TWI399731B

TWI399731B - 光電裝置、驅動電路及電子機器

Info

Publication number: TWI399731B
Application number: TW097125751A
Authority: TW
Inventors: Katsunori Yamazaki
Original assignee: Japan Display West Inc
Priority date: 2007-07-10
Filing date: 2008-07-08
Publication date: 2013-06-21
Also published as: TW200919435A; US8081178B2; KR100949634B1; US20090015570A1; KR20090005966A

Description

光電裝置、驅動電路及電子機器

本發明係關於抑制液晶等之光電裝置之顯示不均的技術者。

液晶等之光電裝置中，對應於掃描線與資料線之交叉，雖設置有畫素電容(液晶電容)，但在交流驅動此畫素電容之時，為抑制資料線之電壓振幅，使共通電極個別化於每一掃描線(每一行)的同時，在掃描線施加選擇電壓之時，使對應於該掃描線之共通電極，在於對應於寫入極性之電壓之供電線，藉由電晶體加以連接之技術(參照專利文獻1)。

[專利文獻1]日本特開2005－300948號公報

但是，此技術中，在掃描線未施加選擇電壓之非選擇期間，上述電晶體為關閉之故，共通電極乃成為電性未連接之電壓不確定狀態(高阻抗狀態)。為此，共通電極乃藉由寄生電容，感受到資料線之電壓變化，或雜訊之影響之故，易於產生電壓變動。共通電極產生電壓變動時，其影響會顯現於每一行之故，在橫方向產生斑紋狀之顯示不均，表示品質會有明顯下降之問題。

本發明乃有鑑於如此情事者，該目的之一乃提供在於個別驅動共通電極之構成中，可抑制顯示不均之產生的光電裝置、驅動電路及電子機器。

為達成上述目的，關於本發明之光電裝置之驅動電路乃具有：複數之掃描線、和複數之資料線、和設於各個前述複數之掃描線之複數之共通電極、和對應於前述掃描線和前述資料線之交叉而設置，各別為包含一端連接於前述資料線的同時，於前述掃描線施加選擇電壓時，成為導通狀態之畫素開關元件、和一端連接於前述畫素開關元件之另一端的同時，另一端連接於前述共通電極之畫素電容、成為對應於該畫素電容之保持電壓之色階的畫素、的光電裝置之驅動電路，其特徵乃具備：於前述複數之掃描線，以特定之順序，施加前述選擇電壓之掃描線驅動電路、和各別驅動前述複數之共通電極的共通電極驅動電路、和對於對應施加前述選擇電壓之掃描線之畫素，將對應於該畫素之色階之電壓的資料信號，藉由資料線加以供給之資料線驅動電路；前述共通電極驅動電路乃具有：對應於保持於閘極電極之電壓，設定開啟或關閉狀態的同時，設定於前述開啟狀態時，使低位側或高位側之任一電壓，施加於該共通電極的開關電路、和於與前述共通電極成對之掃描線，施加前述選擇電壓時，於前述開關電路之閘極電極，施加設定使前述開關電路呈開啟狀態之開啟電壓的第1施加電路、和在前述掃描線未施加選擇電壓之期間，有藉由特定之控制線之指示時，於前述開關電路之閘極電極，施加前述開啟電壓之第2施加電路。根據本發明之時，即使在於對於掃描線之選擇電壓之施加終止之後，開關電路使共通電極成為電壓確定狀態之故，可防止共通電極電位之變動。

本發明中，前述第1施加電路乃具有第1及第2電晶體，前述開關電路乃具有第3及第4電晶體，前述第2施加電路乃具有第5及第6電晶體，前述第1電晶體之閘極電極則連接於前述掃描線，源極電極則連接於供電使前述第3電晶體成為開啟或關閉狀態之一方的電壓之第1供電線，前述第2電晶體之閘極電極則連接於前述掃描線，源極電極則連接於供電使前述第4電晶體成為開啟或關閉狀態之另一方的電壓之第2供電線，前述第3電晶體之閘極電極則連接於前述第1電晶體之汲極電極，源極電極則連接於供電低位側或高位側之一方的電壓之第3供電線，前述第4電晶體之閘極電極則連接於前述第2電晶體之汲極電極，源極電極則連接於供電低位側或高位側之另一方的電壓之第4供電線，前述第3及第4電晶體之汲極電極之彼此，連接於前述共通電極，前述第5電晶體之閘極電極則連接於前述控制線，源極電極則連接於前述第1或第2供電線之一方，汲極電極則連接於前述第3電晶體之閘極電極，前述第6電晶體之閘極電極則連接於前述控制線，源極電極則連接於前述第1或第2供電線之另一方，汲極電極則連接於前述第4電晶體之閘極電極之構成亦可。根據此構成時，可將共通電極驅動電路之構成元件，與畫素開關元件同樣地加以形成。

在此，前述共通電極驅動電路乃於各個前述掃描線及共通電極，前述第5電晶體之源極電極則連接於前述第1供電線，前述第6電晶體之源極電極則連接於前述第2供電線之構成亦可。

更且，具有：使用所有畫素，進行有效顯示之第1模式、和僅使用對應於一部分之掃描線之畫素，進行有效顯示之第2模式；前述第1模式中，前述掃描線驅動電路乃對於前述複數之掃描線而言，將順序施加前述選擇電壓之動作，以特定周期加以執行，於前述第1供電線中，使前述第3電晶體成為開啟及關閉狀態之電壓，於前述掃描線每當施加選擇電壓時，加以反轉供給，於前述第3供電線中，前述低位側或高位側之一方之電壓在至少一圖框以上之期間加以供給，於前述控制線中，供給使第5及第6電晶體成為關閉狀態之電壓，前述第2模式中，前述掃描線驅動電路乃將對於前述複數之掃描線而言，順序施加前述選擇電壓之第1動作，和對於前述一部分之掃描線而言，順序施加前述選擇電壓之第2動作，以較前述特定之周期為長之周期，交互重覆，於前述第1供電線中，在前述第1動作時，施加令前述第3電晶體成為開啟狀態之電壓或成為關閉狀態之電壓之一方，於前述第2動作時，令前述第3電晶體成為開啟狀態之電壓或成為關閉狀態之電壓之另一方，於前述一部分之掃描線，在施加選擇電壓時，加以施加，於前述第3供電線中，前述低位側或高位側之一方之電壓在至少一圖框以上之期間加以供給，於前述控制線中，在從前述第1動作之終止至前述第2動作之開始之期間之一部分或全部，供給使前述第5及第6電晶體成為開啟狀態之電壓，除此以外之期間，供給使前述第5及第6電晶體成為關閉狀態之電壓之構成為佳。根據此構成時，於第1模式，對於畫素之一列加以矚目之時，於每一行，反轉寫入極性之故，於顯示品質之提升上，為較佳者。然而，於本發明中，奇數、偶數不過是特定交互排列之行之相對概念而已。

又，前述共通電極驅動電路乃前述掃描線及共通電極中，第奇數行之第5電晶體之源極電極則連接於前述第2供電線，第奇數行之第6電晶體之源極電極則連接於前述第1供電線，第偶數行之第5電晶體之源極電極則連接於前述第1供電線，第偶數行之第6電晶體之源極電極則連接於前述第2供電線之構成亦可。

更且，具有：使用所有畫素，進行有效顯示之第1模式、和僅使用對應於一部分之掃描線之畫素，進行有效顯示之第2模式；前述第1模式中，前述掃描線驅動電路乃對於前述複數之掃描線而言，將順序施加前述選擇電壓之動作，以特定周期加以執行，於前述第1供電線中，使前述第3電晶體成為開啟及關閉狀態之電壓，於前述掃描線每當施加選擇電壓時，加以反轉供給，於前述第3供電線中，前述低位側或高位側之一方之電壓在至少一圖框以上之期間加以供給，於前述控制線中，供給使第5及第6電晶體成為關閉狀態之電壓，前述第2模式中，前述掃描線驅動電路乃將對於前述複數之掃描線而言，順序施加前述選擇電壓之第1動作，和對於前述一部分之掃描線而言，順序施加前述選擇電壓之第2動作，以較前述特定之周期為長之周期，交互重覆，前述第1供電線中，於前述第1及第2動作時，使前述第3電晶體成為開啟及關閉狀態之電壓，於前述掃描線每當施加選擇電壓時，加以反轉供給，於前述第3供電線中，前述低位側或高位側之一方之電壓在至少一圖框以上之期間加以供給，於前述控制線中，在從前述第1動作之終止至前述第2動作之開始之期間之一部分或全部，供給使前述第5及第6電晶體成為開啟狀態之電壓，除此以外之期間，供給使前述第5及第6電晶體成為關閉狀態之電壓之構成為佳。根據此構成時，於第2模式，對於進行有效顯示之畫素之一列加以矚目之時，與第1模式同樣，於每一行，反轉寫入極性之故，於顯示品質之提升上，為較佳者。

為達成上述目的，關於本發明之光電裝置之驅動電路，具有：複數之掃描線、和複數之資料線、和設於各個前述複數之掃描線之複數之共通電極、和對應於前述掃描線和前述資料線之交叉而設置，各別為包含一端連接於前述資料線的同時，於前述掃描線施加選擇電壓時，成為導通狀態之畫素開關元件、和一端連接於前述畫素開關元件之另一端的同時，另一端連接於前述共通電極之畫素電容、成為對應於該畫素電容之保持電壓之色階的畫素的光電裝置之驅動電路，其特徵乃具備：於前述複數之掃描線，以特定之順序，施加前述選擇電壓之掃描線驅動電路、和各別驅動前述複數之共通電極的共通電極驅動電路、和對於對應施加前述選擇電壓之掃描線之畫素，將對應於該畫素之色階之電壓的資料信號，藉由資料線加以供給之資料線驅動電路；前述共通電極驅動電路乃於每一前述共通電極，具有：對應於保持於閘極電極之電壓，設定開啟或關閉狀態的同時，設定於前述開啟狀態時，使低位側或高位側之任一電壓，施加於該共通電極的開關電路、和於與前述共通電極成對之掃描線，施加前述選擇電壓時，於前述開關電路之閘極電極，施加設定使前述開關電路呈開啟狀態之開啟電壓的第1施加電路、和在對前述掃描線之選擇電壓之施加終止後，有藉由特定之控制線之指示時，對於各個前述共通電路，再度施加前述低位側或高位側之任一之電壓之第2施加電路。根據本發明之時，即使在於對於掃描線之選擇電壓之施加終止之後，開關電路使共通電極成為電壓確定狀態之故，可防止共通電極電位之變動。

本發明中，前述第1施加電路乃具有第1及第2電晶體，前述開關電路乃具有第3及第4電晶體，前述第2施加電路乃具有第5電晶體，於前述第1電晶體中，閘極電極則連接於前述掃描線，源極電極則連接於供電使前述第 3電晶體成為開啟或關閉狀態之一方的電壓之第1供電線，於前述第2電晶體中，閘極電極則連接於前述掃描線，源極電極則連接於供電使前述第4電晶體成為開啟或關閉狀態之另一方的電壓之第2供電線，前述第3電晶體中，閘極電極則連接於前述第1電晶體之汲極電極，源極電極則連接於供電低位側或高位側之一方的電壓之第3供電線，前述第4電晶體中，閘極電極則連接於前述第2電晶體之汲極電極，源極電極則連接於供電低位側或高位側之另一方的電壓之第4供電線，前述第3及第4電晶體之汲極電極之彼此，連接於前述共通電極，前述第5電晶體中，閘極電極則連接於前述控制線，源極電極則連接於供電低位側或高位側之任一之電壓的信號線，汲極電極則連接於前述共通電極之構成亦可。

根據此構成時，可將共通電極驅動電路之構成元件，與畫素開關元件同樣地加以形成。

在此，於上述構成中，其中，前述第5電晶體之源極電極乃於前述掃描線及前述共通電極之各行，連接於共通之信號線亦可。更且，具有：使用所有畫素，進行有效顯示之第1模式、和僅使用對應於一部分之掃描線之畫素，進行有效顯示之第2模式；前述第1模式中，前述掃描線驅動電路乃對於前述複數之掃描線而言，將順序施加前述選擇電壓之動作，以特定周期加以執行，於前述第1供電線中，使前述第3電晶體成為開啟及關閉狀態之電壓，於前述掃描線每當施加選擇電壓時，加以反轉供給，於前述第3供電線中，前述低位側或高位側之一方之電壓在至少一圖框以上之期間加以供給，於前述控制線中，供給使第5電晶體成為關閉狀態之電壓，前述第2模式中，前述掃描線驅動電路乃將對於前述複數之掃描線而言，順序施加前述選擇電壓之第1動作，和對於前述一部分之掃描線而言，順序施加前述選擇電壓之第2動作，以較前述特定之周期為長之周期，交互重覆，於前述第1供電線中，在前述第1動作時，施加令前述第3電晶體成為開啟狀態之電壓或成為關閉狀態之電壓之一方，於前述第2動作時，令前述第3電晶體成為開啟狀態之電壓或成為關閉狀態之電壓之另一方，於前述一部分之掃描線，在施加選擇電壓時，加以施加，於前述第3供電線中，前述低位側或高位側之一方之電壓在至少一圖框以上之期間加以供給，於前述控制線中，在從前述第1動作之終止至前述第2動作之開始之期間之一部分或全部，供給使前述第5電晶體成為開啟狀態之電壓，除此以外之期間，供給使前述第5電晶體成為關閉狀態之電壓之構成為佳。根據此構成時，於第1模式，對於畫素之一列加以矚目之時，於每一行，反轉寫入極性之故，可提升顯示品質。然而，於本發明中，奇數、偶數不過是特定交互排列之行之相對概念而已。

又，前述掃描線及共通電極中，奇數行之第5電晶體之源極電極乃連接於供電低位側或高位側之一方之電壓的第1信號線，偶數行之第5電晶體之源極電極乃連接於供電低位側或高位側之另一方之電壓的第2信號線亦可。更且，具有：使用所有畫素，進行有效顯示之第1模式、和僅使用對應於一部分之掃描線之畫素，進行有效顯示之第2模式；前述第1模式中，前述掃描線驅動電路乃對於前述複數之掃描線而言，將順序施加前述選擇電壓之動作，以特定周期加以執行，於前述第1供電線中，使前述第3電晶體成為開啟及關閉狀態之電壓，於前述掃描線每當施加選擇電壓時，加以反轉供給，於前述第3供電線中，前述低位側或高位側之一方之電壓在至少一圖框以上之期間加以供給，於前述控制線中，供給使第5電晶體成為關閉狀態之電壓，前述第2模式中，前述掃描線驅動電路乃將對於前述複數之掃描線而言，順序施加前述選擇電壓之第1動作，和對於前述一部分之掃描線而言，順序施加前述選擇電壓之第2動作，以較前述特定之周期為長之周期，交互重覆，於前述第1供電線，於前述第1及第2動作時，使前述第3電晶體成為開啟及關閉狀態之電壓，於前述掃描線每當施加選擇電壓時，加以反轉供給，於前述第3供電線中，前述低位側或高位側之一方之電壓在至少一圖框以上之期間加以供給，於前述控制線中，在從前述第1動作之終止至前述第2動作之開始之期間之一部分或全部，供給使前述第5電晶體成為開啟狀態之電壓，除此以外之期間，供給使前述第5電晶體成為關閉狀態之電壓之構成為佳。根據此構成時，於第2模式，對於進行有效顯示之畫素之一列加以矚目之時，與第1模式同樣，於每一行，反轉寫入極性之故，可更提升顯示品質。

然而，本發明不僅於光電裝置之驅動電路，亦可有做為光電裝置之概念。然而，本發明不僅於光電裝置，亦可有做為具有該光電裝置之電子機器之概念。

以下，對於本發明之實施形態，參照圖面加以說明。

[第1實施例形態]

首先，對於本發明之第1實施形態加以說明。圖1乃顯示關於本發明之第1實施形態之光電裝置之構成的方塊圖。

如此圖所示，光電裝置10乃具有顯示領域100，於此顯示領域100之周邊，成為配置掃描線驅動電路140、共通電極驅動電路170、資料線驅動電路190之周邊電路內藏型之面板構成。又，控制電路20乃與上述周邊電路內藏型之面板，則經由FPC(可撓性印刷電路)基板加以連接。

顯示範圍100乃排列畫素110之範圍，本實施形態中，各別設置呈從第1行至第320行之掃描線112延伸存在於行(X)方向，或240列之資料線114延伸存在於列(Y)方向。然後，對應於此等之第1~320之掃描線112與第1~240列之資料線114之交叉，各排列有畫素110。因此，本實施形態中，於顯示範圍100，畫素110則以縱320行×橫240列之矩陣狀加以排列，但本發明非僅限定於此排列。

又，本實施形態中，對於各個第1~320行之掃描線112，各別之共通電極108則延伸存在於X方向而設置。為此，對於共通電極108而言，對應於第1~320行之各掃描線112而各別加以設置。

接著，對於畫素110之詳細構成加以說明。圖2乃顯示畫素110之構成圖，顯示對應於i行及在此下方向鄰接之(i＋1)行、和j列及在此右方向鄰接之(j＋1)列之交叉之2×2之共計4畫素分之構成。

然而，i、(i＋1)乃令畫素110排列之行，顯示一般之情形之記號者，i乃1、3、5、…、319之任一奇數，(i＋1)乃連續在i之偶數，為2、4、6、…、320之任一者。然而，j、(j＋1)乃令畫素110排列之列，顯示一般之情形之記號者，i乃1、3、5、、…、239之任一奇數，(j＋1)乃連續在j之偶數，為2、4、6、、…、240之任一者。

如圖2所示，各畫素110乃具有做為畫素開關元件工作之n通道型之薄膜電晶體(thin film transistor：以下稱「TFT」)116、和液晶電容(畫素電容)120、和蓄積電容130。對於各畫素110而言，本實施形態中互為同一構成之故，以位於i行j列者為代表加以說明時，於該i行j列之畫素110中，TFT116之閘極電極乃在連接於第i行之掃描線112時，該源極電極乃連接於第j列之資料線114，該汲極電極乃各別連接於液晶電容120及蓄積電容 130之一端。又，液晶電容120之另一端及蓄積電容130之另一端則各連接於共通電極108。

然而，於圖2中，Yi、Y(i＋1)乃各別顯示供予第i、(i＋1)行之掃描線112之掃描信號，又，Ci、C(i＋1)乃各別顯示第i、(i＋1)行之共通電極108之電壓。對於此等之液晶電容120之光學特性等，則於後述。

將說明再回到圖1時，控制電路20乃輸出各種控制信號，進行光電裝置10之各部之控制等。然而，對於控制信號而言，適切於後加以記述。

又，此光電裝置10乃有使用縱320×橫240列排列之畫素110之所有而顯示畫像之全畫面模式(第1模式)、和上述排列中，使用對應於一部分之掃描線之畫素110，顯示有效畫像，對於其他之畫素成為關閉顯示而無效化之部分模式(第2模式)之二種動作。惟，如以下之說明，對於部分模式而言，乃做為例外加以處理，全畫面模式為基本原則加以說明。

顯示範圍100之周邊中，如上所述，設置掃描線驅動電路140、或共通電極驅動電路170、資料線驅動電路190等之周邊電路。

其中，掃描線驅動電路140乃在全畫面模式下，令掃描信號Y1、Y2、Y3、…、Y320，各別供給至第1、2、3、…、320行之掃描線112者。詳細而言，掃描線驅動電路140乃如圖4所示，在1圖框期間下，令掃描線112，一行一行地，在圖1中，由上數起，以1、2、 3、…、320行之順序選擇，將至選擇之掃描線的掃描信號，成為相當於高位準之選擇電壓Vdd、令除此之外的至選擇之掃描線的掃描信號，成為相當於低位準之非選擇電壓(接地電壓Gnd)。

在此，掃描線驅動電路140乃將例如自控制電路20供給之啟始脈衝Dy，經由根據時脈信號Cly順序偏移等，將掃描信號Y1、Y2、Y3、…、Y320，以此順序成為高位準。又，圖4中，至某掃描線之掃描信號，由高變化至低位準之時間，與至其次掃描線之掃描信號，由低變化至高位準之時間雖為相同，可令高位準之期間變狹，於此等時間置入間隔。

於本實施形態中，1圖框乃指全畫面模式中，顯示1張畫像所需要的時間，為16.7ms，如圖4所示，除了掃描信號Y1成為高位準之後，至掃描信號Y320成為Y位準之有效掃描期間Fa之外，包含其他之回歸期間。然而，部分模式之1圖框中，有如後述不顯示1張之畫像的情形之故，會有差別於16.7ms之期間的情形。

然而，不設回歸期間亦可。又，1行之掃描線112被選擇之期間為水平掃描期間(H)。

另一方面，掃描線驅動電路140乃部分模式之時，例如如後述圖7~圖9所示，全畫面模式之掃描信號Y1~Y320之波形中，於一部分之圖框中，對於全部或僅一部分而言，輸出成為高位準之掃描信號。

共通電極驅動電路170乃在本實施形態中，對應於第 1~320行之共通電極108而設之n通道型之TFT171~176之組合而構成者。

TFT171~TFT176之連接乃在本實施形態中，在各行之中為共通的，以第i行代表說明時，第i行之TFT171(第1電晶體)之閘極電極乃連接於第i行之掃描線112，該源極電極則連接於第1供電線161，該汲極電極則連接於TFT171之閘極電極。同樣第i行之TFT172(第2電晶體)之閘極電極乃連接於第i行之掃描線112，該源極電極則連接於第1供電線162，該汲極電極則連接於TFT171之閘極電極。

另一方面，第i行之TFT173(第3電晶體)之源極乃連接於第3供電線163，同第i行之TFT174(第4電晶體)之源極電極乃連接於第3供電線164，TFT173、174之汲極電極彼此則連接於第i行之共通電極108。

更且，第i行之TFT175(第5電晶體)之閘極電極乃連接於第5供電線165，該源極電極則連接於第1供電線161，該汲極電極則伴隨TFT171之汲極電極，連接於TFT173之閘極電極。同第i行之TFT176(第6電晶體)之閘極電極亦連接於第5供電線165，該源極電極則連接於第2供電線162，該汲極電極則伴隨TFT172之汲極電極，連接於TFT174之閘極電極。

資料線驅動電路190乃對於位於經由掃描線驅動電路150施加選擇電壓之掃描線112的畫素110而言，對應於畫素之色階之電壓，將對應於極性指定信號Pol所指定之寫入極性的電壓之資料信號，供予資料線114者。

資料線驅動電路190乃具有對應於縱320行×橫240列之畫素矩陣排列之記憶範圍(省略圖示)，各記憶範圍中，記憶有指定對應於各個之畫素110之色階(明亮度)之顯示資料Da。在此，資料線驅動電路190乃於某掃描線112，施加選擇電壓之前，將位於該掃描線112之畫素110之顯示資料Da，從記憶範圍讀出的同時，變換成該讀取顯示資料所指定之色階及對應於寫入極性之電壓，配合施加選擇電壓之時間，做為資料信號，供予資料線14。將此供給動作，使資料線驅動電路190，對於各別位在被選擇之掃描線112之1~240列加以執行。

然而，記憶於記憶範圍之顯示資料Da乃在顯示內容產生變化之時，從控制電路20伴隨位址，供給變更後之顯示資料Da，而加以改寫。又，資料線驅動電路190乃部分模式之時，如後述加以動作。

又，控制電路20乃在時脈信號Cly之邏輯位準被遷移之時間，令閂鎖脈衝Lp，供予資料線驅動電路190。在此，掃描線驅動電路140乃將例如自控制電路20供給之啟始脈衝Dy，經由根據時脈信號Cly順序偏移等，將掃描信號Y1、Y2、Y3、Y4、…、Y320，以此順序成為高位準。因此，資料線驅動電路190乃例如將閂鎖脈衝Lp，從1圖框之期間開始計數，可知選擇了第幾行之掃描線，更且經由閂鎖脈衝Lp之供給時間，可知該選擇開始之時間。

然而，掃描線驅動電路140乃即使為部分模式，對於上述開始脈衝Dy之偏移動作等會執行，僅對成為高位準之掃描信號一部分加以限制者。

極性指定信號Pol乃在本實施形態中，於全畫面模式下，為高位準時，對於施加選擇電壓之掃描線之畫素而言，指定正極性寫入，為低位準時，於該畫素，指定負極性寫入之信號，實際上為圖4所示之波形。詳細而言，如同圖所示，在某圖框(表述為「n圖框」)之期間，至第奇數(1、3、5、…、319)行之掃描線之掃描信號，施加選擇電壓之時，成為高位準，至第偶數(2、4、6、…、320)行之掃描線之掃描信號，施加選擇電壓之時，成為低位準。為此，於本實施形態中，成為全畫面模式時，對畫素之寫入極性在每一行反轉之行反轉之方式(亦稱線反轉，掃描線反轉)。

然而，極性指定信號Pol為全面模式之時，在下個圖框(表記為「(n＋1)」圖框)中，在同一行比較時，雖為邏輯反轉，如此反轉寫入極性之理由乃防止直流成分之施加所造成液晶之劣化者。

又，極性指定信號Pol乃部分模式之時，如後述圖7~圖9所示，在第1~第3圖框下成為低位準，第4圖框中，掃描信號成為高位準之期間，則成為高位準，在第7~第9圖框下成為高位準，第10圖框中，掃描信號成為高位準之期間，則成為低位準。

在此，對於本實施形態之寫入極性而言，在對於液晶電容120，保持對應於色階之電壓之時，令畫素電極118之電位較共通電極108之電位為高位側之時，稱之為正極，在低位側之時，稱為負極。對於電壓而言，在未特別加以說明下，接地電位Gnd相當於邏輯位準之低位準的同時，使成為電壓零之基準。

於第1供電線161及第2供電線162中，經由控制電路20，各別供給信號V_g－a 、V_g－b 。在此，本實施形態中，於全畫面模式，或於部分模式，信號V_g－a 乃與極性指定信號Pol同一波形，信號V_g－b 乃邏輯反轉極性指定信號Pol之波形。

相當於邏輯位準之高位準之電壓Vdd乃施加於TFT173、174之閘極電極時，使該TFT173、174之源極汲極電極間成為導通(ON)狀態之開啟電壓。又，低位準乃接低電位Gnd，即使施加於TFT173、174之閘極電極時，使該TFT173、174之源極汲極電極間成為非導通(OFF)狀態之關閉電壓。

於第3供電線163及第4供電線164中，經由控制電路20，各別供給信號V_c－a 、V_c－b 。本實施形態中，於全畫面模式，或於部分模式，共通信號V_c－a 乃呈一定電壓Vsl，又，共通信號V_c－b 乃呈一定電壓Vsh。電壓Vsl、Vsh乃有(Gnd≦)Vsl<Vsh(≦Vdd)之關係，電壓Vsl較電壓Vsh呈相對低電壓(電壓Vsh較電壓Vsl呈相對高電壓)。

又，於第5供電線165，經由控制電路20，供給信號 V_g－c 。控制信號V_g－c 為全畫面模式時，為低位準，為部分模式之時，則如後述圖7~圖9所示，僅於第2、第3、第8及第9圖框成為高位準。

又，光電裝置之面板乃使元件基板與對向基板之一對基板保持一定間隔加以貼合的同時，於此間隙封入液晶之構成。又，元件基板中，形成上述之掃描線112、或資料線114、共通電極108、畫素電極118及TFT116、171~176，使電極形成面與對向基板對向而貼合者。此構成中，使顯示範圍100與共通電極驅動電路170之邊界附近，以平面加以顯示者即為為圖3。

可由圖3得知，顯示範圍100乃成為使關於液晶之電場方向為基板面方向之IPS模式之變形的FFS(fringe field switching)模式者。又，本實施形態中，TFT116、171~176乃非晶質矽型，該閘極電極則是位於較半導體層下側(紙面之內側)之底閘極型者。

詳細而言，經由成為第1導電層(第1)ITO(indium tin oxide)層之圖案化，形成矩形形狀之電極108，更且，經由成為第2導電層之閘電極層之圖案化，形成掃描線112、或共通線108e等之閘極配線，於其上，形成閘極絕緣膜(省略圖示)，更且，TFT之半導體層則形成呈島狀。接著，形成保護絕緣膜(省略圖示)後，經由第3導電層之(第2)ITO層之圖案化，形成梳齒形狀之畫素電極118，更且，經由成為第4導電層之金屬層之圖案化，伴隨TFT之源極電極，或汲極電極，除了資料線114、第1供電線161、第2供電線162、第3供電線163、第4供電線164及第5供電線165之外，形成各種之連接電極。

在此，圖1及圖2之共通電極108乃在圖3中，分為與掃描線112平行延伸存在之共通線108e、和藉由保護絕緣膜，層積畫素電極118之矩形形狀之電極108f。在此，位於同一行之共通線108e及電極108f之彼此乃具有互為部分重合之部分，電性加以導通。為此，位於同一行之共通線108e及電極108f乃在電性上為相同者，無需特別加以區分，在非構造上之說明下，兩者則不區分，單純以共通電極108稱之。

於本實施形態中，蓄積電容130乃電極108f與畫素電極118經由保護絕緣膜之層積構造所產生之電容成分者。又，於元件基板與對向基板之間隙中，亦封入液晶之故，於畫素電極118與電極108f間，藉由介電質之液晶構造，亦會產生電容成分。使藉由此液晶所成之電容成分，在本實施形態中，成為液晶電容120。

於此構成中，對應於液晶電容與蓄積電容130之並列電容之保持電壓的電場，則沿元件基板面，且產生於與畫素電極118之梳齒正交之方向，而改變液晶之配向狀態。由此，通過偏光子(省略圖示)之光量乃成為對應於該保持電壓之實效值。

然而，本實施形態中，雖為FFS模式，做為IPS模式亦可，電性等價電路為如圖2所示之電路時，其他之模式亦可。

在此，上述並列電容之保持電壓乃畫素電極118及共通電極108(電極108f)之差電壓之故，為使i行j列之畫素成為目的之色階，則於第i行之掃描線112施加選擇電壓Vdd，伴隨使TFT116成為導通(ON)狀態，將對應於上述差電壓之畫素之色階之值的電壓資料信號Xj，藉由在第j列之資料線114與在第i行j列開啟之TFT16，供予畫素電極118即可。

然而，本實施形態中，為了說明上之方便，該電壓實效值接近零時，光透過率則呈最小，成為黑色顯示，另一方面，隨著電壓實效值的變大，透過之光量會增，進而成為透過率大之白色顯示之正常黑模式。

又，各行之共通電極108乃與第1~240列之資料線114，藉由閘極絕緣膜等交叉之故，如圖2虛線所示，藉由寄生電容，相互呈電容結合。

如圖3所示構成，僅是其中之一例，對於TFT之型而言，可為其他之構造，例如以閘極電極配置者可為頂閘極型，以製程而言可為多晶矽型者。又，將共通電極驅動電路170之元件，可非以與顯示範圍100相同之製程，於基板上製造，而是將IC晶片安裝於元件基板之構成。

將IC晶片安裝於元件基板之時，將掃描線驅動電路140、共通電極驅動電路170，伴隨資料線驅動電路190，集合於半導體晶片亦可，做為各別不同之晶片亦可。另一方面，對於控制電路20，製造置入於元件基板之構成亦可。

又，對於本實施形態而言，可為透過型、或反射型、更且組合透過型及反射型之兩者，即半透過半反射型者。為此，對於反射層等則不特別加以記述。

接著。關於本實施形態之光電裝置10之動作中，對於全畫面模式之時者加以說明。

如上所述，於本實施形態中，成為全畫面模式時，控制電路20則如圖4所示，於n圖框中，各別輸出極性指定信號Pol、信號V_g－a 、V_g－b 、令共通信號V_c－a 呈電壓Vsl、令共通信號V_c－b 呈電壓Vsh，而成為一定者。

對於n圖框而言，經由掃描線驅動電路140，在最開始，至第1行之掃描線112之掃描信號Y1則成為高位準。又，對於n圖框而言，在奇數行中，指定正極性寫入之故，在掃描信號Y1成為高位準之時間時，輸出閂鎖脈衝Lp時，資料線驅動電路190乃僅在第1行，以1、2、3、…、240列之畫素之顯示資料Da所指定電壓，令電壓Vsl對於基準而言之高位側之電壓之資料信號X1、X2、X3、…、X240，各別供予1、2、3、…、240列之資料線114。經由如此，例如供予第j列之資料線114之資料線Xj乃成為僅以第1行第j列之畫素110之顯示資料Da指定之電壓，較電壓Vsl高位側之電壓。

掃描信號Y1成為高位準時，第1行1列~第1行240列之畫素之TFT116為開啟之故，於此等畫素電極118中，施加資料信號X1、X2、X3、…、X240。

另一方面，於掃描信號Y1成為高位準之期間，在共通電極驅動電路170，第1行之TFT171、172則成為開啟。在此，掃描信號Y1成為高位準之期間中，供予第1供電線161之信號V_g－a 乃高位準，供予第2供電線162之信號V_g－b 乃低位準之故，經由第1行之TFT171、172之開啟，於第1行之TFT173之閘極電極，施加高位準之開啟電壓，於TFT174之閘極電極，施加低位準之關閉電壓。為此，第1行之TFT173、174乃各為開啟、關閉之故，第1行之共通電極108乃經由連接於第3供電線163，而成為電壓Vsl。

因此，於1行1列~1行240列之液晶電容120及蓄積電容130之並列電容中，寫入有對應於各色階之正極性之電壓。然而，全畫面模式中，對於全行而言，TFT175、176為關閉之故，不會成為決定TFT173、174之開啟及關閉狀態之要因。

接著，掃描信號Y1成為L位準，另一方面掃描信號Y2則成為高位準。

在此，於掃描信號Y1成為低位準時，1行1列~1行240列之畫素之TFT116則成為關閉。為此，在於1行1列~1行240列之各畫素110中，各畫素電極118則成為高阻抗狀態。

另一方面，共通電極驅動電路170中，第1行之TFT131、172亦關閉之故，TFT173、174之閘極電極則成為高阻抗狀態。但是，TFT173、174之閘極電極乃經由該寄生電容，成為高阻抗狀態之前之狀態下，即各別保持於高、低位準之狀態之故，TFT173、174乃持續維持開啟、關閉狀態。為此，第1行之共通電極108即使掃描信號Y1成為低位準，持續連接於第3供電線163之故，維持電壓Vsl。因此，1行1列~1行240列之液晶電容120及蓄積電容130之並列電容之另一端，維持於電壓Vsl之故，寫入之電壓狀態不會有所變更而持續。

又，對於n圖框而言，在偶數行中，指定負極性寫入之故，在掃描信號Y2成為高位準之時間時，輸出閂鎖脈衝Lp時，資料線驅動電路190乃僅就在第2行，以1、2、3、、_240列之畫素之顯示資料Da所指定電壓，輸出令電壓Vsh對於基準而言呈低位側之電壓之資料信號X1、X2、X3、…、X240。經由如此，例如供予第j列之資料線114之資料信號Xj乃成為僅以2行j列之畫素110之顯示資料Da指定之電壓，較電壓Vsh低位側之電壓。

掃描信號Y2成為高位準時，2行2列~2行240列之畫素之TFT116為開啟之故，於此等畫素電極118中，施加資料信號X1、X2、X3、…、X240。

另一方面，於掃描信號Y2成為高位準之期間，在共通電極驅動電路170，第2行之TFT171、172則成為開啟。在此，掃描信號Y2成為高位準之期間中，供予第1供電線161之信號V_g－a 切換呈低位準，供予第2供電線162之信號V_g－b 乃切換成高位準之故，第2行之TFT173、174乃與第1行相反，各別關閉、開啟。為此，第2行之共通電極108乃經由供予第4供電線164，而成為電壓Vsh。

因此，於2行1列~2行240列之液晶電容120及蓄積電容130之並列電容中，寫入有對應於各色階之負極性之電壓。

接著，掃描信號Y2成為L位準，另一方面掃描信號Y3則成為高位準。在此，掃描信號Y2成為高位準時，2行1列~2行240列之畫素之TFT116為關閉之故，該2行1列~2行240列之各畫素中，各畫素電極118則呈高阻抗狀態。

另一方面，共通電極驅動電路170中，第2行TFT171、172亦為關閉之故，TFT173、174之閘極電極乃成為高阻抗狀態，但經由寄生電容，各別保持於低、高位準之故，第2行之TFT173、174乃持續維持關閉、開啟狀態。為此，第2行之共通電極108乃即使終止第2行之掃描線之選擇，掃描信號Y2成為低位準，但持續連接於第4供電線164之故，維持於電壓Vsh。

因此，2行1列~2行240列之液晶電容120及蓄積電容130之並列電容之另一端，維持於電壓Vsh之故，寫入之電壓狀態不會有所變更而持續。

又，掃描信號Y3成為高位準時，第3行之液晶電容120及蓄積電容130之並列電容中，會寫入對應於各別色階之正極性之電壓，接著，掃描信號Y4成為高位準時，第4行之液晶電容120及蓄積電容130之並列電容中，會寫入對應於各別色階之負極性之電壓。

以下之動作重覆至第320行，由此，n圖框中，於第奇數行之液晶電容120及蓄積電容130之並列電容中，會寫入對應於各別色階之正極性電壓，第偶數行之液晶電容120及蓄積電容130之並列電容中，會寫入對應於各別色階之負極性電壓。如此，所有畫素之並列電容中，寫入對應於各色階之電壓之故，於顯示範圍100中，會顯示1枚(圖框)之畫像。

接著，於(n＋1)圖框中，極性指定信號Pol、信號V_g－a 、V_g－b 乃在於反轉前述圖框之邏輯位準之關係之故，選擇奇數行之掃描線112時，對應於該選擇之奇數行之掃描線之共通電極108乃連接於第4供電線164而成為電壓Vsh之同時，即使該掃描線成為非選擇(掃描信號為低位準)時，該連接狀態被維持，另一方面，選擇偶數行之掃描線112時，對應於該選擇之偶數行之掃描線之共通電極108乃連接於第3供電線163而成為電壓Vsl之同時，即使該掃描線成為非選擇，該連接狀態亦被維持。

為此，(n＋1)圖框中，於第奇數行之液晶電容120及蓄積電容130之並列電容中，會寫入對應於各別色階之負極性之電壓，第偶數行之並列電容中，會寫入對應於各別色階之正極性電壓，維持各寫入之電壓狀態。

在此，對於本實施形態之電壓寫入，參照圖5加以說明。圖5乃令i行j列之畫素電極118之電壓Pix(i，j)、和(i＋1)行j列之畫素電極118之電壓Pix(i＋1， j)，在各別掃描信號Yi、Y(i＋1)之關係下所示之圖。然而，圖5中，顯示電壓之縱軸乃在方便上，較圖4所示之縱軸更加以擴大。

n圖框中，對於第奇數i行之畫素而言，指定正極性寫入之故，在掃描信號Yi之高位準之期間，於第j列之資料線114中，供給較該電壓Vsl，僅就對應於i行j列之畫素之色階的電壓為高位側之電壓(圖5中以↑表示)之資料信號Xj。因此，於i行j列之液晶電容120及蓄積電容130之並列電容中，寫入資料信號Xj之電壓與共通電極108之電壓Vsl之差電壓，即寫入對應於色階之正極性電壓。

接著，掃描信號Yi成為L位準時，i行j列之畫素電極118乃成為高阻抗狀態。對此，第奇數i行之共通電極108乃於n圖框中，掃描信號Yi成為高位準時，連接於第3供電線163之故，成為電壓Vsl，此連接狀態則在下個(n＋1)圖框中，再使掃描信號Yi直至成為高位準為止加以持續。為此，i行j列之畫素電極118之電壓Pix(i，j)乃使掃描信號Yi不從成為高位準時之電壓(資料信號Xj之電壓)變動，不影響保持於液晶電容120及蓄積電容130之並列電容之電壓實效值(陰影部分)。

然而，n圖框中，對於第偶數(i＋1)行之畫素而言，指定負極性寫入之故，在掃描信號Y(i＋1)之高位準之期間，於第j列之資料線114中，供給較該電壓Vsh，僅就對應於(i＋1)行j列之畫素之色階的電壓為低位側之電壓(圖5中以↓表示者)之資料信號Xj。由此，於(i＋1)行j列之液晶電容120及蓄積電容130之並列電容中，寫入有對應於色階之負極性電壓。又，第偶數(i＋1)行之共通電極108乃於n圖框中，掃描信號Y(i＋1)成為高位準時，連接於第4供電線164之故，成為電壓Vsh，此連接狀態則在下個(n＋1)圖框中，再使掃描信號Y(i＋1)直至成為高位準為止加以持續之故，電壓Pix(i＋1，j)乃不從掃描信號Y(i＋1)成為高位準時之電壓(資料信號Xj之電壓)變動，不影響保持於液晶電容120及蓄積電容130之並列電容之電壓實效值(陰影部分)。

更且，於下個(n＋1)圖框中，反轉寫入極性之故，對於奇數第i行之畫素而言，執行負極性寫入，對於偶數第(i＋1)行之畫素而言，執行正極性寫入。

如此，本實施形態中，於全畫面模式中，寫入極性則於每一掃描線加以反轉。

根據如此實施形態中，指定正極性寫入之行之共通電極108乃成為選擇該行之掃描線112時相對為低之電壓Vsl，較此電壓僅就對應於色階之電壓為高位側之電壓，則做為資料信號供給，另一方面，指定負極性寫入之行之共通電極108乃成為選擇該行之掃描線112時相對為高之電壓Vsh，較此電壓僅就對應於色階之電壓為低位側之電壓，則做為資料信號供給。

因此，資料信號之電壓振幅乃與共通電極108之電壓成為一定之時比較變得狹窄之故，要求於資料線驅動電路190之構成元件之耐壓性可抑制於低水準，因此達成構成之簡易化的同時，亦可抑制經由電壓變化而浪費電力。

然而，各行之共通電極108(共通線108e)乃如上所述，藉由第1~240列之資料線114與閘極絕緣膜等交叉之故，此等之資料線114之電壓變化，即資料信號X1~X240之變化則藉由寄生電容，傳送至共通電極108。

為此，共通電極108乃電性未連接於任何部分時，會受到各資料線之電壓變化(資料信號X1~X240之電壓變化)之影響，變動該電位。共通電極108乃在本實施形態中，於每行獨立之故，共通電極則於每行以不同之量，進行電位變動，對於顯示會有不良影響之可能性為高。

對此，本實施形態中，以奇數第i行而言，例如n圖框中，掃描信號Yi成為高位準之時，經由第i行之TFT171、172成為開啟，使TFT173、174成為開啟、關閉之同時，對於寄生於TFT173、174之閘極電極之電容而言，各別寫入高、低位準，由此，掃描信號Yi成為低位準，維持第i行之TFT173、174之開啟、關閉狀態，結果，奇數第i行之共通電極108則持續連接於第3供電線163之狀態。另一方面，n圖框之中，第偶數(i＋1)行之共通電極乃持續連接於第4供電線164之狀態。因此，本實施形態中，各行之共通電極108乃經常性在施加電壓Vsl或Vsh之狀態，不會成為高阻抗狀態之故，可防止起因於共通電極之電壓變動之顯示品質之下降於未然。

接著，對於部分模式之動作加以說明。圖6乃顯示部分模式之情形之各圖框動作之一例圖，於本實施形態中，部分模式中，執行有將第1至第12之12圖框為1單位之動作。

於此例中，令第1~80行及161~320行為非顯示行，使對應於此非顯示行之畫素為無效化，令第81~160行為顯示行，僅使用對應於此顯示行，進行有效顯示之時，對於位於第~320行之各掃描線而言，顯示以何種極性進行電壓寫入者。

然而，部分模式中，對於在位於顯示行之畫素而言，雖有單純以開啟之白色或關閉之黑色之任一者之2值顯示次情形，在此，以進行色階顯示者加以說明。

於圖中，＋為正極性，－為負極性，顯示各電壓寫入之情形，但是x乃顯示不進行電壓寫入之狀態。

在此，於部分模式之第1及第7圖框中，於非顯示之第1~第80行及第161~320行中，雖各別進行負極性及正極性之電壓寫入，此電壓寫入乃對於非顯示行之畫素而言，為無效之顯示之故，強制寫入相當於黑色(關閉)之電壓。另一方面，部分模式之第1、第4、第7及第10圖框中，於顯示行之81~160行中，各別以負極性、正極性、正極性及負極性之順序，進行電壓寫入。為此，本實施形態中，於部分模式中，鄰接行之彼此之寫入極性乃互為相同者。

對於如此根據圖6之部分模式之掃描信號等之波形，則參照圖7~圖9加以說明。在此，圖7乃顯示第1~第7圖框之掃描信號Y1~Y320之波形等，圖8乃顯示第5~第8圖框之掃描信號Y1~Y320之波形等，圖9乃顯示第9~第12圖框之掃描信號Y1~Y320之波形等。

如圖7所示，部分模式之第1圖框中，掃描信號Y1~Y320乃與全畫面模式相同。唯，本實施形態中，第1圖框中，極性指定信號Pol為L位準而成一定之故，第1~80行及第161~320行之非顯示行中，寫入相當於負極性之黑色(關閉)之電壓，第81~160行之顯示行中，寫入對應於負極性之色階之電壓。

部分模式之第2及第3圖框中，掃描信號Y1~Y320不會成為高位準之故，不會進行任何之寫入動作。

部分模式之第4圖框中，僅關於顯示行之掃描信號Y81~Y160，順序地成為高位準。然而，於第4圖框中，在掃描信號Y81~Y160成為高位準之期間，極性指定信號Pol會成為高位準之故，第81~160行之顯示行中，寫入對應於正極性之色階的電壓。

接著，如圖8所示，部分模式之第5及第6圖框中，與第2及第3圖框同樣地，掃描信號Y1~Y320不會成為高位準，因此不會進行任何之寫入動作。

第7圖框中，掃描信號Y1~Y320乃與全畫面模式相同。唯，本實施形態中，第7圖框中，極性指定信號Pol為高位準而成一定之故，第1~80行及第161~320行之非顯示行中，寫入相當於負極性之黑色(關閉)之電壓，第81~160行之顯示行中，寫入對應於正極性之色階之電壓。

第8圖框及圖9所示第9圖框中，掃描信號Y1~Y320不會成為高位準，因此不會進行任何之寫入動作。部分模式之第10圖框中，僅關於顯示行之掃描信號Y81~Y160，順序地成為高位準。然而，於第10圖框中，在掃描信號Y81~Y160成為高位準之期間，極性指定信號Pol會成為低位準之故，第81~160行之顯示行中，寫入對應於負極性之色階的電壓。然而，第11及第12圖框中，掃描信號Y1~Y320不會成為高位準，因此不會進行任何之寫入動作。

於全畫面模式中，電壓寫入雖在每圖框加以執行，於部分模式中，對於非顯示行之畫素之關閉電壓寫入，則以6圖框1次之比例加以執行，對於顯示行之畫素之電壓寫入之周期，則以3圖框1次之比例加以執行之故，可抑制經由電壓寫入所消耗的電力。

然而，全畫面模式中，於共通電極驅動電路170中，例如第i行之TFT173、174乃在掃描信號Yi為高位準之時，將施加於閘極電極之開啟或關閉電壓，經由以寄生電容加以保持，即使在掃描信號Yi為低位準之時，可確定第i行之共通電極108之電位。

因此，於此部分模式中，經由掃描信號成為高位準而執行之電壓寫入之頻繁度則會較全畫面模式為少。為此，保持於TFT173或174之任一之閘極電極之開啟電壓，則經由泄放等而漸漸下降，最後成為臨限值以下，而有可能產生無法維持開啟狀態之事態。

為避免如此，可有在於TFT173、174之閘極電極，附加電容元件，成為泄放影響較少之構成，但是，為形成電容元件需多餘之空間之故，多出之顯示範圍之所謂邊框範圍則會變廣。

在此，於本實施形態中，部分模式中，如下所示，控制電路20則供給控制信號V_g－c 。即，如圖6及圖7~圖9所示，於部分模式中，在第2、第3、第8及第9圖框成為高位準，其他之圖框成為低位準。

在此，第2、第3、第8及第9圖框中，如上所述，不執行電壓寫入之故，無需規定極性指定信號Pol，但本實施形態中，在規定信號V_g－a 、V_g－b 之意義下會加以使用。即，於部分模式中，極性指定信號Pol乃如圖71所示，在第2及第3圖框下，成為低位準，如第8及第9圖所示，第8及第9圖框下，成為高位準。如上所述，信號V_g－a 乃與極性指定信號Pol同一信號，信號V_g－b 乃邏輯反轉極性指定信號Pol之信號。

在此，於第1圖框中，極性指定信號Pol為低位準之故，信號V_g－a 同為低位準，信號V_g－b 乃反轉之高位準。為此，於共通電極驅動電路170中，第奇數i行中，掃描信號Yi成為高位準，使TFT171、172成為開啟時，於TFT173、174之閘極電極中，各別施加關閉、開啟電壓，由此，TFT173、174會呈關閉、開啟之故，該第i行之共通電極108乃對應負極性寫入，成為高位側之電壓Vsh。同樣地，於偶數(i＋1)行中，於TFT173、1之閘極電極中，各別施加關閉、開啟電壓之故，該(i＋1)之共通電極108則成為電壓Vsh。

接著，部分模式之第2及第3圖框中，控制信號V_g－c 為高位準時，在共通電極驅動電路170，第1~320行之TFT175、176則所有成為開啟。於第2及第3圖框中，信號V_g－a 乃與極性指定信號Pol同為低位準，信號V_g－b 乃與極性指定信號Pol相反之高位準。

為此，於第2及第3圖框中，於TFT173、174之閘極電極中，各別持續施加關閉、關啟電壓之故，所有TFT173則成關閉，所宥TFT174則呈開啟的結果，所有共通電極108與第1圖框相同確定呈電壓Vsh。

於第4圖框中，掃描信號Y80~Y161順序成為高位準的期間，極性指定信號Pol為高位準之故，信號V_g－a 為高位準，信號V_g－b 乃反轉之低位準。

於共通電極驅動電路170中，關於顯示行之掃描信號成為高位準，使TFT171、172成為開啟時，於TFT173、174之閘極電極中，各別施加開啟、關閉電壓，由此，TFT173、174會呈開啟、關閉之故，關於顯示行之共通電極108乃對應正極性寫入，成為低位側之電壓Vsl。

另一方面，第7~第10圖框乃執行反轉第1~第4圖框之極性之關係的動作。

如此，根據本實施形態時，於部分模式中，對於全行而言，進行電壓寫入之第1及第7圖框之以外，在第2、第3、第8及第9圖框中，確定共通電極108之電位之故，由於此部分，可抑制顯示品質之下降。

然而，本實施形態中，第2、第3、第8及第9圖框中，令控制信號Vg－c成為高位準，確定共通電極108之電位，但對於全行而言，較進行電壓寫入之第1(第7)圖框為後，又較至僅顯示行之電壓寫入之第4(第10)之圖框為前之圖框的全部或一部分即可之故，例如僅就第3及第9之圖框，令控制信號Vg－c成為高位準亦可。

[第2實施例形態]

上述第1實施形態中，全畫面模式中，對於畫素之寫入極性而言，為每一行進行反轉之行反轉方式，但部分模式中，無法否認顯示行之彼此成為共通之寫入極性之故，顯示行之畫素所顯示之畫像之顯示品質與全畫面模式之時比較會變差。

在此，對於部分模式中，在顯示行彼此，將寫入極性，於每掃描線加以反轉之第2實施形態加以說明。

圖10乃顯示關於本發明之第2實施形態之光電裝置之構成的方塊圖。

此圖所示構成與圖1之不同點乃在於共通電極驅動電路170之第奇數行中，TFT175之源極電極則連接於第2供電線162，TFT176之源極電極則連接於第1供電線161。然而，於第偶數行中，TFT175之源極電極則連接於第1供電線161，TFT176之源極電極則連接於第2供電線161，此部分與第1實施形態相同。

圖11乃顯示第2實施形態之元件基板中，顯示範圍100與共通電極驅動電路170之邊界附近的平面圖。

如圖11或圖10所示，相互鄰接之行之TFT175、176之源極電極彼此，則經由共通配線，連接於第1供電線161或第2供電線。例如，第奇數i行之TFT175之源極電極、和鄰接之偶數(i＋1)行之TFT176之源極電極則經由共通配線，連接於第2供電線162，又，第奇數i行之TFT176之源極電極、和鄰接之1行前之(i－1)行之TFT176之源極電極則經由共通配線，連接於第1供電線161。

為此，可將共通電極驅動電路170之構成，部分加以簡化，可使行間隔變窄。

然而，第2實施形態中，全畫面模式之動作乃與第1實施形態相同。因此，對於第2實施形態之動作，以部分模式之不同點為中心加以說明。圖12顯示部分模式時之各圖框之動作的一例圖。

於第2實施形態中，部分模式中，執行第1至第12之12圖框為一單元之動作，又，對於令第1~80行及第161~320行為非顯示行，令第81~160行為顯示行而例示的部分，則與第1實施形態(參照圖6)相同。

如圖12所示，在部分模式之第1圖框之寫入極性乃對於顯示行及非顯示行之雙方而言，為將之前之全畫面模式之寫入極性反轉者，又，第7圖框之寫入極性乃反轉該第1圖框之寫入極性者，不論何者皆為行反轉方式。又，顯示行之第4圖框之寫入極性乃反轉該第1圖框之寫入極性者，顯示行之第10圖框之寫入極性乃反轉該第7圖框之寫入極性者，不論何者皆為行反轉方式。

對於如此根據圖12之部分模式之掃描信號等之波形，則參照圖13~圖15加以說明。在此，圖13乃顯示第1~第7圖框之掃描信號Y1~Y320之波形等，圖8乃顯示第5~第14圖框之掃描信號Y1~Y320之波形等，圖9乃顯示第15~第12圖框之掃描信號Y1~Y320之波形等。

如此等圖示，部分模式中，掃描信號Y1~Y320乃與第1實施形態之部分模式相同。

惟，本實施形態中，第1圖框之極性指定信號Pol乃在第奇數行之掃描信號成為高位準之時，成為高位準，在第偶數行之掃描信號成為高位準之時，成為低位準。又，第7圖框之極性指定信號Pol乃邏輯反轉第1圖框之極性指定信號Pol者。

更且，於第4圖框中，極性指定信號Pol乃僅就顯示行相關之掃描信號Y81~Y160，順序地成為高位準之期間中，在第奇數行之掃描信號成為高位準之時，成為低位準，在第偶數行之掃描信號成為高位準之時，成為高位準。於第10圖框中，極性指定信號Pol乃邏輯反轉第4圖框之極性指定信號Pol而成，僅就顯示行相關之掃描信號Y81~Y160，順序地成為高位準之期間中，在第奇數行之掃描信號成為高位準之時，成為高位準，在第偶數行之掃描信號成為高位準之時，成為低位準。

然而，本實施形態中，第2、第3、第8及第9圖框中，如上所述，不執行電壓寫入之故，無需規定極性指定信號Pol，但與第1實施形態同樣，在規定信號V_g－a 、V_g－b 之意義下被加以使用。為此，極性指定信號Pol乃如圖13所示，在第2及第3圖框下，成為高位準，如第14及第15圖所示，第8及第9圖框下，成為低位準。

第2實施形態中，第1圖框動作乃對於非顯示行而言，強制寫入相當於黑色(關閉)之電壓之外，與全畫面模式相同。為此，第奇數i行之共通電極108乃對應於正極性寫入，成為低位側之電壓Vsl，第偶數(i＋1)行之共通電極108乃對應於負極性寫入，成為高位側之電壓Vsh。

接著，部分模式之第2及第3圖框中，信號V_g－a 乃與極性指定信號Pol同為高位準，信號V_g－b 乃與極性指定信號Pol相反之低位準。控制信號V_g－c 為高位準時，於共通電極驅動電路170中，第1~320之TFT175、176皆成為開啟之故，第奇數行之TFT173、174之閘極電極中，各別施加關閉、開啟電壓，另一方面，第偶數行之TFT173、174之閘極電極中，相反地各別施加開啟、關閉電壓。為此，於第奇數行，經由TFT174之開啟，該第奇數行之共通電極108乃對應於正極性寫入，確定成為低位側之電壓Vsl，另一方面，第偶數行中，經由TFT173之開啟，該第偶數行之共通電極108乃對應於負極性寫入，確定成為高位側之電壓Vsh，各別維持第1圖框之電壓。

於第4圖框中，掃描信號Y80~Y161順序成為高位準的期間中，第奇數行之掃描信號成為高位準期間中，極性指定信號Pol為低位準之故，信號V_g－a 為低位準，信號V_g－b 乃反轉之高位準。於共通電極驅動電路170中，顯示行中，第奇數行之掃描信號成為高位準，使該奇數行之TFT171、172成為開啟時，於TFT173、174之閘極電極中，各別施加開啟、關閉電壓，另一方面，第偶數行之掃描信號成為高位準，使該偶數行之TFT171、172成為開啟時，於TFT173、174之閘極電極中，各別施加關閉、開啟電壓。

為此，於顯示行之第奇數行，經由TFT173之開啟，該第奇數行之共通電極108乃對應於負極性寫入，確定成為高位側之電壓Vsh，另一方面，顯示行之第偶數行中，經由TFT174之開啟，該第偶數行之共通電極108乃對應於正極性寫入，確定成為高位側之電壓Vsl。

然而，於第7~第10圖框中，在各行中，執行反轉第1~第4圖框之同一行之寫入極性之關係的電壓寫入。

如此，根據第2實施形態時，於部分模式中，對於全行而言，進行電壓寫入之第1及第7圖框之以外，在第2、第3、第8及第9圖框中，確定共通電極108之電位之故，由於此部分，可抑制顯示品質之下降。更且，根據第2實施形態時，部分模式之顯示行之寫入極性與全畫面模式同樣地，成為在每一掃描線加以反轉之行反轉模式之故，可將部分模式之顯示品質，保持與全畫面模式相同。

<應用·變形例>

於上述第1及第2實施形態中，雖皆在全畫面模式時，成為將對於畫素之寫入極性，於每一行加以反轉之行反轉方式，亦可為於每一列加以反轉之列反轉方式，或於每1行及每1列，在每1畫素加以反轉之點反轉方式。

成為列反轉方式或點反轉方式者，乃例如圖16所示，於每一行，設置2個共通電極108a、108b的同時，如圖17所示，於第奇數j列之畫素110中，對應共通電極108a，於第偶數(j＋1)列之畫素110中，對應共通電極108b即可。

更且，於共通電極驅動電路170中，成為將各行之TFT173、174，各別成為TFT173a、173b、和TFT174a、174b之2系列，任一方之系列在共通電極108a，確定成電壓Vsl、Vsh之一方之時，任一另一方之系列，則在共通電極108b，確定成電壓Vsl、Vsh之另一方之構成即可。

在此，為了成為列反轉方式，例如在奇數列成為正極性時，使偶數列成為負極性即可之故，各行之掃描信號成為高位準時，將對應於奇數列之共通電極108a對應於正極性，確定成為低位側之電壓Vsl，將對應於偶數列之共通電極108b對應於負極性，確定成為高位側之電壓Vsh 即可。

另一方面，為了成為點反轉方式，在列反轉方式組合行反轉方式即可之故，例如奇數行奇數列成為正極性，奇數行偶數列成為負極性，緊接之偶數行偶數列成為負極性，偶數行偶數列成為正極性。為此，在奇數行之掃描信號成為高位準時，將對應於奇數列之共通電極108a對應於正極性，確定成為低位側之電壓Vsl，將對應於偶數列之共通電極108b對應於負極性，確定成為高位側之電壓Vsh，另一方面，緊接之偶數行之掃描信號成為高位準時，將對應於奇數列之共通電極108a對應於負極性，確定成為電壓Vsh，將對應於偶數列之共通電極108b對應於正極性，確定成為電壓Vsl。

然而，列反轉方式及點反轉方式之任一者之中，於第1行之掃描線，施加選擇電壓之期間，成為奇數列之資料信號與偶數列之資料信號互為反轉之關係。又，為防止於液晶電容120施加直流成分，在特定之圖框期間，需反轉極性。

又，上述實施形態中，雖將共通信號V_c－a 、V_c－b 、信號V_g－a 、V_g－b 、各別成為圖4所示之波形，亦可將共通信號V_c－a 、V_c－b ，例如於每當圖框期間或一水平掃描期間(H)反轉(替換)的同時，配合該反轉，規定信號V_g－a 、V_g－b 之邏輯。

即，是為至某掃描線之掃描信號成為高位準之時，於該行，使共通電極成為對應至該行之寫入極性的電壓的同時，該掃描信號即使成為低位準，該行之共通電極連續以同電壓加以維持之構成即可。

上述實施形態中，對於第i行之TFT171、172，選擇了第i行之掃描線，掃描信號Yi成為高位準時，成為開啟狀態。在此，第i行之TFT171、172乃在TFT173、174之閘極電極，連接第1供電線161、第2供電線162，決定TFT173、174之任一者成為開啟狀態，另一者成為關閉狀態之部分為重要，第i行之共通電極108確定成為對應於寫入極性之電位時，對於何時令TFT171、172成為開啟，則並不是那麼重要。

又，於垂直回歸線期間，指定寫入極性是無意義之故，令極性指定信號Pol或共通信號Vc－a、Vc－b等之邏輯信號固定於一定之位準即可。

更且，實施形態中，令液晶電容120為正常黑模式者，但亦可為在電壓無施加狀態成為明亮狀態之正常白模式。又，以R(紅)、G(綠)、B(藍)之3畫素構成1點，進行彩色顯示亦可，更且，亦可追加其他之一色(例如藍綠色(C))，以此等4色之畫素構成1點，提升色再現性之構成。

[第3實施例形態]

接著，對於本發明之第3實施形態加以說明。圖18乃顯示關於本發明之第3實施形態之光電裝置之構成的方塊圖。

如此圖所示，光電裝置10乃具有顯示領域100，於此顯示領域100之周邊，成為配置掃描線驅動電路140、共通電極驅動電路170a、170b、資料線驅動電路190之周邊電路內藏型之面板構成。又，控制電路20乃與上述周邊電路內藏型之面板，則經由FPC(可撓性印刷電路)基板加以連接。

接著，對於畫素110之詳細構成加以說明。圖19乃顯示畫素110之構成圖，顯示對應於i行及在此下方向鄰接之(i＋1)行、和j列及在此右方向鄰接之(j＋1)列之交叉之2×2之共計4畫素分之構成。

然而，i、(i＋1)乃令畫素110排列之行，顯示一般之情形之記號者，i乃1、3、5、…、319之任一奇數， (i＋1)乃連續在i之偶數，為2、4、6、…、320之任一者。然而，j、(j＋1)乃令畫素110排列之列，顯示一般之情形之記號者，i乃1、3、5、…、239之任一奇數，(j＋1)乃連續在j之偶數，為2、4、6、…、240之任一者。

如圖19所示，各畫素110乃具有做為畫素開關元件工作之n通道型之薄膜電晶體(thin film transistor：以下稱「TFT」)116、和液晶電容(畫素電容)120、和蓄積電容130。對於各畫素110而言，本實施形態中互為同一構成之故，以位於i行j列者為代表加以說明時，於該i行j列之畫素110中，TFT116之閘極電極乃在連接於第i行之掃描線112，另一方面，該源極電極乃連接於第j列之資料線114，該汲極電極乃各別連接於液晶電容120之一端之畫素電極118及及蓄積電容130之一端。又，液晶電容120之另一端及蓄積電容130之另一端則各連接於共通電極108。

然而，於圖19中，Yi、Y(i＋1)乃各別顯示供予第i、(i＋1)行之掃描線112之掃描信號，又，Ci、C(i＋1)乃各別顯示第i、(i＋1)行之共通電極108之電壓。對於液晶電容120之光學特性等，則於後述。

將說明再回到圖18時，控制電路20乃輸出各種控制信號，進行光電裝置10之各部之控制等。然而，對於各種控制信號而言，適切於後加以記述。

又，此光電裝置10乃有使用縱320×橫240列排列之畫素110之所有而顯示畫像之全畫面模式(第1模式)、和上述排列中，僅使用對應於一部分之掃描線之畫素110，顯示有效畫像，對於其他之畫素成為關閉顯示而無效化之部分模式(第2模式)之二種動作。然而，如以下之說明，對於部分模式而言，乃做為例外加以處理，全畫面模式為基本原則加以說明。

顯示範圍100之周邊中，如上所述，設置掃描線驅動電路140、或共通電極驅動電路170a、170b、資料線驅動電路190等之周邊電路。

其中，掃描線驅動電路140乃在全畫面模式下，於1圖框期間，令掃描信號Y1、Y2、Y3、…、Y320，各別供給至第1、2、3、…、320行之掃描線112者。詳細而言，掃描線驅動電路140乃如圖22所示，在1圖框期間下，令掃描線112，一行一行地，在圖1中，由上數起，以1、2、3、…、320行之順序選擇，將至選擇之掃描線的掃描信號，成為相當於高位準之選擇電壓Vdd、令除此之外的至選擇之掃描線的掃描信號，成為相當於低位準之非選擇電壓(接地電壓Gnd)。

在此，掃描線驅動電路140乃將例如自控制電路20供給之啟始脈衝Dy，經由根據時脈信號Cly順序偏移等，將掃描信號Y1、Y2、Y3、…、Y320，以此順序成為高位準。又，圖22中，至某掃描線之掃描信號，由高變化至低位準之時間，與至其次掃描線之掃描信號，由低變化至高位準之時間雖幾近相同，但亦可令高位準之期間變狹。

於本實施形態中，1圖框乃指全畫面模式中，顯示1張畫像所需要的時間，為16.7ms，如圖22所示，除了掃描信號Y1成為高位準之後，至掃描信號Y320成為低位準之有效掃描期間Fa之外，包含其他之回歸期間。然而，不設回歸線期間亦可。又，1行之掃描線112被選擇之期間為水平掃描期間(H)。

在此，部分模式中，於1圖框中，有如後述不顯示1張之畫像的情形之故，會有差別於16.7ms之期間的情形。

另一方面，掃描線驅動電路140乃部分模式之時，例如如後述圖25~圖27所示，全畫面模式之掃描信號Y1~Y320之波形中，於一部分之圖框中，對於全部或僅一部分而言，輸出成為高位準之掃描信號。

共通電極驅動電路170a、170b乃驅動第1~320行之共通電極108者，為求方便分為170a、170b。

其中，共通電極驅動電路170a乃在本實施形態中，設於掃描線驅動電路140與顯示範圍100間，由對應於第1~320行之共通電極108而設之n通道型之TFT171~174之組合而構成者。

TFT171~TFT174之連接乃在各行之中為共通之故，以第i行代表說明時，第i行之TFT171(第1電晶體)之閘極電極乃連接於第i行之掃描線112，該源極電極則連接於第1供電線161，該汲極電極則連接於TFT173之閘極電極。相同第i行之TFT172(第2電晶體)之閘極電極乃連接於第i行之掃描線112，該源極電極則連接於第1供電線162，該汲極電極則連接於TFT174之閘極電極。

第i行之TFT173(第3電晶體)之源極乃連接於第3供電線163，同第i行之TFT174(第4電晶體)之源極電極乃連接於第3供電線164，TFT173、174之汲極電極彼此則連接於第i行之共通電極108。

共通電極驅動電路170b乃對於顯示範圍100而言，設於與共通電極驅動電路170a相反側，由對應於第1~320行之共通電極108而設之n通道型之TFT175而構成。在此，各行之TFT175(第5電晶體)之閘極電極乃連接於控制線166，該源極電極則連接於信號線167，該汲極電極則連接於共通電極108。

又，控制電路20乃在時脈信號Cly之邏輯位準被遷移之時間，令閂鎖脈衝Lp，供予資料線驅動電路190。如上述，掃描線驅動電路140乃經由將啟始脈衝Dy，根據時脈信號Cly順序偏移等，將掃描信號Y1、Y2、Y3、…、Y320，順序地成為高位準之故，掃描線被選擇之期間之開始時間乃時脈信號Cly之邏輯位準遷移之時間。因此，資料線驅動電路190乃例如經由將閂鎖脈衝Lp，從1圖框之期間開始持續計數，可知選擇了第幾行之掃描線，更且經由閂鎖脈衝Lp之供給時間，可知該選擇開始之時間。

然而，掃描線驅動電路140乃即使為部分模式，對於上述開始脈衝Dy之偏移動作等會執行，使成為高位準之掃描信號僅一部分加以限制。

磁性指定信號Pol乃在本實施形態中，於全畫面模式下，為高位準時，對於施加選擇電壓之掃描線之畫素而言，指定正極性寫入，為低位準時，於該畫素，指定負極性寫入之信號，實際上為圖22所示之波形。詳細而言，如同圖所示，在某圖框(表述為「n圖框」)之期間，至第奇數(1、3、5、…、319)行之掃描線之掃描信號，施加選擇電壓之時，成為高位準，至第偶數(2、4、6、…、320)行之掃描線之掃描信號，施加選擇電壓之時，成為低位準。為此，於本實施形態中，成為全畫面模式時，對畫素之寫入極性在每一行反轉之行反轉之方式(亦稱線反轉，掃描線反轉)。

然而，磁性指定信號Pol為全面模式之時，在下個圖框(表記為「(n＋1)」圖框)中，在同一行比較時，雖為邏輯反轉，如此反轉寫入極性之理由乃防止直流成分之施加所造成液晶之劣化者。

又，磁性指定信號Pol乃部分模式之時，如後述圖25~圖27所示，在第1圖框之全域下成為低位準，第4圖框之一部分期間成為高位準，在第7圖框之全域下成為高位準，第10圖框之一部分期間，成為低位準。

於第1供電線161及第2供電線162中，經由控制電路20，各別供給信號V_g－a 、V_g－b 。在此，本實施形態中，於全畫面模式，信號V_g－a 乃與極性指定信號Pol同一波形，信號V_g－b 乃邏輯反轉極性指定信號Pol之波形。

又，控制線166中，則經由控制電路20，供給控制信號V_g－c 。控制信號V_g－c 為全畫面模式時，為低位準，為部分模式之時，則如後述圖25~圖27所示，僅於第2、第3、第8及第9圖框成為高位準。更且，信號線167中，則經由控制電路20，供給共通信號V_c 。共通信號Vc乃於部分模式之第2及第3圖框中，成為電壓Vsh，於第8及第9圖框成為電壓Vsl。

又，光電裝置之面板乃使元件基板與對向基板之一對基板保持一定間隔加以貼合的同時，於此間隙封入液晶之構成。又，元件基板中，形成上述之掃描線112、或資料線114、共通電極108、畫素電極118及TFT116、171~175，使電極形成面與對向基板對向而貼合者。此構成中，使顯示範圍100與共通電極驅動電路170a之邊界附近，以平面加以顯示者即為圖20，使顯示範圍100與共通電極驅動電路170b之邊界附近，以平面加以顯示者即為圖21。

可由圖20及圖21得知，顯示範圍100乃成為使關於液晶之電場方向為基板面方向之IPS模式之變形的FFS(fringe field switching)模式者。又，本實施形態中，TFT116、171~175乃非晶質矽型，該閘極電極則是位於較半導體層下側(紙面之內側)之底閘極型者。

詳細而言，經由成為第1導電層(第1)ITO(indium tin oxide)層之圖案化，形成矩形形狀之電極108f，更且，經由成為第2導電層之閘電極層之圖案化，形成掃描線112、或控制線166、共通線108e等之閘極配線，於其上，形成閘極絕緣膜(省略圖示)，更且，TFT之半導體層則形成呈島狀。接著，形成保護絕緣膜(省略圖示)後，經由第3導電層之(第2)ITO層之圖案化，形成梳齒形狀之畫素電極118，更且，經由成為第4導電層之金屬層之圖案化，伴隨TFT之源極電極，或汲極電極，除了資料線114、第1供電線161、第2供電線162、第3供電線163、第4供電線164、信號線167之外，形成各種之連接電極。

然而，圖20及圖21中，x符號乃為連接閘極電極層所成配線、和第4導電層所成配線層之連接孔。

圖18及圖19之共通電極108乃在圖20及圖21中，分為與掃描線112平行延伸存在之共通線108e、和藉由保護絕緣膜，層積畫素電極118之矩形形狀之電極108f。在此，位於同一行之共通線108e及電極108f之彼此乃具有互為部分重合之部分，電性加以導通。為此，位於同一行之共通線108e及電極108f乃在電性上為相同者，無需特別加以區分，在非構造上之說明下，兩者則不區分，單純以共通電極108稱之。

然而，本實施形態中，雖為FFS模式，做為IPS模式亦可，電性等價電路為如圖19所示之電路時，其他之模式亦可。

又，各行之共通電極108乃與第1~240列之資料線114，藉由閘極絕緣膜等交叉之故，如圖19虛線所示，藉由寄生電容，相互呈電容結合。

如圖20及圖21所示構成，僅是其中之一例，對於TFT之型而言，可為其他之構造，例如以閘極電極配置者可為頂閘極型，以製程而言可為多晶矽型者。又，將共通電極驅動電路170a、170b之構成元件之TFT171~175，非以與顯示範圍100相同之製程，於基板上製造，而是將IC晶片安裝於元件基板之構成亦可。

將IC晶片安裝於元件基板之時，將掃描線驅動電路140、共通電極驅動電路170a、70b，伴隨資料線驅動電路190，集合於半導體晶片亦可，做為各別不同之晶片亦可。另一方面，對於控制電路20，製造置入於元件基板之構成亦可。

又，對於掃描線112之延伸存在方向而言，共通電極驅動電路170a乃設於掃描線驅動電路140側，共通電極驅動電路170b乃設於掃描線驅動電路140之相反側，亦可為與此相反之關係，或將共通電極驅動電路170a、170b之面者設於相同範圍亦可。

如上所述，於本實施形態中，成為全畫面模式時，控制電路20則如圖22所示，於n圖框中，各別輸出極性指定信號Pol、信號V_g－a 、V_g－b 、令共通信號V_c－a 呈電壓Vsl、令共通信號V_c－b 呈電壓Vsh，而成為一定者。

對於n圖框而言，經由掃描線驅動電路140，在最開始，至第1行之掃描線112之掃描信號Y1則成為高位準。又，對於n圖框而言，在奇數行中，指定正極性寫入之故，在掃描信號Y1成為高位準之時間時，輸出閂鎖脈衝Lp時，資料線驅動電路190乃僅在第1行，以1、2、3、…、240列之畫素之顯示資料Da所指定電壓，令電壓Vsl對於基準而言之高位側之電壓之資料信號X1、X2、X3、…、X240，各別供予1、2、3、…、240列之資料線114。經由如此，例如供予第j列之資料線114之資料線 Xj乃成為僅以第1行第j列之畫素110之顯示資料Da指定之電壓，較電壓Vsl高位側之電壓。

掃描信號Y2成為高位準時，1行1列~1行240列之畫素之TFT116為開啟之故，於此等畫素電極118中，施加資料信號X1、X2、X3、…、X240。

另一方面，於掃描信號Y1成為高位準之期間，在共通電極驅動電路170a，第1行之TFT171、172則成為開啟。在此，掃描信號Y1成為高位準之期間中，供予第1供電線161之信號V_g－a 乃高位準，供予第2供電線162之信號V_g－b 乃低位準之故，第1行之TFT171、172各別為開啟，由此，於第1行之TFT173之閘極電極，施加高位準之開啟電壓，於TFT174之閘極電極，施加低位準之關閉電壓。為此，第1行之TFT173、174乃各為開啟、關閉之故，第1行之共通電極108乃連接於第3供電線163，而成為電壓Vsl。

因此，於1行1列~1行240列之液晶電容120及蓄積電容130之並列電容中，寫入有對應於各色階之正極性之電壓。

然而，全畫面模式中，控制信號V_g－c 乃低位準，共通電極驅動電路170b中，所有之TFT175為關閉之故，不會成為決定共通電極108之電壓之要因。

在此，於掃描信號Y1成為低位準時，1行1列~1 行240列之畫素之TFT116則成為關閉。為此，在於1行1列~1行240列之各畫素110中，各畫素電極118則成為高阻抗狀態。

另一方面，共通電極驅動電路170a中，掃描信號Y1成為低位準時，第1行之TFT171、172會關閉之故，TFT173、174之閘極電極則成為高阻抗狀態。但是，TFT173、174之閘極電極乃經由該寄生電容，成為高阻抗狀態之前之狀態下，即各別保持於高、低位準之狀態之故，TFT173、174乃持續維持開啟、關閉狀態。為此，第1行之共通電極108即使掃描信號Y1成為低位準，持續連接於第3供電線163之故，維持電壓Vsl。因此，1行1列~1行240列之液晶電容120及蓄積電容130之並列電容之另一端，維持於電壓Vsl之故，寫入之電壓狀態不會有所變更而持續。

又，對於n圖框而言，在偶數行中，指定負極性寫入之故，在掃描信號Y2成為高位準之時間時，輸出閂鎖脈衝Lp時，資料線驅動電路190乃僅就在第2行，以1、2、3、…、240列之畫素之顯示資料Da所指定電壓，輸出令電壓Vsh對於基準而言呈低位側之電壓之資料信號X1、X2、X3、…、X240。經由如此，例如供予第j列之資料線114之資料信號Xj乃成為僅以2行j列之畫素110之顯示資料Da指定之電壓，較電壓Vsh低位側之電壓。

另一方面，於掃描信號Y2成為高位準之期間，在共通電極驅動電路170a中，第2行之TFT171、172則成為開啟。在此，掃描信號Y2成為高位準之期間中，供予第1供電線161之信號V_g－a 切換呈低位準，供予第2供電線162之信號V_g－b 乃切換成高位準之故，第2行之TFT173、174乃與第1行相反，各別關閉、開啟。為此，第2行之共通電極108乃連接於第4供電線164，而成為電壓Vsh。

另一方面，共通電極驅動電路170a中，掃描信號Y2成為低位準時，第2行TFT171、172亦為關閉之故，TFT173、174之閘極電極乃成為高阻抗狀態，但經由寄生電容，各別保持於低、高位準之故，第2行之TFT173、174乃持續維持關閉、開啟狀態。為此，第2行之共通電極108即使掃描信號Y2成為低位準，持續連接於第4供電線164之故，維持電壓Vsh。

接著，於(n＋1)圖框中，磁性指定信號Pol、信號V_g－a 、V_g－b 乃在於反轉前述圖框之邏輯位準之關係之故，選擇奇數行之掃描線112時，對應於該選擇之奇數行之掃描線之共通電極108乃連接於第4供電線164而成為電壓Vsh之同時，即使該掃描線成為非選擇(掃描信號為低位準)時，該連接狀態被維持，另一方面，選擇偶數行之掃描線112時，對應於該選擇之偶數行之掃描線之共通電極108乃連接於第3供電線163而成為電壓Vsl之同時，即使該掃描線成為非選擇，該連接狀態亦被維持。

在此，對於本實施形態之電壓寫入，參照圖23加以說明。圖23乃令i行j列之畫素電極118之電壓Pix(i，j)、和(i＋1)行j列之畫素電極118之電壓Pix(i＋1，j)，在各別掃描信號Yi、Y(i＋1)之關係下所示之圖。然而，圖23中，顯示電壓之縱軸乃在方便上，較圖22所示之縱軸更加以擴大。

n圖框中，對於第奇數i行之畫素而言，指定正極性寫入之故，在掃描信號Yi之高位準之期間，於第j列之資料線114中，供給較該電壓Vsl，僅就對應於i行j列之畫素之色階的電壓為高位側之電壓(圖23中以↑表示)之資料信號Xj。因此，於i行j列之液晶電容120及蓄積電容130之並列電容中，寫入資料信號Xj之電壓與共通電極108之電壓Vsl之差電壓，即寫入對應於色階之正極性電壓。

接著，掃描信號Yi成為L位準時，i行j列之畫素電極118乃成為高阻抗狀態。對此，第奇數i行之共通電極108乃於n圖框中，掃描信號Yi成為高位準時，連接於第3供電線163之故，成為電壓Vsl，此連接狀態則在下個(n＋1)圖框中，再使掃描信號Yi直至成為高位準為止加以持續。為此，i行j列之畫素電極118之電壓Pix (i，j)乃使掃描信號Yi不從成為高位準時之電壓(資料信號Xj之電壓)變動，不影響保持於液晶電容120及蓄積電容130之並列電容之電壓實效值(陰影部分)。

然而，n圖框中，對於第偶數(i＋1)行之畫素而言，指定負極性寫入之故，在掃描信號Y(i＋1)之高位準之期間，於第j列之資料線114中，供給較該電壓Vsh，僅就對應於(i＋1)行j列之畫素之色階的電壓為低位側之電壓(圖23中以↓表示者)之資料信號Xj。由此，於(i＋1)行j列之液晶電容120及蓄積電容130之並列電容中，寫入有對應於色階之負極性電壓。又，第偶數(i＋1)行之共通電極108乃於n圖框中，掃描信號Y(i＋1)成為高位準時，連接於第4供電線164之故，成為電壓Vsh，此連接狀態則在下個(n＋1)圖框中，再使掃描信號Y(i＋1)直至成為高位準為止加以持續之故，電壓Pix(i＋1，j)乃不從掃描信號Y(i＋1)成為高位準時之電壓(資料信號Xj之電壓)變動，不影響保持於液晶電容120及蓄積電容130之並列電容之電壓實效值(陰影部分)。

對此，本實施形態中，以奇數第i行而言，例如n圖框中，掃描信號Yi成為高位準之時，經由第i行之TFT171、172成為開啟，使TFT173、174成為開啟、關閉之同時，對於寄生於TFT173、174之閘極電極之電容而言，各別寫入高、低位準，由此，掃描信號Yi成為低位準，維持第i行之TFT173、174之開啟、關閉狀態，結果，奇數第i行之共通電極108則持續連接於第3供電線163之狀態。另一方面，n圖框之中，第偶數(i＋1)行之共通電極乃持續連接於第4供電線164之狀態。因此，本實施形態中，於全畫面模式中，各行之共通電極108乃經常性在施加電壓Vsl或Vsh之狀態，不會成為高阻抗狀態之故，可防止起因於共通電極之電壓變動之顯示品質之下降於未然。

接著，對於部分模式之動作加以說明。圖24乃顯示部分模式之情形之各圖框動作之一例圖，於本實施形態中，部分模式中，執行有將第1至第12之12圖框為1單位之動作。

在此，於部分模式之第1及第7圖框中，於非顯示之第1~第80行及第161~320行中，雖各別進行負極性及正極性之電壓寫入，此電壓寫入乃對於非顯示行之畫素而言，為無效之顯示之故，強制寫入相當於黑色(關閉)之電壓。另一方面，部分模式之第1、第4、第7及第10圖框中，對於顯示行之81~160行，各別以負極性、正極性、正極性及負極性之順序，進行電壓寫入。為此，本實施形態中，於部分模式中，鄰接行之彼此之寫入極性乃互為相同者。

對於如此根據圖24之部分模式之掃描信號等之波形，則參照圖25~圖27加以說明。在此，圖25乃顯示第1~第7圖框之掃描信號Y1~Y320之波形等，圖8乃顯示第5~第26圖框之掃描信號Y1~Y320之波形等，圖9乃顯示第27~第12圖框之掃描信號Y1~Y320之波形等。

如圖25所示，部分模式之第1圖框中，掃描信號Y1~Y320則與全畫面模式相同。唯，本實施形態中，第1圖框中，磁性指定信號Pol為L位準而成一定之故，第1~80行及第161~320行之非顯示行中，寫入相當於負極性之黑色(關閉)之電壓，第81~160行之顯示行中，寫入對應於負極性之色階之電壓。

接著，如圖26所示，部分模式之第5及第6圖框中，與第2及第3圖框同樣地，掃描信號Y1~Y320不會成為高位準，因此不會進行任何之寫入動作。

第8圖框及圖27所示第9圖框中，掃描信號Y1~Y320不會成為高位準，因此不會進行任何之寫入動作。部分模式之第10圖框中，僅關於顯示行之掃描信號Y81~Y160，順序地成為高位準。然而，於第10圖框中，在掃描信號Y81~Y160成為高位準之期間，磁性指定信號Pol會成為低位準之故，第81~160行之顯示行中，寫入對應於負極性之色階的電壓。然而，第11及第12圖框中，掃描信號Y1~Y320不會成為高位準，因此不會進行任何之寫入動作。

之後，部分模式中，重覆第1~第12圖框之動作。

然而，全畫面模式中，於共通電極驅動電路170a中，例如第i行之TFT173、174乃在掃描信號Yi為高位準之時，將施加於閘極電極之開啟或關閉電壓，經由以寄生電容加以保持，即使在掃描信號Yi為低位準之時，可確定第i行之共通電極108之電位。

在此，於本實施形態中，部分模式中，如上所述，控制電路20則供給控制信號V_g－c 及共通信號Vc。即，控制電路20乃令控制信號V_g－c ，僅在第2、第3、第8及第9圖框成為高位準，令共通信號Vc，在第2及第3圖框成為電壓Vsh，於第8及第9圖框成為電壓Vsl。

在此之前之第1圖框中，極性指定信號Pol為低位準之故，信號V_g－a 同為低位準，信號V_g－b 乃反轉之高位準。為此，於共通電極驅動電路170a中，第奇數i行中，掃描信號Yi成為高位準，使TFT171、172成為開啟時，於TFT173、174之閘極電極中，各別施加關閉、開啟電壓之故，該第i行之共通電極108乃對應負極性寫入，成為高位側之電壓Vsh，同樣地偶數(i＋1)行中，於TFT173、174之閘極電極中，各別施加關閉、開啟電壓之故，該第(i＋1)行之共通電極108則成為電壓Vsh。

第2及第3圖框中，掃描信號不會成為高位準之故，各行之TFT173、174之閘極電極乃經由泄放而下降，而有可能無法維持開啟狀態，於共通電極驅動電路170b中，各行之TFT175中，經由控制信號Vg－c成為高位準，一起成為開啟之故，無關TFT173、174之閘極電極，即無關開啟關閉，所有共通電極108則與第1圖框相同，確定於共通信號Vc之電壓Vsh。

然而，於第4圖框中，掃描信號Y80~Y161順序成為高位準的期間中，極性指定信號Pol為高位準之故，信號V_g－a 為高位準，信號V_g－b 乃反轉之低位準。

於共通電極驅動電路170a中，關於顯示行之掃描信號成為高位準，使TFT171、172成為開啟時，於TFT173、174之閘極電極中，各別施加開啟、關閉電壓，由此，TFT173、174會呈開啟、關閉之故，顯示行之共通電極108乃對應正極性寫入，切換成低位側之電壓Vsl。

然而，本實施形態中，第2、第3、第8及第9圖框中，令控制信號Vg－c成為高位準，確定共通電極108之電位，但對於全行而言，較進行電壓寫入之第1(第7)圖框為後，又較僅顯示行之電壓寫入之第4(第10)之圖框為前之圖框的全部或一部分即可之故，例如僅就第3及第9之圖框，令控制信號Vg－c成為高位準亦可。

[第4實施例形態]

上述第3實施形態中，全畫面模式中，對於畫素之寫入極性而言，為每一行進行反轉之行反轉方式，但部分模式中，無法否認顯示行之彼此成為共通之寫入極性之故，顯示行之畫素所顯示之畫像之顯示品質與全畫面模式之時比較會變差。

在此，對於部分模式中，在顯示行彼此，將寫入極性，於每掃描線加以反轉之第4實施形態加以說明。

圖28乃顯示關於本發明之第4實施形態之光電裝置之構成的方塊圖。

此圖所示構成與圖18之不同點乃在於共通電極驅動電路170b中，將TFT175之源極電極之連接目的，分為奇數行與偶數行之部分。詳細而言，奇數行之TFT175之源極電極乃連接於供給共通信號Vc－c之第1信號線167c，偶數行之TFT175之源極電極乃連接於供給共通信號Vc－d之第2信號線167d。

然而，圖29乃顯示第4實施形態之元件基板中，顯示範圍100與共通電極驅動電路170b之邊界附近的平面圖。

如圖所示，第奇數i行之TFT175之源極電極乃使用由信號線167分支之部分，第偶數(i＋1)行之TFT175之源極電極乃將第1信號線167c，藉由下穿交叉之配線，連接於第2信號線167d。

然而，第4實施形態中，全畫面模式之動作乃與第3實施形態相同。因此，對於第4實施形態之動作，以部分模式之不同點為中心加以說明。

圖30顯示部分模式時之各圖框之動作的一例圖。

於第4實施形態中，部分模式中，執行第1至第12之12圖框為一單元之動作，又，對於令第1~80行及第161~320行為非顯示行，令第81~160行為顯示行而例示的部分，則與第1實施形態(參照圖23)相同。

如圖30所示，在部分模式之第1圖框之寫入極性乃對於顯示行及非顯示行之雙方而言，為將之前之全畫面模式之寫入極性反轉者，對於奇數行而言指定正極性寫入，對於偶數行而言指定負極性寫入。又，第7圖框之寫入極性乃反轉該第1圖框之寫入極性者。第1及第7圖框之皆為行反轉方式。

另一方面，顯示行之第4圖框之寫入極性乃反轉該第1圖框之寫入極性者，顯示行之第10圖框之寫入極性乃反轉該第7圖框之寫入極性者，不論何者皆為行反轉方式。

又，控制電路20乃於第2及第3圖框中，令共通信號Vc－c為電壓Vsl，令共通信號Vc－d為電壓Vsh，於第8及第9圖框中，令共通信號Vc－c為電壓Vsh，令共通信號Vc－d為電壓Vsl。

對於根據圖30之部分模式之掃描信號等之波形，則參照圖31~圖33加以說明。然而，圖30乃顯示第1~第4圖框之掃描信號Y1~Y320之波形等，圖31乃顯示第5~第31圖框之掃描信號Y1~Y320之波形等，圖33乃顯示第9~第12圖框之掃描信號Y1~Y320之波形等圖。

如此等圖示，部分模式中，掃描信號Y1~Y320乃與第3實施形態之部分模式相同。

第4實施形態中，第1圖框動作乃對於非顯示行而言，強制寫入相當於黑色(關閉)之電壓之外，與全畫面模式相同。為此，第奇數i行之共通電極108乃對應於正極性寫入，成為低位側之電壓Vsl，第偶數(i＋1)行之共通電極108乃對應於負極性寫入，成為高位側之電壓Vsh。

接著，部分模式之第2及第3圖框中，當信號V_g－c 成為高位準時，於共通電極驅動電路170b中，第1~320之TFT175皆成為開啟之故，第奇數行之共通電極108乃成為共通信號Vc－c之電壓Vsl，第偶數行之共通電極108乃成為共通信號Vc－d之電壓Vsh，各別確定維持於與第1圖框相同之電壓。

然而，於第4圖框中，掃描信號Y80~Y161順序成為高位準的期間中，在第奇數行之掃描信號成為高位準期間中，極性指定信號Pol為低位準之故，經由共通電極驅動電路170a，關於顯示行之奇數行之共通電極108則對應於負極性寫入，確定於高位側之電壓Vsh，另一方面，關於顯示行之偶數行之共通電極108則對應於正極性寫入，確定於低位側之電壓Vsl。

於第7~第10圖框中，在各行下，執行反轉第1~第4圖框之寫入極性之關係的動作。

如此，根據第4實施形態時，於部分模式中，對於全行而言，進行電壓寫入之第1及第7圖框之以外，在第2、第3、第8及第9圖框中，確定共通電極108之電位之故，由於此部分，可抑制顯示品質之下降。更且，根據第4實施形態時，部分模式之顯示行之寫入極性與全畫面模式同樣地，成為在每一掃描線加以反轉之行反轉模式之故，可將部分模式之顯示品質，保持與全畫面模式相同。

<應用·變形例>

於上述第3及第4實施形態中，雖皆在全畫面模式時，成為將對於畫素之寫入極性，於每一行加以反轉之行反轉方式，亦可為於每一列加以反轉之列反轉方式，或於每1行及每1列，在每1畫素加以反轉之點反轉方式。

成為列反轉方式或點反轉方式者，乃例如圖34所示，於每一行，設置2個共通電極108a、108b的同時，如圖35所示，於第奇數j列之畫素110中，對應共通電極108a，於第偶數(j＋1)列之畫素110中，對應共通電極108b即可。

更且，於共通電極驅動電路170a中，將各行之TFT173、174，各別成為TFT173a、173b、和TFT174a、174b之2系列，任一方之系列在共通電極108a，確定成電壓Vsl、Vsh之一方之時，任一另一方之系列，則在共通電極108b，確定成電壓Vsl、Vsh之另一方之構成即可。

又，共通電極驅動電路170b乃將TFT175，各別對應於2個之共通電極108a、108b者，以TFT175a、175b加以2系列化。詳細而言，TFT175a之源極電極乃連接於供給共通電極108a，汲極電極則連接於第1信號線167c，TFT175b之源極電極乃連接於供給共通電極108b，汲極電極則連接於第2信號線167d。

在此，為了成為列反轉方式，例如在奇數列成為正極性時，使偶數列成為負極性即可之故，各行之掃描信號成為高位準時，將對應於奇數列之共通電極108a對應於正極性，確定成為低位側之電壓Vsl，將對應於偶數列之共通電極108b對應於負極性，確定成為高位側之電壓Vsh即可。

然而，列反轉方式及點反轉方式之任一者之中，於第1行之掃描線，施加選擇電壓之期間，成為奇數列之資料信號與偶數列之資料信號互為反轉之關係。更且，為防止於液晶電容120施加直流成分，在特定之圖框期間，需反轉極性。

又，上述實施形態中，雖將共通信號V_c－a 、V_c－b 、信號V_g－a 、V_g－b 、各別成為圖22所示之波形，亦可將共通信號V_c－a 、V_c－b ，例如於每當圖框期間或水平掃描期間(H)反轉(替換)的同時，配合該反轉，規定信號V_g－a 、V_g－b 之邏輯。

又，於垂直回歸線期間，指定寫入極性是無意義之故，令極性指定信號Pol或共通信號Vc－a、Vc－b等之邏輯信號固定於一定之位準，或將此等信號線成為高阻抗狀態亦可。

[電子機器]

接著，對於關於上述實施形態之光電裝置10做為顯示裝置而擁有的電子機器之例加以說明。

圖36乃顯示使用關於實施形態之光電裝置10之行動電話1200之構成圖。如此圖所示，行動電話1200乃具備複數之操作鈕1202之外，伴隨受話口1204、送話口1206，具備有上述光電裝置10。

然而，做為適用光電裝置10之電子機器，除了圖36所示行動電話之外，可列舉數位相機、筆記型電腦、液晶電視、攝錄放影機、汽車導航裝置、呼叫器、電子筆記本、電算機、文字處理機、工作站、電視電話、POS終端、觸控面板等之機器等。然後，做為此等之各種電子機器之顯示裝置，當然可適用上述之光電裝置10。

10‧‧‧光電裝置

20‧‧‧控制電路

100‧‧‧顯示範圍

108‧‧‧共通電極

110‧‧‧畫素

112‧‧‧掃描線

114‧‧‧資料線

116‧‧‧TFT

120‧‧‧液晶電容

130‧‧‧蓄積電容

140‧‧‧掃描線驅動電路

161‧‧‧第1供電線

162‧‧‧第2供電線

163‧‧‧第3供電線

164‧‧‧第4供電線

165‧‧‧第5供電線

166‧‧‧控制線

167‧‧‧信號線

170、170a、170b‧‧‧共通電極驅動電路

171~176‧‧‧TFT

190‧‧‧資料線驅動電路

1200‧‧‧行動電話

[圖1]顯示關於本發明之第1實施形態之光電裝置之構成圖。

[圖2]顯示同光電裝置之畫素之構成圖。

[圖3]顯示同光電裝置之元件基板之主要部構成之平面圖。

[圖4]為說明同光電裝置之全畫面模式之動作之圖。

[圖5]顯示同光電裝置之畫素電極之電壓波形圖。

[圖6]為說明同光電裝置之動作之圖。

[圖7]為說明同光電裝置之部分模式之動作之圖。

[圖8]為說明同光電裝置之部分模式之動作之圖。

[圖9]為說明同光電裝置之部分模式之動作之圖。

[圖10]顯示關於本發明之第2實施形態之光電裝置之構成圖。

[圖11]顯示同光電裝置之元件基板之主要部構成之平面圖。

[圖12]為說明同光電裝置之動作之圖。

[圖13]為說明同光電裝置之部分模式之動作之圖。

[圖14]為說明同光電裝置之部分模式之動作之圖。

[圖15]為說明同光電裝置之部分模式之動作之圖。

[圖16]顯示關於應用例之光電裝置之構成圖。

[圖17]顯示關於應用例之光電裝置之畫素之構成圖。

[圖18]顯示關於本發明之第1實施形態之光電裝置之構成圖。

[圖19]顯示同光電裝置之畫素之構成圖。

[圖20]顯示同光電裝置之元件基板之主要部構成之平面圖。

[圖21]顯示同光電裝置之元件基板之主要部構成之平面圖。

[圖22]為說明同光電裝置之全畫面模式之動作之圖。

[圖23]顯示同光電裝置之畫素電極之電壓波形圖。

[圖24]為說明同光電裝置之動作之圖。

[圖25]為說明同光電裝置之部分模式之動作之圖。

[圖26]為說明同光電裝置之部分模式之動作之圖。

[圖27]為說明同光電裝置之部分模式之動作之圖。

[圖28]顯示關於本發明之第2實施形態之光電裝置之構成圖。

[圖29]顯示同光電裝置之元件基板之主要部構成之平面圖。

[圖30]為說明同光電裝置之動作之圖。

[圖31]為說明同光電裝置之部分模式之動作之圖。

[圖32]為說明同光電裝置之部分模式之動作之圖。

[圖33]為說明同光電裝置之部分模式之動作之圖。

[圖34]顯示關於應用例之光電裝置之構成圖。

[圖35]顯示關於應用例之光電裝置之畫素之構成圖。

[圖36]顯示使用關於實施形態之光電裝置之行動電話圖。