TWI302291B - Management method and display method of on screen display thereof and related display controlling apparatus - Google Patents

Description

1302291 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明提供-歸幕趣齡(Gn _n displ@ qsd)<_ 方法、顯示方法及相_示器控制裝置，尤指—種糊動態隨1 存取記憶齡行直觸示之規財法、細方歧相關顯示 器控制裝置。 【先前技術】 縣直翻*祕主要分為兩種，第―種是關像為基準 (gr_iC base)的OSD系統，這種⑽系統將欲顯示_ 像素㈣)為單位儲存於記憶體中，再由記憶體中讀取出來，以驅 動螢幕顯賴齡雜，即輝像射相_部分(譬如在 W . #細地關像為基準的QSD彡統會大幅度地浪費記憶體 空間，於是乎’以字型為基準(fontbase)的0SD系統遂應運而生， 以字型為基準請〇系統以區塊為單位，並且將可重複使用的區 塊圖像(字型)存於記憶體中，並且將每一個區塊圖像的記憶體位址 以及區塊圖像的索引(index)儲存於對照表；舉例來說，以字型為 基準的OSD系、統可以事先將英文字母A_z的圖片儲存於記憶體， 1302291 並且將其對應關係存於對照表，如此，如果以字型為基準的〇SD 系統必須在螢幕一區塊顯示英文字母A，僅僅只需輸入英文字母A 的索引，便可得知英文字母A所對應的記憶體位址，因而從記憶 體讀取出英文字母A的區塊圖像；如前所述，以字型為基準的 〇SD系統可以重複使用預先存入記憶體的區塊圖像，相較於以圖 像為基準的OSD系統，相對地降低了記億體空間的浪費。 一般來說，以字型為基準的OSD .系統是儲存於晶片内建的靜 怨隨機存取記憶體(static random access memory，簡稱 SRAM)， 由於SRAM具有快速存取的特性，因此可以實現081>系統存取字 型的目的’不過很顯然地，由於SRAM包含的電晶體較多，線路 也比較複雜，也占據了晶片内可觀的面積，以供〇SD專用。 一般的系統晶片都會耦接動態隨機存取記憶體(dynamic random access memory，DRAM)，其通常以列位址(row address)、行 位址(column address)、以及庫位址(bank address)來定址其記憶體空 間；此外’若要從DRAM中讀取兩資料，或是要儲存兩資料至 DRAM的時候，如果兩資料對應不同的行位址，就必須花費比較 多的記憶體時脈週期(mem〇ry CyCle)來存取DRAM。 1302291 第1圖顯示讀取DRAM中不同列位址之兩資料的時序示音、圖， 實料DATA0與資料DATA1分別對應列位址R〇以及列位址Ri，因 此，讀取資料DAXA0與資料DATA1 .需要下列步驟： 1·致能(activate)對應列位址R0的記憶體; 2·從對應列位址尺()的記憶體中存取資料1)^0; 3.預充電對應列位址R()的記憶體； 4·致能對應列位址&的記憶體；以及 _ 5·從對應列位址&的記憶體中存取資，DATA1。

只要兩資料儲存於不同的列位址RQ ' Rr，就必須利用上述的 步驟來讀取資料;甚至在顯示資料DATAl·之後，如果尚須顯示另 一資料DAm2，即使資料DA^2亦儲存於列位址仏，由於^概丄 係位於列位址，因此也需要經過上述的繁複的步驟自列位址R 1 重新切換回列位址RG，以讀取資料DATA2;由此可見，這樣的操 籲作不僅複雜，而且也大幅地浪費了記憶體頻寬，使得讀取資料的 速度大大降低，在某些需要DRAM頻繁存取的系統中，習知技藝 根本無法實現特定目的之應甩，例如前述習知技藝之字型為基準 的OSD系統便需要利用内建sram來解決。 【發明内容】 本發明揭露一種螢幕直接顯示資料之規劃方法，用來寫入第 1302291 一螢幕直接顯示資料以及第二蝥幕直接顳示資料至記憶體，榮幕 直接顯示資料之規劃方法包含有：寫入第一螢幕直接顯示資料中 第一部份資料與第二部份資料至記憶體中第一記憶空間與第二記 憶空間；以及寫入該第二螢幕直接顯示資料中第三部份資料與第 四部份資料至記憶體中第三記憶空間與第四記憶空間;其中第 一、第三記憶空間均對應第一列位址，以及第二、第四記憶空間 均對應第二歹位址。 , 本發明另揭露一種顯示器控制裝置，用以控制顯示器，顯示 器控制裝置包含非揮發性儲存裝置’用以非揮發性地儲存程式 碼；揮發性記憶體;以及顯示器控制晶片，賴於該非揮賴 存裝置以及該揮發性記憶體，用來讀取並執行該程式碼以寫入第 -螢幕麵龄資射第—雜#料與第二雜資觀該揮發性 記憶體中第-記憶空間與第二記憶空間，似^ «不貝料巾第三部份資料與第四部份賴至該揮發性記憶體中第 一列位址，以及第二、第四記憶空断對應第二舰址。 、—本發明另揭露—種螢幕直接顯示雜之顯示方法，用以顯示 复们子m „亥些字型位於同一水平位置，各字型具有字型索引 玉八有η缺域’躲直接齡雜之顯示方法包含下列步驟： 1302291 將子型依據各掃描線之順序自十 讀出 簡觸恤。爾觸軸掃描線地 續性與完整性 可實現將蝴嶋於料 的成本，有效细記倾頻寬，增加了_取的速度，使 得0SD系統能夠有效率的顯示圖像，不會破壞正常晝面顯示的連 【實施方式】 第2圖為顯示讀取DRAM中同一列位址之兩資料的時序示奇 圖，當資料以及資料D顧位於同一列位址〜，可以連 續讀取資料D湯以及資料〇顧，而無須重複切換列位址的 操作。 為了簡化說明’在以下的揭露之中，^字型為基準的細系 統僅僅只·兩個字型’然而本發明可存取多個字型，其可存取 的字型數目’在以下_露之巾僅作為#補，赠本發明的限 制0 第3圖顯示本發明以字型為基準的〇SD系統所顯示的字型示 意圖，本實施例以顯示兩個字型「HI」為例，其中每一個字型Η、 1302291 1 =有20條掃描線(掃描線0〜掃描線19)，並且每-停播Μ 士 二個像素(像素0〜像素15)乂當OSD系統顯示字型^ 二顯示，也鐵，料 的 以及字豹 予型1的掃描線〇 ’接著_字型Η的掃描線1 “。 卿描線卜以此類推，直到完全顯示2〇條的掃描線

Ji- 之記憶體管理方法流程 圖 • 第4圖顯示本發明用以儲存字型 包含以下步驟·· 步驟400 :開始； 第 w歹1位址χι，第二條掃描線對應於列位址&，..， 20條掃描線對應於列位址知;以及 ^… 步驟404 :儲存字型I於DRAM中，1中字型^的筮政巧 • w : 型的弟—條掃描線 :、'，於靡:址X! ’第二騎描線亦雌於舰址&，...， 第20條掃描線亦對應於列位址&，· 步驟406 :結束。 為了供給OSD所需，會先從外部__性記㈣(譬如唯讀 記憶體或快閃記憶體)取得可能會使用到的字型碼(步驟_:在 本實施例t’會· _判碼触字型⑽及字型[·接著再將 11 1302291 取知的字型碼一個一個儲存至中。 舉例而§，予型Η的掃描線〇先存於DRAM中的列位址Xi， 掃描線1存於D續中的列位址义、·.、_ _ 中的歹恤址&(步驟402 )，接著，字型j的婦描線 中的列位址Xi ’掃描線i存於DRAM中的列位址乂、…、掃描^ 線19存於DRAM中的列位址知(步驟4〇4);至此，儲存〇阳 •字型的操作大致完成(步驟4〇6)。 〇SD顯辦’财_許乡觸錄，瓶频實施例中 在讀取欲顯示的同-列字型時，只要是同一個掃描線，就_ Γ型1的婦描線0皆對應於列位址x]r嘛 等稷雜程序，就能成功地讀取資料。例如若欲顯示同—水平位眉 之20個村，湘本發餐0奶為完全不____ 可以顯不第—贿描線，而可節省大量的職Μ讀_寬。 U的記憶義寬，因制—個字靖如_的字闕的每— 綱對應不_細，在儲存不嘱線的時候，就需執 1302291 切換列位址的對義作(包含有前述預充電，致能列位址等幾個步 驟）而寫入子型逐一字型寫入，每個字型需要切換二十條择描線 位址，因此，本發明儲存字型至DRAM的操作，較佳地利用系統 開機的時候執行(也就是系統初始化的期間)，而泉關 第5圖顯不本發明字型資料索引與記憶體位址的第一實施例 t II 〇 ^ 索引，並藉由字型索引以得知字型資料所對應_ 及行位址，再藉由欲輸出的掃描線號碼以得知所對應的記憶體列 位址’以凡全知知欲輸出的掃描線所對應的所有記憶體位址。以 憶體位址可讀取出16位元的資料偽^ 型Η的掃描線1，由於不同的字型對應不同的字型嗦 以由字母Η得知其字型索引，進轉 址’又由於不同的掃描線號碼(例如號碼〇 , i等等)對應不同的列 位址，因此可以由號碼2得知其列位址；如此便可得知全部的記 憶體位址，進而從DRAM中一次讀取16個位元的資料，以顯示 掃描線1所有的像素；於此實施例之中，可根據第5圖所示的宇 型的基本位址以及字型的掃描線號碼而獲得所對應的記憶體列位 址0 13 1302291 在此請注意，於前述的實施例中，不__佳地對應於 不同的列位址，但是在字型數目沒有报多的情況下，也可以將不 同的掃描線規劃於相同的列絲，來增加儲存字型資料的效率; 第6圖顯示本發明字型資料索引與記憶體位址的第二實施例韻 系意圖’在本實施财，字型㈣僅賴部分_條以及行位 址，而掃描線號碼除了對應列位址外，亦對應部分的庫位址，如 此-來，由於可以應用棚庫位址，便可_猶人痛的時間， 不過’很明顯地，由於所能使用的庫位址減少，亦會造成可使用 的記憶體郎射，因喊少_寫人財魏4;上述的相對 應變化，亦屬於本發明的範疇。

« ^ DRAM

取實施於前述第二實施例之時序圖。庫位址]無須等到庫位址〇 做完整個致能、寫人、以及預充電的步驟才動作，_ DRAM 的庫交錯’於庫位址〇完成致能操作並且開始寫入操作時，庫位 W便可_運作’因此節省了寫人相的時間，前述庫位址的 父替操作又稱之為庫交錯。 此外’在前述實施例中，都預設欲顯示病字型為單色的字型， 然而在實際應用上亦可有多種顏色的輸出。 卬'團顯不本發明字 14 1302291 里貝料索引與錢體健的第三實__示意圖，在行位址的 取後’預留了 一部份行位址作為像素深度(pixd de_的指示實 訊’當顯示一條掃描線時，便可以藉由像素深度輸出具有不同顏 可以顯示四種顏色變化。 第9圖顯示本發明顯示器控制裝置 • 700 710 72〇雜制斋730、OSD電路750、以及記憶體740，用以控制 ^ 740 - ^ 742 740 5 接於非_存裝置72〇靴 •碼，藉由執行程式碼來儲存字型742至記赚_，應注 示器控制裝置7〇〇較佳地搭配〇SD電路7 乍例如疋8051祕控制為’但8〇51微控射^^ 控制晶片710中，或快閃記憶體720中，或者自己齡 立晶片，而為系統内所有晶片所運作共享;顯示器控制裝置7〇〇 5 710 各種系統晶片，由於祕晶片报多都會需要QSD字型之功能，因 此本發明可以應用的層面不應侷限於目前常見的液晶電視控制 1302291 器；熟知此技藝之人士當可思及各種可能變化，而不跳脫本發明 之精神範脅。 相較於習知技術，本發明可實現將0SD字型資料有效率地規 劃於DRAM，而供後續0SD字型顯示之用，完全不會破壞正常晝 面顯示的連續性與完整性，因此節省了内建靜態隨機存取記憶體 的成本，且可有效縮減晶片尺寸。 以上所舰林㈣之較佳實_，凡鱗咖申請專利範 圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明顯蓋範圍。 【圖式簡單說明】 第1圖為讀取記憶體中不同列位址之兩資料的時序示咅圖。 =默記崎_-震_輪她 第5圖為本發明字型資料索引與 第字型為基準的0SD系統所顯示的字型示意圖 ί.，為柄明的記憶體管理方法贿字型的流程圖。 意圖 第6圖本發明字型:树索引與記 圖 記憶體位址的第一f施例對應示 憶體位址料二實細對應示意 16 1302291 …圖為根據本發明利甩DRAM的庫交錯存取實施於第二徐 之時序圖。 : 第8圖本發明字型資料索引與記憶體位址的第三實施例對膝一 圖。 意 第9圖為本發明顯示器控制裝置的功能方塊圖。 【主要元件符號說明】 700 720 ——~—— 740 750 顯示器控制裝置 _ ---——-—… 710 顯示器控制晶片 非揮發性儲存裝置 730 微控制器 記憶體 742 OSD電路 ----丨 '一— 17

Claims (1)

1302291 十、申請專利範圍： 1. 一種螢幕直接顯示資料之規劃方法，用來寫入一第一螢幕直接 顯示賓料以及一苐一螢幕直接顯示資料至一記憶體，該螢幕直 接顯示資料之規劃方法包含有： 寫入該第一螢幕直接顯示資料中一第一部份資料與一第二部份 資料至該記憶體中一第一記憶空間與一第二記憶空間; p 以及 寫入該第二螢幕直接顯示資料中一第三部份資料與一第四部份 資料至該記憶體中一第三記憶空間與一第四記憶空間; 其中該第一、第二記憶空間均對應一第一列位址，以及該第二、 第四記憶空間均對應一第二列位址。 ^ 2.如申請專利範圍第1項所述之螢幕直接顯示資料之規劃方法， _ 其中該第-、第二營幕直接顯示資料係為字型資料。 3.如申請專利範圍第1 其中該第一、第三部 描線，以及該第二、 第二掃描線。 項所述之螢幕直接顯示資料之規劃方法， 部份資料係用來驅動一顯示裝置上一第一掃 第四部分資料係用来驅動該顯示裝置上一 1302291 _1專利域帛1卿述之S幕直翻示資之賴方法， 其中該記億體係為—揮發性記憶體。 申π專利範圍第1項所述之榮幕直接顯示資料之規劃方法’ 2中該絲雜齡資料之_方法胁—獅_制裳置之 1始化期間執行所有寫入步驟。 申"月專利|(L圍第i項所述之螢幕直接顯示資料之規劃方法， 其中该記憶體係為-動態隨機存取記憶體。^ 〜中各榮幕直軸轉料鱗翅地寫人雜麗_取記憶 顯示器，該鎮示器控制裝置 8, 一種顯示器控制裝置，用以控制 包含有: 程式碼; 一非揮發性贿裝置，似非揮發性地儲务 一揮發性記憶體；以及 一顯示ϋ控制以，_於該非揮發性儲存裝知及雜料 記億體，用來讀取並執行該程柄以寫入一第軍么性 _ "一部份資科與-第二部份資料至該識: 19 1302291 一第一記憶空間與一第二記憶空間，以及寫入一第二螢幕直接 顯示資料中一第三部份資料與一第四部份資料至該揮發性記憶 體中一第三記憶空間與一第四記憶空間； 其中該第一、第三記憶空間均對應一第一列位址，以及該第二、 第四記憶空間均對應一第二列位址。 9. 如申請專利範圍第8項所述之顯示器控制裝置，其中該第一、 • 第二螢幕直接顯示資料係為字型資料。 10. 如申請專利範圍第8項所述之顯示器控制裝置，其中該第一、 第三部份資料係用來驅動該顯示器上一第一掃描線，以及該第 二、第四部分資料係用來驅動該顯示器上一第二掃描線。 ll·如申請專利範圍第8項所述之顯示器控制裝置，其中該揮發性 馨 記憶體係為動態隨機存取記憶體。 12. 如申請專利範圍第8項所述之顯示器控制裝置，其中該非揮發 性儲存裝置係為一快閃記憶體。 13. 如申請專利範圍第8項所述之顯示器控制裝置，其中該第一列 位址與該第二列位址係不相同。 20 1302291 幕纖示資料之顯示方法， 心位於二水各字型具有一字型素5/並具有n條 π 4，_幕直接顯示資料之顯示方法包含下列步驟： 將該些字雜據各掃描線之_自—_a麵取記憶體逐條 掃描線地讀出，以顯示於一顯示器上。 15·知申請專利範圍第14項所述之榮幕直揍齡 /、中各掃“、、泉之一序列號碼係相關於(ass〇ciate)該動態隨機 存取。己fe體之一列位址’以減少顯示該些字型之讀取動態隨機 存取記憶體之時間。 16·如申請專利範圍第14項所述之螢幕直接顯示資料之顯示方 法，其中一字型的基本位址以及各掃描線之一序列號碼係相關 於該動態隨機存取記億體之一列位址。1 八 17·如申請專利範圍第14項所述之螢幕直接顯示資料之顯示方 去’其中各字型索引係相關於該動態隨搞存取記憶體之一行位 址。 18·如申請專利範圍第14項所述之螢幕直無顯示資料之顯示方 法’其中各字型索引以及一像素深度係相關於該動態隨機存取 21 1302291 記憶體之一行位址。 19. 如申請專利範圍第18項所述之螢幕直接顯示資料之顯示方 法，其中該像素深度表示顏色。 20. 如申請專利範圍第19項所述之螢幕直接顯示資料之顯示方 法，其中各掃描線之一序列號碼係相關於該動態隨機存取記憶 ，體之一庫位址。 十一、圖式：

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