TWI389290B - 晶片結構及其製程、晶片堆疊結構及其製程 - Google Patents

Description

晶片結構及其製程、晶片堆疊結構及其製程

本發明是有關於一種晶片結構及其製程與晶片堆疊結構及其製程，且特別是有關於一種具有彈性接點的晶片結構及其製程與晶片堆疊結構及其製程。

在現今的資訊社會中，使用者均是追求高速度、高品質、多功能性的電子產品。就產品外觀而言，電子產品的設計是朝向輕、薄、短、小的趨勢邁進。為了達到上述目的，近來發展出一種多晶片封裝模組，也就是將多個不同功能或相同功能的晶片一併封裝於同一承載器(carrier)上，而承載器例如為基板或導線架，並透過承載器與外部電路電性連接。因此，多晶片封裝模組具有更快的傳輸速度、更短的傳輸路徑以及更佳的電氣特性，並進一步縮小晶片封裝結構的尺寸及面積，因而使得多晶片封裝技術已經普遍應用於各種電子產品之中，並成為未來的主流產品。

此外，堆疊式封裝(stacked package)結構即是利用多晶片封裝技術將多個晶片或被動元件以堆疊的方式配置於同一承載器上。於習知技術中，堆疊的方式主要是在各晶片上相同位置製作微通孔，並配合高深寬比的電鍍使導電材料填入微通孔中，之後再將晶片堆疊使各晶片的微通孔相接，以達成晶片之間的電性導通。

此外，另有一種堆疊的方式是在多層的堆疊晶片旁貼附一具有多個電極的基板，這些電極之間相互電性導通，並且每一個晶片分別與一個電極電性導通，藉此來達成晶片之間的電性導通。另外，堆疊的方式還可以是將線路連接至晶片側面與晶背，並在晶背上製作凸塊以電性連接相鄰的晶片。還有一種堆疊的方式是將線路連接至晶片側面，並在堆疊晶片的側面完成線路連接以及晶片間的電性連接。

本發明關於一種晶片結構及其製程，其具有較簡單的製程，並可進行堆疊而形成具有高可靠度的晶片堆疊結構。

本發明另關於藉由上述之晶片結構所形成之晶片堆疊結構及其製程與應用。

為具體描述本發明之內容，在此提出一種晶片結構，其具有一基層以及至少一彈性接點。基層具有一第一表面與一第二表面。彈性接點嵌入基層並且突出於基層的第一表面與第二表面之外。彈性接點具有一彈性凸塊與包覆彈性凸塊的一導電層。

為具體描述本發明之內容，在此提出一種晶片堆疊結構，其具有相互堆疊的多個晶片單元，而每一晶片單元具有一基層以及至少一彈性接點。基層具有一第一表面與一第二表面。彈性接點嵌入基層並且突出於基層的第一表面與第二表面之外。彈性接點具有一彈性凸塊與包覆彈性凸塊的一導電層。其中，相鄰兩晶片單元藉由其所具有的彈性接點相互接合。

為具體描述本發明之內容，在此提出一種晶片堆疊結構，其具有相互堆疊的多個晶片單元，而每一晶片單元具有一基層、一重佈線層以及至少一彈性接點。基層具有一第一表面與一第二表面。彈性接點嵌入基層並且突出於基層的第一表面與第二表面之外。彈性接點具有一彈性凸塊與包覆彈性凸塊的一導電層。重佈線層配置於基層的第一表面上並連接彈性接點的導電層。其中，相鄰兩晶片單元分別藉由其所具有的彈性接點或重佈線層相互接合。

為具體描述本發明之內容，在此提出一種晶片製程。首先，提供一基層，且基層具有一第一表面與一第二表面。然後，形成至少一彈性接點，且彈性接點嵌入基層並且突出於基層的第一表面與第二表面之外。彈性接點包括一彈性凸塊與包覆彈性凸塊的一第一導電層。

為具體描述本發明之內容，在此提出一種晶片堆疊結構的製程。首先，形成多個晶片單元，其中每個晶片單元的製程為如下所述。首先，提供一基層，基層具有一第一表面與一第二表面。然後，形成至少一彈性接點，而彈性接點嵌入基層並且突出於基層的第一表面與第二表面之外，且彈性接點包括一彈性凸塊與包覆彈性凸塊的一第一導電層。此時，已初步完成晶片單元，而在此之後，堆疊晶片單元並使相鄰的兩晶片單元藉由其所具有的彈性接點相互接合，以形成晶片堆疊結構。

為具體描述本發明之內容，在此提出一種晶片堆疊結構的製程。首先，形成多個晶片單元，其中每個晶片單元的製程為如下所述。首先，提供一基層，基層具有一第一表面與一第二表面。接著，在基層的第一表面上形成一重佈線層。然後，形成至少一彈性接點，而彈性接點嵌入基層並且突出於基層的第一表面與第二表面之外，且彈性接點包括一彈性凸塊與包覆彈性凸塊的一第一導電層。其中，第一導電層連接重佈線層。此時已初步完成晶片單元，而在此之後，堆疊晶片單元並使相鄰的兩晶片單元藉由其所具有的彈性接點或重佈線層相互接合，以形成晶片堆疊結構。

綜上所述，由於本發明之晶片結構的彈性接點具有彈性，因而可緩衝晶片堆疊結構在彈性接點上所產生的應力，增加晶片堆疊結構中的相鄰兩晶片相互接合的可靠度。另一方面，本發明之晶片結構於製作時不需形成習知的微通孔，因此不需要高深寬比的電鍍製程，有助於簡化製作方法並可降低製造成本。

為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

圖1為本發明一實施例之晶片結構的剖面圖。

請參照圖1，晶片結構100具有一基層110以及至少一彈性接點120。基層110具有表面112與表面114，而彈性接點120嵌入基層110並突出於基層110的表面112與表面114之外。基層110例如是積體電路(Integrated－Circuit,IC)晶片。彈性接點120具有一彈性凸塊122與包覆彈性凸塊122的一導電層124。彈性凸塊122的材料例如是高分子材料，而且彈性凸塊122的材料可以是聚醯亞胺(polyimide,PI)、聚二甲基矽氧烷(Polydimethylsioxane,PDMS)或ABF膜(Ajinomoto build－up film)。導電層124的材料例如是銅、錫、鈀或鈦。

於本實施例中，為使原先位於基層110之四周的多個銲墊(未繪示)可以特定佈局，例如面陣列的方式，重新排列於基層110上，因此晶片結構100還可具有一重佈線層130。重佈線層130配置於基層110的表面112上，並且連接彈性接點120的導電層124。而且，多個晶片結構100可堆疊成一晶片堆疊結構(未繪示)，而此晶片堆疊結構中的相鄰兩晶片結構100可藉由晶片結構100所具有的彈性接點120或是重佈線層130相互接合。另外，於本實施例中，為保護並絕緣重佈線層130，因此晶片結構100還可具有一介電層140。介電層140配置於基層110的表面112上並且覆蓋重佈線層130。介電層140具有一開口142，以暴露出該彈性接點120。介電層140的材料例如是高分子材料，而且介電層140的材料可以是聚醯亞胺、聚二甲基矽氧烷或ABF膜。另外，基於製程上的便利，介電層140與彈性凸塊122可使用相同的材料製作，而具有相同的材料組成。

在實際的應用上，本發明之晶片結構還可作為一生物晶片，其中導電層、介電層與彈性凸塊的材料分別為生物相容性材料。導電層的材料例如是金屬、氧化物或含有金屬的膠體，並可隨應用的領域而有不同的作用。例如，當晶片結構是做為治療型的生物晶片時，導電層的材料可以是順磁性奈米鐵氧體等電熱材料，而當晶片結構是做為偵測型的生物晶片時，導電層的材料可以是奈米金膠體。此外，本發明之晶片結構還可具有一感測藥物，其位於介電層所暴露的導電層表面，以與環境中的待測物質產生反應。以下將列舉晶片結構100的一種製作方法來做進一步的說明。

圖2A~圖2J以及圖2G’~2J’繪示本發明之晶片結構的製作流程。

首先，請參照圖2A，提供一基層110。另外，於本實施例中，為使原先位於基層110之四周的多個銲墊(未繪示)可以特定佈局，例如面陣列的方式，重新排列於基層110上，因此還可提供一重佈線層130。基層110具有表面112與表面114，而重佈線層130可配置於基層110的表面112上。

接著，請參照圖2B，在基層110的表面112上形成一光阻層PR，以覆蓋基層110。之後，在基層110上形成一貫穿光阻層PR的微盲孔C。此外，微盲孔C也可以是同時貫穿光阻層PR及重佈線層130。形成光阻層PR的方法例如是貼附光阻乾膜(dry film)或塗佈液態光阻。此外，形成微盲孔C的方法例如是雷射鑽孔或機械鑽孔。

然後，請參照圖2C，在光阻層PR的表面以及微盲孔C的內表面藉由例如濺鍍(sputtering)的方式形成一導電層124a’。此外，導電層124a’還可與重佈線層130電性連接。之後，請參照圖2D，藉由例如電鍍的方式增厚導電層124a’，並且如圖2E所示，藉由光阻剝落法形成導電層124a，移除光阻層PR。此時，位於光阻層PR上的導電層124a’也會隨著光阻層PR一併被移除，而留下導電層124a，此即為光阻剝落法(lift－off)。當然，本發明並不限於此，也就是還可藉由其他適當的方法形成導電層124a。

之後，請參照圖2F，在基層110的表面112上形成一介電層140’以覆蓋微盲孔C，其中形成介電層140’的方式例如是藉由壓合或是旋轉塗佈等方式提供一介電材料於基層110上。接著，請參照圖2G，對介電層140’進行圖案化以形成彈性凸塊122。另外，請參照圖2G’，為保護並絕緣重佈線層130，因此對介電層140’進行圖案化除了可以形成彈性凸塊122之外，還可以形成一覆蓋重佈線層130的介電層140，且介電層140與彈性凸塊122是分離的。若上述之介電層140’的材質具有感光性，則可藉由例如曝光、顯影等步驟來圖案化介電層140’。當然，在其他實施例中也可以選擇以雷射鑽孔或是其他適當的加工方法來圖案化介電層140’。

值得注意的是，以下的步驟同時適用於圖2H~圖2J與圖2H’~圖2J’。請參照圖2H與圖2H’，在彈性凸塊122暴露於重佈線層130與基層110之外的表面122a上形成一導電層124b，並使導電層124b與導電層124a相連接而形成包覆彈性凸塊122的導電層124。如此，形成由彈性凸塊122與包覆彈性凸塊122的導電層124所構成的彈性接點120。上述的導電層124b可以採用現有的製程技術來製作。舉例而言，可先在基層110上形成一罩幕(如圖案化光阻層)，再藉由罩幕以例如濺鍍或其他成膜技術在基層110的特定區域形成導電層124b。

接著，請參照圖2I與圖2I’，對基層110進行薄化使基層110的表面114暴露出彈性接點120，而薄化基層110的方式例如是研磨基層110。較常見的研磨技術是化學機械研磨，其主要是一種利用研磨墊(Polishing Pad)搭配化學助劑(Reagent)的輔助，以化學反應和機械式研磨的雙重加工動作，對基層110進行研磨的方式。

之後，請參照圖2J與圖2J’，進一步移除部分基層110，使彈性接點120突出於基層110的表面114之外，其中移除基層110的方法例如是反應性離子蝕刻法(Reactive Ion Etch,RIE)或其他適當的製程技術。

以上大致完成晶片結構100與晶片結構200的製作，本發明之晶片結構100、200於製作彈性接點120時是以微盲孔C取代習知之微通孔的方式製作，因此不需要高深寬比的電鍍製程，故製作方法簡易且可降低製造成本。

本發明所提出的晶片結構可進一步相互堆疊，以形成一堆疊結構。以下將列舉以多個本發明的晶片堆疊結構及其應用進行說明。

圖3為本發明之一種晶片堆疊結構的剖面圖，而圖4為本發明之另一種晶片堆疊結構的剖面圖。

請參照圖3，晶片堆疊結構300具有相互堆疊的多個晶片單元310(即為晶片結構100)，而且相鄰兩晶片單元310藉由其所具有的彈性接點120相互接合。使彈性接點120相互接合的方法可以是先將相鄰兩晶片單元310的彈性接點120互相對合並接觸，然後對彈性接點120進行例如雷射加熱、微波或超音波等加熱製程，使彈性接點120些微熔融而相互接合，以耦接相鄰兩晶片單元310。值得注意的是，晶片堆疊結構300的晶片單元310的數目可依實際情況作調整。在本實施例中為了方便說明，是以三個晶片單元310所堆疊成的晶片堆疊結構300為例。此外，請參照圖4，晶片堆疊結構400與晶片堆疊結構300相似，兩者的差異之處在於晶片堆疊結構400具有相互堆疊的多個晶片單元410(即為晶片結構200)，而且相鄰兩晶片單元410可藉由其所具有的彈性接點120或重佈線層130相互接合。

承上所述，晶片堆疊結構300中的相鄰兩晶片單元310可藉由其所具有的彈性接點120相互接合，而晶片堆疊結構400中的相鄰兩晶片單元410可藉由其所具有的彈性接點120或重佈線層130相互接合。其中，由於彈性接點120具有彈性，因此可以緩衝晶片堆疊結構300、400在彈性接點120上所產生的應力(例如是因晶片之間或晶片與接點之間熱膨脹係數不同所產生的熱應力)，進而增加晶片堆疊結構300、400中的相鄰兩晶片相互接合的可靠度。

此外，本發明所提出的晶片堆疊結構還可具有其他多種用途，例如是做為生物治療或是生物感測等用途，以下將做進一步的介紹。值得注意的是，以下是以與晶片堆疊結構300相似的堆疊結構做說明，當然，於其他實施例中，也可以是以與晶片堆疊結構400相似的堆疊結構做為生物治療或是生物感測等用途。

圖5為本發明之又一種晶片堆疊結構的剖面圖。

請參照圖5，晶片堆疊結構500是由相互耦接的晶片單元510與晶片單元520所構成，其中晶片單元520例如是前述實施例所提及的生物感測晶片或是生物治療晶片，而晶片單元510例如是無線傳輸晶片，以傳輸驅動訊號至晶片單元520或接收來自晶片單元520的感測訊號。此外，因應生物治療或感測的用途，晶片單元510與晶片單元520中的各部分構件在較佳的情況下可選用生物相容性材料來製作，例如晶片單元520的彈性凸塊522a、導電層522b以及介電層524等可分別由生物相容性材料所製成。其中，導電層522b的材料例如是金屬、氧化物或含有金屬的膠體。

若晶片堆疊結構500是做為生物感測的用途，則晶片單元510可為無線傳輸晶片，而晶片單元520可為生物感測晶片，且導電層522b的材料可以是奈米金膠體。此時，晶片單元520之彈性凸塊522a上的導電層522b可具有一感測藥物526以感測外界物質，並且可藉由晶片單元520傳遞感測訊號給晶片單元510，再以一接收器(未繪示)接收晶片單元510的感測訊號，以進行感測訊號分析。晶片單元510還可以傳輸驅動訊號至晶片單元520，以控制晶片單元520。

若晶片堆疊結構500是做為生物治療的用途，則晶片單元510可為無線傳輸晶片而晶片單元520可為生物治療晶片，且導電層522b的材料可以是順磁性奈米鐵氧體等電熱材料。此時，晶片單元520之彈性凸塊522a上的導電層522b可具有一感測藥物526，並且當感測藥物526偵測到特定的物質，例如有害的細胞(未繪示)時，可藉由晶片單元520傳遞訊號給晶片單元510，再以一接收器(未繪示)接收晶片單元510的訊號。此時，接收器可以啟動一可產生磁場的設備(未繪示)，而位於可產生磁場的設備所產生的磁場中的晶片堆疊結構500的導電層522b會受磁場影響而發熱，進而殺死有害細胞。晶片單元510還可以傳輸驅動訊號至晶片單元520，以控制晶片單元520。

綜上所述，由於本發明之晶片結構的彈性接點具有彈性，因此，當本發明之晶片堆疊結構中的相鄰兩晶片單元藉由其所具有的彈性接點相互接合或是藉由其所具有的彈性接點與重佈線層相互接合時，可藉由彈性接點以緩衝晶片堆疊結構在彈性接點上所產生的應力，進而增加晶片堆疊結構中的相鄰兩晶片單元相互接合的可靠度。而且，相較於習知形成微通孔的製作方式，本發明之晶片結構於製作彈性接點時僅需形成微盲孔，而不需要使用高深寬比的電鍍製程，故製作方法簡易且可降低製造成本。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100、200．．．晶片結構

110．．．基層

112、114、122a．．．表面

120．．．彈性接點

122、522a．．．彈性凸塊

124、124a、124a’、124b、522b．．．導電層

130．．．重佈線層

140、524．．．介電層

152．．．開口

300、400、500．．．晶片堆疊結構

310、410、510、520．．．晶片單元

526．．．感測藥物

C．．．微盲孔

PR．．．光阻層

圖1為本發明一實施例之晶片結構的剖面圖。

圖2A~圖2J以及圖2G’~2J’繪示本發明之晶片結構的製作流程。

圖3為本發明之一種晶片堆疊結構的剖面圖。

圖4為本發明之另一種晶片堆疊結構的剖面圖

圖5為本發明之又一種晶片堆疊結構的剖面圖。

110．．．基層

120．．．彈性接點

130．．．重佈線層

140．．．介電層

300．．．晶片堆疊結構

310．．．晶片單元

Claims (62)

1. 一種晶片結構，包括：一基層，具有一第一表面與一第二表面；至少一彈性接點，包括一彈性凸塊與包覆該彈性凸塊的一導電層，其中該彈性凸塊嵌入該基層並且突出於該基層的該第一表面與該第二表面之外，該導電層包覆該彈性凸塊的一頂部、一底部以及一側壁部，且一部份的該彈性接點暴露於該基層以外之環境。
2. 如申請專利範圍第1項所述之晶片結構，更包括一重佈線層，配置於該基層的該第一表面上，並且連接該彈性接點的該導電層。
3. 如申請專利範圍第2項所述之晶片結構，更包括一介電層，配置於該基層的該第一表面上並且覆蓋該重佈線層，該介電層具有一開口，以暴露出該彈性接點。
4. 如申請專利範圍第3項所述之晶片結構，其中該介電層與該彈性凸塊具有相同的材料組成。
5. 如申請專利範圍第3項所述之晶片結構，作為一生物晶片，其中該導電層、該介電層與該彈性凸塊的材料為生物相容性材料。
6. 如申請專利範圍第5項所述之晶片結構，其中該導電層的材料包括金屬、氧化物或含有金屬的膠體。
7. 如申請專利範圍第5項所述之晶片結構，其中該導電層的材料包括順磁性奈米鐵氧體或奈米金膠體。
8. 如申請專利範圍第5項所述之晶片結構，更包括一 感測藥物，其位於該介電層所暴露的該導電層表面。
9. 如申請專利範圍第3項所述之晶片結構，其中該介電層的材料包括高分子材料。
10. 如申請專利範圍第9項所述之晶片結構，其中該介電層的材料包括聚醯亞胺、聚二甲基矽氧烷或ABF膜。
11. 如申請專利範圍第1項所述之晶片結構，其中該彈性凸塊的材料包括高分子材料。
12. 如申請專利範圍第11項所述之晶片結構，其中該彈性凸塊的材料包括聚醯亞胺、聚二甲基矽氧烷或ABF膜。
13. 如申請專利範圍第1項所述之晶片結構，其中該導電層的材料包括銅、錫、鈀或鈦。
14. 一種晶片堆疊結構，包括：相互堆疊的多個晶片單元，每一晶片單元包括：一基層，具有一第一表面與一第二表面；以及至少一彈性接點，包括一彈性凸塊與包覆該彈性凸塊的一導電層，其中該彈性凸塊嵌入該基層並且突出於該基層的該第一表面與該第二表面之外，該導電層包覆該彈性凸塊的一頂部、一底部以及一側壁部，且一部份的該彈性接點暴露於該基層以外之環境，使得相鄰兩晶片單元藉由其所具有的該些彈性接點相互接合。
15. 如申請專利範圍第14項所述之晶片堆疊結構，其中每一晶片單元更包括一重佈線層，配置於該基層的該第 一表面上，並且連接該彈性接點的該導電層。
16. 如申請專利範圍第15項所述之晶片堆疊結構，其中每一晶片單元更包括一介電層，配置於該基層的該第一表面上並且覆蓋該重佈線層，該介電層具有一開口，以暴露出該彈性接點。
17. 如申請專利範圍第16項所述之晶片堆疊結構，其中該些介電層與該些彈性凸塊具有相同的材料組成。
18. 如申請專利範圍第16項所述之晶片堆疊結構，其中該些晶片單元之一為一生物晶片，且該生物晶片的該導電層、該介電層與該彈性凸塊的材料分別為生物相容性材料。
19. 如申請專利範圍第18項所述之晶片堆疊結構，其中該生物晶片的該導電層的材料包括金屬、氧化物或含有金屬的膠體。
20. 如申請專利範圍第18項所述之晶片堆疊結構，其中該生物晶片的該導電層的材料包括順磁性奈米鐵氧體或奈米金膠體。
21. 如申請專利範圍第18項所述之晶片堆疊結構，其中該生物晶片更包括一感測藥物，其位於該介電層所暴露的該導電層表面。
22. 如申請專利範圍第18項所述之晶片堆疊結構，其中該些晶片單元之另一為一無線傳輸晶片。
23. 如申請專利範圍第16項所述之晶片堆疊結構，其中該些介電層的材料包括高分子材料。
24. 如申請專利範圍第23項所述之晶片堆疊結構，其中該些介電層的材料包括聚醯亞胺、聚二甲基矽氧烷或ABF膜。
25. 如申請專利範圍第14項所述之晶片堆疊結構，其中該些彈性凸塊的材料包括高分子材料。
26. 如申請專利範圍第25項所述之晶片堆疊結構，其中該些彈性凸塊的材料包括聚醯亞胺、聚二甲基矽氧烷或ABF膜。
27. 如申請專利範圍第14項所述之晶片堆疊結構，其中該些導電層的材料包括銅、錫、鈀或鈦。
28. 一種晶片堆疊結構，包括：相互堆疊的多個晶片單元，每一晶片單元包括：一基層，具有一第一表面與一第二表面；至少一彈性接點，包括一彈性凸塊與包覆該彈性凸塊的一導電層，其中該彈性凸塊嵌入該基層並且突出於該基層的該第一表面與該第二表面之外，該導電層包覆該彈性凸塊的一頂部、一底部以及一側壁部，且一部份的該彈性接點暴露於該基層以外之環境；以及一重佈線層，配置於該基層的該第一表面上，並且連接該彈性接點的該導電層，其中相鄰兩晶片單元分別藉由其所具有的該些彈性接點或該些重佈線層相互接合。
29. 如申請專利範圍第28項所述之晶片堆疊結構，其 中每一晶片單元更包括一介電層，配置於該基層的該第一表面上並且覆蓋該重佈線層，該介電層具有一開口，以暴露出該彈性接點。
30. 如申請專利範圍第29項所述之晶片堆疊結構，其中該些介電層與該些彈性凸塊具有相同的材料組成。
31. 如申請專利範圍第29項所述之晶片堆疊結構，其中該些晶片單元之一為一生物晶片，且該生物晶片的該導電層、該介電層與該彈性凸塊的材料分別為生物相容性材料。
32. 如申請專利範圍第31項所述之晶片堆疊結構，其中該生物晶片的該導電層的材料包括金屬、氧化物或含有金屬的膠體。
33. 如申請專利範圍第31項所述之晶片堆疊結構，其中該生物晶片的該導電層的材料包括順磁性奈米鐵氧體或奈米金膠體。
34. 如申請專利範圍第31項所述之晶片堆疊結構，其中該生物晶片更包括一感測藥物，其位於該介電層所暴露的該導電層表面。
35. 如申請專利範圍第31項所述之晶片堆疊結構，其中該些晶片單元之另一為一無線傳輸晶片。
36. 如申請專利範圍第29項所述之晶片堆疊結構，其中該些介電層的材料包括高分子材料。
37. 如申請專利範圍第36項所述之晶片堆疊結構，其中該些介電層的材料包括聚醯亞胺、聚二甲基矽氧烷或 ABF膜。
38. 如申請專利範圍第28項所述之晶片堆疊結構，其中該些彈性凸塊的材料包括高分子材料。
39. 如申請專利範圍第38項所述之晶片堆疊結構，其中該些彈性凸塊的材料包括聚醯亞胺、聚二甲基矽氧烷或ABF膜。
40. 如申請專利範圍第28項所述之晶片堆疊結構，其中該些導電層的材料包括銅、錫、鈀或鈦。
41. 一種晶片製程，包括：提供一基層，該基層具有一第一表面與一第二表面；形成至少一彈性接點，該彈性接點包括一彈性凸塊與包覆該彈性凸塊的一第一導電層，其中該彈性凸塊嵌入該基層並且突出於該基層的該第一表面與該第二表面之外，該第一導電層包覆該彈性凸塊的一頂部、一底部以及一側壁部，且一部份的該彈性接點暴露於該基層以外之環境。
42. 如申請專利範圍第41項所述之晶片製程，其中形成該彈性接點的方法包括：在該基層具有該第一表面的一側形成一微盲孔；在該微盲孔的內表面形成一第二導電層；形成一彈性凸塊，該彈性凸塊位於該微盲孔中並突出於該基層的該第一表面；在該彈性凸塊暴露於該基層的該第一表面之外的表面上形成一第三導電層，其中該第三導電層與該第二導電層相連接而構成該第一導電層；以及 對該基層進行薄化，以使該彈性接點突出於該基層的該第二表面之外。
43. 如申請專利範圍第42項所述之晶片製程，其中形成該第二導電層的方法包括光阻剝落法。
44. 如申請專利範圍第42項所述之晶片製程，在形成該微盲孔之前，更包括形成一重佈線層，其中該微盲孔貫穿該重佈線層，且該重佈線層與該第二導電層電性連接。
45. 如申請專利範圍第44項所述之晶片製程，其中形成該彈性凸塊的方法包括：在該基層上形成一第一介電層，以覆蓋該微盲孔；以及對該第一介電層進行圖案化，以形成該彈性凸塊。
46. 如申請專利範圍第45項所述之晶片製程，其中對該第一介電層進行圖案化，更形成一第二介電層，且該第二介電層覆蓋該重佈線層。
47. 如申請專利範圍第42項所述之晶片製程，其中形成該彈性凸塊的方法包括：在該基層上形成一第一介電層，以覆蓋該微盲孔；以及對該第一介電層進行圖案化，以形成該彈性凸塊。
48. 如申請專利範圍第42項所述之晶片製程，其中形成該第二導電層的方法包括濺鍍或是濺鍍及電鍍。
49. 一種晶片堆疊結構的製程，包括：形成多個晶片單元，每個晶片單元的製程包括： 提供一基層，該基層具有一第一表面與一第二表面；形成至少一彈性接點，該彈性接點包括一彈性凸塊與包覆該彈性凸塊的一第一導電層，其中該彈性凸塊嵌入該基層並且突出於該基層的該第一表面與該第二表面之外，該第一導電層包覆該彈性凸塊的一頂部、一底部以及一側壁部，且一部份的該彈性接點暴露於該基層以外之環境；以及堆疊該些晶片單元，使相鄰的兩晶片單元藉由其所具有的該些彈性接點相互接合，以形成該晶片堆疊結構。
50. 如申請專利範圍第49項所述之晶片堆疊結構的製程，其中形成該彈性接點的方法包括：在該基層具有該第一表面的一側形成一微盲孔；在該微盲孔的內表面形成一第二導電層；形成一彈性凸塊，該彈性凸塊位於該微盲孔中並突出於該基層的該第一表面；在該彈性凸塊暴露於該基層的該第一表面之外的表面上形成一第三導電層，其中該第三導電層與該第二導電層相連接而構成該第一導電層；以及對該基層進行薄化，以使該彈性接點突出於該基層的該第二表面之外。
51. 如申請專利範圍第50項所述之晶片堆疊結構的製程，其中形成該第二導電層的方法包括光阻剝落法。
52. 如申請專利範圍第50項所述之堆疊結構的晶片製 程，在形成該微盲孔之前，更包括形成一重佈線層，其中該微盲孔貫穿該重佈線層，且該重佈線層與該第二導電層電性連接。
53. 如申請專利範圍第52項所述之晶片堆疊結構的製程，其中形成該彈性凸塊的方法包括：在該基層上形成一第一介電層，以覆蓋該微盲孔；以及對該第一介電層進行圖案化，以形成該彈性凸塊。
54. 如申請專利範圍第53項所述之晶片堆疊結構的製程，其中對該第一介電層進行圖案化，更包括形成一第二介電層，且該第二介電層覆蓋該重佈線層。
55. 如申請專利範圍第50項所述之晶片堆疊結構的製程，其中形成該彈性凸塊的方法包括：在該基層上形成一第一介電層，以覆蓋該微盲孔；以及對該第一介電層進行圖案化，以形成該彈性凸塊。
56. 如申請專利範圍第50項所述之晶片堆疊結構的製程，其中形成該第二導電層的方法包括濺鍍或是濺鍍及電鍍。
57. 一種晶片堆疊結構的製程，包括：形成多個晶片單元，每個晶片單元的製程包括：提供一基層，該基層具有一第一表面與一第二表面；在該基層的該第一表面上形成一重佈線層； 形成至少一彈性接點，該彈性接點包括一彈性凸塊與包覆該彈性凸塊的一第一導電層，其中該彈性凸塊嵌入該基層並且突出於該基層的該第一表面與該第二表面之外，該第一導電層包覆該彈性凸塊的一頂部、一底部以及一側壁部，一部份的該彈性接點暴露於該基層以外之環境，且該第一導電層連接該重佈線層；以及堆疊該些晶片單元，使相鄰的兩晶片單元藉由其所具有的該些彈性接點或該些重佈線層相互接合，以形成該晶片堆疊結構。
58. 如申請專利範圍第57項所述之晶片堆疊結構的製程，其中形成該彈性接點的方法包括：在該基層具有該第一表面的一側形成一貫穿該重佈線層的微盲孔；在該微盲孔的內表面形成一第二導電層，其中該第二導電層與該重佈線層連接；形成一彈性凸塊，該彈性凸塊位於該微盲孔中並突出於該基層的該第一表面；在該彈性凸塊暴露於該基層的該第一表面之外的表面上形成一第三導電層，其中該第三導電層與該第二導電層相連接而構成該第一導電層；以及對該基層進行薄化，以使該彈性接點突出於該基層的該第二表面之外。
59. 如申請專利範圍第58項所述之晶片堆疊結構的製 程，其中形成該第二導電層的方法包括光阻剝落法。
60. 如申請專利範圍第58項所述之晶片堆疊結構的製程，其中形成該彈性凸塊的方法包括：在該基層上形成一第一介電層，以覆蓋該微盲孔；以及對該第一介電層進行圖案化，以形成該彈性凸塊。
61. 如申請專利範圍第60項所述之晶片堆疊結構的製程，其中對該第一介電層進行圖案化，更包括形成一第二介電層，且該第二介電層覆蓋該重佈線層。
62. 如申請專利範圍第58項所述之晶片堆疊結構的製程，其中形成該第二導電層的方法包括濺鍍或是濺鍍及電鍍。