TWI385272B - 氣體分佈板及其裝置 - Google Patents
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Description
本發明係有關一種氣體供應技術，尤其是指一種可提供至少兩種反應氣體之一種氣體分佈板及其裝置。
隨著鍍膜製程的進步，在化學(CVD)氣相沉積的鍍膜過程中，為了能夠均勻的將氣體噴灑到腔室中，氣體分佈模組(gas distribution module)扮演了重要的角色。
一般氣體分佈模組的設計方式如圖一所示，在一腔室10之中設有一載台11，該載台11可用來承載並加熱欲加工之基板12，腔室10在對應基板12處設有一進氣管道100，進氣管道100與一氣體分佈模組13相連接，氣體分佈模組13一般是在一金屬平板或圓形板上鑽許多對稱孔洞，其目的是為了使氣體(圖中未示出)由進氣管道100通入腔室10之後，能經由氣體分佈模組13均勻噴灑到腔室中而附著於基板12上。然而前述設計在實施時之均勻度一般而言並不佳，為了改善此一缺失，則於進氣管道100與氣體分佈模組13之間增加緩衝區14的方式，將一開始進入的氣體先經緩衝區14穩定後，再經由氣體分佈模組13均勻出氣，如圖二所示。
由於前述方式都是在低流量的情況下，然而一旦鍍膜製程使用高流量氣體時，單純使用一層緩衝區14與氣體分佈模組13是不夠的，因進氣面積是固定，流量快則氣體速度就會變快，造成氣體分佈模組13中間部分氣體之速度較快，而兩側的速度慢，如圖三所示，所以氣體會累積在基板12中間的位置，導致氣體的均勻度變差。
美國專利第US. Pat. No. 6921437號係揭露一種氣體分佈模組，於該模組設計中，先趨氣體會預先混合，因此無法適用於先趨氣體不可預先混合之製程，且由於使用複雜之管路配置，因此製造困難且成本昂貴。
美國專利第US. Pat. No. 6478872號則揭露一種將氣體輸送至反應室的方法以及用於輸送氣體之噴灑頭，於該模組設計中，氣體混合後之均勻度尚可，但構造複雜且製造成本昂貴。
美國公開專利申請第US. Pub. No. 2007/0163440號則揭露一種分離式之氣體噴灑頭，於該模組設計中雖然氣體分佈均勻度尚可且先趨氣體不會預先混合，但該氣體噴灑頭之複雜配置仍使得製造困難且成本昂貴。
另外，美國專利US. Pat. No. 6148761也揭露一種可以提供兩種反應氣體的一種氣體分佈裝置，其係在分佈板上設置兩種氣體通道，第一種氣體通道係直接貫通分佈板，另一種氣體通道則是在分佈板內設置水平氣體通道，並在水平氣體通道之一側設置複數個與水平氣體通道相連接之子氣體通道。藉由上述兩種氣體通道以提供兩種以上之氣體。
本發明提供一種氣體分佈板及其裝置，其係具有可導引至少兩種氣體之獨立氣體通道，以將該氣體導引至反應腔室(process chamber)內，以輔助反應腔室內之製程反應。
本發明提供一種氣體分佈裝置，其係具有錐形開孔與獨立之氣體通道相連接，使得獨立之氣體藉由錐形開孔而減緩流速，而得以在進入腔室後進行反應之前因擴散而混合均勻，以改善製程反應之效果。
在一實施例中，本發明提供一種氣體分佈板，包括：一板體，中央部位具有一凹槽；一第一通道，其一端與該凹槽相連通，另一端貫穿該板體；一錐形開孔，該錐形開孔係與該第一通道相連通；以及至少一第二通道，其係開設於該板體上與該錐形開孔相連通。
在另一實施例中，本發明更提供一種氣體分佈裝置，包括：一氣體導引部，其係提供導引一第一氣體；一氣體分佈板，其係與該氣體導引部相連接，該氣體分佈板具有：一板體，中央部位具有一凹槽；複數個第一通道，每一個第一通道之一端與該凹槽相連通，另一端貫穿該板體，每一個第一通道係與該氣體導引部相連通，以接收該第一氣體，其中每一個第一通道一側更具有至少一第二通道以提供導引一第二氣體；以及複數個錐形開孔，每一個錐形開孔係與該每一個第一通道以及每一第一通道一側所具有之至少一第二通道相連通。
在另一實施例中，本發明更提供一種氣體分佈板，包括：一板體，中央部位具有一凹槽，該板體具有一第一表面與一第二表面；一第一通道，其係貫通該板體之凹槽，該第一通道於該第二表面上更具有一第一錐形開孔；一第二通道，其係開設於該板體內，該第二通道之中心軸係與該第一表面平行；以及一第三通道，其係開設於該板體上之第二表面上而與該第二通道相連通，該第三通道於該第二表面上更具有一第二錐形開孔。
在另一實施例中，本發明更提供一種氣體分佈裝置，包括：一氣體導引部，其係提供導引一第一氣體；一氣體分佈板，其係與該氣體導引部相連接，該氣體分佈板具有：一板體，中央部位具有一凹槽，該板體具有一第一表面與一第二表面；複數個第一通道，其係貫通該板體之凹槽，每一第一通道於該第二表面上更具有一第一錐形開孔，該第一通道係導引一第二氣體；以及複數個第二通道，其係開設於該板體內，每一第二通道之中心軸係與該第一表面平行，每一第二通道上更具有複數個開設於該板體上之第二表面之第三通道，每一第三通道於該第二表面上更具有一第二錐形開孔，該第二通道係導引該第一氣體。
為使 貴審查委員能對本發明之特徵、目的及功能有更進一步的認知與瞭解，下文特將本發明之裝置的相關細部結構以及設計的理念原由進行說明，以使得 審查委員可以了解本發明之特點，詳細說明陳述如下：請參閱圖四A與圖四B所示，其中圖四A係為本發明之氣體分佈板第一實施例俯視示意圖；圖四B係為圖四A之AA剖面示意圖。該氣體分佈板20包括有一板體200、複數個第一通道201、複數個錐形開孔202，以及複數個第二通道203。每一個第一通道201前端為直孔，後端連接對應的錐形開孔202。該板體200，其係具有一第一表面2000以及一第二表面2001。該板體200中央部位設置有一凹槽2002，其係可使用機械加工方式將該板體200加工形成該凹槽2002或者是使用焊接的方式利用其他板體焊在板體200的周圍以形成該凹槽。該凹槽2002之側壁上開設有供氣通道2003。該供氣通道2003之開設位置並無一定之限制，在本實施例中，係為在該凹槽2002之兩側壁上分別開設一供氣通道2003。而對於每一側壁而言，該供氣通道2003之數量並不以一個為限，亦可以根據需要開設兩個以上之供氣通道。
每一個第一通道201係貫通該凹槽2002之底面以及該第二表面2001，使得第一通道201之一端與該凹槽2002相連通。每一個第一通道201之一側係開設有該至少一第二通道203。該第二通道203之數量並不以一個為限，在本實施例中，該第二通道203之數量係為六個，其係環設於該第一通道201中錐形開孔202之周圍，每一個第二通道203一端與第一通道201相連通，另一端與凹槽2002相連通。如圖五A與圖五B所示，該圖係分別為第二通道與第一通道設置關係示意圖。在圖五A中，該第二通道203之中心軸90係與該第一通道201之中心軸91平行，而在圖五B中，該第二通道203之中心軸90係與該第一通道201之中心軸91成一夾角θ。
請參閱圖六所示，該圖係為本發明之氣體分佈裝置第一實施例示意圖。該氣體分佈裝置2係以圖四A之氣體分佈板為主要的氣體分佈機制，來導引兩種相互獨立之氣體。在本實施例中，該氣體分佈裝置2係設置於一反應腔室3上，該反應腔室3係為化學氣相沉積(chemical vapor deposition,CVD)之製程腔室或者是物理氣相沉積(physical vapor deposition,PVD)之反應腔室，或者是蝕刻製程之腔室，但不以此為限。反應腔室3內具有一承載台30，其係提供承載一基材31，例如：矽基材或者是玻璃等，但不以此為限。該氣體分佈裝置2包括有一氣體導引部21以及一氣體分佈板20。該氣體導引部21係與該氣體分佈板20相連接，該氣體導引部21更與一第一氣體供應源22相偶接以將該第一氣體供應源22所提供之第一氣體導引至該氣體分佈板20。該氣體導引部21具有一第一板體210、一第二板體211以及一第三板體212。該第一板體210係設置於該板體200之第一表面2000上。
如圖七A與圖七B所示，該圖係分別為第一板體俯視以及AA剖面示意圖。該第一板體210之一上端面中央部位上開設有一第一槽體2100，而在下端面上具有與該第一槽體2100相連通之複數個凸管2101，每一個凸管2101之另一端係與對應之該第一通道201相連通。該第二板體211上具有一供氣通孔2110與該第一氣體供應源22相連接，該供氣通孔2110係提供該第一氣體通過。該第三板體212，其係設置於該第一板體210與第二板體211之間，該第三板體212於中央部位具有一第二槽體2120，該第二槽體2120底面上開設有複數個與該第一槽體2100相連通之通孔2121。在另一實施例中，如圖八所示，其係省略該第三板體，而將該第二板體211直接蓋設於該第一板體210上。再回到圖六所示，該氣體分佈板20，其係與圖四A之結構相同，該氣體分佈板20之第二表面2001係與該反應腔室3相連接，該氣體分佈板20上之凹槽2002側壁之供氣通道2003係與一第二氣體供應源23相連接，以接收由該第二氣體供應源23所提供之第二氣體。
另外，如圖七C所示，該圖係為本發明之第一板體另一實施例示意圖。有別於圖七B之第一板體210與凸管2101一體成形的結構或者是利用焊接的方式固定，而在圖七C的實施例中，第一板體210a係包括有一平板2100a以及複數個凸管2101a，該平板2100a上除了開設第一槽體2102a之外，並於該第一槽體2102a上開設複數個通孔2103a。該複數個凸管2101a則分別組裝於該複數個通孔2103a上。至於組裝的方式可以利用螺牙或者是緊密配合的方式來實施，並無一定之限制。如此當有些凸管有損壞時則可以直接單獨更換，增加了該第一板體的使用壽命，也降低維修保養的成本。
接下來，說明該氣體分佈裝置2之動作。如圖六所示，當該第一氣體供應源22與該第二氣體供應源23提供該第一氣體以及該第二氣體進入該氣體分佈裝置2時，該第二氣體係藉由該供氣通道2003而進入凹槽2002。由於該凹槽2002係與第二通道203相連通，因此該第二氣體係經由該凹槽2002流入該第二通道203內。另一方面，該第一氣體經過第二板體211上之供氣通孔2110而進入該第三板體212之第二槽體2120。由於該第二槽體2120底面開設有與該第一槽體2100相連通的通孔2121，其係可以將進入該第二槽體2120內之第一氣體均勻的分佈，使該第一氣體可以均勻的流入該第一槽體2100內，再經過與第一通道210相連接的凸管2101而流入該第一通道201。
請參閱圖九所示，該圖係為第一氣體與第二氣體進入氣體分佈板示意圖。當第一氣體92經由凸管2101進入第一通道201而進入錐形開孔202時，氣體離開板體200所形成之氣幕920的範圍會隨著噴出的距離越來越大。這是因為錐形開孔202的突然擴大區域，使得第一氣體92之速度減緩進而讓第一氣體92可以提早產生擴散的現象。此時，第二氣體93經由第二通道203噴出到錐形開孔202的氣幕930可以與擴散的第一氣體的氣幕920接觸，而在靠近板體20的區域與第一氣體的氣幕920相互混合，使得第一氣體91與第二氣體93能夠早期混合而使得氣體在進入腔室3後可以均勻混合，以提昇在反應腔室3內反應的效果。若無該錐形開孔202的設置，因為第一氣體與第二氣體具有速度，因此必然噴出至離板體20一段距離之後，才會產生擴散而相互混合，如此便會降低後來製程反應的效果。因此，本實施例藉由錐形開孔202的設置，使得第一氣體與第二氣體能夠在恰當之距離及產生混合，而增加反應之效果。
請參閱圖十A與圖十B所示，該圖係為本發明之氣體分佈板第二實施例俯視與DD剖面示意圖。該氣體分佈板40具有一板體400，複數個第一通道401、複數個第二通道402以及複數個第三通道403。該板體400具有一第一表面4000以及一第二表面4001，板體400之第一表面4000之中央部位上開設有一凹槽4002。該凹槽4002係可使用機械加工方式將板體400中央部位加工形成或者是使用焊接的方式利用其他板體焊在板體400的周圍以形成該凹槽4002。凹槽4002的外圍開設有一溝槽4003，以提供放置氣密元件。該複數個第一通道401，其係開設於該凹槽4002內且貫通該凹槽4002以及該第二表面4001，在每一個第一通道401靠近第二表面4001之一端開設有一第一錐形開孔4010。該複數個第二通道402，其係開設於該板體40內部，每一個第二通道402與第一供氣通道405相互垂直。
在每一個第二通道402上，開設有複數個第三通道403，每一個第三通道403係由第二表面4001開設而與該第二通道402相連通。該第三通道403於該第二表面4001上更具有一第二錐形開孔404。此外，在該凹槽4002之壁面與該板體40側邊之間的區域沿著Y軸方向更開設有至少一第一供氣通道405，每一個第一供氣通道405於第一表面4000上具有一開口4050，而延伸至該板體40內而與該第二通道402相連通。在該凹槽之壁面與該板體40側邊之間的區域沿著X軸方向更開設有至少一第二供氣通道406，每一個第二供氣通道406係由板體40之第三側面4004與第四側面4005開口，而延伸至該板體40內，再由凹槽4002之側壁開口與該凹槽4002內部空間相連通。前述之第一供氣通道405以及第二供氣通道406之數目並無特定限制，使用者可以根據需要而有不同之數量，並不以本發明之圖示實施例為限。此外，開設之位置亦無特定之限制，也不以本發明之實施例為限制。
請參閱圖十一所示，該圖係為本發明之氣體分佈裝置第二實施例示意圖。該氣體分佈裝置係以圖十A之氣體分佈板為主要的氣體分佈機制，來導引相互獨立之氣體。在本實施例中，該氣體分佈裝置4係設置於一反應腔室3之上，其特徵係如同前所述，在此不作贅述。該氣體分佈裝置4包括有一氣體導引部41以及一氣體分佈板40。該氣體導引部41係與該氣體分佈板40相連接，該氣體導引部41更與一第一氣體供應源42相偶接以將該第一氣體供應源所提供之第一氣體導引至該氣體分佈板40。該氣體導引部41具有一第一板體410以及一第二板體411。其中，如圖十二A與圖十二B所示，該圖係分別為該第一板體410俯視以及BB剖面示意圖。該第一板體410係蓋設於該氣體分佈板40之第一表面4000上，該第一板體410之中央部位上開設有一第一槽體4100，其係可使用機械加工方式加工形成槽體或者是使用焊接的方式形成槽體。該第一槽體4100其兩側側壁上開設有與該至少一第一供氣通道405相連通之至少一導引通道4101，本實施例中，第一板體410的兩側分別具有三個導引通道4101，其數量不以本實施例為限。為了增加氣密度，再該第一槽體4100之外圍更開設有溝槽4102，以提供設置氣密元件。該第一供氣通道405係由該第一槽體4100側壁開口而延伸至該第一板體410內部，進而由該第一板體410之底面開口而與對應之第一供氣通道405相連通。另外，該第二板體411，其係蓋設於該第一板體410之上表面上，該第二板體411上具有一供氣通孔4110與該第一槽體4100相連通，該供氣通孔4110係提供該第一氣體通過。
再回到圖十A以及圖十一所示，其中該供氣通孔4110係與一第一氣體供應源42相連接，以將該第一氣體供應源42所提供之第一氣體導引至該第一槽體4100內，再經由該導引通道4101進入該第一供氣通道405，而由該第二通道402以及該第三通道403流入之該反應腔室內。由於該第一板體410的配置，使得氣體可以先經由第一板體410內的第一槽體4100先均勻擴散，再經由導引通道410進入板體400內的第二通道402再一次均勻與擴散，再分別進而由第三通道403進入反應腔室3內。該第二氣體供應源43，其係與開設於該板體40側面之第二供氣通道406相連接，以提供該第二氣體。該第二氣體經由該第二供氣通道406進入板體40內之凹槽4002，而直接由第一通道401流入至該反應腔室3內。藉由本氣體分佈裝置4可以提供兩種獨立氣體進入腔室3內，再相互混合以完成製程所須之氣體供應。如圖十三A與圖十三B所示，該圖係分別為第一氣體與第二氣體在有無錐形開孔之條件下之氣體混合狀態示意圖。在圖十三A中，係為本發明具有錐形開孔404與4010的氣體流道，由於具有錐形開孔404與4010的特徵，使得通道內的氣體得以降低流速而產生擴散現象，使得第一氣體92與第二氣體93可以快速且均勻混合。至於圖十三B所示，其係為沒有錐形開口時的氣體狀態，由於沒有錐形開口，第一氣體92與第二氣體93以高速噴出時，會在離板體40比較遠的位置處才會有因為速度減緩而產生擴散相互混合的現象。
惟以上所述者，僅為本發明之實施例，當不能以之限制本發明範圍。即大凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化及修飾，仍將不失本發明之要義所在，亦不脫離本發明之精神和範圍，故都應視為本發明的進一步實施狀況。
10．．．腔體
11．．．載台
12．．．基板
13．．．氣體噴灑模組
14．．．緩衝區
2．．．氣體分佈裝置
20．．．氣體分佈板
200．．．板體
2000．．．第一表面
2001．．．第二表面
2002．．．凹槽
2003．．．供氣通道
201．．．第一通道
202．．．錐形開孔
203．．．第二通道
21．．．氣體導引部
210．．．第一板體
2100．．．第一槽體
2101．．．凸管
210a．．．第一板體
2100a．．．平板
2101a．．．凸管
2102a．．．槽體
2103a．．．通孔
210a．．．第一板體
2100a．．．平板
2101a．．．凸管
2102a．．．第一槽體
2103a．．．通孔2103a
211．．．第二板體
2110．．．供氣通孔
212．．．第三板體
2120．．．第二槽體
2121．．．通孔
22．．．第一氣體供應源
23．．．第二氣體供應源
3．．．反應腔室
30．．．承載台
31．．．基材
4．．．氣體分佈裝置
40．．．氣體分佈板
400．．．板體
4000．．．第一表面
4001．．．第二表面
4002．．．凹槽
4003．．．溝槽
4004．．．第三側面
4005．．．第四側面
401．．．第一通道
4010．．．第一錐形開孔
402．．．第二通道
403．．．第三通道
404．．．第二錐形開孔
405．．．第一供氣通道
406．．．第二供氣通道
41．．．氣體導引部
410．．．第一板體
4100．．．第一槽體
4101．．．導引通道
411．．．第二板體
4110．．．供氣通孔
4102．．．溝槽
42．．．第一氣體供應源
43．．．第二氣體供應源
90、91．．．中心軸
92．．．第一氣體
920．．．氣幕
93．．．第二氣體
930．．．氣幕
圖一至圖三係為習用之氣體分佈裝置以及動作示意圖。
圖四A係為本發明之氣體分佈板第一實施例俯視示意圖。
圖四B係為圖四A之AA剖面示意圖。
圖五A與圖五B係分別為第二通道與第一通道設置關係示意圖。
圖六係為本發明之氣體分佈裝置第一實施例示意圖。
圖七A與圖七B係分別為第一板體俯視以及AA剖面示意圖。
圖七C係為第一板體之另一實施例示意圖。
圖八係為利用圖四A之氣體分佈板所形成之氣體分佈裝置另一實施例剖面示意圖。
圖九係為第一氣體與第二氣體進入氣體分佈板示意圖。
圖十A與圖十B係為本發明之氣體分佈板第二實施例俯視與DD剖面示意圖。
圖十一係為本發明之氣體分佈裝置第二實施例示意圖。
圖十二A與圖十二B係分別為該第一板體俯視以及剖面示意圖。
圖十三A與圖十三B係分別為第一氣體與第二氣體在有無錐形開孔之條件下之氣體混合狀態示意圖。
20．．．氣體分佈板
200．．．板體
2000．．．第一表面
2002．．．凹槽
2003．．．供氣通道
201．．．第一通道
202．．．錐形開孔
203．．．第二通道
Claims (28)
- 一種氣體分佈板，包括：一板體，中央部位具有一凹槽；一第一通道，其一端與該凹槽相連通，另一端貫穿該板體；一錐形開孔，該錐形開孔係與該第一通道相連通；以及至少一第二通道，其係開設於該板體上與該錐形開孔相連通。
- 如申請專利範圍第1項所述之氣體分佈板，其中該至少一第二通道係環設在該第一通道之周圍。
- 如申請專利範圍第1項所述之氣體分佈板，其中該第二通道之中心軸係與該第一通道之中心軸平行。
- 如申請專利範圍第1項所述之氣體分佈板，其中該第二通道之中心軸係與該第一通道之中心軸成一夾角。
- 如申請專利範圍第1項所述之氣體分佈板，其中該凹槽係使用機械加工方式將板體中央部位加工形成凹槽或者是使用焊接的方式形成該凹槽。
- 如申請專利範圍第5項所述之氣體分佈板，其中該凹槽之一側更具有至少一供氣通道。
- 如申請專利範圍第1項所述之氣體分佈板，其中該第一通道與該板體為一體成型或者是該第一通道利用螺接或緊密配合的方式連接於該板體上。
- 一種氣體分佈裝置，包括：一氣體導引部，其係提供導引一第一氣體；一氣體分佈板，其係與該氣體導引部相連接，該氣體分佈板具有：一板體，中央部位具有一凹槽；複數個第一通道，每一個第一通道之一端與該凹槽相連通，另一端貫穿該板體，每一個第一通道係與該氣體導引部相連通，以接收該第一氣體，其中每一個第一通道一側更具有至少一第二通道以提供導引一第二氣體；以及複數個錐形開孔，每一個錐形開孔係與該每一個第一通道以及每一第一通道一側所具有之至少一第二通道相連通。
- 如申請專利範圍第8項所述之氣體分佈裝置，其中該凹槽係使用機械加工方式將板體中央部位加工形成凹槽或者是使用焊接的方式形成該凹槽。
- 如申請專利範圍第9項所述之氣體分佈裝置，其中該凹槽之一側更具有至少一供氣通道，以提供該第二氣體進入該凹槽。
- 如申請專利範圍第8項所述之氣體分佈裝置，其中該至少一第二通道係環設在該第一通道之周圍。
- 如申請專利範圍第8項所述之氣體分佈裝置，其中該第二通道之中心軸係與該第一通道之中心軸平行。
- 如申請專利範圍第8項所述之氣體分佈裝置，其中該第二通道之中心軸係與該第一通道之中心軸成一夾角。
- 如申請專利範圍第8項所述之氣體分佈裝置，其中該氣體導引部更具有：一第一板體，其係設置於該板體之第一表面上，該第一板體之一側面上開設有一第一槽體，而在另一側面上具有與該第一槽體相連通之複數個凸管，每一個凸管之一端係與對應之該第一通道相連通；以及一第二板體，其係蓋設於該第一板體上，該第二板體上具有一供氣通孔與該第一槽體相連通，該供氣通孔係提供該第一氣體通過。
- 如申請專利範圍第14項所述之氣體分佈裝置，其係更具有設置於該第一板體與該第二板體之間之一第三板體，該第三板體具有一第二槽體，該第二槽體底面上開設有複數個與該第一槽體相連通之通孔。
- 如申請專利範圍第8項所述之氣體分佈裝置，其中該第二表面更偶接有一反應腔室。
- 如申請專利範圍第14項所述之氣體分佈裝置，其中該第一板體與該複數個凸管利用螺接或緊密配合的方式連接於該板體上。
- 如申請專利範圍第16項所述之氣體分佈裝置，其中該第二氣體係經由該凹槽流入該第二通道內。
- 一種氣體分佈板，包括：一板體，中央部位具有一凹槽，該板體具有一第一表面與一第二表面；一第一通道，其係貫通該板體之凹槽，該第一通道於該第二表面上更具有一第一錐形開孔；一第二通道，其係開設於該板體內，該第二通道之中心軸係與該第一表面平行；以及一第三通道，其係開設於該板體上之第二表面上而與該第二通道相連通，該第三通道於該第二表面上更具有一第二錐形開孔。
- 如申請專利範圍第19項所述之氣體分佈板，其中該凹槽係使用機械加工方式將板體中央部位加工形成凹槽或者是使用焊接的方式形成該凹槽。
- 如申請專利範圍第20項所述之氣體分佈板，其中該凹槽之壁面與該板體側邊之間的區域更開設有至少一供氣通道與該第二通道相連通。
- 一種氣體分佈裝置，包括：一氣體導引部，其係提供導引一第一氣體；一氣體分佈板，其係與該氣體導引部相連接，該氣體分佈板具有：一板體，中央部位具有一凹槽，該板體具有一第一表面與一第二表面；複數個第一通道，其係貫通該板體之凹槽，每一第一通道於該第二表面上更具有一第一錐形開孔，該第一通道係導引一第二氣體；以及複數個第二通道，其係開設於該板體內，每一第二通道之中心軸係與該第一表面平行，每一第二通道上更具有複數個開設於該板體上之第二表面之第三通道，每一第三通道於該第二表面上更具有一第二錐形開孔，該第二通道係導引該第一氣體。
- 如申請專利範圍第22項所述之氣體分佈裝置，其中該凹槽係使用機械加工方式將板體中央部位加工形成凹槽或者是使用焊接的方式形成該凹槽。
- 如申請專利範圍第23項所述之氣體分佈裝置，其中該凹槽之壁面與該板體側邊之間的區域更開設有至少一第一供氣通道與該第二通道相連通。
- 如申請專利範圍第24項所述之氣體分佈裝置，其中該氣體導引部更具有：一第一板體，其係設置於該板體之第一表面上，該第一板體之一側面上開設有一第一槽體，該第一槽體之側壁上開設有至少一導引通道，其係分別與該至少一第一供氣通道相連通；以及一第二板體，其係蓋設於該第一板體上，該第二板體上具有一供氣通孔與該第一槽體相連通，該供氣通孔係提供該第一氣體通過。
- 如申請專利範圍第25項所述之氣體分佈裝置，其中該凹槽之一側更具有至少一第二供氣通道，以提供該第二氣體進入該凹槽。
- 如申請專利範圍第22項所述之氣體分佈裝置，其中該第二表面更偶接有一反應腔室。
- 如申請專利範圍第27項所述之氣體分佈裝置，其中該第二氣體經由該第二供氣通道進入板體內之凹槽，而直接由第一通道流入至該反應腔室內。
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