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TWI395181B - 薄膜電晶體電路、發光顯示設備及其驅動方法 - Google Patents

薄膜電晶體電路、發光顯示設備及其驅動方法 Download PDF

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TWI395181B
TWI395181B TW097129849A TW97129849A TWI395181B TW I395181 B TWI395181 B TW I395181B TW 097129849 A TW097129849 A TW 097129849A TW 97129849 A TW97129849 A TW 97129849A TW I395181 B TWI395181 B TW I395181B
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Hisae Shimizu
Katsumi Abe
Ryo Hayashi
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Canon Kk
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Description

薄膜電晶體電路、發光顯示設備及其驅動方法
本發明係有關於薄膜電晶體電路、發光顯示設備及其驅動方法。特別是，本發明之發光顯示設備及其驅動方法分別適用於一發光顯示設備，其包含由發光裝置構成之矩陣狀像素以及用以供應電流至發光裝置之驅動電路，以及適用於其驅動方法。
在此，須知，可使用例如有機場致(EL)裝置作為發光裝置。
最近，研究並發展使用有機EL裝置之有機EL顯示器。於似此之有機EL顯示器中，一般使用主動矩陣(AM)有機EL顯示器，其中各像素設有驅動電路，以延長有機EL裝置之壽命並達到高品質影像。
相關驅動電路由形成於諸如玻璃、塑膠等之基板上之薄膜電晶體(TFT)構成。於有機EL顯示器中，基板及驅動電路部併稱為底板。
曾經研究以非晶態矽(後文稱為a-矽)、多晶矽(後文稱為p-矽)作為有機EL顯示器之底板之TFT。此外，最近有人重新建議使用非晶態氧化物半導體(後文稱為AOS)作為通道層之TFT。在此，例如使用非晶態In(銦)-Ga(鎵)-Zn(鋅)-O(氧)(後文稱為a-IGZO)作為AOS之材料。此外，例如使用非晶態Zn(鋅)-In(銦)-O(氧)(後文稱為ZIO)。可知，使用AOS作為其通道層之TFT具有為a-Si(矽)TFT之10倍或更多的移動率，亦具有非晶態所造成的高均勻性。因此，使用AOS作為其通道層之TFT可望作為用於顯示器之底板之TFT。使用AOS作為其通道層之TFT揭示於例如「自然，卷432，第488-492頁(2004)，諾穆拉(Nomura)等人之『使用非晶態氧化物半導體之透明可撓薄膜電晶體之室溫製造』」以及「應用物理論文(APL)，89，112123(2006)，亞布塔(Yabuta)等人之『藉由室溫RF-磁控管濺射製造之具有非晶態InGaZnO4通道之高移動率薄膜電晶體』」。
無論如何，在以主動矩陣(AM)有機EL顯示器達成高品質顯示方面有若干問題。更具體而言，(1)有機EL裝置之電壓-輝度特性歷時變化，(2)屬於驅動電路之構成元件之TFT的特性與其他元件不同，以及(3)TFT特性因電應力而變化。
在此，於使用AOS-TFT於驅動電路情況下，由於AOS-TFT之均勻度高，並使用供控制從AOS-TFT供至有機EL裝置之電流之驅動電路，因此，可改進以上問題(1)及問題(2)。
另一方面，由於AOS-TFT特性因電應力而變化，因此，以上問題(3)仍然存在。
本發明旨在根據因電應力而發生的TFT特性變化，抑制顯示品質的劣化。
本發明之薄膜電晶體電路驅動方法中該薄膜電晶體電路包含薄膜電晶體，其臨界電壓因施加於閘極端子與源極端子間的電應力而變化，其特徵在於，該驅動方法包括：在薄膜電晶體未被驅動時施加電應力於閘極端子與源極端子間，以在臨界電壓飽和至電應力的區域驅動薄膜電晶體。
又，本發明之發光顯示設備驅動方法中該發光顯示設備包含：複數個像素，各具有發光裝置；以及驅動電路，用以驅動該發光裝置，其特徵在於，該驅動電路包含至少一個薄膜電晶體，其臨界電壓因施加於閘極端子與源極端子間的電應力而變化，且該驅動方法包括於發光顯示設備之非顯示期間施加電應力於薄膜電晶體之閘極端子與源極端子間，以在臨界電壓飽和至電應力的區域驅動薄膜電晶體。
而且，本發明之薄膜電晶體電路包含：薄膜電晶體，其臨界電壓因施加於閘極端子與源極端子間的電應力而變化；以及電壓施加單元，其用來施加電壓於薄膜電晶體之閘極端子與源極端子間，作為電應力，其特徵在於，該電壓施加單元在薄膜電晶體未被驅動時施加電應力於閘極端子與源極端子間，以在臨界電壓飽和至電應力的區域驅動薄膜電晶體。
而且，本發明之發光顯示設備包含：複數個像素，各具有發光裝置；以及驅動電路，用以驅動發光裝置，其特徵在於，該驅動電路包含：薄膜電晶體，其臨界電壓因施加於閘極端子與源極端子間的電應力而變化；以及電壓施加單元，其用來施加電壓於薄膜電晶體之閘極端子與源極端子間，作為電應力，且該電壓施加單元於發光顯示設備之非顯示期間施加電應力於薄膜電晶體之閘極端子與源極端子間，以在臨界電壓飽和至電應力的區域驅動薄膜電晶體。
根據本發明，由於可使用薄膜電晶體(TFT)於臨界電壓飽和至電應力的區域，因此，可抑制因電應力而特性變化之影響。
由以下參考附圖之例示性實施例，本發明之進一步特點將瞭然。
本發明人等藉由進行AOS-TFT(非晶態氧化物半導體-薄膜電晶體)之評估，得知以下情形。
亦即，雖然AOS-TFT具有此種臨界電壓因而變動之性質，此臨界電壓之變動卻有暫時飽和的傾向。臨界電壓之變動顯示閘極電位高於源極電位。有關AOS-TFT之臨界電壓之變動，有藉由消除電應力及留下AOS-TFT一段期間後，回到施加電應力前狀態之性質。亦即，根據本發明，根據藉由施加及消除電應力可逆改變AOS-TFT之臨界電壓的性質，建議本發明之AOS-TFT。須知，本發明可應用於TFT，其臨界電壓因施加於閘極端子與汲極端子間之電應力而改變，且不限於AOS-TFT。
此後將對作為本發明實施例之有機EL顯示裝置(用來作為發光顯示裝置)加以說明，其驅動器電路具有AOS-TFT，其中一a-IGZO作為通道層來處理，且有機EL裝置用來作為發光裝置。
然而，本發明亦可應用於一發光顯示設備，其中，以異於a-IGZO之AOS作為半導體，加以處理，或應用於一發光顯示設備，其中，使用異於有機EL裝置之發光裝置，例如無機EL裝置。此外，本發明可廣泛地用於具有TFT之薄膜電晶體電路，其使用非晶態氧化物半導體一薄膜電晶體作為通道層。
本發明之薄膜電晶體電路具有：薄膜電晶體，其臨界電壓因施加於閘極端子與源極端子間之電應力而改變；以及電壓施加單元，其施加電壓於薄膜電晶體之閘極端子與源極端子間，作為電應力。當薄膜電晶體未被驅動時，電壓施加單元施加電應力於閘極端子與源極端子間，以驅動薄膜電晶體至臨界電壓飽和成電應力之區域。具體而言，施加電壓於閘極端子與源極端子間，使閘極電位變成高於薄膜電晶體中的源極電位。當施加電應力時，可將閘極電位設定成等於或高於薄膜電晶體中的汲極電位。
可施加電壓於薄膜電晶體之源極端子以降低至閘極電位。第9圖係電路圖，顯示施加電壓於薄膜電晶體中藉以將汲極及源極電位降至閘極電位之情形。電壓施加單元由兩個開關及兩個電源Vsa 及Vda 構成。於一般使用薄膜電晶體之時間點，將電壓Vg 施加於閘極端子，將電壓Vd 施加於汲極端子以及電壓Vs 施加於源極端子。於使用薄膜電晶體前之時間點，可藉由導通源極端子側之電源Vsa ，並在施加電壓Vg 於閘極端子狀態下，施加電壓Vs (Vg >Vs )於源極端子，保持電壓Vg 較源極電壓Vs 高。於此情況下，可在導通汲極端子側之電源Vda 時，施加電壓Vd (假設Vg >Vd 或Vg =Vd )於汲極端子。
作為異於發光顯示設備之使用AOS-TFT之AM裝置，其可例如應用於使用壓敏裝置之壓力感測器或使用光敏裝置之光學感測器，並可獲得相同效用。
本發明之非晶態界定成於X射線中無明顯峰部。
本實施例之有機EL顯示設備具有複數個像素，該等像素具有有機EL裝置以及驅動有機EL裝置之驅動電路。於驅動電路至少設置：驅動器a-IGZO TFT，用以控制供至有機EL裝置之電流；以及一個或複數個驅動器TFT，改變驅動器TFT之連接。此外，於顯示期間，驅動器TFT於臨界電壓飽和至電應力之區域操作。於本實施例中，臨界電壓飽和區域意指薄膜電晶體之臨界電壓變成電應力之變化率很小的區域。在此，臨界電壓之變化率很小的區域意指臨界電壓變成電應力之變化不影響薄膜電晶體之驅動的區域。
於本實施例之有機EL顯示設備中，在非發光期間內，例如在顯示器的開關關掉情況下，藉由使開關導通及斷開，施加高位準之電壓於閘極端子並施加低位準之電壓於源極及汲極端子。根據該操作，由於連續施加電應力於驅動器TFT，因此，驅動器TFT可不恢復臨界電壓之改變而維持飽和區域，有關電應力之施加，電壓可連續或間歇地(例如複數次脈衝)施加。
此後，若再度進行顯示操作，驅動器TFT即於臨界電壓飽和之區域中操作。因此，於本實施例之有機EL顯示設備中，可將TFT中成為電應力之改變減至很小程度，並可抑制顯示品質之劣化。
此外，較佳係本發明之有機EL顯示設備在開始使用顯示設備之前進行施加電壓於驅動器TFT至少48小時之操作，尤佳者係在製成顯示設備之後開始使用顯示設備之前進行24小時。藉由進行本操作，可從開始使用顯示設備起，在臨界電壓飽和至臨界電壓之區域中操作驅動器TFT。
此外，尤佳者係本發明之有機EL顯示設備配備附加電池。藉由配備附加電池，即使於移動中顯示設備未連接於外部電源情況下，仍可進行施加電應力之操作。由於施加電應力於驅動器TFT之操作幾乎無需電流供應，因此，於操作中耗電很少。
(第一實施例)
首先，將說明TFT，其中，處理待用於本實施例之a-IGZO作為通道層。
茲指出a-IGZO TFT之製造方法如下。
如第1圖所示，於Si(矽)基板30上形成厚度為100nm(納米)之熱氧化SiO2 絕緣膜20，對其濃稠注射諸如P(磷)或As(砷)之雜質。在此，Si(矽)基板30之一部分構成閘極。
此後，藉由處理多晶IGZO作為標靶，利用濺射沉積方法，於室溫下沉積50nm(納米)厚之a-IGZO膜10。其次，藉由以藉助於光微刻方法及稀釋氫氯酸之濕蝕方法將a-IGZO膜10圖案化，形成通道層。
隨後，在藉由光微刻方法將光阻圖案化時，以EB(電子束)蒸汽沉積方法沉積Ti(鈦)(5nm(納米))50及Au(金)(40nm(納米))40，此後，藉由剝離方法形成Au(金)/Ti(鈦)之源極及汲極。
接著，於300℃溫度下進一步進行退火程序一小時。
根據以上程序，可形成如第1圖所示a-IGZO TFT。
將指出可藉由上述製造方法獲得之a-IGZO TFT之電特性。
第2圖顯示該TFT之Id-vg特性。通道寬度為80μm(微米)，通道長度為10μm(微米)，臨界電壓為-0.1V(伏特)，移動率為18cm2 /Vs之 TFT具有普通a-Si TFT十倍大之移動率。
於第3圖中顯示在閘極端子與汲極端子間之一部分短路至該TFT且施加27μA(微安)的定電流於汲極端子與源極端子間情況下之臨界電壓變化(ΔVTH )。第3圖中之橫軸表示施加電應力之時間。此時，閘極電位較汲極電位高。且使閘極電位等於汲極電位。例如，標示於第3圖中橫軸之5E+04標記表示5×104 。
於此情況下，施加定電壓於閘極端子及汲極端子。此外，可變電源設在源極端子上，使定電流流入汲極端子與源極端子間。亦即，由於汲極端子與源極端子間之電流由閘極端子與源極端子間之電位差決定，因此，調整設在源極端子上之電源之電壓，使汲極端子與源極端子間之電流變成定電流。
且，由於閘極端子之電壓大於源極端子之電壓，因此，電應力施加於TFT。於此情況下，TFT之臨界電壓逐漸增加。因此，為將流入汲極端子與源極端子間的電流設定為定電流，須增大閘極端子與源極端子間的電位差。因此，調整成設於源極端子上之電源之電壓隨著應力施加時間增加變成小電壓。
相較於自經過20小時(約70000秒)之時間至經過20小時之時間的期間內約1V(伏特)之鄰界電壓變化，在自開始計量至之時間至經過約70000秒之時間的期間內，鄰界電壓變化約3V(伏特)。因此，被視為當應力施加時間達到某一位準時，電應力所造成臨界電壓之變化率接近恆定位準。於第3圖所示情形中，例如約1V(伏特)(經過約70000秒之後)之鄰界電壓變化區域係鄰界電壓之飽和區域，且於此區域中驅動TFT。
附帶一提，第3圖顯示在施加電應力於使用非晶態氧化物半導體之薄膜電晶體情況下，應力施加時間與鄰界電壓間之關係例子。應力施加時間與鄰界電壓間之關係依待使用非晶態氧化物半導體之性質及應力施加條件(電壓、溫度等)而變化。
於第4圖中顯示在施加閘極電壓12V(伏特)、汲極電壓6V(伏特)及源極電壓0V(伏特)之電應力於藉由上述方法經過800秒所獲得之另一a-IGZO TFT(通道寬度為180μm(微米)且通道長度為30μm(微米))之前及之後之Id-Vg特性波形。於第4圖中同樣顯示此後將其貯放暗處兩天後該TFT之Id-Vg特性波形。在根據第4圖，在貯存其於暗處兩天(48小時)後，藉電應力恢復鄰界電壓的變化。亦即，其顯示在等於或少於48小時之期間內，保持電應力所造成影響。結果，可知，藉由施加電應力於閘極端子與源極端子間，鄰界電壓可逆變化。
此外，在汲極電壓固定於6V(伏特)及源極電壓固定於GND的某些閘極電壓中，施加電應力於藉由上述方法經過400秒所獲得之另一a-IGZO TFT(通道寬度為180μm(微米)且通道長度為30μm(微米))。閘極電壓有-12V、-6V、4V、8V及12V五種。第5圖顯示電應力所造成鄰界電壓之變化。根據該第5圖，在閘極電壓低於源極電壓(等於或小於0V(伏特))情況下，幾乎永遠看不出有鄰界電壓變化。又，在閘極電壓高於源極電壓及汲極電壓(12V(伏特))情況下，導致鄰界變化成為最大變化。
此外，在閘極電壓固定於20V(伏特)及源極電壓固定於GND的某些汲極電壓中，施加電應力於a-IGZO TFT(通道寬度為180μm(微米)且通道長度為30μm(微米))。第10圖顯示於改變汲極電壓情況下鄰界電壓之變化。根據該第10圖，可知當汲極電壓接近閘極電壓20V(伏特)時，鄰界電壓變成很小。
此外，於第6圖中顯示藉由上述方法所獲得通道寬度為180μm(微米)且通道長度為30μm(微米)之a-IGZO TFT之Id-Vg特性波形。第6圖係重寫八種TFT之Id-Vg特性之圖表，且當幾乎可於一個特性中看出更多重寫特性時，均勻性變得更高。
將使用呈現以上特性之a-IGZO TFT，藉由以下方法製造第7圖所示有機EL顯示設備。
首先，藉由蒸汽沉積方法沉積由Ti(鈦)層50-1、Au(金)層40-1及Ti(鈦)層51-1構成之Ti/Au/Ti層疊膜於玻璃基板60上作為閘極線及閘極。藉由使用光微刻方法及剝離方法進行Ti/Au/Ti層疊膜之圖案形成。
其次，藉由濺射方法沉積SiO2 膜作為絕緣層21。藉由光微刻方法及使用緩衝氫氟酸之濕蝕方法進行SiO2 膜之圖案形成。
隨後，藉由濺射方法形成a-IGZO膜作為通道層。藉由光微刻方法及使用稀釋氫氟酸之濕蝕方法進行SiO2 薄膜之圖案形成。
隨後，藉由蒸汽沉積方法沉積由Ti(鈦)層50-2、Au(金)層40-2及Ti(鈦)層51-2構成之Ti/Au/Ti層疊膜作為資料線及源一汲極。藉由使用光微刻方法及剝離方法進行Ti/Au/Ti層疊膜之圖案形成。
隨後，沉積SiO2 膜52作為層監絕緣膜。藉由光微刻方法及使用緩衝氫氟酸之濕蝕方法進行SiO2 膜52之圖案形成。
隨後，藉由旋轉塗佈方法沉積光敏聚醯亞胺作為平面化層。由於使用光敏聚醯亞胺，因此，可藉由執行利用光微刻方法之曝光方法及執行分離方法，進行光敏聚醯亞胺膜70之圖案化。
隨後，形成有機EL裝置。
首先，藉由濺射方法沉積ITO(銦錫氧化物)膜80作為陽極。藉由光微刻方法及使用ITO剝離溶液之濕蝕方法或乾蝕方法進行ITO膜80之圖案形成。
隨後，藉由旋轉塗佈方法沉積光敏聚醯亞胺膜作為裝置分離膜。由於使用光敏聚醯亞胺，因此，可藉由執行利用光微刻方法之曝光方法及執行分離方法，進行光敏聚醯亞胺膜71之圖案化。
隨後，藉由蒸汽沉積方法沉積有機膜90作為發光層。藉由金屬掩膜方法進行有機膜90之圖案形成。
隨後，藉由蒸汽沉積方法沉積Al(鋁)膜作為陰極100。藉由金屬掩膜方法進行陰極100之圖案形成。
最後，可藉由使用玻璃基板61進行玻璃密封製造有機EL顯示設備(第7圖)。
第8圖顯示本實施例之有機EL顯示設備中之像素電路。像素電路對應於構成除了有機EL裝置(OLED(有機發光二極體))外虛線所圍繞部分的電路。第11圖顯示本實施例之有機EL顯示設備中之像素區。於第11圖中，參考符號S1至S6標示用來操作多數電壓施加裝置之開關，且像素由有機EL裝置(OLED)及像素電路構成。於本實施例中，用來作為驅動電路之像素電路由三個a-IGZOTFT(TFT1,TFT2及TFT3)構成，且在TFT1之閘極端子與源極端子間有電容器C。TFT1係用來控制供至有機EL裝置(OLED)之電流之驅動器TFT，且TFT2及TFT3作為開關來操作。
首先，將說明本實施例中一般顯示期間之操作。在此，雖然將說明m列及n行所界定位置上像素之操作，不過，其他像素之操作與上述像素之操作相同。於一般顯示期間內，開關S1至S6處於OFF(斷開)狀態。
於選擇掃瞄線SLm 期間內，施加高位準電壓於掃瞄線SLm ，將TFT2及TFT3切至ON(導通)狀態。於此選擇期間內，灰度等級電壓被自資料線DLn 經由TFT2施加至TFT1之閘極端子。且GND電壓被自GND線經由TFT3施加至TFT1之源極端子。此後，當選擇次一步驟之掃瞄線時，將低位準電壓施加於掃瞄線SLm ，且將TFT2及TFT3切至OFF(斷開)狀態。此時，有關TFT1之閘極端子與源極端子間之電壓，藉電容器C保持選擇期間內的灰度等級電壓。只要TFT1於飽和區操作，即以灰度等級電壓決定待流入TFT1之電流。因此，可藉該灰度等級電壓之大小控制待供至OLED之電流，亦即OLED之輝度。
上述掃瞄線之選擇對顯示器上的所有掃瞄線每秒進行60次。亦即，一幀周期對應於1/60之比例。
其次，將說明本實施例中非顯示期間內的操作。雖然將說明m列及n行所界定位置上像素之操作，不過，其他像素之操作與上述像素之操作相同。
於本實施例之有機EL顯示設備中，在至少一部分非顯示期間內選擇所有掃瞄線SLm 及資料線DLn ，並將TFT2及TFT3切成導通。並且，在開關S4至S6切成ON(導通)時，將高於GND電壓之定電壓VB施加於資料線DLn 。又，在開關S1至S3切成ON(導通)時，將TFT1之汲極電壓，亦即電壓Vdd設定為GND(接地)電壓。
此時，電流不流入OLED，同時，電應力連續施加於TFT1。因此，在電應力之臨界電壓值飽和狀態下保持TFT1。
藉由進行以上操作，本發明之有機EL顯示設備可在電應力之臨界電壓飽和區域中操作a-IGZO TFT。結果，可抑制因電應力而造成之影像品質劣化。
須知，由於TFT2及TFT3作為開關來操作，因此，即使臨界電壓變動，若TFT之臨界電壓設定於預定值，即可驅動TFT。因此，雖然不常要求施加電應力於TFT2及TFT3，當TFT之驅動電壓期望設定為定電壓時，亦即，當期望抑制臨界電壓變化之影響時，可類似於TFT1之情形施加電應力。
(第二實施例)
本實施例之有機EL顯示設備進一步包括於第一實施例之有機EL顯示設備中的電池，且施加電應力之操作可無須自外部供電，在第一實施例所示至少一部分非顯示期間內進行。
在完成產品製造之後，TFT1可藉由施加電應力，在電應力之臨界電壓飽和區域中操作。此外，可藉由使用電池而於上述非顯示期間內進行操作，保持TFT1於電應力變化飽和區域中操作迄至開始使用前之時間為止的狀態。
而且，藉由設置電池，即使於有機EL顯示設備離開電源而攜離情況下，仍可保持TFT1於電應力變化飽和區域中操作的狀態。
然而，由於上述特點之恢復發生在約經過等於或長於48小時之時間後，因此，期望有關上述操作，避免自開始使用起經過等於或長於48小時之時間。尤佳者係須避免時間固定於24小時內。
於上述非顯示狀態之操作中，由於除了漏電流外，並無電流流動之路徑，因此，供自電池之電力係小電力，該電池用來於上述非顯示狀態中操作。因此，在安裝本實施例之有機EL顯示設備於具有電池之諸如筆記型個人電腦或行動電話之設備情況下，進行上述非顯示狀態中之操作對可用以供應電池電力之期間所造成的影響非常少。
在完成產品製造之後施加電應力情況下，可藉由併用溫度與電應力，縮短TFT1到達臨界電壓飽和至電應力之區域所需時間。
如以上說明，於本實施例中，可在具有驅動電路之有機EL顯示設備中抑制顯示品質因電應力而發生的劣化，於驅動電路中a-IGZO TFT用來作為構成元件。
雖然於實施例1及2中提供僅與TFT有關之說明，其中處理a-IGZO薄膜作為通道層，本發明亦可應用於具有類似於電應力之特性的AOS-TFT。
此外，於實施在多灰度等級方面更優異之顯示設備況下，即使採用具有臨界校正功能之驅動電路及具有電流鏡構成之驅動電路，仍可藉由如上述，在非顯示期間內應用電壓於驅動器TFT，獲得相同作用。
此外，於實施例2中，施加電壓所需電力供自設有發光顯示設備之電池，且於非發光期間施加電壓，不自發光顯示設備之外部電源供應電力。即使未設置外部電源，仍可施加電壓。
本發明可應用於具有AOS-TFT之發光設備，於AOS-TFT中發光裝置之驅動電路發揮功能，處理AOS，作為通道層。本發明亦可應用於使用異於發光顯示設備之AOS-TFT之AM裝置，例如使用壓力感測器之壓力感測器或使用光敏裝置之光學感測器。
雖然參考例示性實施例說明本發明，卻須知本發明不限於所揭示例示性實施例。以下申請專利之範圍須作最廣闊解釋，以涵蓋所有此等修改以及均等結構和功能。
本申請案請求於2007年8月10日所提出日本專利申請案第2007-209984號，在此併提其全文供參考。
10．．．a-IGZO膜
20．．．SiO2 絕緣膜
21．．．絕緣層
30．．．矽基板
40．．．鈦層
40-1．．．金層
40-2．．．金層
50．．．金層
50-1．．．鈦層
50-2．．．鈦層
51-1．．．鈦層
51-2．．．鈦層
52．．．SiO2 膜
70,71．．．光敏聚乙醯胺膜
80．．．ITO(銦錫氧)膜
90．．．有機膜
100．．．陰極電極
C．．．電容器
DLn ．．．資料線
GND．．．接地
OLED．．．有機發光二極體
SLm ．．．掃瞄線
TFT1,TFT2,TFT3．．．a-IGZO TFT(非晶態銦鎵鋅氧薄膜電晶體)
VDD．．．電壓
第1圖係顯示本發明第一實施例中a-IGZO TFT之第一構成(矽基板上)之視圖。
第2圖係顯示本發明第一實施例中第一構成之該TFT之Id-vg(汲極電流對閘極電壓)特性之圖表。
第3圖係顯示本發明第一實施例中a-IGZO TFT之第一構成之電應力所造成臨界變化之圖表。
第4圖係顯示本發明第一實施例中a-IGZO TFT之第一構成自變化狀態恢復之恢復特性之圖表。
第5圖係顯示本發明第一實施例中a-IGZO TFT之第一構成取決於應力變化之閘極電壓之圖表。
第6圖係顯示本發明第一實施例中a-IGZO TFT之第一構成之複數個Id-vg特性之圖表。
第7圖係顯示本發明第一實施例中a-IGZO TFT之第二構成(於玻璃基板上)之視圖。
第8圖係顯示本發明第一實施例之像素電路之視圖。
第9圖係電路圖，顯示施加電壓於薄膜電晶體中藉以將汲極及源極電位降至閘極電位之情形。
第10圖係顯示於改變汲極電壓情況下臨界電壓變化之圖表。
第11圖係顯示本實施例之有機EL顯示設備中之像素區之視圖。
C．．．電容器
DLn ．．．資料線
GND．．．接地
OLED．．．有機發光二極體
SLm ．．．掃瞄線
TFT1,TFT2,TFT3．．．a-IGZO TFT(非晶態銦鎵鋅氧薄膜電晶體)
VDD．．．電壓

Claims (11)

  1. 一種薄膜電晶體電路驅動方法，該薄膜電晶體電路包含薄膜電晶體，其臨界電壓因施加於閘極端子與源極端子間的電應力而變化，該驅動方法包括：在該薄膜電晶體電路未被使用時，藉由施加自電池供應的電壓而施加電應力於該閘極端子與該源極端子間，以從該薄膜電晶體電路的使用開始在該臨界電壓飽和至該電應力的區域中驅動該薄膜電晶體。
  2. 如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體電路驅動方法，其中，藉由使該薄膜電晶體之閘極電位較該薄膜電晶體之源極電位高，施加電應力。
  3. 如申請專利範圍第2項之薄膜電晶體電路驅動方法，其中，使該薄膜電晶體之閘極電位在施加電應力時等於或高於汲極電位。
  4. 一種發光顯示設備驅動方法，該發光顯示設備包含：複數個像素，各具有發光裝置；以及驅動電路，用以驅動該發光裝置，其中：該驅動電路包含至少一個薄膜電晶體，其臨界電壓因施加於閘極端子與源極端子間的電應力而變化，且該驅動方法包括於該發光顯示設備之非使用期間藉由施加自電池供應的電壓而施加電應力於該薄膜電晶體之該閘極端子與該源極端子間，以從該薄膜電晶體電路的使用 開始在該臨界電壓飽和至該電應力的區域中驅動該薄膜電晶體。
  5. 如申請專利範圍第4項之發光顯示設備驅動方法，其中，藉由使該薄膜電晶體之閘極電位較該薄膜電晶體之源極電位高，施加電應力。
  6. 一種薄膜電晶體電路，包含：薄膜電晶體，其臨界電壓因施加於閘極端子與源極端子間的電應力而變化；以及電壓施加單元，其用來施加電壓於該薄膜電晶體之該閘極端子與該源極端子間，作為電應力，其中：該電壓施加單元在該薄膜電晶體未被使用藉由施加自電池供應的電壓而時施加電應力於該閘極端子與該源極端子間，以從該薄膜電晶體電路的使用開始在該臨界電壓飽和至該電應力的區域中驅動該薄膜電晶體。
  7. 如申請專利範圍第6項之薄膜電晶體電路，其中，該電壓施加單元使該薄膜電晶體之閘極電位較該薄膜電晶體之源極電位高。
  8. 如申請專利範圍第6項之薄膜電晶體電路，其中，該薄膜電晶體使用非晶態氧化物半導體作為通道層。
  9. 一種發光顯示設備，包含：複數個像素，各具有發光裝置；以及驅動電路，用以驅動發光裝置，其中：該驅動電路包含：薄膜電晶體，其臨界電壓因施加於閘極端子與源極端子間的電應力而變化；以及電壓施加單元，其用來施加電壓於該薄膜電晶體之該閘極端子與該源極端子間，作為電應力，且 該電壓施加單元於該發光顯示設備之非使用期間藉由施加自電池供應的電壓而施加電應力於該薄膜電晶體之該閘極端子與該源極端子間，以從該薄膜電晶體電路的使用開始在該臨界電壓飽和至該電應力的區域中驅動該薄膜電晶體。
  10. 如申請專利範圍第9項之發光顯示設備，其中，該電壓施加單元使該薄膜電晶體之閘極電位較該薄膜電晶體之源極電位高。
  11. 如申請專利範圍第9項之發光顯示設備，其中，該發光顯示設備之該薄膜電晶體使用非晶態氧化物半導體作為通道層。
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