TWI389355B - 發光半導體裝置 - Google Patents
發光半導體裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI389355B TWI389355B TW098100024A TW98100024A TWI389355B TW I389355 B TWI389355 B TW I389355B TW 098100024 A TW098100024 A TW 098100024A TW 98100024 A TW98100024 A TW 98100024A TW I389355 B TWI389355 B TW I389355B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- semiconductor device
- patterned reflective
- reflective layer
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 135
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 40
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- -1 aluminum tin oxide Chemical compound 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N cadmium;oxotin Chemical compound [Cd].[Sn]=O BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 3
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 claims description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UMJICYDOGPFMOB-UHFFFAOYSA-N zinc;cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zn+2].[Cd+2] UMJICYDOGPFMOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 2
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011156 metal matrix composite Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001470 polyketone Polymers 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/83—Electrodes
- H10H20/832—Electrodes characterised by their material
- H10H20/833—Transparent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/84—Coatings, e.g. passivation layers or antireflective coatings
- H10H20/841—Reflective coatings, e.g. dielectric Bragg reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
- H10H20/018—Bonding of wafers
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Description
本發明是有關於一種發光裝置，且特別是有關於一種發光半導體裝置。
圖1為一種習知發光二極體的結構示意圖。請參考圖1，發光二極體100包括一n型半導體層110、一發光層120、一p型半導體層130、多個反射層140以及多個電極150。發光層120位於n型半導體層110的部份區域上，且p型半導體層130位於發光層120之上。n型半導體層110可以是多層之n型半導體材料結構，而p型半導體層130亦可以是多層之p型半導體材料結構。反射層140位於n型半導體層110內，如圖1所示。另外，電極150分別配置於n型半導體層110與p型半導體層130的表面110a及130a上以分別電性連接n型半導體層110與p型半導體層130。
習知發光二極體100係屬於一種水平式發光二極體的疊層結構，且發光二極體100的n型半導體層110內配置有多個反射層140。因此，當發光二極體100被驅動時而發光時，位於n型半導體層110內的反射層140便適於反射內部所產生的光線，藉以提高發光二極體100的發光效率。
本發明提出一種發光半導體裝置，其包括一發光結構、一反射結構以及一載體。發光結構至少具有一第一型半導體層、一發光層以及一第二型半導體層。發光層位於第一型半導體層與第二型半導體層之間。反射結構具有一第一透明導電層、一第一圖案化反射層、一第二透明導電層以及一第二圖案化反射層。第一圖案化反射層位於第一透明導電層與第二透明導電層之間。第一圖案化反射層具有至少一開口以使第一透明導電層與第二透明導電層實體上連接。第二透明導電層位於第一圖案化反射層與第二圖案化反射層之間。第二圖案化反射層位於大體上相應於開口的區域上。發光結構與載體分別位於反射結構的兩側。
在本發明之一實施例中，第一圖案化反射層包括一金屬層與至少一絕緣層。絕緣層至少位於金屬層與第一透明導電層之間或金屬層與第二透明導電層之間。
在本發明之一實施例中，第二圖案化反射層包括一金屬層與至少一絕緣層。絕緣層位於金屬層與第二透明導電層之間或金屬層與載體之間。
在本發明之一實施例中，第一圖案化反射層與第二圖案化反射層中至少其一包括一分佈式布拉格反射器(distributed Bragg reflector;DBR)。
在本發明之一實施例中，第一圖案化反射層與第二圖案化反射層中至少其一的圖案包含圓形、橢圓形或多邊形、或以上選項之任意組合。
在本發明之一實施例中，第一型半導體層與第二型半導體層中至少其一的材質至少包括氮(N)、鎵(Ga)、銦(In)、鋁(Al)、磷(P)、砷(As)、及鋅(Zn)其中一種元素。
在本發明之一實施例中，發光層包含一多重量子井發光層(multi-quantum well；MQW)、一單異質結構(single heterostructure；SH)、一雙異質結構(double heterostructure；DH)、一雙側雙異質結構(double-side double heterostructure；DDH)、或上述結構之組合。
在本發明之一實施例中，發光半導體裝置更包括一光波長轉換層。光波長轉換層位於發光結構之上。
在本發明之一實施例中，發光半導體裝置更包括一結合層。結合層配置於發光結構與載體之間，用以結合反射結構與載體。
在本發明之一實施例中，在發光結構的至少一出光面上具有多個結構化圖案。
在本發明之一實施例中，結構化圖案包含規則圖案、不規則圖案、及光子晶體結構中至少其一。。
在本發明之一實施例中，載體包含金屬材質、非金屬材質、矽或電鍍銅。
在本發明之一實施例中，第一透明導電層與第二透明導電層至少其一的材質包含銦錫氧化物、銦鋅氧化物、銦錫鋅氧化物、氧化鉿、氧化鋅、氧化鋁、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、鎘錫氧化物或鎘鋅氧化物、或其任意可能組合。
在本發明之一實施例中，發光半導體裝置更包括一電流分散層。電流分散層位於發光結構的上方。
在本發明之一實施例中，發光半導體裝置更包括一電極。電極配置於發光結構的上方。
本發明亦提出一種發光半導體裝置，其包括一發光結構、一透明非半導體層、一第一反射層、以及一第二反射層。
發光結構至少包含一第一型半導體層、一發光層以及一第二型半導體層。發光層位於第一型半導體層與第二型半導體層之間。透明非半導體層係電連接發光結構及載體，其中透明非半導體層例如是採用上述之第一透明導電層與第二透明導電層的結構。第一反射層包含一靠近發光結構之第一面及一遠離發光結構之第二面。第二反射層則包含一靠近發光結構之第三面及一遠離發光結構之第四面。第一反射層及第二反射層除了係位於發光結構及載體之間，且第一面與第三面係不位於同一水平面上。
在本發明之一實施例中，第二面與第四面係不位於同一水平面上。
在本發明之一實施例中，透明非半導體層係環繞第一反射層及第二反射層中至少其一。
在本發明之一實施例中，第一反射層及第二反射層中至少其一包含一金屬層及一絕緣層。
在本發明之一實施例中，第一反射層及第二反射層中至少其一包含一金屬層及一分散式布拉格反射器。
在本發明之一實施例中，第一反射層及第二反射層中至少其一具有圖案化結構。
綜上所述，由於發光半導體裝置的反射結構具有第一透明導電層與第二透明導電層，因此，此結構可作為發光結構與載體之間的電傳導連接層。另外，反射結構的第一
圖案化反射層與第二圖案化反射層用作發光半導體裝置的光學反射鏡結構。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉多個實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
圖2為依照本發明一實施例之發光半導體裝置的結構示意圖。發光半導體裝置200包括一發光結構210、一反射結構220以及一載體230。發光結構210至少具有一第一型半導體層212、一發光層214以及一第二型半導體層216，且發光層214位於第一型半導體層212與第二型半導體層216之間。反射結構220具有一第一透明導電層222、一第一圖案化反射層224、一第二透明導電層226以及一第二圖案化反射層228。第一圖案化反射層224位於第一透明導電層222與第二透明導電層226之間，且第一圖案化反射層224具有至少一開口220a以使第一透明導電層222與第二透明導電層226實體上連接。第二透明導電層226位於第一透明導電層222與載體230之間。
於一實施例中，第二透明導電層226可以形成於第一圖案化反射層224與第二圖案化反射層228之間。第二圖案化反射層228配置於大體上相應於開口220a的區域上，其尺寸可以大於、等於、或小於開口220a之尺寸。此外，如圖所示，部分之第二圖案化反射層228是形成於開口220a之中。然而，第二圖案化反射層228之全體亦可以形成於開口220a之外。發光結構210與載體230分別位於反射結構220的兩側。另外，發光半導體裝置200更包括一電極260。電極260位於發光結構210上方。
在本實施例中，第一型半導體層212與第二型半導體層216的材質至少包括氮(N)、鎵(Ga)、銦(In)、鋁(Al)、磷(P)、砷(As)、及鋅(Zn)其中一種元素，且第一型半導體層212與第二型半導體層216係摻雜有II族或IV族元素。舉例來說，第一型半導體層212與第二型半導體層216例如是採用GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN至少其中之一的材料，並摻雜以II族或IV族的元素以形成之，然而，上述僅為舉例說明，非用以限定本發明。換言之，層212、216亦可以是使用其他適當的材質。另外，發光層214之結構可以為一多重量子井結構(multi-quantum well；MQW)、單異質結構(single heterostructure；SH)、雙異質結構(double heterostructure；DH)、雙側雙異質結構(double-side double heterostructure；DDH)、上述結構之組合、或是其他適當的材料結構，然以上僅為舉例說明，本發明並非限於此。
在本實施例中，第一圖案化反射層224包括一金屬層224a與至少一絕緣層224b。絕緣層224b可以形成於金屬層224a與第一透明導電層222之間、金屬層224a與第二透明導電層226之間、金屬層224a與載體230之間、或以上選項之任意組合。換言之，絕緣層224b可以形成於金屬層224a之一個或多個表面之上。圖2係繪示絕緣層224b位於金屬層224a與第一透明導電層222之間。
另外，金屬層224a的材質例如是使用反射性金屬，例如：金、銀、銅、鐵、錫、鉻、鋁、鎳、或上述材料之合金、疊層、或其組合。此外，絕緣層224b的材質可以是使用無機材質(如：氧化矽(silicon oxide;SiOx
)、氮化矽(nitride oxide;SiNx)、氮氧化矽(silicon nitride oxide;Six
NOy
)、碳化矽(SiCx
)、氧化鉿(hafnium oxide;HfO2)、氧化鋁(alumina;Al2
O3
)、或其它合適材料、或上述之組合)、有機材質(如：光阻(photoresist;PR)、苯並環丁烯(benzocyclobutane,BCB)、環烯類(cycloolefin)、聚醯亞胺類(polyimide)、聚醯胺類(polyamide)、聚酯類(polyester)、聚醇類(polyalcohols)、聚環氧乙烷類(polyethylene)、聚苯類(polyphenylene)、樹脂類(resin)、聚醚類(polyether)、聚酮類(polyketone)、或其它合適材料、或上述之組合)、或上述之組合。本實施例之絕緣層224b係以氧化鋁作為例，但不限於此。
在本實施例中，第二圖案化反射層228包括一金屬層228a與至少一絕緣層228b。絕緣層228b可以形成於金屬層228a與第二透明導電層226之間、金屬層228a與載體230之間、或其二者之組合。換言之，絕緣層228b可以形成於金屬層228a之一個或多個表面之上。圖2係繪示絕緣層228b位於金屬層228a與第二透明導電層226之間，且絕緣層228b係位於靠近第一透明導電層222的方向。然而，在其他實施例中，絕緣層228b也可以是位於金屬層228a的其他面向，圖2所繪示僅為舉例說明，非用以限定本發明。另外，金屬層228a與絕緣層228b的材料例如是採用上述之金屬層224a、絕緣層224a的材料，相同之處不再贅述。
在另一實施例中，第一圖案化反射層224與第二圖案化反射層228除了採用上述之型態外，亦可以分別包含一分散式布拉格反射器(distributed Bragg reflector)。於再一實施例中，第一圖案化反射層224中之絕緣層224b與第二圖案化反射層228中之絕緣層228b可以分別以絕緣材料形成為分散式布拉格反射器，用來反射發光半導體裝置200被驅動時所產生的內部光線，使得光線得以被有效地反射而出射出發光半導體裝置200的外表面，進而提升發光半導體裝置200的出光效益。
此外，上述之第一圖案化反射層224與第二圖案化反射層228的圖案可以為圓形、橢圓形、多邊形或是其他幾何圖案。在本實施例中，圖案係包含圓形。圖3A與圖3B係為圖2所繪示之發光半導體裝置的俯視透視圖，其中圖3A為發光半導體裝置的第一圖案化反射層的俯視示意圖；圖3B為發光半導體裝置的第二圖案化反射層的仰視示意圖。然而，在其他實施形態中，第一圖案化反射層224與第二圖案化反射層228的圖案可以視使用者的需求而設計，非限於圖3A與圖3B所繪示。
為了提高發光半導體裝置的出光效益，發光結構210的至少一出光面210a上具有多個結構化圖案(未繪示)。詳細來說，結構化圖案可以是規則圖案、不規則圖案或採用光子晶體結構，或是其他適當的圖案，如此一來，在發光半導體裝置200內的光線便可透過結構化圖案，而更容易射出發光結構210，進而更為提升發光半導體裝置200的出光效益。於一實施例中，結構化圖案可以形成於第一型半導體層212、發光層214、及第二型半導體層216的至少一個表面上。在另一實施例中，結構化圖案也可以是形成於其他膜層上(例如以下將提到的電流分散層)。換言之，結構化圖案可依據使用者的設計需求而定，上述僅為舉例說明，非限於此。
在本實施例中，載體230可以是採用金屬材質、非金屬材質、或其組合。非金屬材質係如矽(Si)、碳化矽(SiC)、氮化鋁(AlN)、氧化鋅(ZnO)、氮化鎵(GaN)、磷化鎵(GaP)、玻璃、陶瓷、複合材料、藍寶石、及塑膠等。金屬材質係如金屬塊材、電鍍金屬、合金、及疊層等。金屬與非金屬材料之組合係如金屬基複合材料。若採用非電良導體作為載體230之材質，更可於載體230之內部、外部、或其二者上形成導電通道，如：通孔及延伸線，以使電流可以通過此非電良導體。本實施例係以矽材質為例，但不限於此。在其他實施例中，載體230亦可以為電鍍銅，如此一來，將可取代結合層240(以下會提及)的使用。於另一實施例中，載體230中包含有電路或電子元件，例如：封裝基座、印刷電路板、軟性電路板、及積體電路。再者，載體230可以於發光半導體裝置或下游產品製程中任一適當步驟中與發光結構210相結合。以上僅為舉例說明，非限於此。換言之，載體230可根據使用者的需求而定。
在本實施例中，上述之第一透明導電層222與第二透明導電層226的材質可以分別是銦錫氧化物(indium tin oxide;ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide;IZO)、銦錫鋅氧化物(indium tin zinc oxide;ITZO)、氧化鉿(hafnium oxide;HfO2)、氧化鋅(ZnO)、鋁錫氧化物(aluminum tin oxide;ATO)、鋁鋅氧化物(aluminum zinc oxide;AZO)、鎘錫氧化物(cadmium tin oxide;CTO)或鎘鋅氧化物(cadmium zinc oxide;CZO)。本實施例係以銦錫氧化物作為實施範例，但不限於此。
另外，發光半導體裝置200更可以包括一電流分散層250。電流分散層250配置於發光結構210的上方，如圖2所示。一般來說，電流分散層250主要是用以將注入發光結構210的電流分散。而電流分散層250的材質可以採用如第一透明導電層222所描述之材料，在此不再贅述。
在本實施例中，發光半導體裝置200更可以包括一光波長轉換層(未繪示)。光波長轉換層位於發光結構210之上。光波長轉換層主要是用來轉換發光結構210所發出光線的波長，例如：將短波長大體上轉換為長波長、或將長波長大體上轉換為短波長。舉例來說，光波長轉換層是一種可被發光結構210所發出光線激發之螢光物質。換言之，適當地調整或挑選光波長轉換層的材料，可使發光半導體裝置200所發出的光線具有色彩選擇性，例如是紅光、藍光、綠光、白光、或是其他可見或不可見波段的光線。
在本實施例中，發光半導體裝置200更包括一結合層240。結合層240配置於反射結構220與載體230之間，如圖2所繪示。詳細來說，結合層240主要是用來結合反射結構220與載體230，其中根據結合的方式，結合層240之材質可以為氧化物、氮化物、或金屬。此外，反射結構220與載體230亦可不藉由他種材質而於適當之溫度與壓力之下直接接合。
在一實施例中，根據第一圖案化反射層224與第二圖案化反射層228的配置變化，亦可以形成如圖4所繪示之發光半導體裝置200a，其中圖4為本發明另一實施形態之發光半導體裝置的剖面示意圖。比較圖2與圖4，發光半導體裝置200a與發光半導體裝置200結構相似，相同構件標示相同符號，惟二者不同處在於，第一圖案化反射層224與第二圖案化反射層228所形成的圖案化不同。舉例來說，第一圖案化反射層224與第二圖案化反射層228配置於發光半導體裝置200a內的形式，分別是如圖5A與圖5B所繪示之剖視圖，其中第一圖案化反射層224可以是圓形，也可以是採用前述曾提及的形狀，而第二圖案化反射層228的圖案則是大體上相對應於第一圖案化反射層224的圖形，其中在俯視平面上，第一圖案化反射層224與第二圖案化反射層228之間具有一間隙(未標示)，但不限於此。另外，圖5A與圖5B僅是繪示第一圖案化反射層224與第二圖案化反射層228可能的圖案，在其他實施例中，視使用者的需求，二者亦可以是採用其他形狀的設計，在此不再贅述。
另外，圖6A~圖6D繪示為本發明之發光半導體裝置的流程示意圖。請先參考圖6A，首先提供一發光結構310，其中此發光結構310至少具有一第一型半導體層312、一發光層314以及一第二型半導體層316，且發光層314位於第一型半導體層312與第二型半導體層316之間。詳細來說，形成發光結構310的方式例如是採用高溫磊晶的技術，依序於成長基板(未顯示)上形成第一型半導體層312、發光層314與第二型半導體層316，其中第一型半導體層312、發光層314與第二型半導體層316的材料例如為上述之第一型半導體層212、發光層214與第二型半導體層216所描述之材料，在此不再贅述。全部或部分之成長基板可以在進行後續製程步驟前或後移除。
接著，請參考圖6B，於第一型半導體層312或第二型半導體層316的表面上形成一反射結構320，其中反射結構320具有一第一透明導電層322、一第一圖案化反射層324、一第二透明導電層326以及一第二圖案化反射層328。詳細來說，形成反射結構320的方式例如是先全面性地形成一透明導電材料層於第一型半導體層312或第二型半導體層316的表面上以形成上述之第一透明導電層322的結構。然後，在第一透明導電層322上形成一第一圖案化反射層324，其中形成第一圖案化反射層324的方式例如是採用微影蝕刻製程(Photolithography and Etching Process;PEP)來進行圖案化製程。而後，再全面性地形成另一透明導電材料層於第一圖案化反射層324以形成上述之第二透明導電層326。接著，於第二透明導電層326上形成一第二圖案化反射層328，其中形成第二圖案化反射層328的方式同於形成第一圖案化反射層324的方式。至此，大致完成反射結構320形成於發光結構310上的製作步驟。
於完成上述步驟後，接著，將一載體330與上述之反射結構320結合，其中載體330與發光結構310分別位於反射結構320的兩側，如圖6C所繪示。其中，上述結合的方式，可以是採用塗膠的方式以結合載體330與反射結構320，或是採用金屬鍵結的方式亦可，本實施例係以結合層340為金屬鍵結層的方式作為實施範例，但不限於此。
再來，形成一電極360於發光結構310之上方，如圖6D所繪示。另外，為了提高發光半導體裝置的發光效率，也可以在形成電極360之前，先形成一電流分散層350於發光結構310上，如圖6D所繪示。至此大致完成一種發光半導體裝置300的製作步驟。
雖然本發明已以多個實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100．．．發光二極體
110．．．n型半導體層
110a、130a．．．表面
120、214、314．．．發光層
130．．．p型半導體層
140．．．反射層
150、260、360．．．電極
200、200a、300．．．發光半導體裝置
210、310．．．發光結構
212、312．．．第一型半導體層
216、316．．．第二型半導體層
220、320．．．反射結構
222、322．．．第一透明導電層
224、324．．．第一圖案化反射層
224a、228a、324a、328a．．．金屬層
224b、228b、324b、328b．．．絕緣層
226、326．．．第二透明導電層
228、328．．．第二圖案化反射層
220a、320a．．．開口
230、330．．．載體
240、340．．．結合層
250、350．．．電流分散層
圖1為一種習知發光二極體的結構示意圖。
圖2為依照本發明一實施例之發光半導體裝置的結構示意圖。
圖3A為發光半導體裝置的第一圖案化反射層的俯視示意圖。
圖3B為發光半導體裝置的第二圖案化反射層的俯視示意圖。
圖4為本發明另一實施形態之發光半導體裝置的剖面示意圖。
圖5A與圖5B分別為圖4所繪示之第一圖案化反射層與第二圖案化反射層的俯視示意圖。
圖6A~圖6D繪示為本發明之發光半導體裝置的流程示意圖。
200．．．發光半導體裝置
210．．．發光結構
212．．．第一型半導體層
214．．．發光層
216．．．第二型半導體層
220．．．反射結構
222．．．第一透明導電層
224．．．第一圖案化反射層
224a、228a．．．金屬層
224b、228b．．．絕緣層
226．．．第二透明導電層
228．．．第二圖案化反射層
220a．．．開口
230．．．載體
240．．．結合層
250．．．電流分散層
260．．．電極
Claims (20)
- 一種發光半導體裝置，包括：一發光結構，至少具有一第一型半導體層、一發光層以及一第二型半導體層，且該發光層位於該第一型半導體層與該第二型半導體層之間；一反射結構，至少具有一第一透明導電層、一第一圖案化反射層、一第二透明導電層以及一第二圖案化反射層，其中該第一圖案化反射層位於該第一透明導電層與該第二透明導電層之間，且該第一圖案化反射層具有至少一開口以使該第一透明導電層與該第二透明導電層實體上連接，該第二透明導電層位於該第一圖案化反射層與該第二圖案化反射層之間，且該第二圖案化反射層位於大體上相應於該開口的區域上；以及一載體，其中該發光結構與該載體分別位於該反射結構的兩側。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光半導體裝置，其中該第一圖案化反射層包括一金屬層與至少一絕緣層，其中該絕緣層至少位於該金屬層與該第一透明導電層之間或該金屬層與該第二透明導電層之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光半導體裝置，其中該第二圖案化反射層包括一金屬層與至少一絕緣層，其中該絕緣層至少位於該金屬層與該第二透明導電層之間或該金屬層與該載體之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光半導體裝置，其中該第一圖案化反射層與該第二圖案化反射層中至少其一包含一分佈式布拉格反射器。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光半導體裝置，其中該第一圖案化反射層與該第二圖案化反射層中至少其一的圖案包含圓形、橢圓形、多邊形、或以上選項之任意組合。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光半導體裝置，其中該第一型半導體層與該第二型半導體層中至少其一的材質至少包括氮、鎵、銦、鋁、磷、砷、及鋅其中一種元素。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光半導體裝置，其中該發光層包含一多重量子井結構、一單異質結構、一雙異質結構、一雙側雙異質結構、或上述結構之組合。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光半導體裝置，更包括一光波長轉換層，位於該發光結構之上。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光半導體裝置，更包括一結合層，配置於該發光結構與該載體之間，用以結合該反射結構與該載體。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光半導體裝置，其中在該發光結構的至少一出光面上具有一結構化圖案。
- 如申請專利範圍第10項所述之發光半導體裝置，其中該些結構化圖案包含規則圖案、不規則圖案、及光子晶體結構中至少其一。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光半導體裝置，其中該載體包含金屬材質、非金屬材質、矽或電鍍銅。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光半導體裝置，其中該第一透明導電層與該第二透明導電層至少其一的材質包含銦錫氧化物、銦鋅氧化物、銦錫鋅氧化物、氧化鉿、氧化鋅、氧化鋁、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、鎘錫氧化物、鎘鋅氧化物、或其任意可能組合。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光半導體裝置，更包括一電流分散層，位於該發光結構的上方。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光半導體裝置，更包括一電極，該電極位於該發光結構之上方。
- 一種發光半導體裝置，包括：一發光結構，至少包含一第一型半導體層、一發光層以及一第二型半導體層，且該發光層位於該第一型半導體層與該第二型半導體層之間；一載體；一透明非半導體層，係電連接該發光結構及該載體；一第一圖案化反射層，包含一靠近該發光結構之第一面及一遠離該發光結構之第二面；及一第二圖案化反射層，包含一靠近該發光結構之第三面及一遠離該發光結構之第四面；其中，該第一圖案化反射層及該第二圖案化反射層係位於該發光結構及該載體之間，且該第一面與該第三面係不位於同一水平面上。
- 如申請專利範圍第16項所述之發光半導體裝置，其中，該第二面與該第四面係不位於同一水平面上。
- 如申請專利範圍第16項所述之發光半導體裝置，其中，該透明非半導體層係環繞該第一圖案化反射層及該第二圖案化反射層中至少其一。
- 如申請專利範圍第16項所述之發光半導體裝置，其中，該第一圖案化反射層及該第二圖案化反射層中至少其一包含一金屬層及一絕緣層。
- 如申請專利範圍第16項所述之發光半導體裝置，其中，該第一圖案化反射層及該第二圖案化反射層中至少其一包含一金屬層及一分散式布拉格反射器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW098100024A TWI389355B (zh) | 2009-01-05 | 2009-01-05 | 發光半導體裝置 |
| US12/652,373 US8299483B2 (en) | 2009-01-05 | 2010-01-05 | Light-emitting semiconductor apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW098100024A TWI389355B (zh) | 2009-01-05 | 2009-01-05 | 發光半導體裝置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201027786A TW201027786A (en) | 2010-07-16 |
| TWI389355B true TWI389355B (zh) | 2013-03-11 |
Family
ID=42311105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW098100024A TWI389355B (zh) | 2009-01-05 | 2009-01-05 | 發光半導體裝置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8299483B2 (zh) |
| TW (1) | TWI389355B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9728682B2 (en) | 2015-07-06 | 2017-08-08 | Lextar Electronics Corporation | Light-emitting element and light-emitting device containing the same |
| US10043950B2 (en) | 2015-11-27 | 2018-08-07 | Lextar Electronics Corporation | Semiconductor light-emitting structure with metal layer and distributed bragg reflector and semiconductor package structure thereof |
Families Citing this family (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9461201B2 (en) * | 2007-11-14 | 2016-10-04 | Cree, Inc. | Light emitting diode dielectric mirror |
| KR101064082B1 (ko) * | 2009-01-21 | 2011-09-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
| US9362459B2 (en) * | 2009-09-02 | 2016-06-07 | United States Department Of Energy | High reflectivity mirrors and method for making same |
| US9435493B2 (en) * | 2009-10-27 | 2016-09-06 | Cree, Inc. | Hybrid reflector system for lighting device |
| DE102010009717A1 (de) | 2010-03-01 | 2011-09-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenchip |
| KR101666442B1 (ko) * | 2010-03-25 | 2016-10-17 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지 |
| US9105824B2 (en) | 2010-04-09 | 2015-08-11 | Cree, Inc. | High reflective board or substrate for LEDs |
| US9012938B2 (en) | 2010-04-09 | 2015-04-21 | Cree, Inc. | High reflective substrate of light emitting devices with improved light output |
| US8764224B2 (en) | 2010-08-12 | 2014-07-01 | Cree, Inc. | Luminaire with distributed LED sources |
| JP5633477B2 (ja) | 2010-08-27 | 2014-12-03 | 豊田合成株式会社 | 発光素子 |
| DE102010035966A1 (de) * | 2010-08-31 | 2012-03-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips |
| TWI438930B (zh) * | 2010-12-13 | 2014-05-21 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 半導體發光晶片及其製造方法 |
| TW201225341A (en) * | 2010-12-13 | 2012-06-16 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Light-emitting semiconductor chip and method for manufacturing the same |
| US10243121B2 (en) | 2011-06-24 | 2019-03-26 | Cree, Inc. | High voltage monolithic LED chip with improved reliability |
| US9728676B2 (en) | 2011-06-24 | 2017-08-08 | Cree, Inc. | High voltage monolithic LED chip |
| DE102011112000B4 (de) | 2011-08-31 | 2023-11-30 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Leuchtdiodenchip |
| CN102315097A (zh) * | 2011-09-02 | 2012-01-11 | 华灿光电股份有限公司 | 一种用纳米棒制备的图形化衬底的方法 |
| US8809875B2 (en) | 2011-11-18 | 2014-08-19 | LuxVue Technology Corporation | Micro light emitting diode |
| US8573469B2 (en) | 2011-11-18 | 2013-11-05 | LuxVue Technology Corporation | Method of forming a micro LED structure and array of micro LED structures with an electrically insulating layer |
| US8518204B2 (en) | 2011-11-18 | 2013-08-27 | LuxVue Technology Corporation | Method of fabricating and transferring a micro device and an array of micro devices utilizing an intermediate electrically conductive bonding layer |
| US9548332B2 (en) | 2012-04-27 | 2017-01-17 | Apple Inc. | Method of forming a micro LED device with self-aligned metallization stack |
| US20140077234A1 (en) * | 2012-09-14 | 2014-03-20 | Lsi Corporation | Semiconductor structure with patterned buried layer |
| US8835940B2 (en) | 2012-09-24 | 2014-09-16 | LuxVue Technology Corporation | Micro device stabilization post |
| US8941215B2 (en) | 2012-09-24 | 2015-01-27 | LuxVue Technology Corporation | Micro device stabilization post |
| US9105714B2 (en) | 2012-12-11 | 2015-08-11 | LuxVue Technology Corporation | Stabilization structure including sacrificial release layer and staging bollards |
| US9166114B2 (en) | 2012-12-11 | 2015-10-20 | LuxVue Technology Corporation | Stabilization structure including sacrificial release layer and staging cavity |
| CN103022293B (zh) * | 2012-12-17 | 2016-01-27 | 江苏新广联科技股份有限公司 | 图形衬底及其制备方法 |
| US9035279B2 (en) | 2013-07-08 | 2015-05-19 | LuxVue Technology Corporation | Micro device with stabilization post |
| KR101466833B1 (ko) * | 2013-07-08 | 2014-11-28 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
| US9087764B2 (en) | 2013-07-26 | 2015-07-21 | LuxVue Technology Corporation | Adhesive wafer bonding with controlled thickness variation |
| US9153548B2 (en) | 2013-09-16 | 2015-10-06 | Lux Vue Technology Corporation | Adhesive wafer bonding with sacrificial spacers for controlled thickness variation |
| US10658546B2 (en) | 2015-01-21 | 2020-05-19 | Cree, Inc. | High efficiency LEDs and methods of manufacturing |
| CN105047768B (zh) * | 2015-06-01 | 2018-02-27 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种新型高亮pss的制备方法 |
| TWI565098B (zh) * | 2015-06-10 | 2017-01-01 | 隆達電子股份有限公司 | 發光元件 |
| TWI584496B (zh) * | 2015-08-13 | 2017-05-21 | 隆達電子股份有限公司 | 半導體發光結構 |
| CN106129206B (zh) * | 2016-07-29 | 2019-02-26 | 天津三安光电有限公司 | 具有全镜面结构的发光二极管及其制作方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9807692D0 (en) * | 1998-04-14 | 1998-06-10 | Univ Strathclyde | Optival devices |
| US6696703B2 (en) * | 1999-09-27 | 2004-02-24 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Thin film phosphor-converted light emitting diode device |
| TW513819B (en) | 2001-12-21 | 2002-12-11 | Opto Tech Corp | LED capable of increasing the brightness and the fabrication method thereof |
| TW577178B (en) * | 2002-03-04 | 2004-02-21 | United Epitaxy Co Ltd | High efficient reflective metal layer of light emitting diode |
| US6716654B2 (en) * | 2002-03-12 | 2004-04-06 | Opto Tech Corporation | Light-emitting diode with enhanced brightness and method for fabricating the same |
| TWI230473B (en) * | 2003-03-10 | 2005-04-01 | Sanken Electric Co Ltd | Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof |
| US7791061B2 (en) * | 2004-05-18 | 2010-09-07 | Cree, Inc. | External extraction light emitting diode based upon crystallographic faceted surfaces |
| TWI269467B (en) * | 2005-07-01 | 2006-12-21 | Epitech Technology Corp | Light-emitting diode |
| DE102006034847A1 (de) * | 2006-04-27 | 2007-10-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
| TWI331411B (en) * | 2006-12-29 | 2010-10-01 | Epistar Corp | High efficiency light-emitting diode and method for manufacturing the same |
| TWI349371B (en) * | 2007-02-13 | 2011-09-21 | Epistar Corp | An optoelectronical semiconductor device having a bonding structure |
| TWI371112B (en) * | 2007-10-02 | 2012-08-21 | Univ Chang Gung | Solar energy photoelectric conversion apparatus |
| JP5521478B2 (ja) * | 2008-10-22 | 2014-06-11 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子の製造方法及び窒化物半導体発光素子 |
| US7906795B2 (en) * | 2009-05-08 | 2011-03-15 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
-
2009
- 2009-01-05 TW TW098100024A patent/TWI389355B/zh not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-01-05 US US12/652,373 patent/US8299483B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9728682B2 (en) | 2015-07-06 | 2017-08-08 | Lextar Electronics Corporation | Light-emitting element and light-emitting device containing the same |
| US10043950B2 (en) | 2015-11-27 | 2018-08-07 | Lextar Electronics Corporation | Semiconductor light-emitting structure with metal layer and distributed bragg reflector and semiconductor package structure thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20100171094A1 (en) | 2010-07-08 |
| TW201027786A (en) | 2010-07-16 |
| US8299483B2 (en) | 2012-10-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI389355B (zh) | 發光半導體裝置 | |
| JP5864514B2 (ja) | 発光素子 | |
| TWI492418B (zh) | 發光裝置 | |
| US8362459B2 (en) | Light emitting device, light emitting device package, and lighting system | |
| TWI459590B (zh) | 發光裝置 | |
| KR102087933B1 (ko) | 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 어레이 | |
| KR102548428B1 (ko) | 발광 다이오드 칩들을 위한 상호접속부들 | |
| CN100362671C (zh) | 固态元件和固态元件装置 | |
| CN104201267B (zh) | 发光器件、发光器件封装以及照明系统 | |
| CN102222746B (zh) | 发光器件、发光器件封装和照明系统 | |
| US8564009B2 (en) | Vertical light emitting device | |
| CN102163674B (zh) | 发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统 | |
| EP2390928A2 (en) | Light emitting device, light emitting device package, and lighting system | |
| TWI470825B (zh) | 發光裝置及其製造方法 | |
| JP2011192999A (ja) | 発光素子 | |
| JP2011233881A (ja) | 発光素子 | |
| JP5266349B2 (ja) | 発光装置 | |
| KR101877396B1 (ko) | 발광소자 | |
| CN101777607B (zh) | 发光半导体装置 | |
| US20080303041A1 (en) | Light emitting element, manufacturing method thereof and light emitting module using the same | |
| EP2365541A2 (en) | Light emitting device, method of manufacturing the light emitting device, light emitting device package, and lighting unit | |
| CN102208509B (zh) | 发光器件、用于制造发光器件的方法以及发光器件封装 | |
| TWI604632B (zh) | 發光二極體裝置 | |
| KR20200031249A (ko) | 발광소자 및 이를 구비한 광원 모듈 | |
| CN116072787A (zh) | 发光二极管和发光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |