TWI388006B

TWI388006B - 基材之蝕刻方法

Info

Publication number: TWI388006B
Application number: TW098128994A
Authority: TW
Inventors: 張慶裕
Original assignee: 台灣積體電路製造股份有限公司
Priority date: 2008-08-29
Filing date: 2009-08-28
Publication date: 2013-03-01
Also published as: US20100055923A1; TW201030835A; CN101676799B; CN101676799A; US8349739B2

Description

基材之蝕刻方法

本發明係有關於一種蝕刻方法，且特別是有關於一種以擴散控制材料進行濕式蝕刻之方法。

為了製造積體電路，半導體製程中是以光學微影製程來圖案化各種材料層。光學微影製程包含光阻(phototresist；resist)塗佈、曝光及顯影(developing)。目前，當在含有材料層(例如金屬薄膜)的晶圓基材上形成光阻圖案時，基材可能會遭到濕式化學品蝕刻，因而需於隨後作額外的潤洗。

然而，現有的濕式化學蝕刻劑具有下列各種問題。濕式化學蝕刻不具有良好的選擇性及具有顯著的橫向蝕刻。換句話說，位於光阻圖案底下之薄膜實質上並未被光阻保護而受到蝕刻，甚或造成光阻剝落。此外，由於橫向蝕刻，光阻圖案不能適當轉移至其底下之薄膜。由於濕式化學蝕刻的速率非常快，即使稀釋蝕刻濃度或降溫，無法對蝕刻速率有良好的控制，這更惡化了橫向蝕刻的問題。濕式蝕刻具有高滲透能力，例如毛細力(capillary force)，能滲透至光阻與基材上之材料層之間的界面。這些化學滲透可能也造成光阻剝離及對於在光阻圖案底下的材料層造成預期外的蝕刻效應。

本發明提供一種基材之蝕刻方法，包括：形成一光阻圖案於該基材上；對該基材施予一化學蝕刻液體，其中該化學蝕刻液體包含一擴散控制材料；移除該化學蝕刻液體；以及移除該光阻圖案。

本發明也一種基材之蝕刻方法，包括：形成一光阻圖案於該基材上，該基材具有一高介電材料層及一位於該高介電材料層上之金屬層；對該金屬層施予一化學蝕刻液體，其中該化學蝕刻液體包含一添加劑以增加該化學蝕刻液體的黏度；移除該化學蝕刻液體；以及移除該光阻圖案。

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：

本發明接下來將會提供許多不同的實施例以實施本發明中不同的特徵。各特定實施例中的組成及配置將會在以下作描述以簡化本發明，但這些實施例並非用於限定本發明。此外，在本說明書的各種例子中可能會出現重複的元件符號以便簡化描述，但這不代表在各個實施例及/或圖示之間有何特定的關連。再者，當提到某一層在另一層“之上”或“上方”，可代表兩層之間直接接觸或中間更插有其他元件或膜層。

第1a至1c圖為一實施例中半導體結構於各種製造階段時之剖面圖。參見第1a圖，半導體結構包含半導體晶圓、第一材料層2(或“基材1”)位於第二材料層4上(或“基材2”)，且第二材料層4位於晶圓上。第一材料層2包含金屬薄膜、金屬氧化物或氧化物。第二材料層4包含氧化物、金屬氧化物、金屬或矽。在基材1上形成圖案化光阻6以圖案化第一材料層2或也一併圖案化第二材料層4。使用傳統蝕刻溶液對第一材料層進行濕式蝕刻製程，並將圖案化光阻開口內的第一材料層移除，如第1b圖所示。接著，在濕式蝕刻製程之後將光阻剝除。然而，如第1c圖所示，在剝除光阻之後可能會在光阻之側壁區域存在有機殘留物8。

第2a至2d圖為為一實施例中半導體結構於各種製造階段時之剖面圖。半導體結構包含半導體晶圓、第一材料層2(或“基材1”)位於第二材料層4上(或“基材2”)，且第二材料層4位於晶圓上。第一材料層2包含金屬薄膜、金屬氧化物或氧化物。第二材料層4包含氧化物、金屬氧化物、金屬或矽。

在基材1上形成圖案化光阻6以圖案化第一材料層2或也一併圖案化第二材料層4。使用具有擴散控制材料摻入至蝕刻溶液中的順應性蝕刻材料(溶液)12，對第一材料層進行濕式蝕刻製程，並將圖案化光阻開口內的第一材料層移除。擴散控制材料為物理性的分佈於蝕刻溶液中或化學性的附加於蝕刻劑上，其可調控用以增加蝕刻溶液的黏度及改變蝕刻溶液的化學性質以減少滲透及橫向蝕刻速率。完成蝕刻之後，可進行潤洗步驟以移除蝕刻溶液。接著，在濕式蝕刻製程之後，將圖案化光阻剝除。在此情況下，消除了在光阻剝除之後所剩餘的有機殘留物。

第3a至3c圖為另一實施例中半導體結構於各種製造階段時之剖面圖。半導體結構包含半導體晶圓、第一材料層2(或“基材1”)位於第二材料層4上(或“基材2”)，且第二材料層4位於晶圓上。第一材料層2包含金屬薄膜、金屬氧化物或氧化物。第二材料層4包含金屬、金屬氧化物、氧化物或矽。在第一材料層2上形成圖案化光阻6以圖案化第一材料層2或也一併圖案化第二材料層4。對第一材料層進行傳統濕式化學蝕刻製程以移除圖案化光阻開口內的第一材料層2。接著，在濕式化學蝕刻製程之後，將圖案化光阻剝除。然而，濕式蝕刻化學品9會滲透至第一材料層2與光阻6之間或第一材料層2與第二材料層4之間的界面，如第3c圖所示，其為第3b圖中半導體結構的一部份。在滲透區域內之第一材料層2即遭到蝕刻，同時也減弱了在此區域之光阻層的黏性。因此，光阻即會在進行濕式化學蝕刻時或於其後剝離，如第3b圖所示。在圖案化光阻層6開口之邊緣下方的第一材料層2之表面遭到破壞，光阻圖案無法適當地轉移至晶圓上。

第4a至4c圖為一實施例中半導體結構於各種製造階段時之剖面圖。半導體結構包含半導體晶圓、第一材料層2位於第二材料層4上，且第二材料層4位於晶圓上。第一材料層2包含金屬薄膜、金屬氧化物或氧化物。第二材料層4包含金屬、金屬氧化物、氧化物或矽。在第一材料層2上形成圖案化光阻6以圖案化第一材料層2或也一併圖案化第二材料層4。使用順應性蝕刻材料14，對第一材料層2進行濕式化學蝕刻製程以移除圖案化光阻6開口內的第一材料層2。順應性蝕刻材料14包含僅可短距離擴散之蝕刻化學品。因此，第一材料層2被蝕刻成具有順應輪廓，且沒有滲透至光阻圖案6與第一材料層2之間或第一材料層2與第二材料層4之間的界面，如第4b圖所示，或更可參考第4c圖，其為第4b圖中半導體結構的一部份。完成蝕刻之後，可進行潤洗步驟以移除蝕刻溶液。接著，在濕式蝕刻製程之後，將圖案化光阻移除。

第5a至5c圖為另一實施例中半導體結構於各種製造階段時之剖面圖。半導體結構包含半導體晶圓、第一材料層2位於第二材料層4上，且第二材料層4位於晶圓上。第一材料層2包含金屬薄膜、金屬氧化物或氧化物。第二材料層4包含金屬、金屬氧化物、氧化物或矽。在第一材料層2上形成圖案化光阻6以圖案化第一材料層2或也一併圖案化第二材料層4。對第一材料層進行傳統濕式化學蝕刻製程，以移除由光阻所定義出的開口之內的第一材料層2。接著，在濕式蝕刻製程之後，將圖案化光阻移除。然而，由於傳統濕式化學品具有好的流體動力(hydrodynamic flow)及高蝕刻速率，可不斷供應新鮮的化學品至橫向區域中，因而傳統濕式蝕刻化學品會滲透至基材及光阻之間的界面。因此，在光阻底下的橫向區域遭到高蝕刻速率的蝕刻，造成圖案轉移失敗，如第5b圖所示，或更可參考第5c圖，其為第5b圖中半導體結構的一部份。

第6a至6c圖為一實施例中半導體結構於各種製造階段時之剖面圖。半導體結構包含半導體晶圓、第一材料層2位於第二材料層4上，且第二材料層4位於晶圓上。第一材料層2包含金屬薄膜、金屬氧化物或氧化物。第二材料層4包含金屬、金屬氧化物、氧化物或矽。在第一材料層2上形成圖案化光阻6以圖案化第一材料層2或也一併圖案化第二材料層4。使用順應性蝕刻材料16，對第一材料層2進行濕式化學蝕刻製程以移除圖案化光阻6開口內的第一材料層2。順應性蝕刻材料14包含減緩擴散能力之蝕刻化學品。因此，第一材料層2具有順應性的蝕刻輪廓且不具有因橫向蝕刻造成的凹陷，如第6b圖所示，或更可參考第6c圖，其為第6b圖中半導體結構的一部份。完成蝕刻之後，可進行潤行步驟以移除蝕刻溶液。接著，在濕式蝕刻製程之後，將圖案化光阻剝除。在此情況下，消除了在光阻剝除之後所剩餘的有機殘留物。

在本方法中，順應性蝕刻材料是使用圖案化光阻為蝕刻罩幕以圖案化材料層。順應性蝕刻材料為以聚合物為主(polymer-based)的蝕刻劑，在蝕刻製程中具有顯著的黏度控制能力及擴散控制能力。在各種實施例中，順應性蝕刻材料包含以聚合物為主的擴散控制材料以物理性的分佈於蝕刻溶液中或以化學性的附加於蝕刻劑上，以調控順應性蝕刻材料能具有較高的黏度、立體效應(stereo effect)、離子吸引力造成的阻滯、化學鍵結於蝕刻劑造成的阻滯或表面張力以減緩蝕刻溶液的滲透及橫向蝕刻速率。

在各種實施例中，順應性蝕刻材料包含酸性聚合物。在一實施例中，酸性聚合物為具有酸性官能基的聚合物。酸性官能基可為羧酸基(carboxylic)、內酯基(lactone)、羥基(hydroxyl)或氟醇基(fluoro-alcohol)。在另一實施例中，此酸性聚合物可為具有酸性分子添加劑之聚合物。酸性分子添加劑可為光酸產生劑(photo-acid generato；PAG)、全氟辛烷磺酸鹽(PFOS)、全氟丁烷磺酸鹽(PFBS)、全氟烷磺酸分子(perfluoroalkyl sulfonate molecule)、鹽酸(HCl)、氫氟酸(HF)、硫酸(H₂ SO₄ )、硝酸(HNO₃ )或醋酸(CH₃ COOH)。在另一實施例中，順應性蝕刻材料包含具有特別的反應官能基(例如具有孤對電子的三級胺結構；N tertiary structure)的聚合物。在另一實施例中，順應性蝕刻材料包含弱酸溶液，例如二氧化碳水(CO₂ water)。在另一實施例中，順應性蝕刻材料包含巨酸溶液(bulky acid solution)，例如醋酸水(CH₃ COOH water)。在另一實施例中，順應性蝕刻材料具有大於約80dyne/cm² 之表面張力係數。

順應性蝕刻材料於各種應用中可額外包含鹽酸(HCl)/水的混合物、鹽酸(HCl)/過氧化氫/水的混合物、氫氧化銨(NH₄ OH)/過氧化氫/水的混合物、硝酸(HNO₃ )/氫氟酸(HF)/醋酸的混合物、氫氟酸(HF)/水的混合物、氫氧化四甲基銨(TMAH)/水的混合物。在另一實施例中，當對基材施予順應性蝕刻材料時或其後，可加熱晶圓或順應性蝕刻溶液。蝕刻製程的溫度約在攝氏5至120度之間。

在各種實施例中，形成在基材上及受順應性蝕刻材料蝕刻的材料層係擇自下列金屬材料組成的族群：La_x O_y 、Hf_x O_y 、Al_x O_y 、Ti_x O_y 、Ti_x N_y 、TaN、W、W_x O_y 、Ti及Al。在其他實施例中，此材料層係擇自下列無機材料所組成的族群：矽、二氧化矽、旋塗式玻璃(SOG)、磷矽玻璃(PSG)、硼矽玻璃(BSG)及硼磷矽玻璃(BPSG)。

在一實施例中，本蝕刻方法包含在金屬基材上形成光阻圖案，在光阻圖案上形成順應性蝕刻液體，移除順應性蝕刻液體及移除光阻圖案。在一實施例中，順應性蝕刻液體包含擇自下列溶劑所組成的族群：丙二醇甲基醚(PGME)、丙二醇甲基醚醋酸酯(PGMEA)、環己醇、N-甲基吡咯酮(NMP)、丙酮、丙二醇(propylene glycol)、氫氧化四甲基銨(TMAH)、二丙二醇甲基醚醋酸酯(DPGMEA)、1-胺基-異丙醇(1-amino-2-propanol)及N-(2胺基乙基)乙醇胺(N-(2-aminoethyl)ethanolamine)。順應性蝕刻溶液不能溶解光阻圖案。順應性蝕刻溶液包含氫氧化四甲基銨(TMAH)顯影劑、溶劑或去離子水。溶劑為以醇類為主的溶劑，例如異丁醇、正丁醇及甲基異丁基甲醇(MIBC)。

在一特定實施例中，本發明所述之蝕刻方法將順應性蝕刻材料應用於形成積體電路的金屬閘極堆疊，其為在基材上形成各種金屬閘極堆疊；在基材上形成高介電常數介電層；在高介電常數介電層上形成金屬閘極層；且更可在高介電常數介電層及金屬閘極層之間插入蓋層。在一實施例中，高介電常數材料包含氧化鉿(HfO₂ )。在另一實施例中，高介電常數材料包含氧化鋁(Al₂ O₃ )。或者，高介電常數材料層包含金屬氮化物、金屬矽化物或其他金屬氧化物。金屬閘極層包含氮化鈦。在另一實施例中，金屬氮化物包含氮化鉭、氮化鉬或氮化鋁鈦(titanium aluminum nitride)。蓋層可包含氧化鑭或其他合適材料。接著，使用順應性蝕刻材料對基材進行一或多次蝕刻製程，以形成圖案化金屬閘極堆疊。

雖然圖中未顯示，也可於各種摻雜區域(例如源極及汲極區)或裝置元件(例如多層內連線；MLI)形成之前或之後進行其他的製程步驟。在一實施例中，輕摻雜汲極區(LDD)為在閘極堆疊形成之後形成。閘極間隔物可形成在金屬閘極堆疊的側壁，然後，源極及汲極區可沿著間隔物的外緣處形成。更進一步的，可形成多層內連線(MLI)。多層內連線包含垂直內連線，例如傳統的通孔(vias)及接觸點(contacts)、及水平內連線，例如金屬線。可使用各種導電材料作為各種多層內連線中的元件，包含銅、鎢、矽化物。在一實施例中，使用鑲嵌製程來形成關於銅的多層內連線結構。在另一實施例中，使用鎢來形成接觸孔中的鎢插塞。半導體基材可更包含額外的隔離元件以隔離各個其他裝置。隔離元件可包含不同的結構且可使用不同的製程技術來形成。例如，隔離元件可包含淺溝槽隔離(STI)元件。

雖然本發明已詳述數個實施例如上，然任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作任意之更動與潤飾。在一實施例中，本方法可用於形成n-type金氧半導體場效電晶體(NMOSFET)。在另一實施例中，本方法可用於在前閘極製程中形成金屬閘極堆疊，其中金屬閘極堆疊係由本方法形成且留至最後的結構中。在另一實施例中，本方法可用於在混成製程中形成金屬閘極堆疊，其中第一型態的金屬閘極堆疊(例如NMOS金屬閘極堆疊)係由方法形成且留至最後的結構中，第二型態的的金屬閘極堆疊(例如PMOS金屬閘極堆疊)係形成為虛置閘極結構，以使源極/汲極離子佈植製程及退火製程得以進行。隨後，移除部分的虛置閘極堆疊並以適當的材料填補該虛置閘極堆疊中的溝槽。例如，移除PMOS區域中的多晶矽層及金屬層。接著，回填P型金屬及填充其他金屬(例如銅)以形成PMOS金屬閘極堆疊。

在另一實施例中，半導體基材可包含磊晶層。例如，基材可在基塊(bulk)半導體上具有一磊晶層。再者，基材可具有應變(strained)以增進效能。例如，磊晶層可包含不同於基塊半導體的半導體材料，例如鍺化矽層覆於基塊半導體上，或矽層覆於由包含選擇性磊晶成長(SEG)製程形成之鍺化矽基塊上。此外，基材可包含絕緣層上覆矽(SOI)結構，例如深埋介電層。或者，基材可包含深埋介電層，例如深埋氧化層，其可由例如佈植氧加以分離(separation by implantation of oxygen)技術、晶圓鍵合(wafer bonding)、選擇性磊晶成長(selective epitaxial growth；SEG)或其他合適方法形成。

圖案化光阻是由光學微影製程所形成。在此示範的光學微影製程可包含如下的製程步驟：光阻塗佈、軟烘烤、光罩對準、曝光、後曝光烘烤、光阻顯影及硬烘烤。也可使用其他方法來進行或取代光學微影曝光製程，例如無罩幕光學微影、電子束寫入、離子束寫入及分子拓印。光阻對於特定的曝光束感光(例如KrF、ArF、超紫外光(EUV)或電子束(e-beam)光)。在一實施例中，圖案化光阻包含化學強化劑(chemical amplifier；CA)以應用於0.25微米或先進技術節點。此化學強化光阻包含光酸產生劑(photoacid generator；PAG)。

本發明之各種優點可在各種不同的實施例中實現及應用。這些優點包含改善向下及橫向的蝕刻速率，且沒有化學品滲透至光阻所覆蓋的基材；以聚合物控制有效控制化學性質來控制蝕刻速率；以聚合物之混合化學品來控制酸擴散長度以減少毛細力或滲透現象；使用加熱板以使基材達到較高的溫度。此外，在烘烤製程之後，可消除聚合物殘餘物。順應性蝕刻材料可在相同的蝕刻製程及時間中針對不同目的來結合不同的化學品。

於擴散控制元素或結構之一實施例中，聚合物為用以做化學擴散控制。添加化學品至聚合物中，因此，化學品的擴散是在控制之下。在順應性蝕刻材料之另一實施例中，也可使用由具有反應性官能基聚合物形成的酸/鹼聚合物。

本發明提供一種化學擴散控制材料及使用其之蝕刻製程。化學擴散控制材料包含具有化學添加劑的聚合物、具有官能基的聚合物或大分子結構的化學品。可由旋轉塗佈或噴灑或沉積來施予化學擴散控制材料至基材。當基材在施予擴散控制材料之後，更可由燈管或加熱板進行熱製程。在蝕刻製程後，擴散控制材料可由旋轉乾燥、蒸發或液體潤洗來直接移除。潤洗液體可為溶劑、溶液或氣體。此溶液可為去離子水或光阻顯影劑。基材包含矽或額外膜層，係擇自下列組成之組群：多晶矽、氮、氧及金屬薄膜。金屬薄膜可包含氧化鑭、氧化鉿或氧化鋁。或者，也可更包含對金屬薄膜上施予化學材料之前，在金屬薄膜上形成圖案化光阻。

因此，本發明提供一種蝕刻基材之蝕刻方法。本發明包含形成光阻圖案對基材施予化學蝕刻液體，其中化學蝕刻液體包含擴散控制材料，移除化學蝕刻液體及移除光阻圖案。在此方法中，光阻圖案可擇自下列所組成之族群：KrF光阻、ArF光阻、超紫外光光阻(EUV resist)、電子束光阻(e-beam光阻)。化學蝕刻液體可包含聚合物、溶劑或添加劑至少其一。溶劑可包含無機溶劑或去離子水。添加劑可包含酸性化合物、鹼性化合物或含氮化合物至少其一。聚合物可為酸性聚合物或鹼性聚合物。

雖然本發明已以數個較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作任意之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

2．．．第一材料層

4．．．第二材料層

6．．．圖案化光阻

8．．．有機殘留物

9．．．濕式化學蝕刻劑

12、14、16．．．順應性蝕刻材料

第1a~6c圖為本發明所述之各種實施例中半導體結構於各種製造階段一系列剖面圖。

2‧‧‧第一材料層

6‧‧‧圖案化光阻

14‧‧‧順應性蝕刻材料

Claims

一種基材之蝕刻方法，包括：形成一光阻圖案於該基材上，該基材具有一高介電材料層及一位於該高介電材料層上之金屬層；對該金屬層施予一化學蝕刻液體，其中該化學蝕刻液體包含一擴散控制材料；移除該化學蝕刻液體；以及移除該光阻圖案。
如申請專利範圍第1項所述之基材之蝕刻方法，其中該擴散控制材料包含一具有化學添加劑之聚合物材料。
如申請專利範圍第1項所述之基材之蝕刻方法，其中該擴散控制材料包含一具有酸性分子添加劑之聚合物材料，該酸性添加劑係擇自下列所組成之族群：光酸產生劑(photo-acid generato；PAG)、全氟辛烷磺酸鹽(PFOS)、全氟丁烷磺酸鹽(PFBS)、全氟烷磺酸分子(perfluoroalkyl sulfonate molecule)、鹽酸(HCl)、氫氟酸(HF)、硫酸、硝酸及醋酸。
如申請專利範圍第1項所述之基材之蝕刻方法，其中該擴散控制材料包含一具有大型分子結構之聚合物材料。
如申請專利範圍第1項所述之基材之蝕刻方法，其中該擴散控制材料包含一具有官能基之聚合物材料，該官能基係擇自下列所組成之族群：羧酸基(carboxylic)、內酯基(lactone)、羥基(hydroxyl)或氟化乙醇 (fluoro-alcohol)官能基。
如申請專利範圍第1項所述之基材之蝕刻方法，其中該擴散控制材料包含一具有三級胺結構之聚合物材料，該三級胺結構含有孤對電子(electron lone pair)。
如申請專利範圍第1項所述之基材之蝕刻方法，其中該化學蝕刻液體包含二氧化碳水(CO₂ water)。
如申請專利範圍第1項所述之基材之蝕刻方法，其中該化學蝕刻液體包含一具有醋酸水(CH₃ COOH water)之巨酸(bulky acid)溶液。
如申請專利範圍第1項所述之基材之蝕刻方法，其中該擴散控制材料包含聚合物、溶劑及添加劑至少其一。
如申請專利範圍第1項所述之基材之蝕刻方法，其中該基材包含及一材料層，該材料層係擇自下列金屬材料所組成之族群：La_x O_y 、Hf_x O_y 、Al_x O_y 、Ti_x O_y 、Ti_x N_y 、TaN、W、W_x O_y 、Ti及Al或擇自下列無機材料所組成之族群：Si、SiO₂ 、Si₃ N₄ 、旋塗式玻璃(SOG)、磷矽玻璃(PSG)、硼矽玻璃(BSG)或硼磷矽玻璃(BPSG)。
如申請專利範圍第1項所述之基材之蝕刻方法，其中該光阻圖案之形成更包含在一光阻塗佈製程中加熱該基材。
如申請專利範圍第11項所述之基材之蝕刻方法，其中該基材係為加熱至約低於120℃。
如申請專利範圍第1項所述之基材之蝕刻方法，其中該光阻圖案之形成更包含在一光阻塗佈製程後加熱該基材。
如申請專利範圍第1項所述之基材之蝕刻方法，其中該化學蝕刻溶液包含一蝕刻劑，該蝕刻劑係擇自下列所組成之族群：鹽酸(HCl)/水的混合物、鹽酸(HCl)/過氧化氫/水的混合物、氫氧化銨(NH₄ OH)/過氧化氫/水的混合物、硝酸/氫氟酸(HF)/醋酸的混合物、氫氟酸(HF)/水的混合物。
一種基材之蝕刻方法，包括：形成一光阻圖案於該基材上，該基材具有一高介電材料層及一位於該高介電材料層上之金屬層；對該金屬層施予一化學蝕刻液體，其中該化學蝕刻液體包含一添加劑以增加該化學蝕刻液體的黏度；移除該化學蝕刻液體；以及移除該光阻圖案。
如申請專利範圍第15項所述之基材之蝕刻方法，其中該光阻圖案係擇自下列所組成之族群：KrF光阻、ArF光阻、超紫外光(EUV)光阻及電子束光阻。
如申請專利範圍第15項所述之基材之蝕刻方法，其中該化學蝕刻溶液包含聚合物、溶劑及添加劑至少其一。
如申請專利範圍第17項所述之基材之蝕刻方法，其中該溶劑包含有機溶劑或去離子水。
如申請專利範圍第17項所述之基材之蝕刻方法，其中該添加劑包含酸性化合物、鹼性化合物及含氮化合物至少其一。
如申請專利範圍第17項所述之基材之蝕刻方法，其中該聚合物包含酸性聚合物或含氮聚合物。