[go: up one dir, main page]

TWI383035B - A phosphor and a light-emitting device using the same, and a method for manufacturing the phosphor - Google Patents

A phosphor and a light-emitting device using the same, and a method for manufacturing the phosphor Download PDF

Info

Publication number
TWI383035B
TWI383035B TW097132555A TW97132555A TWI383035B TW I383035 B TWI383035 B TW I383035B TW 097132555 A TW097132555 A TW 097132555A TW 97132555 A TW97132555 A TW 97132555A TW I383035 B TWI383035 B TW I383035B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
phosphor
group
emitting device
emitting
Prior art date
Application number
TW097132555A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200930791A (en
Inventor
細川昌治
龜島正敏
Original Assignee
日亞化學工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日亞化學工業股份有限公司 filed Critical 日亞化學工業股份有限公司
Publication of TW200930791A publication Critical patent/TW200930791A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI383035B publication Critical patent/TWI383035B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/16—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay
    • C04B35/22—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay rich in calcium oxide, e.g. wollastonite
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/581—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on aluminium nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/597—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon oxynitride, e.g. SIALONS
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77342—Silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77346—Aluminium Nitrides or Aluminium Oxynitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77347—Silicon Nitrides or Silicon Oxynitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H10H20/8512—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
    • H10H29/80—Constructional details
    • H10H29/85—Packages
    • H10H29/851—Wavelength conversion means
    • H10H29/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H10H29/8512—Wavelength conversion materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3206—Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3208—Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3213—Strontium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3215—Barium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3262—Manganese oxides, manganates, rhenium oxides or oxide-forming salts thereof, e.g. MnO
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
    • C04B2235/3852—Nitrides, e.g. oxynitrides, carbonitrides, oxycarbonitrides, lithium nitride, magnesium nitride
    • C04B2235/3873—Silicon nitrides, e.g. silicon carbonitride, silicon oxynitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/44—Metal salt constituents or additives chosen for the nature of the anions, e.g. hydrides or acetylacetonate
    • C04B2235/442—Carbonates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/44—Metal salt constituents or additives chosen for the nature of the anions, e.g. hydrides or acetylacetonate
    • C04B2235/444—Halide containing anions, e.g. bromide, iodate, chlorite
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5436—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2211/00—Plasma display panels with alternate current induction of the discharge, e.g. AC-PDPs
    • H01J2211/20—Constructional details
    • H01J2211/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J2211/42—Fluorescent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
    • H01J2329/18—Luminescent screens
    • H01J2329/20—Luminescent screens characterised by the luminescent material
    • H10W72/01515—
    • H10W72/075—
    • H10W72/07554—
    • H10W72/536—
    • H10W72/5363—
    • H10W72/547—
    • H10W72/5473—
    • H10W72/552—
    • H10W72/59—
    • H10W72/90—
    • H10W72/923—
    • H10W72/9415—
    • H10W74/00—
    • H10W90/726—
    • H10W90/756—
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Description

螢光體及使用其之發光裝置以及螢光體之製造方法
本發明係有關一種螢光體及使用其之發光裝置以及螢光體之製造方法，更詳言之，係有關一種亮度經改善的綠色發光螢光體及使用其之發光裝置以及螢光體之製造方法。
藉由組合可使自發光元件所放出的光源光、與所激勵的光源光不同色相的光放出之波長變換構件，開發藉由光之混色原理，可使多種波長之光放出的發光裝置。例如，自發光元件出射相當於由紫外線至可視光之短波長側範圍之一次光，藉由該出射光激勵波長變換構件之R‧G‧B(Red Green Blue)螢光體時，可得光之3原色之紅色、藍色、綠色之三原色經加色混合的白色光。其中，有關綠色發光螢光體，由於對白色之影響大，故有關發光特性之要求度亦高，直至目前進行檢討各種螢光體。
例如，於專利文獻1或專利文獻2中，揭示LED基體之白色發光的照明單位，LED為發一次UV放射光或藍色光的發光裝置。該照明單位包含發綠色光之螢光體，藉由該螢光體進行一次放射光之部份變換，可自照明單位得到混色光。該照明單位係使用以銪活化的鈣-鎂-氯矽酸鹽(Ca8 Mg(SiO4 )4 Cl2 )作為綠色螢光體。
另外，於彩色布朗管(CRT)、映像管(PRT)、電場放出型顯示裝置(FED)、螢光顯示管(VFD)等之陰極線管中，近年來高亮度化、高詳細化之需求提高，對此等之陰極線管中所使用的螢光體而言更為要求特性之改善。而且，企求的放射光之各成份比例，視機器之最終形態而定有各種比例，惟含有不相當於有效波長範圍之波長範圍的發光，皆部份形成不適合於最終利用系之成份光，被以可吸收的過濾器等切斷。結果，會有相對的光束量減低之問題。
例如液晶顯示裝置，自白色光分離RGB成份時，具備各色之濾色器。濾色器係藉由使所定的波長範圍之光透過，以顯示企求的顏色。而且，以與上述發光裝置相同的原理併用發光元件與螢光體以實現白色光，另外，使白色光以濾色器分離三原色之各成份時，濾色器之透過率的波峰、與經分離的各原色之發光量線的波峰一致，且不會有各色之濾色器透過特性之過度重疊的情形，就光有效性而言較佳。
專利文獻1：日本特表2003-535477號公報
專利文獻2：日本特表2003-535478號公報
然而，作為顯示裝置或照明中所含的光裝置所使用的螢光體，上述綠色發光螢光體之組成由於亮度不充分，光損失大，故企求更進一步改善發光特性。例如專利文獻1或專利文獻2之以氯化矽酸鹽螢光體使G成份再現時，發光之波峰波長位於較理想波長更短波長側上。而且，為使多餘的亮線為非透過時，故會產生必須提高濾色器內之顏料濃度、且提高濾色性，因此會產生光損失且濾色器之透過率降低、欠缺明亮度之問題。
另外，上述之螢光體在基準組成中含有較多量的氯，使該物載置於以半導體元件作為光源之發光裝置時，會產生不為企求的影響。該問題點以下述第36圖為基準予以說明。第36圖係表示一般的發光裝置100之截面圖。該發光裝置100係具備在上方部份開口的凹狀杯模110、搭載於該杯模110內之發光元件101，杯模110內以含有螢光體102之密封樹脂103予以填充。而且，發光元件101係具備在支持體104表面上所形成的正負的導線電極105、與導電線107予以電氣連接，經由該導線電極105，自外部接受電力供應而發光。自發光元件101出射的光，透過密封樹脂103內，且使部份保持於螢光體102內被波長變換，自第36圖之上面側至外部放出混色光。
該發光裝置100，係使自發光元件101至不為企求的方向進行的光，藉由反射構件反射至取出光側的方法，為一般實施的方法。例如，第36圖係在導線電極105上被覆金屬材質之反射構件106，具備該反射構件106，使光反射以提高集光率。
另外，大多數使用耐熱性‧耐候性優異的樹脂材料作為密封構件之樹脂材料，惟大致上該樹脂材料會有阻氣性低的傾向。因此，樹脂內所含的螢光體，恐會因透過樹脂之氣體或水分導致構成元素溶出的問題，結果，會使金屬製反射構件惡化。藉此減低反射特性、降低發光裝置之出力問題。
特別是專利文獻1或專利文獻2之氯化矽酸鹽螢光體，所含的氯成份具有不可無視於經時變化之量，溶出於發光裝置內。結果，以金屬材質構成反射構件時，溶出氯成份會使金屬材質鹵素化，導致反射構件變色、反射率降低的問題。因此，除導致發光裝置之光取出效率或發光特性惡化外，恐會有半導體元件本身之壽命特性降低的問題。
本發明為解決上述問題時所形成者。本發明之主要目的係提供可適用於具有優異發光特性之白色光，可發高亮度綠色光，可減低對其他構件之不良影響的螢光體，及使用其之發光裝置以及螢光體之製造方法。
本發明人等經過再三深入研究的結果，發現藉由具有特定的元素組成比之螢光體，可解決上述課題，遂而完成本發明。
換言之，第1發明之螢光體，其係為至少含有矽、鎂及氯，且以銪活化、可發綠色光之螢光體，其特徵為在前述螢光體中所含的氯之莫耳比，對鎂而言為1.0≦Cl/Mg≦1.9之範圍。
另外，第2發明之螢光體，其係為以銪活化、吸收近紫外光～藍色光，而可發綠色光的螢光體，其特徵為實質的組成以下述一般式所示，x、y、z、a、b在下述範圍內。
Mx Euy MgSiz Oa Xb
(式中，M係為至少1種選自Ca、Sr、Ba、Zn、Mn之群，X係為至少1種選自F、Cl、Br、I之群，6.5≦x＜8.0、0.01≦y≦2.0、3.7≦z≦4.3、a=x+y+1+2z-b/2、1.0≦b≦1.9)。
此外，第3發明之螢光體，其係為以銪活化、吸收近紫外光～藍色光，而可發綠色光的螢光體，其特徵為實質的組成係以下述一般式所示，x、y、z、a、b在下述範圍內，
Mx Euy MgSiz Oa Xb
(式中，M係為至少1種選自Ca、Sr、Ba、Zn、Mn之群，X係為至少1種選自F、Cl、Br、I之群，6.0≦x＜8.0、0.01≦y≦2.0、3.7≦z≦4.3、a=x+y+1+2z-b/2、0.80≦b≦1.9)。
而且，第4發明之螢光體，其係為以銪活化、吸收近紫外光～藍色光，而可發綠色光的螢光體，其特徵為實質的組成係以下述一般式所示，x、y、z、w、a、b在下述範圍內，
Mx Euy MgSiz Alw Oa Xb
(式中，M係為至少1種選自Ca、Sr、Ba、Zn、Mn之群，X係為至少1種選自F、Cl、Br、I之群，6.5≦x＜8.0、0.01≦y≦2.0、3.7≦z≦4.3、0＜w≦0.5、a=x+y+1+2z+(3/2)w-b/2、1.0≦b≦1.9)。
另外，第5發明之螢光體，其係為以銪活化、吸收近紫外光～藍色光，而可發綠色光的螢光體，其特徵為實質的組成係以下述一般式所示，x、y、z、w、a、b、c在下述範圍內，
Mx Euy MgSiz Alw Oa Xb Nc
(式中，M係為至少1種選自Ca、Sr、Ba、Zn、Mn之群，X係為至少1種選自F、Cl、Br、I之群，6.5≦x＜8.0、0.01≦y≦2.0、3.7≦z≦4.3、0≦w≦0.5、a=x+y+1+2z+(3/2)w-b/2-(3/2)c、1.0≦b≦1.9、0≦c≦3.0)。
此外，第6發明之螢光體，其係為以銪活化，吸收近紫外光～藍色光，而可發綠色光的螢光體，其特徵為實質的組成係以下述一般式所示，x、y、z、a、b在下述範圍內，
Cax Euy (Mg,Mn)Siz Oa Xb
(式中，X係為至少1種選自F、Cl、Br、I之群，6.0≦x＜10.0、0.01≦y≦2.0、3.7≦z≦5.5、a=x+y+1+2z-b/2、0.80≦b≦1.9)。
而且，第7發明之螢光體，其特徵為氯元素之含有量為8.0wt%以下。
另外，第8發明之螢光體，其特徵為至少一種選自Cl、F、Br、I之群的元素之溶出量為1500ppm以下。
此外，第9發明之螢光體，其特徵為吸收近紫外光～藍色光，而在495nm以上、548nm以下之波長範圍具有發光波峰波長。
而且，第10發明之螢光體，其中螢光體之平均粒徑為2μm以上、100μm以下。
另外，第11發明之發光裝置，其係為具有使在近紫外光～藍色光範圍之間的光發光之激勵光源，及吸收部份來自前述激勵光源之光，而發綠色之光的螢光體之發光裝置，其特徵為螢光體係使用第1發明～第8發明中任一項記載之螢光體。
第12發明之發光裝置，其特徵為另外具有(Ca1-x Srx )AlBy SiN3+y :Eu或(Ca1-z Srz )2 Si5 N8 :Eu之螢光體。(式中，0≦x≦1.0、0≦y≦0.5、0≦z≦1.0)。
第13發明之發光裝置，其中密封樹脂為在分子內具有矽氧烷鍵之聚矽氧烷樹脂。
第14發明之螢光體的製造方法，其係為以下述一般式所示、可發綠色光的螢光體之製造方法，其特徵為具備在螢光體之組成元素的M、Eu、Mg、Si、X滿足M:Eu:Mg:Si:X=(6.5~7.5):(0.5~1.5):1:4:(1.5~2.5)之關係、使含有前述螢光體之組成之各原料計量、混合的步驟，使上述經混合的原料燒成，再予以還原的步驟，
Mx Euy MgSiz Oa Xb
(式中，M係為至少1種選自Ca、Sr、Ba、Zn、Mn之群，X係為至少1種選自F、Cl、Br、I之群，6.5≦x＜8.0、0.01≦y≦2.0、3.7≦z≦4.3、a=x+y+1+2z-b/2、1.0≦b≦1.9)。
[發明效果]
含有矽、鎂及鹵素之螢光體，於螢光體之元素組成比中，鹵素元素為鎂元素之1.0倍以上、1.9倍以下之範圍的綠色發光螢光體，具有高亮度之發光特性，且可使鹵素元素之溶出量顯著減少。特別是由於可使構成白色之G成份有效地再現，結果可提高對放出發光特性優異的白色光之發光裝置的利用性。另外，可極度減少因鹵素之溶出對其他構件之影響，且可形成壽命特性優異的發光裝置。
[為實施發明之最佳形態]
於下述中，以圖面為基準說明本發明之實施形態。惟下述所示之實施形態，係為使本發明之技術思想具體化時之螢光體、及使用其之發光裝置以及螢光體之製造方法者，本發明沒有特定螢光體及使用其之發光裝置以及螢光體之製造方法如下所述。而且，絕對沒有使專利申請範圍所示之構件特定為實施形態之構件者。特別是實施形態中所記載的構成構件之尺寸、材質、形狀、其相對配置等，沒有特別限制於特定的記載，本發明之範圍不受限於所限定的主旨，不僅為單純的說明例。而且，各圖面所示構件之大小或位置關係等，為予以明確說明時有誇大的情形。此外，於下述說明中，有關同一名稱、符號，係表示同一或同質的構件，適當地簡略詳細說明。另外，構成本發明之各要素，可為使數種要素以同一構件所構成，一種構件兼用數種要素的形態，反之，亦可使一種構件之功能以數種構件分擔、實現。而且，於部份實施例、實施形態中所說明的內容，亦可利用於其他的實施例、實施形態等。
而且，色名與色度座標之關係、光之波長範圍與單色光之色名的關係等，以JIS Z8110為基準。具體而言，380nm～455nm為藍紫色、455nm～485nm為藍色、485nm～495nm為藍綠色、495nm～548nm為綠色、548nm～573nm為黃綠色、573nm～584nm為黃色、584nm～610nm為黃紅色、610nm～780nm為紅色。
(實施形態1)
實施形態1之螢光體，係為至少具有鎂、矽及鹵素之螢光體，以銪作為發光中心。而且，對螢光體中所含的鎂元素而言、氯元素之莫耳比係在1.0≦Cl/Mg≦1.9之範圍。該螢光體係吸收紫外線或藍色光，而發綠色光，具體而言在495nm以上、548nm以下之波長範圍具有發光波峰。惟藉由調整含有的元素量或組成，變動該發光波峰。而且，藉由控制組成之質量比，可使發光波峰變位。
實施形態1之螢光體，係以一般式Mx Euy MgSiz Oa Xb :Eu2+ (6.5≦x＜8.0、0.01≦y≦2.0、3.7≦z≦4.3、a=x+y+1+2z-b/2、1.0≦b≦1.9)、或Mx Euy MgSiz Alw Oa Xb (6.5≦x＜8.0、0.01≦y≦2.0、3.7≦z≦4.3、0＜w≦0.5、a=x+y+1+2z+(3/2)w-b/2、1.0≦b≦1.9)、或Mx Euy MgSiz Alw Oa Xb Nc (6.5≦x＜8.0、0.01≦y≦2.0、3.7≦z≦4.3、0＜w≦0.5、a=x+y+1+2z+(3/2)w-b/2-(3/2)c、1.0≦b≦1.9、0≦c≦3.0)所表示。M係至少一種選自Ca、Sr、Ba、Zn、Mn之元素，較佳者為Ca。另外，可使用部份Ca可以Mn、Sr、Ba取代者。X係為至少1種選自F、Cl、Br、I之群，較佳者為Cl。惟可使用部份Cl以F、Br、I取代者。而且，Eu為銪，Mg為鎂，Si為矽，Al為鋁，O為氧，N為氮，亦可採用部份Si以Ge、Sn所取代者。此外，實施形態1之螢光體，可以稀土類之Eu作為發光中心。惟不為僅限制於Eu，部份可取代成其他稀土類金屬或鹼土類金屬，可使用與Eu共賦活者。此外，亦可使用部份氧以氮取代者。
此外，該螢光體中亦含有作為助熔劑之各種添加元素、或視其所需含有硼。藉此可促進固相反應，形成均勻尺寸的粒子。而且，螢光體之組成比可視最終生成物之元素分析值予以決定，與由添加量類推的組成比不同。
另外，本發明之實施形態的螢光體，吸收近紫外光～可視光之短波長側範圍之光，在較激勵光之發光波峰波長更長波長側具有螢光體之發光波峰波長。於本說明書中，自紫外線範圍至可視光之短波長範圍，沒有特別的限制，係指250～485nm之範圍。特別是以290～470nm之範圍較佳。更佳者為視感度特性低的340nm～420nm之範圍。
而且，螢光體以至少部份具有結晶較佳。例如玻璃體(非晶質)由於構造為稀鬆，故會有螢光體中之成份比例不一定、產生色度斑之問題。而且，為迴避該問題時，必須使生產步驟之反應條件嚴格控制於一致。另外，實施形態1之螢光體，由於不為玻璃體、可形成具有結晶性之粉體或粒體，故可容易予以製造及加工。而且，該螢光體可均勻地溶解於有機媒體中，容易達成調整發光性塑膠或聚合物薄膜材料。具體而言，實施形態1之螢光體至少具有50重量%以上(較佳者為80重量%以上)之結晶。此係表示具有發光性之結晶相的比例，為50重量%以上、具有結晶相時，由於可製得實用性耐用的發光，故較佳。換言之，結晶性愈多愈佳。藉此可提高發光亮度，且可提高加工性。
(粒徑)
考慮搭載於發光裝置中時，螢光體之粒徑以2μm～100μm之範圍較佳，更佳者為5μm～50μm。此外，具有該平均粒徑值之螢光體，以高頻率含有較佳。而且，粒度分布中以分布狹窄的範圍較佳。藉由使用粒徑、及粒度分布之不均勻性小、優異的光學特徵之粒徑大小的螢光體，可更為抑制色斑，製得具有良好色調之發光裝置。而且，為具有上述範圍之粒徑的螢光體時，光之吸收率及變換效率高。此外，具有小於2μm之粒徑的螢光體，會有容易形成凝聚物之傾向。
(製造方法)
於下述中，說明有關實施形態1之螢光體的製造方法。螢光體係以該組成中所含的元素之單體或氧化物、碳酸鹽或氮化物等作為原料，且使各原料形成所定的組成比下予以稱重。惟實施形態1之螢光體，由於在各製造步驟中有部份元素飛散或溶出，故考慮該點時以與最終生成物之組成比不同的添加比例稱取出發原料。而且，於本說明書中為區別雙方之比例時，「螢光體組成比」係為最終化合物狀之螢光體的各元素之莫耳比，係表示藉由實際的螢光體之元素分析結果予以求取者。另外，「加入組成比」係指含有螢光體之構成元素的原料中各元素之莫耳比。
具體而言，原料混合物中之M量、Eu量、Mg量、Si量、X量之添加組成比，係在滿足M:Eu:Mg:Si:X=(6.5~7.5):(0.5~1.5):1:4:(1.5~2.5)之關係下稱取各原料。另外，在此等之原料中另外適當加入助熔劑等之添加材料，使用混合機、以濕式或乾式予以混合。混合機使用工業上一般使用的球磨機、以及振動磨、輥磨機、噴射磨等之粉碎機予以粉碎，可使比表面積。而且，為使粉末之比表面積在一定範圍時，可使用工業上一般使用的沉澱槽，液壓旋風器、離心分離器等之濕式分離機、旋風器、空氣分離器等之乾式分級機予以分級。
使上述混合的原料加入SiC、石英、氧化鋁、BN等之坩堝中，在N2 、H2 之還原氣體環境中進行燒成。燒成氣體環境可使用氬氣氣體環境、銨氣氣體環境等。燒成在1000～1250℃之溫度下進行1～30小時。
使經燒成者進行粉碎、分散、過濾等，製得目的之螢光體粉末。固液分離可藉由過濾、吸引過濾、加壓過濾、離心分離、脫傾析法等工業上一般使用的方法進行。乾燥可藉由真空乾燥機、熱風加熱乾燥機、錐形乾燥機、旋轉蒸餾器等之工業上一般使用的裝置予以進行。
有關螢光體原料，螢光體組成之Si以使用氧化物、氮化物化合物較佳，惟可使用醯亞胺化合物、醯胺化合物等。例如有SiO2 、Si3 N4 、Si(NH2 )2 、Mg2 Si等。另外，亦可僅使用Si單體，低價、結晶性良好的螢光體。原料之Si的純度，以2N以上者較佳，亦可含有Li、Na、K、B、Cu等不同的元素。另外，可使部份的Si以Al、Ga、In、Tl取代。而且，亦可使螢光體組成之Si取代成Ge、Sn、Ti、Zr、Hf。
鹼土類之Mg、Ca、Sr、Ba，可組合鹵素鹽與氧化物、碳酸鹽、磷酸鹽、矽酸鹽等，以所定的鹵素比例使用。而且，導入鹵素原子時，可使用含鹵素原子之銨鹽改成鹼土類之鹵素鹽。
另外，螢光體組成之Al，以單獨使用較佳，部份亦可以第III族元素之Ga或In、V、Cr、Co取代。惟僅使用Al，可形成低價，結晶性良好的螢光體。惟亦可利用Al之氮化物、Al之氧化物。具體而言，可使用氮化鋁AlN、氧化鋁Al2 O3 。此等之原料可使用精製者，惟可使用市售物，藉此可使步驟簡易化。
此外，賦活劑之Eu，以單獨使用較佳，可使用鹵素鹽、氧化物、碳酸鹽、磷酸鹽、矽酸鹽等。而且，部份Eu亦可以Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm，Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu等取代。另外，使用以Eu為必須的混合物，視其所需可改變配合比。如此藉由部份Eu以其他元素取代，其他元素可作用為共賦活。藉此可變化色調，可進行調整發光特性。銪主要具有2價與3價之能量準位，實施形態1之螢光體，係使用Eu2+ 作為賦活劑。
另外，亦可使用Eu之化合物作為原料。此時，原料可使用精製者，亦可使用市售品。具體而言，可使用氧化銪Eu2 O3 、金屬銪、氮化銪等作為Eu之化合物。此外，原料之Eu，亦可使用醯亞胺化合物、醯胺化合物。氧化銪以高純度者較佳、亦可使用市售品。
而且，視其所需加入的元素，通常加入氧化物、或氫氧化物，惟不受此等所限制，金屬、氮化物、醯亞胺、醯胺或其他無機鹽類，或預先含於其他原料的狀態。各原料之平均粒徑約為0.1μm以上、15μm以下，較佳者約為0.1μm～10μm之範圍，惟就控制與其他原料之反應性、燒成時及燒成後之粒徑而言，具有上述範圍以上之粒徑時，藉由在氬氣氣體環境中或氮氣氣體環境中，在工具箱內進行粉碎予以達成。
此外，原料以精製者較佳。為藉此不需精製步驟時，可使螢光體之製造步驟予以簡單化，可提供低價之螢光體。
實施例1～12中係有關以Cax Euy MgSiz Oa Clb (6.5≦x＜8.0、0.01≦y≦2.0、3.7≦z≦4.3、a=x+y+1+2z-b/2)所示之氯化矽酸鹽螢光體作為實施形態1之螢光體例，對鎂元素之氯元素的莫耳比以1.0≦Cl/Mg≦1.9之範圍變化，測定各螢光體組成比之發光特性及氯溶出量。而且，於全部實施例中，原料共同使用CaCO3 、Eu2 O3 、MgO、SiO2 、CaCl2 ，使該原料之添加組成比以下述各條件下稱取，各製得實施例1～12之螢光體。惟下述所示之實施例係為例示使本發明之技術思想具體化時之螢光體及其製造方法，本發明中螢光體及其製造方法不受下述者所限制。
(實施例1)
實施例1中，於添加組成比中以CaCO3 :Eu2 O3 :MgO:SiO2 :CaCl2 =6.25:0.25:1:4:1.25(Ca:Cl:Mg:Si:Eu=7.5:2.5:1:4:0.5)下稱取各原料。
具體而言，計量下述之粉末作為實施例1之螢光體原料。惟假定各螢光體原料之純度為100%。
碳酸鈣(CaCO3 )‧‧‧‧110.42g
氧化銪(Eu2 O3 )‧‧‧‧15.54g
氧化鎂(MgO)‧‧‧‧7.12g
氧化矽(SiO2 )‧‧‧‧42.40g
氯化鈣(CaCl2 )‧‧‧‧24.52g
使稱取的原料藉由球磨、以乾式予以充分混合，且置於坩堝中，在還原氣體環境中、1150℃下進行燒成5小時。使經燒成者進行粉碎及濕式分散處理，製得螢光體粉末。生成後之螢光體組成比為Ca:Cl:Mg:Si:Eu=7.65:1.84:1.00:4.30:0.50，Cl之含量為7.5wt%。螢光體生成之反應式之例如下述化1所示。
[化1] 6.25CaCO3 +1.25CaCl2 +0.25Eu2 O3 +Mgo+4SiO2 →　Ca75 Eu0.5 MgSi4 O16-x Cl2-y +6.25CO2 +0.125O2 +zCl
其中，上述化學式係為由分析值所求取的組成式為基準的理論式，實際的生成物除去部份氧或氯後，組成比多少會有變化。而且，x、y係表示分析值與實際組成之差值，且z係表示氯之飛散成份。
(實施例2～12、比較例1)
除各以表1所示之添加組成比稱取原料外，與實施例1相同地進行，製得實施例2～12及比較例1之螢光體。而且，生成後之各螢光體中藉由元素分析所決定的螢光體組成比，併記於表1。
實施例之氯矽酸鹽螢光體，對鎂元素而言氯元素之莫耳比限定為1.0≦Cl/Mg≦1.9之範圍，該螢光體組成可以表1之添加組成比達成。添加組成比與生成後之螢光體組成比產生變化，考慮因製造步驟中構成元件產生飛散或溶出。例如，比較例1之螢光體係為文獻等習知的一般氯矽酸鹽，氯之添加組成比規定為較目標的螢光體組成比[2]更多1.5倍之[3]，係為一般的見解。藉由在該螢光體內含有鹵素元素，電荷之平衡性變佳。對此而言，實施例之螢光體可使氯之添加組成比抑制為1.5～2.5，另外，鈣抑制為6.5～7.5，使比較例1之添加組成比更為減低。
而且，實施例1～12中生成後之螢光體的元素分析值(wt%)如下述表2所示。各實施例之氯元素的分析值為5.0wt%以上8.0wt%以下。惟考慮增加下述實施例中所揭示的銪之組成量時、或使部份氯變換成其他之鹵素元素時，以及使各種添加物混合時等，相對減少氯之含有量，即可大為降低表2之下限值。而且，生成後之螢光體中氯元素的含有量之上限值為8.0wt%，有關下限值可作各種變更。
此外，下述表3係表示實施例1～12及比較例1之各螢光體的特性。具體而言，係表示粒徑、460nm激勵之色座標(對應色調)及亮度以及波峰波長、Cl溶出量。此處，「Cl溶出量」係指螢光體之構成元素的氯之溶出量，具體而言，係指以比較例1及實施例1～12所得的各螢光體為4wt%下進行脫離子攪拌，且使該物載負於保持於80℃之熱板上，在經攪拌24小時之溶液中氯之濃度[ppm]。而且，比較各實施例之Cl溶出量的圖如第1圖。
藉由表3及第1圖可知，實施例1～12之螢光體，與比較例1相比時，氯之溶出量顯著減少。具體而言為1500ppm以下，此與比較例之8400ppm相比時為1/5以下、相當於18%以下。而且，起因於螢光體中所含的氯之溶出，鄰接的構件之鹵化抑制效果顯著。此係藉由添加組成比之氯元素的莫耳比限定於上述範圍，且燒成時減低過剩的氯，螢光體組成比之氯元素的莫耳比為1.0≦Cl/Mg≦1.9之範圍，或/且螢光體之氯的含有量為8.0wt%以下。換言之，可使化合物中所含的氯之莫耳比較理論值更少。氯較理論值更少的結晶構造中，推定Cl側中產生部份缺損。進而可考慮藉由氯之減少，氯在結晶中被安定化，減低Cl溶出量。
如表3所示，實施例之螢光體與比較例相比時，亮度大為改善，具體而言可改善約為3成以上。而且，使氯之螢光體組成比為上述限定的實施例之螢光體，與比較例1相比時，可知就發光特性及Cl溶出量而言優異。
(粒徑)
而且，如表3所示，實施例之螢光體的平均粒徑為5μm以上、50μm以下。粒徑係指以庫爾特計數器之電阻法所得的平均粒徑。具體而言，以在磷酸鈉溶液中分散螢光體，通過之開口細孔時產生的電阻為基準求取粒徑。
如表3所示，實施例之螢光體的發光波峰，較比較例1之螢光體的發光波峰更長波長化。具體而言，對比較例1之螢光體的發光波峰具有515nm之波長而言，實施例之螢光體的發光波峰為6nm以上長波長化。另外，第2圖於比較例1及實施例1～5之螢光體中，使以460nm激勵時之發光光譜併記於同一圖上，第3～8圖係各表示第2圖中記載的比較例1、實施例1～5之螢光體的各發光光譜。如第2圖所示，實施例1～5之發光光譜，該光譜形狀大約相同，發光波峰位於495nm以上、548nm以下。而且，實施例之發光光譜有關出力能量、被改善，另外，與比較例1相比，變位於長波長側。特別是實施例之發光光譜，如第2圖～第8圖所示，該波峰值在525nm附近，此與比較例1相比，構成白色之三波常用光譜之G成份的理想波峰值接近525nm～540nm。換言之，在三波長用發光裝置(藉由R‧G‧B之混色，可使白色再現之發光裝置)中，藉由採用實施例之螢光體，可載負有效的G成份，製得發光特性優異的白色光。
另外，第9圖係使比較例1及實施例1～5之螢光體的反射光譜併記於同一圖上。而且，第10圖～第15圖係各表示第9圖記載的比較例1、實施例1～5之螢光體的各反射光譜。另外，第16圖係使比較例1及實施例1～5之螢光體的激勵光譜併記於同一圖上，第17圖～第22圖係各表示比較例1、實施例1～5之螢光體的各激勵光譜。此外，第23圖～第27圖係各表示比較例1、實施例1、2、4、5之螢光體的1000倍擴大相片。
(比較例2～5)
其次，比較例2～5係使部份螢光體原料之碳酸鈣取代成碳酸鍶或碳酸鋇，以下述表4記載的添加組成比稱取各原料，實施與實施例1相同的製造方法。所得的比較例2～5之各螢光體，使部份組成元素之Ca以Sr或Ba取代，與實施例1～12之螢光體相比時，可知顏色之變化。表4係表示以藉由分析值所求得的Mg為基準之組成比。藉由表4可知，比較例2～5之各螢光體的組成，與實施例1～12之螢光體的組成比相比，鹵素之量變少。而且，表5係表示各比較例之分析值(wt%)、與以460nm激勵時之發光特性。如此可知，螢光體組成中之鹵素過少時，特性變得不佳。
(實施例13～16、比較例6～7)
其次，實施例13～16、比較例6～7係於製造實施例1之螢光體的過程中，使氯化鈣取代成溴化鈣或氟化鈣，如下述表6記載的添加組成比稱取各原料，實施與實施例1相同的製造方法。實施例13～16之各螢光體，如表7記載藉由使部份或全部的氯以氟或溴取代，確認可使以460nm激勵時之發光光譜移位於長波長側。而且，可知在添加階段不含氯之比較例6、7，亮度降低。
(實施例17～20)
另外，實施例17～20係除於實施例1之螢光體的合成條件中，使燒成溫度變換成1170℃以外，以相同的製造條件進行合成。而且，各原料之添加組成比如下述表8記載，而且，所得的各螢光體之發光特性併記於表9。實施例17～20可確認藉由使對鈣而言銪之添加組成比作各種變化，可於以460nm激勵時之發光光譜中提高亮度且抑制移位於長波長側。
(實施例21～25)
實施例21～25係於製造實施例1之螢光體的過程中，使氧化矽(SiO2 )取代成氮化矽(Si3 N4 )，如下述表10記載的添加組成比稱取各原料，實施與實施例1相同的製造方法。實施例21～25之各螢光體，可確認如表11記載藉由使部份的氧以氮取代，具有與實施例1相等的亮度。
(實施例26～28)
實施例26～28係於製造實施例1之螢光體的過程中，使氧化矽(SiO2 )取代成氮化鋁(AlN)，如下述表12記載的添加組成比稱取各原料，實施與實施例1相同的製造方法。實施例26～28之各螢光體，如表13記載藉由使部份的Si以Al取代，且使部份的氧以氮取代。可確認具有與實施例1相等的亮度。
(實施例29～32)
另外，實施例29～32係製作賦活劑之Eu的量較實施例17～20更少的螢光體。此處，以表14記載的添加組成比稱取各原料，實施與實施例17～20相同的製造方法。使所得的實施例29～32之各螢光體以460nm激勵時之發光特性如表15所示。如該表所示，與實施例17～20相比時，使發光波峰移位於短波長側上。
(實施例33～36)
另外，實施例33～36係於製造實施例17之螢光體的過程中，使部份的螢光體原料之碳酸鈣取代成碳酸錳，如下述表16記載的添加組成比稱取各原料，實施與實施例1相同的製造方法。以添加量之Mg量為基準、計算組成比。而且，於實施例33～36之各螢光體，以460nm激勵時之發光特性如表17併記，使該發光光譜如第37圖所示。使所得的實施例33～36之各螢光體，部份的組成元素之Ca以Mn取代，如表17所示，較僅以Eu賦活時使發光波峰波長更為長波長化。部份的Ca以Mn取代之量，對Ca而言Mn以0.0001%以上、10%以下較佳，更佳者為0.01%以上、1%以內。
(實施例37～40)
另外，實施例37～40係除於實施例17之螢光體的過程中，使部份的螢光體原料之氧化鎂取代成碳酸錳，如下述表16記載的添加組成比稱取各原料，實施與實施例1相同的製造方法。實施例37～40之螢光體，使以460nm激勵時之發光特性併記於表17所示，其發光光譜如第38圖所示。使所得的實施例37～40之各螢光體，係使部份的組成元素之Mg以Mn取代，大致上可使發光波峰較如表17所示之實施例33～36之螢光體更長波長化。特別是實施例38～40具有顯著的長波長化的效果。而且，藉由使部份的Mg以Mn取代，可使發光光譜之半值寬變得狹窄。使部份的Mg以Mn取代的量，對Mg而言以Mn為0.01%以上、50%以下較佳，更佳者為0.1%以上、30%以內，最佳者為1%以上、20%以內。
(實施例41～48)
此外，實施例41～48中使部份的螢光體原料之碳酸鈣取代成碳酸鍶或碳酸鋇，以下述表18記載的添加組成比稱取各原料，實施與實施例1相同的製造方法。所得的實施例41～48之各螢光體，使部份的組成元素之Ca以Sr或Ba取代。Sr、Ba之取代量，對Ca而言以13%以下較佳，以10%以下更佳，以6%以下最佳。而且，於表18中併記實施例41～48之發光特性，於以460nm激勵時之發光光譜中，可得與實施例1相等的亮度。
(發光裝置)
其次，說明有關利用實施形態1之螢光體作為波長變換構件之發光裝置。發光裝置例如螢光燈等之照明器具、顯示裝置或雷射等之顯示裝置、液晶用背景燈等。下述之實施形態，例如具備作為激勵光源、放出由近紫外線～可視光之短波長範圍之光的發光元件之發光裝置。發光元件係為小型、電力效率佳、使鮮明的顏色發光。另外，由於發光元件為半導體元件時，恐會有球切等情形。此外，具有初期驅動性優異、強烈重複振動或開‧關點燈之優點。而且，以組合發光元件、與發光特性優異的氯矽酸鹽螢光體之發光裝置較佳。
激勵光源以在視感度特性低的紫外線範圍內主要具有發光波峰者較佳。人類眼睛之感覺方向與光之波長係藉由視感度特性以成立關係，555nm之光的視感度最高，朝向短波長及長波長等之視感度降低。例如，作為激勵光源所使用的紫外線範圍之光，屬於視感度低的部份，藉由實質上使用的螢光物質之發光色，以決定發光裝置之發光色。另外，伴隨投入電流之變化等，產生發光元件之退色情形時，為使在可視光範圍內發光的螢光物質之退色情形抑制於極小值時，結果可提供色調變化少的發光裝置。一般而言，紫外線範圍係指較380nm或400nm更短波長者，惟視感度上幾乎完全不見420nm以下之光，對色調之影響不大。而且，為較長波長之光更短波長之光時，能量高之故。
此外，下述之實施形態，可使用在可視光之短波長側的範圍內主要具有發光波峰之激勵光源。使激勵光源以添加有螢光物質之被覆構件被覆的發光裝置，自激勵光源出射的光不會被螢光物質吸收、而透過，該經透過的光自被覆構件放出於外部。使用可視光之短波長側的光作為激勵光源時，可有效地利用在該外部上所放射的光。因此，可使自發光裝置所出射的光損失變少，可提供高效率之發光裝置。由此可知，本實施形態亦可使用在420nm～500nm內主要具有發光波峰之激勵光源。此時可發出藍色光。另外，由於沒有使用較短波長之光，可提供對人體之有害性小的發光裝置。
惟除半導體發光元件外，可適當利用已知的螢光燈所使用的水銀燈等、在自紫外線～可視光之短波長範圍具有發光波峰波長之激勵光源等作為激勵光源。此外，本說明書之發光元件，包含發出可視光之元件、且發出近紫外線或遠紫外線等之元件。此外，「主面」係指有關組件、導線電極等、發光裝置之各構成構件的表面，取出半導體發光元件之光的發光面側之面。
搭載發光元件之發光裝置，係為砲彈型或表面實裝型等之各種形式。一般而言，砲彈型係指使構成外面之樹脂形狀形成砲彈型者。而且，表面實裝型係表示在凹狀收容部內填充發光元件及樹脂所形成者。於下述中例示各種發光裝置。
(實施形態2)
第28圖係為實施形態2之發光裝置60，第28(a)圖係表示發光裝置60之斜視圖，第28(b)圖係表示(a)之XXVIIIB-XXVIIIB’線的發光裝置60之截面圖。發光裝置60係為表面實裝型之1種側視型發光裝置。側視型係為自鄰接發光裝置之載置面的側面側發光型之發光裝置，可更予以薄型化。
具體而言，第28圖之發光裝置60，係具有凹部14、與在該凹部內部收容的發光元件2，另外，凹部14內係藉由含有螢光體3之樹脂填充。該凹部14係為部份的組件17，即組件17係由凹部14、連結於該凹部14之支持體16所構成。第28(b)圖所示，在凹部14與支持體16雙方之間，經由正負的導線電極15，構成在凹部14之發光元件2的載置面。另外，導線電極15係露出於組件17之外面側，沿著該外形所設置。發光元件2係為搭載於凹部14內之導線電極15上，予以電氣連接，經由該導線電極15，可自外部供應電力予以發光。第28(a)圖係為實裝發光裝置60之一般狀態，即以與載置發光元件2之面垂直的寬幅面作為底面予以載置。藉由上述構造形成可自與發光元件之實裝面大約平行的方向(即與發光裝置之載置面鄰接的側面)發光的發光裝置60。
於下述中，詳細說明發光裝置60。組件17係使正負兩導線電極15之一端部插入組件17，予以一體成型化。換言之，組件17係在主面側上具有可收容發光元件2之凹部14，且在凹部14之底面使正的導線電極15之一端部與負的導線電極15之一端部互相分離，各主面露出下予以設置。正負的導線電極15之間，填充有絕緣性成型材料。而且，於本發明中，在發光裝置之主面側所形成的發光面之形狀，可為如第28圖所示之矩形狀，亦可為橢圓形狀等。藉由各種形狀，保持形成凹部14之組件側壁部的機械強度，儘可能使發光面變大，且予以薄型化，可在廣泛範圍照射的發光裝置。
另外，於實施形態2之發光裝置60中，正及負的導線電極15係在另一端部自組件側面突出下予以插入。該導線電極15之突出部份，朝對向於組件17之主面的裏面側，或朝與上述主面垂直的實裝面側彎曲。此外，形成凹部14之內壁面的形狀，沒有特別的限制，載置發光元件4時，以內徑朝開口側慢慢地變大的錐形形狀較佳。藉此，可有效地使自發光元件2之端面所發出的光朝發光觀察面方向取出。而且，為提高光反射時，以在凹部之內壁面上實施銀等之金屬電鍍處理等、具有光反射功能較佳。
實施形態2之發光裝置60，係在如上述所構成的組件1之凹部14內載置發光元件4，使凹部內之發光元件4被覆下填充透光性樹脂，形成密封構件18。在該透光性樹脂中含有波長變換構件之螢光體3。透光性樹脂以使用聚矽氧烷樹脂組成物較佳，惟亦可使用環氧樹脂組成物、丙烯酸樹脂組成物等具有透光性之絕緣樹脂組成物。
(發光元件)
發光元件可使紫外線範圍～可視光範圍之光發光。特別是以使用具有240nm～480nm、更佳者445nm～455nm之發光波峰波長的發光元件，且可使具有可使螢光物質有效地激勵的發光波長之光發光的發光層較佳。藉由使用該範圍之激勵光源，可提供發光效率高的螢光體。而且，藉由在激勵光源中利用半導體發光元件，可製得以高效率、對入力而言出力的線性高、機械衝擊亦強、安定的發光裝置。可視光之短波長範圍的光，主要形成藍色光範圍。此處，本說明書中紫外線～可視光之短波長範圍，係指在240nm～500nm附近之範圍。而且，於下述中以氮化物半導體發光元件作為發光元件為例予以說明，惟不受此等所限制。
具體而言，發光元件以含In或Ga之氮化物半導體元件較佳。為使實施例1之氯矽酸鹽螢光體在495nm～548nm附近強烈地發光，企求該波長範圍之發光元件。該發光元件使近紫外線～可視光之短波長範圍中具有發光波峰波長之光放出，且藉由自該發光元件之光，激勵至少一種以上之螢光體，呈現所定的發光色。而且，該發光元件可使發光光譜寬度變得狹窄，可有效地激勵氯矽酸鹽螢光體，且自發光裝置放出實質上不會對色調變化有影響的發光光譜。
此外，實施形態2之發光元件2，採用氮化物半導體元件之例的LED晶片。另外，發光元件2可適當利用習知者，惟形成具備螢光體物質之發光裝置時，以可使激勵該螢光物質之光發光的半導體發光元件較佳。該半導體發光元件例如ZnSe或GaN等之各種半導體，惟以可有效地使螢光物質激勵的短波長之氮化物半導體(Inx Aly Ga1-x-y N、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)為宜。可視半導體層之材料或其混晶度而定，選擇各種發光波長。本實施形態所使用的發光元件2，在同一面側形成正及負的電極，惟在對應的面上各形成正及負的電極。而且，正及負的電極可各自形成1個，亦可各形成2個以上。
藉由自該發光元件所放出的光作為激勵光源，與習知的水銀燈相比，可實現消耗電力低、效率佳的發光裝置。而且，實施形態2之發光裝置，可使用上述之氯矽酸鹽螢光體。
(螢光體)
實施形態2之螢光體3，係使用實施形態1記載的螢光體。以螢光體3在樹脂中、以大約均勻比例混合較佳。藉此可製得沒有色斑之光。自發光裝置60所放出的光之亮度及波長等，受到在發光裝置60內所密封的螢光體3之粒子尺寸、塗佈後之均勻度、含有螢光體之樹脂的厚度等所影響。具體而言，在發光裝置60內之部位中，自發光元件2所放出的光直至放出發光裝置60之外部為止，部份存在於被激勵的螢光體之量或尺寸時，會產生色斑情形。而且，於螢光體粉體中，由於考慮主要在粒子表面上引起發光，一般而言平均粒徑小時，可確保每一粉體單位重量之表面積，且可避免亮度降低情形。另外，小粒螢光體可光被擴散反射，防止產生發光色之色斑。此外，大粒螢光體可提高光變換效率。因此，藉由控制螢光體之量及粒徑尺寸，可有效地取出光。
而且，更為企求在發光裝置60內所配置的螢光體具有對自光源發熱的耐性，不會受到使用環境影響的耐候性。一般而言，螢光強度係於媒體之溫度愈高時變得愈弱。此係伴隨溫度上昇，導致分子間衝突增大，藉由無輻射遷移失活使正電位能量損失之故。
惟亦可使螢光體3部份偏在於樹脂下予以配合。例如，藉由載置於接近發光元件2上，可有效地使來自發光元件2之光進行波長變換，形成發光效率優異的發光裝置。
另外，亦可在密封構件18內含有2種以上之螢光體。藉此可使自發光層出力的主光源藉由第1螢光體進行波長變換，再藉由第2螢光體製得經波長變換的光。藉由調整述種螢光體之配合，藉由組合主光源、藉由第1螢光體予以波長變換的光、及藉由第2螢光體予以波長變換的光、以及主光源直接藉由第2螢光體予以波長變換的光，可表示各種顏色。
為實施形態2之發光裝置60時，藉由併用來自LED晶片之藍色光、與可發光激勵此等之綠色光的實施形態1之螢光體、與可發光紅色光之螢光體，可放出具有優異的發光特性之白色光。可發光上述紅色光之螢光體，例如(Ca1-x Srx )AlBy SiN3+y :Eu(0≦x≦1.0、0≦y≦0.5)或(Ca1-z Srz )2 Si5 N8 :Eu(0≦z≦1.0)等。藉由併用此等之螢光體，可使相當於三原色之各成份光的半值寬變得狹窄，即可製得由鮮明的三波長所構成的白色光。結果，可減低各波長過度重疊，且使各成份光之發光波峰與濾色器之透過率波峰大約一致。而且，相當於有效波長範圍之成份光可實現高效率地含有白色光，結果，由於可減低通過過濾器後光束量之損失，故可形成總合出力經提高的放出光。另外，上述螢光體在高溫高濕下之安定性優異，且可形成富含耐候性之發光裝置。
此外，螢光體之一例，如來自發光元件之光為能量高的短波長之可視光時，可適當採用有機螢光物質之苝系衍生物、ZnCdS:Cu、YAG:Ce、以Eu及/或Cr賦活的含氮之CaO-Al2 O3 -SiO2 等之無機螢光物質等。同樣地，除YAG:Ce、以Eu及/或Cr賦活的含氮之CaO-Al2 O3 -SiO2 外，例如可使用特開2005-19646號公報、特開2005-8844號公報等記載的習知螢光物質中任何一種。而且，可適當選擇鹼土類系、硫沒食子酸系，硫矽酸鹽系、硫化鋅系、氧硫化物系之硫化物螢光體。例如鹼土類系螢光體係為MS:Re(M為1種以上選自Mg、Ca、Sr、Ba之群，Re係為1種以上Eu、Ce之群)等，硫沒食子酸螢光體係為MN2 S4 :Re(M為1種以上選自Mg、Ca、Sr、Ba之群，N為1種以上選自Al、Ga、In、Y之群，Re係為1種以上Eu、Ce之群)等，硫矽酸鹽系螢光體係為M2 LS4 :Re(M為1種以上選自Mg、Ca、Sr、Ba之群，L為1種以上選自Si、Ge、Sn之群，Re係為1種以上Eu、Ce之群)等，硫化鋅系螢光體為ZnS:K(K為1種以上選自Ag、Ca、Al之群)等，氧硫化物系螢光體例如係為Ln2 O2 S:Re(Ln為1種以上選自Y、La、Gd之群，Re係為1種以上Eu、Ce之群)等。
而且，密封構件18可適當地含有添加構件。例如藉由含有光擴散材料，可緩和來自發光元件之指向性，可增大視野角。
(實施形態3)
另外，作為本發明之實施形態3的發光裝置之表面實裝型發光裝置70，如第29圖。第29(a)圖係表示發光裝置70之平面圖，第29(b)圖係表示截面圖。發光元件71中可使用激勵紫外線之氮化物半導體發光元件。而且，發光元件71亦可使用激勵藍色光之氮化物半導體發光元件。此處，以激勵紫外線之發光元件71為例予以說明。發光元件71係使用具有發光波峰波長約為370nm之InGaN半導體之氮化物半導體發光元件作為發光層。於發光元件71中，形成有p型半導體層與n型半導體層(圖中沒有表示)，於p型半導體層與n型半導體層中形成連接於導線電極72之導電性電線74。被覆於導線電極72之外周下形成絕緣密封材料73，防止短路情形。在發光元件71之上方設置自組件75上部之科瓦鈷鐵鎳製蓋76延伸的透光性窗部77。透光性窗部77內面上幾乎全面塗佈螢光體3及塗佈構件79之均勻混合物。
其次，使經兩面處理的發光元件71之各電極、與自組件凹部底面露出的各導線電極72與以各Ag電線等之導電性電線74進行電氣導通。充分排除組件凹部內之水分後，以中央部具有玻璃窗部77之科瓦鈷鐵鎳製蓋76密封，進行密封熔接。藉由在玻璃窗部預先含有對由硝基纖維素90wt%與γ-氧化鋁10wt%所形成的漿料而言波長變換構件之氯矽酸鹽螢光體3，塗佈於蓋76之透光性窗部77的背面上，在220℃進行加熱硬化處理30分鐘，構成色變換構件。該自所形成的發光裝置70之發光元件71所出力的光，可激勵螢光體3，且形成可使企求顏色高亮度發光的發光裝置。藉此可即為簡單地調整色度，製得量產性、信賴性優異的發光裝置。
於實施形態3中，作為激勵光源所使用的紫外線範圍之光，屬於視感度低的部份，藉由實質上使用的螢光物質之發光色，以決定發光裝置之發光色。例如，在實施形態3之發光元件中藉由搭載實施形態1記載的螢光體，再搭載可發光藍色或紅色光之螢光體，可形成可放出高亮度白色光之發光裝置。而且，為實施形態3之發光裝置時，伴隨投入電流之變化等產生發光元件之退色情形時，由於可使在可視光範圍發光的螢光物質之退色情形抑制於極小值，結果可提供色調變化小的發光裝置。一般而言，紫外線範圍係指較380nm或400nm更短波長者，惟由於幾乎不見視感度之420nm以下的光，故對色調之影響不大。
(實施形態4)
第30(a)圖係表示本發明之實施形態4的發光裝置40之斜視圖。第30(b)圖係表示第30(a)圖所示之發光裝置40的XXXB-XXXB’線的截面圖。於下述中，以第30(a)及(b)圖為基準，說明實施形態4之發光裝置的簡略圖。發光裝置40係在導束4上、朝向上部裝設具備約凹形狀開口的空間之組件12。另外，該組件12之空間內，在露出的導束4上實裝數個發光元件2。總之，組件12係由包圍發光元件2之框體所形成。在組件12之開口空間內，亦載置齊納二極管等、施加規定電壓以上之電壓時、形成通電狀態之保護元件13。此外，發光元件2係經由鍵結電線5或幫浦等，與導束4電氣連接。而且，組件12之開口空間部藉由密封樹脂6予以填充。
組件12內所含的螢光體3如第30(b)圖所示(省略第30(a)圖中之螢光體3)。在該螢光體3上可使用上述氯矽酸鹽螢光體、在樹脂6內含有螢光體之狀態，與實施形態2相同。
(實施形態5)
第31圖係表示實施形態5之砲彈型發光裝置1。該發光裝置1係為在由導電性構件所形成的導束4所成型的凹形狀之杯模10內，具有載置於導束4之發光元件2、與使至少部份自該發光元件2所放出的光予以波長變換的螢光體3。該螢光體3上可搭載實施形態1之螢光體，係與實施形態2相同。發光元件2係使用在約360nm～480nm具有發光波峰波長之發光元件。發光元件2上所形成的正負電極9，係經由導電性連結電線5，與導束4電氣連接。另外，在部份導束4之導束電極4a突出下，發光元件2、導束4、與連結電線5以砲彈形狀之塑模11被覆。在塑模11內填充光透過性樹脂6，且樹脂6中含有波長變換構件之螢光體3。樹脂6係以使用在分子內具有矽氧烷鍵之聚矽氧烷系樹脂、矽氧烷架構之氟系樹脂等、聚矽氧烷樹脂組成物較佳，藉此可形成耐光性或耐熱性優異的密封樹脂。此外，一般而言由於聚矽氧烷樹脂在元素間之鍵結距離長，故具有氣體透過性高的性質，且容易使環境氣體中之水分透過。而且，在高溫高濕下容易有促進螢光體之成份溶出的傾向。然而，為本發明之螢光體時，由於可抑制來自螢光體本身之氯溶出，故即使與聚矽氧烷組成物組合時，可顯著減低使聚矽氧烷系樹脂透過的氯成份。換言之，藉由組合本發明之螢光體與聚矽氧烷系樹脂，就可避免因氯對構件的影響且可享受聚矽氧烷系樹脂的優點較佳。而且，樹脂6亦可使用環氧樹脂組成物、丙烯酸樹脂組成物等的具有透光性之絕緣樹脂組成物。藉由自該樹脂6突出的導束電極4a上自外部電源供應電力，自發光元件2之層內所含有的發光層8放出的光。自該發光層8所出力的發光波峰波長，在紫外光～藍光範圍之約500nm以下附近具有發光光譜。部份該經放出的光激勵螢光體3，製得具有與自發光層8之主光源的波長不同的波長之光。
(實施形態6)
其次，本發明實施形態6之發光裝置20係如第32(a)圖所示。該發光裝置20，與實施形態5之發光裝置1的構件為同一構件以同一符號表示，省略其說明。該發光裝置20，僅在以導束4成型的凹形狀之杯模10內，填充含有上述之螢光體3之樹脂6。塑模11內，在杯模10之外部所填充的樹脂6內不含螢光體3。以含有螢光體3之樹脂、與不含樹脂之種類相同較佳，亦可不同。為不同種類之樹脂，亦可利用各樹脂硬化時所需的溫度差，變化軟度。
發光裝置20係由於在杯模10內形成開口部之底面的大約中央部上載置發光元件2，發光元件2埋設於含有螢光體3之樹脂6內。為使來自發光層8之光沒有斑點、藉由螢光體3予以波長變換時，可使來自發光元件之光通過含均勻螢光體之樹脂。總之，可使來自發光層8之光通過的含螢光體之樹脂膜的厚度均勻即可。因此，使自發光元件2之周圍至杯膜10之壁面及上部的距離均勻下，決定杯模10之大小及發光元件20之載置位置。為該發光裝置20時，可容易均勻地調整含有螢光體3之樹脂6的膜厚。
而且，與實施形態2相同地，在樹脂中可部份偏在下配合螢光體3。例如，第32(b)圖所示之發光裝置50，在發光元件2之周圍附近形成具有大約均勻厚度之螢光體層。藉此，使自發光元件2至週邊所放出的光通過的螢光體之量大約一定，總之，由於大約相同之量的螢光體予以波長變換時，可形成色斑經減少的發光裝置。而且，有關載置螢光體3的種類，可與實施形態2相同。
(實施形態7)
其次，本發明之實施形態7的發光裝置，隙縫型發光裝置30如第33圖所示。發光元件2係使用在約400nm具有發光波峰波長之發光元件。該發光裝置30係使藉由在實施形態2之發光裝置20的塑模11的表面上分散有螢光體3之光透過性樹脂所形成的隙縫被覆31所構成。
隙縫31係在光透過性樹脂6a上使螢光體3a均勻地分散。使含有該螢光體3a之樹脂6a以嵌合發光裝置30之塑模11的外面形狀成形。另外，亦可使用在所定的塑模框內加入含有螢光體之光透過性樹脂6a後，使發光裝置30壓入該塑模框內，予以成型的方法。隙縫31之樹脂6a的具體材料，係使用環氧樹脂、尿素樹脂、聚矽氧烷樹脂等溫度特性、耐候性優異的透明樹脂、二氧化矽凝膠、玻璃、無機黏合劑等。除上述外，可使用蜜胺樹脂，苯酚樹脂等之熱硬化性樹脂。而且，亦可使用聚乙烯、聚丙烯、聚氯化乙烯、聚苯乙烯等熱塑性樹脂、苯乙烯-丁二烯共聚物、節式聚胺基甲酸酯等之熱塑性橡膠等。另外，亦可含有螢光體、與擴散劑、鈦酸鋇、氧化鈦、氧化鋁等。而且，亦可含有光安定劑或著色劑。隙縫31所使用的螢光體3a，可僅使用1種、亦可利用混合數種螢光體者、或層合成層狀者。
發光裝置30係可僅在隙縫31內之樹脂6a中含有螢光體3a、除此之外亦可在杯模10內填充含有螢光體3之樹脂6。螢光體3，3a之種類可為相同、或不同者，另外，亦可在各樹脂6，6a內具有數種螢光體。藉此可實現各種發光色。例如使白色光發光的發光裝置。自發光元件2所放出的光，可激勵螢光體3，且自藍綠色發光綠色光及自黃色發光紅色光。部份自該螢光體3所放出的光，激勵隙縫31之螢光體3a，且自綠色發光於黃色系範圍內。藉由此等螢光體之混色光，自隙縫31之表面放出至白色系之光。而且，有關經搭載的各種螢光體，與實施形態2相同。
(實施例49～51)
上述實施形態2～7之發光裝置例，實施例49～51如下所述。實施例49之發光裝置，係為實施形態2之側視型發光裝置，搭載實施形態1之螢光體者。具體而言，發光裝置之光源為在457nm～460nm具有發光光譜之LED晶片，螢光體係使用以Ca7.65 Eu0.5 MgSi4.3 O15.91 Cl1.84 (氧量係藉由各元素的價數求取)所示之氯矽酸鹽、及CaAlSiN3 :Eu。在螢光體中含有硼就特性而言較佳，此時可利用CaAlB0.005 SiN3.005 :Eu等。實施例49之發光裝置之發光特性如表19所示，且發光光譜如第34圖所示。
如第34圖所示，可確認實施例49之發光裝置在457～460nm、525nm、650nm附近具有波長波峰之各三原色光。
此外，實施例50之裝置係為實施形態4之表面實裝型發光裝置，於其上搭載實施形態1之螢光體。具體而言，發光裝置之光源在457nm～460nm具有發光光譜之LED晶片，螢光體係使用以Ca7.65 Eu0.5 MgSi4.3 O15.91 Cl1.84 (氧量藉由各元素之價數求取)所示之氯矽酸鹽、及CaAlSiN3 :Eu。惟就特性而言以在螢光體中含有硼者較佳，此時，可利用CaAlB0.005 SiN3.005 :Eu等。實施例50之發光裝置之發光特性如表20所示，且發光光譜如第35圖所示。
第35圖所示，可確認實施例50之發光裝置在457～460nm、525nm、665nm附近具有波長波峰之各三原色光。
此外，實施例51係為實施形態2之側視型發光裝置，在547～460nm具有發光光譜之LED晶片作為光源，且作成使用Ca7.65 Eu0.5 MgSi4.3 O15.91 Cl1.84 (氧量藉由各元素之價數求取)所示之氯矽酸鹽、及以(Ca0.5 Sr0,5 )2 Si5 N8 :Eu所示之氮化物螢光體的發光裝置。實施例43之發光裝置的發光特性如表21所示，且發光光譜如第39所示。
如第39圖所示，可確認實施例51之發光裝置在457～460nm、525nm、650nm附近具有波長波峰之各三原色光。
此外，實施例49～50之發光裝置，係如表19～表21、第34圖～第35圖、第39圖所示，可製得藍色LED、與使綠色及紅色之2條螢光體發光混色的白色光。此處，一般的三波長用發光裝置之理想的RGB成份，B成份之發光波峰為445～455nm，G成份之發光波峰為525～540nm，R成份之發光波峰為620～630nm較佳，另外，各發光波峰愈高時愈佳。實施例49～51中任意的發光裝置中可確認，三原色之各波長波峰接近理想的波長條件，即演色性良好的白色光，可有效地利用作為各種機器用光源。
 [產業上之利用價值]
本發明之螢光體及使用其之發光裝置及螢光體之製造方法，螢光顯示管、顯示裝置、PDP、CRT、FL、FED及投射管等，特別是適合利用於以藍色發光二極管或紫外線發光二極管作為光源之發光特性極為優異的白色照明用光源、LED顯示裝置、背景光光源、信號機、照明式開關、各種感應器及各種指示器等。
1、20、30、40、50、60、70．．．發光裝置
2．．．發光元件
3．．．螢光體
3a．．．小粒子螢光體
4．．．導束
4a．．．導束電極
5．．．連結電線
6．．．樹脂
6a．．．樹脂
8．．．發光層
9．．．電極
10．．．杯模
11．．．塑模
12．．．組件
13．．．保護元件
14．．．凹部
15．．．導線電極
16．．．支持體
17．．．組件
18．．．密封構件
31．．．間隙
71．．．發光元件
72．．．導線電極
73．．．絕緣密封材料
74．．．導電性電線
75．．．組件
76．．．科瓦鐵鈷鎳製蓋
77．．．透光性窗部(玻璃窗部)
79．．．塗佈構件
100．．．發光裝置
101．．．發光元件
102．．．螢光體
103．．．密封樹脂
104．．．支持體
105．．．導線電極
106．．．反射構件
107．．．導電構件
110．．．杯模
[第1圖]係為比較例1、實施例1～12之Cl溶出量的圖。
[第2圖]係表示比較例1、實施例1～5之螢光體在460nm激勵時之發光光譜。
[第3圖]係表示比較例1之螢光體以460nm激勵時的發光光譜。
[第4圖]係表示實施例1之螢光體以460nm激勵時的發光光譜。
[第5圖]係表示實施例2之螢光體以460nm激勵時的發光光譜。
[第6圖]係表示實施例3之螢光體以460nm激勵時的發光光譜。
[第7圖]係表示實施例4之螢光體以460nm激勵時的發光光譜。
[第8圖]係表示實施例5之螢光體以460nm激勵時的發光光譜。
[第9圖]係表示比較例1、實施例1～5之螢光體的反射光譜。
[第10圖]係表示比較例1之螢光體的反射光譜。
[第11圖]係表示實施例1之螢光體的反射光譜。
[第12圖]係表示實施例2之螢光體的反射光譜。
[第13圖]係表示實施例3之螢光體的反射光譜。
[第14圖]係表示實施例4之螢光體的反射光譜。
[第15圖]係表示實施例5之螢光體的反射光譜。
[第16圖]係表示比較例、實施例1～5之螢光體的激勵光譜。
[第17圖]係表示比較例1之螢光體的激勵光譜。
[第18圖]係表示實施例1之螢光體的激勵光譜。
[第19圖]係表示實施例2之螢光體的激勵光譜。
[第20圖]係表示實施例3之螢光體的激勵光譜。
[第21圖]係表示實施例4之螢光體的激勵光譜。
[第22圖]係表示實施例5之螢光體的激勵光譜。
[第23圖]係表示比較例1之螢光體的1000倍擴大照片。
[第24圖]係表示實施例1之螢光體的1000倍擴大照片。
[第25圖]係表示實施例2之螢光體的1000倍擴大照片。
[第26圖]係表示實施例4之螢光體的1000倍擴大照片。
[第27圖]係表示實施例5之螢光體的1000倍擴大照片。
[第28圖]係表示實施形態2之發光裝置，第28(a)圖係表示斜視圖，第28(b)圖係表示(a)之XXVIIIB-XXVIIIB’線之截面圖。
[第29圖]係表示實施形態3之發光裝置，第29(a)圖係表示平面圖，第29(b)圖係表示截面圖。
[第30圖]係表示實施形態4之發光裝置，第30(a)圖係表示斜視圖，第30(b)圖係表示截面圖。
[第31圖]係為實施形態5之發光裝置的截面圖。
[第32圖]第32(a)圖係表示實施形態6之發光裝置的截面圖，第32(b)圖係表示實施形態6之另一截面圖。
[第33圖]係為實施形態7之發光裝置的截面圖。
[第34圖]係表示實施例49之發光裝置的發光光譜。
[第35圖]係表示實施例50之發光裝置的發光光譜。
[第36圖]係表示習知之發光裝置的截面圖。
[第37圖]係表示實施例33～36之發光裝置的發光光譜。
[第38圖]係表示實施例37～40之發光裝置的發光光譜。
[第39圖]係表示實施例51之發光裝置的發光光譜。

Claims (14)

  1. 一種螢光體，其係為至少含有矽、鎂及氯，且以銪活化，可發綠色光之螢光體，其特徵為在前述螢光體中所含的氯之莫耳比，對鎂而言為1.0≦Cl/Mg≦1.9之範圍。
  2. 一種螢光體，其係為以銪活化，吸收近紫外光~藍色光，而可發綠色光的螢光體，其特徵為實質的組成以下述一般式所示，x、y、z、a、b在下述範圍內，Mx Euy MgSiz Oa Xb (上式中，M係為至少1種選自Ca、Sr、Ba、Zn、Mn之群，X係為至少1種選自F、Cl、Br、I之群，6.5≦x<8.0、0.01≦y≦2.0、3.7≦z≦4.3、a=x+y+1+2z-b/2、1.0≦b≦1.9)。
  3. 一種螢光體，其係為以銪活化，吸收近紫外光~藍色光，而可發綠色光的螢光體，其特徵為實質的組成係以下述一般式所示，x、y、z、a、b在下述範圍內，Mx Euy MgSiz Oa Xb (式中，M係為至少1種選自Ca、Sr、Ba、Zn、Mn之群， X係為至少1種選自F、Cl、Br、I之群，6.0≦x<8.0、0.01≦y≦2.0、3.7≦z≦4.3、a=x+y+1+2z-b/2、0.80≦b≦1.9)。
  4. 一種螢光體，其係為以銪活化，吸收近紫外光~藍色光，而可發綠色光的螢光體，其特徵為實質的組成係以下述一般式所示，x、y、z、w、a、b在下述範圍內，Mx Euy MgSiz Alw Oa Xb (上式中，M係為至少1種選自Ca、Sr、Ba、Zn、Mn之群，X係為至少1種選自F、Cl、Br、I之群，6.5≦x<8.0、0.01≦y≦2.0、3.7≦z≦4.3、0<w≦0.5、a=x+y+1+2z+(3/2)w-b/2、1.0≦b≦1.9)。
  5. 一種螢光體，其係為以銪活化，吸收近紫外光~藍色光，而可發綠色光的螢光體，其特徵為實質的組成係以下述一般式所示，x、y、z、w、a、b、c在下述範圍內，Mx Euy MgSiz Alw OaXb Nc (式中，M係為至少1種選自Ca、Sr、Ba、Zn、Mn之群，X係為至少1種選自F、Cl、Br、I之群，6.5≦x<8.0、0.01≦y≦2.0、3.7≦z≦4.3、0<w≦0.5、a=x+y+1+2z+(3/2)w-b/2-(3/2)c、1.0≦b≦1.9、0≦c≦3.0、)。
  6. 一種螢光體，其係為以銪活化，吸收近紫外光~藍色光，而可發綠色光的螢光體，其特徵為實質的組成係以下述一般式所示，x、y、z、a、b在下述範圍內，Cax Euy (Mg,Mn)Siz Oa Xb (上式中，X係為至少1種選自F、Cl、Br、I之群，6.0≦x<10.0、0.01≦y≦2.0、3.7≦z≦5.5、a=x+y+1+2z-b/2、0.80≦b≦1.9)。
  7. 如申請專利範圍第1~6項中任一項之螢光體，其中氯元素之含有量為8.0wt%以下。
  8. 如申請專利範圍第1~6項中任一項之螢光體，其中至少一種選自Cl、F、Br、I所成群的元素之溶出量為1500ppm以下。
  9. 如申請專利範圍第1~6項中任一項之螢光體，其中吸收近紫外光~藍色光，而在495nm以上、548nm以下之波長範圍具有發光波峰波長。
  10. 如申請專利範圍第1~6項中任一項之螢光體，其中螢光體之平均粒徑為2μm以上，100μm以下。
  11. 一種發光裝置，其係為具有使在近紫外光~藍色光範圍之間的光發光之激勵光源，及吸收部份來自前述激勵光源之光，而發綠色之光的螢光體之發光裝置，其特徵為前述螢光體係使用如申請專利範圍第1~6項中任一項之螢光體。
  12. 如申請專利範圍第11項之發光裝置，其中另外具 有(Ca1-x Srx )AlBy SiN3+y ：Eu或(Ca1-z Srz )2 Si5 N8 ：Eu之螢光體，(式中，0≦x≦1.0、0≦y≦0.5、0≦z≦1.0)。
  13. 如申請專利範圍第11項之發光裝置，其中密封樹脂為在分子內具有矽氧烷鍵之聚矽氧烷樹脂
  14. 一種螢光體之製造方法，其係為以下述一般式所示、可發綠色光的螢光體之製造方法，其特徵為具備在螢光體之組成元素的M、Eu、Mg、Si、X滿足M：Eu：Mg：Si：X=(6.5~7.5)：(0.5~1.5)：1：4：(1.5~2.5)之關係、使含有前述螢光體之組成之各原料計量、混合的步驟，使上述經混合的原料燒成，再予以還原的步驟，Mx Euy MgSiz Oa Xb (式中，M係為至少1種選自Ca、Sr、Ba、Zn、Mn之群，X係為至少1種選自F、Cl、Br、I之群，6.5≦x<8.0、0.01≦y≦2.0、3.7≦z≦4.3、a=x+y+1+2z-b/2、1.0≦b≦1.9)。
TW097132555A 2007-11-30 2008-08-26 A phosphor and a light-emitting device using the same, and a method for manufacturing the phosphor TWI383035B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007311599 2007-11-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200930791A TW200930791A (en) 2009-07-16
TWI383035B true TWI383035B (zh) 2013-01-21

Family

ID=40678253

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097132555A TWI383035B (zh) 2007-11-30 2008-08-26 A phosphor and a light-emitting device using the same, and a method for manufacturing the phosphor

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8030839B2 (zh)
EP (1) EP2216385B1 (zh)
JP (1) JP5544881B2 (zh)
CN (1) CN101878280B (zh)
TW (1) TWI383035B (zh)
WO (1) WO2009069345A1 (zh)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5416946B2 (ja) * 2008-11-05 2014-02-12 株式会社東芝 蛍光体溶液
KR101007131B1 (ko) 2008-11-25 2011-01-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
TWI356514B (en) * 2009-03-19 2012-01-11 Lextar Electronics Corp Light emitting diode package
DE102009037730A1 (de) 2009-08-17 2011-02-24 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Konversions-LED mit hoher Farbwiedergabe
EP2467449B1 (en) * 2009-08-17 2014-11-26 OSRAM SYLVANIA Inc. Phosphor blend for a led light source and led light source incorporating same
JP5528900B2 (ja) 2010-04-30 2014-06-25 ローム株式会社 発光素子モジュール
US8937324B2 (en) * 2010-08-30 2015-01-20 Bridgelux, Inc. Light-emitting device array with individual cells
US9373606B2 (en) 2010-08-30 2016-06-21 Bridgelux, Inc. Light-emitting device array with individual cells
RU2595698C2 (ru) * 2010-09-28 2016-08-27 Конинклейке Филипс Электроникс, Н.В. Светоизлучающее устройство с органическим люминофором
US8801969B2 (en) * 2011-01-14 2014-08-12 Lightscape Materials, Inc. Carbonitride and carbidonitride phosphors and lighting devices using the same
JP5941249B2 (ja) * 2011-02-02 2016-06-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
EP3544067B1 (en) * 2011-05-16 2020-09-09 Nichia Corporation Light diode emitting device and method for manufacturing the same
CH706230A1 (de) 2012-03-09 2013-09-13 Schaerer Ag Getränkeverkaufsautomat sowie Auslaufmodul für einen solchen Getränkeverkaufsautomaten.
TWI489657B (zh) * 2012-04-12 2015-06-21 隆達電子股份有限公司 發光二極體封裝件
CN102660268B (zh) * 2012-05-11 2014-11-19 北京晶创达科技有限公司 以氧化物为原料制备氮化物荧光体的方法和氮化物荧光体
US9612002B2 (en) 2012-10-18 2017-04-04 GE Lighting Solutions, LLC LED lamp with Nd-glass bulb
KR102009904B1 (ko) * 2012-10-24 2019-08-12 삼성전자주식회사 광학부재 실장장치 및 이를 이용한 발광장치 제조방법
CN102925146B (zh) * 2012-10-24 2015-04-29 江苏博睿光电有限公司 一种氮化物荧光粉的制造方法
JP6107136B2 (ja) 2012-12-29 2017-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置
JP6484396B2 (ja) 2013-06-28 2019-03-13 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置
US10069046B2 (en) * 2013-11-13 2018-09-04 Lg Innotek Co., Ltd. Bluish green phosphor and light emitting device package including the same
CN103965897B (zh) * 2014-05-23 2016-03-30 四川大学 一种led用铝硅酸盐黄绿色荧光粉及其制备方法
US9890328B2 (en) 2014-12-12 2018-02-13 General Electric Company Phosphor compositions and lighting apparatus thereof
US9537061B2 (en) 2014-12-12 2017-01-03 General Electric Company Phosphor compositions and lighting apparatus thereof
JP6354607B2 (ja) * 2015-01-23 2018-07-11 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11732187B2 (en) 2018-10-25 2023-08-22 Nichia Corporation Chlorosilicate fluorescent material, method for producing the same, and light emitting device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007027618A1 (en) * 2005-08-31 2007-03-08 Gelcore Llc Phosphor and blends thereof for use in leds
JP2007302757A (ja) * 2006-05-10 2007-11-22 Denki Kagaku Kogyo Kk α型サイアロン蛍光体及びその製造方法、並びに照明器具

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1206802B1 (de) 2000-05-29 2008-03-19 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Weiss emittierende beleuchtungseinheit auf led-basis
DE10026435A1 (de) 2000-05-29 2002-04-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kalzium-Magnesium-Chlorosilikat-Leuchtstoff und seine Anwendung bei Lumineszenz-Konversions-LED
JP4222059B2 (ja) * 2002-09-24 2009-02-12 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5138145B2 (ja) * 2002-11-12 2013-02-06 日亜化学工業株式会社 蛍光体積層構造及びそれを用いる光源
JP2004296830A (ja) 2003-03-27 2004-10-21 Solidlite Corp 白色ｌｅｄの製造方法
US7311858B2 (en) * 2004-08-04 2007-12-25 Intematix Corporation Silicate-based yellow-green phosphors
US20060027785A1 (en) 2004-08-04 2006-02-09 Intematix Corporation Novel silicate-based yellow-green phosphors
DE102004038199A1 (de) * 2004-08-05 2006-03-16 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH LED mit niedriger Farbtemperatur
US20090058254A1 (en) * 2005-04-15 2009-03-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Phosphor and light-emitting device
US20060279196A1 (en) * 2005-06-02 2006-12-14 Wei-Jen Hsu White LED
US8906262B2 (en) * 2005-12-02 2014-12-09 Lightscape Materials, Inc. Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same
JP2007231250A (ja) * 2006-02-02 2007-09-13 Nichia Chem Ind Ltd 蛍光体及びそれを用いた発光装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007027618A1 (en) * 2005-08-31 2007-03-08 Gelcore Llc Phosphor and blends thereof for use in leds
JP2007302757A (ja) * 2006-05-10 2007-11-22 Denki Kagaku Kogyo Kk α型サイアロン蛍光体及びその製造方法、並びに照明器具

Also Published As

Publication number Publication date
EP2216385A4 (en) 2011-12-07
CN101878280A (zh) 2010-11-03
TW200930791A (en) 2009-07-16
US20100301738A1 (en) 2010-12-02
US8030839B2 (en) 2011-10-04
JP5544881B2 (ja) 2014-07-09
EP2216385A1 (en) 2010-08-11
JPWO2009069345A1 (ja) 2011-04-07
CN101878280B (zh) 2013-05-01
WO2009069345A1 (ja) 2009-06-04
EP2216385B1 (en) 2013-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI383035B (zh) A phosphor and a light-emitting device using the same, and a method for manufacturing the phosphor
JP5644112B2 (ja) 発光装置
US7939996B2 (en) Display device with solid state fluorescent material
CN102686700B (zh) 卤磷酸盐荧光体及白色发光装置
TWI394817B (zh) 白色發光裝置
JP5832713B2 (ja) 蛍光体及びこれを用いた発光装置並びに蛍光体の製造方法
JP2008227523A (ja) 窒化物蛍光体及びその製造方法並びに窒化物蛍光体を用いた発光装置
WO2006095285A1 (en) Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material
TW200927886A (en) Red line emitting complex fluoride phosphors activated with Mn4+
JP2008095091A (ja) 蛍光体及びその製造方法、蛍光体含有組成物、発光装置、並びに画像表示装置及び照明装置
TWI323947B (en) Light emitting device and phosphor of alkaline earth sulfide therefor
JP4988181B2 (ja) 酸窒化物系蛍光体及びその製造法
JP2008189700A (ja) 窒化物系蛍光体、酸窒化物系蛍光体及びこれらを用いた発光装置
US7935975B2 (en) White LED lamp and backlight using the same, and liquid crystal display device using the backlight
JP5523676B2 (ja) 蛍光体及びこれを用いた発光装置
US20090079327A1 (en) Green light emitting phosphor and light emitting device using the same
WO2008065567A1 (en) Illumination system comprising hetero- polyoxometalate
JP5446493B2 (ja) 蛍光体及びこれを用いた発光装置
JP6008017B2 (ja) 蛍光体及びこれを用いた発光装置
JP6036951B2 (ja) 蛍光体の製造方法
JP5194395B2 (ja) 酸窒化物系蛍光体及びこれを用いた発光装置
JP5768846B2 (ja) 蛍光体及びこれを用いた発光装置
JP2024094337A (ja) 発光装置、照明装置、画像表示装置及び車両用表示灯