TWI394259B - 多基板堆疊之球格陣列封裝構造 - Google Patents

Description

多基板堆疊之球格陣列封裝構造

本發明係有關於一種半導體裝置，特別係有關於一種多基板堆疊之球格陣列封裝構造。

現今電子產品係朝多功能與輕薄短小之方向發展，為配合此一發展方向，半導體業者積極研發能整合多個晶片或封裝件之半導體封裝構造，藉以符合電子產品之要求。

請參閱第1圖所示，一種習知球格陣列封裝構造100主要係由一第一半導體封裝件101以及一第二半導體封裝件102所堆疊組成，通常這類裝置被稱之為堆疊式封裝(POP,Packag－On－Package)裝置。該第一半導體封裝件101主要包含一第一基板110、複數個第一晶片120、一第一封膠體131以及複數個第一銲線181。該第二半導體封裝件102主要包含一第二基板140、一第二晶片150、一第二封膠體132以及複數個第二銲線182。

該第一基板110係具有一第一上表面111與一第一下表面112，其係以積層(laminate)方式製成，通常包含一第一核心層114以及在第一核心層114上下兩表面各有一層的第一防焊層115。該第一核心層114係為一種玻璃纖維強化樹脂並作為位於該第一基板110之一基礎層。該第一核心層114之上下表面係壓合有線路層(圖 未繪出)，以形成多數導電跡線(conductive trace)。該些第一防焊層115係為絕緣性材料，以形成一遮覆導電跡線之保護層，但顯露出複數個第一球墊116與複數個第一連接墊117。該些第一晶片120係設於該第一基板110之該第一上表面111。每一第一晶片120之主動面係包含有複數個第一銲墊121，並利用該些第一銲線181電性連接至該第一基板110之該些第一連接墊117，以達到電性連接。再以該第一封膠體131密封該些第一晶片120與該些第一銲線181，而形成該第一半導體封裝件101。該第二基板140係具有一第二上表面141與一第二下表面142，其亦以積層方式製成，並包含一第二核心層144以及上下表面各有一層之第二防焊層145。該第二基板140之結構大致相同於該第一基板110，故該第一基板110與該第二基板140為雙面皆具有防焊層與線路層之結構。該第二基板140之該第二下表面142係具有複數個第二球墊146，該第二上表面141係具有複數個第二轉接墊147。該第二晶片150係設於該第二基板140之該第二上表面141。該第二晶片150之主動面係包含有複數個第二銲墊153，並利用該些第二銲線182連接至該第二基板140，以達到電性連接。再以該第二封膠體132密封該些第二晶片150與該些第二銲線182，而形成該第二半導體封裝件102。另在該第二基板140之該第二下表面142可設置複數個外接銲球170，以對外表面接合。

在該第一半導體封裝件101與該第二半導體封裝件102在製成之後在進行堆疊以達成兩者電性連接，利用複數個中介銲球160設置在該些第二轉接墊147與該些第一球墊116上。由於該第二晶片150與該第二封膠體132的空間佔用，該些中介銲球160只能為周邊配置。當該些中介銲球160過小，則無法順利作為上下基板之間電性連接。當該些中介銲球160過大，球與球之間會接觸短路並使堆疊厚度增加。

此外，在封膠體之固化(curing)、外接端子之設置或是後續熱循環試驗(thermal cycle test)等皆有昇降溫之條件變化，又第一封膠體131與第二封膠體132具有不相同的表面覆蓋面積，故導致不同封裝件之間的上下基板翹曲度不同之問題。基板翹曲產生的應力會集中少數的中介銲球160導致斷裂(crack)，故而影響封裝之產品可靠度。

有鑒於此，本發明之主要目的係在於提供一種多基板堆疊之球格陣列封裝構造，能使封裝構造更為薄化並降低上下堆疊基板之翹曲度差異，更可節省基板之成本與簡化封裝製造流程。

本發明的目的及解決其技術問題是採用以下技術方案來實現的。依據本發明所揭示之一種多基板堆疊之球格陣列封裝構造，主要包含一第一基板、至少一第一晶片、一封膠體、一第二基板、一第二晶片、一異方性導電膠層以及複數個銲球。該第一基板係具有一第一上表 面與一第一下表面，其中該第一基板之側邊係設有複數個由該第一上表面延伸到該第一下表面之第一導通電極。該第一晶片係設於該第一基板之該第一上表面。該封膠體係形成於該第一基板之該第一上表面，以密封該第一晶片。該第二基板係具有一第二上表面與一第二下表面，該第二基板係疊設於該第一基板之下方，其中該第二基板之側邊係設有複數個由該第二上表面延伸到該第二下表面之第二導通電極，該第二下表面係設有複數個陣列配置之球墊。該第二晶片係設於該第一基板之該第一下表面與該第二基板之該第二上表面之間。該異方性導電膠層係設於該第一基板之該第一下表面與該第二基板之該第二上表面之間，該異方性導電膠層係包含複數個導電顆粒，其中至少一導電顆粒係電性接觸在該些第一導通電極與對應之該些第二導通電極之間。該些銲球係結合於該些球墊。

本發明的目的及解決其技術問題還可採用以下技術措施進一步實現。

在前述球格陣列封裝構造中，該異方性導電膠層係可密封該第二晶片。

在前述球格陣列封裝構造中，該些第一導通電極係可具有複數個突出於該第一下表面之接觸表面。

在前述球格陣列封裝構造中，該第一下表面可即為該第一基板之一核心層之外露表面。

在前述球格陣列封裝構造中，該第二晶片係可具有 一背面，其係貼附於該第一基板之該核心層。

在前述球格陣列封裝構造中，該第二晶片係可覆晶接合至該第二基板。

在前述球格陣列封裝構造中，該第二晶片係可具有一主動面，其係貼附於該第二基板之該第二上表面，該球格陣列封裝構造另包含複數個銲線，其係通過該第二基板之一槽孔並電性連接該第二晶片與該第二基板。

在前述球格陣列封裝構造中，可另包含有一第二封膠體，係形成於該槽孔內以密封該些銲線。

在前述球格陣列封裝構造中，該些第二導通電極係可具有複數個突出於該第二上表面之接觸表面。

在前述球格陣列封裝構造中，該第二上表面係可即為該第二基板之一核心層之外露表面。

在前述球格陣列封裝構造中，該第二晶片係可具有一背面，其係貼附於該第二基板之核心層。

在前述球格陣列封裝構造中，該第二晶片係可覆晶接合至該第一基板。

在前述球格陣列封裝構造中，更可包含複數個第一銲線，其係可電性連接該第一晶片與該第一基板並被該封膠體所密封。

在前述球格陣列封裝構造中，該第一基板與該第二基板係可具有相同尺寸。

在前述球格陣列封裝構造中，該異方性導電膠層係可包含封膠材料。

由以上技術方案可以看出，本發明之多基板堆疊之球格陣列封裝構造，具有以下優點與功效：一、藉由異方性導電膠層密封基板之間的晶片並電性導接基板之側邊導通電極，以使晶片嵌埋在多基板之間的堆疊結構更為薄化並降低上下堆疊基板之翹曲度差異。此外，能減少在基板兩相對內表面的元件，例如僅需要至多一層的線路層與一層覆蓋線路層之防焊層並可省略基板之間封膠體與中介銲球，以節省其板成本與簡化封裝製造流程。

二、藉由將異方性導電膠膜填充在上下之基板間，可將基板電性導通，並且由於其柔軟性，可減少應力並提供適當的彈性緩衝之功效，使得在基板翹曲時不會影響電性連接。

依據本發明之第一具體實施例，一種多基板堆疊之球格陣列封裝構造舉例說明於第2圖之截面示意圖。該球格陣列封裝構造200主要包含一第一基板210、至少一第一晶片220、一第一封膠體231、一第二基板240、一第二晶片250、一異方性導電膠層260以及複數個銲球270，其中該第一基板210與該第二基板240係為相互疊合，該第二晶片250係位於該第一基板210與該第二基板240之間並且被該異方性導電膠層260密封。

該第一基板210係具有一第一上表面211與一第一下表面212，其中該第一基板210之側邊係設有複數個由該第一 上表面211延伸到該第一下表面212之第一導通電極213。在本實施例中，該第一下表面212可即為該第一基板210之一第一核心層214之外露表面，以節省一層防焊材料。由於該第一下表面212係為在兩基板堆疊之間的內表面而被該異方性導電膠層260覆蓋，即使節省防焊層亦不會影響產品可靠度。該第一基板210係具有一層以上的線路層，可為硬質的印刷電路板或是軟質的電路薄膜。以該第一核心層214作為該第一基板210之一中心層，一般是玻璃纖維強化樹脂，選用的樹脂材質可為環氧樹脂(epoxy resin)、聚亞醯胺(polyimide)樹脂、BT(bismaleimide trazine)樹脂、FR4樹脂等。該些第一導通電極213之材質係可為銅、鎳、金或其他具有導電功能之材質，其係可具有開口橫向朝內之ㄇ形截面以夾附著該第一核心層214。具體而言，該些第一導通電極213係可等距地分散排列在該第一基板210之兩對應側邊或四周側邊。該些第一導通電極213係可利用基板表面電鍍或是夾具扣合的方式形成。

此外，該第一基板210可另包含一第一防焊層215，其係形成於該第一核心層214之上表面。該第一防焊層215即是俗稱之「綠漆」(solder mask或可稱為solder resist)，為便於肉眼檢查，加入對眼睛有幫助的綠色或其它有色顏料於主漆中，綠漆以環氧樹脂及感光樹脂為主要組成份，主要塗佈於印刷電路板表面，以形成一遮覆線路層免於受外界水氣、污染物侵害之保護層。但該第一防焊層215不限定為綠色，亦可為黑色、紅色、藍色或其它任意顏色等。一般防焊 層油墨的塗佈方式大致可分為：網印(screen printing)、簾幕塗佈(curtain coating)、噴霧塗佈(spray coating)、滾輪塗佈(roller coating)等。通常一習知基板係包含有上下二層之防焊層。由於該異方性導電膠層260的覆蓋與該些第一導通電極213在基板側邊之設置，該第一基板210可以僅具有單一防焊層(即該第一防焊層215)在該第一上表面211，該第一基板210之該第一下表面212可省略防焊層與線路層。因此，可節省該第一基板210之成本。

如第2圖所示，該第一晶片220係設於該第一基板210之該第一上表面211，可藉由傳統的黏晶或覆晶製程達到設置。在本實施例中，該第一晶片220之主動面係設有複數個第一銲墊221，並可利用複數個第一銲線281電性連接該些第一銲墊221至位在該第一基板210側邊之該些第一導通電極213，使該第一晶片220與該第一基板210電性互連。在本實施例中，該第一基板210之該第一上表面211可設有被該第一防焊層215所覆蓋之線路層，因此，在一變化例中，該些第一銲線281可不需要直接連接到該些第一導通電極213。此外，複數個第一晶片220係可往上堆疊設置，以達到較高之容量或達到較多之功能應用。

該第一封膠體231係形成於該第一基板210之該第一上表面211，以密封該第一晶片220與該些第一銲線281，以提供適當之保護。該第一封膠體231係為一環氧模封化合物(epoxy molding compound,EMC)，其是以轉移成型(transfer molding)或稱壓模的技術加以形成，對熟習該 項技術者，該封膠體231亦可使用其他的注模製程。在本實施例中，該封膠體231係完全覆蓋該第一基板210之該第一上表面211。

如第2圖所示，該第二基板240係具有一第二上表面241與一第二下表面242，該第二基板240係疊設於該第一基板210之下方，其中該第二基板240之側邊係設有複數個由該第二上表面241延伸到該第二下表面242之第二導通電極243，該第二下表面242係設有複數個陣列配置之球墊246。

具體而言，該第二基板240係具有一第二核心層244以及至少一第二防焊層245。該第二防焊層245係形成於該第二基板240之該第二下表面242並具有複數個開孔以顯露出該些球墊246。在本實施例中，另一第二防焊層245係形成於該第二基板240之該第二上表面241並具有複數個開孔以顯露出複數個位於該第二上表面241之連接墊247。該第二核心層244係作為該第二基板240之一基礎層，該第二防焊層245係為絕緣性材料，以形成一遮覆導電跡線之保護層。具體而言，該第一基板210與該第二基板240係可具有相同尺寸，以達到完全重疊。

該第二晶片250係設於該第一基板210之該第一下表面212與該第二基板240之該第二上表面241之間。較佳地，該第二晶片250係可具有一背面251，其係貼附於該第一基板210之該第一核心層214。該背面251與該第一核心層214之間可不需要黏著層，以達到實質薄化並增進導散熱。在本實施例中，採用覆晶接合製程，該第二晶片250之一主動面 252則朝向該第二基板240之該第二上表面241，可利用複數個凸塊253而與該第二基板240的該些連接墊247作接合。該些凸塊253之材質可為金、鎳金、錫鉛或銅，可利用電鍍、無電鍍、打線、印刷或植接等方法形成。

該異方性導電膠層(Anisotropic Conductive Film,ACF)260係設於該第一基板210之該第一下表面212與該第二基板240之該第二上表面241之間，並可密封該第二晶片250。較佳地，該些第一導通電極213係可具有複數個突出於該第一下表面212之接觸表面213A，以利異方性導電接觸。在本實施例中，可利用該第一基板210在該第一下表面242的防焊層省略，以確保該些接觸表面213A突出於該第一下表面212。此外，該些第二導通電極243係可具有複數個外露於該第二上表面241之接觸表面243A，並與該些第一導通電極213之接觸表面213A在位置上為垂直對應。該異方性導電膠層260係包含複數個導電顆粒261，通常該些導電顆粒261係具有相等粒徑與適當均勻的散佈密度，在進行該第一基板210與該第二基板240堆疊時，其中至少一導電顆粒261係電性接觸在該些第一導通電極213與對應之該些第二導通電極243之間。即該些第一導通電極213之該些接觸表面213A與該些第二導通電極243之該些接觸表面213A間係填充有部分之該些導電顆粒261，以使該第一基板210與該第二基板240達到電性接觸的連通，故不會有直接焊接導致金屬擴散(metal diffusion)的問題。在本實施例中，該異方性導電膠層260 係實質覆蓋該第一基板210之該第一下表面212與該第二基板240之該第二上表面241。

因此，該異方性導電膠層260係填滿在該第一基板210之該第一下表面212與該第二基板240之該第二上表面241之間的無晶片空隙。當進行熱循環試驗(thermal cycle test)或銲球270之設置等有加熱基板之動作時，而使該兩基板210與240的翹曲程度大致相近。又，該異方性導電膠層260可具有適當低之楊氏係數，可比該第一基板210與該第二基板240的楊氏係數更低，可減少應力並提供適當的彈性緩衝之功效。即使該第一基板210與該第二基板240發生翹曲時仍不會影響電性連接。

該些銲球270係結合於該些球墊246。在不同實施例中，可利用錫膏、金屬球或金屬柱置換該些銲球270以供作為輸入端及/或輸出端，以使該球格陣列封裝構造200與外部印刷電路板形成電性連接關係。

因此，該第一基板210之該第一下表面212與該第二基板240之該第二上表面241之間僅需要至多一層之線路層與至多一層以覆蓋該線路層之防焊層(即第二防焊層245)並省略基板之間封膠體與中介銲球，以使該第二晶片250嵌埋在多基板之間的堆疊結構更為薄化，並可節省基板之成本與簡化封裝製造流程。換言之，本發明之多基板堆疊之球格陣列封裝構造200係將該第二晶片250嵌埋在兩疊合基板210與240之間，由該兩疊合基板210與240組合成一複合式積層基板，其中嵌埋該第二晶片250 的材料是選用該異方性導電膠層260。較佳地，在該兩疊合基板210與240組合之後並在該異方性導電膠層260完全固化之前可再灌入封膠材料，以減少該兩疊合基板210與240之間無電性接觸使用之導電顆粒261。其中可先利用周邊加熱或UV照射使該異方性導電膠層260為兩側邊固化，以固定在該些第一導通電極213與該些第二導通電極243之間的導電顆粒261。最後再以加熱方式使得該異方性導電膠層260與封膠材料完全固化。因此，在一較佳的實施例中，該異方性導電膠層260係包含封膠材料，即該異方性導電膠層260混有封膠材料，而使在第一基板210之該第一下表面212與該第二基板240之該第二上表面241之間的導電顆粒261的分散密度降低，相對低於在該些第一導通電極213與該些第二導通電極243之間的導電顆粒261的分散密度，以降低電性短路的風險並改變該異方性導電膠層260的性質，可調整變得更堅硬或具有其它的有益特性。

依據本發明之第二具體實施例，另一種多基板堆疊之球格陣列封裝構造舉例說明於第3圖之截面示意圖。該球格陣列封裝構造300主要包含一第一基板210、至少一第一晶片220、一第一封膠體231、一第二基板240、一第二晶片250、一異方性導電膠層260以及複數個銲球270。其中與第一實施例相同的主要元件將以相同符號標示，故可以理解亦具有上述功效，不再予以贅述。

該第一基板210之側邊係設有複數個由該第一上表面211延伸到該第一下表面212之第一導通電極213。該第二 基板240之側邊係設有複數個由該第二上表面241延伸到該第二下表面242之第二導通電極243，並以該異方性導電膠層260密封該第二晶片250並以其內含的導電顆粒電性接觸該些第一導通電極213與對應之該些第二導通電極243。在本實施例中，該些第二導通電極243之該些接觸表面243A係突出於該第二上表面241。此外，該第一基板210與該第二基板240皆有具有單一層之防焊層。更具體地，該第二基板240之該第二上表面241以及該第一基板210之該第一下表面212都不需要形成線路層也不需要覆蓋線路層之防焊層。在本實施例中達成晶片與基板的電性連接具體結構如下說明，該第二基板240係更具有一槽孔348，該槽孔348係貫穿過該第二核心層244與該第二防焊層245，該第二晶片250之該主動面252係設有複數個第二銲墊354，該些第二銲墊354係可為單排或多排排列在該第二晶片250之該主動面252之一中心線位置。該第二晶片250之該主動面252係貼附於該第二基板240之該第二上表面241，可利用習知黏晶方法進行晶片固著黏貼。該球格陣列封裝構造300另包含複數個第二銲線382，其係通過該第二基板240之該槽孔348以電性連接該第二晶片250之該些第二銲墊354至該第二基板240在該第二下表面242的複數個連接墊247，其中該些連接墊247可與該些球墊246形成於同一線路層。另以一第二封膠體332形成於該槽孔348內以密封該些第二銲線382。如上第一實施例所述，該異方性導 電膠層260可混有封膠材料。在本實施例中，第二封膠體332可與被混入的封膠材料為相同材質，以節省半導體封裝製程。

因此，該第二晶片250亦可以打線方式形成並能與該第二基板240達成電性連接。並透過該些第一導通電極213與該些第二導通電極243達成該第一基板210與該第二基板240之電性導通，該第二基板240之該第二上表面241以及該第一基板210之該第一下表面212都不需形成線路層與覆蓋線路層之防焊層(即該第一基板210與第二基板240僅需具有一層防焊層與一層線路層)，並可使該第二晶片250嵌埋在多基板之間的堆疊結構更為薄化，可節省成本與減少基板之製程。

此外，該第二晶片250之該背面251可不貼附該第一基板210之該第一下表面212，而由該異方性導電膠層260填充並完全覆蓋該背面251與該第一下表面212，以密封該第二晶片250。其中，該背面251與該第一下表面212之間隙可大於該些導電顆粒261之球徑也大於該些第一導通電極213與該些第二導通電極243之間隙，以防止該些導電顆粒261壓觸該第二晶片250並有助於非用以電性接觸的多餘導電顆粒261的排出。

依據本發明之第三具體實施例，另一種多基板堆疊之球格陣列封裝構造舉例說明於第4圖之截面示意圖。該球格陣列封裝構造400主要包含一第一基板210、至少一第一晶片220、一第一封膠體231、一第二基板240、一第二晶片250、 一異方性導電膠層260以及複數個銲球270。其中與第一實施例相同的主要元件將以相同符號標示，不再予以贅述。

在本實施例中，該第一基板210係具有上下二層之第一防焊層215，亦具有上下二層之線路層。而該第二基板240可具有單一防焊層，即只有第二防焊層245形成在該第二基板240之下表面。上層與下層之第一防焊層215係各具有多個開口，以分別顯露出複數個位於該第一上表面211之第一上連接墊416與複數個位於該第一下表面212之第一下連接墊417。

其中之一的該些第一晶片220具有複數個凸塊422，以覆晶接合至該第一基板210之該些第一上連接墊416。該第二晶片250係覆晶接合至該第一基板210，該第二晶片250之該背面251係可利用一黏晶層490黏貼在該第二基板240之該第二核心層244，並利用複數個凸塊253而使該第二晶片250覆晶接合至該第一基板210之該些第一下連接墊417。並透過該些第一導通電極213、該些第二導通電極243以及該異方性導電膠層260之導電顆粒261，以使該第一基板210與該第二基板240達成電性連接。

因此，該第二基板240可省略製作在該第二上表面241之防焊層與線路層，該第二上表面241係可即為該第二基板240之該第二核心層244之外露表面，具有降低基板成本與封裝薄化的功效。

總而言之，本發明可以達成在第一基板之第一下表 面與第二基板之第二上表面之間的間隙縮小、晶片嵌埋、元件減少與翹曲度差異縮小之功效，以使晶片嵌埋在多基板之間的堆疊結構更為薄化，並可節省成本與提高可靠度。

以上所述，僅是本發明的較佳實施例而已，並非對本發明作任何形式上的限制，本發明技術方案範圍當依所附申請專利範圍為準。任何熟悉本專業的技術人員可利用上述揭示的技術內容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發明技術方案的內容，依據本發明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬於本發明技術方案的範圍內。

100‧‧‧球格陣列封裝構造

101‧‧‧第一半導體封裝件

102‧‧‧第二半導體封裝件

110‧‧‧第一基板

111‧‧‧第一上表面

112‧‧‧第一下表面

114‧‧‧第一核心層

115‧‧‧第一防焊層

116‧‧‧第一球墊

117‧‧‧第一連接墊

120‧‧‧第一晶片

121‧‧‧第一銲墊

131‧‧‧第一封膠體

132‧‧‧第二封膠體

140‧‧‧第二基板

141‧‧‧第二上表面

142‧‧‧第二下表面

144‧‧‧第二核心層

145‧‧‧第二防焊層

146‧‧‧第二球墊

147‧‧‧第二轉接墊

150‧‧‧第二晶片

153‧‧‧第二銲墊

160‧‧‧中介銲球

170‧‧‧外接銲球

181‧‧‧第一銲線

182‧‧‧第二銲線

200‧‧‧球格陣列封裝構造

210‧‧‧第一基板

211‧‧‧第一上表面

212‧‧‧第一下表面

213‧‧‧第一導通電極

213A‧‧‧接觸表面

214‧‧‧第一核心層

215‧‧‧第一防焊層

220‧‧‧第一晶片

221‧‧‧第一銲墊

231‧‧‧第一封膠體

240‧‧‧第二基板

241‧‧‧第二上表面

242‧‧‧第二下表面

243‧‧‧第二導通電極

243A‧‧‧接觸表面

244‧‧‧第二核心層

245‧‧‧第二防焊層

246‧‧‧球墊

247‧‧‧連接墊

250‧‧‧第二晶片

251‧‧‧背面

252‧‧‧主動面

253‧‧‧凸塊

260‧‧‧異方性導電膠層

261‧‧‧導電顆粒

270‧‧‧銲球

281‧‧‧第一銲線

300‧‧‧球格陣列封裝構造

332‧‧‧第二封膠體

348‧‧‧槽孔

354‧‧‧第二銲墊

382‧‧‧第二銲線

400‧‧‧球格陣列封裝構造

416‧‧‧第一上連接墊

417‧‧‧第一下連接墊

422‧‧‧凸塊

490‧‧‧黏晶層

第1圖：習知球格陣列封裝構造之截面示意圖。

第2圖：依據本發明第一具體實施例的一種多基板堆疊之球格陣列封裝構造之截面示意圖。

第3圖：依據本發明第二具體實施例的另一種多基板堆疊之球格陣列封裝構造之截面示意圖。

第4圖：依據本發明第三具體實施例的另一種多基板堆疊之球格陣列封裝構造之截面示意圖。

200‧‧‧球格陣列封裝構造

210‧‧‧第一基板

211‧‧‧第一上表面

212‧‧‧第一下表面

213‧‧‧第一導通電極

213A‧‧‧接觸表面

214‧‧‧第一核心層

215‧‧‧第一防焊層

220‧‧‧第一晶片

221‧‧‧第一銲墊

231‧‧‧第一封膠體

240‧‧‧第二基板

241‧‧‧第二上表面

242‧‧‧第二下表面

243‧‧‧第二導通電極

243A‧‧‧接觸表面

244‧‧‧第二核心層

245‧‧‧第二防焊層

246‧‧‧球墊

247‧‧‧連接墊

250‧‧‧第二晶片

251‧‧‧背面

252‧‧‧主動面

253‧‧‧凸塊

260‧‧‧異方性導電膠層

261‧‧‧導電顆粒

270‧‧‧銲球

281‧‧‧第一銲線

Claims (16)

1. 一種多基板堆疊之球格陣列封裝構造，包含：一第一基板，係具有一第一上表面與一第一下表面，其中該第一基板之側邊係設有複數個由該第一上表面延伸到該第一下表面之第一導通電極；至少一第一晶片，係設於該第一基板之該第一上表面；一封膠體，係形成於該第一基板之該第一上表面，以密封該第一晶片；一第二基板，係具有一第二上表面與一第二下表面，該第二基板係疊設於該第一基板之下方，其中該第二基板之側邊係設有複數個由該第二上表面延伸到該第二下表面之第二導通電極，該第二下表面係設有複數個陣列配置之球墊；一第二晶片，係設於該第一基板之該第一下表面與該第二基板之該第二上表面之間；一異方性導電膠層，係設於該第一基板之該第一下表面與該第二基板之該第二上表面之間，該異方性導電膠層係包含複數個導電顆粒，其中至少一導電顆粒係電性接觸在該些第一導通電極與對應之該些第二導通電極之間；以及複數個銲球，係結合於該些球墊。
2. 如申請專利範圍第1項所述之多基板堆疊之球格陣列封裝構造，其中該異方性導電膠層係密封該第二晶片。
3. 如申請專利範圍第1項所述之多基板堆疊之球格陣列封 裝構造，其中該些第一導通電極係具有複數個突出於該第一下表面之接觸表面。
4. 如申請專利範圍第1或3項所述之多基板堆疊之球格陣列封裝構造，其中該第一下表面即為該第一基板之一核心層之外露表面。
5. 如申請專利範圍第4項所述之多基板堆疊之球格陣列封裝構造，其中該第二晶片係具有一背面，其係貼附於該第一基板之該核心層。
6. 如申請專利範圍第5項所述之多基板堆疊之球格陣列封裝構造，其中該第二晶片係覆晶接合至該第二基板。
7. 如申請專利範圍第5項所述之多基板堆疊之球格陣列封裝構造，其中該第二晶片係具有一主動面，其係貼附於該第二基板之該第二上表面，該球格陣列封裝構造另包含複數個銲線，其係通過該第二基板之一槽孔並電性連接該第二晶片與該第二基板。
8. 如申請專利範圍第7項所述之多基板堆疊之球格陣列封裝構造，另包含有一第二封膠體，係形成於該槽孔內以密封該些銲線。
9. 如申請專利範圍第1項所述之多基板堆疊之球格陣列封裝構造，其中該些第二導通電極係具有複數個突出於該第二上表面之接觸表面。
10. 如申請專利範圍第1或9項所述之多基板堆疊之球格陣列封裝構造，其中該第二上表面即為該第二基板之一核心層之外露表面。
11. 如申請專利範圍第10項所述之多基板堆疊之球格陣列封裝構造，其中該第二晶片係具有一背面，其係貼附於該第二基板之核心層。
12. 如申請專利範圍第11項所述之多基板堆疊之球格陣列封裝構造，其中該第二晶片係覆晶接合至該第一基板。
13. 如申請專利範圍第1項所述之多基板堆疊之球格陣列封裝構造，更包含複數個第一銲線，其係電性連接該第一晶片與該第一基板並被該封膠體所密封。
14. 如申請專利範圍第1項所述之多基板堆疊之球格陣列封裝構造，其中該第一基板與該第二基板係具有相同尺寸。
15. 如申請專利範圍第1項所述之多基板堆疊之球格陣列封裝構造，其中該異方性導電膠層係包含封膠材料。
16. 如申請專利範圍第8項所述之多基板堆疊之球格陣列封裝構造，其中該異方性導電膠層係包含封膠材料，其係與該第二封膠體為相同材質。