TWI393201B - 探測裝置製造方法 - Google Patents

Description

探測裝置製造方法

本發明是關於一種探測裝置製造方法。更詳細而言，是關於一種製造在試驗裝置中形成對不同規格的被試驗元件的電性連接時，更換使用的探測裝置的製造方法。

在對保持著小晶片(die)或晶圓狀態的被試驗器件進行試驗的晶圓試驗中，為了對晶圓上的微細的連接墊形成電性連接，會使用被稱為探針卡(probe card)等的零件。探針卡可對應於不同規格的被試驗器件的連接墊的配置而個別地製造。藉此，可對探針卡進行更換來提高昂貴的試驗裝置的使用效率。

於下述專利文獻1中，揭示有一種用作探針卡的探測晶圓。探測晶圓是對自身為半導體基板的晶圓進行加工而製造，可對形成於一片晶圓上的多個半導體器件一併電性連接。

[專利文獻1]日本專利特開平11-274252號公報

然而，探測晶圓是針對每個被試驗器件的規格而個別地製造。並且，當進行晶圓測試時，形成電性連接的連接墊的數量甚多，則連接墊的配置亦變得細密。因此，製造探測晶圓需要花費時間，並且探測晶圓自身亦成為昂貴的零件。

為了解決上述課題，作為本發明的第1態樣，提供一 種探測裝置製造方法，製造形成對被試驗器件的電性連接的探測裝置，該探測裝置製造方法包括：通孔(via hole)形成階段，於試驗用基板上形成貫穿試驗用基板的表面與背面之間的通孔；表面側連接墊形成階段，於試驗用基板的表面形成與通孔的表面側的端部相連接的表面側連接墊；以及背面側導體圖案形成階段，藉由向試驗用基板的背面噴出液滴狀的導電材料並使該導電材料附著，而形成背面側連接墊、以及將通孔的背面側端部與背面側連接墊電性連接的背面側配線。

再者，上述發明的概要並未列舉出本發明的所有必要特徵。並且，該些特徵群的次組合(subcombination)亦可能成為發明。

為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式詳細說明如下。

以下，透過發明的實施形態對本發明進行說明，但以下的實施形態並非限定申請範圍中的發明。另外，實施形態中所說明的所有特徵的組合並不一定是發明的解決方法中所必需的。

圖1是將試驗裝置100的構成要素加以分離表示的示意圖。試驗裝置100是將測試頭(test head)110、性能板(performance board)120及探測器(prober)130加以依次層疊而形成。並且，試驗裝置100有時亦進一步與未圖 示的主機(mainframe)連接而使用。

測試頭110具有收納於殼體112內的夾盤(chuck)111、接腳介面電路(pin electronics)114及母板(mother board)119。夾盤111自殼體112的上表面稍微突出，於進行試驗之情形時對作為被試驗器件200的晶圓等進行保持。

接腳介面電路114配置於殼體112的上部，對使一端露出於殼體112的上表面的連接器(connector)118進行支持。另外，接腳介面電路114經由電纜(cable)113及連接器116，將連接器118與母板119電性連接。於母板119中封裝有對該試驗裝置100的動作進行總括控制的電路，並且亦安裝有對評價結果進行儲存的儲存部等。

性能板120具有收納於殼體122內的接腳介面電路124及夾盤121。接腳介面電路124於上表面具有多個連接器126。並且，接腳介面電路124經由電纜123而與露出於殼體122的下表面的連接器128連接。此外，於接腳介面電路124中封裝有內部電路129。

夾盤121自殼體122的下表面稍向上方偏移而固定。當於試驗裝置100中進行試驗時，於性能板120的夾盤121上保持探測晶圓300。

探測器130具有收納多個接腳介面電路134的殼體132。接腳介面電路134於各自的下端具備連接器136。

如上所述，探測器130、性能板120、測試頭110及探測晶圓300是作為可相互分離的零件來提供。藉由上述 構造，可根據被試驗器件200的種類、應執行的試驗內容等，對探測晶圓300、性能板120及接腳介面電路134加以任意組合而實施廣泛的試驗。

並且，連接墊的配置等的規格不同的被試驗器件200的試驗，亦可藉由對探測晶圓300等的一部分零件進行更換來應對。因此，可提高試驗裝置100的運行率來壓縮試驗的成本。

圖2是示意性地表示於進行試驗時所組裝成的試驗裝置100的構造的圖。再者，對與圖1共用的構成要素標附相同的參照符號，並省略重複的說明。

於所組裝成的試驗裝置100中，是相對於性能板120安裝探測器130。此時，由於連接器136、126相互結合，因此性能板120的連接器128經由探測器130而與夾盤121結合。

又，於夾盤121的下表面保持著探測晶圓300。藉此，探測晶圓300與夾盤121電性連接。

另外，將探測器130、性能板120及探測晶圓300一體化而成的組裝體自上方搭載於測試頭110的殼體112上。此時，作為被試驗器件200的晶圓等搭載於夾盤111上。藉此，被試驗器件200與探測晶圓300相結合，且連接器118與連接器128相結合。因此，形成自測試頭110的母板119起，經由性能板120、探測器130及探測晶圓300，直至被試驗器件200為止的訊號路徑。

當在試驗裝置100中進行被試驗器件200的試驗時， 若對一片被試驗器件200的試驗結束，則抬起將性能板120及探測晶圓300一體化而成的組裝體，裝入下一片被試驗器件200。藉由反覆進行上述操作，可依次對多個被試驗器件200進行試驗。

並且，當被試驗器件的規格發生變更時，若所變更的規格為例如被試驗器件200的連接墊的配置，則藉由將探測晶圓300變更為與該連接墊的配置相對應的探測晶圓，即可繼續試驗。另外，當試驗內容發生變更時，可對接腳介面電路134中的任一者加以變更來進行應對。

圖3是示意性地例示被試驗器件200的形狀的立體圖。作為半導體晶圓的被試驗器件200於其表面呈矩陣狀形成有多個小晶片210，該些小晶片210分別是形成電路、元件等。各個小晶片210具有於形成對外部的電性連接時所使用的多個連接墊220。但是，實際上，小晶片210的數量及密度非常高，而連接墊220的數量及密度則更高。

圖4(A)及圖4(B)是表示探測晶圓300的形狀的立體圖。圖4(A)表示探測晶圓300的上表面、即、與性能板120的夾盤121相接而被保持的面。

於該上表面，探測晶圓300具有對應於夾盤121中的連接端子的配置而配置的多個連接墊320。藉此，當探測晶圓300吸附於夾盤121上而被保持時，夾盤121與探測晶圓300電性連接。再者，圖中的以虛線表示的邊界310是表示被試驗器件200中的晶粒210的配置。

圖4(B)示意性地表示探測晶圓300的下表面的形 狀，即表示於試驗裝置100進行試驗時與被試驗器件200的上表面相接的面的形狀。於探測晶圓300的下表面，在與被試驗器件200的連接墊220相對應的部位，形成探測晶圓300側的連接墊350。

另外，在探測晶圓300自身的表面形成連接墊320的區域內，出現在厚度方向上貫穿探測晶圓300而形成的通孔330的下端。此外，通孔330與連接墊350藉由配線340而電性結合。藉由上述構造，探測晶圓300的上表面的連接墊320經由通孔330及配線340而與下表面的連接墊350結合。

圖5(A)至圖5(D)是表示探測晶圓300的製造步驟的剖面圖。首先，如圖5(A)所示，作為通孔330的形成階段，於矽晶圓等的半導體基板301上形成有貫穿半導體基板301的表面與背面的貫穿孔後，於該貫穿孔內填充導體材料而形成通孔330。再者，於本實施形態中，通孔330是形成於小晶片210的邊界310上。

其次，如圖5(B)所示，為表面側的連接墊320的形成階段，於半導體基板301的上表面，在通孔330的上端形成連接墊320。藉此，於半導體基板301的上表面形成對夾盤121形成電性結合的連接墊320。

再者，目前為止的通孔形成階段及表面側連接墊形成階段，亦可包括使用具有所給的遮光圖案的光罩的光罩製程。即，於包括特定規格的夾盤121的試驗裝置100中，針對夾盤121的連接墊320的規格及配置是固定的。因此， 可利用能夠反覆使用的光罩，預先批量生產定型的中間產品來準備待用。此外，當製造其他規格的探測晶圓300時，如下所述，只要在半導體基板301下表面形成導體圖案，則可於短時間內製備與每個機種的規格相對應的探測晶圓300。

對此於半導體基板301的下表面形成的配線340及連接墊350的配置，有時會根據被試驗器件200中的連接墊220的配置而不同。因此，以下所說明的半導體基板301的背面側的導體圖案的形成階段，是對應於被試驗器件200的規格而個別地實施。

即，於已知被試驗器件200的規格的階段中，如圖5(C)所示，於半導體基板301的下表面形成自通孔330的下端起延伸的配線340。並且，如圖5(D)所示，於配線340的前端形成連接墊350。再者，圖5(C)所示的階段與圖5(D)所示的階段的順序亦可相反。

藉由上述一系列的程序，而形成與被試驗器件200的連接墊220的位置相對應而配置的背面側的連接墊350，以及將通孔330的背面側端部與背面側的連接墊350加以電性連接的背面側的配線340。因此，形成探針晶圓300在其半導體基板301上，形成針對夾盤121的連接墊320、針對被試驗器件200的連接墊350、以及將連接墊320、350相互連接的通孔330及配線340。

再者，如上所述，配線340及連接墊350是對應於被試驗器件200的規格而個別地形成。因此，較佳的是使用 如下所說明的描線裝置400來形成。

即，圖6是示意性地表示於形成配線340及連接墊350時，可使用的刻線裝置400的構造的圖。描線裝置400具備：收納於殼體401的內部的支持裝置430、參照光源440、攝像裝置450及描線部460；以及經由電纜480自殼體401外部相連接的圖像處理裝置410及圖像顯示裝置420。

支持裝置430包括X平台432、Y平台434、旋轉平台436。X平台432藉由馬達438來驅動，於圖中在由箭頭X所示之方向上移動。Y平台434藉由未圖示的馬達，而在與X平台432正交的方向上水平移動。

此外，旋轉平台436使X平台432及Y平台434於水平面內旋轉。藉由對該些X平台432、Y平台434、旋轉平台436的動作進行組合，可使保持於X平台432上的基板保持裝置470上的探測晶圓300朝任意方向移動。再者，探測晶圓300是將形成有表面側的連接墊320的表面保持於基板保持裝置470上，並使背面朝上而進行搭載。

參照光源440向搭載於支持裝置430上的探測晶圓300照射參照光。攝像裝置450對由探測晶圓300所反射的參照光進行攝像，來對探測晶圓300的特定的位置、例如對準標記(alignment mark)進行檢測，並且對伴隨著支持裝置430的動作的探測晶圓300的移動量進行精密測定。

描線部460包括致動器(actuater)462及噴出頭464。噴出頭464將導電性油墨等液體狀的導電材料向下方噴出。噴出的時序藉由下述圖像處理裝置410來指示。致動 器462使噴出頭464上升或下降，從而對搭載於支持裝置430上的探測晶圓300與噴出頭464的間隔進行調節。

藉此，可高精度地使液體狀的導電材料附著於探測晶圓300上，從而形成配線340、連接墊350等的導電圖案。再者，噴出頭464亦可噴出液滴狀的絕緣材料來代替導電材料而附著於探測晶圓300上。藉此，亦可形成例如對配線340進行包覆的絕緣層。

圖像顯示裝置420可經由圖像處理裝置410，對攝像裝置450所拍攝的探測晶圓300的影像進行顯示。藉此，可對藉由描線部460所形成的配線340、連接墊350等進行監控。

並且，亦可於支持裝置430上搭載被試驗器件200並藉由攝像裝置450而對被試驗器件200進行攝像，藉此對被試驗器件200的連接墊220的位置進行測定。圖像處理裝置410可對應於如上所述而獲得的表示連接墊220的位置的資訊，於探測晶圓300的背面配置連接墊350。

如上所述來實施探測晶圓製造方法，該製造方法是製造形成對被試驗器件200的電性連接的探測晶圓300的製造方法，包括：通孔形成階段，於半導體基板301上形成貫穿半導體基板301的表面及背面的通孔330；表面側連接墊形成階段，於半導體基板301的表面形成與通孔330的表面側端部相連接的表面側的連接墊320；以及背面側導體圖案形成階段，藉由向半導體基板301的背面噴出液滴狀的導電材料並使該導電材料附著，而形成配置於與被 試驗器件200的連接墊220相對應的位置上的背面側的連接墊350、以及將通孔330的背面側端部與背面側的連接墊350加以電性連接的背面側的配線340。

再者，表面側的連接墊320的形成，亦可包括向半導體基板301的表面噴出液滴狀的導電材料，並使該導電材料附著的工序。藉此，表面導體圖案亦能夠以任意的規格迅速地製造。

圖7(A)至圖7(C)是表示另一形態的探測晶圓300的構造與製造方法的剖面圖。圖7(A)是表示圖5(A)至圖5(D)所示的一系列的步驟中，圖5(B)所示的階段、即、形成有通孔330及表面側的連接墊320後所實施的階段。

如圖7(A)所示，於該階段，在形成半導體基板301的背面側的配線340及連接墊350之前，於半導體基板301的背面形成凹槽360。凹槽360藉由雷射加工等而形成於形成配線340的區域。並且，凹槽360的深度小於或等於圖7(B)所示之下一階段中所形成的配線340的厚度。

如圖7(B)所示，於如此而形成有凹槽360的半導體基板301的背面形成配線340。藉此，配線340不會自半導體基板301的背面隆起。

繼而，如圖7(C)所示，形成背面側的連接墊350。連接墊350的頂面具有自半導體基板301的背面突出的厚度。藉由上述構造，一方面可維持探測晶圓300的背面的平坦性，一方面可期待藉由連接墊350的良好的接觸。

如上所述，亦可更包括在背面側配線形成階段之前，於形成背面側的配線340的區域內，在半導體基板301上形成凹槽360的凹槽形成階段。藉此，可增大配線340的膜厚來減小電阻，並且可提高配線340自身的強度。

圖8(A)至圖8(D)是表示進而另一形態的探測晶圓300的構造與製造方法的剖面圖。於本實施形態中，形成探測晶圓300的半導體基板301具有預先形成於表面的元件380。另外，元件380在其周圍，藉由形成於半導體基板301表面的絕緣層370，而與其他器件、配線、墊等絕緣。

當使用上述半導體基板301製造探測晶圓300時，如圖8(A)所示，首先，於包含形成通孔330的區域、且較該區域更廣的區域內，形成由保護材料所形成的保護層390。保護層390是於厚度方向上貫穿絕緣層370而形成。

如上所述，探測晶圓300的製造方法亦可包括保護層形成階段，形成將通孔330的形成區域與絕緣層370之間加以阻斷的保護層390。藉此，可使用液體易於浸潤的多孔質的絕緣材料來形成絕緣層370。因此，可降低半導體基板301的寄生電容(parasitic capacitance)，從而保持較高的訊號品質。

其次，如圖8(B)所示，於形成有保護層390的區域內形成貫穿孔332。此時，於貫穿孔332的周圍殘留有保護層390。藉此，貫穿孔332被保護層390所包圍。因此，於貫穿孔332的內面不會露出絕緣層370。

保護層形成階段亦可包括，將形成通孔330的區域加以包圍而形成保護層390的工序。此外，於探測晶圓300的製造方法中，亦可具備通孔形成階段，該通孔形成階段包括向被保護層390所包圍的區域照射雷射來對絕緣層370及半導體基板301進行穿孔的工序。藉此，能夠確實地形成被保護層390所包圍的通孔330。

其次，如圖8(C)所示，向貫穿孔332的內部填充導體材料而形成通孔330。於該階段，即便當由例如利用電鍍法而形成的金屬材料來形成通孔330的插塞時，由於貫穿孔332的內面被保護層390所包覆，因此絕緣層370亦不會與濕潤環境相接觸。

如上所述，絕緣層370亦可由包含空孔的低介電材料所形成。藉此，由於多數是多孔質而液體易於浸潤，因此可使用所謂不適合電鍍法等的濕潤環境的多孔質低介電體材料來形成探測晶圓300。

換言之，上述保護層形成階段，較佳的是在使絕緣層370與液體接觸的處理之前實施。藉此，可於形成保護層390之後，任意地實施與液體接觸的處理。

以下，如圖8(D)所示，又與圖5(C)及圖5(D)所示的情況同樣地，於半導體基板301的背面形成配線340及連接墊350。並且，亦可根據需要，附加形成將半導體基板301表面的元件380與連接墊320等相連接的表面側的配線382。

如上所述，保護層形成階段亦可包括於與半導體基板 301的表面垂直的方向上，貫穿絕緣層370而形成保護層390的工序。藉此，可利用保護層390將通孔330與器件380之間確實地加以阻斷，從而確實地防止元件380的短路等。

如上所述，亦可更包括如下階段：元件形成階段，於半導體基板301上形成配置於與通孔330相離的位置的元件380；以及保護層形成階段，在通孔形成階段之前於形成通孔330的區域與形成元件380的區域之間形成保護層390，該保護層390具有較將通孔330與元件380之間加以絕緣的絕緣層370的透濕性更低的透濕性。藉此，通孔330的內面不會與絕緣層370的空孔連通，故當進行液體接觸的處理時，可防止液體浸潤至絕緣層370而引起絕緣不良。

再者，雖然參照實施形態進行了說明，但本發明的技術範圍並不限定於上述實施形態中所記載的範圍。本領域技術人員當知，可對上述實施形態加以多種變更或改良。另外，根據申請範圍的記載可明確，上述加以變更或改良後的形態亦可包含於本發明的技術範圍內。

例如，探測晶圓300是形成對被試驗器件的電性連接的探測裝置的一例，探測裝置亦可形成於非晶圓狀的基板上。例如，探測裝置亦可形成於與一個或多個小晶片210相對應而配置的小晶片狀的基板上。於此情形時，探測裝置可藉由將聯繫圖1至圖8(D)說明的探測晶圓300分割成小晶片形狀來製造。

例如，探測裝置亦可形成為與一個試驗對象的小晶片 210大致相同的大小。另外，亦可於將探測裝置的一個小晶片與一個試驗對象的小晶片210加以連接的狀態，藉由薄膜等來對該些小晶片進行封裝。

又，半導體基板301是試驗用基板的一例，亦可使用非半導體的基板作為試驗用基板。例如，試驗用基板亦可為陶瓷基板。此外，於探測裝置的基板上，可形成用於被試驗器件200的試驗的驅動器(driver)等的器件，且亦可不形成該驅動器等的器件。

此外，於圖1至圖8(D)中，對在探測裝置的基板上，於與被試驗器件200相連接的面上形成連接墊350及配線340的示例進行了說明。於其他例中，亦可在探測裝置的基板上，於與被試驗器件200相連接的面的相反側的面上形成連接墊350及配線340。於此情形時，連接墊350是對應於試驗裝置側的連接端子的配置而形成。例如連接墊350對應於夾盤121中的連接端子的配置而形成即可。

應注意的是，關於申請專利範圍、說明書及圖式中所揭示的裝置、系統、程式及方法中的動作、工序、步驟及階段等的各處理的實施順序，只要未特別明示「先於…」、「在…之前」等，且並非在後一處理中使用前一處理的輸出，則能夠以任意的順序來加以實現。關於申請專利範圍、說明書及圖式中的動作流程，即使為了方便起見而使用「首先」、「其次」等來進行說明，亦並非意味著必需以該順序來實施。

100‧‧‧試驗裝置

110‧‧‧測試頭

111、121‧‧‧夾盤

112、122、132、401‧‧‧殼體

113、123、480‧‧‧電纜

114、124、134‧‧‧接腳介面電路

116、118、126、128、136‧‧‧連接器

119‧‧‧母板

120‧‧‧性能板

129‧‧‧內部電路

130‧‧‧探測器

200‧‧‧被試驗器件

210‧‧‧小晶片

220、320、350‧‧‧連接墊

300‧‧‧探測晶圓

301‧‧‧基板

310‧‧‧邊界

330‧‧‧通孔

332‧‧‧貫穿孔

340、382‧‧‧配線

360‧‧‧凹槽

370‧‧‧絕緣層

380‧‧‧元件

390‧‧‧保護層

400‧‧‧描線裝置

410‧‧‧圖像處理裝置

420‧‧‧圖像顯示裝置

430‧‧‧支持裝置

432‧‧‧X平台

434‧‧‧Y平台

436‧‧‧旋轉平台

438‧‧‧馬達

440‧‧‧參照光源

450‧‧‧攝像裝置

460‧‧‧描線部

462‧‧‧致動器

464‧‧‧噴出頭

470‧‧‧基板保持裝置

圖1是示意性地表示試驗裝置100的構成要素的圖。

圖2是示意性地表示試驗裝置100的構造的圖。

圖3是表示被試驗器件200的形狀的立體圖。

圖4(A)及圖4(B)是表示探測晶圓300的形狀的立體圖。

圖5(A)至圖5(D)是表示探測晶圓300的製造步驟的剖面圖。

圖6是示意性地表示形成配線340的刻線裝置400的構造的圖。

圖7(A)至圖7(C)是表示另一形態的探測晶圓300的構造與製造方法的剖面圖。

圖8(A)至圖8(D)是表示進而另一形態的探測晶圓300的構造與製造方法的剖面圖。

301‧‧‧基板

310‧‧‧邊界

320、350‧‧‧連接墊

330‧‧‧通孔

340‧‧‧配線

Claims (11)

1. 一種探測裝置製造方法，製造形成對被試驗器件的電性連接的探測裝置，該探測裝置製造方法包括：通孔形成階段，於試驗用基板上形成貫穿上述試驗用基板的表面與背面之間的通孔；表面側連接墊形成階段，於上述試驗用基板的表面形成與上述通孔的上述表面側的端部相連接的表面側連接墊；以及背面側導體圖案形成階段，藉由向上述試驗用基板的背面噴出液滴狀的導電材料並使該導電材料附著，而形成背面側連接墊、以及將上述通孔的背面側端部與上述背面側連接墊加以電性連接的背面側配線，其中於上述背面側導體圖案形成階段，對上述被試驗器件進行攝像、且測定上述被試驗器件的連接墊的位置，對應於所測定的上述連接墊的位置，而配置上述背面側連接墊。
2. 如申請專利範圍第1項所述之探測裝置製造方法，其中上述通孔形成階段及上述表面側連接墊形成階段中的至少一者包括使用具有所給的遮光圖案的光罩的光罩製程。
3. 如申請專利範圍第2項所述之探測裝置製造方法，其中上述表面側連接墊形成階段，包括向上述試驗用基板的上述背面噴出液滴狀的導電材料，並使該導電材料附著的工序。
4. 如申請專利範圍第3項所述之探測裝置製造方法，其中更包括在上述背面側導體圖案形成階段之前，於形成上述背面側配線的區域內，在上述試驗用基板上形成凹槽的凹槽形成階段。
5. 一種探測裝置製造方法，製造形成對被試驗器件的電性連接的探測裝置，該探測裝置製造方法包括：通孔形成階段，於試驗用基板上形成貫穿上述試驗用基板的表面與背面之間的通孔；表面側連接墊形成階段，於上述試驗用基板的表面形成與上述通孔的上述表面側的端部相連接的表面側連接墊；以及背面側導體圖案形成階段，藉由向上述試驗用基板的背面噴出液滴狀的導電材料並使該導電材料附著，而形成背面側連接墊、以及將上述通孔的背面側端部與上述背面側連接墊加以電性連接的背面側配線，其中更包括：元件形成階段，於上述試驗用基板上形成配置於與上述通孔相離位置的試驗用元件；以及保護層形成階段，在上述通孔形成階段之前，於形成上述通孔的區域與形成上述試驗用元件的區域之間形成保護層，該保護層具有較將上述通孔與上述試驗用元件之間加以絕緣的絕緣層的透濕性更低的透濕性。
6. 如申請專利範圍第5項所述之探測裝置製造方法，其中上述保護層形成階段，包括形成將形成上述通孔的區 域與上述絕緣層之間加以阻斷的上述保護層的工序。
7. 如申請專利範圍第6項所述之探測裝置製造方法，其中上述保護層形成階段，包括將形成上述通孔的區域加以包圍而形成上述保護層的工序。
8. 如申請專利範圍第7項所述之探測裝置製造方法，其中上述保護層形成階段，包括於與上述試驗用基板的表面垂直的方向上，貫穿上述絕緣層而形成上述保護層的工序。
9. 如申請專利範圍第8項所述之探測裝置製造方法，其中上述絕緣層由包含空孔的低介電材料所形成。
10. 如申請專利範圍第9項所述之探測裝置製造方法，其中上述保護層形成階段，是在使上述絕緣層與液體接觸的處理之前實施。
11. 如申請專利範圍第10項所述之探測裝置製造方法，其中上述通孔形成階段，包括向上述保護層所包圍的區域照射雷射，而對上述絕緣層及上述試驗用基板進行穿孔的階段。