TWI398897B - Ｚ軸向載台結構及其應用 - Google Patents

Description

Z軸向載台結構及其應用

本發明係有關一種Z軸向載台結構及其應用，特別是關於一種掃描式電子顯微鏡(scanning electron microscope,SEM)機台之Z軸向載台，一種用以偵測Z軸向載台上樣本之表面移動的系統，以及一種用以補償掃描式電子顯微鏡震動的系統。

於一掃描式電子顯微鏡機台中，載台係用以承載欲成像或檢測之樣本。載台包括一X-Y軸向載台、一Z軸向載台設於X-Y軸向載台上以及一靜電吸附(E-chuck)結構設於Z軸向載台上，其中X-Y軸向載台係用以調整樣本之橫向位置，Z軸向載台係用以針對電子束(E-beam)聚焦、樣本之形貌或傾斜之X-Y軸向載台，來調整樣本之高度。

圖1所示為傳統Z軸向載台結構及其與靜電吸附結構之結構關係剖面示意圖。如圖1所示，Z軸向載台結構10包括一第一金屬板12、一第二金屬板14以及一第三金屬板16。複數C形撓性夾18各自夾著一壓電致動器(piezo actuator) 181且分別設置於第一金屬板12之四角上，並頂住第二金屬板14。複數陶瓷支架20設置於第二金屬板14與第三金屬板16間，用以支撐第三金屬板16且電性隔離第二金屬板14與具有高電壓供應之第三金屬板16。靜電吸附結構22係設置於第三金屬板16上，樣本(未圖示)則是附於其上，靜電吸附結構22之周圍則設有一電磁遮蔽24，其由第三金屬板16上之複數支架26所支撐。

另外，請一同參閱圖1與圖2，複數光學鏡面支架28係固定於第二金屬板14之兩邊。光學鏡面支架28支撐設置於第二金屬板14兩邊的兩個鏡面30，光學鏡面支架28與鏡面30間係以黏膠或機械固定與結合的方式連接。兩個鏡面30附近分別設置有兩個雷射干涉儀32，用以偵測第二金屬板14之垂直移動，接著並發送訊號至一控制器34，使一電子束鏡柱(E-beam column)36可接收樣本之即時位置。

然而，光學鏡面30與靜電吸附結構22之位置可能會有因高頻移動(約200Hz)造成的震動偏差。震動偏差可能導致Z軸向載台結構10傾斜以及雷射干涉儀32所偵測之信號含有誤差。

為解決上述問題，本發明目的之一係提供一種Z軸向載台，其中Z軸向載台使用一陶瓷板作為本體，以取代傳統結構中的第二金屬板與第三金屬板。由於使用的金屬板數目減少，Z軸向載台具有較小的結構，可減少Z軸向載台的震移，因此減少Z軸向載台的震動誤差。

本發明目的之一係提供一種用以偵測Z軸向載台震動的偵測系統，以更精確的偵測樣本表面因震移造成的水平移動。

本發明目的之一係提供一種用以偵測電子束鏡柱震動的系統，使電子束鏡柱偵測的訊號更加精確。

本發明目的之一係提供一種用以補償掃描式電子顯微鏡震動的方法，以補償樣本之表面移動。

因此，本發明一實施例提供一種掃描式電子顯微鏡機台之Z軸向載台，其包括：一金屬板；一陶瓷板設置於金屬板上方；以及至少三個C形撓性夾設置於金屬板之一周邊區域，用以支撐陶瓷板，其中每一撓性夾具有一壓電致動器；以及二鏡面固設於陶瓷板之垂直的兩邊。

本發明另一實施例提供一種於一掃描式電子顯微鏡中用以調整樣本高度之載台結構，其包括：一金屬板；一陶瓷板設置於金屬板上方；四個C形撓性夾設置於金屬板之四角，用以支撐陶瓷板，其中每一撓性夾具有一壓電致動器；一靜電吸附結構設置於陶瓷板上，用以固定一樣本；一電磁屏蔽板具有一開口，以暴露出靜電吸附結構；複數支架設置於陶瓷板之周圍，用以支撐電磁屏蔽板；以及兩個反射材設置於陶瓷板之側壁。

本發明另一實施例提供一種用以偵測檢測機台中Z軸向載台上之一樣本之表面移動的系統，其包括：一第一雷射干涉儀，用以偵測Z軸向載台之一側壁上的一第一點；一第二雷射干涉儀，用以偵測Z軸向載台之側壁上的一第二點，其中第二點與第一點係沿著Z軸向載台之側壁的一垂直線；一手段，用以依據所偵測之第一點與第二點的移動以及第一點、第二點與樣本的位置，計算樣本之一表面移動。

本發明另一實施例提供一用以補償掃描式電子顯微鏡震動之系統，其包括：一第一雷射干涉儀，用以偵測一Z軸向載台之一側壁上的一第一點；一第二雷射干涉儀，用以偵測Z軸向載台之側壁上的一第二點，其中第二點與第一點係沿著Z軸向載台之側壁的一垂直線；一第一手段，用以依據所偵測之第一點與第二點的移動，以及第一點、第二點與樣本之位置來計算一樣本之表面移動；一第三雷射干涉儀，用以偵測一電子束鏡柱之一側壁上的一第三點；以及一第二手段，用以計算電子束鏡柱之一移動，以補償樣本之表面移動。

本發明另一實施例提供一用以補償掃描式電子顯微鏡震動的方法，其包括：利用一第一雷射干涉儀偵測一Z軸向載台之一側壁上的一第一點；利用一第二雷射干涉儀偵測Z軸向載台之側壁上的一第二點，其中第二點與第一點係沿著Z軸向載台之側壁的一垂直線；依據所偵測之第一點與第二點之移動，以及第一點、第二點與樣本之位置來計算一樣本之一表面移動；利用一第三雷射干涉儀偵測一電子束鏡柱之一側壁上的一第三點；以及計算電子束鏡柱之一移動，以補償樣本之表面移動。

本發明另一實施例提供一用以補償一電子束鏡柱移動之系統，其包括：一雷射干涉儀，用以偵測電子束鏡柱之一側壁上之一點；以及一手段，用以計算電子束鏡柱之一移動以補償被電子束鏡柱所檢測之一待測樣本的一表面移動。

圖3所示為一帶電粒子束成像系統之一成像腔室之結構剖面示意圖。成像腔室40包括一腔體42、一用以承載一樣本46之載台結構44設置於腔體42中，以及一電子束鏡柱48架設於腔體42之上蓋，用以拍攝樣本。一般來說，載台結構44包括一X-Y軸向載台50、一Z軸向載台52設置於X-Y軸向載台50上，以及一靜電吸附結構54設置於Z軸向載台52上，其中靜電吸附結構54係用以供樣本46附於其上，X-Y軸向載台50係用以調整樣本46之橫向位置，以及Z軸向載台52係用以針對電子束(E-beam)聚焦、樣本46之形貌或傾斜之X-Y軸向載台50，來調整樣本46之高度。

圖4所示為本發明之一第一實施例之部分載台結構剖面示意圖，其中僅示有部分之Z軸向載台52、部分之靜電吸附結構(於圖3中標示為54)，以及部分之電磁屏蔽板66。Z軸向載台52包括一金屬板56、複數個C形撓性夾58(圖4中僅示出一個C形撓性夾)、一陶瓷板60以及二反射材。於一實施例中，二反射材為二反射鏡面62、62’(圖4中僅示出反射鏡面62)，例如兩塊玻璃。複數C形撓性夾58係設置於金屬板56之一周邊區域，用以支撐金屬板56上方之陶瓷板60，其中每一撓性夾58具有一壓電致動器581以控制陶瓷板60之高度。二反射鏡面62、62’分別固設於陶瓷板60之兩邊上，如圖5所示，其中陶瓷板60之兩邊，即二反射鏡面62、62’的位置，為非平行，較佳為垂直。於一實施例中，金屬板56為正方形或多邊形，且係由鋁(Al)或其它金屬材料製成。此處之靜電吸附結構54為一靜電吸附電極64，其包括嵌設於陶瓷板60表面之複數個電路。靜電吸附電極64之結構可具有不同形狀以對應不同之樣本46(示於圖3)。舉例來說，如果樣本46為一晶圓，靜電吸附電極64可為圓形，以與晶圓有良好之接觸；或如果樣本46為一光罩，則靜電吸附電極64可為正方形，以與光罩有良好之接觸。如圖4所示，電磁屏蔽板66在陶瓷板60之上方，且由陶瓷板60周圍之複數支架68支持，其中電磁屏蔽板66具有一開口661以暴露靜電吸附電極46。

圖6所示為本發明一第二實施例之陶瓷板、靜電吸附結構、反射鏡面以及電磁屏蔽板之結構剖面示意圖。與第一實施例不同的是，靜電吸附結構為一靜電吸附板70固設於陶瓷板60之上表面，而非如圖5所示之靜電吸附電極64嵌設於陶瓷板60上。請參閱圖6與圖7，靜電吸附板70為圓板狀，且電磁屏蔽板66具有一開口661，其圍繞設置於陶瓷板60上表面之靜電吸附板70。於一實施例中，電磁屏蔽板66之材料可為鋁或其它非磁性金屬材料，因此二反射鏡面62、62’可經由研磨電磁屏蔽板66之兩垂直側壁而形成。

圖8所示為本發明一第三實施例之陶瓷板、靜電吸附結構、反射鏡面以及電磁屏蔽板之結構剖面示意圖。圖9所示為本發明第三實施例之陶瓷板、靜電吸附結構以及反射鏡面之上視圖。如圖8及圖9所示，與第一實施例不同的是，陶瓷板60之兩垂直側邊分別具有一階梯結構72與一階梯結構72’，與陶瓷板60之一角相鄰，使二反射鏡面62、62’，例如兩塊玻璃，可利用階梯結構72、72’設置。靜電吸附結構為一靜電吸附電極64，其嵌設於陶瓷板60之表面，電磁屏蔽板66則由複數個設於陶瓷板60周圍及上方的支架68支撐。

圖10所示為本發明一第四實施例之陶瓷板、靜電吸附結構、反射鏡面以及電磁屏蔽板之結構剖面示意圖。圖11所示為本發明之第四實施例之陶瓷板、靜電吸附結構以及反射鏡面之上視圖。如圖10及圖11所示，如同第三實施例，陶瓷板60之兩垂直側邊分別設有一階梯結構72與一階梯結構72’，使二反射鏡面62、62’，例如兩塊玻璃，可利用階梯結構72、72’設置。但於第四實施例中，靜電吸附結構為一靜電吸附板70固設於陶瓷板60之上表面，而非如圖9所示之靜電吸附電極64嵌設於陶瓷板60上。電磁屏蔽板66係設置於陶瓷板60上，圍繞靜電吸附板70。

於上述實施例中，作為Z軸向載台52本體之陶瓷板60取代傳統結構中的第二金屬板14以及第三金屬板16。將金屬板14、16以陶瓷板60取代所形成的Z軸向載台52結構較小，可減少Z軸向載台52之震移，因此減少了Z軸向載台52的偏移誤差。

需注意的是，Z軸向載台結構不只可應用於上述之掃描式電子顯微鏡技術，亦可應用於具有Z軸向載台的設備，像光學成像系統或歩進機。

由於X-Y軸向載台50大約以200Hz之高頻進行水平移動，此水平移動可能會造成Z軸像載台52傾斜，而進一步影響到樣本46的位置。為了偵測Z軸向載台52樣本46之表面移動，本發明並提供一種帶電粒子束成像/檢測系統之偵測系統。

圖12所示為本發明一實施例之一用以偵測Z軸向載台震動之偵測系統示意圖。如圖12所示，偵測系統80包括一第一雷射干涉儀82以及一第二雷射干涉儀84。第一雷射干涉儀82係用以偵測Z軸向載台52之一側壁上的一第一點86，以及第二雷射干涉儀84係用以偵測Z軸向載台52之側壁上的一第二點88，其中第二點88與第一點86係沿著Z軸向載台52之側壁上的一垂直線。需注意的是，此處Z軸向載台52之側壁表示如設置於Z軸向載台52之一側壁上的反射鏡面62。反射鏡面62將自第一雷射干涉儀82以及第二雷射干涉儀84發出的光束分別反射回至第一雷射干涉儀82以及第二雷射干涉儀84，而使第一雷射干涉儀82與第二雷射干涉儀84可偵測沿著垂直線分佈之第一點86與第二點88的移動。

圖13所示為本發明一實施例一利用二雷射干涉儀計算樣本表面移動之配置示意圖。線條A代表圖12所示反射鏡面邊緣621之第一位置，其上之第一點86與第二點88分別對應第一雷射干涉儀82之光束與第二雷射干涉儀84之光束所指之處。假設線條A上第一點86至第二點88之距離為h₁ ，以及第二點88沿A線至樣本表面461的距離為h₂ ，其中h₁ 與h₂ 為預定。當樣本表面461因受Z軸向載台52震動而傾斜，反射鏡面邊緣621則由線條B代表，如圖13所示。於同一偵測路徑中，第一雷射干涉儀82可偵測第一點由線條A往線條B之移動(l₁ )，以及第二雷射干涉儀84可偵測第二點由線條A往線條B之移動(l₂ )。依據h₁ 、h₂ 、l₁ 與l₂ ，我們可計算出樣本表面461之移動(Δl₁₂ )。

於本實施例中，樣本表面461沿一方向之移動可透過設置二雷射干涉儀82、84，以偵測設置於Z軸向載台52一邊之一反射鏡面62，即第一反射鏡面，的移動來計算。樣本表面461沿另一方向之移動可透過設置另外兩個雷射干涉儀，以偵測垂直於第一反射鏡面且設置於Z軸向載台另一邊的第二反射鏡面之移動。使用兩個雷射干涉儀可更精確地偵測樣本表面之水平移動，因此，電子束之位置可對應樣本震移調整。

除了Z軸向載台之震移以外，樣本表面成像扭曲亦可能為掃描式電子顯微鏡震動造成。掃描式電子顯微鏡震動可能來自腔體的震動或電子束鏡柱的震動。

圖14所示為本發明一實施例一用以偵測電子束鏡柱震動以補償電子束鏡柱之移動之系統示意圖。如圖14所示，系統90包括一第三反射鏡面92，其設置於電子束鏡柱48之側壁上，以及一窗口94，其形成於腔體42之側面。腔體42之外設置一第三雷射干涉儀96，其透過窗口94與第三反射鏡面92對應。第三反射鏡面92可將自第三雷射干涉儀96發出的光束反射回第三雷射干涉儀96，以計算電子束鏡柱48的移動。綜合上述，用以補償電子束鏡柱移動之系統90包括一反射鏡面92，一第三雷射干涉儀96，用以偵測電子束鏡柱48之側壁上一點；以及一手段用以計算電子束鏡柱48之移動以補償被電子束鏡柱48所檢測之樣本表面的移動。

圖15所示為本發明一實施例一用以偵測腔體移動之系統示意圖。如圖15所示，系統100包括一第三反射鏡面92設置於腔體42之上蓋，以及一窗口94形成於腔體42之側面。腔體42之外設置一第三雷射干涉儀96，且其透過窗口94對應第三反射鏡面92。第三反射鏡面92可將自第三雷射干涉儀96發出的光束反射回第三雷射干涉儀96，以計算腔體42之移動。一般來說，由於電子束鏡柱48係設置於腔體42之上蓋，腔體42之移動可能與電子束鏡柱48之移動對應。

因此，一用以補償掃描式電子顯微鏡震動之系統包括用以偵測Z軸向載台52之震動之前述偵測系統80，以及用以偵測電子束鏡柱震動之系統90。

圖16所示為本發明一實施例一用以計算總偏差值以補償樣本表面移動之配置示意圖。請參閱圖12、圖13以及圖16，用以補償掃描式電子顯微鏡震動之方法包括利用一第一雷射干涉儀82偵測一Z軸向載台52之一側壁上的一第一點86；利用一第二雷射干涉儀84偵測Z軸向載台52之側壁上的一第二點88，其中第二點88與第一點86沿著Z軸向載台52之側壁的一垂直線；計算一樣本表面461之移動(Δl₁₂ )，其係依據所偵測第一與第二點86、88之移動(l₁ ,l₂ )，以及第一與第二點86、88以及樣本表面461之位置來計算；利用一第三雷射干涉儀96偵測一電子束鏡柱48之側壁上之一第三點；以及計算電子束鏡柱48之移動(l₃ )以補償樣本表面461之移動(Δl₁₂₃ )。

綜合上述，二雷射干涉儀係用以偵測沿Z軸向載台之側壁之一直線上之不同點，以計算樣本表面之移動，而更精確地偵測樣本表面之水平移動。另外，可利用一第三雷射干涉儀偵測電子束鏡柱之移動，以校正樣本表面之移動，而使電子束鏡柱偵測之訊號更為精確。

以上所述之實施例僅是為說明本發明之技術思想及特點，其目的在使熟習此項技藝之人士能夠瞭解本發明之內容並據以實施，當不能以之限定本發明之專利範圍，即大凡依本發明所揭示之精神所作之均等變化或修飾，仍應涵蓋在本發明之專利範圍內。

10．．．Z軸向載台

12．．．第一金屬板

14．．．第二金屬板

16．．．第三金屬板

18．．．C形撓性夾

181．．．壓電致動器

20．．．陶瓷支架

22．．．靜電吸附結構

24．．．電磁遮蔽

26．．．支架

28．．．光學鏡面支架

30．．．鏡面

32．．．雷射干涉儀

34．．．控制器

36．．．電子束鏡柱

40．．．成像腔室

42．．．腔體

44．．．載台

46．．．樣本

461．．．樣本表面

48．．．電子束鏡柱

50．．．X-Y軸向載台

52．．．Z軸向載台

54．．．靜電吸附結構

56．．．金屬板

58．．．C形撓性夾

581．．．壓電致動器

60．．．陶瓷板

62、62’．．．反射鏡面

621．．．反射鏡面邊緣

64．．．靜電吸附電極

66．．．電磁屏蔽板

661．．．開口

68．．．支架

70．．．靜電吸附板

72、72’．．．階梯結構

80．．．偵測系統

82．．．第一雷射干涉儀

84．．．第二雷射干涉儀

86．．．第一點

88．．．第二點

A、B．．．線

h₁ 、h₂ ．．．距離

l₁ 、l₂ 、Δl₁₂ ．．．移動

90．．．系統

92．．．第三反射鏡面

94．．．窗口

96．．．第三雷射干涉儀

100．．．系統

圖1所示為傳統Z軸向載台結構及其與靜電吸附結構之結構關係剖面示意圖。

圖2所示為第二金屬板、光學鏡面支架、鏡面以及雷射干涉儀之上視圖。

圖3所示為一帶電粒子束成像系統之一成像腔室之結構剖面示意圖。

圖4所示為本發明之一第一實施例之部分載台結構剖面示意圖。

圖5所示為本發明之第一實施例之陶瓷板、靜電吸附電極以及鏡面之上視圖。

圖6所示為本發明一第二實施例之陶瓷板、靜電吸附結構、反射鏡面以及電磁屏蔽板之結構剖面示意圖。

圖7所示為本發明第二實施例之陶瓷板、靜電吸附結構、反射鏡面以及電磁屏蔽板之上視圖。

圖8所示為本發明一第三實施例之陶瓷板、靜電吸附結構、反射鏡面以及電磁屏蔽板之結構剖面示意圖。

圖9所示為本發明第三實施例之陶瓷板、靜電吸附結構以及反射鏡面之上視圖。

圖10所示為本發明一第四實施例之陶瓷板、靜電吸附結構、反射鏡面以及電磁屏蔽板之結構剖面示意圖。

圖11所示為本發明之第四實施例之陶瓷板、靜電吸附結構以及反射鏡面之上視圖。

圖12所示為本發明一實施例之一用以偵測Z軸向載台震動之偵測系統示意圖。

圖13所示為本發明一實施例一利用二雷射干涉儀計算樣本表面移動之配置示意圖。

圖14所示為本發明一實施例一用以偵測電子束鏡柱震動以補償電子束鏡柱之移動之系統示意圖。

圖15所示為本發明一實施例一用以偵測腔體移動之系統示意圖。

圖16所示為本發明一實施例一用以計算總偏差植以補償樣本表面移動之配置示意圖。

52．．．Z軸向載台

56．．．金屬板

58．．．C形撓性夾

581．．．壓電致動器

60．．．陶瓷板

62．．．反射鏡體

64．．．靜電夾持電極

66．．．電磁屏蔽板

661．．．開口

68．．．支架

Claims (20)

1. 一種Z軸向載台，其包含：一金屬板；一陶瓷板，設置於該金屬板上方；至少三個C形撓性夾，設置於該金屬板之一周邊區域，用以支撐該陶瓷板，其中每一該撓性夾具有一壓電致動器；以及二鏡面，固設於該陶瓷板之兩邊，其中該兩邊垂直。
2. 如請求項1所述之Z軸向載台，其中該陶瓷板具有二階梯結構鄰近該陶瓷板之一角，且該二鏡面係固設於該二階梯結構。
3. 一種於一掃描式電子顯微鏡中用以調整樣本高度之載台結構，其包含：一金屬板；一陶瓷板設置於該金屬板上方：四個C形撓性夾設置於該金屬板之四角，用以支撐該陶瓷板，其中每一該撓性夾具有一壓電致動器；一靜電吸附結構設置於該陶瓷板上，用以固定一樣本；一電磁屏蔽板具有一開口，以暴露出該靜電吸附結構；複數支架設置於該陶瓷板之周圍，用以支撐該電磁屏蔽板；以及二反射材設置於該陶瓷板之二側壁。
4. 如請求項3所述之載台結構，其中該金屬板為一鋁金屬板。
5. 如請求項3所述之載台結構，其中該金屬板為正方形或多邊形。
6. 如請求項3所述之載台結構，其中該樣本為一晶圓或一光罩。
7. 如請求項3所述之載台結構，其中該靜電吸附結構為一電路，其嵌設於該陶瓷板之一表面上。
8. 如請求項3所述之載台結構，其中該靜電吸附結構為一靜電吸附板。
9. 如請求項3所述之載台結構，其中該二反射材係由研磨該陶瓷板以及塗佈一反射材料於其上所形成。
10. 如請求項3所述之載台結構，其中該陶瓷板具有二階梯結構鄰近該陶瓷板之一角。
11. 如請求項10所述之載台結構，其中該二反射材係為二鏡面固設於該二階梯結構上。
12. 如請求項11所述之載台結構，其中該靜電吸附結構為一電路，其嵌設於該陶瓷板之一表面上。
13. 如請求項11所述之載台結構，其中該靜電吸附結構為一靜電吸附板。
14. 如請求項3所述之載台結構，更包含複數雷射干涉儀，用以偵測一Z軸向載台之震移。
15. 一種用以偵測Z軸向載台上之一樣本之表面移動的系統，其包含：一第一雷射干涉儀，用以偵測該Z軸向載台之一側壁上的一第一點；一第二雷射干涉儀，用以偵測該Z軸向載台之該側壁上的一第二點，其中該第二點與該第一點係沿著該Z軸向載台之該側壁的一垂直線；以及一手段，用以依據所偵測之該第一點與該第二點的移動以及該第一點、該第二點與該樣本之位置，計算該樣本之一表面移動。
16. 一種用以補償掃描式電子顯微鏡震動之系統，其包含：一第一雷射干涉儀，用以偵測一Z軸向載台之一側壁上的一第一點；一第二雷射干涉儀，用以偵測該Z軸向載台之該側壁上的一第二點，其中該第二點與該第一點係沿著該Z軸向載台之該側壁的一垂直線；一第一手段，用以依據所偵測之該第一點與該第二點的移動以及該第一點、該第二點與該樣本之位置來計算一樣本之一表面移動；一第三雷射干涉儀，用以偵測一電子束鏡柱之一側壁上的一第三點；以及一第二手段，用以計算該電子束鏡柱之一移動，以補償該樣本之該表面移動。
17. 如請求項16所述之系統，更包含一反射鏡固設於該電子束鏡柱，用於該第三雷射干涉儀之偵測。
18. 如請求項16所述之系統，更包含一反射鏡固設於一腔體之一上蓋，用於該第三雷射干涉儀之偵測，其中該電子束鏡柱係架設於該上蓋。
19. 一種用以補償掃描式電子顯微鏡震動的方法，其包含：利用一第一雷射干涉儀偵測一Z軸向載台之一側壁上的一第一點；利用一第二雷射干涉儀偵測該Z軸向載台之該側壁上的一第二點，其中該第二點與該第一點係沿著該Z軸向載台之該側壁的一垂直線；依據所偵測之該第一點與該第二點之移動，以及該第一點、該第二點與該樣本之位置來計算一樣本之一表面移動；利用一第三雷射干涉儀偵測一電子束鏡柱之一側壁上的一第三點；以及計算該電子束鏡柱之一移動，以補償該樣本之該表面移動。
20. 一用以補償一電子束鏡柱移動之系統，其包含：一雷射干涉儀，用以偵測該電子束鏡柱之一側壁上之一點；以及一手段，用以計算該電子束鏡柱之一移動以補償被該電子束鏡柱所檢測之一待測樣本的一表面移動。