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TWI387198B - 低雜訊放大器 - Google Patents

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TWI387198B
TWI387198B TW098119055A TW98119055A TWI387198B TW I387198 B TWI387198 B TW I387198B TW 098119055 A TW098119055 A TW 098119055A TW 98119055 A TW98119055 A TW 98119055A TW I387198 B TWI387198 B TW I387198B
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Ming Ching Kuo
Chien Nan Kuo
Shiau Wen Kao
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Ind Tech Res Inst
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Description

低雜訊放大器
本發明係有關於一種低雜訊放大器。
射頻晶片(RF chip)內的低雜訊放大器(low noise amplifier,LNA)大多針對產品定位而決定其為單端接收(single receiving)或者為雙端接收(differential receiving)。換言之，在射頻晶片製作完成後，低雜訊放大器的接收方式不是單端接收就是雙端接收。如此一來，在射頻晶片製作完成的條件下，低雜訊放大器可能無法同時支援單端與雙端這兩種接收方式。
提供一種低雜訊放大器之實施範例，其包括放大器核心電路與直流偏壓單元。放大器核心電路用以接收並處理單一輸入訊號或一對差分輸入訊號，藉以輸出一對差分輸出訊號。直流偏壓單元耦接放大器核心電路，且依據其本身的電路組態而對訊號源進行處理，藉以產生所述單一輸入訊號或所述一對差分輸入訊號。
下文特舉示範實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下，以讓上述特徵和優點能更明顯易懂。
現將詳細參考幾個示範性實施例，並在附圖中說明所述幾個示範性實施例之實例。另外，凡可能之處，在圖式及實施方式中使用相同標號的元件/構件代表相同或類似部分。
圖1繪示為一示範性實施例之低雜訊放大器100的方塊圖。請參照圖1，低雜訊放大器100包括放大器核心電路101與直流偏壓單元103。其中，放大器核心電路101用以接收並處理單一輸入訊號Vs或一對差分輸入訊號Vs+與Vs-，藉以輸出一對差分輸出訊號Vo+與Vo-(例如為一對差分電壓輸出訊號)。直流偏壓單元103耦接放大器核心電路101，且依據其本身的電路組態而對訊號源SS進行處理，藉以產生單一輸入訊號Vs(例如為單一電壓輸入訊號，但並不限制於此)或差分輸入訊號Vs+與Vs-(例如為一對差分電壓輸入訊號，但並不限制於此)。
於本示範性實施例中，放大器核心電路101與直流偏壓單元103非同時製作在晶片(未繪示，例如為射頻晶片，但並不限制於此)的內部。更清楚來說，放大器核心電路101可以製作在晶片的內部，而直流偏壓單元103可以製作在晶片的外部(例如製作在印刷電路板上)。也亦因如此，在射頻晶片製作完成後，只要針對產品定位來設計直流偏壓單元103之電路組態的話，就可以讓低雜訊放大器100的接收方式適應性地變更為單端或雙端接收。如此一來，在射頻晶片製作完成的條件下(即放大器核心電路101不變的狀態下)，低雜訊放大器100還是可以同時支援單端與雙端這兩種接收方式。
然而，在其他示範性實施例中，放大器核心電路101與直流偏壓單元103也可以同時製作在晶片的內部。換言之，直流偏壓單元103並不限於一定要製作在晶片的外部。
圖2繪示為一示範性實施例之放大器核心電路101的電路圖。請合併參照圖1與圖2，放大器核心電路101包括輸入轉導單元201、電流緩衝單元203，以及輸出負載單元。輸入轉導單元201耦接直流偏壓單元103，用以接收並處理單一輸入訊號Vs或差分輸入訊號Vs+與Vs-，藉以產生一對差分電流訊號I+與I-。電流緩衝單元203耦接輸入轉導單元201，用以接收並緩衝差分電流訊號I+與I-，藉以輸出一對緩衝過後的差分電流訊號IB +與IB -。輸出負載單元205耦接電流緩衝單元203，用以接收緩衝過後的差分電流訊號IB +與IB -，並據以輸出差分輸出訊號VO +與VO -。
更清楚來說，輸入轉導單元201包括電晶體M1 與M2 、電阻R1 與R2 ，以及電容C1 與C2 。電晶體M1 的閘極(gate)會透過電阻R1 接收偏壓VB1 ，並且透過電容C1 而耦接至電晶體M2 的源極(source)。電晶體M1 的汲極(drain)用以輸出差分電流訊號I+與I-的正電流訊號I+。電晶體M1 的源極用以接收單一輸入訊號Vs或差分輸入訊號Vs+與Vs-的正輸入訊號Vs+。
電晶體M2 的閘極會透過電阻R2 接收偏壓VB1 ，並且透過電容C2 而耦接至電晶體M1 的源極。電晶體M2 的基極(bulk)耦接電晶體M1 的源極。電晶體M2 的汲極用以輸出差分電流訊號I+與I-的負電流訊號I-。電晶體M2 的源極耦接電晶體M1 的基極，並且用以接收差分輸入訊號Vs+與Vs-的負輸入訊號Vs-或者透過直流偏壓單元103而耦接至地GND。
另外，電流緩衝單元203包括電晶體M3 與M4 、電阻R3 與R4 ，以及電容C3 與C4 。電晶體M3 的閘極會透過電阻R3 接收偏壓VB2 ，並且透過電容C3 而耦接至電晶體M4 的源極。電晶體M3 的源極耦接電晶體M1 的汲極。電晶體M3 的汲極用以輸出緩衝過後之差分電流訊號IB +與IB -的正緩衝電流訊號IB +。電晶體M4 的閘極會透過電阻R4 接收偏壓VB2 ，並且透過電容C4 而耦接至電晶體M3 的源極。電晶體M4 的源極耦接電晶體M2 的汲極。電晶體M4 的汲極用以輸出緩衝過後之差分電流訊號IB +與IB -的負緩衝電流訊號IB -。
再者，輸出負載單元205包括負載ZL1 與ZL2 。負載ZL1 的第一端耦接至系統電壓VDD ，而負載ZL1 的第二端則耦接電晶體M3 的汲極以輸出差分輸出訊號VO +與VO -的正輸出訊號VO +。負載ZL2 的第一端耦接至系統電壓VDD ，而負載ZL2 的第二端則耦接電晶體M4 的汲極以輸出差分輸出訊號VO +與VO -的負輸出訊號VO -。
於此假設欲讓低雜訊放大器100之接收方式為雙端接收的話，則直流偏壓單元103的電路組態有以下幾種選擇，但並不限制於此。
圖3繪示為一示範性實施例之直流偏壓單元103的電路圖，其可以讓低雜訊放大器100的接收方式為雙端接收。請合併參照圖1~圖3，直流偏壓單元103包括平衡非平衡轉換器(Bal ance-un balance-converter,Balun)T(例如可以為變壓器，但並不限制於此)。平衡非平衡轉換器T具有一次側(primary side)與二次側(secondary side)。平衡非平衡轉換器T之一次側的第一端用以接收訊號源SS。其中，訊號源SS例如可以是由天線所接收下來的訊號，但並不限制於此。
平衡非平衡轉換器T之一次側的第二端耦接至地GND。平衡非平衡轉換器T之二次側的第一端耦接電晶體M1 的源極，以產生差分輸入訊號Vs+與Vs-的正輸入訊號Vs+。平衡非平衡轉換器T之二次側的中心抽頭(center tap)端耦接至地GND。平衡非平衡轉換器T之二次側的第二端耦接電晶體M2 的源極，以產生差分輸入訊號Vs+與Vs-的負輸入訊號Vs-。
圖4A繪示為另一示範性實施例之直流偏壓單元103的電路圖，其同樣可以讓低雜訊放大器100的接收方式為雙端接收。請合併參照圖1、圖2與圖4A，直流偏壓單元103包括平衡非平衡轉換器T’(例如可以為變壓器或者可以參考『http://en.wikipedia.org/wiki/Balun』中所述及的各元件，但皆並不限制於此)以及電感L1 與L2 。平衡非平衡轉換器T’具有一次側與二次側。平衡非平衡轉換器T’之一次側的第一端用以接收訊號源SS。其中，訊號源SS例如可以是由天線所接收下來的訊號，但並不限制於此。
平衡非平衡轉換器T’之一次側的第二端則耦接至地GND。平衡非平衡轉換器T’之二次側的第一端耦接電晶體M1 的源極，以產生差分輸入訊號Vs+與Vs-的正輸入訊號Vs+。平衡非平衡轉換器T’之二次側的第二端耦接電晶體M2 的源極，以產生差分輸入訊號Vs+與Vs-的負輸入訊號Vs-。電感L1 的第一端耦接平衡非平衡轉換器T’之二次側的第一端，而電感L1 的第二端則耦接至地GND。電感L2 的第一端耦接平衡非平衡轉換器T’之二次側的第二端，而電感L2 的第二端則耦接至地GND。
圖4B繪示為另一示範性實施例之直流偏壓單元103的電路圖，其同樣可以讓低雜訊放大器100的接收方式為雙端接收。請合併參照圖4A與圖4B，圖4B相較於圖4A的相異之處係在於圖4B是以高阻抗元件ZH1 與ZH2 來取代電感L1 與L2 。其中，高阻抗元件ZH1 與ZH2 可以為電阻，但並不限制於此。
圖4C繪示為再另一示範性實施例之直流偏壓單元103的電路圖，其同樣可以讓低雜訊放大器100的接收方式為雙端接收。請合併參照圖4A與圖4C，圖4C相較於圖4A的相異之處係在於圖4C是以電晶體M5 與M6 來取代電感L1 與L2 。其中，電晶體M5 的閘極用以接收偏壓VB3 、電晶體M5 的汲極耦接電晶體M1 的源極，而電晶體M5 的源極則耦接至地GND。電晶體M6 的閘極用以接收偏壓VB3 、電晶體M6 的汲極耦接電晶體M2 的源極，而電晶體M6 的源極則耦接至地GND。
圖3至圖4C各別所繪示的直流偏壓單元103皆可以讓低雜訊放大器100的接收方式為雙端接收，且此時電晶體M1 及M2 被設定為共閘極放大器組態。由於電容C1 與C2 交錯耦合(cross-coupling)於電晶體M1 與M2 之間的閘極與源極，且電晶體M1 與M2 之基極又採用交錯耦合的技巧。因此，在平衡非平衡轉換器T/T’的線圈比設為1：1的條件下，輸入轉導(gm )可以被有效地放大為2*(gm +gmb )。如此一來，具有雙端接收之低雜訊電壓器100的輸入阻抗(Zin )可以看作近似於1/(gm+gmb)，且電壓增益(Av)會等於2*k*(gm +gmb )*ZL。其中，k=2*Zin /(Rs+Zin )’且在完美匹配天線阻抗(Rs=50歐姆)的條件下，其值為1；而ZL為負載ZL1 與ZL2 的阻值。
於此假設欲讓低雜訊放大器100之接收方式為單端接收的話，則直流偏壓單元103的電路組態有以下幾種選擇，但並不限制於此。
圖5A繪示為一示範性實施例之直流偏壓單元103的電路圖，其可以讓低雜訊放大器100的接收方式為單端接收。請合併參照圖1、圖2與圖5A，直流偏壓單元103包括電感L。電感L的第一端用以接收訊號源SS，並且耦接電晶體M1 的源極，而電感L的第二端則耦接至地GND以及電晶體M2 的源極。其中，訊號源SS例如可以是由天線所接收下來的訊號，但並不限制於此。
圖5B繪示為另一示範性實施例之直流偏壓單元103的電路圖，其同樣可以讓低雜訊放大器100的接收方式為單端接收。請合併參照圖1、圖2與圖5B，直流偏壓單元103包括高阻抗元件ZH1 與ZH2 以及電容C5 。高阻抗元件ZH1 的第一端耦接電晶體M1 的源極，而高阻抗元件ZH1 的第二端則耦接至地GND。高阻抗元件ZH2 的第一端耦接電晶體M2 的源極，而高阻抗元件ZH2 的第二端則耦接至地GND。電容C5 與高阻抗元件ZH2 相互並接在一起。其中，高阻抗元件ZH1 與ZH2 可以為電阻，但並不限制於此。
圖5C繪示為另一示範性實施例之直流偏壓單元103的電路圖，其同樣可以讓低雜訊放大器100的接收方式為單端接收。請合併參照圖1、圖2與圖5C，直流偏壓單元103包括電晶體M5 與M6 以及電容C5 。電晶體M5 的閘極用以接收偏壓VB3 ，電晶體M5 的汲極耦接電晶體M1 的源極，而電晶體M5 的源極則耦接至地GND。電晶體M6 的閘極用以接收偏壓VB3 ，電晶體M6 的汲極耦接電晶體M2 的源極，而電晶體M6 的源極則耦接至地GND。電容C5 的第一端耦接電晶體M2 的源極，而電容C5 的第二端則耦接至地GND。
圖5A至圖5C各別所繪示的直流偏壓單元103皆可以讓低雜訊放大器100的接收方式為單端接收，且此時電晶體M1 及M2 分別被設定為共閘極放大器組態以及共源極放大器組態。由於電晶體M1 與M2 之基極採用交錯耦合的技巧。因此，輸入轉導(gm )可以被有效地放大為(gm +gmb )，藉以實現轉導放大的效果。如此一來，具有單端接收之低雜訊電壓器100的輸入阻抗(Zin )同樣可以看作近似於1/(gm +gmb )，且電壓增益(Av)同樣會等於2*k*(gm +gmb )*ZL。
據此，無論低雜訊放大器100的接收方式為單端或者雙端接收，其輸入阻抗(Zin )與電壓增益(Av)都不會改變。因此，低雜訊放大器100可以在不更動放大器核心電路101的前提下，藉由改變直流偏壓單元103的電路組態，即可致使低雜訊放大器100可以同時支援單端與雙端這兩種接收方式。
除此之外，低雜訊放大器100可以根據不同的產品定位需求，例如：高性能或低成本、高整合(單系統晶片，SoC)或整合度較低(射頻傳收機)的產品開發，而適應性地改變直流偏壓單元103的電路組態，藉以讓低雜訊放大器100的接收方式可以適應性變更為單端或雙端接收。
雖然已以多個實施例揭露如上，然其並非用以限定本實施範例，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本實施範例之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本實施範例之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100．．．低雜訊放大器
101．．．放大器核心電路
103．．．直流偏壓單元
201．．．輸入轉導單元
203．．．電流緩衝單元
205．．．輸出負載單元
T、T’．．．平衡非平衡轉換器
Vs．．．單一輸入訊號
Vs+、Vs-．．．差分輸入訊號
Vo+、Vo-．．．差分輸出訊號
I+、I-．．．差分電流訊號
IB +、IB -．．．緩衝過後的差分電流訊號
M1 ~M5 ．．．電晶體
R1 ~R5 ．．．電阻
C1 ~C5 ．．．電容
L、L1 、L2 ‧‧‧電感
ZL1 、ZL2 ‧‧‧負載
ZH1 、ZH2 ‧‧‧高阻抗元件
GND‧‧‧地
VB1 、VB2 、VB3 ‧‧‧偏壓
SS‧‧‧訊號源
VDD ‧‧‧系統電壓
圖1繪示為一示範性實施例之低雜訊放大器100的方塊圖。
圖2繪示為一示範性實施例之放大器核心電路101的電路圖。
圖3~圖4C分別繪示為一示範性實施例之直流偏壓單元103的電路圖，其可以讓低雜訊放大器100的接收方式為雙端接收。
圖5A~圖5C分別繪示為另一示範性實施例之直流偏壓單元103的電路圖，其可以讓低雜訊放大器100的接收方式為單端接收。
100．．．低雜訊放大器
101．．．放大器核心電路
103．．．直流偏壓單元
SS．．．訊號源
Vs．．．單一輸入訊號
Vs+、Vs-．．．差分輸入訊號
Vo+、Vo-．．．差分輸出訊號
GND．．．地

Claims (34)

  1. 一種低雜訊放大器，包括：一放大器核心電路，用以接收並處理單一輸入訊號或一對差分輸入訊號，藉以輸出一對差分輸出訊號；以及一直流偏壓單元，耦接該放大器核心電路，且依據其本身的電路組態而對一訊號源進行處理，藉以產生該單一輸入訊號或該一對差分輸入訊號，其中，該直流偏壓單元包括：一平衡非平衡轉換器，具有一一次側與一二次側，該一次側的第一端用以接收該訊號源，該一次側的第二端耦接至地，而該二次側則用以產生該一對差分輸入訊號；一第一電感，其第一端耦接該二次側的第一端，而其第二端則耦接至地；以及一第二電感，其第一端耦接該二次側的第二端，而其第二端則耦接至地。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之低雜訊放大器，其中該放大器核心電路包括：一輸入轉導單元，耦接該直流偏壓單元，用以接收並處理該單一輸入訊號或該一對差分輸入訊號，藉以產生一對差分電流訊號；一電流緩衝單元，耦接該輸入轉導單元，用以接收並緩衝該一對差分電流訊號，藉以輸出一對緩衝過後的差分電流訊號；以及一輸出負載單元，耦接該電流緩衝單元，用以接收該 一對緩衝過後的差分電流訊號，並據以輸出該一對差分輸出訊號。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之低雜訊放大器，其中該輸入轉導單元包括：一第一電晶體，其閘極用以接收一第一偏壓，其汲極用以輸出該一對差分電流訊號之一第一電流訊號，而其源極則用以接收該單一輸入訊號或該一對差分輸入訊號之一第一輸入訊號；以及一第二電晶體，其閘極用以接收該第一偏壓，其基極耦接該第一電晶體的源極，其汲極用以輸出該一對差分電流訊號之一第二電流訊號，而其源極則耦接該第一電晶體的基極並用以接收該一對差分輸入訊號之一第二輸入訊號或者透過該直流偏壓單元而耦接至地。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之低雜訊放大器，其中該輸入轉導單元更包括：一第一電阻，其第一端用以接收該第一偏壓，而其第二端則耦接該第一電晶體的閘極；一第一電容，其第一端耦接該第一電晶體的閘極，而其第二端則耦接該第二電晶體的源極；一第二電阻，其第一端用以接收該第一偏壓，而其第二端則耦接該第二電晶體的閘極；以及一第二電容，其第一端耦接該第二電晶體的閘極，而其第二端則耦接該第一電晶體的源極。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之低雜訊放大器，其中該電流緩衝單元包括： 一第三電晶體，其閘極用以接收一第二偏壓，其源極耦接該第一電晶體的汲極，而其汲極則用以輸出該一對緩衝過後的差分電流訊號之一第一緩衝電流訊號；以及一第四電晶體，其閘極用以接收該第二偏壓，其源極耦接該第二電晶體的汲極，而其汲極則用以輸出該一對緩衝過後的差分電流訊號之一第二緩衝電流訊號。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之低雜訊放大器，其中該電流緩衝單元更包括：一第三電阻，其第一端用以接收該第二偏壓，而其第二端則耦接該第三電晶體的閘極；一第三電容，其第一端耦接該第三電晶體的閘極，而其第二端則耦接該第四電晶體的源極；一第四電阻，其第一端用以接收該第二偏壓，而其第二端則耦接該第四電晶體的閘極；以及一第四電容，其第一端耦接該第四電晶體的閘極，而其第二端則耦接該第三電晶體的源極。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之低雜訊放大器，其中該輸出負載單元包括：一第一負載，其第一端耦接至一系統電壓，而其第二端則耦接該第三電晶體的汲極以輸出該一對差分輸出訊號之一第一輸出訊號；以及一第二負載，其第一端耦接至該系統電壓，而其第二端則耦接該第四電晶體的汲極以輸出該一對差分輸出訊號之一第二輸出訊號。
  8. 如申請專利範圍第3項所述之低雜訊放大器，其中該 二次側的第一端耦接該第一電晶體的源極以產生該第一輸入訊號，該二次側的中心抽頭端耦接至地，而該二次側的第二端耦接該第二電晶體的源極以產生該第二輸入訊號。
  9. 如申請專利範圍第3項所述之低雜訊放大器，其中該二次側的第一端耦接該第一電晶體的源極以產生該第一輸入訊號，而該二次側的第二端則耦接該第二電晶體的源極以產生該第二輸入訊號。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之低雜訊放大器，其中該第一電感被一第一高阻抗元件取代，而該第二電感被一第二高阻抗元件取代，其中，該第一高阻抗元件的第一端耦接該二次側的第一端，而該第一高阻抗元件的第二端則耦接至地，其中，該第二高阻抗元件的第一端耦接該二次側的第二端，而該第二高阻抗元件的第二端則耦接至地。
  11. 如申請專利範圍第3項所述之低雜訊放大器，其中該第一電感被一第五電晶體取代，而該第二電感被一第六電晶體取代，其中，該第五電晶體的閘極用以接收一第三偏壓，該第五電晶體的汲極耦接該第一電晶體的源極，而該第五電晶體的源極則耦接至地，其中，該第六電晶體的閘極用以接收該第三偏壓，該第六電晶體的汲極耦接該第二電晶體的源極，而該第六電晶體的源極則耦接至地。
  12. 如申請專利範圍第3項所述之低雜訊放大器，其中該平衡非平衡轉換器與該第二電感被省略，且該第一電感的 第一端改為用以接收該訊號源並耦接該第一電晶體的源極，而該一電感的第二端則維持耦接至地。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之低雜訊放大器，其中該第一電感的第二端更耦接至該第二電晶體的源極。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之低雜訊放大器，其中該單一輸入訊號為一單一電壓輸入訊號。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之低雜訊放大器，其中該一對差分輸入訊號為一對差分電壓輸入訊號。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之低雜訊放大器，其中該放大器核心電路為製作在一晶片的內部，而該直流偏壓單元為製作在該晶片的內部與外部其中之一。
  17. 一種低雜訊放大器，包括：一放大器核心電路，用以接收並處理一對差分輸入訊號，藉以輸出一對差分輸出訊號；以及一直流偏壓單元，耦接該放大器核心電路，且依據其本身的電路組態而對一訊號源進行處理，藉以產生該一對差分輸入訊號，其中，該直流偏壓單元包括：一第一高阻抗元件，其第一端接收該訊號源以提供該一對差分輸入訊號之一第一輸入訊號，而其第二端則耦接至地；一第二高阻抗元件，其第一端用以提供該一對差分輸入訊號之一第二輸入訊號，而其第二端則耦接至地；以及 一第一電容，其與該第二高阻抗元件相互並接在一起。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之低雜訊放大器，其中該放大器核心電路包括：一輸入轉導單元，耦接該直流偏壓單元，用以接收並處理該一對差分輸入訊號，藉以產生一對差分電流訊號；一電流緩衝單元，耦接該輸入轉導單元，用以接收並緩衝該一對差分電流訊號，藉以輸出一對緩衝過後的差分電流訊號；以及一輸出負載單元，耦接該電流緩衝單元，用以接收該一對緩衝過後的差分電流訊號，並據以輸出該一對差分輸出訊號。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之低雜訊放大器，其中該輸入轉導單元包括：一第一電晶體，其閘極用以接收一第一偏壓，其汲極用以輸出該一對差分電流訊號之一第一電流訊號，而其源極則用以接收該一對差分輸入訊號之該第一輸入訊號；以及一第二電晶體，其閘極用以接收該第一偏壓，其基極耦接該第一電晶體的源極，其汲極用以輸出該一對差分電流訊號之一第二電流訊號，而其源極則耦接該第一電晶體的基極並用以接收該一對差分輸入訊號之該第二輸入訊號。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之低雜訊放大器，其中該輸入轉導單元更包括：一第一電阻，其第一端用以接收該第一偏壓，而其第二端則耦接該第一電晶體的閘極； 一第二電容，其第一端耦接該第一電晶體的閘極，而其第二端則耦接該第二電晶體的源極；一第二電阻，其第一端用以接收該第一偏壓，而其第二端則耦接該第二電晶體的閘極；以及一第三電容，其第一端耦接該第二電晶體的閘極，而其第二端則耦接該第一電晶體的源極。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之低雜訊放大器，其中該電流緩衝單元包括：一第三電晶體，其閘極用以接收一第二偏壓，其源極耦接該第一電晶體的汲極，而其汲極則用以輸出該一對緩衝過後的差分電流訊號之一第一緩衝電流訊號；以及一第四電晶體，其閘極用以接收該第二偏壓，其源極耦接該第二電晶體的汲極，而其汲極則用以輸出該一對緩衝過後的差分電流訊號之一第二緩衝電流訊號。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之低雜訊放大器，其中該電流緩衝單元更包括：一第三電阻，其第一端用以接收該第二偏壓，而其第二端則耦接該第三電晶體的閘極；一第四電容，其第一端耦接該第三電晶體的閘極，而其第二端則耦接該第四電晶體的源極；一第四電阻，其第一端用以接收該第二偏壓，而其第二端則耦接該第四電晶體的閘極；以及一第五電容，其第一端耦接該第四電晶體的閘極，而其第二端則耦接該第三電晶體的源極。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之低雜訊放大器，其中 該輸出負載單元包括：一第一負載，其第一端耦接至一系統電壓，而其第二端則耦接該第三電晶體的汲極以輸出該一對差分輸出訊號之一第一輸出訊號；以及一第二負載，其第一端耦接至該系統電壓，而其第二端則耦接該第四電晶體的汲極以輸出該一對差分輸出訊號之一第二輸出訊號。
  24. 如申請專利範圍第17項所述之低雜訊放大器，其中該一對差分輸入訊號為一對差分電壓輸入訊號。
  25. 如申請專利範圍第17項所述之低雜訊放大器，其中該放大器核心電路為製作在一晶片的內部，而該直流偏壓單元為製作在該晶片的內部與外部其中之一。
  26. 一種低雜訊放大器，包括：一放大器核心電路，用以接收並處理一對差分輸入訊號，藉以輸出一對差分輸出訊號；以及一直流偏壓單元，耦接該放大器核心電路，且依據其本身的電路組態而對一訊號源進行處理，藉以產生該一對差分輸入訊號，其中，該直流偏壓單元包括：一第一電晶體，其閘極用以接收一第一偏壓，其汲極接收該訊號源以提供該一對差分輸入訊號之一第一輸入訊號，而其源極則耦接至地；一第二電晶體，其閘極用以接收該第一偏壓，其汲極用以提供該一對差分輸入訊號之一第二輸入訊號，而其源極則耦接至地；以及 一第一電容，其第一端耦接該第二電晶體的汲極，而其第二端則耦接至地。
  27. 如申請專利範圍第26項所述之低雜訊放大器，其中該放大器核心電路包括：一輸入轉導單元，耦接該直流偏壓單元，用以接收並處理該一對差分輸入訊號，藉以產生一對差分電流訊號；一電流緩衝單元，耦接該輸入轉導單元，用以接收並緩衝該一對差分電流訊號，藉以輸出一對緩衝過後的差分電流訊號；以及一輸出負載單元，耦接該電流緩衝單元，用以接收該一對緩衝過後的差分電流訊號，並據以輸出該一對差分輸出訊號。
  28. 如申請專利範圍第27項所述之低雜訊放大器，其中該輸入轉導單元包括：一第三電晶體，其閘極用以接收一第二偏壓，其汲極用以輸出該一對差分電流訊號之一第一電流訊號，而其源極則用以接收該一對差分輸入訊號之該第一輸入訊號；以及一第四電晶體，其閘極用以接收該第二偏壓，其基極耦接該第三電晶體的源極，其汲極用以輸出該一對差分電流訊號之一第二電流訊號，而其源極則耦接該第三電晶體的基極並用以接收該一對差分輸入訊號之該第二輸入訊號。
  29. 如申請專利範圍第28項所述之低雜訊放大器，其中該輸入轉導單元更包括：一第一電阻，其第一端用以接收該第二偏壓，而其第二端則耦接該第三電晶體的閘極； 一第二電容，其第一端耦接該第三電晶體的閘極，而其第二端則耦接該第四電晶體的源極；一第二電阻，其第一端用以接收該第二偏壓，而其第二端則耦接該第四電晶體的閘極；以及一第三電容，其第一端耦接該第四電晶體的閘極，而其第二端則耦接該第三電晶體的源極。
  30. 如申請專利範圍第29項所述之低雜訊放大器，其中該電流緩衝單元包括：一第五電晶體，其閘極用以接收一第三偏壓，其源極耦接該第三電晶體的汲極，而其汲極則用以輸出該一對緩衝過後的差分電流訊號之一第一緩衝電流訊號；以及一第六電晶體，其閘極用以接收該第三偏壓，其源極耦接該第四電晶體的汲極，而其汲極則用以輸出該一對緩衝過後的差分電流訊號之一第二緩衝電流訊號。
  31. 如申請專利範圍第30項所述之低雜訊放大器，其中該電流緩衝單元更包括：一第三電阻，其第一端用以接收該第三偏壓，而其第二端則耦接該第五電晶體的閘極；一第四電容，其第一端耦接該第五電晶體的閘極，而其第二端則耦接該第六電晶體的源極；一第四電阻，其第一端用以接收該第三偏壓，而其第二端則耦接該第六電晶體的閘極；以及一第五電容，其第一端耦接該第六電晶體的源極，而其第二端則耦接該第五電晶體的源極。
  32. 如申請專利範圍第31項所述之低雜訊放大器，其中 該輸出負載單元包括：一第一負載，其第一端耦接至一系統電壓，而其第二端則耦接該第五電晶體的汲極以輸出該一對差分輸出訊號之一第一輸出訊號；以及一第二負載，其第一端耦接至該系統電壓，而其第二端則耦接該第六電晶體的汲極以輸出該一對差分輸出訊號之一第二輸出訊號。
  33. 如申請專利範圍第26項所述之低雜訊放大器，其中該一對差分輸入訊號為一對差分電壓輸入訊號。
  34. 如申請專利範圍第26項所述之低雜訊放大器，其中該放大器核心電路為製作在一晶片的內部，而該直流偏壓單元為製作在該晶片的內部與外部其中之一。
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