TWI398987B - Wireless IC tag - Google Patents

Description

無線IC標籤

本發明關於無線IC(積體電路)標籤之技術，特別關於無線IC標籤所搭載之微帶狀天線(micro stripe antenna)之阻抗匹配相關的技術。

無線IC標籤可將儲存於該無線IC標籤的ID編號等資訊以無線進行送受信。因此，藉由讀/寫器和無線IC標籤間之通信，可以非接觸式讀取無線IC標籤所記憶之資訊。因為使用無線，即使在放入袋或箱之狀態下亦可讀取IC晶片之資訊。因此廣泛應用於物品之製造管理或物流管理等。

此種無線IC標籤係由以下構成：記錄有資訊的IC晶片；及天線，其以無線進行IC晶片所記錄資訊之送受信。使用於無線IC標籤之天線，有各種類之天線。其代表例有，將IC晶片之端子分別連接於2片金屬片之端部的偶極(dipole)天線。偶極天線因為構造簡單，製品單價亦便宜，適合大量黏貼。但是，安裝無線IC標籤的物品之材質為金屬，或樹木、食肉、生體、野菜等含有水分之物質時，通信距離會顯著降低而有無法通信之可能性。將無線IC標籤裝配於彼等物品亦能確保穩定之通信距離的天線，一般習知有微帶狀天線。

一般之微帶狀天線之構成，係由放射電極與接地導體等2個導電體挾持介電體而構成。對天線之供電係藉由連接放射電極與接地導體而動作。於無線IC標籤使用微帶狀天線時，係將搭載之IC晶片之兩端子連接於天線之供電點。

但是，微帶狀天線係貫穿介電體藉由IC晶片之端子來連接導電體間，因此，天線受外力而變形時，該天線間之距離會變化，而有可能破壞其之連接。

以下說明IC晶片與天線間之阻抗匹配。

IC晶片之阻抗係由電阻成份與電抗成份(reactance)構成。天線之阻抗亦由電阻成份與電抗成份構成。例如IC晶片之電抗成份為和容量成份，天線之電抗成份為和電感成份等效時，可以抵消各別之影響，因此天線產生之電流可以有效流入IC晶片而使動作。但是，和天線間之接合時，該容量成份與電抗成份之變動(誤差)、亦即產生阻抗不匹配之連接時，天線產生之電流變為無法有效供給至IC晶片，其成為無線IC標籤之通信距離降低之原因。作為此種阻抗匹配之技術，習知有例如變化天線之供電位置，而進行天線之阻抗匹配的技術，或於天線連接線圈或電容器而進行天線之阻抗匹配的技術，或加工天線之供電部分藉由稱為縫隙(slit)之構成，而進行天線之阻抗匹配的技術(專利文獻1)。

專利文獻1：特開2002-135029號公報

如上述說明，微帶狀天線，不容易受IC標籤之安裝對象物之材質影響，藉由在放射電極搭載IC晶片可以提升對IC晶片之外力之耐性。

但是，專利文獻1揭示之阻抗匹配型縫隙，其能取得之阻抗匹配範圍狹窄，IC晶片與天線間之阻抗差變大時，緊靠該縫隙有可能無法取得阻抗匹配。另外，無線IC標籤之大小被限定情況下，天線之尺寸(大小)較所使用之頻率、亦即天線之調諧頻率小之情況下，無法抵消IC晶片之容量成份，IC晶片與天線間之阻抗成為不匹配狀態。欲更近一步取得阻抗匹配時需要修正天線形狀。

另外，微帶狀天線之介電體厚度變化時放射電極之供電點之阻抗亦會變化。亦即標籤厚度變化時，勢必要適時調整IC晶片與放射電極間之阻抗匹配。

另外，由線圈取得阻抗匹配之方法，線圈之使用必然使該標籤全體尺寸變大，不適合標籤之小型化。

本發明有鑑於上述問題，目的在於提供無線IC標籤用之微帶狀天線，其即使是小型之微帶狀天線，亦可以在不變化天線形狀之情況下獲得和IC晶片間之阻抗匹配。

本發明中，構成微帶狀天線的2個導電體之中，一方之導電體之放射電極，係由：具有IC晶片與縫隙之第1放射電極；及U型之第2放射電極構成；具備：由第1放射電極與第2放射電極所形成之開口、缺口部，及放射電極。

(各實施形態之概要)

以下參照圖面說明本發明之最佳形態(以下稱本實施形態)之無線IC標籤之較佳例。又，以下實施形態說明中，作為表示阻抗匹配狀態之值，係以回折損失(return lose)作為指標予以表示。回折損失係以天線之供電點中之射入電力與反射電力之比予以表示，在全反射而全部電力被回折時為0dB。電力全部無回折時為-∞dB。

通常之微帶狀天線，係由放射電波的放射電極、介電體、及接地導體構成，稱為塊狀天線(patch antenna)。該天線之共振頻率係由放射電極之尺寸來決定。另外，微帶狀天線之塊狀天線之阻抗匹配，可以藉由放射電極之中心連接於接地導體，變化由該中心點至供電點位置間之距離而進行。圖10所示為藉由模擬移動供電點位置時之塊狀天線之回折損失特性。縱軸表示回折損失，橫軸表示頻率分布。如此則，即使變化由放射電極之中心點至供電點位置間之距離時，天線之共振頻率幾乎不變化，僅回折損失會變化，因此可以確認藉由移動供電點來變化天線之阻抗。如上述說明，共振頻率和放射電極之尺寸有相關連，其表示將通常之微帶狀天線利用作為無線IC標籤之天線時，無法任意變更放射電極之尺寸。

圖11表示以下各實施形態中之第2阻抗匹配部之開口尺寸、於此為L3之值以10階段變化時之回折損失特性。依據分布將回折損失之最小點之頻率以10點予以表示。於此表示藉由變化第1放射電極與第2放射電極所形成開口之大小，可以變化天線之調諧頻率，藉由開口之大小可以大幅控制供電點中之電抗成份。如此則，可以在不變化天線之外形尺寸之情況下，進行廣範圍之阻抗匹配，解決本發明之問題。

如上述說明，以下各實施形態，可以在不變化微帶狀天線之天線尺寸之情況下，藉由第1放射電極與第2放射電極所形成開口之大小，可以大幅變化電抗成份，擴大天線之供電點中之阻抗匹配範圍，達成更容易取得放射電極與IC晶片之阻抗匹配的效果。

(第1實施形態)

圖1為本實施形態之放射電極部之圖。第1放射電極1係成為第1阻抗匹配部，具有由天線之一邊之缺口部所形成之L型之縫隙3，U型之第2放射電極與第1放射電極1所形成之矩形狀開口4，係成為第2阻抗匹配部。第1放射電極與第2放射電極所形成之缺口部5，係成為第3阻抗匹配部，IC晶片6被裝配於第1阻抗匹配部3上之構造。

其中，形成於放射電極之開口4之形狀，不限定於矩形狀，例如圓形亦可作為阻抗匹配部之機能。

圖2表示IC晶片1與第1阻抗匹配部之連接方法。圖2(a)表示放射電極1a之第1阻抗匹配部，圖示L型之縫隙3a。圖2(b)表示IC晶片6之2個輸出端子6a、6b。輸出端子6a、6b，係於IC晶片6之面上形成有Au製之凸塊之形態。圖2(c)表示將IC晶片6安裝於第1放射電極1a上之形態。IC晶片6之輸出端子6a、6b，係跨越縫隙3a之開放端兩側被連接。L型縫隙3a即使為T型縫隙亦可構成同樣動作。

圖2(d)表示將IC晶片6安裝於第1放射電極1a上之形態之斷面圖。放射電極與IC晶片6之凸塊，係藉由超音波接合或金屬共晶接合、或使用導電性黏著劑等進行電連接。第1放射電極1a只要是具有導電性材料即可，通常使用Al、Au、Ag、Cu等金屬箔或蒸鍍膜，或者導電糊。本實施形態中，使用20μ厚之Al箔，藉由超音波接合進行與IC晶片間之連接。

圖3表示本實施形態之第1放射電極1與第2放射電極2成為一體之微帶狀天線之構造。圖3(a)表示各層之構成，以IC晶片6為上層而具備放射電極7，放射電極7具有：第1阻抗匹配部之縫隙3，第2阻抗匹配部之開口4，及第3阻抗匹配部之缺口部5；於下層配置有介電體8，及背面導電體9之構造。介電體8係使用300μm厚之PET(Polyethylene Terephthalate)，背面導電體9係使用1mm厚之Al板。圖3(b)表示各層積層而成的外觀。其中，背面導電體9表示構成微帶狀天線之2個導電體之中未搭載IC晶片的導電體。

以下說明阻抗匹配部之匹配方法。圖4(a)分別表示第1放射電極1與第2放射電極2為一體的放射電極7之長度L、寬度W、和第1放射電極1相當之部分之寬度L2、開口之長度L3，第1放射電極1與第2放射電極2之形成用的開口上部之長度L4、放射電極1之寬度W、第2放射電極中之開口左側之寬度W1、第1放射電極1之長度W2、第2放射電極2中之開口右側之寬度W3、形成於第1放射電極內之第1阻抗匹配部的L型長邊方向之縫隙長度SL。

圖4(b)表示放射電極上之電流流動方向。第2放射電極上之電流流動，大略以第2放射電極上之電流之流動21，及第1放射電極上之電流之流動20表示。另外，該第2放射電極上之電流之流動之長度，將形成於開口周圍之放射電極視為具有特定寬度之迴路時，係由連續連結該特定寬度之中心位置而成的路徑，減掉相當於形成有縫隙的第1放射電極之區域之長度21後之值。其中，該長度，在使用之電波之波長設為λ時，該長度為相當於λ/2之長度，其所對應之頻率成為共振頻率。

該λ/2之長度設為Lfc時，可以表示為Lfc=1/2(W1+W3)+W2+(1/2(L2+L4)+L3)×2

因此，Lfc可由開口之2邊、亦即L3及W2之長度，及缺口部之2邊、亦即L1及W2之長度加以控制。

以下說明放射電極7之尺寸設為L=25mm，W=35mm之板狀標籤之例。首先，將L與W設為固定值時，如習知構造般，僅有第1阻抗匹配部，不存在由第1放射電極與第2放射電極所形成開口4之狀態下，無法取得阻抗匹配，無法和IC晶片6進行通信。

圖11表示藉由模擬設定第1放射電極之長度W2為10mm，W1=W2=W3，L1=0mm，L2=2mm，L4之長度以1mm單位於1~12mm內變化時之天線特性。L1、L2為固定值，因此L4之變化對應於L3之變化。L4之長度對應之共振點被圖示，顯現出L4之長度越小共振頻率變為越低之傾向。L3=L-(L1+L2+L4)，因此，可以確認隨開口邊L3之長度變長，共振頻率變為越低。於該模擬結果，設定W2之長度為10mm，變化L3，因此，該共振頻率變低之現象意味著開口周長變長之傾向。亦即，表示隨周長之變長，共振頻率會變低。其中，共振頻率變低表示天線之電氣長度延伸，因此意味著天線之電抗成份增大。由以上可知，增長第1放射電極與第2放射電極所形成開口之周長，可以達成增大天線之電抗成份之效果。

以下計算L3之具體長度。本實施形態中假設以2.4GHz進行通信，因此算出2.4GHz共振之L3之長度。模擬結果，L4=4mm，亦即L3=9mm。圖13表示以L4為變數時之L4之長度與共振頻率之關係分布。另外，此情況下，回折損失為22dB。另外，藉由第1阻抗匹配部可以進行更高精確度之阻抗調整。圖12表示設定L3=9mm，以縫隙3之長度SL=2～6mm為變數進行模擬時之天線特性。如此則，回折損失於-3～24dB變化。本例之情況下，SL=4mm時之回折損失可由-22dB變化為-24dB，向上提升2dB。

變化開口邊L3長度之方法有第1放射電極之寬度L2。圖14同樣係表示以L2為變數時之L2長度與共振頻率之關係分布。L2=2～13mm時之共振頻率之變化為1.9～3.3GHz，因此可於不變化放射電極外形尺寸之情況下，對應於所要之頻率。

另外，說明第3阻抗匹配部、亦即缺口部3之效果。表示變化第1放射電極1與第2放射電極2所形成缺口部3之長度L1時，共振頻率之變化。設定L2=2mm，L4=2mm之固定值，變化L1。圖16表示L1長度與共振頻率之關係圖。L1=0～8mm時之共振頻率之變化為3.3～1.9GHz，增大L1、亦即增大缺口部時，共振頻率會變高。此意味著藉由增大L1，L3將變小，開口將變小。

製作如上述說明之介電體厚度300μm之天線測定其通信距離結果，在頻率2.45GHz、送信輸出200mW、天線增益6dBi之讀出裝置中，可獲得60mm之通信距離。圖15表示以L3長度為變數測定其通信距離之結果。L3=8mm可獲得最大通信距離60mm，L3=5mm以下、11mm以上時無法進行和IC晶片間之通信。

以下說明使用第1阻抗匹配部與第2阻抗匹配部之2個的理由。如上述說明，第2阻抗匹配部，其特徵為和第1阻抗匹配部比較可以大幅調整阻抗。亦即，第2阻抗匹配部進行阻抗之粗調整，第1阻抗匹配部進行阻抗之微調整。

僅由第2阻抗匹配部形成放射電極時，其構造成為迴路形狀。放射電極形狀小時，成為細迴路形狀。微帶狀天線之情況下，放射電極面積較大者其在放射電極面上振動之磁場量變多，可以放出更強之電場。因此，和不具有第1阻抗匹配部之迴路形狀之天線比較，本實施形態之具有第1阻抗匹配部與第2阻抗匹配部的微帶狀天線可實現更具有良好效率之天線，可提供通信距離更長之無線IC標籤。

(第2實施形態)

圖5為第2實施形態之標籤構造圖。於第2實施形態，以小型引入線(inlet) 10作為第1放射電極，和第2放射電極2a組合而實現本實施形態之無線IC標籤之方法。圖5(b)所示小型引入線10，係將泛用之2.4GHz頻帶用之無線IC標籤用引入線(50mm長)之長邊切斷為20mm者。引入線係指將IC晶片裝配於天線之形態下，本實施形態中係使用將IC晶片裝配於偶極天線之形態之引入線。於引入線，被形成L型之縫隙3b，用於進行和IC晶片6間之阻抗匹配，其成為本實施形態中之第1阻抗調整部。另外，亦有藉由PET(polyethylene)、PP(Polypropylene Terephthalate)、PE(polyethylene)等合成樹脂材構成之層合構件(介電體)將天線與IC晶片包裝而成的引入線。

第2放射電極2a係將20μm厚度之鋁箔加工作成。外形尺寸L、W和第1實施形態同樣。

如圖5(c)所示，小型引入線10與第2放射電極2a被配置於互相重疊之位置，如此則成為IC晶片之供電部分與其他放射部分被隔開之構成。其中，小型引入線10與第2放射電極2a所形成之放射電極面之開口4a成為本實施形態之第2阻抗調整部。圖5(d)係圖5(c)之A-A’斷面圖。該製造方法，係於基材8a之上層配置小型引入線10，於其上層積層第2放射電極2a而予以製造。

以基材8a作為微帶狀構造之介電體加以利用，於其背面配置背面導體而形成微帶狀天線。

另外，小型引入線10與第2放射電極之配置，只要互相予以電連接即可，可為直流連接，或以交流方式介由小型引入線之層合構件或黏接材料等可以靜電耦合之距離即可，因此小型引入線10亦可配置於第2放射電極上。

另外，引入線之天線與第2放射電極1d介由介電體耦合時，該介電體之影響會使天線之電氣長度變長。亦即可以更增加電抗成份，因而具有增大阻抗調整幅度之範圍之效果。

於第2放射電極1d之上層亦可以PET、PP等樹脂基材(未圖示)作為天線等之保護層材料予以安裝。基材8a，可使用PET、PP、PE合成樹脂基板藉由加熱密封法一體形成。

本構成製造之無線IC標籤亦和第1實施形態製造之無線IC標籤可以獲得同等之通信特性。

(第3實施形態)

圖6表示本實施形態之連續製造第2實施形態之標籤構造之方法。於第2實施形態中，表示第1放射電極1之引入線10與U型金屬箔之第2放射電極重疊之形態。以單體製造時，重疊第1放射電極與第2放射電極之工程需要花費較多時間。為解決此，將第1放射電極與第2放射電極製作於薄片(sheet)上而成的第1放射電極薄片144與第2放射電極薄片141予以重疊而連續製造。圖6(a)表示第2放射電極薄片141之形態。於第2放射電極薄片141，形成和開口142校準用的標記143。材質使用具有導電性之Al、Cu等之20μm程度之金屬箔。另外，雖未圖示，於金屬箔之單面或兩面積層補強用之PET、PP、PE等樹脂薄膜亦可。於樹脂薄膜或紙素材上藉由導電糊印刷形成第2放射電極亦可。圖6(b)表示第1放射電極薄片144之形態。於樹脂基材上連續配置標記，用於和形成有阻抗匹配用之縫隙的第1放射電極145進行校準。橫跨該縫隙而裝配IC晶片146。如圖6(c)所示為第1放射電極薄片144、第2放射電極薄片141及保護薄膜147積層之工程模式圖。第1放射電極薄片144與第2放射電極薄片141，係檢測出個別之校準標記143與校準標記148使相當於開口142之L3的部分成為所要長度，如此來進行第1放射電極145之定位。重疊之3片薄膜係使用加熱器加熱之加熱密封法或塗敷黏接劑予以個別固定。

圖7(a)所示為第1放射電極薄片144與第2放射電極薄片141被配置固定於所要位置之形態。彼等成為一體之放射電極係於切斷線149與切斷線150被切斷，而可以獲得裝配有IC晶片的所要放射電極。另外，欲簡化工程時，可將切斷位置設為切斷線149之1處。圖7(b)所示為圖7(a)之B-B’之斷面形狀。圖中表示在第1放射電極145上積層第2放射電極141之形態，再於其上層積層保護薄膜147之形態。和該圖相反，於第2放射電極上配置第1放射電極之構造亦進行同樣之動作。

(第4實施形態)

圖8為無線IC標籤中之第4實施形態之標籤之構造。習知上，微帶狀天線係以放射電極面朝上，朝放出電波之方向使用。本實施形態中，將放射電極與背面導電體設為大略同一尺寸，而由背面導電體面放出電波。

無線IC標籤要求高度之小型化，而且亦要求高度之薄型化，因此IC晶片本身之薄型化被進行。但其反面為，因為薄型化使IC晶片被外壓破壞之問題存在。微帶狀天線中於天線背面被配置金屬之背面導電體。說明該金屬板作為IC晶片補強板利用之形態。

圖8(a)為板狀標籤之外觀圖，係由上層起依序積層金屬板53、介電體52、放射電極51、保護構件55之形態。另外，具有作為板(plate)被黏貼之孔54。金屬板53成為和微帶狀天線之背面導電體相當之構造。如上述說明，金屬板53與放射電極51設為大略同一尺寸。具體言之為，金屬板53之1mm內側成為放射電極之大小。此乃藉由介電體與保護構件選擇可熱熔接之材質，將IC晶片與放射電極予以密封，而具有提升無線IC標籤之耐環境性效果。另外，可於金屬板53刻印辨識資訊，而提供目視與藉由無線通信之2種資訊確認方法。

本實施形態中，金屬板53為1.2mm厚度之不鏽鋼板，介電體52為PET/PP之積層薄膜(300μm厚度)，放射電極51為20μm厚度之鋁箔、保護構件55為PET/PP之積層薄膜(600μm厚度)。金屬板53與介電體52，係藉由黏接構件，介電體52、放射電極51與保護構件係藉由熱溶接被一體化。

外形尺寸為30×20(mm)之橢圓形，頻率2.4GHz，送信輸出200mW，天線增益6dBi之讀出裝置，可獲得由金屬板面起70mm之通信距離。以金屬板53為表面使用時可提升耐壓性能，可持有面厚荷重10t、點壓荷重3t之強度。圖8(b)為其斷面構造圖。

圖9為本實施形態應用於混凝土製之境界樁之例。圖9(a)表示於混凝土製之樁56之上部裝配以金屬板53為上面的無線IC標籤之形態。無線IC標籤係如上述說明之構造。

圖9(b)表示圖9(a)之A-A’之斷面構造。習知技術，係以不遮斷電波之樹脂製蓋部(保護構件)來覆蓋無線IC標籤表面之形態，但太陽光之紫外線照射會引起樹脂劣化導致無法長期使用，相對於此，本實施形態中，樹脂構件未曝曬於紫外線，因此具有可長期使用之特徵。

(發明效果)

依據本發明，在不變化微帶狀天線之天線尺寸(size)之情況下，藉由形成於微帶狀天線之放射電極上的開口，可使微帶狀天線取得所要頻率之阻抗匹配。

1、1a、1b．．．第1放射電極

2、2a．．．第2放射電極

3、3a．．．第1阻抗匹配部(縫隙)

4、4a．．．第2阻抗匹配部(開口)

5．．．第2阻抗匹配部(缺口部)

6．．．IC晶片

6a、6b．．．凸塊

7．．．放射電極

8、8a．．．介電體

9、9a．．．背面導體

10．．．引入線

20．．．第1放射電極上之電流

21‧‧‧第2放射電極上之電流

51‧‧‧放射電極

52‧‧‧介電體

53‧‧‧金屬板(背面導體)

54‧‧‧開孔

55‧‧‧保護構件

56‧‧‧混凝土製樁

141‧‧‧第2放射電極薄片

142‧‧‧開口

143‧‧‧校準標記

144‧‧‧第1放射電極薄片

145‧‧‧第1放射電極

146‧‧‧IC晶片

147‧‧‧保護薄膜

148‧‧‧校準標記

149、150‧‧‧切斷位置

圖1為本發明之放射電極之構成圖。

圖2為第1實施形態之縫隙之形狀之圖面。

圖3為第1實施形態之微帶狀天線之形狀之圖面。

圖4為第1實施形態之放射電極之形狀之圖面。

圖5為第2實施形態之放射電極之形狀之圖面。

圖6為第3實施形態之放射電極之製造方法之圖面。

圖7為第3實施形態之放射電極之構造之圖面。

圖8為第4實施形態之板狀標籤之構造之圖面。

圖9為第3實施形態之境界樁之形狀之圖面。

圖10為習知微帶狀天線中之回折損失特性圖。

圖11為第1實施形態之微帶狀天線中之回折損失特性圖。

圖12為第1實施形態之變化縫隙長度時之微帶狀天線中之回折損失特性圖。

圖13為第1實施形態之L4長度與共振頻率之關係圖。

圖14為第1實施形態之L2長度與共振頻率之關係圖。

圖15為第1實施形態之L3長度與通信距離之關係圖。

圖16為第1實施形態之L1長度與共振頻率之關係圖。

1．．．第1放射電極

2．．．第2放射電極

3．．．第1阻抗匹配部(縫隙)

4．．．第2阻抗匹配部(開口)

5．．．第2阻抗匹配部(缺口部)

Claims (9)

1. 一種無線IC標籤，其特徵為具備：IC晶片；第1導電體，連接於上述IC晶片；第2導電體；介電體，形成於上述第1導電體與上述第2導電體之間；縫隙，被形成於上述第1導電體之上述IC晶片之2個端子所跨越，其之一端在上述第1導電體之邊具有開放部；及開口，全周圍被上述第1導電體包圍，其具有之開口周長之長度係和上述IC晶片之阻抗減掉上述第1導電體之阻抗後之值呈正相關關係；缺口部，於上述第1導電體，上述縫隙分別設置成與上述開口相對。
2. 如申請專利範圍第1項之無線IC標籤，其中上述開口，係以使形成於開口周圍之迴路(loop)狀之上述第1導電體成為，由連續連結該迴路之寬度之中心而成的路徑，減掉形成有縫隙的邊之長度後之值所使用之波長之半波長分之長度的方式，而被形成的開口。
3. 如申請專利範圍第2項之無線IC標籤，其中上述第1導電體，係由具有供電部分的第1放射電極，及其他部分之第2放射電極構成，該第1放射電極與該第2放射電極係介由第2介電體被連接。
4. 如申請專利範圍第3項之無線IC標籤，其中上述開口及缺口部，係形成於上述第1放射電極與第2放射電極。
5. 如申請專利範圍第3項之無線IC標籤，其中上述第1放射電極係引入線(inlet)之天線。
6. 如申請專利範圍第5項之無線IC標籤，其中上述第2介電體為基材，其用於保持上述引入線之基底薄膜(base film)或黏接材或第2放射電極。
7. 如申請專利範圍第1~5項中任一項之無線IC標籤，其中上述第1導電體與上述第2導電體為大略同一大小。
8. 一種無線IC標籤，係具有IC晶片及微帶狀天線者：其特徵為：上述微帶狀天線，係具備：放射電極，其具有2個阻抗調整部，用於調整上述IC晶片與上述微帶狀天線之阻抗；導電體；及介電體，形成於上述放射電極與上述導電體之間；及上述第1阻抗調整部，係縫隙狀缺口部；上述第2阻抗調整部，係周圍被導電體包圍的開口以及相對於上述開口且由第1導電體之外周切入之缺口部。
9. 如申請專利範圍第8項之無線IC標籤，其中上述開口係以如下方式被形成之開口，亦即在將形成於開口周圍之放射電極視為1個迴路時，由該迴路之中心 線減掉形成有縫隙的和第1放射電極相當之區域之中心線之長度後之值，係成為所使用波長之半波長分之長度。