TWI392931B

TWI392931B - 發光裝置

Info

Publication number: TWI392931B
Application number: TW98137927A
Authority: TW
Inventors: su yi Lin; Hsin Wu Lin; Zen Yuan Chi; Shu Ling Lin; Cheng Chuan Lai
Original assignee: Au Optronics Corp
Priority date: 2009-11-09
Filing date: 2009-11-09
Publication date: 2013-04-11
Also published as: TW201116900A

Description

發光裝置

本發明是有關於一種發光裝置，且特別是有關於一種出光均勻度較佳的發光裝置。

現今社會多媒體技術相當發達，其多半受惠於半導體元件或顯示裝置的進步。就顯示器而言，具有高畫質、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優越特性之液晶顯示器(liquid crystal display)已逐漸成為市場之主流。由於液晶顯示面板並不具有發光的功能，故在液晶顯示面板下方必須配置一背光模組(backlight module)以提供一面光源，以使液晶顯示面板能達到顯示的目的。

一般來說，背光模組可分為側邊式背光模組與直下式背光模組。另外，依照光源的種類又可以分為冷陰極螢光燈管(cold cathode fluorescend lamp，CCFL)光源背光模組與發光二極體(light emitting diode，LED)光源背光模組。直下式背光模組由於光線是直接進入使用者的眼睛，需要較長的混光距離將光線混合均勻，使得背光模組的厚度變厚。側邊式背光模組則是透過導光板將光線混合均勻後再進入使用者眼睛，因此側邊式背光模組具有厚度較薄的優勢。

近年來液晶顯示器逐漸朝向大尺寸的趨勢發展，直下式背光模組可將整個液晶顯示面板切割成M*N個區塊，並且依據每一區塊的影像內容，而對每一區塊所對應的背光源亮度進行調整(即區域點亮(local dimming)技術)，以突顯畫面的對比度(contrast ratio)。因此，使用直下式背光模組的液晶顯示器所呈現的對比度(Contrast Ratio，CR)大於使用側邊式背光模組的液晶顯示器所呈現的對比度。

本發明提供一種發光裝置，其具有較佳的出光均勻度。

本發明提出一種發光裝置包括多個光源、一光學板、多個凹陷結構以及至少一出光結構，其中光學板設置於光源的上方，其中光學板具有一上表面以及一下表面。凹陷結構由光學板的上表面向光學板的內部延伸，每一凹陷結構對應設置於一個光源的上方，其中每一凹陷結構的側表面具有至少兩個傾斜角度。出光結構設置於光學板的上表面與下表面至少其中之一，其中，位於每一凹陷結構下方之光源所產生的光線於凹陷結構的側表面產生全反射並持續於光學板內進行至少一次全反射直到遇到出光結構才射出光學板。

本發明提出一種發光裝置包括多個光源、一光學板、多個凹陷結構以及至少一出光結構。光學板設置於光源的上方，其中光學板具有一上表面以及一下表面。凹陷結構由光學板的上表面向光學板的內部延伸，每一凹陷結構對應設置於一個光源的上方，其中每一凹陷結構的側表面具有具有一第一段表面與一第二段表面，且第一段表面與第二段表面不位於同一平面上或不位於同一曲面上。出光結構設置於光學板的上表面與下表面至少其中之一，其中，位於每一凹陷結構下方之光源所產生的光線於凹陷結構的側表面產生全反射並持續於光學板內進行至少一次全反射直到遇到出光結構才射出光學板。

本發明提出一種發光裝置包括多個光源、一光學板、多個凹陷結構以及至少一出光結構。光學板設置於光源的上方，其中光學板具有一上表面以及一下表面。凹陷結構由光學板的上表面向光學板的內部延伸，每一凹陷結構對應設置於一個光源的上方，其中每一凹陷結構的側表面具有一第一段表面與一第二段表面，且第一段表面與凹陷結構之軸心線具有一第一夾角，第二段表面與凹陷結構之軸心線具有一第二夾角。出光結構設置於光學板的上表面與下表面至少其中之一，其中，位於每一凹陷結構下方之光源所產生的光線於凹陷結構的側表面產生全反射並持續於光學板內進行至少一次全反射直到遇到出光結構才射出光學板。

基於上述，本發明的光學板內的凹陷結構可使光源發出的光線在光學板內進行至少一次的全反射，直到遇到出光結構才射出光學板。由於光源的光線是經過至少一次的全反射或是多次全反射之後才射出光學板，因此自光學板射出的光線可呈現出均勻的面光源。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

在以下的多個實施例中，發光裝置係具有多個光源，然而，為簡化說明，故僅在圖1繪示多個光源，而在圖4至圖11中僅繪示一個光源作為代表，但並非用以限定本發明。

圖1繪示本發明一實施例之發光裝置的剖面圖。圖2A繪示圖1之發光裝置的凹陷結構的放大圖。圖2B繪示圖2A之凹陷結構的一種變化結構。圖3A繪示圖1之發光裝置的凹陷結構的示意圖。圖3B繪示圖3A之凹陷結構的一種變化結構。

請同時參照圖1與圖2A，本實施例之發光裝置100包括多個光源110、一光學板120、多個凹陷結構130以及多個出光結構140。光源110例如為發光二極體，且光學板120設置於光源110的上方。在本實施例中，光源110可與光學板120直接貼合或者是與光學板120之間隔有一間距以作為散熱空間。光學板120內可選擇性地分佈有多個擴散粒子(未繪示)，以提升發光裝置100的出光均勻度。

光學板120具有一上表面122以及一下表面124。凹陷結構130位於光學板120內，且每一凹陷結構130對應設置於一個光源110的上方。值得注意的是，當光源110向上發出的光線L照射到凹陷結構130時會產生全反射而轉為往光學板120的側邊傳遞。如此一來，凹陷結構130可使光線L轉向凹陷結構130的四周發散，而不會聚集在光源110的正上方，進而可提升發光裝置100的出光均勻度。換言之，藉由光學板120及凹陷結構130的設計以使光源110的光線往四周發散，便可進一步縮小光源110所需的混光距離。

承上所述，每一凹陷結構130的側表面132具有至少兩個傾斜角度，且凹陷結構130可為錐形凹槽(如圖3A所示)或是V形凹槽(如圖3B所示)。詳細而言，請參照圖2A，每一凹陷結構130的側表面132具有一第一段表面132a與一第二段表面132b，且第一段表面132a與第二段表面132b不位於同一平面上或不位於同一曲面上。

換言之，第一段表面132a與凹陷結構130之軸心線G具有一第一夾角θ1(又可稱為第一傾斜角度)，第二段表面132b與凹陷結構130之軸心線G具有一第二夾角θ2(又可稱為第二傾斜角度)。在本實施例中，在凹陷結構130中，越靠近凹陷結構130之底部B的側表面132的傾斜角度越小。換言之，較靠近凹陷結構130之底部B的第一段表面132a的第一夾角θ1小於較遠離凹陷結構130之底部B的第二段表面132b的第二夾角θ2。

在本實施例中，第二夾角θ2的角度範圍例如為30°～60°之間，且第一夾角θ1小於第二夾角θ2。此外，當光學板120的厚度為T，且光源110(例如發光二極體晶片)的寬度為W時，T與W符合下式：

T=B×W×[Tan(θ1)+Tan(θ2)]

其中，B介於0.25～0.5之間。

表1列出在不同轉折高度D、第一夾角θ1與第二夾角θ2時，光學板120內的凹陷結構130的漏光率，此漏光率之調配可控制凹陷結構130正上方的光源強度以搭配發光裝置100對於光源均勻度之需求，其中當光源110之間的間距越小，則所需之漏光率越大。

請參照表1，由表1可知可藉由調整第一夾角θ1與第二夾角θ2的角度大小來調整漏光率。

在其他實施例中，如圖2B所示，凹陷結構130的側表面132可具有一第一段表面132a、一第二段表面132b與一第三段表面132c，且第一段表面132a與凹陷結構130之軸心線G具有一第一夾角θ1，第二段表面132b與軸心線G具有一第二夾角θ2，第三段表面132c與軸心線G具有一第三夾角θ3。第二夾角θ2小於第三夾角θ3且大於第一夾角θ1。

表2列出在不同轉折高度D1、D2以及第一夾角θ1、第二夾角θ2與第三夾角θ3時，光學板120內的凹陷結構130的漏光率。

由表2可知，可藉由調整第一夾角θ1、第二夾角θ2與第三夾角θ3的角度大小來調整漏光率。

在本實施例中，出光結構140設置於光學板120的下表面124上，且出光結構140例如為一圖案化反射層，圖案化反射層可以網點的方式配置或是以其他具有光學均勻化的效果的方式配置，且圖案化反射層的材質可為油墨等高反射性材料。位於凹陷結構130下方之光源110所產生的光線L可於凹陷結構130的側表面132產生全反射並持續於光學板120內進行至少一次全反射直到遇到出光結構140才射出光學板120。換言之，當光線L在光學板120內進行全反射的過程中，當遇到出光結構140時，全反射作用便會被破壞，如此便可使得光線L射出光學板120而出光。在本實施例中，光線L可在光學板120內進行一或多次全反射直到遇到出光結構140才射出光學板120，此時，出光結構140可分散光線L的出光位置，而有助於提升發光裝置100的出光均勻度。詳細而言，在遇到出光結構140之前，光源110所產生的光線L於光學板120內的入射角(或反射角)會保持在一全反射角θ_F ，而在遇到出光結構140之後，光線L於光學板120內的反射角(或入射角)會改變進而破壞全反射作用並使光線從光學板120的上表面122出光。此外，在之後的圖4～圖9的實施例中，光線於光學板120中的反射路徑相似於圖1中的光線L於光學板120中的反射路徑。

在本實施例中，光源110可配置於一基板150上。詳細而言，基板150可為電路板，而在基板150上具有多個凹槽152，每一凹槽152可對應位於一凹陷結構130的下方，且光源110可配置於凹槽152中並與基板150電性連接。另外，為提高光源110的光線利用率，可在凹槽152的內壁152a上形成一反射層(未繪示)，以反射照射到內壁152a的光線。此外，可在凹槽152中填入一透光膠體160，以覆蓋並保護光源110。

此外，透光膠體160中可摻雜有螢光粉體或是擴散粒子，以調整發光裝置100所發出的光的顏色或者是提升發光裝置100的出光均勻度。透光膠體160與光學板120可以是一體成型也可以是各自成型，且透光膠體160的材質與光學板120的材質可以相同也可以不同。在本實施例中，可在光學板120的上方配置一光學膜片170，光學膜片170例如為增亮片、抗反射片、擴散片等可提升發光裝置100的亮度或是出光均勻度的透光膜片。

圖4繪示本發明一實施例之發光裝置的剖面圖。請參照圖4，本實施例之發光裝置400的結構相似於圖1之發光裝置100的結構，兩者的差異之處在於發光裝置400的出光結構140是設置於光學板120的上表面122。出光結構140例如為一圖案化反射層。類似地，當光源110之光線在光學板120內進行全反射的過程中，當遇到出光結構140時，全反射作用便會被破壞，如此便可使得光線L射出光學板120而出光。在本實施例中，為加強光學板120的下表面124的反射率，可在光學板120的下表面124上配置一反射層410。

圖5繪示本發明另一實施例之發光裝置的剖面圖。請參照圖5，本實施例之發光裝置500的結構相似於圖1之發光裝置100的結構，兩者的差異之處在於發光裝置500的出光結構140包括一第一圖案化反射層142以及一第二圖案化反射層144，且第一圖案化反射層142與第二圖案化反射層144分別設置於光學板120的上表面122與下表面124。第一圖案化反射層142為多個微結構(例如為半圓形凸起)，且第一圖案化反射層142可破壞全反射以使得光線L射出光學板120而出光，並可使射出光學板120之光源集中增亮。第二圖案化反射層144可為網點結構，以利於光線L射出光學板120的上表面122。

圖6A繪示本發明又一實施例之發光裝置的剖面圖，圖6B繪示圖6A之發光裝置的一種變化。請參照圖6A，本實施例之發光裝置600的結構相似於圖1之發光裝置100的結構，兩者的差異之處在於發光裝置600更包括位於光學板120與基板150之間的一黏著層610，且光學板120與透光膠體160之間存在一空氣間隙S。在本實施例中，當光由光源110表面出光時，由於空氣間隙S中的空氣折射率小於透光膠體160的折射率，因此，在透光膠體160與空氣間隙S的交界面上，只有小於全反射角的光線L才能射出透光膠體160，故空氣間隙S可限縮光線L入射至光學板120的角度，進而產生聚光的效果。因此，射入光學板120的光線L較容易照射到凹陷結構130而產生全反射。

反之，請參照圖6B，若是透光膠體160直接連接光學板120(亦即不存在空氣間隙S)，由於透光膠體160的折射率接近光學板120的折射率，因此，光源110表面發出的光線L可以前述的全反射角的角度入射光學板120，並直接射出光學板120，而不會照射到凹陷結構130。

圖7繪示本發明再一實施例之發光裝置的剖面圖。請參照圖7，本實施例之發光裝置700的結構相似於圖1之發光裝置100的結構，兩者的差異之處在於發光裝置700的光學板120的上表面122為一非平面，以作為出光結構140。詳細而言，在本實施例中，靠近凹陷結構130處之光學板120的厚度大於遠離凹陷結構130處之光學板120的厚度。由於光學板120的上表面122為一非平面(例如是斜面)，因此光源110之光線L在光學板120內進行全反射的過程中，當遇到光學板120之上表面122因斜面角度的關係而導致全反射作用被破壞時，可使得光線L射出光學板120而出光。

圖8繪示本發明一實施例之發光裝置的剖面圖。圖9繪示圖8之發光裝置的一種變化結構。請參照圖8，本實施例之發光裝置800的結構相似於圖6之發光裝置600的結構，兩者的差異之處在於發光裝置800的光學板120內設置有一聚光結構810(例如為一透鏡)，且聚光結構810位於凹陷結構130的下方。聚光結構810可對光源110所發出的光線產生聚光作用，而使光源110的發散角度縮小，如此可使得更多光線能夠順利的在凹陷結構130產生全反射，進而使光源110之光線在光學板120內持續進行至少一次的全反射。在本實施例中，聚光結構810呈半球狀。在其他實施例中，聚光結構810還可呈圓柱狀(如圖9所示)。

圖10A繪示本發明一實施例之發光裝置的剖面圖。圖10B繪示圖10A之光學板的局部放大圖。

請同時參照圖10A與圖10B，本實施例之發光裝置1000的結構相似於圖1之發光裝置100的結構，兩者的差異之處在於發光裝置1000的出光結構140為多個微結構146，且發光裝置1000的光學板120之側表面126與一水平面A之間具有一銳角夾角θ。

在本實施例中，出光結構140為多個鋸齒狀的微結構146。微結構146的頂角θ4可介於30°～60°之間，且微結構146的高度H可介於50微米～200微米之間。

微結構146可選擇性地設置於光學板120的下表面124、上表面122或是同時設置在光學板120的下表面124與上表面122。當微結構146同時設置在光學板120的下表面124與上表面122時，位於上表面122之微結構146與位於下表面124之微結構146交錯設置。換言之，位於上表面122之微結構146於基板150上的投影與位於下表面124之微結構146於基板150上的投影可以是彼此不重疊或是彼此部分重疊。

請參照圖10B，類似地，在本實施例中，當光源110之光線L在光學板120內進行全反射而往光學板120的側邊傳遞時，當光線120遇到出光結構140或者是側表面126時，將破壞全反射作用而使光線L射出光學板120而出光。

詳細而言，在遇到出光結構140之前，光源110所產生的光線L於光學板120內的入射角(或反射角)會保持在一全反射角θ_F ，而在遇到出光結構140之後，光線L於光學板120內的反射角(或入射角)會減少從而破壞全反射作用並從光學板120的上表面122出光。

另外，在本實施例中，光學板120之下表面124更可具有二開縫124a、124b，且開縫124a、124b分別位於凹陷結構130的相對二側。開縫124a、124b亦可作為出光結構之用。詳細而言，當光源110之光線L在光學板120內遇到凹陷結構130而產生全反射之後，可遇到開縫124a、124b而破壞全反射作用從而射出光學板120的上表面122而出光。

圖11繪示本發明一實施例之發光裝置的示意圖。請參照圖11，本實施例之發光裝置1100的結構相似於圖1之發光裝置100的結構，兩者的差異之處在於發光裝置1100的出光結構140為多個位於下表面124的開縫148a、148b、148c、148d、148e，且在這些開縫148a、148b、148c、148d、148e中，離光源110愈遠的開縫愈深(例如開縫148e)，反之，離光源110愈近的開縫愈淺(例如開縫148a)。類似地，當光源110之光線在光學板120內進行全反射而往光學板120的側邊傳遞時，當光線120遇到開縫148a、148b、148c、148d、148e時，將破壞全反射作用而使光線L射出光學板120的上表面122而出光。

綜上所述，由於本發明的光學板內設置有凹陷結構，而凹陷結構可使光源所發出的光線在凹陷結構處產生全反射並持續於光學板內進行至少一次全反射直到遇到出光結構才射出光學板，故凹陷結構可提升發光裝置的出光均勻度。另外，由於光學板之凹陷結構的設計可使光源的光線往凹陷結構的四周發散，因此可進一步縮小光源所需的混光距離。因而，本發明之光學板與光源之間的距離可以縮小的最低，甚至是直接貼合在一起。如此，將有助於發光裝置之薄型化的發展趨勢。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100、400、500、600、700、800、1000、1100．．．發光裝置

110．．．光源

120．．．光學板

122．．．上表面

124．．．下表面

124a、124b．．．開縫

126．．．側表面

130．．．凹陷結構

132．．．側表面

132a．．．第一段表面

132b．．．第二段表面

132c．．．第三段表面

140．．．出光結構

142．．．第一圖案化反射層

144．．．第二圖案化反射層

146．．．微結構

148a、148b、148c、148d、148e．．．開縫

150‧‧‧基板

152‧‧‧凹槽

152a‧‧‧內壁

160‧‧‧透光膠體

170‧‧‧光學膜片

410‧‧‧反射層

610‧‧‧黏著層

810‧‧‧聚光結構

A‧‧‧水平面

D、D1、D2‧‧‧轉折高度

G‧‧‧軸心線

H‧‧‧高度

L‧‧‧光線

S‧‧‧空氣間隙

T‧‧‧光學板的厚度

W‧‧‧發光二極體晶片的寬度

θ‧‧‧夾角

θ1‧‧‧第一夾角

θ2‧‧‧第二夾角

θ3‧‧‧第三夾角

θ4‧‧‧頂角

θ_F ‧‧‧全反射角

圖1繪示本發明一實施例之發光裝置的剖面圖。

圖2A繪示圖1之發光裝置的凹陷結構的放大圖。

圖2B繪示圖2A之凹陷結構的一種變化結構。

圖3A繪示圖1之發光裝置的凹陷結構的示意圖。

圖3B繪示圖3A之凹陷結構的一種變化結構。

圖4繪示本發明一實施例之發光裝置的剖面圖。

圖5繪示本發明另一實施例之發光裝置的剖面圖。

圖6A繪示本發明又一實施例之發光裝置的剖面圖。

圖6B繪示圖6A之發光裝置的一種變化。

圖7繪示本發明再一實施例之發光裝置的剖面圖。

圖8繪示本發明一實施例之發光裝置的剖面圖。

圖9繪示圖8之發光裝置的一種變化結構。

圖10A繪示本發明一實施例之發光裝置的剖面圖。

圖10B繪示圖10A之光學板的局部放大圖。

圖11繪示本發明一實施例之發光裝置的示意圖。

100．．．發光裝置

110．．．光源

120．．．光學板

122．．．上表面

124．．．下表面

130．．．凹陷結構

132．．．側表面

140．．．出光結構

150．．．基板

152．．．凹槽

152a．．．內壁

160．．．透光膠體

170．．．光學膜片

L．．．光線

T．．．光學板的厚度

W．．．發光二極體晶片的寬度

Claims

一種發光裝置，包括：多個光源；一光學板，設置於該些光源的上方，其中該光學板具有一上表面以及一下表面，該上表面為一非平面；以及多個凹陷結構，由該光學板的該上表面向該光學板的內部延伸，每一凹陷結構對應設置於一個光源的上方，其中每一凹陷結構的側表面具有至少兩個傾斜角度，且靠近該些凹陷結構處之該光學板的厚度大於遠離該些凹陷結構處之該光學板厚度，以使該上表面作為一出光結構的至少一部分，其中，位於每一凹陷結構下方之該光源所產生的光線於該凹陷結構的側表面產生全反射並持續於該光學板內進行至少一次全反射直到遇到該出光結構才射出該光學板。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中在每一凹陷結構中，越靠近該凹陷結構底部的該側表面的傾斜角度越小。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該出光結構還包括一圖案化反射層，設置於該光學板之上表面。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該出光結構還包括一圖案化反射層，設置於該光學板的下表面。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該出光結構還包括一第一圖案化反射層以及一第二圖案化反射層，分別設置於該光學板的上表面與下表面。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，更包括一基板，該些光源設置於該基板上，其中該光學板與該基板之間更包括設置一黏著層。
如申請專利範圍第6項所述之發光裝置，其中該光學板與該光源之間具有一空氣間隙。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，更包括多個聚光結構，設置於該光學板內，且每一聚光結構對應設置於一個凹陷結構的下方。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該光學板的該下表面更包括多個微結構，以作為該出光結構的另一部分。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該光學板的該上表面更包括多個微結構，以作為該出光結構的另一部分。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該光學板的該上表面與該下表面更包括多個微結構，以作為該出光結構的另一部分，且位於該上表面之該些微結構與位於該下表面之該些微結構交錯設置。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該光學板之側面表面與一水平面之間具有一銳角夾角。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，更包括多個擴散粒子，分佈於該光學板內。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該些凹陷結構為V形凹槽或是錐形凹槽。
如申請專利範圍第14項所述之發光裝置，更包括至少一光學膜片，位於該光學板的上方。
一種發光裝置，包括：多個光源；一光學板，設置於該些光源的上方，其中該光學板具有一上表面與一下表面，且該下表面具有多個開縫以作為一出光結構的至少一部分；多個凹陷結構，由該光學板的該上表面向該光學板的內部延伸，每一凹陷結構對應設置於一個光源的上方，其中每一凹陷結構的側表面具有至少兩個傾斜角度，其中，位於每一凹陷結構下方之該光源所產生的光線於該凹陷結構的側表面產生全反射並持續於該光學板內進行至少一次全反射直到遇到該出光結構才射出該光學板。
如申請專利範圍第16項所述的發光裝置，其中該些開縫位在該凹陷結構的相對二側。
如申請專利範圍第16項所述的發光裝置，其中該些開縫具有不同的深度。
如申請專利範圍第18項所述的發光裝置，其中離該光源愈遠的開縫深度愈深，而離該光源愈近的開縫深度愈淺。
如申請專利範圍第16項所述之發光裝置，其中在每一凹陷結構中，越靠近該凹陷結構底部的該側表面的傾斜角度越小。
如申請專利範圍第16項所述之發光裝置，其中該出光結構還包括一圖案化反射層，設置於該光學板之上表面。
如申請專利範圍第16項所述之發光裝置，其中該出光結構還包括一圖案化反射層，設置於該光學板的下表面。
如申請專利範圍第16項所述之發光裝置，其中該出光結構還包括一第一圖案化反射層以及一第二圖案化反射層，分別設置於該光學板的上表面與下表面。
如申請專利範圍第16項所述之發光裝置，更包括一基板，該些光源設置於該基板上，其中該光學板與該基板之間更包括設置一黏著層。
如申請專利範圍第24項所述之發光裝置，其中該光學板與該光源之間具有一空氣間隙。
如申請專利範圍第16項所述之發光裝置，更包括多個聚光結構，設置於該光學板內，且每一聚光結構對應設置於一個凹陷結構的下方。
如申請專利範圍第16項所述之發光裝置，其中該光學板的該下表面更包括多個微結構，以作為該出光結構的另一部分。
如申請專利範圍第16項所述之發光裝置，其中該光學板的該上表面更包括多個微結構，以作為該出光結構的另一部分。
如申請專利範圍第16項所述之發光裝置，其中該光學板的該上表面與該下表面更包括多個微結構，以作為該出光結構的另一部分，且位於該上表面之該些微結構與位於該下表面之該些微結構交錯設置。
如申請專利範圍第16項所述之發光裝置，其中該光學板之側面表面與一水平面之間具有一銳角夾角。
如申請專利範圍第16項所述之發光裝置，更包括多個擴散粒子，分佈於該光學板內。
如申請專利範圍第16項所述之發光裝置，其中該些凹陷結構為V形凹槽或是錐形凹槽。
如申請專利範圍第32項所述之發光裝置，更包括至少一光學膜片，位於該光學板的上方。