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TWI395889B - 阻尼物件之方法、主動阻尼系統及微影裝置 - Google Patents

阻尼物件之方法、主動阻尼系統及微影裝置 Download PDF

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TWI395889B
TWI395889B TW098142097A TW98142097A TWI395889B TW I395889 B TWI395889 B TW I395889B TW 098142097 A TW098142097 A TW 098142097A TW 98142097 A TW98142097 A TW 98142097A TW I395889 B TWI395889 B TW I395889B
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Hans Butler
Der Wijst Marc Wilhelmus Maria Van
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Asml Netherlands Bv
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Description

阻尼物件之方法、主動阻尼系統及微影裝置
本發明係關於一種用於阻尼物件之方法、一種主動阻尼系統及一種微影裝置。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或主光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。習知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由同時將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
在已知微影裝置中，提供所謂的度量衡框架(metrology frame或metro frame)。此度量衡框架通常係用作用於被支撐於圖案化器件支撐件上之圖案化器件之移動及被支撐於基板支撐件上之基板之移動的參考框架。此外，此度量衡框架係用以支撐微影裝置之投影系統，使得投影系統被固持於相對於度量衡框架之實質上靜止位置處。
度量衡框架在已知微影裝置中係藉由基底框架支撐，基底框架經組態成置放於地面(例如，地板)上。為了避免或至少減小基底框架中之振動(例如，源自地板或當圖案化器件支撐件或基板支撐件之致動傳播至度量衡框架時)，藉由主動阻尼系統來支撐度量衡框架。主動阻尼系統通常包括在基底框架與度量衡框架之間的三個氣墊式避震器(air mount)，每一氣墊式避震器包括用以將度量衡框架固持於所要位置處之致動器。提供感測器以量測各別氣墊式避震器之位置量，例如，位置、速度或加速度。
圖1展示先前技術主動氣墊式避震器系統，其包括用於支撐投影系統PS之度量衡框架MF的三個主動氣墊式避震器AM1、AM2、AM3。每一氣墊式避震器包括用以量測各別氣墊式避震器之位置量(例如，速度)的至少一感測器。基於此等量測(z1、z2、z3)，可量測在實質上相同方向上之三個部位處投影系統之速度。藉由使用具有變換矩陣T之變換器件，可將個別感測器信號解耦成邏輯座標或自由度(z、Rx、Ry)，其中度量衡框架與由度量衡框架所支撐之物件組合的重心係作為座標系統原點。
對於每一邏輯座標，提供控制器器件Cz、Crx、Cry，其基於各別邏輯座標中之速度而提供用於各別方向之控制信號Fz、Frx、Fry。在第二變換器件中，提供逆變換矩陣T-1 以將控制信號變換成用於主動氣墊式避震器AM1、AM2、AM3之各別致動器的致動器信號F1、F2、F3。
以此方式，形成允許在至少三個所指示方向上阻尼度量衡框架運動之主動阻尼。主動阻尼系統亦可經組態以控制不同數目個自由度。舉例而言，藉由量測每一氣墊式避震器中在兩個方向上之速度，可在六個自由度上主動地阻尼投影系統移動。通常，相對於具有度量衡框架與由度量衡框架所支撐之物件組合的重心以作為座標系統原點的邏輯座標來執行阻尼。其他原點部位亦係可能的。與相對於基底框架來量測速度相反，當以絕對方式(亦即，相對於固定世界)來量測速度時，此阻尼亦被稱作天鉤阻尼(skyhook damping)。
天鉤阻尼效能係藉由其頻寬判定。頻寬係藉由度量衡框架共振限制。舉例而言，由於有限可用建置空間，已知微影裝置之度量衡框架之最低共振頻率低至150Hz。為了能夠形成足夠高的頻寬以(例如)使用以上所描述之阻尼控制系統來阻尼大約30Hz之共振模式，應處理150Hz之度量衡框架共振。
一般而言，度量衡框架共振限制天鉤阻尼之效能，從而導致藉由度量衡框架運動所誘發之疊對誤差的有限減少。
需要提供一種用於阻尼藉由兩個或兩個以上主動避震器所支撐之物件的方法，及一種用於阻尼物件之主動阻尼系統，其中可改良阻尼效能，尤其係阻尼控制系統之頻寬。
根據本發明之一實施例，提供一種用於在兩個或兩個以上自由度上阻尼物件之方法，其包括：提供多變數控制系統，多變數控制系統包括：位置量量測系統，其係用以在兩個或兩個以上量測部位處量測位置量；控制器器件，其經組態以基於經量測位置量而將控制信號提供至被安裝至物件之兩個或兩個以上致動器，控制器器件包括：提取器件，其係用以針對至少一自由度而自經量測位置量提取用於物件之兩個不同動態模式之量測信號；及控制器單元，其係用於每一動態模式，用於兩個或兩個以上致動器之控制信號係基於至少一自由度之每一動態模式之控制器單元之輸出信號；在兩個或兩個以上量測部位中之每一者處量測位置量；自經量測位置量提取用於每一動態模式之量測信號；將動態模式之量測信號饋入至與各別動態模式相關聯的控制器器件之控制器單元，控制器單元基於各別量測信號而向每一動態模式提供輸出信號；及將控制信號提供至兩個或兩個以上致動器，控制信號係基於一或多個控制器單元之輸出信號。
根據本發明之一實施例，提供一種用以在兩個或兩個以上自由度上阻尼物件之主動阻尼系統，其包括：兩個或兩個以上致動器，其係連接至物件；位置量量測系統，其係用以在兩個或兩個以上量測部位處量測物件之位置量；及多變數控制系統，其包括控制器器件，控制器器件經組態以基於經量測位置量而將控制信號提供至兩個或兩個以上致動器，其中控制器器件包括：提取器件，其係用以針對至少一自由度而自經量測位置量提取用於物件之兩個不同動態模式之量測信號；及控制器單元，其係用於每一動態模式且用於每一自由度，用於兩個或兩個以上致動器中之至少一者之控制信號係基於至少一自由度之每一動態模式之控制器單元之輸出信號。
根據本發明之一實施例，提供一種微影裝置，其包括：照明系統，其經組態以調節輻射光束；支撐件，其經建構以支撐圖案化器件，圖案化器件能夠在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以形成經圖案化輻射光束；基板台，其經建構以固持基板；投影系統，其經組態以將經圖案化輻射光束投影至基板之目標部分上；及主動阻尼系統，其係用以在兩個或兩個以上自由度上阻尼物件，主動阻尼系統包括：兩個或兩個以上致動器，其係連接至物件；位置量量測系統，其係用以在兩個或兩個以上量測部位處量測物件之位置量；及多變數控制系統，其包括控制器器件，控制器器件經組態以基於經量測位置量而將控制信號提供至兩個或兩個以上致動器，其中控制器器件包括：提取器件，其係用以針對至少一自由度而自經量測位置量提取用於物件之兩個不同動態模式之量測信號；及控制器單元，其係用於每一動態模式且用於每一自由度，用於兩個或兩個以上致動器中之至少一者之控制信號係基於至少一自由度之每一動態模式之控制器單元之輸出信號。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分。
圖2示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。裝置包括：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或任何其他適當輻射)；圖案化器件支撐件或支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位圖案化器件之第一定位器件PM。裝置亦包括基板台(例如，晶圓台)WT或「基板支撐件」，其經建構以固持基板(例如，塗布抗蝕劑之晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位基板之第二定位器件PW。裝置進一步包括投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用以引導、成形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
圖案化器件支撐件以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可為(例如)框架或台，其可根據需要而係固定或可移動的。圖案化器件支撐件可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文對術語「主光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術語「圖案化器件」同義。
本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中形成圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不會準確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所形成之器件(諸如積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可係透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台或「基板支撐件」(及/或兩個或兩個以上光罩台或「光罩支撐件」)的類型。在該等「多平台」機器中，可並行地使用額外台或支撐件，或可在一或多個台或支撐件上進行預備步驟，同時將一或多個其他台或支撐件用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可藉由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間。浸沒技術可用以增加投影系統之數值孔徑。如本文所使用之術語「浸沒」不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖2，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為單獨實體。在該等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之一部分，且輻射光束係藉助於包括(例如)適當引導鏡面及/或光束擴展器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源為汞燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包括經組態以調整輻射光束之角強度分布的調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。
輻射光束B入射於被固持於圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由圖案化器件而圖案化。在橫穿圖案化器件(例如，光罩)MA後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器件PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可準確地移動，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位器件PM及另一位置感測器(其未在圖2中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。一般而言，可藉助於形成第一定位器件PM之一部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT或「基板支撐件」之移動。在步進器(與掃描器相反)之情況下，圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT可僅連接至短衝程致動器，或可係固定的。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA與基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT或「光罩支撐件」及基板台WT或「基板支撐件」保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT或「基板支撐件」在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的尺寸。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT或「光罩支撐件」及基板台WT或「基板支撐件」(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT或「基板支撐件」相對於圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT或「光罩支撐件」之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT或「光罩支撐件」保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT或「基板支撐件」。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT或「基板支撐件」之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
在圖2之微影裝置中，將主動阻尼系統(在下文亦被廣泛地稱為主動阻尼器)提供於基底框架BF(其為微影裝置之主框架)與度量衡框架MF(其支撐投影系統PS)之間。亦將度量衡框架MF用作用於微影裝置之移動的參考框架。因此，需要使基底框架BF中之振動不傳播至度量衡框架MF。為此，使用包括三個氣墊式避震器AM之主動阻尼系統而將度量衡框架MF支撐於基底框架BF上。每一氣墊式避震器AM包括經組態以量測度量衡框架之位置量(例如，位置、速度或加速度)的氣墊式避震器感測器AMS，及經組態以在度量衡框架MF與基底框架BF之間施加力以補償來自基底框架BF之力或振動的氣墊式避震器致動器AMA。
提供氣墊式避震器控制器AMCD以基於氣墊式避震器感測器AMS之經量測位置量而將致動器信號提供至致動器AMA中之每一者。
如關於圖1所論述，氣墊式避震器控制器AMCD可為多變數控制器，其包括用以將在量測方向上之經量測位置量變換成在邏輯座標中之自由度的變換器件。對於每一自由度，提供基於經量測位置量來提供控制信號之控制器單元。為了將用於各別自由度(z、Rx、Ry)之控制信號變換成氣墊式避震器致動器AMA之致動方向，可提供包括變換矩陣之變換器件。
在根據本發明之一實施例中，提供替代多變數控制器。代替使用自三個氣墊式避震器感測器AMS之量測所提取的習知邏輯座標(z、Rx、Ry)，自位置量量測提取三個以上量測信號，每一量測信號表示度量衡框架之特定動態模式，例如，剛體模式或彎曲模式，此將加以解釋。
圖3展示根據本發明之該實施例的控制系統或控制器。在圖3中，可看出，度量衡框架為具有一主體MFMB及兩個臂MFA之U形形狀。臂MFA並非無限硬性地耦接至度量衡框架主體MFMB，而是具有圍繞所指示彎曲線BL之旋轉模式。該度量衡框架之行為可以不同動態模式加以描述，例如，剛體模式及彎曲模式。剛體模式僅觀測物件之剛體移動。在此模式中不觀測物件內之共振。彎曲模式不觀測物件之剛體移動，而是僅觀測物件內由可撓性所引起之共振或其他移動。
根據本發明之一實施例，對於每一自由度，可自經量測位置量提取表示此等動態模式中之一者的量測信號。藉由提供用於表示特定動態模式之此等量測信號中之每一者的控制器單元，且將此控制器單元專用於其所控制之動態模式，可更準確地控制移動或振動。
在圖4至圖7中，將解釋自經量測位置量的兩個量測信號之提取，尤其係與圍繞x軸Rx之旋轉相關聯的剛體模式及彎曲模式。以類似方式，可針對由主動阻尼系統所支撐之物件之其他自由度來提取及控制量測信號。
圖4展示度量衡框架MF之模型的示意性側視圖。兩個本體部分(1、2)係經由具有硬度cr及極大垂直硬度cz之旋轉彈簧而連接。質量m2表示主體MFMB之質量，在此實例中為1500kg。m1表示度量衡框架臂之質量，其為(例如)500kg。藉由使用致動器1及2在此結構上致動扭矩而在相反方向上產生相等力(F1=-F2)將引起Rx運動，其係藉由判定。圖5中展示自扭矩至Rx位置之轉移函數。觀測到彎曲模式共振，在此實例中為大約250Hz。實務上，在此共振頻率周圍之相位行為將使得危及此點處之封閉迴路穩定性。此可由控制迴路中之組件之相位行為引起，如放大器及感測器特性，及藉由數位電腦中之控制器之離散實施所誘發的相位延滯。
現如圖6a所示，可自經量測位置量z1、z2提取用於剛體模式之量測信號Rx1及用於彎曲模式之量測信號Rx2。圖6b展示表示剛體模式的量測信號Rx1之波德圖(Bode plot)RB-M，且圖6c展示表示彎曲模式動力學之波德圖BE-M。自此等波德圖，可看出，共振不存在於剛體模式中。
對於此等量測信號Rx1、Rx2中之每一者，提供單獨控制器單元Crx1及Crx2。此等控制器單元Crx1、Crx2中之每一者係專用於控制各別動態模式且提供輸出信號Trx1、Trx2。將輸出信號Trx1與輸出信號Trx2相加以提供用於各別自由度(在此情況下為Rx)之控制信號Trx。將控制信號Trx發送至變換T-1 ，變換T-1 計算待藉由氣墊式避震器致動器AMA制動之力Fz1及Fz2，以便阻尼在Rx自由度上之移動。應注意，控制器可提供另外致動信號以阻尼在其他自由度上度量衡框架MF之移動(如圖3所示)。
如圖7所示，提供量測信號Rx1及Rx2之提取器件或提取器D可藉由使用z1與z2之組合加以建構。剛體模式可(例如)藉由使用γx 1 =αz 1 -(1-α)z 2 加以提取。因子α係基於模型參數；對於圖3所示之度量衡框架MF之實施例，α=0.35717271071802。有效地，使用圍繞特定點之剛體旋轉，使得彎曲模式「不可見」(invisible)。注意到，若m1=m2，則α=0.5。
用以得到α之一方式係如下。可數學上判定系統之運動方程式，其描述系統上之扭矩(F1-F2)與量測γx 1 =αz 1 -(1-α)z 2 之間的關係。此轉移函數具有位置與系統之模式重合的極點。通常，由於考慮位置量測，故恆定扭矩將引起Rx之恆定加速度。因此，在原點處將存在2個極點，且兩個極點係在如圖5所示之共振頻率下。另外，轉移函數具有位置取決於α之零點。現選擇α之值，使得零點之部位匹配於在共振頻率下之極點之部位。以此方式，零點抵消極點，且因此不再存在共振行為。可(例如)數學上進行此計算，從而形成取決於如質量、慣性、連接硬度等等之模型參數的公式。
藉由使用z1與z2之加權總和來提取彎曲模式量測信號：γx 2 =βz 1 -(1-β)z 2 。選擇因子β，使得剛體模式不可見，亦即，結構上之扭矩將不引起在此方向上之剛體加速度。在以上實例中，β=3/8。用以得到β之類似技術可如以上所描述用於α。當施加扭矩時，共振模式將展示m1相對於m2之相反旋轉。然而，旋轉振幅不相同，且取決於幾何形狀、質量及此等質量之慣性。最佳β係使得具有較小旋轉振幅之組件之z量測具有高於其他z量測之權重的權重。在吾人之實例中，此引起β=3/8之最佳值。
可使用類似公式以自經量測位置量提取用於其他自由度之量測信號。
現再次參看圖3，圖3展示經組態以在三個自由度(z、Rx、Ry)上阻尼度量衡框架MF之移動的控制系統，其中，對於每一自由度，自經量測位置量提取用於剛體模式及彎曲模式之量測信號。
因此，在圖3之控制器中，使用兩組量測信號：第一組為表示各別自由度之剛體模式的z_rig、Rx_rig、Ry_rig，且第二組為表示彎曲模式的z_res、Rx_res、Ry_res。量測信號z_rig、Rx_rig、Ry_rig、z_res、Rx_res、Ry_res係藉由經組態以自經量測位置量z1、z2及z3提取此等量測信號之提取器件D加以獲得。
對於此等量測信號z_rig、Rx_rig、Ry_rig、z_res、Rx_res、Ry_res中之每一者，提供單獨控制器單元Cz_rig、Crx_rig、Cry_rig、Cz_res、Crx_res、Cry_res。每一控制器單元控制各別自由度之各別動態模式。每一控制器單元Cz_rig、Crx_rig、Cry_rig、Cz_res、Crx_res、Cry_res基於各別量測信號z_rig、Rx_rig、Ry_rig、z_res、Rx_res、Ry_res而提供輸出信號。在圖3所示之實施例中，針對每一自由度z、Rx、Ry而將剛體模式控制器單元Cz_rig、Crx_rig、Cry_rig與彎曲模式控制器單元Cz_res、Crx_res、Cry_res之輸出信號相加，從而針對每一自由度z、Rx、Ry引起控制信號Fx、Trx、Try。
圖3之控制系統之益處在於：藉由自同一感測器組AMS形成單獨量測信號且提供用於此等量測信號之單獨控制器單元，在不將更多實體感測器添加至裝置之情況下，相關模式之阻尼係可能的。一般而言，可增加阻尼控制器頻寬，從而引起度量衡框架之較少運動，且因此引起較佳疊對。
在上文中已描述用以在三個自由度上控制度量衡框架之控制系統。本發明之一實施例亦可應用於控制不同數目個自由度之阻尼系統中。另外，已描述用以支撐微影裝置之度量衡框架的主動阻尼系統；根據本發明之一實施例的主動阻尼系統亦可用於支撐及阻尼另一物件。
在圖3之實施例中，已使用提取器件以針對每一自由度來提取用於兩個動態模式之量測信號。較佳地，該提取器件經組態以在每一受控自由度上提供用於兩個或兩個以上動態模式之量測信號。在替代實施例中，然而，可有可能僅針對受控自由度之一部分來提取用於不同動態模式之量測信號。舉例而言，若主要在一個自由度上存在某一不當共振，則此自由度可藉由控制各別物件之不同動態模式加以控制，而其他自由度僅係藉由單一控制器加以控制。在另一實施例中，可判定針對一個自由度之兩個以上動態模式，以便增強控制準確度。
在上文中已描述由主動避震器所支撐之投影系統之移動的阻尼。然而，本發明之實施例不限於由主動避震器所支撐之物件。本發明之一實施例亦可應用於經配置於物件上之任何適當部位處的感測器及致動器。致動器可藉由基於由感測器所量測之位置量而在物件上施加力來阻尼物件之移動。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在該等替代應用之情境中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗布顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於該等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便形成多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管以上可特定地參考在光學微影之情境中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在情境允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形界定形成於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或約為365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為5奈米至20奈米之範圍內的波長)；以及粒子束(諸如離子束或電子束)。
術語「透鏡」在情境允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
儘管以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如以上所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之該電腦程式。
以上描述意欲係說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
AD．．．調整器
AM．．．氣墊式避震器
AM1．．．氣墊式避震器
AM2．．．氣墊式避震器
AM3．．．氣墊式避震器
AMA．．．氣墊式避震器致動器
AMCD．．．氣墊式避震器控制器
AMS．．．氣墊式避震器感測器/感測器組
B．．．輻射光束
BD．．．光束傳送系統
BF．．．基底框架
BL．．．彎曲線
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
Crx．．．控制器器件
Crx1．．．控制器單元
Crx2．．．控制器單元
Cry．．．控制器器件
Cz．．．控制器器件
D．．．提取器件/提取器
IF．．．位置感測器
IL．．．照明系統/照明器
IN．．．積光器
M1．．．圖案化器件對準標記
M2．．．圖案化器件對準標記
MA．．．圖案化器件/光罩
MF．．．度量衡框架
MFA．．．臂
MFMB．．．度量衡框架主體
MT．．．圖案化器件支撐件或支撐結構
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器件
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器件/第二定位器
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台
圖1描繪經組態以阻尼微影裝置之度量衡框架的先前技術主動阻尼系統；
圖2描繪根據本發明之一實施例的併有主動阻尼系統之微影裝置；
圖3描繪根據本發明之一實施例的主動阻尼系統；
圖4描繪度量衡框架之模型；
圖5描繪施加於度量衡框架上之扭矩Frx與在相同方向Rx上之所得移動之間的關係的波德圖；
圖6a描繪根據本發明之一實施例的用於一個自由度之控制方案；
圖6b描繪圖6a之控制方案中之剛體模式量測信號的波德圖；
圖6c描繪圖6a之控制方案中之彎曲模式量測信號的波德圖；及
圖7描繪經組態以自兩個氣墊式避震器之經量測位置z1、z2提取用於兩個不同動態模式之量測信號rx1、rx2的提取矩陣D。
AD．．．調整器
AM．．．氣墊式避震器
AMA．．．氣墊式避震器致動器
AMCD．．．氣墊式避震器控制器
AMS．．．氣墊式避震器感測器/感測器組
B．．．輻射光束
BD．．．光束傳送系統
BF．．．基底框架
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
IF．．．位置感測器
IL．．．照明系統/照明器
IN．．．積光器
M1．．．圖案化器件對準標記
M2．．．圖案化器件對準標記
MA．．．圖案化器件/光罩
MF．．．度量衡框架
MT．．．圖案化器件支撐件或支撐結構
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器件
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器件/第二定位器
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台

Claims (12)

  1. 一種用於使用一多變數控制器在兩個或兩個以上自由度上阻尼一物件之運動的方法，該多變數控制器包含：一位置量量測系統，其經組態以在兩個或兩個以上量測部位處量測該物件之一位置量；一控制器，其經組態以基於該兩個或兩個以上量測部位處之該經量測位置量而將一控制信號提供至被安裝至該物件之兩個或兩個以上致動器，該控制器包含：一提取器，其經組態以針對至少一自由度而自該兩個或兩個以上量測部位處之該經量測位置量提取用於該物件之兩個不同動態模式之一量測信號；及一控制器單元，其係用於每一動態模式，基於至少一自由度之每一上述動態模式之輸出信號，提供對於上述兩個或兩個以上致動器之上述控制信號；該方法包含：在該兩個或兩個以上量測部位中之每一者處量測該位置量；自該兩個或兩個以上量測部位中之每一者處之該經量測位置量提取用於每一上述動態模式之一量測信號；將一動態模式之該量測信號提供至與該各別動態模式相關聯的該控制器之該控制器單元，該控制器單元基於該各別量測信號而向每一上述動態模式提供一輸出信號；及將該控制信號提供至該兩個或兩個以上致動器，該控制信號係基於一或多個控制器單元之輸出信號； 該物件之兩個不同的動作模式係為該物件之剛體模式的第一動態模式，及為該物件之彎曲模式的第二動態模式；自該位置量針對每一上述動態模式提取一量測信號，係指：藉由以關於該剛體模式的該第一動態模式所設定之第一模型參數對一對上述位置量加權，而提取針對該第一動態模式之量測信號，及藉由以關於該彎曲模式的該第二動態模式所設定之第二模型參數對一對上述位置量加權，而提取針對該第二動態模式之量測信號。
  2. 如請求項1之方法，其中將該控制信號提供至該兩個或兩個以上致動器包含：將經引導於一受控方向上之控制信號變換成經引導於該等致動器之致動方向上之一或多個致動信號。
  3. 如請求項1之方法，其中該物件為一微影裝置之一部分。
  4. 如請求項1之方法，其中該多變數控制器經組態以提供一天鉤阻尼。
  5. 如請求項1之方法，其中該物件係藉由兩個或兩個以上主動避震器支撐，每一主動避震器包含經組態以在該量測部位處量測該物件之一位置量的一位置量感測器，及經組態以在該物件上施加一力的一致動器。
  6. 一種經組態以在兩個或兩個以上自由度上阻尼一物件之 運動的主動阻尼系統，該主動阻尼系統包含：兩個或兩個以上之致動器，其係連接至該物件；一位置量量測系統，其經組態以在兩個或兩個以上量測部位處量測該物件之一位置量；及一多變數控制系統，其包含一控制器，該控制器經組態以基於該兩個或兩個以上量測部位處之該經量測位置量而將一控制信號提供至該兩個或兩個以上致動器，其中該控制器包含：一提取器，其經組態以針對至少一自由度而自該兩個或兩個以上量測部位處之該經量測位置量提取用於該物件之兩個不同動態模式之一量測信號；及一控制器單元，其係用於每一動態模式且用於每一自由度，用於該兩個或兩個以上致動器中之至少一者之該控制信號係基於由至少一自由度之每一動態模式之控制器單元所提供；該物件之兩個不同的動作模式係為該物件之剛體模式的第一動態模式，及為該物件之彎曲模式的第二動態模式；該提取器藉由以關於該剛體模式的該第一動態模式所設定之第一模型參數對一對上述位置量加權，而提取針對該第一動態模式之量測信號，且藉由以關於該彎曲模式的該第二動態模式所設定之第二模型參數對一對上述位置量加權，而提取針對 該第二動態模式之量測信號。
  7. 如請求項6之阻尼系統，其中該控制系統包含一變換器件，該變換器件經組態以將經引導於一受控方向上之控制信號變換成經引導於該等致動器之致動方向上之致動信號。
  8. 如請求項6之阻尼系統，其中該物件係藉由兩個或兩個以上主動避震器支撐，每一避震器包含經組態以量測一位置量的一位置量感測器，及經組態以在該物件上施加一力的一致動器。
  9. 如請求項6之阻尼系統，其中該提取器件經組態以針對每一受控自由度而自該經量測位置量提取用於該物件之兩個不同動態模式之一量測信號。
  10. 如請求項6之阻尼系統，其中該位置量為該物件之一速度。
  11. 一種微影裝置，其包含：一支撐件，其經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在該輻射光束之橫截面中賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上；及如請求項6至10中之任一項所記載之主動阻尼系統。
  12. 如請求項11之微影裝置，其中該物件為經組態以支撐該 投影系統之一度量衡框架。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2003993A (nl) * 2009-01-22 2010-07-26 Asml Netherlands Bv Control system, lithographic apparatus and a method to control a position quantity of a control location of a movable object.
CN102235458B (zh) * 2010-05-07 2013-05-22 上海微电子装备有限公司 一种主动减震隔振装置
EP2447777B1 (en) 2010-10-27 2019-08-07 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus for transferring pattern from patterning device onto substrate, and damping method
EP2469340B1 (en) 2010-12-21 2021-01-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101940208B1 (ko) * 2011-01-28 2019-04-10 고쿠리츠다이가쿠호우진 도쿄다이가쿠 구동 시스템과 구동 방법, 노광 장치와 노광 방법, 및 구동 시스템 설계 방법
NL2008272A (en) 2011-03-09 2012-09-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus.
KR101821668B1 (ko) * 2012-04-26 2018-01-24 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
KR102197783B1 (ko) 2012-07-09 2021-01-04 가부시키가이샤 니콘 구동 시스템 및 구동 방법, 그리고 노광 장치 및 노광 방법
WO2015009619A1 (en) 2013-07-15 2015-01-22 Kla-Tencor Corporation Producing resist layers using fine segmentation
NL2013522A (en) * 2013-10-30 2015-05-04 Asml Netherlands Bv Object positioning system, lithographic apparatus, object positioning method and device manufacturing method.
JP6307162B2 (ja) 2014-01-17 2018-04-04 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． サポートデバイス、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
US11543756B2 (en) 2018-01-04 2023-01-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
CN110874021B (zh) * 2018-08-31 2021-03-12 上海微电子装备（集团）股份有限公司 光刻设备、抗气流扰动的方法及装置
DE102019201810A1 (de) * 2019-02-12 2020-08-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Steuerungssystem, optisches system und verfahren
CN110647183B (zh) * 2019-10-16 2021-10-01 广东工业大学 一种高精密定位平台的减振方法、装置及设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09190957A (ja) * 1996-01-11 1997-07-22 Canon Inc 能動除振装置および能動除振方法
US6286644B1 (en) * 1999-01-18 2001-09-11 Canon Kabushiki Kaisha Active vibration isolator, exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US6378672B1 (en) * 1998-10-13 2002-04-30 Canon Kabushiki Kaisha Active vibration isolation device and its control method
US20040008331A1 (en) * 2002-06-07 2004-01-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2575832B2 (ja) 1988-08-05 1997-01-29 株式会社東芝 多変数制御装置
JP2954815B2 (ja) * 1993-06-24 1999-09-27 キヤノン株式会社 鉛直方向除振装置
JP3046696B2 (ja) 1993-09-17 2000-05-29 キヤノン株式会社 鉛直方向空気ばね式除振台の制御装置
US6128552A (en) * 1996-11-08 2000-10-03 Canon Kabushiki Kaisha Anti-vibration apparatus and method
JP4194160B2 (ja) * 1998-02-19 2008-12-10 キヤノン株式会社 投影露光装置
JP3902942B2 (ja) * 2001-11-13 2007-04-11 キヤノン株式会社 除振装置及びその制御方法、並びに該除振装置を有する露光装置
JP4386293B2 (ja) 2007-01-12 2009-12-16 キヤノン株式会社 振動制御装置及び振動制御方法及び露光装置及びデバイスの製造方法
US7903866B2 (en) * 2007-03-29 2011-03-08 Asml Netherlands B.V. Measurement system, lithographic apparatus and method for measuring a position dependent signal of a movable object

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09190957A (ja) * 1996-01-11 1997-07-22 Canon Inc 能動除振装置および能動除振方法
US6378672B1 (en) * 1998-10-13 2002-04-30 Canon Kabushiki Kaisha Active vibration isolation device and its control method
US6286644B1 (en) * 1999-01-18 2001-09-11 Canon Kabushiki Kaisha Active vibration isolator, exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US20040008331A1 (en) * 2002-06-07 2004-01-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

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Publication number Publication date
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EP2202426A3 (en) 2017-05-03
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KR20100074056A (ko) 2010-07-01
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