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TWI389317B - 薄膜電晶體陣列面板 - Google Patents

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TWI389317B
TWI389317B TW095122347A TW95122347A TWI389317B TW I389317 B TWI389317 B TW I389317B TW 095122347 A TW095122347 A TW 095122347A TW 95122347 A TW95122347 A TW 95122347A TW I389317 B TWI389317 B TW I389317B
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lines
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Yoon-Sung Um
Jae-Jin Lyu
Hak-Sun Chang
Seung-Hoo Yoo
Hyun-Wuk Kim
Hee-Wook Do
Yeon-Ju Kim
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
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Publication date
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Publication of TW200707752A publication Critical patent/TW200707752A/zh
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Description

薄膜電晶體陣列面板 相關申請案對照
本發明主張於2005年8月9日向韓國智慧財產局提出申請之韓國專利申請案第10－2005－0072749號案的優先權，該韓國專利申請案的揭露是被併合於此中作為參考。
發明領域
本發明有關於一種薄膜電晶體陣列面板。
發明背景
液晶顯示器(LCD)是為其中一種廣泛使用的平坦面板顯示器。一個LCD包括兩個面板及一個置於該兩個面板之間的液晶(LC)層。該等面板包含如同像素電極般的場產生電極與一個共用電極。如此的LCD提供數個以矩陣形式排列的像素電極於一個面板和一個覆蓋另一個面板之整個表面的共用電極。藉由施加電壓到該等場產生電極俾在該LC層中產生電場，該LCD顯示影像。該電場影響在該LC層中之LC分子的方位，藉此調整入射光線的偏振。
在垂直配向(VA)模式LCD中，該等LC分子的長軸在沒有電場時是與該等面板垂直。這類型的顯示器具有高對比率。
PVA(圖案化垂直配向)模式LCD，其是為具有切除部加到場產生電極的變化型VA模式LCD、IPS(平面內切)模式LCD、與PLS(平面至線切(plane to line switching))模式LCD業已被研究發展俾得到較寬廣的視角。
然而，PLS模式與IPS模式LCD遭遇關閉－像素缺陷(off－pixel defect)。由於共用電極與像素電極是形成在相同的基板上，它們經常彼此短路，致使像素錯誤地顯示黑色。
 發明概要
根據本發明的範例實施例，一種薄膜電晶體陣列面板是被提供，該薄膜電晶體陣列面板包括一個基板、數條形成於該基板上的閘極線、數個形成於該基板上且是由透明材料製成的共用電極、數條與該等閘極線相交的資料線、數個連接到該等資料線與該等閘極線的薄膜電晶體、及數個連接到該等薄膜電晶體且與該等共用電極重疊的像素電極，其中，該等像素電極至少包括彼此分開的第一和第二副－像素電極。
在本發明的範例實施例中，該等薄膜電晶體包括分別連接到第一和第二像素電極的第一和第二汲極電極。該第一和第二副－像素電極包括數個平行配置的分支電極。
該等共用電極可以具有一個在該等分支電極之間的連續表面。該第一與第二副－像素電極的分支電極可以設置在不同的區域。該第一與第二副－像素電極可以設置在該等閘極線的兩側。該第一與第二副－像素電極的分支電極可以彼此交替地排列。該第一與第二副－像素電極的分支電極相對於該等閘極線或者該等資料線來說可以是弧形的，而且它們與該等與閘極線平行之共用電極的中心線反對稱。
該薄膜電晶體陣列面板更包括數條連接該等共用電極的共用電極線。
圖式簡單說明
本發明將會藉由配合該等附圖詳細地描述本發明之範例實施例而變得更清楚明白，在該等圖式中：第1圖是為本發明之範例實施例之LCD的方塊圖；第2圖是為本發明之範例實施例之LCD之像素的電路圖；第3圖是為本發明之範例實施例之LCD之TFT陣列面板的佈局圖；第4、5、和6圖分別是為在第3圖中所示之TFT陣列面板之沿著線IV－IV、V－V、與VI－VI的剖視圖；第7圖是為本發明之另一個範例實施例之液晶顯示器(LCD)之TFT陣列面板之電極的佈局圖；第8圖是為沿著第7圖中之線VIII－VIII的橫截面圖，其顯示上和下面板以及在該兩個面板之間之電力的線；第9圖是為描繪在本發明之另一個範例實施例中之液晶分子之扭轉角之電極的佈局圖；第10圖是為一個描繪本發明之另一個範例實施例之液晶分子之扭轉角之相對水平位置之變化的圖表；第11圖是為一個描繪本發明之另一個範例實施例之液晶分子之扭轉角之相對高度之變化的圖表；第12圖描繪本發明之範例實施例之液晶分子之傾斜角的變化；第13圖是為一個描繪本發明之範例實施例之液晶分子之傾斜角之相對高度之變化的圖表；第14圖是為一個描繪本發明之範例實施例之液晶分子之傾斜角相對於水平位置之變化的圖表；第15至18圖是為本發明之另一個範例實施例之LCD之TFT陣列面板的佈局圖；及第19至22圖是為本發明之另一個範例實施例之LCD之TFT陣列面板的佈局圖。
 較佳實施例之詳細說明
於此後，本發明的範例實施例將會配合該等附圖來詳細地作描述。在該等圖式中，層、薄膜、及區域的厚度為了清晰而被誇大。在該等圖式中，相同的標號標示相同的元件。
當一個像層、薄膜、區域、或者基板般的元件被指為”在”另一個元件”上”時，它可能是直接在另一個元件上或者中介元件亦會呈現。相對地，當一個元件被指為”直接在”另一個元件”上”時，無中介元件呈現。
本發明之範例實施例之包括薄膜電晶體陣列面板的液晶顯示器將會配合第1和2圖來詳細地作描述。
第1圖是為本發明之範例實施例之LCD的方塊圖，而第2圖是為本發明之範例實施例之LCD之像素的電路圖。
請參閱第1圖所示，範例實施例的LCD包括一個液晶(LC)面板裝置300、與該面板裝置300連接的一個閘極驅動器400與一個資料驅動器500、一個與該資料驅動器500連接的灰階電壓產生器800、及一個用於控制以上之元件的訊號控制器600。
該面板裝置300包括數條訊號線G1 －Gn 和D1 －Dm ，及數個連接到該等訊號線G1 －Gn 和D1 －Dm 且以矩陣形式排列的像素。在第2圖中所示的結構圖中，該面板裝置300包括彼此面對的下和上面板100和200，及一個置於該等面板100和200之間的LC層3。
該等訊號線包括數條用於傳輸閘極訊號(於此後亦被稱為”掃描訊號”)的閘極線G1 －Gn 和數條用於傳輸資料訊號的資料線D1 －Dm 。該等閘極線G1 －Gn 實質上在列方向上延伸而且實質上是彼此平行，而該等資料線D1 －Dm 實質上在行方向上延伸而且實質上是彼此平行。
請參閱第2圖所示，每個像素，例如一個連接到第i條閘極線Gi (i＝1,2,...,n)與第j條資料線Dj (j＝1,2,...,m)的像素，包括一個連接到該等訊號線Gi 和Dj 的切換元件Q，及連接到該切換元件Q的一個LC電容器CL C 與一個儲存電容器CS T 。該儲存電容器可以被省略。
該切換元件Q是設置在該下面板100上而且具有三個電極，即，一個連接到該閘極線Gi 的控制電極、一個連接到該資料線Dj 的輸入電極、及一個連接到該LC電容器CL C 與該儲存電容器CS T 的輸出電極。
該LC電容器CL C 包括一個像素電極191和一個共用電極131，它們是設置在該下面板100上作為兩個電極。該LC層3是設置在該兩個電極191與131之間，而且作用如該LC電容器CL C 的介電質。該像素電極191是連接到該切換元件Q。該共用電極131是完全形成在該下面板100上而且是被供應有一個共用電壓Vcom。
該儲存電容器CS T 是為該LC電容器CL C 的輔助電容器。該儲存電容器CS T 包括該像素電極191和該共用電極131，該共用電極131是設置在該下面板100上且經由一個絕緣體來與該像素電極191重疊。
該像素電極191包括一個第一像素電極1911和一個第二像素電極1912，它們是彼此分開。該儲存電容器CS T 與該LC電容器CL C 分別包括並聯連接的第一和第二儲存電器CS T 1 和CS T 2 與並聯連接的第一和第二LC電容器CL C 1 和CL C 2 。
就彩色顯示而言，每個像素唯一地表示一個原色(即，空間劃分(spatial division))或者每個像素連續地輪流表示所有的原色(即，時間劃分(temporal division))以致於該等原色的空間或者時間總和是被確認為想要的顏色。一組原色的例子包括紅色、綠色、和藍色。第2圖描繪空間劃分的例子，在其中，每個像素包括一個表示該等原色中之一者的彩色濾光片230在面向該像素電極191之上面板200的一個區域內。或者，該彩色濾光片230是設置於在該下面板100上的像素電極191上面或者下面。
一個或者多個偏光板(圖中未示)是連接到該面板裝置300。
請再次參閱第1圖所示，該灰階電壓產生器800產生兩組數個與像素之透射率相關的參考灰階電壓。在一組中的該等參考灰階電壓相對於該共用電壓Vcom具有正極性，而在另一組中的參考灰階電壓相對於該共用電壓Vcom具有負極性。
該閘極驅動器400是連接到該面板裝置300的閘極線G1 －Gn ，並且合成一個閘極－開啟電壓Von與一個閘極－關閉電壓Voff俾可產生施加到閘極線G1 －Gn 的閘極訊號。
該資料驅動器500是連接到該面板裝置300的資料線D1 －Dm 並且把從該等由灰階電壓產生器800所供應之灰階電壓中選擇出來的資料訊號施加到該等資料線D1 －Dm 。然而，當該灰階電壓產生器800僅產生與所有該等灰階電壓相對之參考灰階電壓中的某些時，該資料驅動器500會分割該等參考灰階電壓俾可產生所有該等灰階電壓並且在該等灰階電壓當中選擇該等資料訊號。
該訊號控制器600控制該閘極驅動器400、該資料驅動器500等等。
該等驅動裝置400,500,600,和800中之每一者可以包括安裝在該LC面板裝置300上或者安裝在捲帶承載封裝(TCP)式撓性印刷電路(FPC)薄膜上的至少一個積體電路(IC)晶片，它們是連接到該面板裝置300。該等驅動裝置400,500,600,和800中之至少一者可以與該等訊號線G1 －Gn 和D1 －Dm 和該切換元件Q一起被整合至該面板裝置300。或者，所有該等驅動裝置400,500,600,和800可以被整合至一個單一IC晶片。
該訊號控制器600被供應有影像訊號R,G,和B，及來自外部圖像控制器(圖中未示)之用於控制其之顯示的輸入控制訊號，像垂直同步訊號Vsync、水平同步訊號Hsync、主時鐘訊號MCLK、與資料致能訊號DE般。
在根據該等輸入控制訊號來產生閘極控制訊號CONT1與資料控制訊號CONT2且處理該等影像訊號R,G,和B俾確保它們適於面板裝置300的運作之後，該訊號控制器600供應該等閘極控制訊號CONT1到該閘極驅動器400，及供應該變化影像資料DAT與該等資料控制訊號CONT2到該資料驅動器500。
該等閘極控制訊號CONT1包括一個用於指示掃描開始的掃描開始訊號STV，及至少一個用於控制該閘極－開啟電壓Von之輸出時間的時鐘訊號。該等閘極控制訊號CONT1更可以包括一個用於界定該閘極－開啟電壓Von之持續時間的輸出致能訊號OE。
該等資料控制訊號CONT2包括一個用於通知一組像素之影像資料DAT之資料傳輸之開始的水平同步開始訊號STH、一個用於指示資料電壓到該等資料線D1 －Dm 之施加的負載訊號LOAD、及一個資料時鐘訊號HCLK。該等資料控制訊號CONT2更可以包括一個用於把該等資料電壓之極性顛倒(相對於該共用電壓Vcom)的反相訊號RVS。
該資料驅動器500從該訊號控制器600接收一個像素列的影像資料DATA封包，並且把該封包轉換成類比資料電壓。該等資料電壓是響應於來自該訊號控制器600的資料控制訊號CONT2來從由灰階電壓產生器800所供應的灰階電壓中選擇出來。
響應於來自該訊號控制器600的閘極控制訊號CONT1，該閘極驅動器400把該閘極－開啟電壓Von施加到該閘極線G1 －Gn 。因為該等閘極線G1 －Gn 中之每一者是連接到對應之像素列的切換元件Q，它們把連接到它們那裡的切換元件打開。據此，施加到該等資料線D1 －Dm 的資料電壓是經由該切換元件Q來供應到一個列的像素。
在該資料電壓與該共用電壓Vcom之間的差異是被表示如一個跨過該LC電容器CL C 的電壓，它是被稱為像素電壓。在該LC電容器CL C 中的LC分子具有端視像素電壓之大小而定的方位，而且分子方位決定通過該LC層3之光線的偏振化。該(等)偏光器把光線偏振轉換成光線透射以致於該像素具有一個由影像訊號DAT之灰階所表示的亮度。
該像素電極191是經由該切換元件Q來連接到該閘極線121與該資料線171。該像素電極191是分類成第一與第二像素電極1911與1912。即使該等第一和第二像素電極1911和1912中之一者是與該共用電極131短路，其他的是未與該共用電極131短路且經由該切換元件Q接收該資料電壓。據此，引致像素顯示黑色的關閉－像素缺陷會被防止。
藉由重覆這步驟一個單位的水平周期(亦被稱為”1H”而且是相等於該水平同步訊號Hsync、該資料致能訊號DE、與該閘極時鐘CPV的一個周期)，所有的閘極線G1 －Gn 是連續地被供應有該閘極－開啟電壓Von，藉此把該等資料訊號施加到所有的像素俾可顯示一個圖框的影像。
當下一個圖框在先前之圖框完成之後開始時，施加到該資料驅動器500的反相控制訊號RVS是被控制以致於該等資料訊號的極性被顛倒(其是被稱為”圖框反轉”)。該反相控制訊號RVS亦可以被控制以致於在一條資料線中流動之資料訊號的極性在一個圖框期間是被周期性地顛倒(例如，垂直反轉與點反轉)，或者在一個封包中之資料訊號的極性是被顛倒(例如，水平反轉與點反轉)。
本發明之實施例的LCD面板裝置將會配合第3至6圖詳細地作描述。
第3圖是為本發明之範例實施例之LCD之TFT陣列面板的佈局圖，而第4、5、和6圖分別是為在第3圖中所示之TFT陣列面板之沿著線IV－IV、V－V、和VI－VI的剖視圖。
數條閘極線121、數條共用電極線125、和數個共用電極131是形成於一個絕緣基板110上，該絕緣基板110是由像透明玻璃般的材料製成。
該等閘極線121實質上在橫向方向上延伸、彼此分開、且傳輸閘極訊號。每條閘極線121包括數個形成數個閘極電極124的凸體，及一個具有一個與另一層或者外部驅動電路接觸用之大區域的末端部份129。一個用於產生閘極訊號的閘極驅動電路(圖中未示)可以被安裝於一個撓性印刷電路(FPC)薄膜(圖中未示)上，其可以是連接到該基板110，直接安裝在該基板110上，或者與該基板110整合在一起。該等閘極線121可以延伸來連接到一個可以與該基板110整合在一起的驅動電路。
每條共用電極線125實質上在橫向方向上延伸而且是被供應有一個共用電壓。該共用電極線125是設置於一個在兩條相鄰之閘極線121之間的中央部份，而且是由與該等閘極線121相同的層製成。該等共用電極線包括至少一個阻止光線洩漏的擴大物。
該等共用電極131是連接到該共用電極線125且接收該共用電壓。該等共用電極131具有一個四角形形狀且是以矩陣排列形式設置在該等閘極線121之間。該等共用電極131可以包括一個像ITO(氧化銦錫)或者IZO(氧化銦鋅)般的透明材料。該等共用電極線125可以由與共用電極131相同的層製成。
該等閘極線121與該等共用電極線125可以由金屬或者由Al、Ag、Cu、Mo、Cr、Ti、或Ta形成的金屬合金製成。該等閘極線121可以具有包括兩個具有不同物理特性之層的多層結構。該兩個層中之一者可以由像Al、Ag、或者Cu般之低電阻金屬或者金屬合金製成俾可減少在閘極線121中的訊號延遲或者電壓降。另一個層可以由包含金屬或者由Mo、Cr、Ta、或Ti形成之金屬合金的材料製成，其具有與像氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)般之其他材料稱許的物理、化學、與電氣接觸特性。例子包括一個下Cr層與一個上Al－Nd合金層，和一個下Al層與一個上Mo層。然而，該等閘極線121可以由各式各樣其他的金屬或者導電材料製成。
此外，該等閘極線121和該等共用電極線125的側面相對於基板的表面是傾斜一個角度，而其之傾斜角範圍在30與80度之間。
一個最好是由氮化矽(SiNx)製成的閘極絕緣層140是形成在該等閘極線121、該等共用電極線125、與該等共用電極131上。該閘極絕緣層140防止該等閘極線121與該等共用電極131彼此短路，或者與稍後施加的其他層短路。
在本發明的範例實施例中，數個由非晶質矽氫(縮寫成”a－Si”)或者多晶矽製成的半導體154是形成在該閘極絕緣層140上。該數個半導體154中之每一者是設置於該等閘極電極124上而且可以具有數個朝閘極線121延伸的延伸物。
最好是由矽化物或者重度摻雜有像磷般之N－型雜質之n＋非晶質矽氫製成的數個歐姆接觸島163和165是形成在該等半導體154上。該等歐姆接觸島163和165是成對地位於該等半導體154上。
該等半導體154與該等歐姆接觸島163和165的側面相對於該基板的表面是傾斜一個角度，而其之傾斜角是在大約30與80度之間的範圍內。
數條資料線171和數個與該等資料線171分開的汲極電極175是形成在該等歐姆接觸島163和165與該閘極絕緣層140上。
用於傳輸資料電壓的該等資料線171實質上在縱向方向上延伸並且與該等閘極線121直角相交。該等資料線171亦與該等共用電極線125相交以致於每條資料線171是設置在該等共用電極131之間。每條資料線171包括一個具有一個與另一層或者外部裝置接觸之大區域的末端部份179。每條資料線171包括數個朝汲極電極175凸伸的源極電極173。一個用於產生資料訊號的資料驅動電路(圖中未示)可以被安裝在一個FPC薄膜(圖中未示)上，其可以是連接到該基板110，直接安裝在該基板110上，或者與該基板110整合在一起。該等資料線171可以延伸來連接到一個可以與該基板110整合在一起的驅動電路。
該等汲極電極175是與該等資料線171分開而且是相對於該等閘極電極124與該等源極電極相對設置。每個汲極電極175包括彼此分開的第一和第二汲極電極175a和175b。
一個閘極電極124、一個源極電極173、和一個汲極電極175與一個半導體154一起形成一個TFT，該TFT具有一個形成於該等半導體154中設置在該源極電極173與該汲極電極175之間的通道。
該等資料線171和該等汲極電極175可以由像Cr、Mo、Ti、Ta、或其之合金般的耐火金屬製成。然而，該等資料線171與該等汲極電極亦可以具有一個包括一個低電阻層(圖中未示)與一個接觸層(圖中未示)的多層結構。一個例子是為一個下Mo(Mo合金)層、一個中間Al(Al合金)層、與一個上Mo(Mo合金)層。然而，該等資料線171與該等汲極電極175可以由各式各樣其他的金屬或者導電材料製成。
該等歐姆接觸島163和165是置於該等底層半導體154與在它上面的資料線171和汲極電極175之間，而且降低在它們之間的接觸電阻。該等半導體154的延伸物是用來使表面的輪廓平滑，藉此防止該等資料線171的斷接。該等半導體154包括一些未由資料線171與汲極電極175覆蓋的曝露部份，該等部份是位在該等源極電極173與該等汲極電極175之間。
該等資料線171和該等汲極電極175具有錐形側面，而其之傾斜角範圍在大約30與80度之間。
一個鈍化層180是形成在該等資料線171、該等汲極電極175、與該等半導體154的曝露部份上。該鈍化層180可以由包含氮化矽或者氧化矽的無機絕緣體、具有稱許之平坦特性的光感性有機材料、或者具有低於4.0之介電常數之像由電漿加強化學蒸氣沉積(PECVD)所形成之a-Si：C：O與a-Si：O：F般的低介電絕緣材料製成。該鈍化層180可以包括由無機絕緣體形成的下薄膜和由有機絕緣體形成的上薄膜以致於在防止半導體154的曝露部份受到有機絕緣體損害時具有有機絕緣體的絕緣特性。
該鈍化層180具有數個分別曝露該等資料線171之末端部份179與該等第一和第二汲極電極175a和175b的接觸孔182和185。該鈍化層180與該閘極絕緣層140具有數個曝露該等閘極線121之末端部份129的接觸孔181。
最好是由像ITO或IZO般之透明導體製成的數個像素電極191、數個接觸輔助器81和82、與數個高架道(overpass)是形成在該鈍化層180上。
該等像素電極191實質上在縱向方向上延伸且與該等共用電極131重疊。該等像素電極191包括一個第一副－像素電極191a和一個第二副－像素電極191b，它們是彼此分開的。
該第一副－像素電極191a與該第二副－像素電極191b分別是置於由該等閘極線121和該等資料線171所包圍之區域的左和右側。
該第一副－像素電極191a包括數個彼此平行且在中央部份彎弧一個預定角度的上和下分支電極191a1和191a2，及數個分別連接到上和下分支電極191a1和191a2的上和下連接部192a1和192a2。該等像素電極191之上和下分支電極191a1和191a2中之每一者實質上與該等與閘極線121平行之共用電極131的中央線反對稱，而該等上和下連接部192a1和192a2是與該等相鄰的閘極線121靠近地設置。此外，該第一副－像素電極191a包括數個與上和下分支電極191a1和191a2平行且連接到上和下分支電極191a1和191a2之右邊外部的右分支電極191a3和191a4。該等右分支電極191a3和191a4是比上和下分支電極191a1和191a2短且是經由一個與該等共用電極線125重疊的連接部來連接到上和下分支電極191a1和191a2。
該第二副－像素電極191b包括數個彼此平行且在中央部份彎弧一個預定角度的上和下分支電極191b1和191b2，及數個分別連接到上和下分支電極191b1和191b2的上和下連接部192b1和192b2。該等第二副－像素電極191b之上和下分支電極191b1和191b2中之每一者實質上與該等與閘極線121平行之共用電極131的中央線反對稱，而該等上和下連接部192b1和192b2是與該等相鄰的閘極線121靠近地設置。此外，該等第二副－像素電極191b包括數個與上和下分支電極191b1和191b2平行且連接到上和下分支電極191b1和191b2之左邊外部的左分支電極191b3和191b4。該等左分支電極191b3和191b4是比上和下分支電極191b1和191b2短且是經由該等上和下連接部192b1和192b2來連接到上和下分支電極191b1和191b2。
該等像素電極191的分支電極191a1,191a2,191b1,和191b2在與閘極線121平行的中央部份是相對於資料線171彎曲一個預定角度ΦS。該等上分支電極191a2和191b2中之每一者大致從像素電極191的下左部份傾斜地延伸到大約像素電極191的上右部份，而下分支電極191a1與191b1中之每一者大致從像素電極191的上左部份傾斜地延伸到大約像素電極191的下右部份。
垂直方向是由”R”表示而上分支電極191a2和191b2的延伸方向是由”S”表示。
該等第一和第二副－像素電極191a和191b是經由該等接觸孔185a和185b來分別物理地和電氣地連接到該等第一和第二汲極電極175a和175b以致於該等第一和第二像素電極191a和191b接收來自該等第一和第二汲極電極175a和175b的資料電壓。
因為該等像素電極191被次分成分別接收來自汲極電極175a和175b之資料電壓的第一和第二副－像素電極191a和191b，即使該等第一和第二副－像素電極191a和191b是連接到該切換元件Q，該等第一和第二副－像素電極191a和191b是彼此電氣脫離。據此，兩個區域A和A’，該等第一和第二副－像素電極191a和191b是分別設置在它們中，接收相同的資料電壓，但卻是被獨立地驅動。因此，即使該等第一和第二副－像素電極191a和191b中之一者與共用電極131短路，另一著不會與共用電極131短路並且經由切換元件Q來接收該資料電壓。據此，該像素，短路在該像素中產生，顯示影像且引致黑色像素的關閉－像素缺陷會被防止。
該等像素電極191是被供應有資料電壓俾可與該等共用電極131合作來產生電場。該等共用電極131決定在該液晶層中之液晶分子的方位俾可調整入射光線的偏振化。
一個像素電極191與該共用電極131形成一個液晶電容器CL C ，它在TFT的關閉之後儲存施加電壓。一個與該液晶電容器並聯連接之被稱為”儲存電容器”CS T 的額外電容器是被設置俾可增大電壓儲存量。該等儲存電容器CS T 是藉著經由閘極絕緣層140與鈍化層180來把像素電極191與共用電極重疊來被實現。
該等接觸輔助器81和82是分別經由接觸孔181和182來連接到閘極線121的末端部份129和資料線171的末端部份179。該等接觸輔助器81和82保護該等末端部份129和179而且有助於末端部份129和179與外部裝置的連接。
第7圖是為本發明之範例實施例之LCD之電極的佈局圖，而第8圖是為沿著第7圖中之線VIII－VIII的橫截面圖，其描繪上和下面板以及在該等面板之間的電力線。
由透明導電材料製成的共用電極131是形成在由像玻璃或者石英般之透明絕緣材料製成之下基板110的內表面上。該共用電極131是由一個閘極絕緣層140與一個鈍化層180，及數個窄線形(像素)電極191(分支電極)覆蓋。該等像素電極191是彼此平行、在垂直方向上延伸、且是形成在該鈍化層180上。該等像素電極191可以是透明或者不透明。該等像素電極191的寬度是與在兩條相鄰之像素電極191之相鄰之邊界線之間的距離相同或者比較小。由聚醯亞胺製成的配向層11是塗佈在該整個表面之上。該配向層11可以被磨擦或者不被磨擦，而且可以是均質的。一個偏光板或者一個檢偏鏡12是連接到該下基板110的外表面。
一個彩色濾光片230是形成於上基板210的內表面上，該上基板210是與該下基板110相對而且亦是由透明絕緣材料製成，一個配向層12是由聚醯亞胺塗層形成。該配向層12可以是均質的。一個偏光板或者檢偏鏡22是連接到該上基板210的外表面。
一個具有正光學異向性的液晶層3是置於該等在基板110和210上的配向層11與21之間。據此，在無具有角度ΦS之電場下根據該配向薄膜11之摩擦方向(請參閱第3圖所示)，該液晶層3的液晶分子是幾乎與像素電極191的方向平行地排列。當施加電場時，根據該電場來調整入射光線的偏振化，該液晶層3的液晶分子是幾乎與像素電極191的方向垂直地排列。
該液晶顯示器的光源可以是位在下基板110下面的背光單元(圖中未示)或者是會經由上基板210進入該LCD的外部自然光。在使用自然光之反射型LCD的情況中，一個連接到下基板110的偏光板12是不必要的，而像素電極191和共用電極131會由像鋁般之具有高反射係數的不透明材料製成。此外，下基板110可以是不透明的。
當電壓施加到該等電極191和131時，在第8圖中所示的電場是由於在電極191與270之間的電位差而產生。在第8圖中，虛線表示電力線。
如在第8圖中所示，電場的形狀是相對於一個在像素電極191上之窄區域NR的垂直中央線C(對應於一個平面的線C)和在像素電極191之間之寬區域WR的垂直中央線B(對應於一個平面的線B)對稱。電場線具有半橢圓形或者拋物線形狀(於此後，為了簡明起見，電力線的形狀是被歸類為拋物線)而且是被產生在一個在該窄區域NR之中央線C與該寬區域WR之中央線B之間的區域中。電力線的頂點是在一條在窄區域NR與寬區域WR之間的邊界線A(對應於一個表面的線A)。
與在窄區域NR與寬區域WR之間之邊界線A上之電力線正切的線是實質上與該基板110平行，而且在窄區域NR與寬區域WR之中點的那些是實質上與基板110和210垂直。此外，拋物線的中央和拋物線的垂直頂點是位於在窄區域NR與寬區域WR之間的邊界線A上，而兩個水平頂點是分別位在該寬區域WR與該窄區域NR中。由於位在窄區域NR中的水平頂點是比位於寬區域WR中的水平頂點更接近該拋物線的中央，該等拋物線是相對於邊界線A不對稱。此外，電力線的密度根據位置來變化，而因此場強度亦與電力線的密度成比例變化。據此，場強度於第22圖之在窄區域NR與寬區域WR之間的邊界線A－A上是最大的。該場強度朝該廣與窄區域BR和NR的中央線C－C和B－B及朝該上基板210降低。
該兩個配向薄膜11和21是被摩擦及曝露於紫外線，而且液晶分子是在一個水平方向排成一列。該等液晶分子相對於該等基板110和210可以具有某預傾角，但卻是實質上與該等基板110和210平行。當在一個與基板110和210平行的平面觀看時，液晶分子是被排列俾相對於與像素電極191平行和垂直的方向具有預定的角度。該等偏光板12和21的偏振方向是彼此垂直，而且該偏光板12的偏振方向幾乎與該摩擦方向一致。插入在該兩個配向薄膜11和21之間的液晶材料是為具有正介電異向性的向列型液晶材料。
當施加到像素電極191的電壓是比施加到共用電極131的電壓高時，液晶分子310是重新排列以致於因電場而起的力是彼此平衡。力是端視電場的方向與強度及因配向處理而起的彈性回復力而定。
請參閱第3至4圖所示，與該等基板垂直的方向是為z方向，與該等基板和像素電極191之方向垂直的方向是為x方向，而與像素電極191之方向平行的方向是為y方向。在第3圖中從左到右的方向是為正x方向，在第3圖中沿著像素電極191向上的方向是為正y方向，而在第4圖中從下基板110到上基板210的方向是為正z方向。
由該由液晶分子310之垂直軸之凸體所製成之角與在該與基板110平行之x－y平面上之初始排列方向或者x－軸所界定之扭轉角的變化是配合第9至11圖來作描述。
第9圖是為描繪在本發明之範例實施例中之液晶分子之扭轉角之電極的佈局圖。第10圖是為一個描繪本發明之範例實施例之液晶分子之扭轉角之相對於水平位置之變化的圖表。第11圖是為一個描繪本發明之範例實施例之液晶分子之扭轉角之相對於高度之變化的圖表。
如在第9圖中所示，該摩擦方向是由表示，電場的x－y平面分量是由表示，而偏光板12之光學軸或者偏振方向是由表示。由該摩擦方向與該x－軸所形成的角是由ΦR表示，而由液晶分子之垂直軸與x－軸所形成的角是由ΦLC表示。由偏光板12之光學軸與x－軸所形成的角ΦP由於偏光板12的光學軸是與摩擦方向R平行而是相等於由ΦR。
該電場的x－y平面分量在正x方向是從邊界線A到寬區域WR的中央線B，而在負x方向是從該寬區域WR的中央線B到下一條邊界線D。
電場分量的強度在邊界線A與D上是最大，而朝中央線B－B則變得越來越小，在中央線B－B處，電場分量的強度是為零。
由摩擦處理所產生之彈性回復力的大小在該x－y平面上不管位置是實質上固定。
如在第10圖中所示，在邊界線A和D上之分子軸或者液晶分子的垂直軸是實質上與電場分量Ex y 平行，並且相對於摩擦方向形成一個大角度，因為該等液晶分子會被配置來平衡該兩個力量。然而，越接近區域NR和WR的中央線C和B，分子軸與摩擦方向R形成的角|ΦR－ΦLC|是越小。在中央線B和C上的分子軸是處於該摩擦方向。由偏光板12之光學軸與分子軸所形成的角具有與以上相同的分佈區域，因為該偏光板12的光學軸是與該摩擦方向平行，而且這個角與入射光線的透射率關係密切。
電場的不同形狀可以藉由改變該窄區域NR與該寬區域WR之寬度的比率來被產生。雖然當像素電極191是不透明時在像素電極191上的窄區域NR無法被用作顯示區域，當像素電極191是透明時其可以被用作顯示區域。
電場的x－y平面分量沿著z－軸從下配向薄膜11到上配向薄膜21變得越來越小。由該配向處理所產生的彈性回復力在配向薄膜11和21的表面上是最大的，而接近在配向薄膜11與21之間之液晶層的中央是被減小。
第11圖描繪沿著z－軸從下配向薄膜11到上配向薄膜21之由分子軸與x－軸所形成的扭轉角。在第11圖中，水平軸表示從下配向薄膜11起的高度，而垂直軸表示該扭轉角，其中，d是為在該兩個配向薄膜11與21之間的細胞間隙。
如在第11圖中所示，在該等配向薄膜11和21之表面上的扭轉角是大的，因為該等配向薄膜11和21的配向力量是巨大。接近該液晶層的中央該扭轉角變得細小，而在液晶層之中央的分子軸是實質上處於電場分量的方向。在配向薄膜11和21上的分子軸是被配置在摩擦方向。
在該等相鄰之液晶分子之間之扭轉角的差異在習知技術中是眾所周知為扭轉。該扭轉對應於在第24圖中之曲線的斜率。接近配向薄膜11和21的表面該扭轉是大的，而接近液晶層的中央則減小。
第12和14圖描繪由分子軸與在一個與基板垂直之平面，例如，z－x平面，上之初始排列方向或者x－軸所形成之傾斜角的變化。
第12圖描繪本發明之範例實施例之液晶分子的傾斜角。第13圖是為一個描繪本發明之範例實施例之液晶分子之傾斜角之相對於高度之變化的圖表。第14圖是為一個描繪本發明之範例實施例之液晶分子之傾斜角之相對於水平位置之變化的圖表。
為了簡化說明目的，第12圖僅描繪基板110和210。在第12圖中，表示在第9圖中之摩擦方向之R的z－x平面分量是由表示而電場的z－x平面分量是由表示。由場分量與x－軸所形成的角是由θE表示而由分子軸與x－軸所形成的傾斜角是由θLC表示。是處於x方向，因為向量存在於x－y平面上，假定預先傾斜角被忽略。
該角θE與該場分量的大小隨著從下基板110移向上基板210而變得更小。
猶配向處理所引起的彈性回復力在該兩個基板110和210的表面上是比較大，而接近液晶層的中央變得較小。
該等液晶分子會被配置來平衡該兩個力量。如在第13圖中所示，在基板110和210之表面上的分子軸是實質上被配置與x－軸平行，因為配向力在那裡是最強的。由於因電場而起的力量與來自基板110和210的配向力量比較起來變得相當強，該傾斜角θLC的大小持續地增加。該曲線的頂點是形成在一個接近下基板110的點。
場分量與x－軸所形成的角在邊界線A和D上幾乎是零，且接近中央線B－B變得較大。該場分量的大小在邊界線A和D上是最大的，而接近中央線B－B是被減小。
由於配向處理而起之彈性回復力的大小在x－軸上不管位置是固定的。
據此，如在第14圖中所示，液晶分子的傾斜角在邊界線A與D上幾乎是零，而接近中央線C和B是減小。因此，液晶分子的傾斜角具有一個與由場分量與x－軸所形成之角θE相似的分佈區域，雖然該傾斜角比該角θE更平穩地改變。
當電壓施加到該兩個電極191和131時，液晶分子被重新配置，產生扭轉角和傾斜角。入射光線的透射率因扭轉角與傾斜角的變化而改變。在邊界線A與D上，沿著z－軸在傾斜角上是有些許變化，但扭轉角變化很大。在中央線B與C上，沿著z－軸在扭轉角上是有些許變化，而在傾斜角上亦是有些許變化。據此，扭轉角和傾斜角於在邊界線A和D與中央線B和C之間的區域中改變。結果，作為位置之涵數的透射率曲線具有與電力線相似的形狀。
如在第3圖中所示，分別對應於第一與第二副－像素電極191a和191b之上和下分支電極191a1,191b1,191a2,和191b2的液晶分子310是與一個相對於第一和第二副－像素電極191a和191b之上和下分支電極191a1,191b1,191a2,和191b2的初始扭轉角ΦS排成一行。
該初始扭轉角ΦS是由在該等分支電極191a之上或下分支電極之垂直方向S與摩擦方向R之間的角所界定。該初始扭轉角ΦS是在大約0－10度的範圍內。
對應於第一和第二副－像素電極191a和191b之上分支電極191a2和191b2的液晶分子310是在一個電壓的施加之後在反時針方向旋轉該初始扭轉角ΦS。對應於第一和第二副－像素電極191a和191b之下分支電極191a1和191b1的液晶分子310是在該電壓的施加之後在順時針方向旋轉該初始扭轉角ΦS。據此，由於具有不同旋轉方向之液晶分子的兩個域被完成，橫向視程與視角被改進。
該液晶層3可以具有負光學異向性。由於該等液晶分子相對於形成在像素電極191與共用電極131之間的電場方向來垂直地重新配向，該等液晶分子是相對於像素電極191之上和下分支電極191a1,191b1,191a2,和191b2的垂直方向垂直地扭轉。該等液晶分子具有決定該等液晶分子之扭轉方向的初始扭轉角ΦS。
第15至18圖是為本發明之範例實施例之LCD之TFT陣列面板的佈局圖。
數條包括閘極電極124與末端部份129的閘極線121、數個共用電極131、和數條用於連接該等共用電極131的共用電極線125是形成在一個基板110上，而一個閘極絕緣層140、數個半導體154、和數個歐姆接觸島163和165是形成在它上面。數條包括源極電極173與末端部份179的資料線171和數個汲極電極175是形成在該等歐姆接觸島163和165上，而一個鈍化層180是形成在它上面。數個接觸孔181,182,和185是設置在該鈍化層180和該閘極絕緣層140。數個像素電極191和數個接觸輔助器81和82是形成在該鈍化層180上。
於在第15圖中所示之本發明之範例實施例的薄膜電晶體陣列面板中，像素電極191包括在橫向方向上延伸且彼此分開的一個第一副－像素電極191c和一個第二副－像素電極191d。
大多數的第一和第二副－像素電極191c和191d是分別設置在平分由閘極線121和資料線171與共用電極線125所包圍之區域的下和上部份中。
經由接觸孔185c連接到第一汲極電極175c的每個第一副－像素電極191c包括數個下分支電極191c1。該等下分支電極191c1相對於該等閘極線121被設定有一個預定角ΦS。該等用於連接下分支電極191c1的連接部192c是與右資料線171相鄰設置。
經由接觸孔185d連接到第二汲極電極175d的每個第二副－像素電極191d包括數個上分支電極191d1。該等上分支電極191d1相對於該等閘極線121被設定成一個預定角ΦS。該等分支電極191c1相對於共用電極線125具有對稱結構。該等第一和第二連接部192d1和192d2連接該等上分支電極191d1並且分別與資料線171相鄰設置。該第一連接部192d1包括根據閘極線121和資料線171來延伸的橫向和垂直延伸部。該橫向延伸部是在該第二汲極電極175d下面延伸而且是與該等下分支電極191c1平行。第一和第二連接部192c1和192c2之分別與第一和第二汲極電極175c和175d重疊的部份被加大。
在如於第16和17圖中所示之本發明之範例實施例的薄膜電晶體陣列面板中，該等像素電極191包括在橫向方向延伸且彼此分開的一個第一副－像素電極191e和一個第二副－像素電極191f。
該第一和第二副－像素電極191e和191f是分別被設置在平分由閘極線121和資料線171與共用電極線125所包圍之區域的下和上部份。
經由接觸孔185e連接到第一汲極電極175e的每個第一副－像素電極191e包括數個相對於閘極線121設定成一個預定角ΦS的下分支電極191e1。該等第一和第二連接部192e1和192e2連接該等下分支電極191e1的側末端而且是分別與資料線171相鄰設置。
經由接觸孔185f連接到第二汲極電極175f的每個第二副－像素電極191f包括數個相對於閘極線121被設定成一個預定角ΦS的上分支電極191f1。該等下分支電極191e1相對於共用電極線125具有一個對稱結構。該等第一和第二連接部192d1和192d2分別連接上分支電極191d1的右和左末端且是分別與資料線171相鄰設置。
該第二汲極電極175f包括根據閘極線121和資料線171來延伸的橫向和垂直延伸部175f1和175f2，而該垂直延伸部175f2的末端部份是經由接觸孔185f連接到該第二連接部192f2。
如在第16圖中所示，與資料線171相鄰之第二汲極電極175f的垂直延伸部175f2與第一副－像素電極191e的第二延伸部192e2重疊，但與資料線171相鄰之第二汲極電極175f的垂直延伸部175f2不與第一副－像素電極191e的第二連接部192e2重疊。
如在第18圖中所示，在本發明的範例實施例中，第一和第二副－像素電極191g和191h是由閘極線121的中央部份分割，而且是分別設置在由閘極線121與資料線171所包圍之區域的上和下側中。該等閘極線121是設置於在第一與第二副－像素電極191g與191h之間的中央部份中，而第一和第二汲極電極175g和175h是設置在閘極電極124的上和下側中。
該等共用電極131包括分別設置在閘極線121之上和下側中的下和上共用電極131g和131h，而共用電極線125包括一個連接上共用電極131h的上共用電極線1252和一個連接下共用電極131g的下共用電極線1251。
經由接觸孔185g連接到第一汲極電極175g的每個第一副－像素電極191g包括數個相對於閘極線121被設定成一個預定角ΦS的下分支電極191g1。該等第一和第二連接部192g1和192g2連接該等下分支電極191g1的側末端且是分別與資料線171相鄰設置。
經由接觸孔185h連接到第二汲極電極175h的每個第二汲極電極191h包括數個相對於閘極線121被設定成一個預定角ΦS的上分支電極191h1。該等下分支電極191g1相對於閘極線121具有一個對稱結構。該等第一和第二連接部192h1和192h2分別連接該等上分支電極191h1的側末端且是分別與資料線171相鄰設置。
第22圖是為本發明之範例實施例之LCD之TFT陣列面板的佈局圖。
包括閘極電極124和末端部份129的數條閘極線121、數個共用電極131、和用於連接該等共用電極131的數條共用電極線125是形成在一個基板110上，而一個閘極絕緣層140、數個半導體154、和數個歐姆接觸島163和165是形成在它上面。包括源極電極173與末端部份179的數條資料線171和數個汲極電極175是形成在該等歐姆接觸島163和165上，而一個鈍化層180是形成在它上面。數個接觸孔181,182,和185是設置在該鈍化層180與該閘極絕緣層140上。數個像素電極191和數個接觸輔助器81和82是形成在該鈍化層180上。
如在第19圖中所示，彼此分開的第一和第二副－像素電極191j和191k相對於把由閘極線121與資料線171所包圍之區域平分的共用電極線125具有一個對稱結構。
經由接觸孔185j連接到第一汲極電極175j的每個第一副－像素電極191j包括數個相對於閘極線121被設定成一個預定角ΦS的下和上分支電極191j1和191j2。該等下和上分支電極相對於共用電極線125具有一個對稱結構。該等連接部192j連接該等下和上分支電極.191j1和191j2的左側末端且是分別與左資料線171相鄰設置。
經由接觸孔185k連接到第二汲極電極175k的每個第二汲極電極191k包括數個相對於閘極線121被設定成一個預定角ΦS的下和上分支電極191k1和191k2。該等下和上分支電極191k1和191k2相對於共用電極線125具有一個對稱結構。該等連接部192k連接該等下和上分支電極191k1和191k2的右側末端且是分別與右資料線171相鄰設置。
然而，該薄膜電晶體陣列面板包括第一和第二輔助器172j和172k。該第一輔助器172j與第二副－像素電極191k的連接部192k重疊，而且是經由接觸孔186j連接到第一副－像素電極191j之上和下分支電極191j1和191j2的末端部份。該第一輔助器172j具有數個連接到第一副－像素電極191j之上和下分支電極191j1和191j2，而且是從第一輔助器172j延伸出來的凸體。
該第二輔助器172k與第一副－像素電極191j的連接部192j重疊，而且是經由接觸孔186k連接到第二副－像素電極191k之上和下分支電極191k1和191k2的末端部份。該第二輔助器172k具有數個連接到第二副－像素電極191k之上和下分支電極191k1和191k2，而且是從第二輔助器172k延伸出來的凸體。
如在第21圖中所示，在本發明之範例實施例的薄膜電晶體陣列面板中，像素電極191在相對於共用電極線125反對稱下實質上在垂直方向上延伸，而且包括彼此分開的一個第一副－像素電極191p和一個第二副－像素電極191q。
該第一副－像素電極191p包括數個在中央部份彎曲一個預定角的上和下分支電極191p1和191p2。該等上和下分支電極191p1和191p2相對於共用電極131的中央線反對稱。該等共用電極131是與閘極線121平行。該等上連接部192p是用於分別連接上和下分支電極191p1和191p2的上部份而且是被設置緊鄰上閘極線121。該第一副－像素電極191p包括數個與上和下分支電極191p1和191p2平行的右分支電極191p3和191p4。該數個右分支電極191p3和191p4是連接到上和下分支電極191p1和191p2的右外部部份。數個左分支電極191p5是與該等上分支電極191p2平行而且是連接到該等上分支電極191p2的左外部部份。
該第二副－像素電極191q包括數個在中央部份彎曲一個預定角的上和下分支電極191q1和191q2。該等上和下分支電極191q1和191q2相對於共用電極131的中央線反對稱。該等共用電極131是與閘極線121平行。該等下連接部192q是用於分別連接上和下分支電極191q1和191q2的下部份而且是被設置緊鄰上閘極線121。該第二副－像素電極191q包括數個與下分支電極191q1平行而且是連接到下分支電極191q1之左外部部份的左分支電極191q3。
如在第22圖中所示該薄膜電晶體陣列面板包括第一和第二輔助器172p和172q。該第一輔助器172p是被設置接近該第二副－像素電極191q的連接部192q，而且是經由接觸孔185p和第一汲極電極175p來連接到該第一副－像素電極191p之下分支電極191p1的末端部份。
該第二輔助器172q與該第一副－像素電極191p的連接部192p重疊而且是經由接觸孔186q來連接到第二副－像素電極191q之上分支電極191q2的末端部份。該第二輔助器172q具有數個連接到該第二副－像素電極191q之上分支電極191q2且是從第二輔助器172q延伸出來的凸體。
於在第19至22圖中所示的薄膜電晶體陣列面板中，即使該等第一與第二副－像素電極191j,191k,191p,和191q中之一者是與共用電極131短路，其他的是被正常驅動。與共用電極131短路的副－像素電極是被供應有該共用電壓，因此短路的副－像素電極是運作如共用電極131。據此，共用電極與像素電極是交替排列的平面內切模式液晶顯示器是被形成。在這結構中，即使該短路的副－像素電極不被修理，與正常像素的比較起來，百分之八十的透射率會被達成以致於關閉－像素缺陷是被除去。
雖然本發明業已配合較佳實施例來詳細地作描述，對於熟知此項技術的人仕來說會察覺到的是，在沒有離開本發明之如在後附申請專利範圍中所陳述的精神與範圍下，各式各樣的變化與替換能夠對本發明造成。
100．．．下面板
200．．．上面板
300．．．液晶面板裝置
400．．．閘極驅動器
500．．．資料驅動器
600．．．訊號控制器
800．．．灰階電壓產生器
3．．．LC層
191．．．像素電極
131．．．共用電極
1911．．．第一像素電極
1912．．．第二像素電極
230．．．彩色濾光片
121．．．閘極線
171．．．資料線
125．．．共用電極線
110．．．絕緣基板
124．．．閘極電極
129．．．末端部份
140．．．閘極絕緣層
154．．．半導體
163．．．歐姆接觸島
165．．．歐姆接觸島
175．．．汲極電極
179．．．末端部份
173．．．源極電極
175a．．．第一汲極電極
175b．．．第二汲極電極
180．．．鈍化層
181．．．接觸孔
182．．．接觸孔
185．．．接觸孔
81．．．接觸輔助器
82．．．接觸輔助器
83．．．高架道
191a．．．第一副－像素電極
191b．．．第二副－像素電極
191a1．．．上分支電極
191a2．．．下分支電極
192a1．．．上連接部
192a2．．．下連接部
191a3．．．右分支電極
191a4．．．右分支電極
191b1．．．上分支電極
191b2．．．下分支電極
191b3．．．左分支電極
191b4．．．左分支電極
185a．．．接觸孔
185b．．．接觸孔
11．．．配向層
12．．．檢偏鏡
210．．．上基板
21．．．配向層
22．．．檢偏鏡
270．．．電極
310．．．液晶分子
191c．．．第一副－像素電極
191d．．．第二副－像素電極
185c．．．接觸孔
175c．．．第一汲極電極
191c1．．．下分支電極
192c．．．連接部
175d．．．第二汲極電極
185d．．．接觸孔
191d1．．．上分支電極
192d1．．．第一連接部
192d2．．．第二連接部
192c1．．．第一連接部
192c2．．．第二連接部
191e．．．第一副－像素電極
191f．．．第二副－像素電極
185f．．．接觸孔
175f．．．第二汲極電極
175e．．．第一汲極電極
185e．．．接觸孔
191e1．．．下分支電極
192e1．．．第一連接部
192e2．．．第二連接部
191f1．．．上分支電極
192d1．．．第一連接部
192d2．．．第二連接部
191d1．．．上分支電極
175f1．．．橫向延伸部
175f2．．．垂直延伸部
192f2．．．第二連接部
185f．．．接觸孔
191g．．．第一副－像素電極
191h．．．第二副－像素電極
175g．．．第一汲極電極
175h．．．第二汲極電極
131g．．．下共用電極
131h．．．上共用電極
1251．．．下共用電極線
1252．．．上共用電極線
185g．．．接觸孔
191g1．．．下分支電極
192g1．．．第一連接部
192g2．．．第二連接部
185h．．．接觸孔
191h1．．．下分支電極
192h1．．．第一連接部
192h2．．．第二連接部
191j．．．第一副－像素電極
191k．．．第二副－像素電極
191j1．．．下分支電極
191j2．．．上分支電極
185j．．．接觸孔
175j．．．第一汲極電極
192j．．．第一連接部
191k1．．．下分支電極
191k2．．．上分支電極
185k．．．接觸孔
175k．．．第二汲極電極
192k．．．連接部
172j．．．第一輔助器
172k．．．第二輔助器
186j．．．接觸孔
186k．．．接觸孔
191p．．．第一副－像素電極
191q．．．第二副－像素電極
191p1．．．下分支電極
191p2．．．上分支電極
192p．．．上連接部
191p3．．．右分支電極
191p4．．．右分支電極
191p5．．．左分支電極
191q1．．．下分支電極
191q2．．．上分支電極
192q．．．下連接部
191q3．．．左分支電極
185p．．．接觸孔
175p．．．第一汲極電極
172p．．．第一輔助器
172q．．．第二輔助器
G1 －Gn ．．．訊號線
D1 －Dm ．．．訊號線
Q．．．切換元件
CL C ．．．LC電容器
CS T ．．．儲存電容器
Vc o m ．．．共用電壓
CS T 1 ．．．儲存電容器
CS T 2 ．．．儲存電容器
CL C 1 ．．．LC電容器
CL C 2 ．．．LC電容器
Von．．．閘極－開啟電壓
Voff．．．閘極－關閉電壓
R．．．影像訊號
G．．．影像訊號
B．．．影像訊號
Vsync．．．垂直同步訊號
Hsync．．．水平同步訊號
MCLK．．．主時鐘訊號
DE．．．資料致能訊號
CONT1．．．閘極控制訊號
CONT2．．．資料控制訊號
DAT．．．變化影像資料
STV．．．掃描開始訊號
OE．．．輸出致能訊號
STH．．．水平同步開始訊號
LOAD．．．負載訊號
HCLK．．．資料時鐘訊號
RVS．．．反轉訊號
CPV．．．閘極時鐘
C．．．垂直中央線
B．．．垂直中央線
NR．．．窄區域
WR．．．寬區域
A．．．邊界線
．．．摩擦方向
．．．x－y平面分量
．．．偏振方向
ΦR．．．角
ΦLC．．．角
ΦP．．．角
D．．．邊界線
第1圖是為本發明之範例實施例之LCD的方塊圖；第2圖是為本發明之範例實施例之LCD之像素的電路圖；第3圖是為本發明之範例實施例之LCD之TFT陣列面板的佈局圖；第4、5、和6圖分別是為在第3圖中所示之TFT陣列面板之沿著線IV－IV、V－V、與VI－VI的剖視圖；第7圖是為本發明之另一個範例實施例之液晶顯示器(LCD)之TFT陣列面板之電極的佈局圖；第8圖是為沿著第7圖中之線VIII－VIII的橫截面圖，其顯示上和下面板以及在該兩個面板之間之電力的線；第9圖是為描繪在本發明之另一個範例實施例中之液晶分子之扭轉角之電極的佈局圖；第10圖是為一個描繪本發明之另一個範例實施例之液晶分子之扭轉角之相對水平位置之變化的圖表；第11圖是為一個描繪本發明之另一個範例實施例之液晶分子之扭轉角之相對高度之變化的圖表；第12圖描繪本發明之範例實施例之液晶分子之傾斜角的變化；第13圖是為一個描繪本發明之範例實施例之液晶分子之傾斜角之相對高度之變化的圖表；第14圖是為一個描繪本發明之範例實施例之液晶分子之傾斜角相對於水平位置之變化的圖表；第15至18圖是為本發明之另一個範例實施例之LCD之TFT陣列面板的佈局圖；及第19至22圖是為本發明之另一個範例實施例之LCD之TFT陣列面板的佈局圖。
179．．．末端部份
310．．．液晶分子
182．．．接觸孔
ΦS．．．角
82．．．接觸輔助器
192d2．．．連接部
129．．．末端部份
192c．．．連接部
181．．．接觸孔
121．．．閘極線
81．．．接觸輔助器
175．．．汲極電極
171．．．資料線
175c．．．汲極電極
131．．．共用電極
175d．．．汲極電極
192d1．．．連接部
185．．．接觸孔
125．．．共用電極線
185c．．．接觸孔
125’．．．共用電極線
185d．．．接觸孔
191d．．．第二副－像素電極
154．．．半導體
191d1．．．分支電極
173．．．源極電極
191d2．．．分支電極
124．．．閘極電極
191c．．．第一副－像素電極
R．．．摩擦方向
191c1．．．分支電極
S．．．垂直方向
191c2．．．分支電極
191．．．像素電極
192d．．．連接部

Claims (8)

  1. 一種薄膜電晶體陣列面板，包含：一個基板；數條形成在該基板上的閘極線；數個形成在該基板上且由透明材料製成的共用電極；數條與該等閘極線相交的資料線；數個連接到該等資料線與該等閘極線的薄膜電晶體；及數個連接到該等薄膜電晶體且與該等共用電極重疊的像素電極，其中，該等像素電極包括一個與一個第二副-像素電極分隔一個距離的第一副-像素電極，其中，該第一和第二副-像素電極包含數個具有平行佈置的分支電極，以及其中，該第一副-像素電極的該等分支電極是與該第二副-像素電極的該等分支電極交替地排列。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體陣列面板，其中，該等薄膜電晶體包含一個連接到該第一副-像素電極的第一汲極電極和一個連接到該第二副-像素電極的第二汲極電極。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體陣列面板，其中，該等共用電極具有一個在該等分支電極之間的連續表面。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體陣列面板，其 中，該第一和第二副-像素電極的該等分支電極是相對於該等閘極線或該等資料線彎曲。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之薄膜電晶體陣列面板，其中，該第一和第二副-像素電極的該等分支電極相對於該等共用電極的中央線反對稱而且與該等閘極線平行。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體陣列面板，更包含數條連接該等共用電極的共用電極線。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體陣列面板，其中該等像素電極更包含：一第一輔助器，其係連接到該第一副-像素電極的該等分支電極的末端部份；及一第二輔助器，其係連接到該第二副-像素電極的該等分支電極的末端部份；且其中該第一輔助器及該第二輔助器係與該資料線形成在同一層。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之薄膜電晶體陣列面板，其中該第一與第二副-像素電極更包含連接該等分支電極的連接部，該第一輔助器係重疊該第二副-像素電極的該連接部，並且該第二輔助器係重疊該第一副-像素電極的該連接部。
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