TWI399145B - 配線電路基板及其製造方法 - Google Patents

Description

配線電路基板及其製造方法 [與相關申請之相互關係]

本申請係主張2006年2月14日已提出申請之日本專利申請案No.2006－36727之優先權者，其揭示內容直接引用於本申請。

本發明係配線電路基板及其製造方法，詳而言之，係關於具備與外部端子連接的端子部之配線電路基板及該配線電路基板之製造方法。

配線電路基板通常係於基底絕緣層上形成包含多數配線的導體圖案，進而以被覆導體圖案的方式，在基底絕緣層上形成覆蓋絕緣層。

在此種配線電路基板，導體圖案設有用於與電子零件等外部端子連接的端子部。在覆蓋絕緣層中，係以和端子部對應的方式形成開口部，端子部係從該開口部露出，形成可與外部端子連接。

例如，已揭示有一種技術，其係在具備形成有基板導體的基板本體、和形成在基板本體上且在IC晶片安裝位置具有開口部之絕緣保護膜的覆晶(flip chip)安裝用印刷配線基板中，在開口部露出基板導體之連接導體部，並連接該連接導體部和IC晶片之電極(例如，參照日本特開2005－175113號公報)。

在此種配線電路基板，欲將端子部和外部端子連接時，端子部和開口部之相對配置、開口部之尺寸非常重要。

眾知覆蓋絕緣層形成方法之第1方法係藉由利用光罩(photo mask)將感光性樹脂曝光及顯像之光學加工而形成開口部之形成方法，第2方法係以藉由印刷方法形成開口部之方式形成抗焊劑(solder resist)的方法，第3方法係將預先形成有開口部的絕緣樹脂膜經由接合劑貼合，或將絕緣樹脂膜經由接合劑貼合之後予以穿孔以形成開口部之方法。

且，上述第1至第3任一種覆蓋絕緣層的形成方法，亦有開口部實際上的形成位置偏離開口部設計上的形成位置之情形。

即，具體而言，在第1方法，在光學加工中因光罩配置之偏離而有開口部實際上的形成位置偏離開口部設計上的形成位置之情形。且，在第2方法中，因抗焊劑印刷之偏離而有開口部實際上的形成位置偏離開口部設計上的形成位置、或開口部實際上的尺寸偏離開口部設計上的尺寸之情形。再者，在第3方法中，有預先形成有開口部的絕緣樹脂膜偏離開口部設計上的形成位置而被貼合，或貼合後偏離絕緣樹脂膜開口部設計上的形成位置而被穿孔，致使開口部實際上的尺寸偏離開口部設計上的尺寸而被穿孔之情形。

如上述地在開口部實際上的形成位置偏離開口部設計上的形成位置而形成之情形，端子部會被覆蓋絕緣層所被覆，即未露出成可安裝電子零件，因此難以進行電子零件之安裝。因此，在此種配線電路基板之製造中，必須判別覆蓋絕緣層開口部實際上的形成位置是否偏離開口部設計上的形成位置而形成，且當覆蓋絕緣層開口部實際上的形成位置偏離開口部設計上的形成位置而形成時，必須將配線電路基板當作不良品去除。

如上所述，判別覆蓋絕緣層開口部實際上的形成位置是否偏離開口部設計上的形成位置而形成的方法，眾知例如有利用顯微鏡實測端子部和開口部之相對位置偏離、或開口部尺寸偏離之方法。

但是，由於如上述地實測偏離的方法非常麻煩，因此難以確保高生產性、謀求成本降低。

本發明之目的在於提供可將配線電路基板之良否，一面確實且簡便地予以判別，一面確保高生產性且謀求成本降低之配線電路基板及該配線電路基板之製造方法。本發明之配線電路基板係具有基底(base)絕緣層；導體圖案，形成在前述基底絕緣層之上；及掩蔽(cover)絕緣層，係以被覆前述導體圖案之方式，形成在前述基底絕緣層之上；其中，前述導體圖案包含有與外部端子連接用的端子部，在前述掩蔽絕緣層中，係對應於前述端子部而形成有開口部，並且，在前述端子部附近，係設置有用於判別臨向前述開口部的前述掩蔽絕緣層之端緣是否位於適當位置的位置判別區域。

在本發明之配線電路基板，用於判別臨向開口部的覆蓋絕緣層之端緣是否位在適當位置之位置判別區域，係設於端子部附近。因此，根據位置判別區域，即可容易地判別覆蓋絕緣層端緣是否位在適當位置。結果，可容易地判別覆蓋絕緣層開口部實際上的形成位置是否偏離開口部設計上的形成位置而形成，因此可提供一面確實且簡便地判別配線電路基板之良否，一面確保高生產性且謀求成本降低之配線電路基板。

且，本發明之配線電路基板中，前述位置判別區域係以沿著前述掩蔽絕緣層端緣之方向延伸的方式形成，並且在與沿著前述掩蔽絕緣層端緣之方向成交叉的方向中，與前述掩蔽絕緣層端緣所形成的位置所相關之公差，係藉由隔著可容許的間隔且對向配置的1組判別標記而劃分為佳。

且，本發明之配線電路基板中，前述端子部係沿著前述掩蔽絕緣層端緣之方向並列複數個而設置，前述導體圖案係包含：對應於各前述端子部，從各前述端子部朝向沿著與前述掩蔽絕緣層端緣之方向成交叉的方向延伸之配線；前述判別標記係設置於，在沿著前述掩蔽絕緣層端緣的方向中，最外側的前述配線之外側為佳。

且，本發明之配線電路基板中，前述判別標記係設成，從沿著前述掩蔽絕緣層端緣之方向中的兩最外側的前述配線向外側突出為佳。

且，本發明之配線電路基板之製造方法係具備下列步驟：在基底絕緣層上，形成包含有用以與外部端子連接的端子部之導體圖案的步驟；在前述基底絕緣層上，以被覆前述導體圖案且形成露出前述端子部的開口部之方式，形成掩蔽絕緣層的步驟；形成用於判別臨向前述開口部的前述掩蔽絕緣層之端緣是否位於適當位置的位置判別區域之步驟；及判別前述掩蔽絕緣層端緣是否位於適當位置的步驟；其中，在判別前述掩蔽絕緣層端緣是否位於適當位置的步驟中，當前述掩蔽絕緣層端緣配置在前述位置判別區域時，係將配線電路基板檢測為良品，而當前述掩蔽絕緣層端緣未配置在前述位置判別區域時，係將配線電路基板檢測為不良品。

本發明之配線電路基板之製造方法中，當掩蔽絕緣層端緣是配置在位置判別區域時，係將配線電路基板檢測為良品，而當掩蔽絕緣層端緣未配置在位置判別區域時，將配線電路基板檢測為不良品。因此，根據位置判別區域即可容易地判別覆蓋絕緣層開口部實際上的形成位置是否偏離開口部設計上的形成位置，藉此可容易地判別配線電路基板為良品或不良品。其結果為可確實且簡便地判別配線電路基板之良否，並可確保高生產性且謀求成本降低。

且，本發明之配線電路基板之製造方法中，在形成前述導體圖案的步驟及形成前述位置判別區域的步驟中，係將前述導體圖案和前述位置判別區域同時地形成為佳。

第1圖(a)係本發明之配線電路基板之一實施形態的安裝區域放大俯視圖，第1圖(b)係表示第1圖(a)所示之配線電路基板的安裝區域的A－A線放大剖視圖。

雖未圖示該配線電路基板1，但其係例如延伸成俯視為大致矩形帶狀的可撓配線電路基板，在其兩端部具備第1圖(a)所示之安裝區域26，各安裝區域26設有安裝電子零件21的俯視為大致矩形狀的安裝部27。

且，該配線電路基板1係如第1圖(b)所示，具備：基底絕緣層2；導體圖案3，係形成在基底絕緣層2上；及覆蓋絕緣層4，係形成在基底絕緣層2上以被覆導體圖案3。

雖未圖示基底絕緣層2，但其係例如必須隔成配線電路基板1的外形形狀，而形成俯視為大致矩形帶狀。

導體圖案3係如第1圖(a)所示，在各安裝區域26，一體地具備：多數個端子部6，用於和電子零件21的外部端子22連接；及多數配線5，係對應各端子部6而設。

多數個端子部6係在安裝部27，以臨向安裝部27各邊(4邊)的方式，設成與電子零件21的外部端子22相對向地配置，各端子部6係在安裝部27各邊，彼此隔著間隔並列，且以朝向沿安裝部27各邊的方向之正交方向延伸的方式而配置。

各配線5係對應於各端子部6，設成彼此隔著間隔並列。且，各配線5係在安裝部27各邊，形成從各端子部6朝向沿覆蓋絕緣層4的端緣7方向之正交方向延伸。此外，各配線5的寬W1係例如設定成5至500 μ m，各配線5間的間隔W2係例如設定成5至500 μ m。

且，雖未圖示，但形成在配線電路基板1兩端部的各安裝區域26之各端子部6，係經由各對應之配線5而連接。

覆蓋絕緣層4係以被覆上述配線5的方式而形成在基底絕緣層2上，且形成有對應於各安裝區域26的開口部8。各開口部8係以包圍安裝部27的方式，開口成比安裝部27稍大的形狀相似之俯視為大致矩形狀，各邊之端緣7係與從安裝部27各邊並行延伸的各配線5正交。

然後，在該配線電路基板1，各安裝區域26設有判別標記14。

判別標記14係如第1圖(a)及第3圖所示，設在開口部8的每一邊，在沿覆蓋絕緣層4的端緣7方向之兩外側(最外側)之配線5外側，各自形成為1組。

1組判別標記14係在最外側的各配線5中，沿其長方向，隔著覆蓋絕緣層4的端緣7所形成之位置所相關的公差所容許的間隔而對向配置。

更具體而言，1組判別標記14係在最外側的各配線5中，由與對應的各端子部6較近的第1突部9、和較遠的第2突部10所形成。

第1突部9及第2突部10皆為自最外側的配線5起連續形成進而突出在外側的俯視為大致矩形狀者。

第1突部9及第2突部10之沿配線5長方向之方向的長度L1，係例如設定成15至150 μm、較佳為設定成20至100 μm，沿覆蓋絕緣層4的端緣7方向之長度L2，係例如設定成15至150 μm、較佳為設定成20至100 μm。若較上述長度長，則可配置之位置受到限定，而若較上述長度短，則有難以觀察之情形。

然後，該1組判別標記14係在開口部8各邊，各自對應兩外側之配線5而設置，根據該等判別標記14(即2個第1突部9及2個第2突部10)而在開口部8各邊，各自區隔位置判別區域13。

即，位置判別區域13係各自(4個)對應開口部8各邊而形成，更具體而言，各位置判別區域13係藉由連結2個第1突部9的內端緣15(配線5長方向的端子部6側之端緣)之第1基準線BL1、和連結2個第2突部10的外端緣16(配線5長方向的端子部6和相反側之端緣)之第2基準線BL2而被夾持，在開口部8各邊區隔成沿端緣7的帶狀區域。

在各位置判別區域13，各第1突部9的內端緣15和各第2突部10的外端緣16之間的間隔(位置判別區域13的寬L3)係如上述地，設定成形成覆蓋絕緣層4的端緣7之位置所相關的公差所容許之間隔。

藉此，如第1圖(a)所示，在所有的開口部8各邊，當開口部8的端緣7位在第1基準線BL1和第2基準線BL2之間時，判別為覆蓋絕緣層4的端緣7位在各邊之適當位置，而可偵知開口部8形成在設計上的形成位置(包含公差範圍)之情形。

相對於此，在開口部8各邊之至少任一邊，覆蓋絕緣層4的端緣7未位於第1基準線BL1和第2基準線BL2之間時，例如如第15圖所示，開口部8從設計上的形成位置，全體地偏離在紙面右側，當在紙面右側的位置判別區域13，覆蓋絕緣層4的端緣7超過第2基準線BL2，而在紙面左側的位置判別區域13，覆蓋絕緣層4的端緣7超過第1基準線BL1時，即判別該等左右覆蓋絕緣層4的端緣7未位於適當位置，而可偵知開口部8未形成在設計上的形成位置(包含公差範圍)。

此外，在開口部8各邊，第1基準線BL1和第2基準線BL2之間的長度(即，公差範圍之位置判別區域13的寬L3)係例如為100至300 μm、較佳為150至200 μm。

且，該配線電路基板1中，在各安裝區域26，從開口部8露出的各端子部6、各配線5及各判別標記14(通常只有第1突部9)係層積有鍍金屬層11。

接著，參照第2圖說明該配線電路基板1之製造方法。

該方法中，首先如第2圖(a)所示，準備基底絕緣層2。基底絕緣層2係採用例如聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚醚腈樹脂、聚醚碸樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂、聚氯乙烯樹脂等合成樹脂膜。較佳為採用聚醯亞胺樹脂膜。

預先將基底絕緣層2作為合成樹脂膜而予以準備，或在未圖示之剝離板上，藉由澆注(Casting)使合成樹脂清漆成膜、乾燥後，依需要硬化，藉此予以準備基底絕緣膜2。再者，在剝離板上，藉由澆注使感光性合成樹脂清漆成膜、乾燥後，曝光後予以顯影而加工成預定圖案，並依需要硬化，藉此予以準備。此外，基底絕緣層2的厚度係例如5至50 μm。

接著，該方法中，如第2圖(b)所示，在基底絕緣層2上同時地形成導體圖案3、和各1組判別標記14。導體圖案3及各1組判別標記14係例如採用銅、鎳、金、焊錫、或該等之合金等金屬箔，就導電性、廉價性及加工性之觀點而言，較佳為採用銅箔。

此外，導體圖案3及各1組判別標記14係於基底絕緣層2上，例如利用移除法(subtractive method)或添加法(additive method)等眾知之圖案形成法，藉由由上述多數端子部6和多數配線5所構成之預定圖案，或藉由將各1組判別標記14對應於安裝部27各邊而從兩最外側配線5朝向外側突出之圖案，而形成導體圖案3。

移除法中，首先在基底絕緣層2全面，依需要而經由接合劑層層積金屬箔。接著，在該金屬箔表面以與導體圖案3、及各1組判別標記14相同的圖案，形成蝕刻阻劑(Etching resist)。蝕刻阻劑係利用乾膜光阻等，藉由眾知的方法形成。然後，將從蝕刻阻劑所露出的金屬箔予以蝕刻後，藉由蝕刻或剝離除去蝕刻阻劑。此外，預先在基底絕緣層2上，準備層積金屬箔的二層基材，藉由將該金屬箔蝕刻的方式，亦可同時地在基底絕緣層2上形成導體圖案3及各1組判別標記14。

此外，在添加法中，首先在基底絕緣層2全面形成當作種膜的金屬薄膜。金屬薄膜係由鉻、鎳、銅及該等之合金等，利用濺鍍法等薄膜形成法而形成。接著，在金屬薄膜表面以導體圖案3及各1組判別標記14的反轉圖案，形成電鍍阻劑。電鍍阻劑係利用乾膜光阻等，藉由曝光及顯影之眾知的方法而形成。然後，在電鍍阻劑所露出的基底絕緣層2表面，同時地形成導體圖案3及各1組判別標記14。導體圖案3及各1組判別標記14係藉由例如電解鍍覆、較佳為電解鍍銅所形成。此外，各1組判別標記14係與對應安裝部27之各邊的兩最外側配線5連接，因此在電解鍍覆時，從與配線5共通的電鍍導線供電，而可形成各1組判別標記14。然後，藉由蝕刻或剝離而除去電鍍阻劑後，藉由蝕刻除去從導體圖案3及1組判別標記14所露出的金屬薄薄膜。

藉此，如第1圖(a)所示，同時地形成由多數個端子部6和對應於該等的多數條配線5所構成之導體圖案3、和各1組判別標記14。如此一來，與上述導體圖案3及各1組判別標記14之形成，同時地形成對應於安裝部27各邊且藉由兩外側之位置判別標記14所區隔的位置判別區域13。此外，導體圖案3及各1組判別標記14之厚度係例如3至50 μm。

接著，該方法中，如第2圖(c)所示，在基底絕緣層2上，以形成露出安裝部27的開口部8之方式，形成覆蓋絕緣層4。

例如，覆蓋絕緣層4係藉由利用抗焊劑的印刷法，以形成開口部8的方式形成。更具體而言，將環氧系、丙烯酸系、氨基甲酸乙酯系等眾知的抗焊劑，藉由眾知的印刷法，以形成開口部8的方式，塗布在包含導體圖案3的基底絕緣層2上，然後藉由使抗焊劑硬化的方式，形成覆蓋絕緣層4。

此外，覆蓋絕緣層4亦可藉由曝光及顯影之眾知的光加工，以形成開口部8的方式而形成。更具體而言，將感光性合成樹脂清漆，藉由澆注而成膜在包含導體圖案3的基底絕緣層2上而予以成膜，且使其乾燥形成皮膜。接著，經由光罩使被形成的皮膜曝光而顯影，藉此以形成開口部8的方式形成圖案後，藉由使其硬化而形成覆蓋絕緣層4。感光性合成樹脂清漆係採用與形成基底絕緣層2所用者相同，較佳為採用感光性聚醯胺酸樹脂清漆。

再者，關於覆蓋絕緣層4，亦可藉由準備利用沖孔等預先形成有開口部8的合成樹脂(較佳為聚醯亞胺樹脂)膜，並將該膜經由接合劑而貼合在包含導體圖案3的基底絕緣層2上而形成，或將合成樹脂(較佳為聚醯亞胺樹脂)膜經由接合劑而貼合在包含導體圖案3的基底絕緣層2上之後，藉由鑽頭加工、雷射加工或蝕刻等，在該膜形成開口部8而形成。此外，接合劑係採用例如環氧系接合劑或丙烯酸系接合劑等。且，利用接合劑所形成的接合劑層厚度係例如為5至30 μm。

如此地形成之覆蓋絕緣層4厚度係例如為3至30 μm。

接著，該方法中，如第2圖(d)所示，在從覆蓋絕緣層4的開口部8所露出之各端子部6、各配線5及各1組判別標記14，形成鍍金屬層11。鍍金屬層11係採用例如金或鎳等金屬。且，鍍金屬層11係藉由例如無電解鍍覆或電解鍍覆而形成。較佳為順序層積鍍鎳層及鍍金層。該鍍金屬層11之厚度例如，鍍金層時例如為0.1至1 μm，鍍鎳層時例如為0.5至5 μm。

接著，該方法中，如第1圖(a)所示，根據位置判別區域13而判別覆蓋絕緣層4的端緣7是否位於適當位置。

覆蓋絕緣層4的端緣7是否位於適當位置，係例如利用光學顯微鏡(例如20至40倍率)藉由觀察而予以判別。

例如，如第15圖所示，在覆蓋絕緣層4係由上述抗焊劑所形成的情形中，在產生抗焊劑塗布時的位置偏離(即，超過形成覆蓋絕緣層4的端緣7之位置所相關的公差之偏離)時，再者，例如在覆蓋絕緣層4係由曝光及顯像之光加工而形成上述感光性樹脂的情形中，當產生光罩之位置偏離(即，超過覆蓋絕緣層4的端緣7之形成位置所相關的公差範圍之偏離)時，再者，例如在覆蓋絕緣層4係由經由接合劑所貼合之合成樹脂膜所形成的情形中，當產生層積膜之位置偏離(即，超過覆蓋絕緣層4的端緣7之形成位置所相關的公差範圍之偏離)時，上述任一種情形皆是在開口部8各邊之至少任一邊，覆蓋絕緣層4的端緣7未被配置在位置判別區域13，當觀察到此情形時，即可判別覆蓋絕緣層4的開口部8實際上的形成位置係偏離開口部8設計上的形成位置而形成，而將配線電路基板1檢測為不良品。

另一方面，例如如第1圖(a)所示，在所有的開口部8各邊，覆蓋絕緣層4的端緣7之偏離係於覆蓋絕緣層4的端緣7之形成位置所相關之公差範圍內時，覆蓋絕緣層4的端緣7係被配置在位置判別區域13(即，第1基準線BL1和第2基準線BL2之間)。更具體而言，可觀察1組判別標記14中的第1突部9之內端緣15，且無法觀察到1組判別標記14中的第2突部10之外端緣16。觀察到該情形時，可判別為覆蓋絕緣層4的開口部8實際上的形成位置未偏離開口部8設計上的形成位置而形成之情形，而可將配線電路基板1檢測為良品。

然後，在將配線電路基板1檢測為不良品時，由於被覆端子部6的覆蓋絕緣層4阻礙該端子部6、和電子零件21的外部端子22之電性連接，而無法安裝電子零件21，因此此種具有覆蓋絕緣層4的配線電路基板1被當作不良品而被去除。

另一方面，當將配線電路基板1檢測為良品時，可確保端子部6、和電子零件21的外部端子22之良好電性連接，因此將該配線電路基板1當作良品處理，例如如第1圖(a)虛線所示，安裝電子零件21，並將該電子零件21的外部端子22、和端子部6予以電性連接。且，由於覆蓋絕緣層4的端緣7位於適當位置，因此藉由確實地以覆蓋絕緣層4被覆導體圖案3的配線5而予以保護，可有效地防止配線電路基板1的導體圖案3之腐蝕或強度降低。

然後，在此種配線電路基板1的製造方法中，當覆蓋絕緣層4的端緣7係配置在位置判別區域13時，將配線電路基板1檢測為良品，未配置在覆蓋絕緣層4的端緣7之位置判別區域13時，將偵知配線電路基板1檢測為不良品。因此，根據位置判別區域13，即可容易地判別配線電路基板1為良品或不良品。結果，可確實且簡便地判別配線電路基板1之良否，且確保高生產性、謀求成本降低。

此外，該配線電路基板1之製造方法中，同時地形成導體圖案3、和位置判別區域13。因此，可簡單地形成導體圖案3、和位置判別區域13。結果，可確保高生產性、謀求成本降低。

然後，如此地獲得之配線電路基板1，其用於判別面臨開口部8的覆蓋絕緣層4的端緣7是否位在適當位置之位置判別區域13，係設在端子部6附近。因此，根據位置判別區域13，可容易地判別覆蓋絕緣層4的端緣7是否位在適當位置。結果，可提供能夠確實且簡便地判別電路基板1之良否，並確保高生產性、謀求成本降低之配線電路基板1。

此外，位置判別區域13係在開口部8各邊，係藉由在對於兩外側配線5長方向(沿覆蓋絕緣層4的端緣7之方向)之正交方向，隔著形成覆蓋絕緣層4的端緣7之位置所相關的公差所容許之間隔而對向配置的1組判別標記14所區隔。因此，可藉由1組判別標記14簡單地設置位置判別區域13。

此外，1組判別標記14係設在沿覆蓋絕緣層4的端緣7方向中的最外側配線5的外側。因此，可使配線5的間隔W2微距(fine pitch)化，且設定成上述長度。

此外，1組判別標記14係設在每一開口部8各邊，以從沿覆蓋絕緣層4的端緣7方向中的兩最外側(最外側)配線5朝向外側突出的方式形成，判別標記14的第1突部9及第2突部10係與導體圖案3的最外側配線5連接。因此，在由上述電解鍍覆所進行之導體圖案3的形成中，藉由來自與配線5共通的電鍍導線之供電，可同時地形成導體圖案3、和1組判別標記14。結果，可簡單地形成1組判別標記14。

此外，上述說明中，在開口部8各邊，1組判別標記14係將第1突部9及第2突部10，形成與沿覆蓋絕緣層4的端緣7方向中的最外側(兩外側)各配線5連續，但亦可例如如第4圖所示，在開口部8各邊，相對於沿覆蓋絕緣層4的端緣7方向中的最外側(兩外側)各配線5，並進而在其外側隔著間隔W3，形成並行於各配線5而延伸的專用配線17，且從該專用配線17以連續地在沿覆蓋絕緣層4的端緣7方向朝向內側突出之方式形成第1突部9及第2突部10，從而形成1組判別標記14。

然後，藉由該1組判別標記14，在開口部8各邊，位置判別區域13被連結各第1突部9的內端緣15之第1基準線BL1、和連結各第2突部10的外端緣16之第2基準線BL2所夾持，而在開口部8各邊區隔成沿端緣7之帶狀區域。

此外，例如如第5圖所示，不設專用配線17，而對於沿覆蓋絕緣層4的端緣7方向中的最外側各配線5，隔著間隔W3，由第1突部9及第2突部10形成判別標記14亦可。

該判別標記14中，如第5圖所示，第1突部9及第2突部10係各自獨立且形成為俯視呈正方形狀者。

此外，如第4圖及第5圖所示，判別標記14對各配線5的第1突部9及第2突部10、和沿覆蓋絕緣層4的端緣7方向中的最外側配線5之間隔W3，係例如設定在70 μm以內，較佳為設定在15至30 μm。

然後，藉由1組判別標記14，在開口部8各邊，位置判別區域13被連結各第1突部9的內端緣15之第1基準線BL1、和連結各第2突部10的外端緣16之第2基準線BL2所夾持，而在開口部8各邊區隔成沿端緣7之帶狀區域。

再者，亦可取代第5圖所示判別標記14的第1突部9及第2突部10之俯視正方形狀，而形成俯視圖形形狀或俯視字母形狀，例如俯視三角形狀(在配線5長方向內方具有頂點之三角形狀，參照第6圖)、俯視＋字形狀(參照第7圖)、俯視－字形狀(沿覆蓋絕緣層4的端緣7方向之－字形狀，參照第8圖)、俯視T字形狀(沿配線5長方向之方向的T字形狀，參照第9圖)、俯視T字形狀(沿覆蓋絕緣層4的端緣7方向之T字形狀，參照第10圖)、俯視L字形狀(參照第11圖)、俯視圓形狀(參照第12圖)等，而可根據目的及用途等而適當選擇其平面形狀。

然後，如第5圖至第12圖所示，藉由各1組判別標記14，在開口部8各邊，各自區隔出位置判別區域13。

更具體而言，在第5圖、第6圖、第8圖、第9圖、第11圖及第12圖，位置判別區域13連結各第1突部9的內端緣15之第1基準線BL1、和連結各第2突部10的外端緣16之第2基準線BL2所夾持，而在開口部8各邊區隔成沿端緣7的帶狀區域。

此外，更具體而言，在第7圖及第10圖，位置判別區域13被連結沿配線5長方向之方向中的各第1突部9中心的第1基準線BL1、和連結沿配線5長方向之方向中的各第2突部10中心的第2基準線BL2所夾持，而在開口部8各邊區隔成沿端緣7的帶狀區域。

再者，亦可取代第1突部9及第2突部10，如第13圖所示，由沿著最外側各配線5長方向連續地延伸之俯視為大致矩形狀的1個突部18形成判別標記14。

然後，藉由1組判別標記14，在開口部8各邊各自區隔位置判別區域13。

更具體而言，位置判別區域13被連結各突部18的內端緣15之第1基準線BL1、和連結各突部18的外端緣16之第2基準線BL2所夾持，而在開口部8各邊區隔成沿端緣7的帶狀區域。

此外，亦可如第14圖所示，由第1凹部19及第2凹部20形成判別標記14，而取代第1突部9及第2突部10。

第1凹部19及第1凹部20係將沿覆蓋絕緣層4的端緣7方向中的最外側各配線5，形成朝向內側開口成俯視為正方形狀。

然後，藉由1組判別標記14，在開口部8各邊各自區隔出位置判別區域13。

更具體而言，位置判別區域13被連結各第1凹部19的內端緣15之第1基準線BL1、和連結各第2凹部20的外端緣16之第2基準線BL2所夾持，而在開口部8各邊區隔成沿端緣7的帶狀區域。

此外，上述各圖中，如第3圖至第6圖、第8圖、第9圖、第11圖、第13圖及第14圖所示，判別標記14係使第1基準線BL1及第2基準線BL2包含明確且可辨識之直線部分的平面形狀為較佳。

此外，上述第4圖至第14圖所示判別標記(相當於第1圖(a)中的第1突部9及第2突部10的部分)中，沿配線5長方向之方向的長度L1係設定成例如15至150 μm，較佳為設定成20至100 μm，沿覆蓋絕緣層4的端緣7之方向的長度L2係設定成例如15至150 μm，較佳為設定成20至100 μm。

此外，上述1組判別標記14係與導體圖案3之形成同時地，由形成導體圖案3的金屬相同之金屬所形成，1組判別標記14只要可在進行觀察時，成為判別被覆上述端子部6的覆蓋絕緣層4的端緣7之適當位置之基準，則並無特別限制，例如在從覆蓋絕緣層4的開口部8所露出之基底絕緣層2，藉由雷射或模具等形成凹陷或貫通孔，亦可形成1組判別標記14。

此外，上述說明中，係將1組判別標記14設在沿覆蓋絕緣層4的端緣7方向中的最外側(兩外側)配線5之外側，但不限於此，亦可將未圖示的1組判別標記14設在沿覆蓋絕緣層4的端緣7方向中的最外側配線5之內側。從將配線5微矩化的觀點來看，將1組判別標記14設在沿覆蓋絕緣層4的端緣7方向中的最外側配線5之外側係較佳。

此外，1組判別標記14係設在沿覆蓋絕緣層4的端緣7方向中的兩最外側配線5，但不限於此，亦可僅將不圖示的1個判別標記14設在沿覆蓋絕緣層4的端緣方向中的最外側的一方配線5。較佳係將1組判別標記14設在沿覆蓋絕緣層4的端緣7方向中的兩最外側配線5。

此外，位置判別區域13係各自(4個)設置在所有的開口部8之邊，但不限於此，亦可將未圖示的位置判別區域13設在開口部8的4邊之至少任一邊。較佳為將位置判別區域13設在開口部8所有的4邊，用以更正確地判斷覆蓋絕緣層4的端緣7之位置。

此外，上述說明係提供作為本發明之例示實施形態，但其係僅止於例示，而不可解釋為限定。本技術領域之同業者所理解之本發明的變形例係包含在後述之專利申請範圍者。

1．．．配線電路基板

2．．．基底絕緣層

3．．．導體圖案

4．．．掩蔽絕緣層

5．．．配線

6．．．端子部

7．．．端緣

8．．．開口部

9．．．第1突部

10．．．第2突部

11．．．鍍金屬層

13．．．位置判別區域

14．．．判別標記

15．．．內端緣

16．．．外端緣

17．．．專用配線

18．．．突部

19．．．第1凹部

20．．．第2凹部

21．．．電子零件

22．．．外部端子

26．．．安裝區域

27．．．安裝部

BL1．．．第1基準線

W2、W3．．．間隔

BL2．．．第2基準線

L1、L2．．．長度

W1、L3．．．寬度

第1圖(a)係表示本發明之配線電路基板之一實施形態的安裝區域放大俯視圖(掩蔽絕緣層端緣配置在位置判別區域的狀態)，(b)係表示(a)所示之配線電路基板的安裝區域中的A－A線放大剖視圖。

第2圖係表示第1圖(b)所示之配線電路基板的製造方法之步驟圖，(a)係準備基底絕緣層的步驟，(b)係於基底絕緣層上，同時形成導體圖案和判定記號的步驟，(c)係於基底絕緣層上，以形成開口部的方式形成掩蔽絕緣層的步驟，(d)係於從掩蔽絕緣層的開口部露出之各端子部、各配線及各1組判別標記，形成鍍金屬層的步驟。

第3圖係第1圖(a)所示之配線電路基板的開口部之一邊掩蔽絕緣層端緣中的放大俯視圖。

第4圖係表示1組判別標記的另一實施形態(設在專用配線的俯視正方形狀之判別標記)，亦即對應第3圖之放大俯視圖。

第5圖係表示1組判別標記的另一實施形態(遠離配線的俯視正方形狀之判別標記)，亦即對應第3圖之放大俯視圖。

第6圖係表示1組判別標記的另一實施形態(遠離配線的俯視三角形狀之判別標記)，亦即對應第3圖之放大俯視圖。

第7圖係表示1組判別標記的另一實施形態(遠離配線的俯視＋字形狀之判別標記)，亦即對應第3圖之放大俯視圖。

第8圖係表示1組判別標記的另一實施形態(遠離配線的俯視－字形狀之判別標記)，亦即對應第3圖之放大俯視圖。

第9圖係表示1組判別標記的另一實施形態(遠離配線，沿配線長方向之方向的俯視T字形狀之判別標記)，亦即對應第3圖之放大俯視圖。

第10圖係表示1組判別標記的另一實施形態(遠離配線，沿掩蔽絕緣層端緣方向之俯視T字形狀之判別標記)，亦即對應第3圖之放大俯視圖。

第11圖係表示1組判別標記的另一實施形態(遠離配線之俯視L字形狀之判別標記)，亦即對應第3圖之放大俯視圖。

第12圖係表示1組判別標記的另一實施形態(遠離配線之俯視圓形狀之判別標記)，亦即對應第3圖之放大俯視圖。

第13圖係表示1組判別標記的另一實施形態(連續於配線的俯視大致矩形狀之判別標記)，亦即對應第3圖之放大俯視圖。

第14圖係表示1組判別標記的另一實施形態(連續於配線，俯視為正方形狀切口之判別標記)，亦即對應第3圖之放大俯視圖。

第15圖係表示第1圖(a)所示之配線電路基板之一實施形態的安裝區域放大俯視圖(掩蔽絕緣層端緣未配置在位置判別區域之狀態)。

1．．．配線電路基板

2．．．基底絕緣層

3．．．導體圖案

4．．．掩蔽絕緣層

5．．．配線

6．．．端子部

7．．．端緣

8．．．開口部

9．．．第1突部

10．．．第2突部

13．．．位置判別區域

14．．．判別標記

15．．．內端緣

16．．．外端緣

21．．．電子零件

22．．．外部端子

26．．．安裝區域

27．．．安裝部

BL1．．．第1基準線

W2．．．間隔

BL2．．．第2基準線

L1、L2．．．長度

W1、L3．．．寬度

Claims (5)

1. 一種配線電路基板，係具有：基底(base)絕緣層；導體圖案，形成於前述基底絕緣層之上；以及掩蔽(cover)絕緣層，以被覆前述導體圖案的方式，形成於前述基底絕緣層之上；其中，前述導體圖案，係含有與外部端子連接用的端子部；在前述掩蔽絕緣層中，係對應於前述端子部而形成有開口部；於前述端子部的附近，設置有用以判別臨向前述開口部的前述掩蔽絕緣層之端緣是否位於適當位置的位置判別區域；前述位置判別區域，係以沿著前述掩蔽絕緣層端緣之方向延伸的方式形成；並且在與沿著前述掩蔽絕緣層端緣之方向成交叉的方向中，係藉由1組判別標記而劃分，該1組判別標記係隔著容許與前述掩蔽絕緣層端緣所形成的位置有關的公差的間隔而相對向配置。
2. 如申請專利範圍第1項之配線電路基板，其中，前述端子部係沿著前述掩蔽絕緣層端緣之方向並列複數個而設置；前述導體圖案係包含：對應於各前述端子部，從各前述端子部向沿著與前述掩蔽絕緣層端緣的方向成交 叉的方向延伸的配線；前述判別標記係設置於，在沿著前述掩蔽絕緣層端緣的方向中最外側之前述配線之外側。
3. 如申請專利範圍第2項之配線電路基板，其中，前述判別標記係設置成，從沿著前述掩蔽絕緣層端緣的方向中的兩最外側之前述配線向外側突出。
4. 一種配線電路基板的製造方法，具有下列步驟：在基底絕緣層上，形成包含有用以與外部端子連接之端子部的導體圖案的步驟；在前述基底絕緣層上，以被覆前述導體圖案且形成露出前述端子部的開口部的方式形成掩蔽絕緣層的步驟；形成用以判別臨向前述開口部的前述掩蔽絕緣層之端緣是否位於適當位置的位置判別區域的步驟；以及判別前述掩蔽絕緣層端緣是否位於適當位置的步驟；其中，前述位置判別區域，係以沿著前述掩蔽絕緣層端緣之方向延伸的方式形成；並且在與沿著前述掩蔽絕緣層端緣之方向成交叉的方向中，係藉由1組判別標記而劃分，該1組判別標記係隔著容許與前述掩蔽絕緣層端緣所形成的位置有關的公差的間隔而相對向配置；其中，在判別前述掩蔽絕緣層端緣是否位於適當位置的步驟中，當前述掩蔽絕緣層端緣配置於前述位置判 別區域時，係將配線電路基板檢測為良品，而當前述掩蔽絕緣層端緣未配置於前述位置判別區域時，係將配線電路基板檢測為不良品。
5. 如申請專利範圍第4項之配線電路基板的製造方法，其中，在形成前述導體圖案的步驟以及形成前述位置判別區域的步驟中，係將前述導體圖案與前述位置判別區域同時形成。