TWI394219B - 半導體封裝之電性連接方法及其使用之可撕式黏性軟板 - Google Patents

Description

半導體封裝之電性連接方法及其使用之可撕式黏性軟板

本發明係有關於半導體裝置，特別係有關於一種半導體封裝之電性連接方法及其使用之可撕式黏性軟板。

目前在半導體之封裝結構中，允許將多個相同記憶體容量之晶片堆疊並封裝在同一封裝體內，以達到兩倍或兩倍以上容量之功能，例如：將兩個以上記憶體容量為512M以上之晶片堆疊結合並封裝成一個記憶體容量為1024M以上之封裝構造，即所謂的「多晶片堆疊封裝」。傳統上，所使用的半導體晶片可區分為中央銲墊(central pad)型晶片與周圍銲墊(peripheral pad)型晶片。特別是將中央銲墊型晶片以主動面(即積體電路形成表面)朝上堆疊時，需要打線較長的銲線，以使晶片電性連接至基板。利用主動面朝上的多晶片堆疊封裝產品係可採用覆線膠層(Film Over Wire,FOW)，作為晶片間隔之填充與保護銲線，但由於連接中央銲墊的銲線較長，會有著過高線弧並且在晶片之間留有較長且非固定的線體，使得銲線容易碰觸到上下晶片造成短路以及發生甩線的風險。

如第1圖所示，一種習知使用打線之多晶片堆疊結構主要包含有一基板110、一第一晶片120、一第一銲線130、一第二晶片150以及一第二銲線170。該第一晶片120係以主動面朝上方式設置於該基板110上，並且該第一晶片120之主動面121係形成有複數個第一銲墊122。該些第一銲線130與該些第二銲線170係為打線形成之金線。該些第一銲線130係電性連接該第一晶片120之該些第一銲墊122至該基板110之接指111。該第二晶片150係藉由一覆線膠層160(Film Over Wire,FOW)設置於該第一晶片120之主動面121上，並且該覆線膠層160係包覆該些第一銲線130在該主動面121上方的線段。該第二晶片150之主動面151係具有複數個第二銲墊152，並且該些第二銲線170係電性連接該些第二銲墊152至該基板110之接指111。在黏設該第二晶片150的過程中，該覆線膠層160(Film Over Wire,FOW)係可預先形成於該第二晶片150之背面，當貼附該第二晶片150至該第一晶片120上時，經施壓與加熱以使該覆線膠層160包覆該些第一銲線130。然而，由於該覆線膠層160必須要能發揮降低該些第一銲線130之線弧的作能，以避免該些第一銲線130碰觸到該第一晶片120之背面，故對該些第一銲線130造成一定的下壓作用力。溫度壓力等條件一個操作不慎，常使得該些第一銲線130造成甩線或過度變形，甚至碰觸至該第一晶片120之主動面121或銲線互相碰觸而造成短路，導致產品可靠性不佳，更降低了製程速度。此外，為了使該覆線膠層160能夠包覆住該些第一銲線130，而該些第一銲線130又具有一定的打線弧高，故只能使該覆線膠層160之厚度維持在一不可減少之預定值，這會增加了整體的封裝高度。

因此，目前利用打線作為半導體封裝之電性連接方法，通常是以金線作為打線材料，具有較昂貴之材料成本。特別是中央銲墊型晶片的晶片堆疊數量越多，必須面臨複雜或長銲線製程，更容易發生甩線之情況，亦會造成線塌或接觸晶片邊緣的風險。一旦將傳統的打線方式運用在多晶片堆疊的產品上時，由於皆是利用銲線達到電性連接，隨著晶片堆疊數量越多，在後續封裝製程中也越容易衍生出許多各種關於銲線之不良問題，也無法應用於小線距(fine-pitch，所指為銲線的間距不超過50微米)的封裝產品中。

本發明之主要目的係在於提供一種半導體封裝之電性連接方法及其使用之可撕式黏性軟板，能完全免除以往打線之甩線問題，更毋須擔心造成線塌與接觸晶片之風險，特別可應用於小線距並取代複雜或長銲線製程，提升了封裝的能力與可靠性。

本發明之次一目的係在於提供一種半導體封裝之電性連接方法及其使用之可撕式黏性軟板，能提升整體封裝製程效率，更降低了製造成本。

本發明之再一目的係在於提供一種半導體封裝之電性連接方法及其使用之可撕式黏性軟板，可以達到取代銲線以消除線弧，應用於多晶片堆疊時可縮小晶片堆疊間隙並且在晶片堆疊間隙內不容易產生氣泡。

本發明的目的及解決其技術問題是採用以下技術方案來實現的。本發明揭示一種半導體封裝之電性連接方法，主要包含有以下步驟：提供一基板，係具有複數個接指。設置一第一晶片於該基板上，在該第一晶片的主動面上設有複數個第一銲墊。設置複數個第一凸塊於該些第一銲墊上。設置一可撕式黏性軟板於該第一晶片上，其中該可撕式黏性軟板之一黏性表面係黏附有複數個可撓性內引腳。進行第一次壓焊步驟，以使該些可撓性內引腳接合至該些第一凸塊。進行第二次壓焊步驟，以使該些可撓性內引腳接合至該些接指。撕離該可撕式黏性軟板而在該第一晶片與該基板之間留下該些可撓性內引腳。本發明另揭示應用於上述電性連接方法之可撕式黏性軟板。

本發明的目的及解決其技術問題還可採用以下技術措施進一步實現。

在前述之半導體封裝之電性連接方法中，在設置該些第一凸塊之後與設置該可撕式黏性軟板之前，可另包含之步驟為：覆蓋一絕緣塗佈層於該第一晶片的主動面並顯露出該些第一凸塊，以供該可撕式黏性軟板之黏附，並且該絕緣塗佈層係為一軟膠層。

在前述之半導體封裝之電性連接方法中，該可撕式黏性軟板之主體係可為一UV黏性膠膜，並在該兩壓焊步驟之後另以紫外光照射方式降低該UV黏性膠膜對該些可撓性內引腳的黏著力。

在前述之半導體封裝之電性連接方法中，該些可撓性內引腳係可為銅線，並且該些可撓性內引腳之外圍包覆一金層。

在前述之半導體封裝之電性連接方法中，該些第一銲墊係可設置於該第一晶片的主動面的中央，並且該些可撓性內引腳係呈梳狀交錯排列。

在前述之半導體封裝之電性連接方法中，可另包含之步驟為：設置一第二晶片於該第一晶片上，並以一覆線膠層形成於該第一晶片與該第二晶片之間，用以黏接該第一晶片與該第二晶片並局部包覆該些可撓性內引腳。

在前述之半導體封裝之電性連接方法中，該第一晶片與該第二晶片係可具有相同尺寸與功能，並且該第二晶片之主動面係設有複數個第二銲墊。

在前述之半導體封裝之電性連接方法中，在設置該第二晶片之步驟之後，可另包含之步驟為：設置複數個第二凸塊於該些第二銲墊上。設置一第二可撕式黏性軟板於該第二晶片上，其中該第二可撕式黏性軟板之一黏性表面係黏附有複數個第二可撓性內引腳。進行第三次壓焊步驟，以使該些第二可撓性內引腳接合至該些第二凸塊。進行第四次壓焊步驟，以使該些第二可撓性內引腳接合至該些接指。撕離該第二可撕式黏性軟板而在該第二晶片與該基板之間留下該些第二可撓性內引腳。

在前述之半導體封裝之電性連接方法中，在設置該些第二凸塊之後與設置該第二可撕式黏性軟板之前，可另包含之步驟為：覆蓋一第二絕緣塗佈層於該第二晶片的主動面並顯露出該些第二凸塊，以供該第二可撕式黏性軟板之黏附。

在前述之半導體封裝之電性連接方法中，該黏性表面係可更黏附有一引腳匯流排，該引腳匯流排係具有至少一延伸引腳，與該些可撓性內引腳之內端並排。

在前述之半導體封裝之電性連接方法中，該些可撓性內引腳係可包含往不同方向扇開之複數個第一側內引腳與複數個第二側內引腳，該引腳匯流排係穿過該些第一側內引腳與該些第二側內引腳之間的間隙。

在前述之半導體封裝之電性連接方法中，該些第一銲墊係可由複數個第一排銲墊與複數個第二排銲墊所構成，當該可撕式黏性軟板設置於該第一晶片時，該些第一側內引腳之內端係對準於該些第一排銲墊，且該些第二側內引腳之內端係對準於該些第二排銲墊。

由以上技術方案可以看出，本發明之半導體封裝之電性連接方法及其使用之可撕式黏性軟板，有以下優點與功效：

一、可藉由覆蓋絕緣塗佈層與貼附具有可撓性內引腳之可撕式黏性軟板作為其中一技術手段，由於可撕式黏性軟板黏附有可撓性內引腳，並藉由可撓性內引腳電性連接晶片與基板，故能完全免除以往打線之甩線問題，更毋須擔心造成線塌與接觸晶片之風險，特別可應用於小線距並取代複雜或長銲線製程，提升了封裝的能力與可靠性。

二、可藉由貼附具有可撓性內引腳之可撕式黏性軟板作為其中一技術手段，由於可撕式黏性軟板係黏附有可撓性內引腳，使可撓性內引腳對準凸塊與金手指，並達到電性連接關係，故能取代以往的打線製程，提升整體封裝製程效率。

三、可藉由貼附具有可撓性內引腳之可撕式黏性軟板作為其中一技術手段，由於可撓性內引腳係為銅線，僅是於可撓性內引腳之外圍包覆一金層，故能降低材料成本，更低於以往所使用之金線。

四、可藉由貼附具有可撓性內引腳之可撕式黏性軟板作為其中一技術手段，由於可撓性內引腳可以達到取代銲線以消除線弧，應用於多晶片堆疊時可縮小晶片堆疊間隙並且在晶片堆疊間隙內不容易產生氣泡。因此，在與習知相同封裝厚度之情況下能堆疊更多的晶片。

以下將配合所附圖示詳細說明本發明之實施例，然應注意的是，該些圖示均為簡化之示意圖，僅以示意方法來說明本發明之基本架構或實施方法，故僅顯示與本案有關之元件與組合關係，圖中所顯示之元件並非以實際實施之數目、形狀、尺寸做等比例繪製，某些尺寸比例與其他相關尺寸比例或已誇張或是簡化處理，以提供更清楚的描述。實際實施之數目、形狀及尺寸比例為一種選置性之設計，詳細之元件佈局可能更為複雜。

依據本發明之第一具體實施例，一種半導體封裝之電性連接方法舉例說明於第2圖之流程方塊圖與第3A至3I圖之元件截面示意圖。該半導體封裝之電性連接方法根據第2圖，可包含以下步驟：「提供一基板」之步驟1、「設置一晶片於基板上」之步驟2、「設置第一凸塊於晶片之銲墊上」之步驟3、「覆蓋絕緣塗佈層於晶片之主動面」之步驟4、「設置可撕式黏性軟板於晶片上，」之步驟5、「進行第一次壓焊」之步驟6，「進行第二次壓焊」之步驟7以及「撕離可撕式黏性軟板」之步驟8，在各步驟上表現元件請參閱第3A至3I圖，說明如下所示。

首先，執行步驟1。請參閱第3A圖所示，提供一基板210，係具有複數個接指211。該基板210可為一印刷電路板(printed circuit board,PCB)。在本實施例中，該些接指211之材質係可為金(Au)，或表面鍍有金之銅墊。詳細而言，該些接指211係位於該基板210之兩側，而位於該基板210之晶片設置區(用以設置晶片之區域)之外。

執行步驟2。請參閱第3B圖所示，設置一第一晶片220於該基板210上，在該第一晶片220的主動面221上設有複數個第一銲墊222。具體而言，該第一晶片220係對準於上述的晶片設置區，以不覆蓋至該些接指211。並且，該第一晶片220的主動面221係朝上而遠離該基板210。在本實施例中，該些第一銲墊222係可設置於該第一晶片220的主動面221的中央，銲墊材質可選自於鋁(Al)。

執行步驟3。請參閱第3C圖所示，設置複數個第一凸塊223於該些第一銲墊222上，以使該第一晶片220具有突出於其主動面221之導電端子。在本實施例中，該些第一凸塊223之材質係可選自於金(Au)，亦可為銅或鎳金。該些第一凸塊223之具體設置方法係可為打線或電鍍。

執行一較佳之步驟4。請參閱第3D圖所示，在設置該些第一凸塊223之後，可另包含之步驟為：覆蓋一絕緣塗佈層240於該第一晶片220的主動面221並顯露出該些第一凸塊223，以供一可撕式黏性軟板230之黏附。更佳地，該絕緣塗佈層240係可為一軟膠層，故能在進行後續步驟時，達到暫時性固定以避免該可撕式黏性軟板230曲折過大並可達成伸縮有利於壓焊至凸塊之功效。

執行步驟5。請參閱第3E圖所示，並請參酌第4A圖繪示出該步驟之立體示意圖。設置該可撕式黏性軟板230於該第一晶片220上，其中該可撕式黏性軟板230之一黏性表面231係黏附有複數個可撓性內引腳232。在本實施例中，該些可撓性內引腳232係為銅導線，並且該些可撓性內引腳232之外圍包覆一金層232A(請參酌第5圖所示)。因此，可以降低材料成本，更低於以往打線製程中所使用之金線。更具體地，對應銲墊配置位置與欲扇開的導電路徑，該些可撓性內引腳232係可呈梳狀交錯排列，並貼附於該黏性表面231。在一較佳實施例中，該可撕式黏性軟板230之主體係可為一UV黏性膠膜233，使得該可撕式黏性軟板230在完成後續步驟之後，能夠另以紫外光照射方式降低該UV黏性膠膜233對該些可撓性內引腳232的黏著力。詳細而言，該可撕式黏性軟板230係由該UV黏性膠膜233與該些可撓性內引腳232所構成，並且在此步驟中，可藉由該UV黏性膠膜233所具有的黏著力，將該可撕式黏性軟板230黏著至該絕緣塗佈層240上，使得該些可撓性內引腳232能夠逐一對準該些第一凸塊223與該些接指211，避免該些可撓性內引腳232在後續電性連接的壓焊過程中產生位移之情況。此外，由於該可撕式黏性軟板230係可平貼於該絕緣塗佈層240上並產生黏性，故可以達到取代銲線以消除線弧，並預先固定該些可撓性內引腳232的位置，應用於多晶片堆疊時可縮小晶片堆疊間隙並且在晶片堆疊間隙內不容易產生氣泡。

執行步驟6。請參閱第3F圖所示，並請參酌第4B圖繪示出該步驟之立體示意圖。在所進行之第一次壓焊步驟中，藉由一壓焊工具10(bond tool)對準該些可撓性內引腳232之內端與該些第一凸塊223並施加壓力與溫度，以使該些可撓性內引腳232接合至該些第一凸塊223。在本實施例中，該壓焊工具10係可為一點對點小尺寸之熱壓頭，亦可為一次壓焊所有可撓性內引腳232之內端之矩形壓合塊。

執行步驟7。請參閱第3G圖所示，並請參酌第4C圖繪示出該步驟之立體示意圖。在所進行之第二次壓焊步驟中，藉由該壓焊工具10對準該些可撓性內引腳232之外端與該些接指211並施加壓力與溫度，以使該些可撓性內引腳232接合至該些接指211。在完成此步驟之後，該些可撓性內引腳232便已導通該些第一凸塊223與該些接指211，也就是說，該第一晶片220與該基板210已完成電性連接關係。在本實施例中，當該壓焊工具10壓焊該些可撓性內引腳232時，不需要截斷該些可撓性內引腳232之兩端，相較於習知的內引腳接合技術，該些可撓性內引腳232更不會有位移問題，以準確連接該些第一凸塊223與該些接指211。

在一較佳實施例中，如第3H圖所示，並請參酌第4D圖繪示出該步驟之立體示意圖。可藉由一UV光照射器20，以紫外光照射該可撕式黏性軟板230，使該UV黏性膠膜233黏性降低而方便從該些可撓性內引腳232上剝離。

之後，執行步驟8。請參閱第3I圖所示，並請參酌第4E圖繪示出該步驟之立體示意圖。撕離該可撕式黏性軟板230而在該第一晶片220與該基板210之間留下該些可撓性內引腳232，完全沒有習知的打線弧高。更具體地，此步驟是將已剝離之該UV黏性膠膜233移除，僅留下該些可撓性內引腳232。當完成該步驟之後，即使得該第一晶片220與該基板210之間達成無打線弧高之電性連接，能縮小整體的封裝高度。

較佳地，應用該第一晶片220之第一銲墊222植設該些第一凸塊223，進而塗佈該絕緣塗佈層240，以預防該些可撓性內引腳232碰觸至該第一晶片220之主動面221而造成短路。本發明利用該可撕式黏性軟板230黏附至該絕緣塗佈層240(或可直接黏附至該第一晶片之主動面)以暫時定位該些可撓性內引腳232作為其中一技術手段，能完全免除以往打線之甩線問題，更毋須擔心造成線塌與接觸晶片之風險，特別可應用於小線距(fine-pitch)並取代複雜或長銲線製程，提升了封裝的能力與可靠性。其中，所謂的「小線距」也就是腳距密集化，通常係指該些可撓性內引腳232的內端間距在50微米(μm)以下。由於能夠達到取代銲線以消除線弧之功效，特別是應用於多晶片堆疊時可縮小晶片堆疊間隙，並且在晶片堆疊間隙內不容易產生氣泡。因此，在與習知相同封裝厚度之情況下能堆疊更多的晶片，以達到更高性能的封裝。此外，本發明係以上述的特殊內引腳接合(Inner Lead Bond,ILB)取代了以往的打線製程，更加提升了整體的封裝製程效率。

本發明還揭示前述方法所使用之可撕式黏性軟板舉例說明於第5圖。一種可撕式黏性軟板230適用於半導體封裝之電性連接，該可撕式黏性軟板230之一黏性表面231係黏附有複數個可撓性內引腳232，該可撕式黏性軟板230之主體係為一UV黏性膠膜233。詳細而言，該些可撓性內引腳232係可為銅線，並且該些可撓性內引腳232之外圍包覆一金層232A(如第5圖所示)，故能夠降低以往使用(金)銲線的材料成本。

依據本發明之第二具體實施例，主要應用第一實施例所揭示之方法並進一步達到多晶片堆疊之電性連接方法，舉例說明於第6A至6G圖。在本實施例中，所揭示之步驟係接續於第一實施例之後，故該第一晶片220與該基板210係已藉由該些可撓性內引腳232達成電性連接。其中與第一實施例相同的主要元件將以相同符號標示，不再詳予贅述。

首先，如第6A圖所示，可設置一第二晶片350於該第一晶片220上，並以一覆線膠層360(Film Over Wire,FOW)形成於該第一晶片220與該第二晶片350之間，用以黏接該第一晶片220與該第二晶片350並局部包覆該些可撓性內引腳232。在本實施例中，該第一晶片220與該第二晶片350係可具有相同尺寸與功能，並且該第二晶片350之主動面351係設有複數個第二銲墊352。在黏晶過程中，由於該些可撓性內引腳232不會產生如同習知銲線的打線弧高，使得該覆線膠層360毋須太厚而能薄化，除了可減少材料使用量之外，更能降低整體的封裝高度。

如第6B圖所示，設置複數個第二凸塊353於該些第二銲墊352上。在本實施例中，該些第二凸塊353之材質係可選自於金(Au)。如第6C圖所示，在設置該些第二凸塊353之後，可另覆蓋一第二絕緣塗佈層380於該第二晶片350的主動面351並顯露出該些第二凸塊353，以供一第二可撕式黏性軟板370之黏附。在本實施例中，該第二絕緣塗佈層380與該絕緣塗佈層240皆可為絕緣材料(spacer)，用以分別保護該第二晶片350之主動面351與該第一晶片220之主動面221，預防短路之情形發生。

如第6D圖所示，設置該第二可撕式黏性軟板370於該第二晶片350上，其中該第二可撕式黏性軟板370之一黏性表面371係黏附有複數個第二可撓性內引腳372。在設置時，該第二可撕式黏性軟板370係可更黏附至該第二絕緣塗佈層380。

如第6E圖所示，藉由該壓焊工具10，進行第三次壓焊步驟，以使該些第二可撓性內引腳372接合至該些第二凸塊353。如第6F圖所示，再藉由該壓焊工具10，進行第四次壓焊步驟，以使該些第二可撓性內引腳372接合至該些接指211。在完成以上壓焊步驟之後，表示該第二晶片350與該基板210已達成電性連接關係。

再如第6G圖所示，撕離該第二可撕式黏性軟板370而在該第二晶片350與該基板210之間留下該些第二可撓性內引腳372。在一較佳實施例中，在上述兩壓焊步驟之後與撕離該第二可撕式黏性軟板370之前，可另以紫外光照射方式降低該第二可撕式黏性軟板370對該些第二可撓性內引腳372的黏著力，使得該第二可撕式黏性軟板370從該些第二可撓性內引腳372上剝離。在另一變化實施例中，可再重覆上述之步驟達到更多層晶片堆疊，以提升產品性能。

依據本發明之第三具體實施例，另一種半導體封裝之電性連接方法舉例說明於第7A與7B圖。其中與第一實施例相同的主要元件將以相同符號標示，不再詳予贅述。

在本實施例中，如第7A圖所示，一可撕式黏性軟板430之黏性表面231除了黏附有該些可撓性內引腳232，更黏附有一引腳匯流排434，並且該引腳匯流排434係具有至少一延伸引腳434A，與該些可撓性內引腳232之內端並排。換言之，該引腳匯流排434與該些可撓性內引腳232係可黏附於同一表面(即該黏性表面231)。詳細而言，該些可撓性內引腳232係可包含往不同方向扇開之複數個第一側內引腳432A與複數個第二側內引腳432B，該引腳匯流排434係可穿過該些第一側內引腳432A與該些第二側內引腳432B之間的間隙。該可撕式黏性軟板430可設置於一晶片420上。再如第7B圖所示，該晶片420之主動面221設有複數個中央排列之銲墊222，可由複數個第一排銲墊422A與複數個第二排銲墊422B所構成。當該可撕式黏性軟板430設置於該晶片420時，該些第一側內引腳432A之內端係可對準於該些第一排銲墊422A，且該些第二側內引腳432B之內端係對準於該些第二排銲墊422B，以供壓焊接合。在本實施例中，該引腳匯流排434係位於該些第一排銲墊422A與該些第二排銲墊422B之間的排列間隙，該延伸引腳434A係可對準於其中一之該些第二排銲墊422B，可作為接地或電源之連接。

以上所述，僅是本發明的較佳實施例而已，並非對本發明作任何形式上的限制，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然而並非用以限定本發明，任何熟悉本項技術者，在不脫離本發明之技術範圍內，所作的任何簡單修改、等效性變化與修飾，均仍屬於本發明的技術範圍內。

步驟1　提供一基板

步驟2　設置一晶片於基板上

步驟3　設置凸塊於晶片之銲墊上

步驟4　覆蓋絕緣塗佈層於晶片之主動面

步驟5　設置可撕式黏性軟板於晶片上

步驟6　進行第一次壓焊

步驟7　進行第二次壓焊

步驟8　撕離可撕式黏性軟板

10．．．壓焊工具

20．．．UV光照射器

110．．．基板

111．．．接指

120．．．第一晶片

121．．．主動面

122．．．第一銲墊

130．．．第一銲線

150．．．第二晶片

151．．．主動面

152．．．第二銲墊

160．．．覆線膠層

170．．．第二銲線

210．．．基板

211．．．接指

220．．．第一晶片

221．．．主動面

222．．．第一銲墊

223．．．第一凸塊

230．．．可撕式黏性軟板

231．．．黏性表面

232．．．可撓性內引腳

232A．．．金層

233．．．UV黏性膠膜

240．．．絕緣塗佈層

350．．．第二晶片

351．．．主動面

352．．．第二銲墊

353．．．第二凸塊

360．．．覆線膠層

370．．．第二可撕式黏性軟板

371．．．黏性表面

372．．．可撓性內引腳

372A．．．金層

380．．．第二絕緣塗佈層

420．．．晶片

422A．．．第一排銲墊

422B．．．第二排銲墊

430．．．可撕式黏性軟板

432A．．．第一側內引腳

432B．．．第二側內引腳

434．．．引腳匯流排

434A．．．延伸引腳

第1圖：為習知的使用打線之多晶片堆疊結構之截面示意圖。

第2圖：依據本發明之第一具體實施例的一種半導體封裝之電性連接方法之流程方塊圖。

第3A至3I圖：依據本發明之第一具體實施例的半導體封裝之電性連接方法之元件截面示意圖。

第4A至4E圖：依據本發明之第一具體實施例在過程中依序對應第3E至3I圖之元件立體示意圖。

第5圖：依據本發明之第一具體實施例的半導體封裝之電性連接方法繪示其可撕式黏性軟板之截面局部放大圖。

第6A至6G圖：依據本發明之第二具體實施例的半導體封裝之電性連接方法進行多晶片堆疊時之元件截面示意圖。

第7A與7B圖：依據本發明之第三具體實施例的另一種可撕式黏性軟板之底視圖與被貼附之晶片之上視圖。

210．．．基板

211．．．接指

220．．．第一晶片

221．．．主動面

222．．．第一銲墊

223．．．第一凸塊

230．．．可撕式黏性軟板

231．．．黏性表面

232．．．可撓性內引腳

233．．．UV黏性膠膜

240．．．絕緣塗佈層

Claims (16)

1. 一種半導體封裝之電性連接方法，包含：提供一基板，係具有複數個接指；設置一第一晶片於該基板上，在該第一晶片的主動面上設有複數個第一銲墊；設置複數個第一凸塊於該些第一銲墊上；設置一可撕式黏性軟板於該第一晶片上，其中該可撕式黏性軟板之一黏性表面係黏附有複數個可撓性內引腳；進行第一次壓焊步驟，以使該些可撓性內引腳接合至該些第一凸塊；進行第二次壓焊步驟，以使該些可撓性內引腳接合至該些接指；以及撕離該可撕式黏性軟板而在該第一晶片與該基板之間留下該些可撓性內引腳。
2. 根據申請專利範圍第1項之半導體封裝之電性連接方法，在設置該些第一凸塊之後與設置該可撕式黏性軟板之前，另包含之步驟為：覆蓋一絕緣塗佈層於該第一晶片的主動面並顯露出該些第一凸塊，以供該可撕式黏性軟板之黏附，並且該絕緣塗佈層係為一軟膠層。
3. 根據申請專利範圍第1項之半導體封裝之電性連接方法，其中該可撕式黏性軟板之主體係為一UV黏性膠膜，並在該兩壓焊步驟之後另以紫外光照射方式降低該UV黏性膠膜對該些可撓性內引腳的黏著力。
4. 根據申請專利範圍第1項之半導體封裝之電性連接方法，其中該些可撓性內引腳係為銅線，並且該些可撓性內引腳之外圍包覆一金層。
5. 根據申請專利範圍第1項之半導體封裝之電性連接方法，其中該些第一銲墊係設置於該第一晶片的主動面的中央，並且該些可撓性內引腳係呈梳狀交錯排列。
6. 根據申請專利範圍第1項之半導體封裝之電性連接方法，另包含之步驟為：設置一第二晶片於該第一晶片上，並以一覆線膠層形成於該第一晶片與該第二晶片之間，用以黏接該第一晶片與該第二晶片並局部包覆該些可撓性內引腳。
7. 根據申請專利範圍第6項之半導體封裝之電性連接方法，其中該第一晶片與該第二晶片係具有相同尺寸與功能，並且該第二晶片之主動面係設有複數個第二銲墊。
8. 根據申請專利範圍第7項之半導體封裝之電性連接方法，在設置該第二晶片之步驟之後，另包含之步驟為：設置複數個第二凸塊於該些第二銲墊上；設置一第二可撕式黏性軟板於該第二晶片上，其中該第二可撕式黏性軟板之一黏性表面係黏附有複數個第二可撓性內引腳；進行第三次壓焊步驟，以使該些第二可撓性內引腳接合至該些第二凸塊；進行第四次壓焊步驟，以使該些第二可撓性內引腳接合至該些接指；以及撕離該第二可撕式黏性軟板而在該第二晶片與該基板之間留下該些第二可撓性內引腳。
9. 根據申請專利範圍第7項之半導體封裝之電性連接方法，在設置該些第二凸塊之後與設置該第二可撕式黏性軟板之前，另包含之步驟為：覆蓋一第二絕緣塗佈層於該第二晶片的主動面並顯露出該些第二凸塊，以供該第二可撕式黏性軟板之黏附。
10. 根據申請專利範圍第1項之半導體封裝之電性連接方法，其中該黏性表面係更黏附有一引腳匯流排，該引腳匯流排係具有至少一延伸引腳，與該些可撓性內引腳之內端並排。
11. 根據申請專利範圍第10項之半導體封裝之電性連接方法，其中該些可撓性內引腳係包含往不同方向扇開之複數個第一側內引腳與複數個第二側內引腳，該引腳匯流排係穿過該些第一側內引腳與該些第二側內引腳之間的間隙。
12. 根據申請專利範圍第11項之半導體封裝之電性連接方法，其中該些第一銲墊係由複數個第一排銲墊與複數個第二排銲墊所構成，當該可撕式黏性軟板設置於該第一晶片時，該些第一側內引腳之內端係對準於該些第一排銲墊，且該些第二側內引腳之內端係對準於該些第二排銲墊。
13. 一種可撕式黏性軟板，適用於半導體封裝之電性連接，該可撕式黏性軟板之一黏性表面係黏附有複數個可撓性內引腳，該可撕式黏性軟板之主體係為一UV黏性膠膜。
14. 根據申請專利範圍第13項之可撕式黏性軟板，其中該些可撓性內引腳係為銅線，並且該些可撓性內引腳之外圍包覆一金層。
15. 根據申請專利範圍第13項之可撕式黏性軟板，其中該黏性表面係更黏附有一引腳匯流排，該引腳匯流排係具有至少一延伸引腳，與該些可撓性內引腳之內端並排。
16. 根據申請專利範圍第15項之可撕式黏性軟板，其中該些可撓性內引腳係包含往不同方向扇開之複數個第一側內引腳與複數個第二側內引腳，該引腳匯流排係穿過該些第一側內引腳與該些第二側內引腳之間的間隙。