TWI301290B - Method of cleaning deposition chamber - Google Patents

Description

1301290 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於半導體元件之製造領域，特默有關於一種可 以有效率且均自骑航學氣她獅㈣咖㈣⑽， CVD)設備的反應器内部的方法。 【先前技術】 化學氣相沈積製程在半導體製程中扮演十分關鍵且吃重的角 色，其主要是絲在轉體晶_表社沈積各_材料薄膜， ^J^n_^>fb^(silicon dioxide) ^ t,>fb^(silicon nitride)#^ 料薄膜有可顧來作為積體電路的絕緣介電層或者保護層等。如 ，習該項技藝者所知，在沈積薄膜的過財，化學氣相沈積反應 裔的内壁上亦同時會逐漸累積或附著—些污染物f，這是主要是 由於沈積反應氣體除了在晶圓表面上沈積以外，亦同時會在反應 器的内壁上沈積與沈積在晶圓表面上相同的薄膜所致。 舉例來說，高密度電漿化學氣相沈積(high-densityplasma chemical vapor deposition，HDpcvD)設備已被普遍應用在 〇 25 微 米以下的轉體先進製程，贿在晶圓上沈積二氧切薄膜。而 薄膜製程中產生的二氧化矽會逐漸累積附著在化學氣相沈積反應 裔的内壁，若不去定期的清潔反應器的内部，則累積附著在反應 器的内壁上的薄膜可能會剝落，若掉落在生產中的晶圓表面，會 造成半導體元件製程中的缺陷，因此這類附著在反應器的内壁上 1301290 的薄膜通常被視為潛在的污染顆粒來源，影響產品的良率甚鉅功 而隨著機台使用時間以及沈積次數的增加，在同一化學氣相沈 積反應器中生產的晶圓良率可能會隨之下降，最終的結果可能是 必須停止該半導體生產線製程，以進行化學氣相沈積反應器的圓 頂罩(dome)的汰舊換新，如此一來，更造成半導體製造成本的增加。 因此，為求後續生產過程的潔淨度，每台高密度電漿化學氣相 沈積设備機台在生產或處理過一定數量的晶圓後，都需要再利用 含氟氣體，例如氟氣(fluorine)、三氟化氮(nitr〇gentri_fluoride NF3) 氣體或者六氟乙烧氣體(hexafluoroethane，CJ6)，來定期進行線上 同步的反應器内部清洗，藉以去除附著在化學氣相沈積反應器的 内壁上的沈積物質或殘存⑽化物質。然而；由於清潔氣體的使 用量通常不低，故如何有效率的清潔反應器内部並且延長每一次 鲁清潔的週期，同時又能夠使氣體的使用量降低或最小化，兼顧生 ^ 產效率與成本之間的平衡，亦必須做進一步的整體考量。 在相關的先前技術中，其中美國專利第6584987號披露了一種 可改善1%密度電漿化學氣相沈積設備清潔的方法，宣稱可以同時 減少二氟化氣清潔氣體的使用量(METHOD TOR IMPROVED CLEANING IN HDPCVD PROCESS WITH REDUCED NF3 USAGE) Ji述專利巾所揭露的方法係在進行通常或標準的三氣化 氮清潔步驟之前，需先經過使反應ϋ⑽升溫的「烘烤(baking)」 1301290 階段，包括在待清潔的反應器中通入氬氣(擎)以及全氣烴 (perflu—atedhyd聰rb⑽氣體，然後’提供即功率以產生電聚， 接著需再通人魏(Gxygen);並轉此賴，_反應關部的溫 度提高；在使反應H内部於此電漿條件下烘烤—預定時間後，才 將RF功率關掉，停止電漿的產生；最後，還要先將反應器内部的 氣體以真空泵浦抽出，始可在待清潔的反應器中通人三氟化氮清 潔氣體，進行後續標準的三氟化氮清潔步驟。 上述技術的主要故點在於其清潔過程中需使用到額外的氣 ^^H^4a(argon) > ^aM(perfluorinated hyd^ 氧氣等，造成系統的複雜化，因此需要額外的處理時間。此外， 在完成其所「㈣」步雛，以及在進行鮮的三氟化氮清 潔步驟之前，ϋ需要先將反應器内部的氣體以真线浦抽出，始 可在待π潔的反應n中通人三氟化氮清潔氣體，如此—來，導致 整體清潔步驟的效率降低，而可能影_晶圓產能。 【發明内容】 本發明之主要目的在提供一種改良的化學氣相沈積反應器清 潔系統’同時提供-種反應制部的清潔方法，可以解決上述先 前技術的問題以及缺點。 為達前述目的，本發明之較佳實施例提供一種沈積設備的清潔 方法，首先將一含氟的清潔氣體導入該沈積設備中，使該含氟的 1301290 清潔氣體在該沈積没備中維持在一第一壓力狀態下，提供一处功 率，以點燃該沈積設備t的該含氟的清潔氣體，產生一電漿氣體， 形成該電漿氣體後，使該電漿氣體在該沈積設備中維持一預定時 間’並達到-第-/JDL度狀％，進行該沈積設備的第一階段的内部 清潔，關掉該RF功率，以停止產生該電漿氣體，最後，將一含有 ‘氟自由基的遠端電漿氣體，自-遠端電漿供應設備，導入處於該 "第一溫度下的該沈積設備中，進行第二階段的内部清潔。 鲁 本發明另-較佳實施例提供-種清潔化學氣相沈積機台的方 法，該化學氣相沈積機台包含有一機台底座，其又至少包含有一 晶圓_以及一保護環、—圓頂罩安裝在言亥機台底座上，以形成 一沈積室，該沈積室周圍設置有複數支第—進氣導管，將氣體由 側邊方向通入該沈積室，以及複數支第二進氣導管，指向該圓頂 罩頂部。該方法首先將一含氟的清潔氣體經由該第一進氣導管以 • 及该第二進氣導管導入該沈積室中，使該含氟的清潔氣體在該沈 積室中維持在一第一壓力狀態下，提供一 RF功率，以點燃該沈積 至中的该含氟的清潔氣體，產生一電漿氣體，形成該電漿氣體後， 使該電漿氣體在該沈積室中維持一預定時間，並達到一第一溫 度，進行該沈積設備的第一階段的内部清潔，接著，關掉該处功 率’以停止產生該電漿氣體，最後，在未將沈積室抽真空的情況 下’直接該將一含有氟自由基的遠端電漿氣體，自一遠端電漿供 • 應設備，經由該第一進氣導管導入處於該第一溫度下的該沈積室 一 中，進行第二階段的内部清潔。 8 13〇1290 本發明之主要優點在其可以有效率地、均勻地清潔沈積反應器 的内部’而且清潔過程中都是使用相同的清潔氣體，且反應器的 内部’特別是反應器的圓頂罩的内壁，不會與清潔氣體過度劇烈 的反應’可避免產生明顯的黑化圖紋⑴址ringS)。 為了使貴審查委員能更進一步了解本發明之特徵及技術内 谷，請參閱以下有關本發明之詳細說明與附圖。然而所附圖式僅 供參考與說明用，並非用來對本發明加以限制者。 【實施方式】 如則所述，在化學氣相沈積製程中，沈積氣體分子除了會在晶 圓的表面沈積以外’部分的沈魏體分子亦會擴散至反應器的内 壁(通¥為銘質内壁），並與其接觸或反織，沈積附著在反應器的 内壁上，形成厚度逐漸累積的沈積殘留物。而當此沈積殘留物的 ^度累積至某個程度時，即很有可能自反應器的_祕或者掉 落在處理巾u表面，造成顆粒缺陷或者影響到薄膜沈積品 與均勻度。 此外’這種反應器内壁上的沈積殘留物也有可能會影響到复它 重要的製程控_子，例如，_沈積鱗或韻觀度等等， 而必須加以重視。 為了清除這些反應器内壁上的沈積殘留物，通常是採赛^) 、、、一 1301290 (fluorine)或者三氟化氮(nitrogen tri-fluoride，NF3)氣體等含氟的蝕 刻性氣體，並在電漿條件下進行反應器内壁的清潔。蝕刻性清潔 氣體通常是週期性的在反應器處理過一定數量的晶圓後(或者在生 產完每一片晶圓後)才會使用。清潔過程中，這類在電漿加強及辅 助下的蝕刻性清潔氣體會與反應器内壁上的沈積殘留物發生反 應’產生氣態的反應產物，再由真空泵浦抽出，達到潔淨的效果。 然而’申请人發現習知技藝之清潔方法往往無法均勻的去除所 有附者在反應内部的沈積殘留物。申請人發現，如二氧化碎等 沈積殘留物通常會殘留在化學氣相沈積反應器的圓頂罩((1〇1116)的 較低位置的内壁上，而無法清潔乾淨，而為了完全將這些殘留在 圓頂罩較低位置内壁上的沈積殘留物清潔乾淨或完全去除，就需 拉長清潔反應時間，結果卻造成圓頂罩較頂部位置的内壁被過度 蝕刻或者過度清潔，導致圓頂罩内壁的黑化圖紋(darkrings)。 這些黑化圖紋是由三氟化銘(·3)所構成的，其主要是清潔電 漿氣體(㈣與裸露出來的圓頂罩内壁(MO3)反應產生。這些形成 在圓頂罩内壁的黑化圖紋在後續的化學氣相沈積製程中亦可能是 潛在的顆粒污染來源。 鑑於此，本發明提供—觀改㈣化學氣相沈積反應器清潔系 統’同時提供-種反應n畴的清潔方法，可以—併解決上述先 前技術的問題以及缺點。 1301290 本發明特別是針對可能產生在

述的黑化圖紋現象。 二氧化__殘留敏圓鮮内妓全去除， 声的，將 ，而不致於引起上 月 > 閱第1 SJ以及第2圖’其巾第丨圖是根據本發明較佳實施 丨所、、曰示的间讀電漿化學氣相沈積(high_de_ pl_a ehemieal vapor^deposit^ HDPCVD)^ - t (dep〇sition chamber)^#] 視不思圖’第2圖繪示的;^第丨圖沈積室内的氣體管線組態的上 視示意圖。 如第1圖所示，高密度電漿化學氣相沈積機台10大致上包含 有一機台底座12以及一半球型的圓頂罩2〇，其中圓頂罩2〇可以 是由石英或者陶瓷材料所構成，例如，三氧化二鋁(A1203)等材料。 在圓頂罩20的外圍則纏繞有感應線圈(inductioncoils)22 ,用來提 供足夠點燃電漿並在沈積室内維持該電漿所需的RF功率。此外， 感應線圈内亦可以導入冷卻水，而能夠使沈積室迅速冷卻。 如前所述，當圓頂罩20的内壁被過度蝕刻或者過度清潔時， 如NF3等清潔氣體所產生的電漿就會與暴露出來的圓頂罩20内壁 發生反應，進而產生A1F3等污染物質，並引起前述的黑化圖紋現 1301290 機台底座12包含有一晶圓承座14，用來放置一待處理晶圓， 以及一保護環16，靠近並圍繞在晶圓承座14的周圍。晶圓承座 14通常是由陶瓷材料或者經過陽極處理的铭金屬(an〇dized aluminum)所構成，但不限於此。此外，在機台底座12設有一 〇 型橡圈(O-ring) 18，可以使當圓頂罩2〇蓋在機台底座12上時，形 成一氣密狀態的反應室，以方便進行化學氣相沈積製程。 機台底座12另外連接至一氣體供應系統3〇，用來從其氣體供 應端34、35及36提供化學氣相沈積製程所需使用到的反應氣體， 例如矽甲烷(silane，SiH4)及氧氣，或者清潔氣體，例如见^，使這 些氣體分別經由進氣導管110、112、114及116輸送至沈積室中。 如第1圖所示，各氣體供應端34、35及36可與一歧管及控制單 元(manifold and control imit)32相連接，藉此控制輸入沈積室中的 氣體麵錢麵氣體狀沈魅驗過晚轉管雜。為簡 化說明，圖中並未特別繪示出實際的控制管件及其位置，例如控 制閥或者流量控制器等等。 歧管及控财元32糾連接至—遠端電雜應設備(r_te 咖遍驗叫哪抑，用來在進行反應器内部清潔時提供活性氟 自由基給沈積室’朗樣可㈣歧管及控辦元32選擇遠端 電漿注入沈積室所經過的進氣導管路徑。根據本發明，遠端電喂 供應設備4〇係將恥氣體供應端％提供的崦氣體在一外^ 應器内游離成活性氟自由基等活性物種。 1301290 其中，退端電漿供應轶備4〇可以是任何能夠產生電漿之已知 口又備例如但不限於微波放電電漿源㈣⑽w_此血职 source)、感應耦合電漿源(inductively c〇叩led咖脱 P早放電電裝源(silent barriei· diseharge plasma source)或者電容麵合 電漿源(capacitively coupled plasma source)等。 另外’為了能夠在沈積過程中控制並維持反應器内的壓力，並 且將反應器内的氣體抽出，機台底座12可連接至一真空泵浦50。 在晶圓進行沈積處理過程中，舉例來說，當晶圓進行HDpcvD 一氧化矽薄膜的沈積時，半導體晶圓（圖未示)係先被放置在晶圓承 座14上，然後，經控制流量的矽曱塢氣體經由氣體供應端34被 輸送至沈積室中，其路徑係同時經由進氣導管11〇及進氣導管112 >主入沈積室中。另一種反應氣體，氧氣，則是由氣體供應端35經 過進氣導管114注入沈積室中。 如第1圖以及第2圖中所示，在每兩支長度較長的進氣導管11〇 之間’安排有複數支長度較短的進氣導管112及進氣導管114，例 如，五支進氣導管112及進氣導管114在兩支長度較長的進氣導 管110之間。 其中，長度較短的進氣導管112及進氣導管114(以下亦簡稱為 「側管」）係朝一預定方向及角度傾斜且平均地配置在沈積室的周 1301290 ，错此將反應氣體從側邊方向朝沈積室种央位置噴出。長卢 較長的進氣導管_下亦_為「頂管」），縣要是將氣體ς 达至沈積㈣較高處，例如較靠賴鮮Μ卿的地方。 如熟習該項技藝者所知，薄膜的沈積過程中，另需提供足夠的 RF功率至靠近晶_座14的位置，並且控制晶圓表面上的電聚 中的離子能量。在沈積縣後’ HDPCVD二氧化侧時會沈積在 晶圓表面上以及沈積在反應器的内部，包括圓頂罩2()的内壁。此 外’HDPCVD二氧化矽亦會沈積在其它位置，特別是進氣導管ιΐ2 及114的喷嘴處，而此處的沈積殘留物更是難以利用傳統的清潔 程序清除乾淨。 當HDPCVD二氧化石夕薄膜沈積處理程序完成後，接著，半導 體晶圓會從晶圓承座14上移開，然後，即可進行沈積室的清潔程 序，其週期可以是在處理過一定數量的晶圓後，或者在生產完每 一片晶圓後，在線上現場進行。 本發明所提供的清潔程序乃是兩階段清潔程序，其中，第一階 段是以反應速率較快的nf3氣體電漿清洗為主，此階段清洗過程 中，nf3氣體電漿係直接產生在反應器内，又可將此階段稱為「亮 模式(bright mode)」。第二階段則是關掉提供給該反應器的RF功 率，而是另導入反應較溫和的遠端電漿進行剩下的沈積殘留物的 最後清除步驟，由於反應器内並無電漿放電發光，通常以自由基 1301290 型態之物種為主，又可將此階段稱為「暗模式(献mQde)」。由此 可知’本發明之特徵乃是以「亮才莫式」1主，輔以第二階段的「暗 模式」之兩階段清潔程序。 、 根縣發狀較佳實細，在半導體晶®完賴獻積並且移 出反應器之後，隨即將沈積室的殘留反應氣體(flu〇rin_ntaining Φ gas)利用真空果浦50抽除。接著，從氣體供應端36將含氟清潔氣 體，例如’氣體，導入反應室中，並藉由歧管及控制單元32的 控制’使該含氣清潔氣體健是經由頂管11G以及^^導管116(以 下亦稱為「清潔管」），注入反應室中，如第3圖所示。然後，利 用真空泵浦50，使系統維持在適當的壓力下。 根據本發明之另-較佳實補，在半導體晶圓完膜沈積並 且移出反應器之後，隨即將沈積室的殘留反應氣體利用真空泵浦 Φ 50才由除。接著，從氣體供應端36將含氟清潔氣體，例如鹏氣體， '導入反應室中，並藉由歧管及控制單元32的控制，使含氟清潔氣 體同時經由頂管110、清潔管116以及經由側管112或114，注入 反應室中，然後，利用真空泵浦50，使系統維持在適當的壓力下。 由於清潔氣體同時經由側管Π2或114注入，因此，可以提供更 均勻的氣體分佈狀態，進而改善清潔的均勻度，也可以避免圓頂 罩20頂部的過度蝕刻以及圓頂罩2〇下部侧壁的蝕刻不足現象。 1 接著’提供足夠的处功率使通入反應室内的清潔氣體產生電 l3〇129〇 漿，並且使NR氣體分子在高密度電漿環境中解離成具有活性的 鼠自由基以及氣化鼠自由基等。這些在氣體電漿中存在的再有古 度活性的游離物質會轟擊形成在圓頂罩20的内壁上的沈積殘留 物，並且與其反應，猎此方式咼效率地去除這些沈積殘留物，並 快速清潔反應器的内部。根據本發明之較佳實施例，在第一階段 時’沈積室内的溫度需控制在100°C以上，或者在2〇〇°c以上更佳。 根據本發明之較佳實施例，本發明第一階段的「亮模式」係在 相對較高的壓力下進行，例如，3_15托耳，較佳為㈣托^。在 前述的較賴力的清潔條件下，清舰度可雜快，制適合針 對圓頂罩20的頂部、晶圓承座14以及保護環16作高效率的清潔。 然而，本發明第-階段的「亮模式」亦可以在相對較低的壓力; 進仃，例如，0.1-3乾耳，較佳為小於2托耳。在前述的較低壓力 的清潔條件下，清潔速度雖餘雜慢，但是卻較均勻，特別適 _合針對圓頂罩20的下部側壁以及側管112及114作完整且有效的 清潔。 ^匕外，根據本發明之另一較佳實施例，本發明第-階段的「亮 Μ式」亦可以在一低壓兩種不關力棚下切換進行。也就是說， 本發明第-階段的「亮模式」，其現場NF3電漿清洗—開始可以是 在相對較同的壓力下進行一預定時間，然後，才轉換至較低的壓 - 力下完成，反之亦然。 1301290 根據本發明之較佳實施例，第—階段的「亮模式」，其現場nf3 電漿清洗的時間共持續約10-300秒左右，但木限於此，其實際清 潔時間需視沈積殘留物的厚度而定。 請參閱第4圖，其繪示的是本發明第—階段的「亮模式」完成 後仁在進行第二階段「暗模式」之前，殘存在圓頂罩内壁上 的沈積殘留物的輪廓剖面示意圖。在第4圖令，在進行清潔程序 月J原來的一氧化矽膜的厚度以虛線及標號6〇表示其位置及輪 廓。在完成本發明第一階段的「亮模式」後，殘存在靠近圓頂罩 20頂部的二氧化頻62的厚度通常會較在圓頂} 下部的二氧 化石夕膜64的厚度要薄—些。根據本發明，第—階段的「亮模式」 需在圓頂罩20頂部的表面被暴露出來之前即停止，也就是在圓頂 罩20頂部的表面剩下一些二氧化石夕厚度時，形成類似第4圖中的 «]面輪麵’將RP功率麟，並同時停止供應呢清潔氣體。 接下來，開始進行本發明第二階段的「暗模式」，其特徵在不 需要另外將沈積室内的殘餘氣體抽出或者破真空的狀態下直接 將遠端電t供應設備40所產生的含有活性氟自由基的遠端電聚氣 體經由歧管及控制單元32的快速切換而導入沈積室中。其中，遠 ，電漿氣體可以經由側管112或114注入沈積室中，或者經由頂 官⑽及清潔管m注入。根據本發明之較佳實施例，為求最佳 ^清潔效率以及均勻度，並且避免黑化圖紋的產生，建議經由側 官112或114將遠端電漿氣體注入沈積室中。 1301290 在第二階段尹，遠端電漿供應設備40所產生的含有活性氣自 由基的遠端電漿氣體可將在第一階段_尚未去除的剩餘二氧化砍 薄膜自反應器的内部做徹底的清除。由於並未提供RF功率，因 此，第上階段的清潔速率較為和緩(反應器内不會有離子轟擊產 生），但是，也因此可以較均勻的清潔反應器的内部。 ， 此外，由於在第一階段清潔過程中，圓頂罩20的溫度已經被 •提高至_-删。(：左右，因此，在第二階段中，遠端電装供應設備 40所產生的含有活性氟自由基的遠端電漿氣體的清潔也可以很有 效率’可以録的將第-階段中尚未去除_餘二氧财薄膜自 反應器的内部徹底的清除，而不會與暴露出來的圓頂罩2〇内壁發 生劇烈的反應。 根據本發明，本發明第二階段的「暗模式」.同樣可在相對較高 • ^力下進行’例如’ 3·15托耳，較佳為5·Η)托耳。在前述的較 同壓力的錄件下’清潔速度可以較快，特別適合針對圓頂罩 的頂部、晶圓祕14以及保護環16作高效率的清潔。 本發明的「暗模式」亦可以在相對較低的壓力下進行，例如， 〇=托耳，較佳為小於2托耳。在麵的較據力的清絲件下， 月絮速度雖然相對較，但是卻較均勻，特別適合針對圓頂罩 .的下部側壁以及侧管U2及114作完整且有效的清潔。 1301290 本發明的「暗模式」亦可以在高/低麈兩種不同壓力範圍下切換 進行。也就是說，一開始可以是在相對較高的壓力下進行一預定 時間，然後，才轉換至較低的壓力下完成，反之亦然。 以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍 所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。 【圖式簡單說明】 沈積機台的沈積室之側視示意圖。 第1圖是根據本發明較佳實施例所繪示的高密度錄化學氣相 第2圖_的是第！圖沈__氣辭線組躺上視示意圖。 意圖。 第3圖繪神是本發日脑置在沈積如部的進轉管的上視示 意圖’顯示的是當進行反應器内都沾、

【主要元件符號說明】 12機台底座 16保護環 U感應線圈 32歧管及控制單 1〇高密度電漿化學氣相沈積機台 14 晶圓承座 18 〇型橡圈 20 圓頂罩 30 氣體供應系統 f 1301290 34 氣體供應端 36 氣體供應端 50 真空泵浦 62 二氧化矽膜 110進氣導管 ^ 112進氣導管 116進氣導管 35氣體供應端 40遠端電漿供應設備 60二氧化矽膜 64二氧化矽膜 114進氣導管 20

Claims (1)

1. ^301290 Φ 年^月 十、申請專利範圍： ~一一一—一一 L 一種沈積設備的清潔方法，包含有： 將一含氟的清潔氣體導入該沈積設備中，其中該沈積設備包含 有一圓頂罩，其表面附著沉積殘留物； 使該含氟的清潔氣體在該沈積設備中維持在一第一壓力狀態 ，下； " 提供一 RF功率’以點燃該沈積設備中的該含氟的清潔氣體， _產生—電聚氣體； 形成該電漿氣體後，使該電漿氣體在該沈積設備中維持一預定 寸間，並達到一第一溫度，進行該沈積設備的第一階段的内部清 潔； 在該圓頂罩頂部的表面被暴露出來之前，關掉該RF功率，以 停止產生該電漿氣體；以及 將一含有氟自由基的遠端電漿氣體，自一遠端電漿供應設備， • 導入處於該第一溫度下的該沈積設備中，進行第二階段的内部清 潔。 ’ 2·如申請專利範圍第1項所述之一種沈積設備的清潔方法，其中 该含氟的清潔氣體包含有三氟化氮(nf3)。 3·如申凊專利範圍第1項所述之一種沈積設備的清潔方法，其中 該第一壓力狀態介於3-15托耳之間。 1301290 4.如申請專利範圍第1項所述之一種沈積設備的清潔方法，其中 該第一壓力狀態介於0.1-15托耳之間。 5·如申請專利範圍第1項所述之一種沈積設備的清潔方法，其中 在使該含氟的清潔氣體在該沈積設備中維持在該第一壓力狀態之 後’該清潔方法另包含以下步驟： 將該沈積設備中的壓力改變至一第二壓力狀態，且該第二壓力 狀態不等於該第一壓力狀態。 6.如申請專利範圍第1項所述之一種沈積設備的清潔方法，其中 該第一溫度大於l〇〇°C。 7· —種清潔化學氣相沈積機台的方法，該化學氣相沈積機台包含 有一機台底座，其又至少包含有一晶圓承座以及一保護環、一圓 頂罩安裝在該機台底座上，以形成一沈積室，其中該圓頂罩之表 面附著沉積殘留物，該沈積室周圍設置有複數支第一進氣導管， 將氣體由側邊方向通入該沈積室，以及複數支第二進氣導管，指 向該圓頂罩頂部，該方法包含有： 將一含氟的清潔氣體經由該第一進氣導管以及該第二進氣導 管導入該沈積室中； 使該含氟的清潔氣體在該沈積室中維持在一第一壓力狀態下； 提供一 RF功率，以點燃該沈積室中的該含氟的清潔氣體，產 生一電漿氣體； 22 ,1301290 形成該電漿氣體後，使該電漿氣體在該沈積室中維持一預定時 間，並達到一第一溫度，進行該沈積設備的第一階段的内部清潔； 在该圓頂罩頂部的表面被暴露出來之前，關掉該RP功率，以 停止產生該電漿氣體；以及 在未將沈積室抽真空的情況下，直接該將一含有氟自由基的遠 、 鳊電漿氣體，自一遠端電漿供應設備，經由該第一進氣導管導入 鲁4於該㈣了㈣紐，辦：嶋内部^ δ·如申請專利範圍第7項所述之一種清潔化學氣相沈積機台的方 去’其中該含氟的清潔氣體包含有三氟化氮(nf3)。 9·如申請專利範圍第7項所述之一種清潔化學氣相沈積機台的方 法，其中該第一壓力狀態介於3-15托耳之間。 • 1〇·如申請專利範圍第7項所述之一種清潔化學氣相沈積機台的方 法，其中該第一壓力狀態介於0.1-15托耳之間。 U·如申請專利範圍第7項所述之一種清潔化學氣相沈積機台的方 去’其中在使該含氟的清潔氣體在該沈積室中維持在該第一壓力 狀態之後，該方法另包含以下步驟： 將該沈積室中的壓力改變至一第二壓力狀態，且該第二壓力狀 態不等於該第一壓力狀態。 23 ;J301290 12. 如申請專利範圍第7項所述之一種清潔化學氣相沈積機台的方 法，其中該第一溫度大於W〇°C。 13. 如申請專利範圍第7項所述之一種清潔化學氣相沈積機台的方 法，其中該圓頂罩係由石英或者陶瓷材料所構成。

   十一、圖式：

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