[go: up one dir, main page]

TWI391518B - 離子源及電漿處理裝置 - Google Patents

離子源及電漿處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI391518B
TWI391518B TW095133073A TW95133073A TWI391518B TW I391518 B TWI391518 B TW I391518B TW 095133073 A TW095133073 A TW 095133073A TW 95133073 A TW95133073 A TW 95133073A TW I391518 B TWI391518 B TW I391518B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
partition wall
plasma
frequency antenna
generating chamber
shielding body
Prior art date
Application number
TW095133073A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200714742A (en
Inventor
佐佐木德康
清水三郎
國部利壽
Original Assignee
愛發科股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 愛發科股份有限公司 filed Critical 愛發科股份有限公司
Publication of TW200714742A publication Critical patent/TW200714742A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI391518B publication Critical patent/TWI391518B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
    • H01J37/08—Ion sources; Ion guns
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching
    • H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32422—Arrangement for selecting ions or species in the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02—Details
    • H01J2237/0203—Protection arrangements
    • H01J2237/0213—Avoiding deleterious effects due to interactions between particles and tube elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02—Details
    • H01J2237/022—Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/06—Sources
    • H01J2237/08—Ion sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/16—Vessels

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

離子源及電漿處理裝置
本發明係關於一種感應耦合型離子源及具備此離子源之電漿處理裝置，詳細而言，係關於可抑制對用以區隔電漿產生室之間隔壁內面之膜附著，而可穩定地產生及維持電漿之離子源及電漿處理裝置。
以往，於半導體及電子零件等的製造或構造材料等的表面改質中，係採用電漿處理製程。此類的電漿處理步驟例如有：以離子束的狀態拉引電漿中的離子，而對被處理基板表面的金屬膜等進行蝕刻之離子束蝕刻；以及將從電漿中所拉引之離子束照射於濺鍍靶材，使濺鍍粒子附著並堆積於被處理基板上之離子束濺鍍等。
於上述電漿處理裝置中，已知有電容耦合型、感應耦合型(ICP：Inductively Coupled Plasma)、電子迴旋共振型(ECR：Electron Cyclotron Resonance)等離子源。尤其是感應耦合型離子源係如第16圖所示具備：電漿產生室1；用以區隔此電漿產生室1之由電介質所組成之間隔壁2；及設置於此間隔壁2的外部且用以於電漿產生室1內產生電漿之高頻天線3。
上述間隔壁2一般係採用由石英等電介質材料所組成者。此外，例如就第16圖所示，高頻天線3係於間隔壁2的側周部以線圈狀捲繞，並透過間隔壁2與電漿進行感應耦合。所產生的電漿係藉由拉引電極4而僅使離子7加速，並往處理室5拉引。拉引後的離子7係被照射於處理室5內部所設置之被處理基板或濺鍍靶材等被照射物6，而對被處理基板進行預定的蝕刻處理或成膜處理。
於上述以往的ICP型離子源中，藉由從電漿所拉引之離子7對被照射物6進行濺鍍，該濺鍍物的一部分8係附著於用以區隔此電漿產生室1之間隔壁2的內面。尤其是於濺鍍物8為導電性物質時，若濺鍍物8對間隔壁的內面連續成膜於高頻天線的捲繞方向，則使電漿產生室1所產生之感應電磁場被抵消之方向的電流，會於間隔壁2的內周面產生，因而使感應損失增大。同樣地，於離子7對拉引電極4碰撞時所產生之來自拉引電極4的導電性濺鍍物9，亦可能經由電漿產生室1而附著於間隔壁2的內面。
如此，若因導電性的附著物堆積並成膜於間隔壁2的內周面整面而導致感應損失的增大，則不僅為了獲得所希望的電漿密度而需增加高頻電力，並且最後會導致難以產生並維持電漿之問題。
為了防止此問題，例如於下列專利文獻1、2中揭示有一種於電漿產生室的內部設置用以限制附著物往間隔壁內面堆積之遮蔽體。此遮蔽體係與間隔壁的內面相對向設置，以抑制從被照射物所飛散之濺鍍物附著於間隔壁的內面，並確保電漿的穩定產生與維持。
專利文獻1：日本特開2004－228181號公報專利文獻2：日本特開平11－251303號公報
然而，上述專利文獻1、2所記載之遮蔽體均為金屬製，因此會因暴露於電漿中而被濺鍍，於須避免金屬污染之程序中，會導致弊害之問題。
此外，由於金屬構造體係存在於高頻天線與電漿形成空間之間，因此，與電漿之感應耦合時所需的高頻電力，係比未存在該遮蔽體時更為增大。為了有效率地進行高頻天線與電漿之間的感應耦合，而有需以複數或大面積來形成用以使感應電磁場通過金屬製的遮蔽體之開口之必要性。因而抵銷遮蔽體原本的功能，導致對於間隔壁內面之膜附著量增加之問題。
此外，為了提高對於間隔壁內面之防止附著的效果，必須於間隔壁內壁面與遮蔽體之間保持較小間距。此間距雖然形成電容器，但於遮蔽體為金屬製時，若成膜物質的導電性遠比遮蔽材低(電介質等)，則伴隨使用之經過會導致電容之經時性變化，不僅難以達到電漿的穩定形成與維持，並會產生與之對應的匹配電路的設計複雜化之問題。
本發明係鑑於上述問題而研創者，該課題在於提供一種可達到長壽命且穩定之電漿的形成之離子源及電漿處理裝置。
為了解決以上課題，本發明為一種離子源，係具備：電漿產生室；用以區隔該電漿產生室之由電介質所組成之間隔壁；及設置於此間隔壁的外部且用以於上述電漿產生室內產生電漿之高頻天線；於上述間隔壁的內面側，係設置有由電介質所組成之構造體，該構造體係用以限制對於與上述高頻天線對向的間隔壁內面之膜附著。
此外，本發明為一種電漿處理裝置，係具備：收納被處理基板之處理室；電漿產生室；用以區隔該電漿產生室之由電介質所組成之間隔壁；及設置於上述間隔壁的外部且用以於上述電漿產生室內產生電漿之高頻天線；於上述間隔壁的內面側，係設置有由電介質所組成之構造體，該構造體係用以限制對於與上述高頻天線對向的間隔壁內面之膜附著。
本發明之構造體為以遮蔽間隔壁的內面側之方式而配置之遮蔽體，可由直接形成於間隔壁內面之突出部或凹部所構成。此外，亦可為將上述遮蔽體與突出部或凹部加以組合之構成。
高頻天線係沿著間隔壁的外周部捲繞成線圈狀，或是於間隔壁的頂部外側位置捲繞成迴路狀而構成。所謂的「與高頻天線對向的間隔壁內面」於前者之情形時係相當於間隔壁的內周面，於後者之情形時相當於間隔壁的頂部內面。依據此高頻天線的構成，可構成本發明之構造體。
例如，於以沿著間隔壁的外周部而捲繞線圈天線來構成高頻天線時，上述構造體係由用以遮蔽間隔壁的內周面並於橫切高頻天線的捲繞方向之方向形成有狹縫(slot)之筒狀遮蔽體所構成，或是由在間隔壁的內周面的至少一部分以橫切高頻天線的捲繞方向之方式延伸之突出部或凹部所構成。
另一方面，於以間隔壁的頂部外側位置捲繞成渦捲狀之迴路天線來構成高頻天線時，上述構造體係由用以遮蔽間隔壁的頂部內面並於橫切高頻天線的捲繞方向之方向形成有狹縫之平板狀或曲面狀遮蔽體所構成，或是由在間隔壁的頂部內面的至少一部分以橫切高頻天線的捲繞方向之方式延伸之突出部或凹部所構成。
藉此，由於可防止附著膜連續於高頻天線的捲繞方向成膜於間隔壁的內面，因此即使附著膜為導電性物質時，亦可有效地抑制高頻天線與電漿產生室之間的感應損失。此外，由於係以電介質構成該構造體，因此可抑制與電漿之感應耦合時所需的高頻電力的增大，並且可達到長期間穩定的電漿形成與維持。
如上所述，根據本發明，可降低高頻天線與電漿產生室之間的感應損失，並且達到長期間穩定的電漿形成與維持。
以下係參照圖式，說明本發明的實施形態。
(第1實施形態)
第1圖係本發明的第1實施形態之具備離子源之電漿處理裝置11的概略構成圖。本實施形態之電漿處理裝置11係具備真空室13，於該真空室13的內部中，係形成有用以收納半導體晶圓或液晶面板用基板等被處理基板(以下簡稱為「基板」)W之處理室12。於此真空室13，係形成有連通於未圖示之真空泵等真空排氣手段之排氣管13a，而使處理室12的內部減壓至預定的真空度。
於真空室13的上部，係設置有與處理室12連通並用以區隔電漿產生室之間隔壁15。此間隔壁15例如由石英製的鐘形罩(Bell Jar)等電介質材料所形成。於間隔壁15的側周部外側，係設置有捲繞成呈線圈狀之高頻天線16。於高頻天線16的一端，係經由匹配電路17而連接有高頻電源18，於高頻天線16的另一端，係經由電容器19而電性接地。高頻電源18的電源頻率例如為10kHz至100MHz。
藉由從高頻電源18施加高頻電力，使高頻天線16於電漿產生室14內產生感應電場，激發電漿產生室14內所導入之反應性氣體而形成電漿，並且與所產生的電漿感應耦合而於電漿產生室14內使電漿之形成維持穩定。於電漿產生室14中係設置有本發明之遮蔽體26，該詳細構成於後述之。
於本實施形態中，上述反應性氣體係從間隔壁15的上部，經由氣體導入管而導入至電漿產生室14內。氣體的種類例如有Ar(氬氣)、O2 (氧氣)、N2 (氮氣)、Xe(氙氣)、PH3 (磷化氫)等，氣體壓力例如為0.01Pa至10Pa。
於處理室12與電漿產生室14之間係設置有柵極22。柵極22係相當於用以將電漿產生室14所形成之電漿中的離子，以離子束狀往處理室12拉引之本發明的「拉引電極」。於本實施形態中，係成為從電漿產生室14側依序具有離子束電極22A、加速電極22B及接地電極22C之3層構造，並分別以鉬及石墨等所構成。
於離子束電極22A及加速電極22B係分別連接有直流可變電源23A、23B，並對離子束電極22A施加預定的正電位，對加速電極22B施加預定的負電位。可藉由調整這些電源電位的大小而控制離子的加速能量。
離子束的電流值係可藉由檢測出直流可變電源23A中所流通之電流而獲得。於直流可變電源23A係附加有電流檢測功能，而可即時監測離子束的電流值。以使該監測電流值成為一定之方式對電流值進行反饋，並調節供應至高頻天線16之電力，藉此可將電漿產生室14內的電漿密度維持為一定。
以上，係藉由電漿產生室14、間隔壁15、高頻天線16、匹配電路17、高頻電源18、柵極22等而構成本發明之「離子源」。
接著，收納於處理室12之基板W係支撐於承載台20。由柵極22所拉引之離子束係往基板W上照射。基板W的表面係以金屬膜等導電材料所被覆(亦包含部分被覆之情形)，並藉由離子束的照射而進行金屬膜的蝕刻。於本實施形態中，係於承載台20連接有偏壓用的高頻電源21，因此亦可從由離子束與殘留氣體之間的電荷轉移所產生電漿，週期性地將離子照射於基板W。
金屬膜的蝕刻程序並無特別限定。可適用於例如於金屬膜上形成預定形狀的光阻遮罩圖案，並藉由離子束的照射對與光阻開口部相對應之金屬膜進行蝕刻，藉此而形成配線圖案之程序。此外，亦可適用於金屬鑲嵌(Damascene)程序等之金屬膜的全面回蝕。
於採用離子束對基板表面的金屬膜進行蝕刻處理之步驟中，因離子的濺鍍作用所飛散之金屬膜與柵極22的濺鍍物，係附著並堆積於間隔壁15的內面。若此附著物連續成膜於高頻天線16的捲繞方向，則會產生使電漿形成所需的感應電磁場被抵消之方向的電流，而導致感應損失的增大，因而不易穩定地形成電漿。
因此，於本實施形態中，係於電漿產生室14的內部，設置有用以限制濺鍍物對於與高頻天線16對向的間隔壁15內面之附著的遮蔽體26。此遮蔽體26為本發明之「構造體」的一項具體例。以下，係參照第2圖至第4圖，說明此遮蔽體26的詳細構成。
遮蔽體26係具有由電介質所組成之筒狀，並以遮蔽間隔壁15的內周壁面之方式設置於電漿產生室14內。於本實施形態中，遮蔽體26係與間隔壁15相同均為石英製，但除此之外，亦可因用途或規格的不同，而選擇例如氧化鋁或氮化鋁等之任意的電介質材料。
於遮蔽體26係形成有狹縫26a，該狹縫26a係形成於橫切高頻天線16(第1圖)的捲繞方向之方向。於本實施形態中，狹縫26a係與圓筒狀之遮蔽體26的軸向平行形成，藉此使狹縫26a與高頻天線16的捲繞方向大致正交。藉此可防止附著物於高頻天線16的捲繞方向(遮蔽體26的圓周方向)連續成膜，因此可避免感應電流沿著遮蔽體26的內周面而產生。
為了抑制附著物經由遮蔽體26的外周面與間隔壁15的內周面之間的空隙而堆積於間隔壁15的內面，較理想為以使遮蔽體26與間隔壁15之間的空隙形成為較窄。較理想為以使空隙的大小成為約1mm之方式使遮蔽體26與間隔壁15接近而配置。
遮蔽體26的狹縫26a較理想為如第2圖A所示形成為將遮蔽體26加以切斷之長度。另一方面，於形成複數個狹縫26a時，狹縫26a係如第3圖及第4圖所示形成為未將遮蔽體26加以切斷之長度。尤其是如第4圖所示，於形成複數個狹縫26a時，係從遮蔽體26的兩端部開始交互形成狹縫26a，藉此可消除於遮蔽體26的圓周方向所連續形成之部位，而大幅降低因附著物的成膜所導致之感應電流的產生。
此外，狹縫26a的形成寬度並無特別限定，就從降低對間隔壁15的內面之附著量的觀點來看，較理想為於可防止遮蔽體26的圓周方向上之關閉迴路化的範圍內，儘可能形成較窄的槽寬度。此外，狹縫26a亦可僅形成於高頻天線16的捲繞位置。
遮蔽體26相對於電漿產生室14的固定，係經由未圖示之裝設夾具而將遮蔽體26裝設於間隔壁15。裝設夾具的材質並無特別限定，就避免金屬污染的觀點來看，較理想為以電介質材料所形成。此外，遮蔽體26的構成並不限定於筒狀，例如可將複數片的長條狀遮蔽物，經由預定的微小空隙(例如約1mm)而對向配置於間隔壁15的內面。
另一方面，如第1圖所示，遮蔽體26的下端係面對柵極22(離子束電極22A)的附近位置。其理由為，若使電漿被吸引至真空室13等接地部位時，則會使電漿的分布紊亂、或離子於真空室13中濺射而導致金屬污染之故。藉由使遮蔽體26的下端部接近或接觸於柵極22，可避免因如上所述之電漿洩漏所導致之缺失。遮蔽體26的下端與柵極22之間的距離愈小愈佳，於1mm以下則可確認出該效果。於本實施形態中，係設定為大約0.5mm。
於以上構成之實施形態中，係藉由於電漿產生室14內設置有用以遮蔽間隔壁15的內周面之遮蔽體26，而在進行處理室12之基板W的離子束蝕刻時，可防止從基板表面所飛散之濺鍍物附著並堆積於間隔壁15的內面全周。此外，雖於遮蔽體26的內面附著有濺鍍物，但由於形成有狹縫26a，因此不會使附著膜連續形成於遮蔽體26的圓周方向。
因此，根據本實施形態，由於可防止附著膜連續形成於高頻天線16的捲繞方向，即使附著膜具有導電性時，亦可有效地抑制高頻天線16與電漿產生室14之間的感應損失。此外，濺鍍物並不限定於導電性較高的材料，只要為具有可產生來自高頻天線16之感應電流之程度以上的導電性，則亦可獲得同樣效果。
此外，由於遮蔽體26係以電介質材料所構成，因此可抑制與電漿之感應耦合時所需的高頻電力的增大，並且可達到長期間穩定的電漿形成與維持。此外，由於遮蔽體26係以電介質材料所構成，因此亦不會產生因遮蔽體為金屬製而造成之金屬污染的問題。
(第2實施形態)
接著，第5圖及第6圖係本發明之「構造體」的其他實施形態。圖中，關於對應於上述第1實施形態之部分，係附加相同符號並省略其詳細說明。
於第5圖A、B所示的構成例中，係於用以區隔電漿產生室14之圓筒形狀的間隔壁15的內周面，具有於橫切高頻天線16(第1圖)的捲繞方向之方向所延伸之突出部15a。藉由此構成，可藉由該突出部15a而防止濺鍍物連續於該圓周方向成膜於間隔壁15的內周面，因此可降低高頻天線16的感應損失。
此外，於膜附著於突出部15a的兩側面時，由於從間隔壁15的內面側朝向突出部15a前端之電流、與從突出部15a前端朝向間隔壁15的內面側之電流互為相反方向，因此可達到該部位之感應電流的抵消及降低。
於第5圖的例中係顯示，突出部15a以180度的間隔於間隔壁15的內周面配置2處之例，但突出部15a亦可僅形成於間隔壁15的內周面之至少一部分，亦可以等角度間隔或不等角度間隔而於3處以上的複數部位形成為放射狀。
突出部15a的形成高度較理想為該形成寬度以上(高寬比為1以上)。具體而言，將突出部15a的形成寬度設為1mm時，突出部15a的形成高度係形成為1mm以上。突出部15a係由電介質材料所組成，可一體形成於間隔壁15的內周面，亦可作為其他構件而加以裝設。
另一方面，於第6圖A、B所示的構成例中，係於用以區隔電漿產生室14之圓筒形狀的間隔壁15的內周面，具有於橫切高頻天線16(第1圖)的捲繞方向之方向所延伸之凹部15b。藉由此構成，可藉由該凹部15b而防止濺鍍物連續於該圓周方向成膜於間隔壁15的內周面，因此可降低高頻天線16的感應損失。
此外，於膜附著於凹部15b的兩側面時，由於從間隔壁15的內面側朝向凹部15b底部之電流、與從凹部15b底部朝向間隔壁15的內面側之電流互為相反方向，因此可達到該部位之感應電流的抵消及降低。
於第6圖的例中係顯示，凹部15b以180度的間隔於間隔壁15的內周面配置2處之例，但凹部15b亦可僅形成於間隔壁15的內周面之至少一部分，亦可以等角度間隔或不等角度間隔而於3處以上的複數部位形成為放射狀。
凹部15b的形成深度較理想為該形成寬度以上(高寬比為1以上)。具體而言，將凹部15b的形成寬度設為1mm時，凹部15b的形成深度係形成為1mm以上。此外，凹部15b係凹設於間隔壁15的內周面。
如上所述，藉由將突出部15a或凹部15b構成為本發明之「構造體」，可獲得與上述第1實施形態相同之效果。
(第3實施形態)
第7圖及第8圖係顯示本發明的第3實施形態。圖中，關於對應於上述第1、第2實施形態之部分，係附加相同符號並省略其詳細說明。
於本實施形態中，為具有將上述第1實施形態中所說明之遮蔽體26、及上述第2實施形態中所說明之間隔壁15的內面構造加以組合後之構成例。
亦即，於第7圖A、B所示的構成例中，係於用以區隔電漿產生室14之圓筒形狀的間隔壁15的內周面，於橫切高頻天線16(第1圖)的捲繞方向之方向形成有凹部15b，並且於此間隔壁15的內部設置有遮蔽體26，該遮蔽體26係於橫切高頻天線16的捲繞方向之方向形成有狹縫26a，並由電介質材料所組成。
藉由以上的構成，於濺鍍物經由間隔壁15與遮蔽體26之間的空隙而附著於間隔壁15的內周面時，難以使該附著膜連續形成於高頻天線16的捲繞方向，因此可謀求該維護循環之長期化。此外，係使間隔壁15的凹部15b與遮蔽體26的狹縫26a朝向互為不同的角度位置，因此更可提高該效果。
另一方面，於第8圖A、B所示的構成例中，係於用以區隔電漿產生室14之圓筒形狀的間隔壁15的內周面，於橫切高頻天線16(第1圖)的捲繞方向之方向形成有突出部15a，並且於此間隔壁15的內部設置有遮蔽體26，該遮蔽體26係於橫切高頻天線16的捲繞方向之方向形成有狹縫26a，並由電介質材料所組成。遮蔽體26係形成為相對較厚，並於與突出部15a對向之部位，分別形成有用以收納該突出部15a之溝部26b。
藉由此構成，可於間隔壁15的內面與遮蔽體26之間的空隙形成曲折(Labyrinth)構造，而與上述相同，可便防止使濺鍍物連續成膜於間隔壁15的內周面之效果提高。
(第4實施形態)
第9圖及第10圖係顯示本發明的第4實施形態。圖中，關於對應於上述第1實施形態之部分，係附加相同符號並省略其詳細說明。
本實施形態之電漿處理裝置31，就於用以區隔電漿產生室14之石英製的間隔壁35的頂部外側，具備於平面內捲繞成迴路狀(渦捲狀)之高頻天線34之構成者，係與上述第1實施形態不同。此外，於與高頻天線34對向之間隔壁35的內面(頂部內面)，係設置有用以限制濺鍍物的附著之遮蔽體36。
遮蔽體36係與間隔壁35相同地由電介質材料(例如石英)所組成，如第10圖A、B所示，係具有遮蔽間隔壁35的頂部內面之圓板形狀。此外，於此遮蔽體36的內面係形成有狹縫36a，該狹縫36a係形成於橫切高頻天線34的捲繞方向之方向。狹縫36a的形成個數並無特別限定，於圖中係以等角度間隔並以放射狀而形成有複數個(4個)，但只要為至少1個即可。
與上述第1實施形態相同，遮蔽體36與間隔壁35的頂部內面係以使空隙的大小成為約1mm之方式互相接近配置，藉此可抑制濺鍍物經由兩者之間的空隙而侵入並成膜。
於具有以上構成之本實施形態之電漿處理裝置31中，係於電漿產生室14內設置用以遮蔽間隔壁35的頂部內面之遮蔽體36，藉此，於進行處理室12之基板W的離子束蝕刻時，可限制從基板表面所飛散之濺鍍物成膜於間隔壁35的頂部內面。此外，即使於遮蔽體36附著有濺鍍物，亦由於形成有狹縫36a，因此不會使附著膜連續形成於遮蔽體36的圓周方向。
因此，根據本實施形態，由於可防止附著膜連續形成於高頻天線34的捲繞方向，即使附著膜具有導電性時，亦可有效地抑制高頻天線34與電漿產生室14之間的感應損失。
此外，由於遮蔽體36係以電介質材料所構成，因此可抑制與電漿之感應耦合時所需的高頻電力的增大，並且可達到長期間穩定的電漿形成與維持。此外，由於遮蔽體36係以電介質材料所構成，因此亦不會產生因遮蔽體為金屬製而造成之金屬污染的問題。
(第5實施形態)
接下來，第11圖及第12圖係顯示本發明之「構造體」的其他實施形態。圖中，關於對應於上述第4實施形態之部分，係附加相同符號並省略其詳細說明。
於第11圖A、B所示的構成例中，係於用以區隔電漿產生室14之圓筒形狀的間隔壁35的頂部內面，具有於橫切高頻天線34(第9圖)的捲繞方向之方向所延伸之突出部35a。藉由此構成，可藉由該突出部35a而防止濺鍍物連續於該面內周方向成膜於間隔壁35的頂部內面，因此可降低高頻天線34的感應損失。
此外，於膜附著於突出部35a的兩側面時，由於從間隔壁35的內面側朝向突出部35a前端之電流、與從突出部35a前端朝向間隔壁35的內面側之電流互為相反方向，因此可達到該部位之感應電流的抵消及降低。
於第ll圖的例中係顯示，突出部35a以90度的間隔於間隔壁35的頂部內面配置4處之例子，但突出部35a亦可僅形成於間隔壁35的頂部內面之至少一部分，亦可以等角度間隔或不等角度間隔而於複數部位形成為放射狀。
突出部35a的形成高度較理想為該形成寬度以上(高寬比為1以上)。具體而言，將突出部35a的形成寬度設為1mm時，突出部35a的形成高度係形成為1mm以上。突出部35a係由電介質材料所組成，可一體形成於間隔壁35的頂部內面，或作為其他構件而加以裝設。
另一方面，於第12圖A、B所示的構成例中，係於用以區隔電漿產生室14之圓筒形狀的間隔壁35的內面，具有於橫切高頻天線34(第9圖)的捲繞方向之方向所延伸之凹部35b。藉由此構成，可藉由該凹部35b而防止濺鍍物連續於該面內周方向成膜於間隔壁35的頂部內面，因此可降低高頻天線34的感應損失。
此外，於膜附著於凹部35b的兩側面時，由於從間隔壁35的內面側朝向凹部35b底部之電流、與從凹部35b底部朝向間隔壁35的內面側之電流互為相反方向，因此可達到該部位之感應電流的抵消及降低。
於第12圖的例中係顯示，凹部35b以90度的間隔於間隔壁35的內周面配置4處之例，但凹部35b亦可僅形成於間隔壁35的頂部內面之至少一部分，亦可以等角度間隔或不等角度間隔而於複數部位形成為放射狀。
凹部35b的形成深度較理想為該形成寬度以上(高寬比為1以上)。具體而言，將凹部35b的形成寬度設為1mm時，凹部35b的形成深度係形成為1mm以上。
如上所述，藉由將突出部35a或凹部35b構成為本發明之「構造體」，可獲得與上述第4實施形態相同之效果。
(第6實施形態)
第13圖及第14圖係顯示本發明的第6實施形態。圖中，關於對應於上述第4、第5實施形態之部分，係附加相同符號並省略其詳細說明。
於本實施形態中，為具有將上述第4實施形態中所說明之遮蔽體36、及上述第5實施形態中所說明之間隔壁35的內面構造加以組合後之構成例。
亦即，於第13圖A、B所示的構成例中，係於用以區隔電漿產生室14之圓筒形狀的間隔壁35的頂部內面，於橫切高頻天線34(第9圖)的捲繞方向之方向形成有凹部35b，並且於此間隔壁35的內部設置有遮蔽體36，該遮蔽體36係於橫切高頻天線34的捲繞方向之方向形成有狹縫36a，並由電介質材料所組成。與上述第4實施形態相同，遮蔽體36與間隔壁35的頂部內面係以使間隙的大小成為約1mm之方式而互相接近配置，藉此可抑制濺鍍物經由兩者之間的空隙而侵入並成膜。
藉由以上的構成，於濺鍍物經由間隔壁35與遮蔽體36之間的空隙而附著於間隔壁35的頂部內面時，難以使該附著膜連續形成於高頻天線34的捲繞方向，因此可謀求該維護循環之長期化。此外，係使間隔壁35的凹部35b與遮蔽體36的狹縫36a朝向互為不同的角度位置，因此更可提高該效果。
另一方面，於第14圖A、B所示的構成例中，係於用以區隔電漿產生室14之圓筒形狀的間隔壁35的頂部內面，於橫切高頻天線34(第9圖)的捲繞方向之方向形成有突出部35a，並且於此間隔壁35的內部設置有遮蔽體36，該遮蔽體36係於橫切高頻天線34的捲繞方向之方向上形成有狹縫36a，並由電介質材料所組成。與上述第4實施形態相同，遮蔽體36與間隔壁35的頂部內面係以使空隙的大小成為約1mm之方式互相接近配置，藉此可抑制濺鍍物經由兩者之間的空隙而侵入並成膜。
藉由此構成，可於間隔壁35的內面與遮蔽體36之間的空隙形成曲折(Labyrinth)構造，而與上述相同地，可使防止濺鍍物連續成膜於間隔壁35的頂部內面之效果提高。
以上係說明本發明的各個實施形態，但本發明並不限定於此，可根據本發明的技術思想而進行各種的變形。
例如於以上的各個實施形態中，係以採用離子束蝕刻裝置作為電漿處理裝置者為例來進行說明，但亦可採用於處理室內設置濺鍍靶材並使濺鍍粒子附著於被處理基板上而成膜之離子束濺鍍裝置，來取代離子束蝕刻裝置而構成。除此之外，本發明亦可適用於電漿摻雜裝置及電漿蝕刻裝置等其他電漿處理裝置。
此外，於以上的各個實施形態中，係構成用以區隔電漿產生室14之間隔壁(鐘形罩(Bell Jar))15、35以作為隔絕大氣與真空之裝置外壁部，但亦可如第15圖所示，將本發明之離子源配置於真空室13的內部來取代上述構成。此時，間隔壁15係於真空室13的內部將電漿產生室14加以區隔。此外，高頻天線16係位於真空室13的內部並配置於間隔壁15的外周側，並以遮蔽與該高頻天線16對向之間隔壁15內周面之方式設置本發明之遮蔽體26。
此外，本發明之遮蔽體26、36係形成為圓筒狀或板狀，但亦可配合間隔壁的內面形狀而進行適當的變更，例如形成為角筒狀或圓頂狀等。
11．．．電漿處理裝置
12．．．處理室
13．．．真空室
13a．．．排氣管
14．．．電漿產生室
15．．．間隔壁
15a．．．突出部
15b．．．凹部
16．．．高頻天線
17．．．匹配電路
18．．．高頻電源
19．．．電容器
20．．．承載台
21．．．偏壓用電源
22．．．柵極(拉引電極)
22A．．．離子束電極
22B．．．加速電極
22C．．．接地電極
23A、23B．．．直流可變電源
26．．．遮蔽體
26a．．．狹縫
26b．．．溝部
31．．．電漿處理裝置
34．．．高頻天線
35．．．間隔壁
35a．．．突出部
35b．．．凹部
36．．．遮蔽體
36a．．．狹縫
W．．．基板
第1圖係本發明第1實施形態之具備離子源之電漿處理裝置11的概略構成圖。
第2圖係用以說明本發明第1實施形態之離子源的構成之圖式，A為概略斜視圖，B為其正面圖。
第3圖係用以說明本發明第1實施形態之離子源的其他構成例之圖式，A為概略斜視圖，B為其正面圖。
第4圖係用以說明本發明第1實施形態之離子源的另外的構成例之圖式，A為概略斜視圖，B為其正面圖。
第5圖係用以說明本發明第2實施形態之離子源的構成之圖式，A為概略斜視圖，B為其正面圖。
第6圖係用以說明本發明第2實施形態之離子源的其他構成之圖式，A為概略斜視圖，B為其正面圖。
第7圖係用以說明本發明第3實施形態之離子源的構成之圖式，A為概略斜視圖，B為該正面圖。
第8圖係用以說明本發明第3實施形態之離子源的其他構成之圖式，A為概略斜視圖，B為其正面圖。
第9圖係本發明第4實施形態之具備離子源之電漿處理裝置31的概略構成圖。
第10圖係用以說明本發明第4實施形態之離子源的構成之圖式，A為概略斜視圖，B為其正面圖。
第11圖係用以說明本發明第5實施形態之離子源的構成之圖式，A為概略斜視圖，B為其正面圖。
第12圖係用以說明本發明第5實施形態之離子源的其他構成之圖式，A為概略斜視圖，B為其正面圖。
第13圖係用以說明本發明第6實施形態之離子源的構成之圖式，A為概略斜視圖，B為其正面圖。
第14圖係用以說明本發明第6實施形態之離子源的其他構成之圖式，A為概略斜視圖，B為其正面圖。
第15圖係本發明之離子源的構成的變形例之主要部分的概略剖面圖。
第16圖係用以說明習知之具備感應耦合型離子源之電漿處理裝置的構成及作用。
11．．．電漿處理裝置
12．．．處理室
13．．．真空室
13a．．．排氣管
14．．．電漿產生室
15．．．間隔壁
16．．．高頻天線
17．．．匹配電路
18．．．高頻電源
19．．．電容器
20．．．承載台
21．．．偏壓用電源
22．．．柵極(拉引電極)
22A．．．離子束電極
22B．．．加速電極
22C．．．接地電極
23A、23B．．．直流可變電源
26．．．遮蔽體
26a．．．狹縫
W．．．基板

Claims (9)

  1. 一種離子源，係具備：電漿產生室；用以區隔該電漿產生室之由電介質所組成之間隔壁；及設置於此間隔壁的外部且用以於上述電漿產生室內產生電漿之高頻天線，該離子源之特徵為：於上述間隔壁的內面側係設置有由電介質所組成之構造體，該構造體係用以限制膜附著至與上述高頻天線對向的間隔壁內面；且上述構造體係為於上述間隔壁的內面之至少一部分，於橫切上述高頻天線的捲繞方向之方向所延伸之突出部。
  2. 如申請專利範圍第1項之離子源，其中，上述構造體係為用以遮蔽上述間隔壁的內面，且具有形成於橫切上述高頻天線的捲繞方向之方向的至少1個狹縫，並由電介質材料所組成之遮蔽體。
  3. 如申請專利範圍第2項之離子源，其中，上述遮蔽體係接近上述間隔壁的內面而配置。
  4. 如申請專利範圍第1項之離子源，其中，復具備從上述電漿產生室拉引電漿中的離子之拉引電極。
  5. 如申請專利範圍第1項之離子源，其中，上述構造體係為用以遮蔽上述間隔壁的內面，且具有形成於橫切上述高頻天線的捲繞方向之方向的至少1個狹縫，並由電介質材料所組成之遮蔽體；於此遮蔽體的附近，設置有從上述電漿產生室中拉引電漿中的離子之拉引電極；上述 遮蔽體與上述拉引電極之間的距離為1mm以下。
  6. 一種電漿處理裝置，係具備：收納被處理基板之處理室；電漿產生室；用以區隔該電漿產生室之由電介質所組成之間隔壁；及設置於上述間隔壁的外部且用以於上述電漿產生室內產生電漿之高頻天線，該電漿處理裝置之特徵為：於上述間隔壁的內面側係設置有由電介質所組成之構造體，該構造體係用以限制膜附著至與上述高頻天線對向的間隔壁內面；且上述構造體係為於上述間隔壁的內面之至少一部分，於橫切上述高頻天線的捲繞方向之方向所延伸之突出部。
  7. 如申請專利範圍第6項之電漿處理裝置，其中，於上述電漿產生室與上述處理室之間，設置有從上述電漿產生室朝向上述處理室而拉引電漿中的離子之拉引電極。
  8. 如申請專利範圍第6項之電漿處理裝置，其中，上述構造體係為用以遮蔽上述間隔壁的內面，且具有形成於橫切上述高頻天線的捲繞方向之方向的至少1個狹縫，並由電介質材料所組成之遮蔽體；於此遮蔽體的附近，設置有從上述電漿產生室拉引電漿中的離子之拉引電極；上述遮蔽體與上述拉引電極之間的距離為1mm以下。
  9. 如申請專利範圍第6項之電漿處理裝置，其中，於上述處理室係設置有濺鍍靶材，該濺鍍靶材係照射有從上述電漿產生室所拉引之離子，而使濺鍍粒子附著於上述被處理基板上。
TW095133073A 2005-09-09 2006-09-07 離子源及電漿處理裝置 TWI391518B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005261901 2005-09-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200714742A TW200714742A (en) 2007-04-16
TWI391518B true TWI391518B (zh) 2013-04-01

Family

ID=37835892

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW095133073A TWI391518B (zh) 2005-09-09 2006-09-07 離子源及電漿處理裝置

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8356575B2 (zh)
JP (1) JP5072096B2 (zh)
KR (1) KR101247198B1 (zh)
CN (1) CN101223624B (zh)
DE (1) DE112006002412T5 (zh)
RU (1) RU2414766C2 (zh)
TW (1) TWI391518B (zh)
WO (1) WO2007029777A1 (zh)

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4345895B2 (ja) * 2005-10-20 2009-10-14 日新イオン機器株式会社 イオン源の運転方法およびイオン注入装置
JP5246474B2 (ja) * 2008-02-08 2013-07-24 Ｔｄｋ株式会社 ミリング装置及びミリング方法
US8694060B2 (en) * 2008-06-17 2014-04-08 Rosemount Inc. Form factor and electromagnetic interference protection for process device wireless adapters
CA2726707C (en) 2008-06-17 2016-01-19 Rosemount Inc. Rf adapter for field device with low voltage intrinsic safety clamping
US8929948B2 (en) 2008-06-17 2015-01-06 Rosemount Inc. Wireless communication adapter for field devices
US8652586B2 (en) * 2008-08-04 2014-02-18 Agc Flat Glass North America, Inc. Plasma source and methods for depositing thin film coatings using plasma enhanced chemical vapor deposition
JP5325623B2 (ja) * 2009-03-24 2013-10-23 株式会社アルバック 電子源
US7999479B2 (en) * 2009-04-16 2011-08-16 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Conjugated ICP and ECR plasma sources for wide ribbon ion beam generation and control
US9674976B2 (en) 2009-06-16 2017-06-06 Rosemount Inc. Wireless process communication adapter with improved encapsulation
US9111729B2 (en) 2009-12-03 2015-08-18 Lam Research Corporation Small plasma chamber systems and methods
US9190289B2 (en) 2010-02-26 2015-11-17 Lam Research Corporation System, method and apparatus for plasma etch having independent control of ion generation and dissociation of process gas
TWI502617B (zh) * 2010-07-21 2015-10-01 應用材料股份有限公司 用於調整電偏斜的方法、電漿處理裝置與襯管組件
US9793126B2 (en) 2010-08-04 2017-10-17 Lam Research Corporation Ion to neutral control for wafer processing with dual plasma source reactor
US9967965B2 (en) 2010-08-06 2018-05-08 Lam Research Corporation Distributed, concentric multi-zone plasma source systems, methods and apparatus
US8999104B2 (en) 2010-08-06 2015-04-07 Lam Research Corporation Systems, methods and apparatus for separate plasma source control
US9155181B2 (en) 2010-08-06 2015-10-06 Lam Research Corporation Distributed multi-zone plasma source systems, methods and apparatus
US9449793B2 (en) * 2010-08-06 2016-09-20 Lam Research Corporation Systems, methods and apparatus for choked flow element extraction
US10761524B2 (en) 2010-08-12 2020-09-01 Rosemount Inc. Wireless adapter with process diagnostics
US8736177B2 (en) * 2010-09-30 2014-05-27 Fei Company Compact RF antenna for an inductively coupled plasma ion source
US9070760B2 (en) * 2011-03-14 2015-06-30 Plasma-Therm Llc Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer
JP2014209406A (ja) 2011-07-20 2014-11-06 キヤノンアネルバ株式会社 イオンビーム発生装置、およびイオンビームプラズマ処理装置
US9039911B2 (en) 2012-08-27 2015-05-26 Lam Research Corporation Plasma-enhanced etching in an augmented plasma processing system
TW201330705A (zh) * 2011-09-28 2013-07-16 Mapper Lithography Ip Bv 電漿產生器
JP2013084552A (ja) * 2011-09-29 2013-05-09 Tokyo Electron Ltd ラジカル選択装置及び基板処理装置
US9310794B2 (en) 2011-10-27 2016-04-12 Rosemount Inc. Power supply for industrial process field device
US9177762B2 (en) 2011-11-16 2015-11-03 Lam Research Corporation System, method and apparatus of a wedge-shaped parallel plate plasma reactor for substrate processing
US10283325B2 (en) 2012-10-10 2019-05-07 Lam Research Corporation Distributed multi-zone plasma source systems, methods and apparatus
JP2015053108A (ja) * 2011-12-02 2015-03-19 キヤノンアネルバ株式会社 イオンビーム発生装置
US20140097752A1 (en) * 2012-10-09 2014-04-10 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Inductively Coupled Plasma ION Source Chamber with Dopant Material Shield
US9245761B2 (en) 2013-04-05 2016-01-26 Lam Research Corporation Internal plasma grid for semiconductor fabrication
US9230819B2 (en) 2013-04-05 2016-01-05 Lam Research Corporation Internal plasma grid applications for semiconductor fabrication in context of ion-ion plasma processing
US9017526B2 (en) * 2013-07-08 2015-04-28 Lam Research Corporation Ion beam etching system
US9147581B2 (en) 2013-07-11 2015-09-29 Lam Research Corporation Dual chamber plasma etcher with ion accelerator
BR112017011612A2 (pt) 2014-12-05 2018-01-16 Agc Glass Europe, S.A fonte de plasma de cátodo oco
MY191327A (en) 2014-12-05 2022-06-16 Agc Flat Glass Na Inc Plasma source utilizing a macro-particle reduction coating and method of using a plasma source utilizing a macro-particle reduction coating for deposition of thin film coatings and modification of surfaces
CN105789011B (zh) * 2014-12-24 2018-01-26 中微半导体设备(上海)有限公司 感应耦合型等离子体处理装置
CN106653549B (zh) * 2015-11-03 2020-02-11 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种半导体加工设备
US9721764B2 (en) 2015-11-16 2017-08-01 Agc Flat Glass North America, Inc. Method of producing plasma by multiple-phase alternating or pulsed electrical current
US9721765B2 (en) 2015-11-16 2017-08-01 Agc Flat Glass North America, Inc. Plasma device driven by multiple-phase alternating or pulsed electrical current
US10242846B2 (en) 2015-12-18 2019-03-26 Agc Flat Glass North America, Inc. Hollow cathode ion source
US10573499B2 (en) 2015-12-18 2020-02-25 Agc Flat Glass North America, Inc. Method of extracting and accelerating ions
JP6800009B2 (ja) * 2015-12-28 2020-12-16 芝浦メカトロニクス株式会社 プラズマ処理装置
JP6753678B2 (ja) * 2016-03-25 2020-09-09 株式会社日立ハイテクサイエンス 荷電粒子ビーム装置及びプラズマ点火方法
US20170352574A1 (en) * 2016-06-02 2017-12-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus and method for treating wafer
US9865436B1 (en) * 2016-06-10 2018-01-09 Plasma-Therm Nes Llc Powered anode for ion source for DLC and reactive processes
US10573495B2 (en) * 2017-10-09 2020-02-25 Denton Vacuum, LLC Self-neutralized radio frequency plasma ion source
US11039527B2 (en) * 2019-01-28 2021-06-15 Mattson Technology, Inc. Air leak detection in plasma processing apparatus with separation grid
CN110039383A (zh) * 2019-05-17 2019-07-23 苏州至臻精密光学有限公司 一种射频离子源
JP7350643B2 (ja) * 2019-12-04 2023-09-26 Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 誘導結合プラズマエッチング装置およびプラズマ生成機構
US20210183627A1 (en) * 2019-12-11 2021-06-17 International Business Machines Corporation Apparatus For Reducing Wafer Contamination During ION-Beam Etching Processes
CN113707528B (zh) * 2020-05-22 2023-03-31 江苏鲁汶仪器股份有限公司 一种离子源挡片、离子刻蚀机及其使用方法
RU206587U1 (ru) * 2020-09-11 2021-09-16 Общество С Ограниченной Ответственностью "Изовак" Источник ионов для обработки деталей
CN112447486A (zh) * 2020-11-30 2021-03-05 江苏鲁汶仪器有限公司 一种双壁多结构石英筒装置
CN114724911A (zh) * 2021-01-04 2022-07-08 江苏鲁汶仪器有限公司 一种等离子密度可调的离子源装置
JP2024535295A (ja) * 2021-09-20 2024-09-30 ラム リサーチ コーポレーション Ｉｃｐ源におけるｒｆ電力の増加を軽減するための筐体
KR102654487B1 (ko) * 2021-12-29 2024-04-05 피에스케이 주식회사 플라즈마 발생 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
GB202203146D0 (en) * 2022-03-07 2022-04-20 Micromass Ltd Shield for ion source enclosure
CN116598179A (zh) * 2023-05-19 2023-08-15 中国科学院自动化研究所 离子源结构装置
GB2635545A (en) * 2023-11-16 2025-05-21 Nordiko Technical Services Ltd Apparatus
KR102874383B1 (ko) * 2023-11-30 2025-10-22 (주) 예스티 플라즈마를 발생시킬 수 있는 챔버를 추가로 구비한 정전기 제전 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4416755A (en) * 1981-04-03 1983-11-22 Xerox Corporation Apparatus and method for producing semiconducting films
US5763851A (en) * 1995-11-27 1998-06-09 Applied Materials, Inc. Slotted RF coil shield for plasma deposition system
US20040104683A1 (en) * 2002-05-22 2004-06-03 Ka-Ngo Leung Negative ion source with external RF antenna

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3911314A (en) * 1972-11-07 1975-10-07 Strahlen Umweltforsch Gmbh Ion gun for production of ion beams with particular radial current density profile
US5234529A (en) * 1991-10-10 1993-08-10 Johnson Wayne L Plasma generating apparatus employing capacitive shielding and process for using such apparatus
JPH1018043A (ja) * 1996-07-03 1998-01-20 Applied Materials Inc プラズマ蒸着システム用スロット付ｒｆコイル
US6514390B1 (en) * 1996-10-17 2003-02-04 Applied Materials, Inc. Method to eliminate coil sputtering in an ICP source
TW403959B (en) * 1996-11-27 2000-09-01 Hitachi Ltd Plasma treatment device
JPH1187098A (ja) * 1997-09-03 1999-03-30 Toshiba Corp プラズマ処理装置
JP4119547B2 (ja) 1997-10-20 2008-07-16 東京エレクトロンＡｔ株式会社 プラズマ処理装置
JP5031944B2 (ja) 1998-09-30 2012-09-26 オー・ツェー・エリコン・バルザース・アクチェンゲゼルシャフト 真空処理装置および表面処理方法
JP2000133497A (ja) * 1998-10-29 2000-05-12 Toshiba Corp 高周波放電型プラズマ発生装置
RU2151438C1 (ru) * 1999-09-23 2000-06-20 Бугров Глеб Эльмирович Плазменный источник ионов с ленточным пучком (варианты)
RU2171555C1 (ru) * 2000-03-06 2001-07-27 Берлин Евгений Владимирович Высокочастотный газоразрядный источник ионов высокой плотности с низкоимпедансной антенной
JP4469054B2 (ja) * 2000-03-10 2010-05-26 サムコ株式会社 誘導結合形プラズマ処理装置
IT1319046B1 (it) * 2000-10-18 2003-09-23 Ohg F Lli Manea S R L Sistema di pagamento per macchine distributrici automatiche
JP2002216653A (ja) * 2001-01-23 2002-08-02 Hitachi Ltd イオンビーム分布制御方法およびイオンビーム処理装置
JP3793451B2 (ja) * 2001-12-05 2006-07-05 積水化学工業株式会社 放電プラズマ処理装置
JP2003197115A (ja) * 2001-12-25 2003-07-11 Shincron:Kk イオン源装置
JP4050099B2 (ja) * 2002-06-11 2008-02-20 シャープ株式会社 絶縁部材並びに該絶縁部材を用いたプラズマｃｖｄ装置
JP2004079557A (ja) * 2002-08-09 2004-03-11 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
EP1589793B1 (en) * 2003-01-16 2014-06-04 Japan Science and Technology Agency Plasma generation device
JP4091445B2 (ja) 2003-01-21 2008-05-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP4095921B2 (ja) * 2003-04-01 2008-06-04 三菱重工業株式会社 電極接続具およびこれを備えた真空処理装置
US7232767B2 (en) * 2003-04-01 2007-06-19 Mattson Technology, Inc. Slotted electrostatic shield modification for improved etch and CVD process uniformity
JP4079834B2 (ja) * 2003-06-04 2008-04-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法
JP4069059B2 (ja) * 2003-10-31 2008-03-26 エヌ・ティ・ティ・インフラネット株式会社 コンクリート製電柱の補強方法およびコンクリート製電柱の補強構造

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4416755A (en) * 1981-04-03 1983-11-22 Xerox Corporation Apparatus and method for producing semiconducting films
US5763851A (en) * 1995-11-27 1998-06-09 Applied Materials, Inc. Slotted RF coil shield for plasma deposition system
US20040104683A1 (en) * 2002-05-22 2004-06-03 Ka-Ngo Leung Negative ion source with external RF antenna

Also Published As

Publication number Publication date
WO2007029777A1 (ja) 2007-03-15
JPWO2007029777A1 (ja) 2009-03-19
RU2008113834A (ru) 2009-10-20
RU2414766C2 (ru) 2011-03-20
DE112006002412T5 (de) 2008-07-17
TW200714742A (en) 2007-04-16
CN101223624B (zh) 2011-06-15
US8356575B2 (en) 2013-01-22
CN101223624A (zh) 2008-07-16
JP5072096B2 (ja) 2012-11-14
KR101247198B1 (ko) 2013-03-25
KR20080042041A (ko) 2008-05-14
US20090250340A1 (en) 2009-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI391518B (zh) 離子源及電漿處理裝置
KR100437956B1 (ko) 이온화된 물리적 증착 방법 및 장치
JP3775689B2 (ja) 材料をイオン化スパッタリングする方法と装置
JP3438696B2 (ja) プラズマ処理方法及び装置
KR100659828B1 (ko) 이온화 물리적 증착 방법 및 장치
US7854213B2 (en) Modulated gap segmented antenna for inductively-coupled plasma processing system
JP4945566B2 (ja) 容量結合型磁気中性線プラズマスパッタ装置
KR101887160B1 (ko) 반응 챔버와 반도체 제조 장치
WO2012033191A1 (ja) プラズマ処理装置
JP5701050B2 (ja) プラズマ処理装置
KR20090009369A (ko) 히터가 설치된 유도 결합 플라즈마 소스를 구비한 플라즈마반응기
JPH08255782A (ja) プラズマ表面処理装置
KR20080070125A (ko) 유도 결합 플라즈마 반응기
US20250292991A1 (en) Shielding for immersed plasma source
KR101281191B1 (ko) 유도 결합 플라즈마 반응기
KR101283645B1 (ko) 내장 무선 주파수 안테나를 구비한 유도 결합 플라즈마반응기
JP3884854B2 (ja) 反応性イオンエッチング装置
JP3752358B2 (ja) 反応性イオンエッチング装置
JP2000195843A (ja) プラズマ処理方法及び装置
JPH11241189A (ja) 誘導結合放電エッチング装置
JPH01298158A (ja) スパッタリング装置