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TWI383204B - 多顯示域垂直配向型之液晶顯示面板及其製造方法 - Google Patents

多顯示域垂直配向型之液晶顯示面板及其製造方法 Download PDF

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TWI383204B
TWI383204B TW097125966A TW97125966A TWI383204B TW I383204 B TWI383204 B TW I383204B TW 097125966 A TW097125966 A TW 097125966A TW 97125966 A TW97125966 A TW 97125966A TW I383204 B TWI383204 B TW I383204B
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TW097125966A
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TW200905303A (en
Inventor
Rui-Bo Lu
Seung-Hee Lee
Shin-Tson Wu
Wang Yang Li
Chung Kuang Wei
Original Assignee
Chi Mei Optoelectronics Corp
Univ Central Florida Res Found
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Publication of TW200905303A publication Critical patent/TW200905303A/zh
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Description

多顯示域垂直配向型之液晶顯示面板及其製造方法
本發明是有關於一穿透式多顯示域垂直配向型之液晶顯示面板，且特別是有關於一種設備、裝置、系統及方法，能用以產生具有廣視角之多顯示域垂直配向型之液晶顯示面板，及其製造方法。
對於大螢幕之液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)而言，通常得同時具有以下之特性：高對比、快速響應時間、廣視角、以及茁越的色彩表現，如低色偏及良好的角度相依色彩均勻度。垂直配向(Vertical Alignment,VA)技術係為LCD電視之主流技術之一，且係廣泛地為人們所研究與發展。正常黑架構之垂直配向型之LCD，於垂直入射角度下，係展現出極佳的對比值。而有關於反應時間之議題，則可藉由過驅動技術(overdrive and undershoot)而得以改善，此技術係由S.T.Wu所提出，並記載於後述之文獻中：“Nematic liquid crystal modulator with response time less than 100 μs at room temperature”,Appl.Phys.Lett.,Vol.57,p.986,(1990)。
為了達到廣視角之目的，係特別需要利用外部電場來形成多顯示域之垂直配向(Multi-domain Vertical Alignment,MVA)。於目前之實作中，係使用位於裝置基板 上的突起(protrusion)及狹縫(slit)，來架構具有四個顯示域及八個顯示域的垂直配向型液晶。於最佳化補償薄膜的協助下，典型之MVA-LCD能在±80度之視線光錐(cone)處，達到100:1之對比值，如Q. Hog等人於後述文獻中所描敘："Extraordinarily-high-contrast and wide-view liquid crystal displays", Appl. Phys. Lett., vol. 86, p.121107 (2005)。此時，相較於共面轉換(In-Plane Switching, IPS)之模式，垂直配向型模式於色偏及角度色彩均勻度上，所呈現之色彩表現係略為遜色，其原因為垂直配向型模式經常於大斜度之視角上呈現明顯的全色階(gamut)曲線失真，如H. C. Jin等人於後述文獻中所描敘："Development of 100-in. TFT-LCDs for HDTV and public-information-display applications", Journal of the SID, vol. 15, p.277 (2007)。
為了改善垂直配向型之LCD之伽瑪曲線，許多方法係被提出。從面板驅動的角度來看，LCD伽瑪曲線動態校正之方案係記載於後述之美國專利中：Y.C. Chen等人於2001年所取得之美國專利案號No. 6,256,010 B1、以及H. Pan等人於2007年所取得之美國專利案號No. 7,164,284 B2。然而，上述之方案對於斜視角上改善伽瑪曲線之有效性，係無法使人確信的。從面板設計的角度來看，電容耦合(Capacitive Coupled, CC)之方法係揭露於H. S. Kim等人於2007年所獲准之美國專利案號No. 7,158,201 B2；再者，有關藉由兩個薄膜電晶體來產生八顯示域之方案，則 係發表於後述之文獻中：S. S. Kim in SID'05 Symposium Digest, p.1842-1847、以及C. C. Liu et al in Int'1 Display Workshops, p.625-626 (2006)。雖然前述方法能夠改善相對的角度相依之伽瑪曲線，但卻增加了電路之複雜度。而且，當使用了兩個薄膜電晶體於一個單元之畫素時，卻會增加製造成本、提高裝置的消耗功率。
根據本發明之其一方面，提出一種設備、裝置、系統及方法，用於具有不同畫素區之垂直配向型液晶顯示器，而能於穿透模式中呈現不同的臨界電壓。
根據本發明之另一方面，提出一種創新之設備、裝置、系統，用於具有不同畫素區之垂直配向型液晶顯示器，以於穿透模式中形成多顯示域之液晶分佈。
根據本發明之另一方面，提出一種創新之設備、裝置、系統，用於垂直配向型穿透式液晶顯示器之結構，且呈現輕微的角度相依之伽瑪曲線失真。
根據本發明之另一方面，提出一種創新之設備、裝置、系統，用於具有簡易裝置結構與無配向(rubbing-free)製程之穿透式液晶顯示器，以於大量生產下提高良率。
於第一實施例中，提出一種液晶顯示面板，包括下列之元件。第一基板具有一形成於其上之一彩色濾光片。塗佈層具有一厚度，且形成於彩色濾光片與設置於塗佈層上之一共同電極。第二基板具有一絕緣層，絕緣層位於面向 第一基板之一內表面上。畫素電極形成於絕緣層上。多個共同及畫素顯示域導向係形成於共同電極與畫素電極上。多個電子屏障係位於共同電極或畫素電極之其一，以分割對應之共同電極及畫素電極之一為至少二不同區域。液晶層係以垂直配向，並夾置於第一及第二基板。顯示面板還包括一驅動電路，驅動電路係與共同電極與畫素電極連接，用以提供一電壓至共同電極與畫素電極，來產生一電場於第一基板及第二基板之間，並控制液晶分子之一配向(orientation)，此配向係對應至共同及顯示域導向與電子屏障之一定位，以形成一多顯示域垂直配向型之液晶顯示面板。此些顯示域導向係為形成於共同電極及畫素電極之突起或狹縫，以劃分共同電極為至少二共同電極，並劃分畫素電極為至少二畫素電極，以形成多顯示域垂直配向型液晶之架構。
於一實施例中，此多個顯示域導向包括位於共同電極之共同電極顯示域導向、以及位於畫素電極之畫素電極顯示域導向，並位於液晶顯示面板之各畫素區中。共同顯示域導向係位於畫素顯示域導向之一側及上方。於另一實施例中，共同顯示域導向係位在畫素顯示域導向之一側及上方，且電子屏障係位在畫素顯示域導向之相反之一側及上方，並劃分共同電極為一第一、第二、及一第三共同電極，以形成具有八個顯示域之多顯示域液晶顯示面板。於再一實施例中，共同顯示域導向係位在畫素顯示域導向之一側及上方，且電子屏障係位在畫素顯示域導向之相反之一側 及上方，並劃分共同電極為一第一及一第二共同電極，以形成於各畫素區上具有六個顯示域之多顯示域液晶顯示面板。於代替之實施例中，共同顯示域導向包括一第一及一第二共同顯示域導向，位於畫素顯示域導向之相反側，並劃分共同電極為三個共同電極。一畫素電子屏障係位於共同顯示域導向之其一之下方，並覆蓋畫素顯示域導向並鄰近於畫素電極，來形成單一畫素電極於共同導向之其一之下方，以形成於各畫素區上具有八個顯示域之多顯示域液晶顯示面板。
為讓本發明之上述內容能更明顯易懂，下文特舉一些較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
於詳細說明本發明所揭露之實施例之前，需知本發明係非限定於為說明所顯示特定之安排而為之應用，本發明係適用於其它之實施方式。再者，此處所使用之字詞係以說明目的所用，並非用以限制本發明。
請參照主要元件符號說明之段落，以識別本發明之各元件於說明書及圖式中之符號及其編號。
本發明提出一穿透式垂直配向型液晶顯示器(Vertically Aligned Liquid Crystal Display, VA LCD)之裝置結構，用以產生多個顯示域以提高可視角，且特別能夠改良角度相依之伽瑪曲線，而能增加色彩表現性能。本發明 所提出之液晶顯示器係可應用於與無磨擦(rubbing-free)及簡易之製程，較佳地，係使用具有負介電性(Δε<0)之液晶材料。
請參照第1A及1B圖，第1A圖繪示為依照本發明之一實施例之具有顯示域導向突起之MVA LCD之平面圖，第1B圖繪示乃第1A圖中沿著A-A'線段之剖面圖。如第1A及1B圖所示，MVA LCD面板之各單元畫素100包括一下基板110、一上基板130及夾置於其間之一液晶層150。下基板110包括具有多個薄膜電晶體(Thin Film Transistor, TFT)112之一透明基板122、多條掃描線114、多條資料線116、一閘極絕緣層124、一保護層126、以及製成於透明基板122之一內表面上的多個畫素電極128。各TFT 112係設置於單元畫素區100之一之內，且係連接至對應之掃描線114與資料線116，如第1A圖所示。第1B圖之閘極絕緣層124係形成以覆蓋掃描線114，保護層126係生成以覆蓋資料線116，並位於透明基板122之上，透明基板122係可為一透明玻璃。
閘極絕緣層124及保護層126皆可為一有機材料，例如為非晶矽碳氧(a-Si:C:O)及非晶矽氧氟(a-Si:O:F)；或者，閘極絕緣層124及保護層126亦皆可為一無機材料，例如為氮化矽(Silicon Nitride, SiNx )及氧化矽(Silicon Oxide, SiO2 )，且可藉由電漿輔助式化學氣相沈積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)、或藉由相似之濺鍍方法來製成。各畫素電極128係電性連接至一對 應之TFT 121。透明畫素電極128通常係由一電性傳導之材料所製成，且具有高光學穿透性，例如為氧化銦錫(Indium Tin Oxide, ITO)、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide, IZO)、或氧化鋅(Zin Oxide, ZnO)。各畫素電極128具有多個顯示域導向層129。顯示域導向層129係可為液晶配向之突起，並藉由沈積一有機材料(例如為a-Si:C:O及a-Si:O:F)所形成、或藉由沈積一無機材料(例如為氮化矽(SiNx )及氧化矽(SiO2 )所形成。顯示域導向層129亦可為液晶配向之狹縫，狹縫係藉由開口圖案層蝕刻透明畫素電極128來形成。
上基板130包括一透明基板132、一彩色濾光片134、一塗佈層135、多個共同電極136、多個顯示域導向層138、及多個電子屏障層139。塗佈層135係設置於透明基板132之下方，以覆蓋彩色濾光片134。塗佈層135之材料可以是丙烯酸(acrylic)樹脂、聚醯胺(polyamide)、聚亞胺(polyimide)、或酚醛環氧(novolac epoxy)樹脂。塗佈層135係藉由使用微影(photolithography)及蝕刻製程而予以圖案化，以形成多個部分蝕刻之區域。未蝕刻的區域(未繪示)之處，可具有足夠之厚度，以使其兼備間隙物(cell spcer)之功能，來簡化製程、降低成本。
各共同電極136係設置於塗佈層135上。透明共同電極136通常係由一電性傳導之材料所製成，且具有高光學穿透性，例如為ITO、IZO、或ZnO。電子屏障層139係設置以填補位於塗佈層135及共同電極136上之被部分蝕 刻的區域。電子屏障層139可以是一有機材料，例如為a-Si:C:O及a-Si:O:F；或者，電子屏障層139亦可以是一無機材料，例如為SiNx 及SiO2 ，且可藉由PECVD來製成、或藉由其它具有通常知識者可知之相似的濺鍍方法來製成。各共同電極136具有多個顯示域導向層138。顯示域導向層138係可為液晶配向之突起，並藉由沈積一有機材料(例如為a-Si:C:O及a-Si:O:F)所形成、或藉由沈積一無機材料(例如為SiNx 及SiO2 )所形成。顯示域導向層138亦可為液晶配向之狹縫，狹縫係藉由開口圖案層蝕刻透明共同電極136來形成。
液晶層150係垂直配向於下基板110與上基板130之間。當TFT 112係切換為開啟狀態(ON-state)時，電場會產生於下基板110與上基板130之間。如此，藉由顯示域導向層129、138及電子屏障層139，可使液晶層150之液晶分子傾斜於多個方向上，以達到一多顯示域液晶之架構。
由於電子屏障層139之屏蔽效應(screen effect)，靠近電子屏障層139之處的電場強度會小於其它區域之電場強度。因此，電子屏障層139係可劃分一單元畫素100為至少二不同之區域，例如一主要區161及一次要區162，而產生兩種不同的臨界電壓。在不同的灰階下，具有電子屏障層139之次要區162通常會產生較高的臨界電壓，而導致較低的亮度。因此，於各種灰階下，藉由兩不同區域161及162所組成之亮度，係可改善MVA LCD面板之角度相依伽瑪曲線。主要區161與次要區162的面積比係介於 10:1至1:10之範圍內，而電子屏障層139與對應之液晶顯示面板100之面積比係典型地大於1:1000。
於使用Z字型之電極的典型MVA LCD中，當受到TFT陣列之驅動時，一個單元畫素通常會形成四個液晶顯示域。於使用本發明之架構下，即使僅使用一個TFT，亦可形成超過四個液晶顯示域，其原因在於次要區162所具有之臨界電壓係不同於主要區161所具有之臨界電壓。如此，係可擴大MVA LCD面板之視角。
於模擬的過程中，各參數係設定如下。MVA LCD之結構係重覆以尺寸為100微米×450微米之一單元畫素所架構。突起型式之畫素顯示域導向層129及共同顯示域導向層138係具有Z字型的寬度w=12微米、及突出之高度hp =1.2微米。各相鄰之顯示域導向層於投影面上之間距g=35微米。電子屏障層139係由氮化矽所製成，且為平坦(flat)，並具有寬度we =12微米、高度h=1.2微米、且介電常數為7.0。主要區161與次要區162之面積比係選擇為約2:1，介於上基板與下基板之間的液晶胞間距係約莫為4微米。所使用之液晶材料150係為默克(Merck)負型Δε之液晶混合物MLC-6608(於波長λ=550奈米(nm)時之雙折射率Δn=0.083、介電異向性Δε=-4.2、黏滯係數(rotational viscosity)γ1 =0.186帕斯卡秒(Pa．s))，此液晶材料150於初始狀態上係與基板呈現垂直配向。於此例中，液晶材料之方位角係約為0度，預傾角約為90度。
請參照第2圖，其繪示為施加6伏特之有效值電壓於 共同電極136與畫素電極128之間時，於第1A及1B圖之架構下液晶指向(director)之模擬分佈圖。分佈圖係為一平面圖，且係從畫素單元的中點沿著Z軸的方向分割開來。如圖所示，由於邊場效應(fringing field)與介於下基板110與上基板130之間的縱向(longitudinal)電場，液晶指向將會被重新導向，並垂直於電場方向。分別藉由畫素及共同顯示域導向突起層129及138，係可於主要區161中形成一典型之四個顯示域之結構。於次要區162中，傾斜的電子屏障層139係有助於形成額外的兩個顯示域。因此，於TFT 112所提供之一外部電場之應用下，總共可形成六個液晶顯示域於整個畫素單元100。若配合使用合適的補償膜，則可擴大此具有六個顯示域之MVA LCD之可視角。前述之補償膜例如係記錄於S. T. Wu及D. K. Yang所提出之文獻中：Reflective Liquid Crystal Displays (Wiley, New York, 2001)，第12章。
請參照第3圖，其繪示為分別整個畫素100、主要區161及次要區162之電壓與亮度之相依曲線。於此例中，入射白光源係來自於傳統之冷陰極螢光燈管(Cold Cathode Fluorescent Lamp, CCFL)所提供之背光，此背光係於進入夾置於兩交錯之線性偏光片之MVA LCD面板之前，會先通過具有紅綠藍三種顏色之彩色濾光片。主要區161之臨界電壓係約為2.25伏特之有效值，次要區之臨界電壓係約為2.40伏特之有效值。電子屏障層139會使得臨界電壓略微提高，導致於定義整個畫素100為具有一相同 之灰階時，次要區162會具有低於主要區161之亮度。
於量化之分析上，於離軸方向上的影像失真係數D(θ, φ)係定義如下：
此處，ΔBi,j 係為於灰階值i及灰階值j時之亮度差異。而符號"<>"係表示為於任意之灰階值時之平均值。D(θ, φ)係位於約0至1之間。較小的D(θ, φ)意味著影像失真之情形較輕微，如角度相依伽瑪曲線上所顯示，亦即，此時於離軸方向上具有較佳的影像品質。
請參照第4圖，其繪示了整個畫素單元100之傳統伽瑪曲線於伽瑪校正係數γ=2.2時，且於不同入射角下之標繪圖。於此，方位角係設定約為0度，並以具有256個灰階值之8位元灰度(gray scale)來計算。於(θ, φ)=(60度,0度)下，D之值為0.2994。
請參照第5圖，其更繪示了主要區161之傳統伽瑪曲線於伽瑪校正係數γ=2.2時，且係以一傳統具有四顯示域之MVA LCD為例。於(θ, φ)=(60度,0度)之視角下，對應之D之值約為0.3510。概要地，相較於傳統之MVA LCD，本例之架構係可具有14.7%的改善成效，而能於離軸方向上產生較佳的影像品質。
請參照第6A及6B圖，其係繪示本發明之另一實施例MVA LCD面板之平面圖。第6A圖繪示為MVA LCD面板之架構，第6B圖繪示乃第6A圖中沿著A-A'線段之剖 面圖。於此實施例中，主要元件係沿用第1A及1B圖之架構，並使用新的標號。此兩架構之主要差異在於：本實施例係採用不同之畫素與共同導向狹縫。
相仿於第1A及1B圖所繪示之架構，於本實施例中，MVA LCD包括一下基板610、一上基板630及一夾置於其間的液晶層650。如第6B圖所示，下基板610包括一透明基板622、多個TFT 612、多條掃描線614、多條資料線616、一閘極絕緣層624、一保護層626、以及多個畫素電極628。
各TFT 612係設置於單元畫素區600之一之內，且係連接至對應之掃描線614與資料線616，如第6A圖所示。如同前述之例，閘極絕緣層624係形成以覆蓋掃描線614，保護層626係形成以覆蓋資料線616，並位於透明基板622之上。閘極絕緣層624及保護層626皆可為一有機材料，例如a-Si:C:O及a-Si:O:F、或為一無機材料，例如SiNx 及SiO2 ，且可藉由PECVD來製成、或藉由相似之濺鍍方法來製成。各畫素電極628係電性連接至一對應之TFT 612。透明畫素電極628通常係由一電性傳導之材料所製成，且具有高光學穿透性，例如為ITO、IZO或ZnO。與第1B圖所繪示之架構不同的是，各畫素電極628具有多個顯示域導向層629。顯示域導向層629係為液晶配向之狹縫，並藉由蝕刻透明畫素電極628，來產生顯示域導向層之狹縫629於畫素電極628中。
上基板630包括一透明基板632、一彩色濾光片634、 一塗佈層635、多個共同電極636、多個顯示域導向層638、及多個電子屏障層639。塗佈層635係設置於透明基板632之下方，以覆蓋彩色濾光片634。塗佈層635之材料可以是丙烯酸樹脂、聚醯胺、聚亞胺、或酚醛環氧樹脂。塗佈層635係藉由使用微影及蝕刻製程而予以圖案化，以形成多個部分蝕刻之區域，且具有之厚度典型地係大於0.1微米。而未蝕刻的區域(未繪示)之處，則具有足夠之厚度，以使其兼備間隙物(cell spacer)之功能，來簡化製程、降低成本。
如先前所述，各共同電極636係設置於塗佈層635上。透明共同電極636通常係由一電性傳導之材料所製成，且具有高光學穿透性，例如為ITO、IZO、或ZnO。電子屏障層639係設置以填補位於塗佈層635及共同電極636上之被部分蝕刻的區域。電子屏障層639可以是一有機材料，例如為a-Si:C:O及a-Si:O:F；或者，電子屏障層639亦可以是一無機材料，例如為SiNx 及SiO2 ，且可藉由PECVD來製成、或藉由其它具有通常知識者可知之相似的濺鍍方法來製成。與第1B圖之架構不同的是，各共同電極636具有多個顯示域導向層638。顯示域導向層638係可為液晶配向之狹縫，狹縫係藉由開口圖案層來蝕刻透明共同電極636所形成。
於模擬的過程中，各參數係設定如下。MVA LCD之結構係重覆以尺寸為100微米×600微米之一單元畫素所架構。狹縫型式之顯示域導向層629及638係具有Z字型 的寬度w=12微米。各相鄰之顯示域導向層於投影面上之間距g=35微米。於此例中，電子屏障層639係由氮化矽所製成，且為平坦，並具有寬度we =12微米、高度h=1.2微米、且介電常數為7.0。此兩個傾斜之電子屏障層639係位於第6A圖所示之次要區662及次要區663上。主要區661與次要區662及663之面積比係選擇為約1:1，介於上基板與下基板之間的液晶胞間距係約為4微米。於此例中，所使用之液晶材料係為默克負型Δε之液晶混合物MLC-6608(於波長λ=550奈米(nm)時之雙折射率Δn=0.083、介電異向性Δε=-4.2、黏滯係數(rotational viscosity)γ1 =0.186帕斯卡秒(Pa．s))，此液晶材料於初始狀態上係與基板呈現垂直配向。液晶材料之方位角係約為0度，預傾角約為90度。
請參照第7圖，其繪示為施加6伏特之有效值電壓於共同電極636與畫素電極628之間時，本實施例之液晶指向(director)之模擬分佈圖。分佈圖係為一平面圖，且係從畫素單元的中點沿著Z軸的方向分割開來。如圖所示，由於邊緣效應與介於下基板610與上基板630之間的縱向電場，液晶指向將會被重新導向，並垂直於電場方向。分別藉由畫素及共同顯示域導向狹縫629及638，係可於主要區661中形成一典型之四個顯示域之結構。於次要區662及663中，電子屏障層639係有助於形成額外的四個顯示域。因此，於TFT 612所提供之一外部電場之應用下，總共可形成八個液晶顯示域於整個畫素單元600。若配合使 用合適的補償膜，則可擴大此具有八個顯示域之MVA LCD之可視角。
請參照第8圖，其繪示為分別整個畫素600、主要區661及次要區662及663之電壓與亮度之相依曲線。於此例中，入射白光源係來自於傳統CCFL所提供之背光，此背光係於進入夾置於兩交錯之線性偏光片(未繪示)之MVA LCD面板之前，會先通過具有紅綠藍三種顏色之彩色濾光片。主要區661之臨界電壓係約為2.25伏特之有效值，次要區之臨界電壓係約為2.32伏特之有效值。次要區會具有較高之臨界電壓的原因在於，因為電子屏障層639會使得會遮敝一部分的電場。因此，於定義整個畫素600為具有一相同之灰階時，次要區662及663會具有低於主要區661之亮度。
請參照第9圖，其繪示了整個畫素單元600之典型的伽瑪曲線於伽瑪校正係數γ=2.2時，且於不同入射角下之標繪圖。如圖所示，方位角係設定約為0度，並以具有256個灰階值之8位元灰度(gray scale)來計算。於(θ, φ)=(60度,0度)下，D之值為0.2771。
相較於典型之傳統具有四顯示域之MVA LCD具有之D值為0.3510，本例之架構係可具有21%的改善成效，故能於離軸方向上產生較佳的影像品質。
請參照第10A及10B圖，其係繪示本發明之另一實施例MVA LCD面板之架構。第10A圖繪示為MVA LCD面板之平面圖，第10B圖繪示乃第10A圖中沿著A-A'線 段之剖面圖。於此實施例中，主要元件係沿用第1A、1B、6A及6B圖之架構，並使用新的標號。相仿於第6A及6B圖所繪示之例，第10A及10B所繪示之架構分別包括畫素電極顯示域導向狹縫1029及共同電極顯示域導向狹縫1038。主要差異在於：本實施例係採用不同之畫素與共同導向狹縫。
相仿於第1A及1B圖所繪示之架構，本實施例於第10A及10B圖所繪示之架構中，MVA LCD面板1000包括一下基板1010、一上基板1030及一夾置於其間的液晶層1050。如第6B圖所示，下基板1010包括一透明基板1022、多個TFT 1012、多條掃描線1014、多條資料線1016、一閘極絕緣層1024、一保護層1026、以及多個畫素電極1028，如第10B圖所示。各TFT 1012係設置於單元畫素區1000之一之內，且係連接至對應之掃描線1014與資料線1016，如第10A圖所示。閘極絕緣層1024係形成以覆蓋掃描線1014，保護層1026係形成以覆蓋資料線1016，並位於透明基板1022之上，透明基板1022係可為一透明玻璃。閘極絕緣層1024及保護層1026皆可為一有機材料，例如a-Si:C:O及a-Si:O:F、或為一無機材料，例如SiNx 及SiO2 ，且可藉由PECVD來製成、或藉由具有通常知識者所知之相似之濺鍍方法來製成。
如先前所述，各畫素電極1028係電性連接至一對應之TFT 1012。透明畫素電極1028通常係由一電性傳導之材料所製成，且具有高光學穿透性，例如為ITO、IZO或 ZnO。各畫素電極1028具有多個顯示域導向層1029。顯示域導向層1029係為液晶配向之狹縫，狹縫係藉由開口圖案層蝕刻透明畫素電極1028來形成。
上基板1030包括一透明基板1032、一彩色濾光片1034、一塗佈層1035、多個共同電極1036、多個顯示域導向層1037、多個顯示域導向層1038、及多個電子屏障層1039。塗佈層1035係設置於透明基板1032之下方，以覆蓋彩色濾光片1034。塗佈層1035之材料可以是丙烯酸樹脂、聚醯胺、聚亞胺、或酚醛環氧樹脂。塗佈層1035係藉由使用微影及蝕刻製程而予以圖案化，以形成多個部分蝕刻之區域，且具有之厚度典型地係大於0.1微米。未蝕刻的區域係為主要區1061，被蝕刻的區域係為次要區1062。
各共同電極1036係設置於塗佈層1035及被蝕刻之次要區1062上。透明共同電極1036通常係由一電性傳導之材料所製成，且具有高光學穿透性，例如為ITO、IZO、或ZnO。電子屏障層1039係設置以填補位於共同電極1036上之被蝕刻的次要區1062。電子屏障層1039可包括一有機材料，例如為a-Si:C:O及a-Si:O:F；或者，電子屏障層1039亦可以是一無機材料，例如為SiNx 及SiO2 ，且可藉由PECVD來製成、或藉由其它具有通常知識者可知之相似的濺鍍方法來製成。如第10B圖所示，各共同電極1036具有位於主要區1061內之多個顯示域導向層1038、以及具有位於次要區1062內之多個顯示域導向層1037。其等 係可為液晶配向之狹縫，狹縫係藉由開口圖案蝕刻透明共同電極1036的過程中來形成。
於模擬的過程中，各參數係設定如下。MVA LCD之結構係重覆以尺寸為100微米×450微米之一單元畫素所架構。狹縫型式之顯示域導向層1029及1038係具有Z字型的寬度w=12微米。各相鄰之顯示域導向層於投影面上之間距g=35微米。於此例中，電子屏障層1039係由氮化矽所製成，且為平坦，並具有高度h=1.2微米、且介電常數為3.5。電子屏障層1039係覆蓋於次要區1062及顯示域導向層1037上，且於次要區1062中具有寬度約we =12微米。主要區1061與次要區1062之面積比係選擇為約2:1，介於上基板與下基板之間的液晶胞間距係約為4微米。於此例中，所使用之液晶材料係為默克負型Δε之液晶混合物MLC-6608(於波長λ=550奈米(nm)時之雙折射率Δn=0.083、介電異向性Δε=-4.2、黏滯係數(rotational viscosity)γ1 =0.186帕斯卡秒(Pa．s))，此液晶材料於初始狀態上係與基板呈現垂直配向。液晶材料之方位角係約為0度，預傾角約為90度。
請參照第11圖，其繪示為施加6伏特之有效值電壓於共同電極1036與畫素電極1028之間時，本實施例之液晶指向之模擬分佈圖。分佈圖係為一平面圖，且係從畫素單元的中點沿著Z軸的方向分割開來。如圖所示，由於邊緣效應與介於下基板1010與上基板1030之間的縱向電場，液晶指向將會被重新導向，並垂直於電場方向。分別 藉由畫素及共同顯示域導向狹縫1029及1038，係可於主要區1061中形成一典型之四個顯示域之結構。於次要區1062中，傾斜之顯示域導向狹縫層1037與電子屏障層1039係有助於形成額外的二個顯示域。因此，於TFT 1012所提供之一外部電場之應用下，總共可形成六個液晶顯示域於整個畫素單元1000。此具有六個顯示域之MVA LCD係可擴大顯示面板之可視角。
請參照第12圖，其繪示為分別整個畫素1000、主要區1061及次要區1062之電壓與亮度之相依曲線。於此例中，入射白光源係來自於傳統CCFL所提供之背光，此背光係於進入夾置於兩交錯之線性偏光片(未繪示)之MVA LCD面板之前，會先通過具有紅綠藍三種顏色之彩色濾光片。主要區1061之臨界電壓係約為2.25伏特之有效值，次要區之臨界電壓係約為3.00伏特之有效值。由於電子屏障層1039能有效地遮敝一部分的電場，因此，於定義整個畫素1000為具有一相同之灰階時，次要區1062會具有低於主要區1061之亮度。
請參照第13圖，其繪示了整個畫素單元1000之典型的伽瑪曲線於伽瑪校正係數γ=2.2時，且於不同入射角下之標繪圖。於此，方位角係設定約為0度，並以具有256個灰階值之8位元灰度(gray scale)來計算。於(θ, φ)=(60度,0度)之視野方向下，D之值為0.2866。相較於典型之傳統具有四顯示域之MVA LCD具有之D值為0.3510，本例之架構係可具有18.4%的改善成效，故能於離軸方向上 產生較佳的影像品質。
請參照第14A及14B圖，其係繪示本發明之另一實施例MVA LCD面板之架構。第14A圖繪示為MVA LCD面板之平面圖，第14B圖繪示乃第14A圖中沿著A-A'線段之剖面圖。於此實施例中，主要元件係沿用第1A、1B、6A、6B、10A及10B圖之架構，並使用新的標號。相仿於第10A及10B圖所繪示之例，本實施例之架構分別包括畫素電極顯示域導向狹縫1429a及1429b及共同電極顯示域導向狹縫1438。
如第14A及14B圖所示，MVA LCD面板包括一下基板1410、一上基板1430及一夾置於其間的液晶層1450。下基板1410包括一透明基板1422、多個TFT 1412、多條掃描線1414、多條資料線1416、一閘極絕緣層1424、一保護層1426、多個畫素電極1428、多個顯示域導向層1429a及1429b、以及多個電子屏障層1421。電子屏障層1421係生成於透明基板1422之一內表面，且鄰近於液晶層1450。
各TFT 1412係設置於單元畫素區1400之一之內，且係連接至對應之掃描線1414與資料線1416，如第14A圖所示。閘極絕緣層1424係形成以覆蓋掃描線1414，保護層1426係形成以覆蓋資料線1416，並位於透明基板1422之上，如第14B圖所示。閘極絕緣層1424及保護層1426皆可為一有機材料，例如a-Si:C:O及a-Si:O:F、或為一無機材料，例如SiNx 及SiO2 ，且可藉由PECVD來製成、或 藉由具有通常知識者所知之相似之濺鍍方法來製成。
如前述之例子不同的是，塗佈層1427係設置於位於下基板之保護層1426的上方。塗佈層1427之材料可以是丙烯酸樹脂、聚醯胺、聚亞胺、或酚醛環氧樹脂。塗佈層1427係藉由使用微影及蝕刻製程而予以圖案化，以形成多個部分蝕刻之區域，且具有之厚度典型地係大於0.1微米。未蝕刻的區域即是主要區1461，被蝕刻的區域即是次要區1462。各畫素電極1428係設置於塗佈層1427及被蝕刻之次要區1462上。透明畫素電極1428通常係由一電性傳導之材料所製成，且具有高光學穿透性，例如為ITO、IZO、或ZnO。
各畫素電極1428具有位於主要區1461內之多個顯示域導向層1429a、以及位於次要區1462內之多個顯示域導向層1429b。其等係可為液晶配向之狹縫，狹縫係藉由開口圖案蝕刻透明共同電極1436來形成。電子屏障層1421係設置以填補位於畫素電極1428上之被蝕刻的次要區1462。電子屏障層1421可包括一有機材料，例如為a-Si:C:O及a-Si:O:F；或者，電子屏障層1421亦可以是一無機材料，例如為SiNx 及SiO2 ，且可藉由PECVD來製成、或藉由其它相似的濺鍍方法來製成。
上基板1430包括一透明基板1432、一彩色濾光片1434、多個共同電極1436、多個顯示域導向層1438。各共同電極1436具有多個顯示域導向層1438，顯示域導向層1438係為液晶配向之狹縫，狹縫係藉由開口圖案層蝕 刻共同畫素電極1436來形成。
於此例中，各參數係設定如下。MVA LCD之結構係重覆以尺寸為100微米×600微米之一單元畫素所架構。狹縫型式之顯示域導向層1429a、1429b及1138係選擇為具有Z字型的寬度w=12微米。各相鄰之顯示域導向層於投影面上之間距g=35微米。於此例中，平坦的電子屏障層1421具有高度h=1.2微米、且介電常數為3.5。主要區1461與次要區1462之面積比係選擇為約1:1。介於上基板與下基板之間的液晶胞間距係約為4微米。於此例中，所使用之液晶材料係為默克負型Δε之液晶混合物MLC-6608(於波長λ=550奈米(nm)時之雙折射率Δn=0.083、介電異向性Δε=-4.2、黏滯係數(rotational viscosity)γ1 =0.186帕斯卡秒(Pa．s))，此液晶材料於初始狀態上係與基板呈現垂直配向。液晶材料之方位角係約為0度，預傾角約為90度。
請參照第15圖，其繪示為施加6伏特之有效值電壓於共同電極1436與畫素電極1428之間時，本實施例之液晶指向之模擬分佈圖。分佈圖係為一平面圖，且係從畫素單元的中點沿著Z軸的方向分割開來。如圖所示，由於邊緣效應與介於下基板1410與上基板1430之間的縱向電場，液晶指向將會被重新導向，並垂直於電場方向。分別藉由顯示域導向狹縫1429a、1429b及1438，係可分別於主要區1461及次要區1462中形成一典型之四個顯示域之結構。此兩種位於主要區1461及次要區1462中之四個顯 示域結構係不相同。因此，於TFT 1412所提供之一外部電場之應用下，總共可形成八個液晶顯示域於整個畫素單元1400。此具有八個顯示域之MVA LCD係可進一步擴大顯示面板之可視角。
請參照第16圖，其繪示為分別整個畫素1400、主要區1461及次要區1462之電壓與亮度之相依曲線。於此例中，入射白光源係來自於傳統CCFL所提供之背光，此背光係於進入夾置於兩交錯之線性偏光片(未繪示)之MVA LCD面板之前，會先通過具有紅綠藍三種顏色之彩色濾光片。主要區1461之臨界電壓係約為2.25伏特之有效值，次要區1462之臨界電壓係約為2.80伏特之有效值。於電子屏障層1421之效應下，次要區之臨界電壓係顯著地增加。因此，於定義整個畫素1400為具有一相同之灰階時，次要區1462會具有低於主要區1461之亮度。
請參照第17圖，其繪示第四實施例中之整個畫素單元1400之典型的伽瑪曲線於伽瑪校正係數γ=2.2時，且於不同入射角下之標繪圖。於此，方位角係設定約為0度，並以具有256個灰階值之8位元灰度來計算。於(θ, φ)=(60度,0度)之視野方向下，D之值為0.2369。相較於典型之傳統具有四顯示域之MVA LCD具有之D值為0.3510，第四實施例之架構係可具有32.5%的改善成效，故能於離軸方向上產生較佳的影像品質。
請參照第18A及18B圖，其係繪示本發明之另一實施例MVA LCD面板之平面圖。第18A圖繪示為MVA LCD 面板之架構，第18B圖繪示乃第6A圖中沿著A-A'線段之剖面圖。於此實施例中，主要元件係沿用第1A、1B、6A及6B圖之架構，並使用新的標號。相仿於第6A及6B圖所繪示之例，第18A及18B所繪示之架構分別包括畫素電極顯示域導向狹縫1829及共同電極顯示域導向狹縫1838。主要差異在於：本實施例係採用不同之畫素與共同導向狹縫。
相仿於第1A及1B圖所繪示之架構，於第18A及18B圖所繪示之另一架構中，MVA LCD面板1800包括一下基板1810、一上基板1830及夾置於其間之一液晶層1850。下基板1810包括一透明基板1822、複數個TFT 1812、多條掃描線1814、多條資料線1816、一閘極絕緣層1824、一保護層1826、以及多個畫素電極1828。如第18A圖所示，各TFT 1812係設置於單元畫素區1800之一之內，且係連接至對應之掃描線1814與資料線1816。閘極絕緣層1824係形成以覆蓋掃描線1814，保護層1826係形成以覆蓋資料線1816，並位於透明基板1822之上，透明基板1822係可為一透明玻璃。閘極絕緣層1824及保護層1826皆可為一有機材料，例如a-Si:C:O及a-Si:O:F、或為一無機材料，例如SiNx 及SiO2 ，且可藉由PECVD來製成、或藉由具有通常知識知所知之相似之濺鍍方法來製成。
如先前所述，各畫素電極1828係電性連接至一對應之TFT 1812。透明畫素電極1828通常係由一電性傳導之材料所製成，且具有高光學穿透性，例如為ITO、IZO或 ZnO。各畫素電極1828具有多個顯示域導向層1829。顯示域導向層1829係為液晶配向之狹縫，狹縫係藉由開口圖案蝕刻透明畫素電極1828來形成。
上基板1830包括一透明基板1832、多個塗佈層1835、多個共同電極1836、多個顯示域導向層1837、多個顯示域導向層1838、及多個電子屏障層1839。塗佈層1835係設置於透明基板1832之下方，以覆蓋彩色濾光片1834。塗佈層1835之材料可以是丙烯酸樹脂、聚醯胺、聚亞胺、或酚醛環氧樹脂。塗佈層1835係藉由使用微影及蝕刻製程而予以圖案化，以形成多個部分蝕刻之區域，且具有之厚度典型地係大於0.1微米。而未蝕刻的區域係為主要區1861，而被蝕刻的區域係為次要區1862。
各共同電極1836係設置於塗佈層1835及被蝕刻之次要區1862上。透明共同電極1836通常係由一電性傳導之材料所製成，且具有高光學穿透性，例如為ITO、IZO、或ZnO。電子屏障層1839係設置以填補位於共同電極1836上之被蝕刻的次要區1862。電子屏障層1839包括一有機材料，例如為a-Si:C:O及a-Si:O:F；或者，電子屏障層1839還包括一無機材料，例如為SiNx 及SiO2 ，E可藉由PECVD來製成、或藉由其它具有通常知識者可知之相似的濺鍍方法來製成。如第18B圖所示，各共同電極1836具有多個顯示域導向層1838於主要區1861中、及具有多個顯示域導向層1837於次要區1862中。其等係可為液晶配向之狹縫，狹縫係藉由開口圖案層蝕刻透明共同電極1836來形 成。MVA LCD之結構係重覆以尺寸為100微米×450微米之一單元畫素所架構。顯示域導向層1829及1838係可例如為具有Z字型的寬度w=12微米。各相鄰之顯示域導向層於投影面上之間距例如g=35微米。於此例中，電子屏障層1839例如由氮化矽所製成，且為平坦，並具有例如為高度h=1.2微米。電子屏障層1839係覆蓋次要區1862，而位於次要區1862之顯示域導向層1837具有寬度we =12微米。主要區1861與次要區1862之面積比係選擇例如為約2:1，介於上基板與下基板之間的液晶胞間距例如約為4微米。於此例中，所使用之液晶材料可以為默克負型Δε之液晶混合物MLC-6608(於波長λ=550奈米(nm)時之雙折射率Δn=0.083、介電異向性Δε=-4.2、黏滯係數(rotational viscosity)γ1 =0.186帕斯卡秒(Pa．s))，此液晶材料於初始狀態上係與基板呈現垂直配向。液晶材料之方位角可以係約為0度，預傾角約為90度。此實施例之架構應能於離軸方向上產生較佳的影像品質。
本發明所揭露之實施例中，共同及畫素顯示域導向係為狹縫，然亦可以代替以其它型式的架構，例如顯示域導向突起、或突起與狹縫之組合。
綜上所述，雖然本發明已以一些較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作 各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100、600、1000、1400、1800‧‧‧MVA LCD面板
110、610、1010、1410、1810‧‧‧下基板
112、612、1012、1412、1812‧‧‧薄膜電晶體
114、614、1014、1414、1814‧‧‧掃描線
116、616、1016、1416、1816‧‧‧資料線
122、622、1022、1422、1822‧‧‧透明基板
124、624、1024、1424、1824‧‧‧閘極絕緣層
126、626、1026、1426、1826‧‧‧保護層
128、628、1028、1428、1828‧‧‧畫素電極
129、629、1029、1429、1829‧‧‧顯示域導向層
130、630、1030、1430、1830‧‧‧上基板
132、632、1032、1432、1832‧‧‧透明基板
134、634、1034、1434、1834‧‧‧彩色濾光板
135、635、1035、1435、1835‧‧‧塗佈層
136、636、1036、1436、1836‧‧‧共同電極
138、638、1037、1038、1437、1438、1837、1838‧‧‧顯示域導向層
139‧‧‧屏障層
150、1050、1850‧‧‧液晶層
161、661、1061、1461、1861‧‧‧主要區
162、662、663、1062、1462、1862‧‧‧次要區
639‧‧‧電子屏障
650‧‧‧液晶材料
1039、1439、1839‧‧‧電子屏障層
第1A圖繪示為依照本發明之一實施例之具有顯示域導向突起之MVA LCD之平面圖。
第1B圖繪示乃第1A圖中沿著A-A'線段之剖面圖。
第2圖繪示為當施加電壓之有效值約為6伏特時，第1A及1B圖之MVA LCD之液晶指向(director)之模擬分佈圖。
第3圖繪示為第1A及1B圖中之MVA LCD之電壓與亮度之相依曲線。
第4圖繪示為當第1A及1B圖中之MVA LCD於伽瑪校正係數γ=2.2時，於不同入射角下之典型之伽瑪曲線。
第5圖繪示為當傳統之具有四顯示域之MVA LCD於伽瑪校正係數γ=2.2時，於不同入射角下之伽瑪曲線。
第6A圖繪示依照本發明之另一實施例之具有顯示域導向狹縫之MVA LCD之平面圖。
第6B圖繪示乃第6A圖中沿著A-A'線段之剖面圖。
第7圖繪示為當施加電壓之有效值約為6伏特時，第6A及6B圖之MVA LCD之液晶指向之模擬分佈圖。
第8圖繪示為第6A及6B圖中之MVA LCD之電壓與亮度之相依曲線。
第9圖繪示為當第6A及6B圖中之MVA LCD於伽瑪校正係數γ=2.2時，於不同入射角下之典型之伽瑪曲線。
第10A圖繪示為依照本發明之另一實施例之MVA LCD面板之平面圖。
第10B圖繪示乃第10A圖中沿著A-A'線段之剖面圖。
第11圖繪示為當施加電壓之有效值約為6伏特時，第10A及10B圖之MVA LCD之液晶指向之模擬分佈圖。
第12圖繪示為第10A及10B圖中之MVA LCD之電壓與亮度之相依曲線。
第13圖繪示為當第10A及10B圖中之MVA LCD於伽瑪校正係數γ=2.2時，於不同入射角下之典型之伽瑪曲線。
第14A圖繪示為依照本發明之另一實施例之MVA LCD面板之平面圖。
第14B圖繪示乃第14A圖中沿著A-A'線段之剖面圖。
第15圖繪示為當施加電壓之有效值約為6伏特時，第14A及14B圖之MVA LCD之液晶指向之模擬分佈圖。
第16圖繪示為第14A及14B圖中之MVA LCD之電壓與亮度之相依曲線。
第17圖繪示為當第14A及14B圖中之MVA LCD於伽瑪校正係數γ=2.2時，於不同入射角下之典型之伽瑪曲線。
第18A圖繪示為依照本發明之另一實施例之MVA LCD面板之平面圖。
第18B圖繪示乃第18A圖中沿著A-A'線段之剖面圖。
110‧‧‧下基板
114‧‧‧掃描線
122‧‧‧透明基板
124‧‧‧閘極絕緣層
126‧‧‧保護層
128‧‧‧畫素電極
129‧‧‧顯示域導向層
130‧‧‧上基板
132‧‧‧透明基板
134‧‧‧彩色濾光片
135‧‧‧塗佈層
136‧‧‧共同電極
138‧‧‧顯示域導向層
139‧‧‧電子屏障層
150‧‧‧液晶層
161‧‧‧主要區
162‧‧‧次要區

Claims (35)

  1. 一種多顯示域垂直配向型之液晶顯示面板，包括：一第一基板；一第二基板，具有一絕緣層及一保護層，該絕緣層係位於面向該第一基板之一內表面，該保護層係位於該絕緣之上；一塗佈層，形成於至少一部分之該第一基板及該保護層之其中之一；一共同電極，設置於該第一基板及該塗佈層之其中之一；一畫素電極，當該塗佈層係形成於該第一基板時，該畫素電極係形成於該保護層之上，而當該塗佈層係形成於該部分之該保護層之上時，該畫素電極係形成於鄰近於該塗佈層之其它部分之該保護層之上，且覆蓋該塗佈層；複數個共同及畫素顯示域導向(guide)，係分別形成於該共同電極及該畫素電極，該些共同顯示域導向與該些畫素顯示域導向係為非對位(nonaligned)；一電子屏障層，係形成於鄰近於該塗佈層之對應之該共同電極與該畫素電極之一；一垂直配向液晶層，係夾置於該第一及該第二基板之間；以及一驅動電路，係與該共同電極及該畫素電極連接，用以提供一電壓以產生一電場於該第一基板及該第二基板之間，來控制液晶分子之一配向(orientation)，該配向係對 應至該複數個共同及畫素顯示域導向與該電子屏障層之一定位(position)，以形成一多顯示域垂直配向型之液晶顯示面板。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示面板，其中該塗佈層之厚度係介於0微米(μm)至50微米之間。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示面板，其中該電子屏障層對應至該液晶顯示面板之面積比係大於1：1000。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示面板，其中各該複數個共同及畫素顯示域導向係為一突起(protrusion)，且位於該共同電極及該畫素電極上，並延伸至該液晶層，以形成該多顯示域液晶顯示面板之架構。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示面板，其中各該顯示域導向係為一顯示域導向之狹縫(slit)，且形成於該共同電極及該畫素電極，並劃分該共同電極為至少二共同電極，及劃分該畫素電極為至少二畫素電極，以形成該多顯示域液晶顯示面板之架構。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示面板，其中該複數個共同及畫素顯示域導向包括：一共同顯示域導向，位於該液晶顯示面板之各該畫素區之該共同電極；以及一畫素顯示域導向，位於該液晶顯示面板之各該畫素區之該畫素電極，該共同顯示域導向係位於該畫素顯示域導向之一側及上方。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之液晶顯示面板，其中該共同顯示域導向係位在該畫素顯示域導向之一側及上方，且該電子屏障層係位在該畫素顯示域導向之相反之一側及上方，並劃分該共同電極為一第一、一第二、及一第三共同電極，以形成具有八個顯示域之該多顯示域液晶顯示面板。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之液晶顯示面板，其中該共同顯示域導向係位在該畫素顯示域導向之一側及上方，且該電子屏障層係位在該畫素顯示域導向之相反之一側及上方，並劃分該共同電極為一第一及一第二共同電極，以形成於各畫素區上具有六個顯示域之該多顯示域液晶顯示面板。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之液晶顯示面板，其中該共同顯示域導向係位在該畫素顯示域導向之一側及上方，且該電子屏障層係位在該畫素顯示域導向之相反之一側及上方，並劃分該共同電極為一第一及一第二共同電極，以形成於各畫素區上具有八個顯示域之該多顯示域液晶顯示面板。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之液晶顯示面板，其中該共同顯示域導向包括：一第一及一第二共同顯示域導向，位於該畫素顯示域導向之相反側，並劃分該共同電極為至少二共同電極。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示面板，其中該驅動電路包括： 複數條掃描線；複數條資料線；以及複數個薄膜電晶體，該些薄膜電晶體之一係設置於各液晶顯示面板之畫素區，該複數個薄膜電晶體係連接至該複數條掃描線及該複數條資料線。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示面板，更包括：交錯之一第一及一第二偏光片，係分別形成於該第一及該第二基板之一外表面。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示面板，更包括：一彩色濾光片，係形成於該第一基板上，且介於該第一基板及該塗佈層之間。
  14. 一種用以製造具有複數個畫素區之液晶顯示面板之方法，包括下列步驟：提供一第一基板；提供一第二基板；形成一絕緣層於該第二基板之一內表面；形成一保護層於該絕緣層上；形成一塗佈層於一部分之該第一基板及該保護層上；形成一共同電極於對應之該第一基板及該塗佈層之其中之一；形成一畫素電極於該絕緣層上；分別形成複數個非對位之共同顯示域導向(guide)及 畫素顯示域導向於該共同電極及該畫素電極；形成一電子屏障層於鄰近於該塗佈層之該對應之該共同電極與該畫素電極之其中之一；夾置一垂直配向型液晶層於該第一及該第二基板之間；以及連接一驅動電路與該共同電極及該畫素電極，以提供一電壓至該共同電極及該畫素電極，以產生一電場於該第一基板及該第二基板之間，來控制液晶分子之一配向，該配向係對應至該複數個共同及畫素顯示域導向與該電子屏障層之一定位，以形成一多顯示域垂直配向型之液晶顯示面板。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中連接一驅動電路之該步驟包括下列之步驟：製造複數個薄膜電晶體、複數條掃描線及複數條資料線於該第二基板之該內表面，各該些薄膜電晶體係位於該複數個畫素區之一，且該絕緣層係覆蓋該複數個薄膜電晶體、該複數條掃描線及該複數條資料線。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該塗佈層之厚度係介於0微米(μm)至50微米之間。
  17. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該電子屏障層對應至該液晶顯示面板之面積比係大於1：1000。
  18. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該畫素電極係為電性傳導性之材料，且具有光學穿透性，並選自由氧化銦錫(Indium Tin Oxide,ITO)、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide,IZO)、以及氧化鋅(Zin Oxide,ZnO)所組成之群組。
  19. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中形成該複數個顯示域導向包括下列步驟：形成一共同顯示域導向突起(protrusion)及一畫素顯示域導向突起於各個對應之該共同電極與該畫素電極上。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中該共同顯示域導向突起與該畫素顯示域導向突起係藉由沉積一材料所形成，該材料係選自於由一有機材料及一無機材料所組成之群組。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中該有機材料係選自於由非晶矽碳氧(a-Si：C：O)及非晶矽氧氟(a-Si：O：F)所組成之群組。
  22. 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中該無機材料係選自於由氮化矽(Silicon Nitride,SiNx )及氧化矽(Silicon Oxide,SiO2 )所組成之群組。
  23. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中形成該複數個顯示域導向之該步驟包括下列子步驟：形成一共同顯示域導向狹縫(slit)與一畫素顯示域導向狹縫於各個對應之該共同電極與該畫素電極上。
  24. 如申請專利範圍第14項所述之方法，更包括：形成複數條掃描線及資料線於該第二基板上，以定義一畫素電極區域；以及形成連接至各畫素區之該些掃描線及該些資料線之 複數個薄膜電晶體。
  25. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中形成該複數個顯示域導向之該步驟包括：形成一共同顯示域導向於該液晶顯示面板之各該畫素區之該共同電極；以及形成一畫素顯示域導向於該液晶顯示面板之各該畫素區之該畫素電極，該共同顯示域導向係位於該畫素顯示域導向之一側及上方。
  26. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該共同顯示域導向係形成以位在該畫素顯示域導向之一側及上方，且該電子屏障層係位在該畫素顯示域導向之相反之一側及上方，並劃分該共同電極為一第一、一第二、及一第三共同電極，以形成於各畫素區中具有八個顯示域之該多顯示域液晶顯示面板。
  27. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該共同顯示域導向係位在該畫素顯示域導向之一側及上方，且該電子屏障層係位在該畫素顯示域導向之相反之一側及上方，並劃分該共同電極為一第一及一第二共同電極，以形成於各畫素區上具有六個顯示域之該多顯示域液晶顯示面板。
  28. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中形成該共同顯示域導向之該步驟更包括下列子步驟：形成一第一及一第二共同顯示域導向於該畫素顯示域導向之相反側，並劃分該共同電極為至少三共同電極。
  29. 如申請專利範圍第14項所述之方法，更包括下列步驟：層疊(layer)一彩色濾光片於第一基板之一內表面上，且介於該第一基板及該塗佈層之間。
  30. 一種多顯示域垂直配向型之液晶顯示面板，包括：一第一基板；一共同電極，設置於該第一基板之上；一第一及一第二共同顯示域導向，位於該共同電極，並劃分該共同電極為一第一、一第二及一第三共同電極；一第二基板，具有一絕緣層，該絕緣層係位於面向該第一基板之一內表面；一保護層，位於該絕緣層之上方；一塗佈層，形成於一部分之該保護層之上；一畫素電極，形成其它部分之該保護層之上，且位於鄰近於該塗佈層之側，並位於該塗佈層之外表面；一畫素顯示域導向(guide)，形成於該畫素電極，且係不覆蓋該塗佈層，該畫素顯示域導向係介於該第一及該第二共同顯示域導向之間及其下方；一電子屏障層，形成於該畫素電極之上方，且鄰近於該塗佈層與該畫素顯示域導向，並位於該些共同顯示域導向之一之下方，以劃分該畫素電極為三個區域；一垂直配向液晶層，係夾置於該第一及該第二基板之間；以及 一驅動電路，係與該共同電極及該畫素電極連接，用以提供一電壓以產生一電場於該第一基板及該第二基板之間，來控制液晶分子之一配向，該配向係對應至該複數個共同及畫素顯示域導向與該電子屏障層之一定位，以形成一多顯示域垂直配向型之液晶顯示面板。
  31. 如申請專利範圍第30項所述之液晶顯示面板，更包括：一彩色濾光片，係形成於該第一基板上，且介於該第一基板及該共同電極之間。
  32. 如申請專利範圍第30項所述之液晶顯示面板，其中該驅動電路包括：複數條掃描線；複數條資料線；以及複數個薄膜電晶體，該些薄膜電晶體之一係設置於各液晶顯示面板之畫素區，該複數個薄膜電晶體係連接至該些掃描線及該些資料線。
  33. 如申請專利範圍第30項所述之液晶顯示面板，其中各該複數個共同及畫素顯示域導向係為一突起(protrusion)，且位於該共同電極及該畫素電極上，並延伸至該液晶層，以形成該多顯示域液晶顯示面板之架構。
  34. 如申請專利範圍第32項所述之液晶顯示面板，其中各該共同顯示域導向及畫素顯示域導向係為一狹縫(slit)，且形成於該共同電極及該畫素電極，以形成該多顯示域液晶顯示面板之架構。
  35. 如申請專利範圍第32項所述之液晶顯示面板，更包括：交錯之一第一及一第二偏光片，係分別形成於該第一及該第二基板之一外表面。
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