至一定位位置，並當基板100被帶動 至定位位置時，銲晶機台之定位影像擷取裝置擷取基板 15 1〇〇的影像，並依據此影像中基板100預設之二呈斜對角 設置分布的定位點（fiducial mark ) 300、300,，計算出基 板100位於定位位置時基板1〇〇之待銲晶中心400。 接著進行步驟12,銲晶機台之取晶裝置依據步驟11 中計算所得之待銲晶中心400為基準，將覆晶晶粒200定 20 置於基板100上的待銲晶位置上，並使得覆晶晶粒200上 預先形成之複數凸塊201 (bumping)對應連結於基板100 之複數接點101 (bonding pad)上。 最後進行步驟13，將銲黏有覆晶晶粒200的基板100 移送八一回銲爐（reflow oven )中進行回銲，使覆晶晶粒 1304645 200上複數凸塊201與基板100上複數接點101電性連結， 並藉由該些凸塊201與接點101的連結使覆晶晶粒200固 定連結於基板100上。 理論上來說，依步驟11所計算出來之待銲晶中心400 5 為基準，而將覆晶晶粒200定置於基板100上的待銲晶位 置，應該是可以正確地將覆晶晶粒200相對定置於基板100 上的待鲜晶位置上。 但是一來由於目前基板100會因舖覆一鮮錫層（solder layer )而遮覆預設之定位點300、300’，因此會影響定位 10 影像擷取裝置擷取基板100的影像後判讀此影像中基板 100之二定位點300、300’的實際位置，進而使得計算出的 待銲晶中心400產生偏差；二來基於人為、機台、材料（即 覆晶晶粒200、基板100本身的尺寸容許誤差）、參數調 校設定等因素共同的影響，實際上，覆晶晶粒200未能銲 15 黏於基板100上正確的待銲晶位置的發生機率大約是千分 之三。而，由於基板100上每一接點101的邊長、每一接 點101至相鄰之另一接點101的距離，以及覆晶晶粒200 上每一凸塊201的大小、每一凸塊201至相鄰之另一凸塊 201的距離大致是自數十微米至數百微米大小，一旦覆晶 20 晶粒200未能銲黏於基板100上正確的待銲晶位置時，即 會使凸塊201與接點101產生不正確地電性連結，導致銲 晶過程良率的降低。 同時，此些覆晶晶粒200未能銲黏於基板100上正確 的待銲晶位置的瑕疵品，仍會繼續後續的製程直到完成整 1304645 個封裝製程，如此，不但浪費後續各製程的生產成本，同 時也會直接導致後續每一製程的良率降低。 因此，如何把銲晶過程中覆晶晶粒2 0 0未能正確銲黏 於基板1〇0上的瑕疵品篩檢出來進行重工修正（rework)， 5 卩更加提昇銲晶良率、降低生產成本，同時減少後續製程 浪費在此等瑕疲品的封裝，提昇整體封裝製程的良率，是 業者不斷努力研究的方向。 【發明内容】 目此，本發明之目的，即在提供_種正確定位覆晶晶 1〇 纟的封裝方法，以提高覆晶封裝件之銲晶過程的良率。 本發明一種正確定位覆晶晶粒的封裝方法包含以下 步驟。 u)對應於-銲晶機台之—流道的上方裝設一視像 檢測系統。 15 (b)卩該流道帶動一基板至一輝晶位置，並將一覆 晶晶粒之-兩相鄰邊緣交會之端角區，以及該基板之至少 -定位點為-基準，經由該視像檢測系統運算分析該覆晶 晶粒定置於該基板上的位置，並進行一鲜晶步驟將該覆晶 晶粒定置於該基板上的一對應位置，而使得該覆晶晶粒與 20 該基板對應連結成—覆晶封裝件半成品。 U)以該流道帶動該步驟⑴所完成之覆晶封裝件 半成品移動’當該覆晶封裝件半成品被帶動至一檢視位置 時’該視像檢測系統擷取該覆晶封襄件半成品之影像，並 與-内建之標準影像相比對確認，以判定該覆晶晶粒是否 1304645 定置於該基板上的對應位置，且其中該内建之標準影像是 利用以該基準所建立。 本發明之功效是可以確實地篩檢出覆晶晶粒未能正 確銲黏於基板上的瑕疵品以進行返工修正，使得銲晶良率 5 提高、降低生產成本。 【實施方式】 本發明之前述以及其他技術内容、特點與優點，在以 下配合參考圖式之一較佳實施例的詳細說明中，將可清楚 的明白。 10 在本發明被詳細描述之前，要注意的是，在以下的說 明内容中，類似的元件是以相同的編號來表示。 參閱圖3，本發明之正確定位覆晶晶粒的封裝方法， 適用於覆晶封裝-覆晶封裝件的銲晶過程，使得桿晶良率 提高、降低生產成本。 15 首先進行步驟31，對應地在銲晶機台之可帶動基板 100移動之流道的上方裝設—視像檢測系統，視像檢測系 統是以感光輕合元件（CCD，Charge coupled Device)操 取'IV像並可將擷取的影像與一預先内建的標準影像作運 算分析，以比較二者的差異。 丨〇 由於視像檢測系統主要用於檢測出經過銲晶過程 =，覆晶晶粒200未能正確地定置於基板1〇〇上的覆晶封 裝件半成品的瑕疵品，因此可裝設在對應於流道之近末端 處的上方且當流道帶動覆晶晶粒200被定置於基板j 〇〇 上的覆封裝件半成品移動至一檢視位置時，可擷取此覆 1304645 晶封裝件半成品的影像，並將此影像與内建的標準影像進 行運算以分析二者的差異。 參閱圖4，視像檢測系統内建之標準影像是以覆晶晶 粒200正確地定置於基板100上待銲晶位置的覆晶封裝件 5 半成品的影像，並以覆晶晶粒200之一兩相鄰邊緣交會之 端角區202，以及基板100之一較靠近該端角區202的定 位點300二者與彼此的相對關係為依據為比較基準；並在 流道帶動銲置有覆晶晶粒200的基板100的覆晶封裝件半 成品移動至檢視位置時，擷取覆晶封裝件半成品之影像 10 後，相同地以覆晶晶粒200之一兩相鄰邊緣交會之端角區 202,以及基板100之一較靠近該端角區202的定位點300 二者與彼此的相對關係為依據，運算分析兩者的差異，以 判定覆晶晶粒200是否定置於基板100上正確的對應待銲 晶位置。 15 參閱圖3並配合參閱圖2，接著進行步驟32，與習知 銲晶過程相似，以銲晶機台之流道帶動待銲晶的基板1〇〇 移動，並當基板100被帶動至定位位置時，以銲晶機台原 本設置的定位影像擷取裝置擷取基板100之定位影像，並 依據此定位影像中基板100預設之二呈斜對角設置分布的 20 定位點300、300’，計算出基板100位於定位位置時基板 100之待銲晶中心400。 然後進行步驟33，以銲晶機台之取晶裝置依據步驟 32中計算所得之待銲晶中心400為基準，將覆晶晶粒200 定置於基板100之待銲晶位置上，並使得覆晶晶粒200上 1304645 預先形成之複數凸塊201對應連結於基板1〇〇之複數接點 ’完成一覆晶封裝件半成品。 在此要說明的是，㈣32與步驟33是覆晶封袭的鲜 晶過程，因此在量產時’此二步驟是可以獨立而一直重複 5 ㈣進行的。此外，基板刚預設之二呈斜對角設置分布 的定位點300、300,可設計配置於基板1〇〇之一銲晶區上。 然後進行步驟34,流道帶動經過步驟33銲晶完成的 覆，封裝件半成品至檢視位置，此時，視像檢測系統摘取 覆曰曰封裝件半成品的影像，並與内建之標準影像相運算分 10 析比較。 當計算比較出覆晶封裝件半成品之影像與内建標準 影像相對應吻合時，則判定此覆晶封襄件半成品符合檢測 規格，而繼續進行後續步驟35,將此覆晶封裝件半成品傳 15 送入回輝爐進行回銲，使覆晶晶粒200上複數凸塊201與 基板100上複數接點101電性連結，並藉由該些凸塊2〇1 /、接點101的連結使覆晶晶粒200固定連結於基板 上’元成銲晶過程。 *十τττ比較出覆晶封裝件半成品之影像與内建標準 2〇 料無法對應吻合時，關定此覆日^封裝件半成品為不良 ^ ’ ^時繼續進行步·驟36，停止流道作動，使覆晶封裝件 ^ 暫寺邊置於流道上，並由銲晶機台發出警示通知生 、員將此不良品取出，並在取出不良品後，繼續重複 進行上述各步驟。 接著進行步驟37，將進行至步驟36的不良品送入一 10 1304645 可以χ射線進行檢測之設備中，以人工藉由χ射線再次進 行透視檢測，以確認由視像檢測系統判定為不良品的覆晶 封裝件半成品’其覆晶晶粒20G是否正確地定置於基板⑽ 上的對應位置上，若是’則進行步驟35，將此覆晶封裝件 5 半成品傳送入回銲爐進行回銲，完成銲晶過程。 若再次檢測確認此覆晶封裝件半成品為不良品（即覆 晶晶粒200上有任-凸塊2〇1未能正確銲黏於基板刚上 的對應接點）則進行步驟38,將此不良品進行將覆晶晶粒 200與基板100兩相分離的重工修正過程，並重行自上述 10 ㈣32開始將覆晶晶粒綱定置於基板·上的各程序。 在此要另外加以說明的是，步驟36與步驟37可以配 合機台自動化，*在崎完㈣34，並敢此覆晶封裝件 半成品為不良品後，自動地將判為不良品的覆晶封裝件半 成品集中收集後以人工再次利用又射線檢測，或是直接傳 15 #入以Χ射線檢測的設備以人工再次判讀檢測，而後再將 確定的不良品進行返工修正。當然，為了減少再次檢測的 人工j本，也可以省略步驟36與37，直接將視像檢測系 統判定為不良品的覆晶封裝件半成品進行返工修正，由於 此部份過程僅為本發明之稍加修正變化，以配合實際作業 之〇 的生產需求，故不再多加詳細贅述。 ’、 由上述說明可知，本發明正確定位覆晶晶粒的封裝方

、、上 W 要是導入目刚發展非常成熟的視像檢測技術於覆晶 封扁製程中的銲晶過程，利用感光耦合元件具有體積小、 回旦素、向解析度等優點，可以輕易擷取已定置有覆晶 11 1304645 粒200在基板loo上之覆晶封裝件半成品的影像，再與標 準影像相分析比對，以確認覆晶晶粒2〇〇是否正確地定置 於基板100上，並可將覆晶晶粒2〇〇定置位置有所偏移的 瑕疲品篩檢出來以進行再次檢測或重工修正，以提昇鲜晶 過私的良率，與習知銲晶過程相較，本發明正確定位覆晶 晶粒的封裝方法確實可以篩檢出覆晶晶粒2〇〇未正確定置 於基板100上之千分之三不良率發生的瑕疵品，進而再提 昇銲晶過程的良率，同時可避免此些瑕疵品繼續進行後續 無謂的封裝過程、浪費後續各製程生產成本的缺點，確實 達到本發明之目的。 惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不 =以此限;t本發明實施之範圍，即大凡依本發明中請專利 範圍及發明說明書内容所作之簡單的等效變化與修飾，皆 應仍屬本發明專利涵蓋之範圍内。 【圖式簡單說明】 圖1是一流程圖，說明習知之銲晶過程； 士圖2疋π思圖’說明習知銲晶過程之一定位影像擷 衣置疋位出一基板之一待銲晶中心的狀態； #圖3疋一流程圖，說明本發明正確定位覆晶晶粒的封 展方法之一較佳實施例； 說明本發明正確定位覆晶晶粒的封

置於覆晶晶粒上的狀態。 圖4是一示意圖， 裝 12 1304645 【圖式之主要元件代表符號說明】 100 基板 13 步驟 101 接點 31 步驟 200 覆晶晶粒 32 步驟 201 凸塊 33 步驟 202、 202’ 延長線 34 步驟 203 端角區 35 步驟 300、 300’ 定位點 36 步驟 400 待銲晶中心 37 步驟 11 步驟 38 步驟 12 步驟 13

Claims (1)

1304645 拾、申請專利範圍： 1. -種正確定位覆晶晶粒的封裝方法，適用於覆晶封褒之鮮 晶過程，該封裝方法包含： (a )對應於一銲晶機A a # ^ 俄σ之一流道的上方裝設一視像檢測 系統； (b)以呑亥流道帶動一基;f：/5 5 左曰曰y 丞板至一銲晶位置，以一覆晶晶粒 之-兩相鄰邊緣交會之端角區，以及該基板之至少 定位點為基準，經由該視像檢測系統運算分析 該覆晶晶粒相對定置於該基板上的位置，並進行一 銲晶步驟將該覆晶晶粒定置於該基板上的一對應位 置，而使得該覆晶晶粒與該基板對應連結成一覆晶 封裝件半成品；及 U)以該流道帶動該步驟⑴所完成之覆晶封裝件半成 品移動’當該覆晶封裝件半成品被帶動至—檢視位 置時，該視像檢測系統擷取該覆晶封裝件半成品之 /SV像並肖Θ建之標準影像相比對確認、，以判定 該覆晶晶粒是否定置於該基板上的對應位置，其 中，該内建之標準影像係利用該基準所建立。、 2.依據申請專利範圍第i項所述正蚊位覆晶晶粒的封裝 方法，更包含-步驟U)，當確認該覆晶封裝件半成品之 覆晶晶粒未正確地定置於該基板上的對應位置時，該流道 停止作動使該覆晶封裝件半成品留置於該流道上。 3·依據中請專利範圍第1或2項所述正確定位覆晶晶粒的封 裂方法，更包含-步驟（e)，確認該覆晶封裝件半成品之 14 1304645 覆晶晶粒未正確地定置於該基板上的對應位置後，將該覆 晶封裝件半成品傳送入一可以X射線進行檢測之設備中 ， 再次進行檢測，以確認該覆晶晶粒是否正確地定置於該基 · 板上的對應位置。 4. 依據申請專利範圍第3項所述正確定位覆晶晶粒的封裝 方法’更包含-步驟⑴，將經過步驟（e)再次檢測後，. 將該覆晶晶粒未正確地定置於該基板上的對應位置的覆 晶封裝件半成品，進行一重工修正過程。 5. 依射請專利範圍第4項所述正確定位覆晶晶粒的封$ φ 方法，其中，該重工修正過程是將該覆晶封裝件半成品之 覆晶晶粒與基板相分離後，重複進行該步驟（b)、（c)。 6. 依據申請專利範圍第1項所述正確定位覆晶晶粒的封裝 方法’更包含一步驟（g)，是將確認該覆晶晶粒是正確地 二^該基^上的該覆晶封裝件半成品產品傳送入一回 *仃口鋅，使该覆晶晶粒與該基板相對應連結。 . 7. ::申請專利範圍第！項所述正確定位覆晶晶粒的封袭· :法，其中，該視像檢測系統是以一感光賴合元件掏取影· 晶晶粒的封袭 一對角線上。 s.依據中請專利範㈣1項所述正確定位覆 方法，其中，該定位點係配置於該基板之任 15 1304645 柒、指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：第（3 )圖。 31 步驟 35 步驟 32 步驟 36 步驟 33 步驟 37 步驟 34 步驟 38 步驟 (二） 本代表圖之元件代表符號簡單說明： 捌、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的 化學式：