TWI392007B - 由處理基板用之彎液面所留下之入口及出口痕跡之減少 - Google Patents

Description

由處理基板用之彎液面所留下之入口及出口痕跡之減少

本發明係關於一種半導體晶圓處理技術，尤有關於減少處理基板之彎液面所留下乾燥流體液滴所造成之入口及出口痕跡的裝置與方法。

在半導體晶片製造產業中，在已經實施過會將不要的殘留物遺留在基板表面上之製造操作後，需要將基板清潔及乾燥。此類的製造操作之範例包含電漿蝕刻(如鎢回蝕(WEB))及化學機械研磨(CMP)。在CMP中，將基板置於支座中，該支座推著基板表面使其緊靠著研磨表面。該研磨表面使用了由化學物質及研磨材料所組成的研漿。不幸地，此CMP製程易於讓研漿微粒及殘留物之累積物遺留在基板表面上。如果遺留在基板上的話，則不要的殘留材料及微粒會造成缺陷。在某些情況下，這樣的缺陷可能造成基板上的裝置變成無法運作。因而在製造操作後將基板清潔以移除不要的殘留物及微粒。

在基板已經被濕式清潔之後，必須有效率地將基板乾燥，以避免水或清潔流體(此後稱「流體」)殘餘液遺留在基板上。如果容許基板表面上的清潔流體蒸發，如同液滴形成時經常發生的：先前溶解在流體中的殘留物或污染物將會於蒸發後留在基板表面上並形成污漬。為了避免蒸發的發生，必須在基板表面上未形成液滴的情況下，儘快移除清潔流體。為試圖完成這個任務，利用數種不同乾燥技術其中一者，諸如旋轉乾燥、IPA或馬蘭哥尼乾燥。所有這些乾燥技術利用基板表面上之某些型態的移動液/氣介面，若適當地維持的話會導致在不形成液滴的情況下，將基板表面乾燥。不幸地，如果移動液/氣介面失效的話，則如前述所有乾燥方法經常發生的：液滴形成且蒸發發生，導致污染物殘留在基板表面上。

鑒於前述，因而在降低來自乾燥流體液滴之痕跡的可能性時，需要提供有效清潔之改善的清潔系統及方法。

廣泛的說，本發明藉由提供各種技術來減少處理基板之彎液面所留下乾燥流體液滴所造成之入口及出口痕跡，以滿足上述需求。

應瞭解可藉由各種方式實施本發明，包括例如一製程、一設備、一系統、一裝置或一方法。以下說明本發明之數種創新的實施例。

在一實施例中，提供一種近接頭，用來產生及維持處理基板用的彎液面。該近接頭包含：形成於該近接頭之一表面上的複數之彎液面噴嘴，該等噴嘴係用以供應液體至該彎液面；形成於該近接頭之該表面上的複數之真空埠，該等真空埠係排列成完全圍繞著該複數之彎液面噴嘴。在該近接頭之該表面上可形成複數之主要氣體噴嘴，該等主要氣體噴嘴至少部分地圍繞著該等真空埠。該近接頭更包含藉由幫助及促使來自該彎液面的液體離開該基板與該載具間的間隙，而降低該基板上前緣及後緣之入口及/或出口痕跡之尺寸及出現率的裝置。

在另一實施例中，提供一種基板的處理方法，其利用一由上部及下部近接頭所形成的彎液面。在該方法中，將該基板置於一載具上，接著將載有基板之載具通過產生於上部及下部近接頭之間的彎液面。該載具具有容納該基板之尺寸的開口及複數之用來支撐該開口內之該基板的支撐銷。該開口稍微比該基板大，以使在該基板與該開口間存在一間隙。每一個上部及下部近接頭包含：形成於該近接頭之一表面上的複數之彎液面噴嘴，該等噴嘴係用以供應液體至該彎液面；形成於該近接頭之該表面上的複數之真空埠，該等真空埠係排列成完全圍繞著該複數之彎液面噴嘴；及形成於該近接頭之該表面上的複數之主要氣體噴嘴，該等 主要氣體噴嘴至少部分地圍繞著該等真空埠。該方法更包含藉由使用該上部及下部近接頭促使來自該彎液面的液體離開該間隙，而降低基板上入口或出口痕跡至少其中一者之尺寸及出現率的步驟。

由於本受讓人藉由導入使用於清潔、處理及乾燥半導體晶圓之近接頭所產生的移動彎液面，所以弄濕及乾燥基板時在基板表面上形成液滴的風險變低。在移除彎液面之後，此技術可以成功的避免將任何液滴遺留在晶圓的主動元件區域上。然而，在基板通過彎液面時，彎液面通常易於將小液滴遺留在隔絕區域上基板之前緣及後緣的入口及出口位置。該隔絕區域係從主動元件區域延伸到基板之邊緣的幅度，在當中不會形成微電子結構。有時入口及出口痕跡會變成主要的表面痕跡，特別是在親水性晶圓上。因此，較佳的情況是減少或消除此類入口及出口痕跡之情況。

從以下連同附圖之詳細說明，藉由實例對本發明之原理的解說，本發明之優點當可更加清楚。

在以下說明中，為了提供本發明之徹底瞭解而提出各種特定的細節。然而，對於熟悉此項技藝者將顯而易見的是：在缺少部分這些特定細節的情況下，仍可實施本發明。在其他情況中，為了避免不必要地混淆本發明，故不再詳細說明熟知的處理操作及實施細節。在此所使用之「彎液面」一詞，意指在某種程度上由液體之表面張力所限制及容納之液體的容積。該彎液面亦為可控制的且可在一表面上以該容納的形狀移動。在特定的實施例中，藉由在移除流體時也輸送流體至表面來維持該彎液面，以使該彎液面保持可控制的。此外，藉由精確流體輸送及移除系統可控制該彎液面形狀，該精確流體輸送及移除系統在某種程度上與可為網絡之電腦系統的控制器做聯繫。

圖1為一近接頭設備100之例示性實施的透視圖。在此範例 中，將基板160定位在一載具150內，該載具150沿箭頭152的方向通過上部近接頭110與下部近接頭120之間。在上部及下部近接頭110、120之間形成流體之彎液面。可將載具150連接到某些設備(未顯示)，用來使載具150沿箭頭166的方向在上部及下部近接頭110、120之間移動。在一實施例中，基板160係沉積在近接頭110、120之一側上之第一位置的載具150上，而當載具150到達近接頭110、120之對側上之第二位置時，將基板160移除。載具150可接著回頭通過近接頭110、120，或其上方、下方，或繞過近接頭110、120回到第一位置，在第一位置上沉積新的基板並重複上述過程。

吾人應注意的是：雖然在圖1中所示範例裡，基板沿箭頭152的方向移動穿過近接頭110、120，然而也可能是基板保持靜止而使近接頭110、120通過基板之上方及下方，總之只要基板相對於近接頭移動就行。此外，當基板通過該等近接頭之間時，基板之配向係不定的。那就是基板不需要是水平配向，相反的其可為垂直配向或為任何角度。

在某些實施例中，控制器130可為由邏輯電路或軟體或上述兩者來決定功能之通用目的或特定目的電腦系統，其控制載具150的移動與流動到上部及下部近接頭110、120的流體。

圖2顯示上部近接頭110的略圖。近接頭包含複數之形成於近接頭110之面111中的中央彎液面噴嘴116，透過該等中央彎液面噴嘴116可提供形成彎液面200之液體。該液體可為去離子水、清潔溶液或用來處理、清潔或沖洗基板160之其他液體。複數之埠114在彎液面200之周圍施加真空。真空埠114從彎液面200及週遭流體(如主要氣體噴嘴112所供應之空氣或其他氣體)中吸出液體。在某些實施例中，主要氣體噴嘴112圍繞著真空埠114並提供異丙醇蒸氣、氮、其混合物或其他氣體或氣體或氣/液流體。取決於實施例，可提供主要氣體噴嘴112及從主要氣體噴嘴112中供應的流體，以幫助在彎液面200之表面，維持一相干液/氣介 面。在一實施例中，不存在或沒有使用主要氣體噴嘴。在另一實施例中，主要氣體噴嘴112提供二氧化碳(CO₂ )或N₂ 及異丙醇(IPA)蒸氣的混合物。可以上部近接頭的鏡像來設置未顯示於圖2中的下部近接頭120，且可以相似方式來操作下部近接頭120。

圖3A到3D說明一基板160離開由上部及下部近接頭110、120所產生的彎液面200。在圖3A中，基板160穿過彎液面200向前延伸，使得基板160之前緣162及後緣164坐落在彎液面200之相反側上。吾人應注意的是：典型地，基板160將為圓形，且雖然載具150係顯示在彎液面200之外，然而部分的載具150可與彎液面200接觸，雖然未見於此圖中。

在圖3B中，彎液面200係從基板160轉移到載具150。載具150在橫截面上可稍微比基板160厚。例如，基板160可約為0.80mm厚，而載具可約為1.5mm厚。因此，當彎液面200轉移到載具150上時，載具150會排出一定數量的彎液面液體。

在圖3C中，彎液面200係完全轉移離開基板160且到載具150上。在此時，彎液面200之後緣依然與基板160之後緣164接觸。之後參考圖5，說明在此階段作用於彎液面200上的力。

在圖3D中，彎液面已經完全轉移離開基板160，其在基板160之後緣164之基板160的隔絕區域上，留下彎液面液體之小液滴202。如果容許液滴202乾燥的話，會留下由溶解或夾雜元素組成之污漬，該污漬在此被稱為出口痕跡。如果基板表面為親水性的話，液滴202會移動到基板之主動元件區域上，這樣會造成其上所形成之元件的缺陷。據信多個因素促成小液滴202在基板160之後緣164的存在及尺寸。吾人應注意的是：以如前緣162離開彎液面200之相似方式，可形成前緣162上的入口痕跡。

圖4顯示載具150與基板160間之間隙158的透視圖。彎液面周圍204顯示彎液面與載具150及基板160接觸的區域。彎液面沿箭頭208所指示的方向移動。當彎液面轉移離開基板160時，藉由沿箭頭206之方向之彎液面的邊緣，將間隙158中的彎液面 流體帶走。當彎液面周圍204之後緣210到達基板160之後緣164時，流體被導向點212，該點212在鄰近於基板之後緣164的間隙158中。吾人應認識到：在彎液面轉移到載具150時，間隙158中的流體係不斷地流出間隙158。因此，該流體不預期正確地跟著箭頭206，但流動方向的向量坐落在箭頭206上，導致流體累積在點212上。

圖5顯示當彎液面200完全轉移到載具150上時，在點212之彎液面200的橫剖面圖。在此階段，彎液面200依然附著到基板160之後緣164上。載具150可稍微比基板160厚，以抑制液體沿箭頭214流離基板160。真空埠114吸引包含彎液面液體及週遭氣體之流體，其依箭頭216所指示的，將一力量施加在彎液面液體上。離開主要氣體噴嘴112(圖2)之流體可施加一額外力量，如果提供的話，該力量如箭頭218所示，逆著彎液面200之氣/液介面內推。一重力221亦作用彎液面200上。又，若基板160為親水性的話，那麼基板160與彎液面液體的吸引力，會造成氫鍵結力將水拉回到基板160上，如箭頭222所表。

圖6A顯示下部近接頭120的表面121。在彎液面轉移離開基板時，該下部近接頭120具有藉由加速彎液面液體從載具-基板間隙流動，來降低入口及出口痕跡尺寸及出現率的裝置。如上述參考圖2之說明，下部近接頭120包含：複數之配置在中央之彎液面噴嘴116，用來供應彎液面液體；複數之真空埠114，配置成完全圍繞著彎液面噴嘴116。真空埠114將彎液面液體及週遭氣體吸出。視需要時，複數之主要氣體噴嘴112至少部分地圍繞著真空埠114，且供應氣體或氣/液混合物來幫助維持該彎液面之氣/液介面的完整性。在近接頭120之表面121上，形成彎液面噴嘴116、真空埠114、及視需要時主要氣體噴嘴112。在一實施例中，藉由在彎液面之後側122上，一位於中央的突出部，可設置降低入口及出口痕跡之尺寸及出現率的裝置。真空埠114的排列決定彎液面的形狀。圖6A顯示，在下部近接頭120之中央部分125中，藉 由將真空埠114及鄰近主要氣體噴嘴112定位在遠離彎液面噴嘴116所界定之軸，來形成突出部位於中央的下部近接頭120。在上部近接頭110(圖1)上，形成一對應的中央突出部，以使該兩者在彎液面之後側上，產生位於中央的彎液面突出部。

圖6B顯示由圖6A之近接頭所形成之例示性彎液面結構的輪廓。該彎液面包含一主要部分225及一突出部220。該突出部220可具有各種形狀。例如，如圖6C中所示：突出部220A具有平直的前緣；突出部220B具有兩凸狀的前緣，從彎液面平緩的延伸至中央點；突出部220C具有凹狀的前緣；及突出部220D具有複合的前緣形狀。在一實施例中，如220C中所呈現，前緣係為凹狀，同時該前緣具有和基板160(圖7)一樣的曲率半徑。

在圖6D中，顯示一極小突出部尺寸，其具有：一突出部延長部分224，等同於兩相鄰真空埠之間的距離；及一突出部寬度226，等同於三相鄰真空埠之間的距離。然而，突出部可為任何合適的尺寸。例如，在一實施例中，突出部具有：一延長部分，等同於6個相鄰真空埠之距離所界定的長度；及一寬度，由12個真空埠之距離所界定。在當中，每一真空埠之直徑約為0.06英吋，且具有0.12英吋的間距(中心到中心的間隔)。

圖7顯示在第一位置230及第二位置232之載具150、基板160與彎液面周圍204的俯視圖。載具150沿箭頭166所指示的方向移動及/或彎液面沿箭頭208所指示的方向移動。載具150包含複數之支撐銷153，每一個支撐銷具有基板支撐及定心特徵(未顯示)，以確保基板160與載具150間一致的基板-載具間隙158。在一實施例中，載具150在前側154及後側156上具有傾斜邊緣，以避免在載具150進出彎液面時，彎液面液體之容積的突然改變。例如，載具150具有六個邊，其中兩個前緣155皆與橫向夾一角度θ並一起形成位於中央的點，而每一個相對應後緣159，與橫切方向夾一角度θ並一起形成位於中央的點。在一實施例中，θ約為15度。其他不會造成彎液面液體快速排出的形狀也可以，如梯 形或平行四邊形，其中前緣及後緣與載具之移動方向呈非直角的角度，或與彎液面之前緣及後緣呈某一角度(即非平行)。

在某一時間點上，彎液面位於位置230且相對於載具150，沿箭頭208之方向移動。之後，彎液面位於位置232。在位置232上，突出部220延伸越過間隙158。因為突出部220，彎液面周圍204之後緣210非正切於間隙158的直線。因此，由於突出部220的存在，離開點212(圖4)的流體具有額外的時間來流出間隙158。由於流體具有額外的時間來從間隙158流出，所以流體較不可能依然附著在基板160且留下痕跡。

突出部220亦可有效的減少形成在基板160之前緣162的入口痕跡。在一實施例中，於彎液面(未顯示)之前緣上，形成一位於中央的凹口，以進一步減少入口痕跡的情況。吾人應注意：突出部220的形狀(其包含突出部220的寬度及突出部220的深度，那也就是突出部220之延長部分的量)，會取決於實施例而變。但在一實施例中，突出部220的形狀係足夠狹窄且提供足夠的延長部份以改善彎液面液體從載具-基板間隙的流動。

圖8A、8B及8C顯示一近接頭250的例示性實施例。在彎液面轉移離開基板時，該近接頭250具有藉由加速彎液面液體從載具-基板間隙流動，來降低入口及出口痕跡尺寸及出現率的裝置。尤其，近接頭250(其可為上部或下部近接頭)，包含在表面251上所形成之配置在中央的間隙排空氣體噴嘴252，以在彎液面完全由基板160移開時，如在圖8C中最佳可見的，提供額外之氣體供給來推彎液面200。如上述參考圖5所提及，接觸基板160及基板-載具間隙158之彎液面，係容易受到競爭力量的影響，這些競爭力量包含：表面張力，將彎液面拉上基板並抑制彎液面移轉到載具上；吸力，將彎液面拉離基板及載具；及重力，將彎液面液體拉入到基板與載具之間隙158。此外，一氣體流可在彎液面200上施加正向壓力，且因此幫助抵銷會導致入口及出口痕跡的表面張力。主要氣體噴嘴112輸送二氧化碳或氮及/或異丙醇蒸氣至彎 液面，以幫助彎液面圍阻及晶圓乾燥。然而，由於被排列成圍繞至少一部份之真空埠114的主要氣體噴嘴112，影響整個彎液面或其實質上容積，所以主要氣體噴嘴112不能容易地被用於幫助消除入口及出口痕跡。另一方面，一或多個間隙排空氣體噴嘴252，提供一局部之氣體流的「扇形物」或「幕狀物」，其可被獨立控制，且因此只在入口及出口痕跡形成的區域中，選擇性的施加至基板/彎液面介面。正當彎液面200之後緣轉移到或離開基板160時，藉由間隙排空氣體噴嘴252在彎液面200上施加額外壓力，將離開間隙158的彎液面液體拉回到彎液面裡，以使其不會停留在晶圓上，因此降低入口及出口痕跡形成的尺寸及可能性，並避免晶圓缺陷。

在某些實施例中，彎液面之後緣在基板160與載具150間的轉移之前及其期間，複數之中央流體埠區域提供額外壓力。在此實施例中，於圖8A及8B中可見，一或多個配置在中央之間隙排空氣體噴嘴252，係由一或多個第二間隙排空噴嘴254所圍繞。可設置任何數量的區域，每一個區域皆由控制器130獨立控制，以在彎液面轉移期間，於適當時機提供逆著彎液面200之氣體壓力。控制器130可包含一機械或電腦啟動測時機構。例如，機械測時機構可利用一近接頭感測器(未顯示)，來啟動間隙排空氣體噴嘴252(或間隙排空氣體噴嘴252及第二間隙排空噴嘴254)。其中該近接頭感測器對載具150相關於上部及下部近接頭110、120(圖1)之位置作出反應。電腦啟動測時機構可包含來自自動驅動機構(未顯示)的位置資訊，該自動驅動機構用來運送載具150通過彎液面。

圖9A及9B顯示一近接頭260的例示性實施例。在彎液面轉移離開基板時，近接頭260具有藉由加速彎液面液體自載具-基板間隙流動，來降低入口及出口痕跡尺寸及出現率的裝置。尤其，近接頭260包含一分隔的真空歧管以提供複數之真空埠區域，每一個真空埠區域連接到一獨立的真空源。藉由提供一獨立的真空源至一中央區域262，可極小化真空分流，其加速離開載具-基板 間隙158之彎液面液體的流動，該中央區域262在對應於彎液面之後緣的位置上，具有形成於表面261內的真空埠。

當液體溢出少數的真空埠時，會發生真空分流。在諸如此類的例子中，橫越面板265(圖9A)間的壓力差不足以清除液體，造成氣體及流體從彎液面轉向到鄰近的真空埠。當一相當體積的水被困在晶圓與載具之間時，正當彎液面完全轉移離開該基板時會發生真空分流。這減少了在精確污漬上的可用吸力，最需要的地方為：在基板離開彎液面時，該基板的後緣上。該減少之有效真空會因此減少液體從基板-載具間隙移除，其可導致出口痕跡形成。一相似的效果會發生在基板之前緣上，其可造成入口痕跡形成。

藉由將一獨立的真空源提供至真空埠的中央區域262，可極小化真空分流，其加速離開載具-基板間隙158之彎液面液體的流動，該真空埠的中央區域262位於彎液面之後緣的中央。

參考圖9A及9B，形成於表面261內的複數之彎液面噴嘴116，提供彎液面液體至彎液面200(圖2)。真空埠114圍繞著彎液面噴嘴116，其將彎液面液體及週遭氣體之混合物吸出。可設置至少部分地圍繞著真空埠114之主要氣體噴嘴112，以供應氣體或氣/液混合物，其可助於維持彎液面完整性。在一實施例中，將真空埠114分隔成複數之區域，其包含：一中央區域262，沿著近接頭260之後緣205配置在中央；及至少一附屬區域263、264，包含剩餘的真空埠114。該(等)附屬區域可包含：一第二區域264，包含在中央區域262之任一側上的複數之真空埠114；及第三區域263，包含剩餘的真空埠114。每一區域263、262、264具有相對應之專用、獨立的歧管271、272、274，且每一歧管271、272、274係與相對應連接線281、282、284呈流體連通至真空源280。

圖10顯示一近接頭的另一實施例。在彎液面轉移離開基板時，該近接頭具有藉由加速彎液面液體自載具-基板間隙流動，來降低入口及出口痕跡尺寸及出現率的裝置。近接頭290包含形成 於表面291內的複數之彎液面噴嘴116，用來提供彎液面液體。在表面291上圍繞著彎液面噴嘴116的是複數之用來將彎液面液體及週遭氣體吸出的真空埠114。真空埠114包含：真空埠114的第一排293，完全圍繞著彎液面噴嘴116；及真空埠114的第二排295，鄰近於近接頭290的中央部分。如上述說明對於圖9A中的區域263，將位於第一排293中的真空埠114連接到一共同歧管。將位於第二排295中的真空埠114連接到一或多個附屬歧管其中一者。在一實施例中，區域292配置在近接頭290之後緣的中央，將在區域292之排295中的埠114連接到一歧管(未顯示)，而將在區域294之排295中的埠114連接到另一歧管(未顯示)。如上述參考圖9A之說明，每一歧管包含一與真空源之獨立連接。

吾人應注意的是：可由一電腦系統來控制上部及下部近接頭與載具之一或兩者，如此載具相對於近接頭之行進速率可為固定或取決於載具相對於近接頭之位置而變。在某些實施例中，例如當彎液面轉移到及離開基板時，載具之行進速率可較慢，因而提供額外時間來讓彎液面液體流出載具-基板間隙。此外，通過氣體噴嘴112、252(圖8C)之氣體流及提供至真空埠114(圖9A-10)之真空可為機械地及/或電腦控制，要不是測量吸力之活化/去活化的時間，就是視載具相關於近接頭之相對位置來變化流率。利用硬體邏輯或連同多目的電腦處理器可實施電腦控制，其利用寫來控制移動及/或施加吸力之電腦程式。在某些實施例中，電腦程式亦控制供應至彎液面之流體的容積及/或成分。因此，該電腦程式可界定流體配方，該流體配方特別合適於複數之給定應用之每一者。

牢記上述實施例，吾人應瞭解本發明可利用涉及儲存於電腦系統中之資料之各種不同的電腦實施操作。這些操作需要實體數量之實體操作。雖然非必需，但這些數量通常採取能被儲存、轉換、結合、比較及其他操縱方法之電性或磁性信號的型式。此外，所施行之操作通常係指如處理、識別、決定或對照之詞語。

在此說明之形成部分本發明的任何操作係為有用的機械操 作。本發明亦關於施行這些操作之裝置或設備。該設備為了所需之目的可特定的建構，或該設備可為一台藉由儲存於電腦中之電腦程式而選擇性地被啟動或安裝之通用電腦。尤其，各種不同的通用機器可能依據此處之教示而與所寫入之電腦程式一起被使用，或其可能更方便於建構一更專門的設備以執行所需要的操作。

本發明亦可具體化成一電腦可讀式媒體上的電腦可讀式程式碼。電腦可讀式媒體為任何可儲存資料之資料儲存裝置，其接著可被電腦系統讀取。電腦可讀式媒體亦包含可具體化程式碼之電磁載波。電腦可讀式媒體的例子包含硬式磁碟機、附加式網路儲存設備(NAS)、唯讀記憶體、隨機存取記憶體、CD-ROMs、CD-Rs、CD-RWs、磁帶及其他光學及非光學資料儲存裝置。電腦可讀式媒體亦可分布在連接網路之電腦系統，以使電腦可讀式程式碼以分布方式儲存及執行。

在單一電腦或使用多個電腦或互相連接之電腦組件可處理本發明之實施例。在此使用之電腦應包含：獨立電腦系統，具有自有處理器、自有記憶體及自有儲存；或一分布電腦系統，其提供電腦資源至網路端。在某些分布電腦系統中，一電腦系統之使用者可實際上存取共享於多個使用者之組件部分。因此使用者可透過網路存取一虛擬電腦，其對於使用者如同一客製化且專用於單一使用者之單一電腦。

雖然在為了清楚瞭解的目的下，本發明已就某些細節詳加說明，然而很明顯的在附加申請專利範圍之範疇內可實現某種改變及修改。因此，本實施例係視為舉例性而非限制性，且本發明不限於在此給定的細節中，而可在附加申請專利範圍之範疇及等效替代內做出修改。

100‧‧‧近接頭設備

110‧‧‧上部近接頭

111‧‧‧面

112‧‧‧主要氣體噴嘴

114‧‧‧真空埠

116‧‧‧中央彎液面噴嘴

120‧‧‧下部近接頭

121‧‧‧表面

122‧‧‧彎液面之後側

125‧‧‧中央部分

130‧‧‧控制器

150‧‧‧載具

152‧‧‧箭頭

153‧‧‧支撐銷

154‧‧‧前側

155‧‧‧前緣

158‧‧‧間隙

159‧‧‧後緣

160‧‧‧基板

162‧‧‧前緣

164‧‧‧後緣

166‧‧‧箭頭

200‧‧‧彎液面

202‧‧‧液滴

204‧‧‧彎液面周圍

205‧‧‧後緣

206‧‧‧箭頭

208‧‧‧箭頭

210‧‧‧彎液面周圍之後緣

212‧‧‧點

214‧‧‧箭頭

216‧‧‧箭頭

218‧‧‧箭頭

220‧‧‧突出部

220A‧‧‧突出部

220B‧‧‧突出部

220C‧‧‧突出部

220D‧‧‧突出部

221‧‧‧重力

222‧‧‧箭頭

224‧‧‧突出部延長部分

225‧‧‧主要部分

226‧‧‧突出部寬度

230‧‧‧第一位置

232‧‧‧第二位置

250‧‧‧近接頭

251‧‧‧表面

252‧‧‧間隙排空氣體噴嘴

254‧‧‧第二間隙排空噴嘴

260‧‧‧近接頭

261‧‧‧表面

262‧‧‧中央區域

263‧‧‧第三區域

264‧‧‧第二區域

265‧‧‧面板

271‧‧‧歧管

272‧‧‧歧管

274‧‧‧歧管

280‧‧‧真空源

281‧‧‧連接

282‧‧‧連接

284‧‧‧連接

290‧‧‧近接頭

291‧‧‧表面

292‧‧‧區域

293‧‧‧第一排

294‧‧‧區域

295‧‧‧第二排

圖1顯示一近接頭設備之例示性實施的透視圖。

圖2顯示一上部近接頭之略圖。

圖3A、3B、3C及3D說明基板離開上部及下部近接頭所產生的彎液面。

圖4顯示載具與基板間之間隙的透視圖。

圖5顯示當彎液面完全轉移到載具時，該彎液面的橫剖面圖。

圖6A顯示具有降低入口及出口痕跡尺寸及出現率之裝置之下部近接頭的俯視圖。

圖6B、6C及6D說明各種彎液面突出部尺寸及形狀。

圖7顯示一載具、基板及彎液面周圍的俯視圖。

圖8A、8B及8C顯示一近接頭之例示性實施例，該近接頭具有降低入口及出口痕跡尺寸及出現率的裝置。

圖9A、9B顯示一近接頭之例示性實施例，該近接頭具有降低入口及出口痕跡尺寸及出現率的裝置。

圖10顯示一近接頭之另一實施例，該近接頭具有降低入口及出口痕跡尺寸及出現率的裝置。

100‧‧‧近接頭設備

110‧‧‧上部近接頭

120‧‧‧下部近接頭

130‧‧‧控制器

150‧‧‧載具

152‧‧‧箭頭

160‧‧‧基板

166‧‧‧箭頭

Claims (23)

1. 一種近接頭，用來產生及維持處理基板用的彎液面，該基板由一載具所支撐，該載具包含一圍繞著該基板之一框架，該近接頭包含：複數之彎液面噴嘴，以沿著一線性軸線的一間隔關係形成於該近接頭之一表面上，該等彎液面噴嘴係用以供應彎液面液體至該彎液面；複數之真空埠，以一間隔關係形成於該近接頭之該表面上，該複數真空埠係排列成可形成完全且連續地圍繞著該複數之彎液面噴嘴的一吸力區域，其中位於沿著該複數彎液面噴嘴沿之形成的該線性軸線的後緣的一中央區域的該複數真空埠的一部分，被置於相對於位在該線性軸線後緣的其餘複數真空埠，距離該線性軸線較遠的位置，以使在該中央區域的複數真空埠的部分與沿著該線性軸線的複數彎液面噴嘴之間，相對於位在該線性軸線後緣上的其餘複數真空埠與沿著該線性軸線的複數彎液面噴嘴之間，具有一增加的間隔；其中在該中央區域的複數真空埠的部分與沿著該線性軸線的複數彎液面噴嘴之間該增加的間隔降低該基板的前緣及後緣之入口或出口痕跡至少其中一者之尺寸及出現率，藉此幫助且促使來自該彎液面的液體離開該基板與該載具間的間隙。
2. 如申請專利範圍第1項之近接頭，更包含形成於該近接頭之該表面上的複數之氣體噴嘴，該等氣體噴嘴至少部分地圍繞著該複數真空埠。
3. 如申請專利範圍第1項之近接頭，其中，在該基板之該前緣離開該彎液面之一後緣時，在該中央區域的複數真空埠的部分與沿著該線性軸線的複數彎液面噴嘴之間該增加的間隔造成來自該彎液面的液體離開該間隙，因而降低入口痕跡之尺寸及出現率。
4. 如申請專利範圍第1項之近接頭，其中，在該中央區域的複數真空埠的部分與沿著該線性軸線的複數彎液面噴嘴之間該增加 的間隔造成該彎液面在該彎液面之該後緣上具有一突出部，該突出部係配置在中央，以排空在該基板之該前緣及後緣的流體。
5. 如申請專利範圍第4項之近接頭，其中該突出部之形狀包含從該後緣延伸到一中心點的兩凹緣。
6. 如申請專利範圍第1項之近接頭，更包含：至少一間隙排空氣體噴嘴，配置在該近接頭之後緣的中央，其中該至少一間隙排空氣體噴嘴係與提供氣體用之一氣體供應連接線呈流體連通，該至少一間隙排空氣體噴嘴係用以供應一氣流，該氣流在離開該間隙之液體上施加一力量，使該液體離開該基板且回到該彎液面裡。
7. 如申請專利範圍第6項之近接頭，更包含：複數主要氣體噴嘴，形成於該近接頭的表面上；至少一第二氣體噴嘴鄰接於該複數之主要氣體噴嘴而排列，該主要氣體噴嘴至少部分地圍繞著該等真空埠，該至少一間隙排空氣體噴嘴係與一氣體供應連接線呈流體連通，該氣體供應連接線用來獨立於該複數之主要氣體噴嘴而供應氣體。
8. 如申請專利範圍第6項之近接頭，更包含：至少一複數之第二間隙排空噴嘴，每一複數之第二間隙排空噴嘴係配置在該至少一間隙排空噴嘴的任一側上，每一該複數之第二間隙排空噴嘴係與一相對應連接線呈流體連通，該相對應連接線用來獨立於該至少一間隙排空噴嘴而供應氣體。
9. 如申請專利範圍第1項之近接頭，其中，將該複數之真空埠分隔成複數之真空埠區域，該複數之真空埠區域包含至少一中央真空埠區域，位於該近接頭之該表面的後緣上，每一該複數之真空埠區域包含一相對應獨立的真空連接線，該獨立的真空連接線與該真空埠區域之該真空埠呈流體連通。
10. 如申請專利範圍第9項之近接頭，其中該複數之真空埠區域包含：一第二真空埠區域，包含非該中央真空埠區域的所有真空埠。
11. 如申請專利範圍第9項之近接頭，該複數之真空埠區域包含：一第二真空埠區域，位於該中央真空埠區域之任一側；及一第三真空埠區域，包含非該中央真空埠區域或該第二真空埠區域的所有真空埠。
12. 如申請專利範圍第9項之近接頭，其中該中央真空埠區域包含一單排的真空埠；而該複數之真空埠區域包含：一第二真空埠區域，包括沿該中央真空埠區域之一排真空埠。
13. 一種基板的處理方法，其係利用一由上部及下部近接頭所形成的彎液面，包含：將該基板置於一載具上，該載具具有容納該基板之尺寸的開口及複數之用來支撐該開口內之該基板的支撐銷，該開口稍微比該基板的徑向周緣大，俾於放置該基板之後，該基板的該徑向周緣與該載具間存在一間隙；將該基板及載具以一線性方向通過產生於上部及下部近接頭各自表面間的一彎液面，上部及下部近接頭中的每一個包含：形成於該上部及下部近接頭的各自表面上的複數之彎液面噴嘴，該等噴嘴係用以供應液體至該彎液面；形成於該上部及下部近接頭的各自表面上的複數之真空埠，該複數真空埠係排列成完全圍繞著在該上部及下部近接頭的各自表面上的該複數之彎液面噴嘴；及使該彎液面的液體離開該基板的該徑向周緣與該載具之間的該間隙，以降低該基板上入口或出口痕跡至少其中一者之尺寸及出現率。
14. 如申請專利範圍第13項之基板的處理方法，其中使該彎液面的液體離開該基板的該徑向周緣與該載具之間的該間隙的該步驟，包含在相對該線性方向的該基板之一前緣離開相對該線性方向的該彎液面之一後緣時，促使來自該彎液面的液體離開該間隙，藉以降低入口痕跡之尺寸及出現率。
15. 如申請專利範圍第13項之基板的處理方法，更包含：產生該彎液面，以包含相對於該線性方向的該彎液面之一後側上該彎液面的一突出部，其中該突出部係配置在中央，以促進從該間隙排空在相對於該線性方向的該基板之該前緣及後緣的該彎液面的液體。
16. 如申請專利範圍第13項之基板的處理方法，其中該上部及下部近接頭中的每一個包含至少一間隙排空氣體噴嘴，配置在相對於該線性方向的各該近接頭之後緣的中央；其中該方法更包含控制來到該至少一間隙排空氣體噴嘴的氣體流，以使離開該至少一間隙排空氣體噴嘴之氣體，施加一力於該彎液面上，以將離開該間隙之該彎液面的液體推離該基板並使其回到該彎液面裡。
17. 如申請專利範圍第16項之基板的處理方法，其中該至少一間隙排空氣體噴嘴係相鄰於該上部及下部近接頭之各自表面上所形成之複數之主要氣體噴嘴而排列，其中該主要氣體噴嘴至少部分地圍繞著在該上部及下部近接頭的各自表面上的該等真空埠，其中該至少一間隙排空氣體噴嘴係與一氣體供應連接線呈流體連通，該氣體供應連接線用來獨立於該複數之主要氣體噴嘴而供應氣體，其中該方法更包含獨立地控制在該上部及下部近接頭的各自表面上的該至少一間隙排空噴嘴，而使該力只在相對於該線性方向的該彎液面之後緣離開該基板的該徑向周緣與該載具之間的該間隙時於該彎液面發生作用。
18. 如申請專利範圍第16項之基板的處理方法，其中該上部及下部近接頭的每一者更包含複數之第二間隙排空噴嘴，其中該複數之第二間隙排空噴嘴中係配置在該上部及下部近接頭的每一者的該至少一間隙排空噴嘴的任一側上，其中該方法更包含獨立地控制來到在該上部及下部近接頭的每一者上的該複數之第二間隙排空噴嘴的氣體流，俾於相對於該線性方向的該彎液面之一後緣在該基板與該載具間轉移時提供氣體。
19. 如申請專利範圍第13項之基板的處理方法，其中將該複數之真空埠分隔成複數之真空埠區域，其中該複數真空埠區域包含位於相對於該線性方向的該上部及下部近接頭的每一者的表面的後緣上的至少一中央真空埠區域，其中該方法更包含獨立地提供真空至該複數之真空埠區域的每一者。
20. 如申請專利範圍第19項之基板的處理方法，其中該複數之真空埠區域包含一第二真空埠區域，其包括非該中央真空埠區域的所有複數真空埠，其中該方法更包含獨立地提供真空至該複數真空埠區域的每一者。
21. 如申請專利範圍第19項之基板的處理方法，其中複數之真空埠區域包含：一第二真空埠區域，位於該中央真空埠區域之任一側上的真空埠；及一第三真空埠區域，包括非該中央真空埠區域或該第二真空埠區域的所有複數真空埠，其中該方法更包含獨立地提供真空至該複數真空埠區域的每一者。
22. 如申請專利範圍第19項之基板的處理方法，其中該複數之真空埠區域包含：一第二真空埠區域，其完全圍繞著提供液體至該彎液面之複數彎液面噴嘴的真空埠，且其中該中央真空埠區域包含一第一排真空埠，且該第二真空埠區域包含一第二排真空埠，該第二排真空埠沿著該中央真空埠區域的該第一排真空埠加以配置。
23. 一種近接頭，用來產生及維持處理基板用的彎液面，該基板由一載具所支撐，該載具包含一圍繞著該基板之框架，該近接頭包含：複數之彎液面噴嘴，沿著一線性軸線形成於該近接頭之一表面上，該等彎液面噴嘴係用以供應彎液面液體至該彎液面；複數之真空埠，形成於該近接頭之該表面上，該複數真空埠係排列成形成完全且連續地圍繞著該複數之彎液面噴嘴的一吸力區域，其中位於沿著該複數彎液面噴嘴沿之形成的該線性軸線的 後緣的一中央區域的該複數真空埠的一部分，被置於相對於位在該線性軸線後緣的其餘複數真空埠，距離該線性軸線較遠的位置，以使在沿著該線性軸線後緣的該中央區域的該吸力區域，自該線性軸線以一鏡像凹狀延伸至該中央區域中央的一點；複數之氣體噴嘴，形成於該近接頭之該表面上，該等氣體噴嘴至少部分地圍繞著該複數真空埠；其中在沿著該線性軸線後緣的該中央區域的該吸力區域之該鏡像凹狀降低在該基板的前緣及後緣之入口和出口痕跡至少其中一者之尺寸及出現率，藉此幫助且促使來自該彎液面的液體離開該基板與該載具間的間隙。