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TWI387599B - 矽烷基化合物及其製備方法以及包含該矽烷基化合物之銅箔用表面處理劑組成物 - Google Patents

矽烷基化合物及其製備方法以及包含該矽烷基化合物之銅箔用表面處理劑組成物 Download PDF

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TWI387599B
TWI387599B TW098124124A TW98124124A TWI387599B TW I387599 B TWI387599 B TW I387599B TW 098124124 A TW098124124 A TW 098124124A TW 98124124 A TW98124124 A TW 98124124A TW I387599 B TWI387599 B TW I387599B
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TW
Taiwan
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copper foil
compound
surface treatment
group
formula
Prior art date
Application number
TW098124124A
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English (en)
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TW201008952A (en
Inventor
Jong-Ho Ryu
Jong-Chan Won
Yong-Seok Kim
Hyun-Min Jung
Jin-Young Park
Original Assignee
Iljin Copper Foil Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Iljin Copper Foil Co Ltd filed Critical Iljin Copper Foil Co Ltd
Publication of TW201008952A publication Critical patent/TW201008952A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI387599B publication Critical patent/TWI387599B/zh

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    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
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    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
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Description

矽烷基化合物及其製備方法以及包含該矽烷基化合物之銅箔用表面處理劑組成物 【相關申請案】
本申請案主張優先權為2008年7月18日在韓國智財局申請的韓國專利申請號10-2008-0070080，其揭露內容在此併入本文參考。
本發明是有關於一種矽烷基(silane-based)化合物及其製備方法，以及包含此矽烷基化合物之銅箔用表面處理劑組成物，特別是有關於一種新的矽烷基化合物及其製備方法，以及包含此新的矽烷基化合物之銅箔用表面處理劑組成物。
撓性覆銅箔層壓板(flexible copper clad laminate；FCCL)為印刷電路板(printed circuit board；PCB)之一種形式，且其現今需求日漸增加。FCCL為由二或三層形成之多層薄膜，其中聚醯亞胺(polyimide)薄膜層壓在銅箔上。當印刷在FCCL上之佈線的準確性增加，蝕刻的準確性也同樣增加，因此需要降低銅箔之表面粗糙度。然而，當降低銅箔之表面粗糙度時，銅箔與基板(例如，聚醯亞胺薄膜)之間的剝離強度(peel strength)會下降。在這點上，需要提高剝離強度之手段。
用於PCB之銅箔通常使用矽烷耦合劑為銅箔之表面處理劑以進行之，用以強化銅箔與基板之間的剝離強度，其揭露於日本專利申請案1990-026097。
然而，隨著使用在PCB中之銅箔之物理性質的要求 變嚴(tight)，仍然需要具有改良之物理性質之表面處理薄膜形成於上之用於PCB的銅箔。
本發明提供一種新的矽烷基化合物(其於基板及銅箔之間提供優良的剝離強度)及其製備方法，以及包含此新的矽烷基化合物之銅箔用表面處理劑組成物。
根據本發明之一方面，提供由式1至式4表示的矽烷基化合物：
<式4>
其中R1、R2及R3可以各自獨立為C1至C3的烷基，且R4及R5可以各自獨立為氫或C1至C5的烷基。
根據本發明之另一方面，提供銅箔用表面處理劑組成物，其包含選自由式1至式4表示的矽烷基化合物所組成之族群的至少一化合物，以及溶劑。
<式4>
其中R1、R2及R3可以各自獨立為C1至C3的烷基，且R4及R5可以各自獨立為氫或C1至C5的烷基。
根據本發明之又一方面，提供選自由式1至式4表示的矽烷基化合物所組成之族群之一化合物的製備方法。此方法包含將由式5或式7表示的矽烷基化合物與選自由式6表示的化合物、琥珀酸酐(succinic anhydride)、2,3-吡啶二酸酐(2,3-pyridinedicarboxylic anhydride)及偏苯三酸酐(1,2,4-benzenetricarboxylic anhydride)所組成之族群之一化合物於-10℃至100℃的溫度反應：
<式3>
其中，R1、R2及R3可以各自獨立為C1至C3的烷基， 且R4及R5可以各自獨立為氫或C1至C5的烷基。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
以下，將根據本發明之實施例更詳細地描述矽烷基化合物及及其製備方法，以及包含此矽烷基化合物之銅箔用表面處理劑組成物。
根據本實施例，矽烷基化合物可以由式1至式4表示。
<式4>
其中R1、R2及R3可以各自獨立為C1至C3的烷基，且R4及R5可以各自獨立為氫或C1至C5的烷基。
矽烷基化合物在其一端具有矽氧烷基(siloxane group)用以與銅箔形成共價鍵，在其另一端具有咪唑基(imidazole group)和/或亞醯胺基(imide group)，其中咪唑基和/或亞醯胺具有與聚醯亞胺薄膜相似的結構，因此可以提高與聚醯亞胺薄膜的鍵結強度。所以，可以提高銅箔與聚醯亞胺薄膜之間的鍵結強度。
根據本發明另一實施例，矽烷基化合物中之R1、R2及R3各自獨立為甲基或乙基，且R4及R5可以為氫。
根據本發明另一實施例，銅箔用表面處理劑組成物可以包含選自由式1至式4表示的矽烷基化合物所組成之族群的至少一化合物，以及溶劑。
<式2>
在上面的式1至式4中，R1、R2及R3可以各自獨立為C1至C3的烷基，且R4及R5可以各自獨立為氫或C1至C5的烷基。
在被包含於表面處理劑組成物中之矽烷基化合物中，藉由與溶劑進行水解，烷氧基(alkoxy group)改變為羥基(hydroxy group)。矽烷基化合物藉由濃縮反應而彼此互相連結，且經連結之矽烷基化合物藉由與形成在銅箔上之羥基的共價鍵以固定於銅箔。
表面處理劑組成物除了矽烷基化合物之外，可以更包含本領域具有通常知識者所知的其他表面處理劑或防鏽 劑，且表面處理劑或防鏽劑沒有特定限制。
根據本發明另一實施例，矽烷基化合物之R1、R2及R3可以各自獨立為甲基或乙基，且R4及R5可以為氫。
根據本發明另一實施例，被包含於銅箔用表面處理劑組成物中之溶劑可以選自由水、甲醇、乙醇及其組合所組成之族群之一。例如，溶劑可以是藉由以1：9之體積比率混合水及酒精(甲醇或乙醇)而得到的水及酒精之混合物。
矽烷基化合物之數量的範圍可以為組成物的0.001至20重量%，可以為組成物的0.01至10重量%、0.05至5重量%，例如，0.1至2重量%。當矽烷基化合物之數量為0.001重量%或更低時，從表面處理劑得到的有機層可能無法充份地覆蓋在銅箔上，因此可能無法提高剝離強度。當矽烷基化合物之數量為20重量%或更高時，從表面處理劑得到的有機層的厚度增加，且可能覆蓋銅箔上的小節(nodules)，因此可能無法提高剝離強度。
銅箔包含經結核作用(nodulation)處理的銅箔，銅箔除了純銅箔之外，更具有形成於其上的熱阻(heat-blocking)層及防鏽層，或銅箔具有合金表面。此外，銅箔包含任何銅箔且可以對銅箔進行本領域具有通常知識者使用之一般塗覆製程。
表面處理劑組成物被限制在銅箔中使用；然而，也可以在其他金屬中使用。因此，表面處理劑組成物可以在鋅或其他合金中使用。
表面處理劑組成物可以藉由在水、酒精例如甲醇或乙 醇、酮例如丙酮、酯例如乙酸乙酯(ethylacetate)、或芳香基溶劑例如甲苯中稀釋0.001至20重量%之選自由式1至式4表示的矽烷基化合物所組成的族群之至少一而製備之。
可以在已塗覆表面處理劑組成物於上之銅箔上進一步塗覆聚醯胺酸(polyamic acid)或聚醯亞胺薄膜，因此可以製備二層或三層之撓性覆銅箔層壓板(FCCL)。可以藉由塗覆及硬化聚醯胺酸亮光漆(varnish)而得到聚醯亞胺薄膜。聚醯胺酸可以包含至少一個二酐(dianhydride)單體及至少一個二胺(diamine)單體。二酐單體及二胺單體之元素(elements)並沒有特別限制，且可以使用本領域具有通常知識者使用的其他單體。至少一個二酐單體可以選自由苯均四酸二酐(pyromellitic dianhydride)及3,3',4,4'-聯苯四甲酸二酐(3,3’,4,4’-biphenonetetrahydrocarboxylic dianhydride；BTDA)所組成之族群，且至少一個二胺單體可以選自由4,4'-二氨基二苯醚(4,4’-oxydianiline；ODA)、對苯二胺(para-phenylene diamine；PDA)及矽氧烷二胺(siloxane diamine；SD)所組成之族群。
聚醯胺酸亮光漆可以例如是PMDA/ODA混合物、BTDA/PDA混合物、BTDA/PMDA/ODA/PDA混合物或PMDA/ODA-SD混合物。
根據本發明另一實施例，由式1至式4表示的矽烷基化合物所組成之族群之一化合物的製備方法包含將由式5或式7表示的矽烷基化合物與選自由式6表示的化合物、 琥珀酸酐(succinic anhydride)、2,3-吡啶二酸酐(2,3-pyridinedicarboxylic anhydride)及偏苯三酸酐(1,2,4-benzenetricarboxylic anhydride)所組成之族群之一化合物於-10℃至100℃的溫度反應。
<式5>
其中，R1、R2及R3可以各自獨立為C1至C3的烷基，且R4及R5可以各自獨立為氫或C1至C5的烷基。
由式5表示的化合物與由式6表示的化合物在溫度約95℃反應，因此可以得到由式1表示的矽烷基化合物。由式7表示的化合物與琥珀酸酐在約-5℃至5℃的溫度反應，因此可以得到由式2表示的矽烷基化合物。由式7表示的化合物與2,3-吡啶二酸酐在約-5℃至5℃的溫度反應，因此可以得到由式3表示的矽烷基化合物。由式7表示的化合物與偏苯三酸酐在溫度約-5℃至5℃的溫度反應，因此可以得到由式4表示的矽烷基化合物。
以下，將參照下述實例更詳細描述本發明；然而，本發明並不以此為限。使用Brucker DRX-300MHz 1H-NMR 及Jasco 610 FT-IR來確認在下述實例中經合成之化合物的結構。
(矽烷基化合物(1)之合成) 實例1：化合物1之合成
根據下面的反應機制1來合成由式1表示的化合物1。
將162.68克的四氫呋喃(tetrahydrofurane)、6.259克(0.05莫耳)的3-縮水甘油醚氧丙基三甲氧基矽烷(3-glyeidoxypropyltrimethoxysilane)及11.817克(0.05莫耳)的1-(3-氨基丙基)咪唑(1-(3-aminopropyl)-imidazole)倒入(charged)反應器中並反應6小時，在氮氣氛下維持反應器之溫度為95℃，且機械攪拌器以300 rpm旋轉。在完成反應之後，使用旋轉蒸發器2小時以從生成物移除溶劑。然後，在真空烤箱中乾燥生成物24小時，因此可以得到7克(產率98%)由式1表示的化合物1。
1H NMR(300 MHz)：δ 0.62~0.68(m,1H)、1.89~1.96(m, 8H)、1.64~1.67(t,2H)、2.54~2.56(t,7H)、2.58~2.61(m,6H)、3.28~3.31(m,SiOCH3)、3.38~3.40(d,3H)、3.42~3.44(d,4H)、3.50~3.58(m,5H)、3.64(s,-NH-)、3.80(s,OH)、4.05~4.10(m,9H)、6.95(s,10H)、7.12~7.13(t,11H)、7.65(s,12H)
IR(純(neat),cm-1)：3650~3200(νOH)、3300~3200(νNH)、1120~1050(ν矽-(烷氧基))
(銅箔用表面處理劑組成物的製造) 實例2
藉由以1：9之體積比率混合水及甲醇以得到溶劑混合物，將溶劑混合物與在實例1中製備的化合物1混合，以製備具有1.0重量%之化合物1的混合溶液。
(二層FCCL的製造) 實例3
在實例2中製備的混合溶液單獨靜置60分鐘以進行水解，然後噴灑在經Cr塗覆之滾製(rolled)銅箔(IL-2，由Iljin製造)上。接著，使用塗抹器(applicator)塗覆滾製銅箔。在烤箱中於120℃乾燥30分鐘經塗覆之銅箔。
以KRICT-PAA亮光漆(BPDA：PMDA：PDA：ODA=3：7：6：4)噴灑使用表面處理劑組成物處理的銅箔，並使用刮刀(doctor blade)塗覆之。在氮氣氛下於60℃進行30分鐘、120℃進行30分鐘、250℃進 行30分鐘以及400℃進行10分鐘來硬化經塗覆之聚醯胺酸，以製備聚醯亞胺薄膜，因此，製備經聚醯亞胺薄膜塗覆於上的銅箔。在實例3中製備的銅箔以下稱為樣品1。
實例4
以在實例3中同樣的方式製備經聚醯亞胺薄膜塗覆於上的銅箔，除了使用由Jooyoung產業有限公司製造的亮光漆(產品名：JY-001)取代KRICT-PAA亮光漆。在實例4中製備的銅箔以下稱為樣品2。
實例5
以在實例3中同樣的方式製備經聚醯亞胺薄膜塗覆於上的銅箔，除了使用由Nikko材料製造的滾製銅箔(產品名：BHY-22B-T)取代經Cr塗覆之滾製銅箔(IL-2，由Iljin製造)，且由UBE有限公司製造的Upilex形式之亮光漆取代KRICT-PAA亮光漆。在實例5中製備的銅箔以下稱為樣品3。
比較性實例1
以在實例3中同樣的方式製備經聚醯亞胺薄膜塗覆於上的銅箔，除了省略使用表面處理劑組成物來處理銅箔表面的步驟。在比較性實例1中製備的銅箔以下稱為比較性樣品1。
比較性實例2
以在實例4中同樣的方式製備經聚醯亞胺薄膜塗覆於上的銅箔，除了省略使用表面處理劑組成物來處理銅箔表面的步驟。在比較性實例2中製備的銅箔以下稱為比較性樣品2。
比較性實例3
以在實例5中同樣的方式製備經聚醯亞胺薄膜塗覆於上的銅箔，除了省略使用表面處理劑組成物來處理銅箔表面的步驟。在比較性實例3中製備的銅箔以下稱為比較性樣品3。
評估實例1-1：剝離強度測試
使用ASTM D-638指定的方法量測樣品1至3及比較性樣品1至3的剝離強度。橫擔速度(cross-Head speed)為25 mm/min且樣品的寬度為5 mm。使用Instron 8516進行量測。量測的結果如下面的表1所示。
如表1所示，根據本發明之實施例，相比於沒有使用表面處理劑組成物製備之比較性樣品1至3，使用包含矽烷基化合物之表面處理劑組成物製備之樣品1至3於聚醯亞胺薄膜及銅箔之間顯示大幅增加的剝離強度。
評估實例1-2：防潮性測試
於50℃、相對濕度80%在恆溫溼器(thermo-hygrostat)HIRAYANA PC-R7中儲存樣品1至3進行7天，樣品1至3的變色(discoloration)明顯。7天後，樣品1至3的顏色沒有改變。
(矽烷基化合物(2)之合成) 實例6A：化合物2A之合成
根據下面的反應機制2合成由式2表示的化合物2A。
其中R為甲基。
將125.712克的四氫呋喃、8.9645克(0.05莫耳)的3- 氨基丙基三甲氧基矽烷(3-aminopropyltrimethoxysilane)及5.0035克(0.05莫耳)的琥珀酸酐倒入反應器中並反應6小時，在氮氣氛下維持反應器之溫度為-5℃至5℃，且機械攪拌器以300 rpm旋轉。在完成反應之後，使用旋轉蒸發器2小時以從生成物移除溶劑。然後，在真空烤箱中乾燥生成物24小時，因此可以得到13.9克(產率99%)由式2表示的化合物2A。
1H NMR(300 MHz,(CD3)2SO)：δ 0.53~0.58(m,1H)、1.42~1.45(m,2H)、2.29~2.31(d,4H)、2.38~2.43(m,5H)、2.98~3.00(m,3H)、3.40~3.46(m,SiOCH3)、8.00(s,-NH-)、12.00(s,-OH)
IR(純，cm-1)：3650~3200(νOH)、3300~3200(νNH)、1650(νCONH)、1120~1050(ν矽-(烷氧基))
實例6B：化合物2B之合成
根據下面的反應機制2合成由式2表示的化合物2B。
其中R為乙基。
將125.712克的四氫呋喃、11.0685克(0.05莫耳)的3-氨基丙基三乙氧基矽烷(3-aminopropyltriethoxysilane)及5.0035克(0.05莫耳)的琥珀酸酐倒入反應器中並反應6小時，在氮氣氛下維持反應器之溫度為-5℃至5℃，且機械攪拌器以300 rpm旋轉。在完成反應之後，使用旋轉蒸發器2小時從生成物移除溶劑。然後，在真空烤箱中乾燥生成物24小時，因此可以得到16克(產率99%)由式2表示的化合物2B。
1H NMR(300 MHz,(CD3)2SO)：δ0.58~0.60(m,1H)、1.22~1.25(m,Si-CH2)、1.60~1.63(m,2H)、2.45~2.49(m,4H)、2.51~2.54(m,5H)、3.20~3.25(m,3H)、3.83~3.87(m,Si-CH3)
IR(純，cm-1)：3650~3200(νOH)、3300~3200(νNH)、1650(νCONH)、1120~1050(ν矽-(烷氧基))
(銅箔用表面處理劑組成物的製造) 實例7至11
藉由以1：9之體積比率混合水及甲醇以得到溶劑混合物，將溶劑混合物與在實例6A中製備的化合物2A混合，以製備分別具有0.5重量%、1重量%、2重量%、3重量%及5重量%之化合物2A的混合溶液。
實例12至16
藉由以1：9之體積比率混合水及甲醇以得到溶劑混合 物，將溶劑混合物與在實例6B中製備的化合物2B混合，以製備分別具有0.5重量%、1重量%、2重量%、3重量%及5重量%之化合物2B的混合溶液。
(二層FCCL之製造) 實例17至26
在實例7至16中製備的混合溶液單獨靜置60分鐘以進行水解，然後分別噴灑在經Cr塗覆之滾製銅箔(IL-2，由Iljin製造)上。接著，使用塗抹器(C.K TRADING.Co.，模型名：CKAF-1003)塗覆滾製銅箔。在烤箱中於120℃乾燥30分鐘經塗覆之銅箔。
以由Jooyoung產業有限公司(產品名：JY-001)製造的亮光漆噴灑使用表面處理劑組成物處理的銅箔，並使用刮刀塗覆之。在氮氣氛下於60℃進行30分鐘、120℃進行30分鐘、250℃進行30分鐘以及400℃進行10分鐘來硬化經塗覆之聚醯胺酸，以製備聚醯亞胺薄膜，因此，製備經聚醯亞胺薄膜分別塗覆於上的銅箔。在實例17至26中製備的銅箔以下稱為樣品4至13。
比較性實例4
以在實例17中同樣的方式製備經聚醯亞胺薄膜塗覆於上的銅箔，除了省略使用表面處理劑組成物來處理銅箔表面的步驟。在比較性實例4中製備的銅箔以下稱為比較性樣品4。
評估實例2-1：剝離強度測試
使用ASTM D-638指定的方法量測樣品4至13及比較性樣品4的剝離強度。橫擔速度為25 mm/min且樣品的寬度為5 mm。使用Instron 8516進行量測。量測的結果如下面的表2所示。
如表2所示，根據本發明之實施例，相比於沒有使用表面處理劑組成物製備之比較性樣品4，使用包含矽烷基化合物之表面處理劑組成物製備之樣品4至13於聚醯亞胺 薄膜及銅箔之間顯示大幅增加的剝離強度。
評估實例2-2：防潮性測試
於50℃、相對濕度80%在恆溫溼器HIRAYANA PC-R7中儲存樣品4至13進行7天，樣品4至13的變色明顯。7天後，樣品4至13的顏色沒有改變。
(矽烷基化合物(3)之合成) 實例27：化合物3之合成
根據下面的反應機制3合成由式3表示的化合物3。
將125.712克的四氫呋喃、8.9645克(0.05莫耳)的3-氨基丙基三甲氧基矽烷及7.4550克(0.05莫耳)的2,3-吡啶二酸酐倒入反應器中並反應5小時，在氮氣氛下維持反應器之溫度為-5℃至5℃，且機械攪拌器以300 rpm旋轉。在完成反應之後，使用旋轉蒸發器2小時以從生成物移除溶劑。然後，在真空烤箱中乾燥生成物24小時，因此可以 得到16.4克(產率99%)由式3表示的化合物3。
1H NMR(300 MHz,(CD3)2SO)：δ0.57~0.59(t,1H)、1.62~1.80(m,2H)、3.62~3.67(m,Si-CH3)、3.85~3.87(t,3H)、7.93~7.95(t,4H)、8.56(s,NH)、8.64~8.67(d,5H)、9.09~9.11(d,6H)、13.80(s,OH)
IR(純，cm-1)：3650~3200(νOH)、3300~3200(νNH)、1650(νCONH)、1120~1050(ν矽-(烷氧基))
(銅箔用表面處理劑組成物的製造) 實例28至29
藉由以1：9之體積比率混合水及甲醇以得到溶劑混合物，將溶劑混合物與在實例27中製備的化合物3混合，以製備分別具有0.5重量%及1重量%之化合物3的混合溶液。
(二層FCCL之製造) 實例30至31
在實例28至29中製備的混合溶液單獨靜置60分鐘以進行水解，然後分別噴灑在經Cr塗覆之滾製銅箔(IL-2，由Iljin製造)上。接著，使用塗抹器塗覆銅箔。在烤箱中於120℃乾燥30分鐘經塗覆之銅箔。
以由UBE有限公司製造的Upilex形式之亮光漆(產品名：U-亮光漆-S)噴灑使用表面處理劑組成物處理的銅箔，並使用刮刀塗覆之。
在氮氣氛下於60℃進行30分鐘、120℃進行30分鐘、250℃進行30分鐘以及400℃進行10分鐘來硬化經塗覆之聚醯胺酸，以製備聚醯亞胺薄膜，因此，製備經聚醯亞胺薄膜分別塗覆於上的銅箔。在實例30至31中製備的銅箔以下稱為樣品14至15。
比較性實例5
以在實例30中同樣的方式製備經聚醯亞胺薄膜塗覆於上的銅箔，除了省略使用表面處理劑組成物來處理銅箔表面的步驟。在比較性實例5中製備的銅箔以下稱為比較性樣品5。
評估實例3-1：剝離強度測試
使用ASTM D-638指定的方法量測樣品14至15及比較性樣品5的剝離強度。橫擔速度為25 mm/min且樣品的寬度為5 mm。使用Instron 8516進行量測。量測的結果如下面的表3所示。
如表3所示，根據本發明之實施例，相比於沒有使用表面處理劑組成物製備之比較性樣品5，使用包含矽烷基化合物之表面處理劑組成物製備之樣品14至15於聚醯亞胺薄膜及銅箔之間具有大幅增加的剝離強度。
評估實例3-2：防潮性測試
於50℃、相對濕度80%在恆溫溼器HIRAYANA PC-R7中儲存樣品14至15進行7天，樣品14至15的變色明顯。7天後，樣品14至15的顏色沒有改變。
(矽烷基化合物(4)之合成) 實例32A：化合物4A之合成
根據下面的反應機制4合成由式4表示的化合物4A。
其中R為甲基。
將125.712克的四氫呋喃、8.9645克(0.05莫耳)的3-氨基丙基三甲氧基矽烷及9.6065克(0.05莫耳)的偏苯三酸酐(2,3-吡啶二酸酐)倒入反應器中並反應6小時，在氮氣氛下維持反應器之溫度為-5℃至5℃，且機械攪拌器以250 rpm旋轉。在完成反應之後，使用旋轉蒸發器1小時以從 生成物移除溶劑。然後，在真空烤箱中乾燥生成物48小時，因此可以得到18.5克(產率99%)由式4表示的化合物4A。
1H NMR(300 MHz,(CD3)2SO)：δ0.62~0.65(t,1H)、1.71~1.76(m,2H)、3.41~3.47(m,Si-CH3)、3.56~3.60(m,3H)、7.45(s,NH)
IR(純，cm-1)：3650~3200(νOH)、3300~3200(νNH)、1650(νCONH)、1120~1050(ν矽-(烷氧基))
實例32B：化合物4B之合成
根據下面的反應機制4合成由式4表示的化合物4B。
其中R為乙基。
將125.712克的四氫呋喃、8.9645克(0.05莫耳)的3-氨基丙基三乙氧基矽烷及9.6065克(0.05莫耳)的偏苯三酸酐(2,3-吡啶二酸酐)倒入反應器中並反應6小時，在氮氣氛下維持反應器之溫度為-5℃至5℃，且機械攪拌器以250 rpm旋轉。在完成反應之後，使用旋轉蒸發器1小時以從生成物移除溶劑。然後，在真空烤箱中乾燥生成物48小 時，因此可以得到20.6克(產率99%)由式4表示的化合物4B。
1H NMR(300 MHz)：δ0.71~0.73(t,1H)、1.14~1.23(m,Si-CH3)、1.71~1.74(m,2H)、3.58~3.60(t,3H)、3.79~3.86(m,Si-CH2)、8.55(s,NH)
IR(純，cm-1)：3650~3200(νOH)、3300~3200(νNH)、1650(νCONH)、1120~1050(ν矽-(烷氧基))
(銅箔用表面處理劑組成物的製造) 實例33至34
藉由以1：9之體積比率混合水及甲醇以得到溶劑混合物，將溶劑混合物與在實例32A中製備的化合物4A混合，以製備分別具有0.5重量%及1重量%之化合物4A的混合溶液。
實例35至36
藉由以1：9之體積比率混合水及甲醇以得到溶劑混合物，將溶劑混合物與在實例32B中製備的化合物4B混合，以製備分別具有0.5重量%及1重量%之化合物4B的混合溶液。
(二層FCCL的製造) 實例37至40
在實例33至36中製備的混合溶液單獨靜置60分鐘以進行水解，然後分別噴灑在經Cr塗覆之滾製銅箔(IL-2，由Iljin製造)上。接著，使用塗抹器塗覆銅箔。在烤箱中於120℃乾燥30分鐘經塗覆之銅箔。
以由Jooyoung有限公司製造的亮光漆(產品名：JY-001)噴灑使用表面處理劑組成物處理的銅箔，並使用刮刀塗覆之。
在氮氣氛下於60℃進行30分鐘、120℃進行30分鐘、250℃進行30分鐘以及400℃進行10分鐘來硬化經塗覆之聚醯胺酸，以製備聚醯亞胺薄膜，因此，製備經聚醯亞胺薄膜分別塗覆於上的銅箔。在實例37至40中製備的銅箔以下稱為樣品16至19。
比較性實例6
以在實例37中同樣的方式製備經聚醯亞胺薄膜塗覆於上的銅箔，除了省略使用表面處理劑組成物來處理銅箔表面的步驟。在比較性實例6中製備的銅箔以下稱為比較性樣品6。
評估實例4-1：剝離強度測試
使用ASTM D-638指定的方法量測樣品16至19及比較性樣品6的剝離強度。橫擔速度為25 mm/min且樣品的寬度為5 mm。使用Instron 8516進行量測。量測的結果如下面的表4所示。
如表4所示，根據本發明之實施例，相比於沒有使用表面處理劑組成物製備之比較性樣品6，使用包含矽烷基化合物之表面處理劑組成物製備之樣品16至19於聚醯亞胺薄膜及銅箔之間具有大幅增加的剝離強度。
評估實例4-2：防潮性測試
於50℃、相對濕度80%在恆溫溼器HIRAYANA PC-R7中儲存樣品16至19進行7天，樣品16至19的變色明顯。7天後，樣品16至19的顏色沒有改變。
如上所述，相比於PCB上沒有使用表面處理劑組成物或是使用包含一般矽烷基化合物之表面處理劑組成物，使用包含本發明之矽烷基化合物之銅箔用表面處理劑組成物製備的PCB具有提高的剝離強度。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離 本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (6)

  1. 一種矽烷基化合物，由式1與3表示： 其中R1、R2及R3各自獨立為C1至C3的烷基，且R4及R5各自獨立為氫或C1至C5的烷基。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之矽烷基化合物，其中R1、R2及R3各自獨立為甲基或乙基，且R4及R5為氫。
  3. 一種銅箔用表面處理劑組成物，包含選自由式1至4表示的矽烷基化合物所組成之族群的至少一化合物，以及溶劑<式1> 其中R1、R2及R3各自獨立為C1至C3的烷基，且R4及R5各自獨立為氫或C1至C5的烷基。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之銅箔用表面處理劑組成物，其中R1、R2及R3各自獨立為甲基或乙基，且R4及R5為氫。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之銅箔用表面處理劑 組成物，其中所述溶劑包含選自由水、甲醇、乙醇及其混合物所組成之族群之一。
  6. 一種選自由式1與3表示的矽烷基化合物所組成之族群之一化合物的製備方法，包含將由式5或式7表示的矽烷基化合物與選自由式6表示的化合物與2,3-吡啶二酸酐所組成之族群之一的化合物於-10℃至100℃的溫度下反應： <式6> 其中，R1、R2及R3各自獨立為C1至C3的烷基，且R4及R5各自獨立為氫或C1至C5的烷基。
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